JPH1112743A - ガイドブッシュ内周面への被膜形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 内周面に形成する中間層と硬質カーボン膜の
膜厚分布の発生がなく、開口端面と開口中側とで均一な
膜厚で形成する。 【解決手段】 ガイドブッシュ１１の開口内に補助電極
電源８３ａに接続し、金属の中間層材料からなる補助電
極７１を挿入するようにガイドブッシュを真空槽６１内
に配置し、真空槽の内部を排気した後、ガイドブッシュ
は接地電位に接続するかあるいは直流電源から直流負電
圧を印加し、ガス導入口からアルゴンガスと炭素を含む
ガスとの混合ガスを真空槽内に導入して、補助電極電源
から直流負電圧を補助電極に印加してプラズマを発生さ
せガイドブッシュに金属炭化物被膜からなる中間層を形
成し、その後硬質カーボン膜を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は自動旋盤に設けて被
加工物を回転可能に支持する回転型や固定型のガイドブ
ッシュの内周面に中間層と、この中間層の上面に形成す
る硬質カーボン膜との被膜形成する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】自動旋盤の自動旋盤コラムに設け被加工
物を回転可能に支持するガイドブッシュの内周面は、つ
ねに被加工物と接触してともに回転したり、あるいはそ
の内周面で被加工物が回転したり、さらに軸方向に摺動
する。そして、ガイドブッシュの内周面に硬質カーボン
膜を設けることが提案されている。

【０００３】硬質カーボン膜は黒色を呈し、ダイヤモン
ドによく似た性質をもつ。すなわち硬質カーボン膜は、
高い機械的硬度や低い摩擦係数や良好な電気的絶縁性や
高い熱伝導率や高い耐腐食性をもつ。そのため装飾品や
医療機器や磁気ヘッドや工具などに硬質カーボン膜を被
覆することが提案されている。

【０００４】この硬質カーボン膜をガイドブッシュに密
着性よく形成するための手段としては、たとえば特開昭
５６−６９２０号公報に、シリコンあるいはシリコン化
合物からなる中間層をガイドブッシュにスパッタリング
法により形成後、この中間層上に硬質カーボン膜を形成
する方法が提案されている。

【０００５】この公報に記載の従来技術における中間層
の形成方法を、図１１を用いて説明する。図１１は、従
来技術における硬質カーボン膜の下層に形成する中間層
の形成方法を示す断面図である。図１１に示すように、
その周囲領域にターゲットカバー５５ａを有し、シリコ
ンやシリコン化合物の中間層材料からなるターゲット５
５と、開口を有しその内周面に中間層を形成するガイド
ブッシュ１１とをそれぞれ対向するように、真空層６１
内に配置する。

【０００６】その後、図示しない排気手段によって真空
層６１内を排気口６５から真空排気する。その後、ガス
導入口６３からスパッタガスとしてアルゴン（Ａｒ）ガ
スを導入する。さらにその後、ターゲット５５にはター
ゲット電源５７から負の直流電圧を印加する。さらにガ
イドブッシュ１１には、直流電源７３からの直流負電圧
を印加する。

【０００７】すると真空層６１内にはプラズマが発生
し、このプラズマ中のイオンによって中間層材料からな
るターゲット５５表面をスパッタする。そしてこのター
ゲット５５表面からたたき出された中間層材料は、ガイ
ドブッシュ１１に付着し、シリコンやシリコン化合物か
らなる中間層をガイドブッシュ１１内周面に形成するこ
とができる。

【０００８】その後、この中間層の上面に硬質カーボン
膜を形成する。つぎにこの硬質カーボン膜の形成方法
を、図１２を用いて説明する。図１２は従来技術におけ
る硬質カーボン膜の形成方法を示す断面図である。なお
以下に説明する硬質カーボン膜の形成方法は、前述の公
開公報には記載されていない。

【０００９】図１２に示すように、ガス導入口６３と排
気口６５とを有する真空槽６１の内部に中間層を形成し
たガイドブッシュ１１を配置する。そしてこのガイドブ
ッシュ１１に形成した中間層の上面に硬質カーボン膜を
形成するわけである。そして排気口６５から真空槽６１
の内部を、図示しない排気手段によって真空排気する。
その後、ガス導入口６３から炭素を含むガスを真空槽６
１内に導入して、設定圧力になるように調整する。

【００１０】その後、アノード７９にはアノード電源７
５から直流正電圧を印加し、フィラメント８１にはフィ
ラメント電源７７から交流電圧を印加する。さらにガイ
ドブッシュ１１には、直流電源７３から直流の負電圧を
印加する。そして真空槽６１内にプラズマを発生させ
て、ガイドブッシュ１１の中間層の上面に硬質カーボン
膜を形成している。

【００１１】この図１２に示す硬質カーボン膜の被膜形
成方法では、ガイドブッシュ１１に印加する直流電圧に
より発生するプラズマと、交流電圧を印加するフィラメ
ント８１と直流電圧を印加するアノード７９で発生する
プラズマとが発生する。そして硬質カーボン膜を形成す
るときの真空槽６１内の圧力により、ガイドブッシュ１
１周囲のプラズマか、フィラメント８１とアノード７９
近傍のプラズマかが主になって、硬質カーボン膜を形成
している。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】図１２を用いて説明し
た硬質カーボン膜の形成方法においては、真空槽６１内
部の圧力が３×１０^-3ｔｏｒｒ以上のときは、ガイドブ
ッシュ１１の周囲に発生するプラズマが主になって、炭
素を含むガスを分解して硬質カーボン膜を形成する。

【００１３】このときガイドブッシュ１１の外周部には
硬質カーボン膜を均一性よく形成することができるが、
ガイドブッシュ１１の内周面に形成する硬質カーボン膜
は密着性が悪く、さらに硬度などの膜質が劣る。これ
は、ガイドブッシュ１１には同じ電圧が印加されてお
り、開口内面は同電位の電極どうしが対向している空間
となり、その開口内面でのプラズマはホロー放電と呼ば
れる異常放電を発生する。このホロー放電によって形成
される硬質カーボン膜は、ポリマーライクな密着性の悪
い被膜であり、ガイドブッシュ１１から剥離しやすく、
その硬度も低い。

【００１４】これにたいして真空槽６１内の圧力が３×
１０^-3ｔｏｒｒより低いときは、ガイドブッシュ１１周
囲のプラズマより、硬質カーボン膜の形成は、フィラメ
ント８１とアノード７９近傍に発生するプラズマがおも
に寄与する。

【００１５】このときガイドブッシュ１１の外周部には
硬質カーボン膜を均一性よく形成することができるが、
ガイドブッシュ１１の内周面に形成する硬質カーボン膜
は、ガイドブッシュ１１の長手方向で膜厚を均一に形成
することができない。ここで、フィラメント８１とアノ
ード７９近傍に発生するプラズマでイオン化された炭素
イオンは、ガイドブッシュ１１に印加する直流負電位に
引っ張られて堆積し、ガイドブッシュ１１に硬質カーボ
ン膜の被膜形成を行っている。

【００１６】前述の真空槽６１内の圧力が３×１０^-3ｔ
ｏｒｒより高いときは、硬質カーボン膜が化学気相成長
的に形成されるのに対して、圧力が３×１０^-3ｔｏｒｒ
より低いときは、硬質カーボン膜が物理的気相成長的に
形成される。このために、フィラメント８１とアノード
７９近傍に発生するプラズマがおもに寄与する硬質カー
ボン膜形成のときは、真空蒸着法などの物理的気相成長
法と同様に、ガイドブッシュ１１の内周面には開口端面
から開口奥側に向かうにしたがって、硬質カーボン膜の
膜厚が薄くなる。この結果、ガイドブッシュ１１の内周
面に形成する硬質カーボン膜はガイドブッシュ１１内周
面の長手方向で膜厚を均一に形成することができない。

【００１７】さらに図１１に示す中間層の形成方法にお
いても、ガイドブッシュ１１の内周面には開口端面から
開口奥側に向かうにしたがって、中間層の膜厚が薄くな
る。このガイドブッシュ内周面に形成する中間層の膜厚
分布を、図６のグラフを用いて説明する。図６のグラフ
は、横軸はガイドブッシュの開口端からの距離を示し、
縦軸はガイドブッシュの内周面に形成する中間層の膜厚
を示す。そして曲線８７が、さきの図１１に示す形成方
法によって形成したときの中間層の膜厚状態を示す。

【００１８】図６のグラフの曲線８７に示すように、ガ
イドブッシュ開口端に０．５μｍの膜厚の中間層を形成
したとき、図１１に示す方法によって形成した中間層
は、開口端から開口奥側に３０ｍｍに入った位置では、
０．１μｍと極端に中間層の膜厚が薄くなっている。

【００１９】この中間層の膜厚分布のばらつきが大きく
なると、この中間層の上面に硬質カーボン膜を形成した
とき、ガイドブッシュ１１の開口端領域近傍は密着性よ
く硬質カーボン膜を形成することができるが、開口奥側
の硬質カーボン膜が剥離してしまう。これはガイドブッ
シュ開口奥側は、図６のグラフを用いて説明したよう
に、中間層の膜厚が薄く、硬質カーボン膜のストレスに
耐えきれず、硬質カーボン膜が剥離してしまうためであ
る。

【００２０】〔発明の目的〕本発明の目的は、上記課題
を解決して、ガイドブッシュの内周面に均一な膜厚で中
間層を形成し、そのうえ硬質カーボン膜を密着性よく、
しかも均一な膜厚で形成することが可能なガイドブッシ
ュ内周面への被膜形成方法を提供することである。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形成方法に
おいては、下記記載の手段を採用する。

【００２２】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法においては、ガイドブッシュの開口内に補助電極
電源に接続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入
するようにガイドブッシュを真空槽内部に配置し、真空
槽の内部を排気した後、ガイドブッシュは接地電位に接
続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガ
ス導入口からアルゴンガスと炭素を含むガスとの混合ガ
スを真空槽内に導入して、補助電極電源から直流負電圧
を補助電極に印加してプラズマを発生させガイドブッシ
ュに金属炭化物被膜からなる中間層を形成し、その後、
ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直流正電圧
に接続する補助電極を挿入するようにガイドブッシュを
真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から
炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに
直流電圧を印加し、アノードに直流電圧を印加しフィラ
メントに交流電圧を印加してプラズマを発生させてガイ
ドブッシュに硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る。

【００２３】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空槽内部
を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続する
かあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入
口からアルゴンガスと炭素を含むガスとの混合ガスを導
入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加し
てプラズマを発生させガイドブッシュに金属炭化物被膜
からなる中間層を形成し、その後、ガイドブッシュの開
口内面に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極
を挿入するようにガイドブッシュを真空槽の中に配置
し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガス
を真空槽内に導入し、ガイドブッシュに高周波電圧を印
加してプラズマを発生させてガイドブッシュに硬質カー
ボン膜を形成することを特徴とする。

【００２４】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部を排
気した後、ガイドブッシュは接地電位に接続するかある
いは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口から
アルゴンガスと炭素を含むガスとの混合ガスを導入し、
補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加してプラ
ズマを発生させガイドブッシュに金属炭化物被膜からな
る中間層を形成し、その後、ガイドブッシュの開口内面
に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極を挿入
するようにガイドブッシュを真空槽の中に配置し、真空
槽内を排気したのち、ガス導入口から炭素を含むガスを
真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加し
てプラズマを発生させてガイドブッシュに硬質カーボン
膜を形成することを特徴とする。

【００２５】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部を排
気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するかあ
るいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口か
らアルゴンガスと炭素を含むガスとの混合ガスを導入
し、補助電極電源から交流電圧を補助電極に印加して抵
抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内周面に金属炭化
物被膜からなる中間層を形成し、その後、ガイドブッシ
ュの開口内面に接地電位または直流正電圧に接続する補
助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽内に配
置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガ
スを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印
加し、アノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流
電圧を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュに
硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。

【００２６】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部を排
気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するかあ
るいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口か
らアルゴンガスと炭素を含むガスとの混合ガスを導入
し、補助電極電源から交流電圧を補助電極に印加して抵
抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内周面に金属炭化
物被膜からなる中間層を形成し、その後、ガイドブッシ
ュの開口内面に接地電位または直流正電圧に接続する補
助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽の中に
配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含む
ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに高周波電圧
を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュに硬質
カーボン膜を形成することを特徴とする。

【００２７】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部を排
気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するかあ
るいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口か
らアルゴンガスと炭素を含むガスとの混合ガスを導入
し、補助電極電源から交流電圧を補助電極に印加して抵
抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内周面に金属炭化
物被膜からなる中間層を形成し、その後、ガイドブッシ
ュの開口内面に接地電位または直流正電圧に接続する補
助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽の中に
配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含む
ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を
印加してプラズマを発生させてガイドブッシュに硬質カ
ーボン膜を形成することを特徴とする。

【００２８】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部を排
気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するかあ
るいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口か
らアルゴンガスと炭素を含むガスとの混合ガスを導入
し、補助電極電源から高周波電圧を補助電極に印加して
ガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズマを
発生させガイドブッシュの内周面に金属炭化物被膜から
なる中間層を形成し、その後、ガイドブッシュの開口内
面に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極を挿
入するようにガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空
槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽
内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加し、アノ
ードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を印加
してプラズマを発生させてガイドブッシュに硬質カーボ
ン膜を形成することを特徴とする。

【００２９】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部を排
気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するかあ
るいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口か
らアルゴンガスと炭素を含むガスとの混合ガスを導入
し、補助電極電源から高周波電圧を補助電極に印加して
ガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズマを
発生させガイドブッシュの内周面に金属炭化物被膜から
なる中間層を形成し、その後、ガイドブッシュの開口内
面に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極を挿
入するようにガイドブッシュを真空槽の中に配置し、真
空槽内を排気した後、ガス導入口から炭素を含むガスを
真空槽内に導入し、ガイドブッシュに高周波電圧を印加
してプラズマを発生させてガイドブッシュに硬質カーボ
ン膜を形成することを特徴とする。

【００３０】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部を排
気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するかあ
るいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口か
らアルゴンガスと炭素を含むガスとの混合ガスを導入
し、補助電極電源から高周波電圧を補助電極に印加して
ガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズマを
発生させガイドブッシュの内周面に金属炭化物被膜から
なる中間層を形成し、その後、ガイドブッシュの開口内
面に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極を挿
入するようにガイドブッシュを真空槽の中に配置し、真
空槽内を排気した後、ガス導入口から炭素を含むガスを
真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加し
てプラズマを発生させてガイドブッシュに硬質カーボン
膜を形成することを特徴とする。

【００３１】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を
排気した後、ガイドブッシュは接地電位に接続するかあ
るいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口か
らアルゴンガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧
を補助電極に印加してプラズマを発生させガイドブッシ
ュに金属被膜からなる第１の中間層を形成し、その後、
ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し中間層
材料からなる金属の補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部を排気した後、
ガイドブッシュは接地電位に接続するかあるいは直流電
源から直流負電圧を印加し、ガス導入口からアルゴンガ
スと炭素を含むガスとの混合ガスを真空槽内に導入し、
補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加してプラ
ズマを発生させガイドブッシュに金属炭化物被膜からな
る第２の中間層を形成し、さらにその後、ガイドブッシ
ュの開口内面に接地電位または直流正電圧に接続する補
助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽内に配
置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガ
スを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印
加し、アノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流
電圧を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュに
硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。

【００３２】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部を排
気した後、ガイドブッシュは接地電位に接続するかある
いは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口から
アルゴンガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を
補助電極に印加してプラズマを発生させガイドブッシュ
に金属被膜からなる第１の中間層を形成し、その後、ガ
イドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し中間層材
料からなる金属の補助電極を挿入するようにガイドブッ
シュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を排気した後、
ガス導入口からアルゴンガスと炭素を含むガスとの混合
ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュは接地電位に
接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、
補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加してプラ
ズマを発生させガイドブッシュに金属炭化物被膜からな
る第２の中間層を形成し、さらにその後、ガイドブッシ
ュの開口内面に接地電位または直流正電圧に接続する補
助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽の中に
配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含む
ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに高周波電圧
を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュに硬質
カーボン膜を形成することを特徴とする。

【００３３】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気
したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するかある
いは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口から
アルゴンガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を
補助電極に印加してプラズマを発生させガイドブッシュ
に金属被膜からなる第１の中間層を形成し、その後、ガ
イドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し中間層材
料からなる金属の補助電極を挿入するようにガイドブッ
シュを真空槽の内部に配置し、真空槽の内部を排気した
のち、ガス導入口からアルゴンガスと炭素を含むガスと
の混合ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュは接地
電位に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印
加し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加し
てプラズマを発生させガイドブッシュに金属炭化物被膜
からなる第２の中間層を形成し、さらにその後、ガイド
ブッシュの開口内面に接地電位または直流正電圧に接続
する補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽
の中に配置し、真空槽内を排気したのち、ガス導入口か
ら炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュ
に直流電圧を印加してプラズマを発生させてガイドブッ
シュに硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。

【００３４】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を
排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するか
あるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口
からアルゴンガスを真空槽内に導入し、補助電極電源か
ら交流電圧を補助電極に印加して抵抗加熱蒸着法により
ガイドブッシュの内周面に金属被膜からなる第１の中間
層を形成し、その後、ガイドブッシュの開口内に補助電
極電源に接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿
入するようにガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空
槽内部を排気したのち、ガス導入口からアルゴンガスと
炭素を含むガスとの混合ガスを真空槽内に導入し、ガイ
ドブッシュは接地電位に接続するかあるいは直流電源か
ら直流負電圧を印加し、補助電極電源から交流電圧を補
助電極に印加して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュ
の内周面に金属炭化物被膜からなる第２の中間層を形成
し、さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電
位または直流正電圧に接続する補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を
排気した後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内
に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加し、アノー
ドに直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を印加し
てプラズマを発生させてガイドブッシュに硬質カーボン
膜を形成することを特徴とする。

【００３５】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を
排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するか
あるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口
からアルゴンガスを真空槽内に導入し、補助電極電源か
ら交流電圧を補助電極に印加して抵抗加熱蒸着法により
ガイドブッシュの内周面に金属被膜からなる第１の中間
層を形成し、その後、ガイドブッシュの開口内に補助電
極電源に接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿
入するようにガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空
槽内部を排気したのち、ガス導入口からアルゴンガスと
炭素を含むガスとの混合ガスを真空槽内に導入し、ガイ
ドブッシュは接地電位に接続するかあるいは直流電源か
ら直流負電圧を印加し、補助電極電源から交流電圧を補
助電極に印加して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュ
の内周面に金属炭化物被膜からなる第２の中間層を形成
し、さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電
位または直流正電圧に接続する補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排
気した後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に
導入し、ガイドブッシュに高周波電圧を印加してプラズ
マを発生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成
することを特徴とする。

【００３６】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を
排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するか
あるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口
からアルゴンガスを真空槽内に導入し、補助電極電源か
ら交流電圧を補助電極に印加して抵抗加熱蒸着法により
ガイドブッシュの内周面に金属被膜からなる第１の中間
層を形成し、その後、ガイドブッシュの開口内に補助電
極電源に接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿
入するようにガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空
槽内部を排気したのち、ガス導入口からアルゴンガスと
炭素を含むガスとの混合ガスを真空槽内に導入し、ガイ
ドブッシュは接地電位に接続するかあるいは直流電源か
ら直流負電圧を印加し、補助電極電源から交流電圧を補
助電極に印加して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュ
の内周面に金属炭化物被膜からなる第２の中間層を形成
し、さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電
位または直流正電圧に接続する補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排
気した後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に
導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加してプラズマ
を発生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成す
ることを特徴とする。

【００３７】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を
排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するか
あるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口
からアルゴンガスを真空槽内に導入し、補助電極電源か
ら高周波電圧を補助電極に印加してガイドブッシュの開
口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させガイドブッ
シュの内周面に金属被膜からなる第１の中間層を形成
し、その後、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に
接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するよ
うにガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部を
排気したのち、ガス導入口からアルゴンガスと炭素を含
むガスとの混合ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシ
ュは接地電位に接続するかあるいは直流電源から直流負
電圧を印加し、補助電極電源から高周波電圧を補助電極
に印加してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲に
プラズマを発生させガイドブッシュの内周面に金属炭化
物被膜からなる第２の中間層を形成し、さらにその後、
ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直流正電圧
に接続する補助電極を挿入するようにガイドブッシュを
真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から
炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに
直流電圧を印加し、アノードに直流電圧を印加しフィラ
メントに交流電圧を印加してプラズマを発生させてガイ
ドブッシュに硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る。

【００３８】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を
排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するか
あるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口
からアルゴンガスと炭素を含むガスとの混合ガスを真空
槽内導入し、補助電極電源から高周波電圧を補助電極に
印加してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプ
ラズマを発生させガイドブッシュの内周面に金属被膜か
らなる第１の中間層を形成し、その後、ガイドブッシュ
の開口内に補助電極電源に接続し中間層材料からなる金
属の補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽
内に配置し、真空槽内部を排気した後、ガス導入口から
アルゴンガスと炭素を含むガスとの混合ガスを真空槽内
に導入し、ガイドブッシュは接地電位に接続するかある
いは直流電源から直流負電圧を印加し、補助電極電源か
ら高周波電圧を補助電極に印加してガイドブッシュの開
口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させガイドブッ
シュの内周面に金属炭化物被膜からなる第２の中間層を
形成し、さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接
地電位または直流正電圧に接続する補助電極を挿入する
ようにガイドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内
を排気したのち、ガス導入口から炭素を含むガスを真空
槽内に導入し、ガイドブッシュに高周波電圧を印加して
プラズマを発生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜
を形成することを特徴とする。

【００３９】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を
排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するか
あるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口
からアルゴンガスを真空槽内に導入し、補助電極電源か
ら高周波電圧を補助電極に印加してガイドブッシュの開
口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させガイドブッ
シュの内周面に金属被膜からなる第１の中間層を形成
し、その後、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に
接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するよ
うにガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部を
排気したのち、ガス導入口からアルゴンガスと炭素を含
むガスとの混合ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシ
ュは接地電位に接続するかあるいは直流電源から直流負
電圧を印加し、補助電極電源から高周波電圧を補助電極
に印加してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲に
プラズマを発生させガイドブッシュの内周面に金属炭化
物被膜からなる第２の中間層を形成し、さらにその後、
ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直流正電圧
に接続する補助電極を挿入するようにガイドブッシュを
真空槽の中に配置し、真空槽内を排気した後、ガス導入
口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイドブッ
シュに直流電圧を印加してプラズマを発生させてガイド
ブッシュに硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る。

【００４０】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法においては、ガイドブッシュの開口内に補助電極
電源に接続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入
するようにガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽
の内部を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接
続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガ
ス導入口からアルゴンガスとシリコンを含むガスとの混
合ガスを真空槽内に導入して、補助電極電源から直流負
電圧を補助電極に印加してプラズマを発生させガイドブ
ッシュに金属シリサイド被膜からなる中間層を形成し、
その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導
入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイドブ
ッシュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧を印加
しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを発生さ
せてガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成することを
特徴とする。

【００４１】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を
排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するか
あるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口
からアルゴンガスとシリコンを含むガスとの混合ガスを
導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加
してプラズマを発生させガイドブッシュに金属シリサイ
ド被膜からなる中間層を形成し、その後、ガイドブッシ
ュの内周面に接地電位または直流正電圧に接続する補助
電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽の中に配
置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガ
スを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに高周波電圧を
印加してプラズマを発生させてガイドブッシュに硬質カ
ーボン膜を形成することを特徴とする。

【００４２】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を
排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するか
あるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口
からアルゴンガスとシリコンを含むガスとの混合ガスを
導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加
してプラズマを発生させガイドブッシュに金属シリサイ
ド被膜からなる中間層を形成し、その後、ガイドブッシ
ュの開口内面に接地電位または直流正電圧に接続する補
助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽の中に
配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含む
ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を
印加してプラズマを発生させてガイドブッシュに硬質カ
ーボン膜を形成することを特徴とする。

【００４３】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を
排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するか
あるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口
からアルゴンガスとシリコンを含むガスとの混合ガスを
導入し、補助電極電源から交流電圧を補助電極に印加し
て抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内周面に金属
シリサイド被膜からなる中間層を形成し、その後、ガイ
ドブッシュの開口内面に接地電位または直流正電圧に接
続する補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空
槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素
を含むガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流
電圧を印加し、アノードに直流電圧を印加しフィラメン
トに交流電圧を印加してプラズマを発生させてガイドブ
ッシュに硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。

【００４４】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を
排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するか
あるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口
からアルゴンガスとシリコンを含むガスとの混合ガスを
導入し、補助電極電源から交流電圧を補助電極に印加し
て抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内周面に金属
シリサイド被膜からなる中間層を形成し、その後、ガイ
ドブッシュの開口内面に接地電位または直流正電圧に接
続する補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空
槽の中に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭
素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに高
周波電圧を印加してプラズマを発生させてガイドブッシ
ュに硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。

【００４５】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を
排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するか
あるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口
からアルゴンガスとシリコンを含むガスとの混合ガスを
導入し、補助電極電源から交流電圧を補助電極に印加し
て抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内周面に金属
シリサイド被膜からなる中間層を形成し、その後、ガイ
ドブッシュの開口内面に接地電位または直流正電圧に接
続する補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空
槽の中に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭
素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直
流電圧を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュ
に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。

【００４６】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を
排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するか
あるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口
からアルゴンガスとシリコンを含むガスとの混合ガスを
導入し、補助電極電源から高周波電圧を補助電極に印加
してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズ
マを発生させガイドブッシュの内周面に金属シリサイド
被膜からなる中間層を形成し、その後、ガイドブッシュ
の開口内面に接地電位または直流正電圧に接続する補助
電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽内に配置
し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガス
を真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加
し、アノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電
圧を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュに硬
質カーボン膜を形成することを特徴とする。

【００４７】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を
排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するか
あるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口
からアルゴンガスとシリコンを含むガスとの混合ガスを
導入し、補助電極電源から高周波電圧を補助電極に印加
してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズ
マを発生させガイドブッシュの内周面に金属シリサイド
被膜からなる中間層を形成し、その後、ガイドブッシュ
の開口内面に接地電位または直流正電圧に接続する補助
電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽の中に配
置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガ
スを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに高周波電圧を
印加してプラズマを発生させてガイドブッシュに硬質カ
ーボン膜を形成することを特徴とする。

【００４８】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を
排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するか
あるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口
からアルゴンガスとシリコンを含むガスとの混合ガスを
導入し、補助電極電源から高周波電圧を補助電極に印加
してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズ
マを発生させガイドブッシュの内周面に金属シリサイド
被膜からなる中間層を形成し、その後、ガイドブッシュ
の開口内面に接地電位または直流正電圧に接続する補助
電極を挿入するようにガイドブッシュを真空槽の中に配
置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガ
スを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印
加してプラズマを発生させてガイドブッシュに硬質カー
ボン膜を形成することを特徴とする。

【００４９】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を
排気した後、ガイドブッシュは接地電位に接続するかあ
るいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口か
らアルゴンガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧
を補助電極に印加してプラズマを発生させガイドブッシ
ュに金属被膜からなる第１の中間層を形成し、その後、
ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し中間層
材料からなる金属の補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を排気した
後、ガイドブッシュは接地電位に接続するかあるいは直
流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口からアルゴ
ンガスとシリコンを含むガスとの混合ガスを真空槽内に
導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加
してプラズマを発生させガイドブッシュに金属シリサイ
ド被膜からなる第２の中間層を形成し、さらにその後、
ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直流正電圧
に接続する補助電極を挿入するようにガイドブッシュを
真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から
炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに
直流電圧を印加し、アノードに直流電圧を印加しフィラ
メントに交流電圧を印加してプラズマを発生させてガイ
ドブッシュに硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る。

【００５０】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部を排
気した後、ガイドブッシュは接地電位に接続するかある
いは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口から
アルゴンガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を
補助電極に印加してプラズマを発生させガイドブッシュ
に金属被膜からなる第１の中間層を形成し、その後、ガ
イドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し中間層材
料からなる金属の補助電極を挿入するようにガイドブッ
シュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を排気した後、
ガス導入口からアルゴンガスとシリコンを含むガスとの
混合ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュは接地電
位に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加
し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加して
プラズマを発生させガイドブッシュに金属シリサイド被
膜からなる第２の中間層を形成し、さらにその後、ガイ
ドブッシュの開口内面に接地電位または直流正電圧に接
続する補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真空
槽の中に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭
素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに高
周波電圧を印加してプラズマを発生させてガイドブッシ
ュに硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。

【００５１】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気
したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するかある
いは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口から
アルゴンガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を
補助電極に印加してプラズマを発生させガイドブッシュ
に金属被膜からなる第１の中間層を形成し、その後、ガ
イドブッシュの開口内に補助電極電源に接続し中間層材
料からなる金属の補助電極を挿入するようにガイドブッ
シュを真空槽の内部に配置し、真空槽の内部を排気した
のち、ガス導入口からアルゴンガスとシリコンを含むガ
スとの混合ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュは
接地電位に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧
を印加し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印
加してプラズマを発生させガイドブッシュに金属シリサ
イド被膜からなる第２の中間層を形成し、さらにその
後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直流正
電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブッシ
ュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気したのち、ガ
ス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイ
ドブッシュに直流電圧を印加してプラズマを発生させて
ガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成することを特徴
とする。

【００５２】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を
排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するか
あるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口
からアルゴンガスを真空槽内に導入し、補助電極電源か
ら交流電圧を補助電極に印加して抵抗加熱蒸着法により
ガイドブッシュの内周面に金属被膜からなる第１の中間
層を形成し、その後、ガイドブッシュの開口内に補助電
極電源に接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿
入するようにガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空
槽内部を排気したのち、ガス導入口からアルゴンガスと
シリコンを含むガスとの混合ガスを真空槽内に導入し、
ガイドブッシュは接地電位に接続するかあるいは直流電
源から直流負電圧を印加し、補助電極電源から交流電圧
を補助電極に印加して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッ
シュの内周面に金属シリサイド被膜からなる第２の中間
層を形成し、さらにその後、ガイドブッシュの開口内面
に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極を挿入
するようにガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽
の内部を排気した後、ガス導入口から炭素を含むガスを
真空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加
し、アノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電
圧を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュに硬
質カーボン膜を形成することを特徴とする。

【００５３】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を
排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するか
あるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口
からアルゴンガスを真空槽内に導入し、補助電極電源か
ら交流電圧を補助電極に印加して抵抗加熱蒸着法により
ガイドブッシュの内周面に金属被膜からなる第１の中間
層を形成し、その後、ガイドブッシュの開口内に補助電
極電源に接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿
入するようにガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空
槽内部を排気したのち、ガス導入口からアルゴンガスと
シリコンを含むガスとの混合ガスを真空槽内に導入し、
ガイドブッシュは接地電位に接続するかあるいは直流電
源から直流負電圧を印加し、補助電極電源から交流電圧
を補助電極に印加して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッ
シュの内周面に金属シリサイド被膜からなる第２の中間
層を形成し、さらにその後、ガイドブッシュの開口内面
に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極を挿入
するようにガイドブッシュを真空槽の中に配置し、真空
槽内を排気した後、ガス導入口から炭素を含むガスを真
空槽内に導入し、ガイドブッシュに高周波電圧を印加し
てプラズマを発生させてガイドブッシュに硬質カーボン
膜を形成することを特徴とする。

【００５４】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を
排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するか
あるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口
からアルゴンガスを真空槽内に導入し、補助電極電源か
ら交流電圧を補助電極に印加して抵抗加熱蒸着法により
ガイドブッシュの内周面に金属被膜からなる第１の中間
層を形成し、その後、ガイドブッシュの開口内に補助電
極電源に接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿
入するようにガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空
槽内部を排気したのち、ガス導入口からアルゴンガスと
シリコンを含むガスとの混合ガスを真空槽内に導入し、
ガイドブッシュは接地電位に接続するかあるいは直流電
源から直流負電圧を印加し、補助電極電源から交流電圧
を補助電極に印加して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッ
シュの内周面に金属シリサイド被膜からなる第２の中間
層を形成し、さらにその後、ガイドブッシュの開口内面
に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極を挿入
するようにガイドブッシュを真空槽の中に配置し、真空
槽内を排気した後、ガス導入口から炭素を含むガスを真
空槽内に導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加して
プラズマを発生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜
を形成することを特徴とする。

【００５５】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を
排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するか
あるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口
からアルゴンガスを真空槽内に導入し、補助電極電源か
ら高周波電圧を補助電極に印加してガイドブッシュの開
口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させガイドブッ
シュの内周面に金属被膜からなる第１の中間層を形成
し、その後、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に
接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するよ
うにガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部を
排気したのち、ガス導入口からアルゴンガスとシリコン
を含むガスとの混合ガスを真空槽内に導入し、ガイドブ
ッシュは接地電位に接続するかあるいは直流電源から直
流負電圧を印加し、補助電極電源から高周波電圧を補助
電極に印加してガイドブッシュの開口内の補助電極の周
囲にプラズマを発生させガイドブッシュの内周面に金属
シリサイド被膜からなる第２の中間層を形成し、さらに
その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導
入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイドブ
ッシュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧を印加
しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを発生さ
せてガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成することを
特徴とする。

【００５６】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を
排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するか
あるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口
からアルゴンガスとシリコンを含むガスとの混合ガスを
真空槽内導入し、補助電極電源から高周波電圧を補助電
極に印加してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲
にプラズマを発生させガイドブッシュの内周面に金属被
膜からなる第１の中間層を形成し、その後、ガイドブッ
シュの開口内に補助電極電源に接続し中間層材料からな
る金属の補助電極を挿入するようにガイドブッシュを真
空槽内に配置し、真空槽内部を排気したのち、ガス導入
口からアルゴンガスと炭素を含むガスとの混合ガスを真
空槽内に導入し、ガイドブッシュは接地電位に接続する
かあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、補助電極
電源から高周波電圧を補助電極に印加してガイドブッシ
ュの開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させガイ
ドブッシュの内周面に金属シリサイド被膜からなる第２
の中間層を形成し、さらにその後、ガイドブッシュの開
口内面に接地電位または直流正電圧に接続する補助電極
を挿入するようにガイドブッシュを真空槽の中に配置
し、真空槽内を排気した後、ガス導入口からシリコンを
含むガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュに高周波
電圧を印加してプラズマを発生させてガイドブッシュに
硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。

【００５７】本発明のガイドブッシュ内周面への被膜形
成方法は、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接
続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するよう
にガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を
排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するか
あるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口
からアルゴンガスを真空槽内に導入し、補助電極電源か
ら高周波電圧を補助電極に印加してガイドブッシュの開
口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させガイドブッ
シュの内周面に金属被膜からなる第１の中間層を形成
し、その後、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に
接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するよ
うにガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部を
排気したのち、ガス導入口からアルゴンガスとシリコン
を含むガスとの混合ガスを真空槽内に導入し、ガイドブ
ッシュは接地電位に接続するかあるいは直流電源から直
流負電圧を印加し、補助電極電源から高周波電圧を補助
電極に印加してガイドブッシュの開口内の補助電極の周
囲にプラズマを発生させガイドブッシュの内周面に金属
シリサイド被膜からなる第２の中間層を形成し、さらに
その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
ッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気した後、
ガス導入口からシリコンを含むガスを真空槽内に導入
し、ガイドブッシュに直流電圧を印加してプラズマを発
生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成するこ
とを特徴とする。

【００５８】〔作用〕本発明の硬質カーボン膜の下層に
形成する中間層の形成方法においては、ガイドブッシュ
の開口内に中間層材料からなる補助電極を配置して、補
助電極と内周面との間にプラズマ発生させ、または抵抗
加熱蒸着法によって、ガイドブッシュ内周面に中間層を
形成している。このためガイドブッシュの内周面の全域
にわたって均一な膜厚で中間層を形成することができ
る。この結果、中間層の膜厚のバラツキ分布に起因し、
中間層膜厚の薄い箇所が硬質カーボン膜のストレスに耐
えきれず剥離して、硬質カーボン膜が剥離するという現
象は発生しない。

【００５９】さらに本発明の被膜形成方法では、中間層
としては、金属炭化物被膜または金属とシリコンとの化
合物である金属シリサイド被膜で構成したり、あるいは
中間層を金属被膜と金属炭化物被膜との積層膜または金
属被膜と金属シリサイド被膜との積層膜で構成する。こ
の中間層材料のうち金属は、ガイドブッシュとの密着性
を高くする役割をもち、中間層材料のうち金属炭化物や
金属シリサイドは硬質カーボン膜と共有結合してこの硬
質カーボン膜との密着性を高くする役割をもつ。したが
って本発明の被膜形成方法を採用することによって、高
い密着性で、ガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成す
ることが可能となる。

【００６０】さらに本発明のガイドブッシュ内周面への
被膜形成方法においては、ガイドブッシュの内周面の開
口の中央部に、接地電位または直流正電圧に接続する補
助電極を配置して硬質カーボン膜を形成する。そして硬
質カーボン膜を形成するガイドブッシュには、負の直流
電圧または高周波電圧を印加する。その結果、負電位の
同電位の電極どうしが対向しているガイドブッシュの開
口内面に、接地電位または直流の正電圧に接続する補助
電極を設けることとなり、同電位同士が対向することが
なくなる。このような電位状態は、プラスマ化学的気相
成長法にとってもっとも望ましい状態であり、異常放電
であるホロー放電は発生しない。そのため、密着性の良
好な硬質カーボン膜をガイドブッシュに形成することが
できる。

【００６１】さらに本発明の硬質カーボン膜の形成方法
においては、接地電位または直流正電圧に接続する補助
電極をガイドブッシュの開口内面に配置しており、ガイ
ドブッシュの長手方向の開口内面で電位特性が均一にな
る。この結果、内周面に形成する硬質カーボン膜の膜厚
分布の発生がなく、ガイドブッシュの開口端面と開口奥
側との全域にわたって均一な膜厚の硬質カーボン膜を形
成することができるという効果ももつ。

【００６２】さらに本発明のガイドブッシュ内周面への
被膜形成方法においては、ガイドブッシュの開口内面に
配置する補助電極に直流の正電圧を印加して硬質カーボ
ン膜を形成する。このように直流正電圧を補助電極に印
加すると、この補助電極の周囲領域に電子を集める効果
を生じて、補助電極の周囲領域は電子密度が高くなる。
このように電子密度が高くなると、必然的に炭素を含む
ガス分子と電子との衝突確率が増加して、ガス分子のイ
オン化が促進され、その補助電極の周囲領域のプラズマ
密度が高くなる。このために、補助電極に直流の正電圧
を印加して硬質カーボン膜を形成する実施形態において
は、硬質カーボン膜の被膜形成速度は、補助電極にこの
ように直流の正電圧を印加しないときと比らべて高くす
ることができる。

【００６３】さらにガイドブッシュの開口の大きさが小
さくなり、内周面と補助電極との隙間寸法が小さくなる
と、補助電極に直流の正電圧を印加しないで硬質カーボ
ン膜を形成すると、ガイドブッシュの開口内面にプラズ
マが発生せず、被膜形成ができない。

【００６４】これに対して補助電極に直流正電圧を印加
して硬質カーボン膜を形成する方法においては、開口内
面に配置する補助電極に直流の電源から直流正電圧を印
加して電子を強制的に補助電極の周囲領域に集めること
ができる。このため、補助電極の周囲にプラズマを発生
させることができる。したがって、直流の正電圧を補助
電極に印加しないで硬質カーボン膜を形成する方法で被
膜形成ができない開口大きさが小さいガイドブッシュに
も、直流正電圧を印加する補助電極を用いて被膜形成す
る方法を適用すれば、硬質カーボン膜の被膜形成が可能
となる。このような理由によって本発明の被膜形成方法
においては、ガイドブッシュに対する硬質カーボン膜の
密着性が良好となる。

【００６５】

【発明の実施の形態】以下、図面を用いてガイドブッシ
ュ内周面への被膜形成方法を実施するための本発明の最
良の実施形態を説明する。

【００６６】〔ガイドブッシュを適用するガイドブッシ
ュ装置の構成説明：図８〕本発明の実施形態におけるガ
イドブッシュの内周面への硬質カーボン膜の形成方法を
説明するまえに、このガイドブッシュを適用する数値制
御自動旋盤の主軸近傍を示す図８を用いて、ガイドブッ
シュを適用するガイドブッシュ装置の構成を説明する。
図８はガイドブッシュ装置として、ガイドブッシュを固
定してこのガイドブッシュの内周面で被加工物が回転す
る状態で使用する固定型のガイドブッシュ装置を示す断
面図である。

【００６７】主軸台１７は図示しない数値制御自動旋盤
のベッド（図示せず）上を、図８の左右方向に摺動可能
となっている。この主軸台１７には、軸受２１によって
回転可能な状態で支持された主軸１９を設けている。そ
してこの主軸１９の先端部には、コレットチャック１３
を取り付けている。

【００６８】このコレットチャック１３は、チャックス
リーブ４１の中心穴内に配置する。そしてコレットチャ
ック１３の先端の外周テーパ面１３ａと、チャックスリ
ーブ４１の内周テーパ面４１ａとが互いに面接触してい
る。

【００６９】さらに中間スリーブ２９内のコレットチャ
ック１３の後端部にスプリング２５を設ける。そして、
このスプリング２５の弾性力の働きによって、中間スリ
ーブ２９内からコレットチャック１３を押し出すことが
できる。

【００７０】コレットチャック１３の先端位置は、主軸
１９の先端にネジ固定するキャップナット２７に接触し
て、その位置を規制している。このキャップナット２７
を設けることにより、コレットチャック１３がスプリン
グ２５のバネ力によって、中間スリーブ２９から飛び出
すことを防止している。

【００７１】中間スリーブ２９の後端部には、この中間
スリーブ２９を介してチャック開閉機構３１を設ける。
そしてチャック開閉爪３３を開閉動作することにより、
コレットチャック１３は開閉し、被加工物５１を把持し
たり解放したりすることができる。

【００７２】すなわち、チャック開閉機構３１のチャッ
ク開閉爪３３の先端部が相互に開くように移動すると、
チャック開閉爪３３の中間スリーブ２９の接触している
部分が、図１１の左方向に移動して中間スリーブ２９を
左方向に押す。この中間スリーブ２９の左方向への移動
により、中間スリーブ２９の左端に接触しているチャッ
クスリーブ４１が左方向に移動する。

【００７３】そしてコレットチャック１３は、前述のよ
うに主軸１９の先端にネジ止めしているキャップナット
２７により、主軸１９から前方に飛び出すことを防止し
ている。このため、このチャックスリーブ４１の左方向
への移動によって、コレットチャック１３の外周テーパ
１３ａと、チャックスリーブ４１の内周テーパ４１ａと
が強く押されてテーパ面に沿って移動することになる。
この結果、コレットチャック１３の内周面の直径寸法が
小さくなって、被加工物５１を把持することができる。

【００７４】コレットチャック１３の内周面の直径寸法
を大きくして被加工物５１を解放するときは、チャック
開閉爪３３の先端部が相互に閉じるように移動すること
によって、チャックスリーブ４１を左方向に押す力を除
く。するとスプリング２５の復元力によって中間スリー
ブ２９とチャックスリーブ４１とが、図８の右方向に移
動する。

【００７５】このため、コレットチャック１３の外周テ
ーパ面１３ａと、チャックスリーブ４１の内周テーパ面
４１ａとの押圧力が除かれることになる。この結果、コ
レットチャック１３は自己のもつ弾性力で内周面の直径
が大きくなり、被加工物５１を解放することができる。

【００７６】さらに主軸台１７の前方位置には、コラム
３５の主軸中心線上に配置する固定型のガイドブッシュ
装置３７を設ける。図８に示すガイドブッシュ装置３７
は、前述のように、ガイドブッシュ１１を固定して、こ
のガイドブッシュ１１の内周面１１ｂで被加工物５１を
回転する状態で使用する固定型のガイドブッシュ装置３
７であって、コラム３５に固定したホルダ３９の中心穴
には、ブッシュスリーブ２３を配置している。このブッ
シュスリーブ２３の先端部には内周テーパ面２３ａを設
ける。

【００７７】そしてこのブッシュスリーブ２３の中心穴
には、先端に外周テーパ面１１ａを形成したガイドブッ
シュ１１を配置している。

【００７８】ガイドブッシュ装置３７の後端部に設ける
調整ナット４３を回転することによって、ガイドブッシ
ュ１１の内径と被加工物５１の外形との隙間寸法を調整
することができる。これは調整ナット４３を回転させる
と、ブッシュスリーブ２３の内周テーパ面２３ａとガイ
ドブッシュ１１の外周テーパ面１１ａは、コレットチャ
ック１３と同様に内周テーパ面２３ａと外周テーパ面１
１ａとが相互に押圧されてガイドブッシュ１１の内径が
小さくなるためである。

【００７９】ガイドブッシュ装置３７のさらに前方に
は、切削工具４５を設ける。そして、被加工物５１を主
軸１９のコレットチャック１３で把持し、ガイドブッシ
ュ装置３７で支持し、しかもこのガイドブッシュ装置３
７を貫通して加工領域に突き出した被加工物５１を、切
削工具４５の前進後退と主軸台１７の移動との合成運動
によって所定の形状に切削加工を行う。

【００８０】〔ガイドブッシュを適用する別のガイドブ
ッシュ装置の構成説明：図９〕つぎに被加工物を把持す
るガイドブッシュを回転する状態で使用する回転型のガ
イドブッシュ装置の構成を、図９を用いて説明する。図
９は回転型のガイドブッシュ装置の構成を示す断面図で
ある。なお図９において、図８の構成と同一箇所には同
一符号を付けてある。

【００８１】この回転型のガイドブッシュ装置として
は、コレットチャック１３とガイドブッシュ１１とが同
期して回転するガイドブッシュ装置と、同期しないで回
転するガイドブッシュ装置とがある。図９に示すガイド
ブッシュ装置３７は、コレットチャック１３とガイドブ
ッシュ１１とが同期して回転する回転型のガイドブッシ
ュ装置３７を示す。

【００８２】回転型のガイドブッシュ装置３７は、主軸
１９のキャップナット２７から突き出した回転駆動棒４
７によって、ガイドブッシュ装置３７を駆動する。この
回転駆動棒４７により駆動するほかにも、歯車やベルト
プーリによってガイドブッシュ装置３７を駆動するもの
もある。

【００８３】この回転型のガイドブッシュ装置３７は、
コラム３５に固定するホルダ３９の中心穴に、軸受２１
を介して回転可能な状態にブッシュスリーブ２３を配置
している。さらに、このブッシュスリーブ２３の中心穴
にガイドブッシュ１１を配置している。

【００８４】ブッシュスリーブ２３とガイドブッシュ１
１とは、図８を用いて説明した構成と同じ構造である。
そしてガイドブッシュ装置３７の後端部に設ける調整ナ
ット４３を回転することによって、ガイドブッシュ１１
の内径寸法を小さくして、ガイドブッシュ１１の内径と
被加工物５１の外形との隙間寸法を調整することができ
る。

【００８５】図９を用いて説明したガイドブッシュ装置
は、ガイドブッシュ装置３７が回転型である以外の構成
は、図８を用いて説明した構成と同じであるので、構成
とその動作の説明は省略する。

【００８６】〔中間層と硬質カーボン膜を形成するガイ
ドブッシュの構造説明：図１０〕つぎに本発明の実施形
態におけるその内周面に中間層と硬質カーボン膜とを形
成するガイドブッシュの構造を、図１０の断面図を用い
て説明する。以上の説明から明らかなように、固定型の
ガイドブッシュと回転型のガイドブッシュとは、ほぼ同
じ構造をもち、同じように動作する。

【００８７】図１０は本発明の実施形態におけるガイド
ブッシュを示す断面図であり、この図１０に示すガイド
ブッシュは開いた自由な状態を示す。図面に示すよう
に、ガイドブッシュ１１は長手方向の一端の外周部に外
周テーパ面１１ａをもち、他端の外周部にネジ部１１ｆ
をもつ。

【００８８】さらにガイドブッシュ１１の中心には開口
径が異なる貫通した開口を設ける。そして外周テーパ面
１１ａを設ける側の内周に、被加工物５１を保持する内
周面１１ｂをもつ。そしてこの内周面１１ｂ以外の領域
には、内周面１１ｂの内径寸法より大きな内径寸法をも
つ段差部１１ｇとなっている。

【００８９】さらにガイドブッシュ１１には外周テーパ
面１１ａからバネ部１１ｄにまで、摺り割り１１ｃを設
ける。この摺り割り１１ｃは、角度１２０゜間隔で３箇
所に設けている。

【００９０】そしてブッシュスリーブの内周テーパ面に
ガイドブッシュ１１の外周テーパ面１１ａを押圧するこ
とによって、バネ部１１ｄが撓み、内周面１１ｂと被加
工物５１との隙間寸法を調整することができる。

【００９１】さらにガイドブッシュ１１には、バネ部１
１ｄとネジ部１１ｆとの間に嵌合部１１ｅを設ける。そ
してこの嵌合部１１ｅによって、ガイドブッシュ１１
は、主軸の中心線上でしかも主軸中心線に平行に配置す
ることができる。

【００９２】このガイドブッシュ１１材料としては合金
工具鋼（ＳＫＳ）を用いる。そして外形形状と内形形状
とを形成後、焼き入れと焼きもどし処理とを行なってい
る。さらにガイドブッシュ１１の内周面１１ｂには、肉
厚が２ｍｍから５ｍｍの寸法を有する超硬部材をロウ付
け手段により固着して、超硬部材１２とする。この超硬
部材１２はタングステン（Ｗ）が８５％〜９０％と、炭
素（Ｃ）が５％〜７％と、バインダーとしてコバルト
（Ｃｏ）が３％〜１０％の組成のもの用いる。なおこの
超硬部材１２を内周面に設けないガイドブッシュ１１
も、その用途によってはある。

【００９３】そしてガイドブッシュ１１は、このガイド
ブッシュ１１が開いた状態では、内周面１１ｂと被加工
物５１との半径方向では５μｍから１０μｍの隙間を設
けている。このため被加工物５１が出入りすることによ
る、ガイドブッシュ１１の内周面１１ｂの摩耗が問題と
なる。さらにまたガイドブッシュ１１は、前述のように
内周面１１ｂと被加工物５１とのあいだで高速摺動し、
しかも切削負荷による内周面１１ｂへの過大な被加工物
５１の押圧力によって焼き付きを発生させる問題点があ
る。そこでガイドブッシュ１１の内周面１１ｂに硬質カ
ーボン膜１５を形成する。

【００９４】〔中間層の形成方法説明：図１〕つぎに硬
質カーボン膜の下層に形成する中間層の形成方法を、図
１を用いて説明する。図１は本発明の実施形態における
被膜形成方法における中間層の形成方法を示す断面図で
ある。はじめの実施形態の説明では、中間層としてチタ
ンと炭素の化合物である炭化チタン被膜を形成する実施
形態で説明する。

【００９５】図１に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５とを有する真空槽６１内に、中間層を形成するガ
イドブッシュ１１を配置する。そして、このガイドブッ
シュ１１の開口内面には、補助電極電源８３ａに接続
し、中間層材料であるチタン（Ｔｉ）から構成する補助
電極７１を挿入するように設ける。このとき補助電極７
１がガイドブッシュ１１の開口中央部になるように配置
する。ガイドブッシュ１１は直流電源７３に接続する。

【００９６】そして真空槽６１内部を真空度が３×１０
^-5ｔｏｒｒ以下になるように排気口６５から、図示しな
い排気手段によって真空排気する。その後、ガス導入口
６３から炭素を含むガスとしてメタン（ＣＨ4 ）ガスと
アルゴンガスとの混合ガスを真空槽６１の内部に導入し
て、真空槽６１内の圧力を８×１０^-3ｔｏｒｒになるよ
うに制御する。このときアルゴンガスとメタンガスとの
比率は、メタン流量比４０％から８０％とする。

【００９７】そして補助電極７１には補助電極電源８３
ａからマイナス５００Ｖの直流負電圧を印加する。その
結果、ガイドブッシュ１１の開口内面に配置する補助電
極７１の周囲領域にプラズマを発生させることができ
る。なおガイドブッシュ１１には前述のように直流電源
７３から直流電圧を印加しており、このときガイドブッ
シュ１１には直流電源７３からマイナス５０Ｖの直流負
電圧を印加する。

【００９８】そして、補助電極７１周囲に発生したプラ
ズマ中のイオンによりチタンからなる補助電極７１をス
パッタし、さらにこのスパッタによって叩きだされたチ
タン分子と、メタン中の炭素とが反応する反応性スパッ
タリングによって、ガイドブッシュ１１に炭化チタン
（ＴｉＣx ）からなる中間層を形成している。このスパ
ッタリング処理を時間３０分間行ない、ガイドブッシュ
１１の内周面に０．５μｍの厚さの炭化チタン被膜から
なる中間層を形成する。

【００９９】なおここでガイドブッシュ１１の開口内径
の大きさは１０ｍｍであり、チタンからなる補助電極７
１の直径は２ｍｍのものを使用している。なお補助電極
７１の断面形状は円形だけでなく、多角形状としてもよ
い。この補助電極７１は、ガイドブッシュ１１の開口大
きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程度の隙
間、すなわちプラズマ形成領域を設けるようにする。

【０１００】このように本発明の実施形態における中間
層の形成方法においては、ガイドブッシュ１１の開口内
に中間層材料からなる補助電極７１を配置して補助電極
７１とガイドブッシュ１１開口内面との間にプラズマ発
生させ、ガイドブッシュ１１の内周面に中間層を形成し
ている。ガイドブッシュ１１の開口内に中間層材料から
なる補助電極７１を配置して形成するプラズマは、ガイ
ドブッシュ１１の長手方向で均一であるため、ガイドブ
ッシュ１１の内周面に均一な膜厚で中間層を形成するこ
とができる。

【０１０１】この図１に示す本発明の中間層の形成方法
によって形成する中間層の膜厚分布を図６のグラフを用
いて説明する。図６のグラフは、横軸はガイドブッシュ
の開口端からの距離を示し、縦軸はガイドブッシュの内
周面に形成する中間層の膜厚を示す。そして曲線８５
が、図１に示す本発明の中間層の形成方法によって形成
したときの膜厚分布を示す。

【０１０２】図６のグラフの曲線８５に示すように、ガ
イドブッシュ開口端に０．５μｍの膜厚の炭化チタンか
らなる中間層を形成したとき、図１に示す方法によって
形成した中間層は、開口端から開口奥側に３０ｍｍに入
った位置でも膜厚の変化はほとんどなく、ガイドブッシ
ュ１１の開口全域にわたって均一な膜厚で炭化チタン被
膜からなる中間層を形成することができる。

【０１０３】〔硬質カーボン膜の形成方法説明：図２、
図４、図５〕その後、中間層を形成したガイドブッシュ
１１に硬質カーボン膜を形成する。そしてこの硬質カー
ボン膜の形成方法を、図２と図４と図５を用いて説明す
る。すなわち本発明では中間層上に形成する硬質カーボ
ン膜の形成方法におけるの実施形態は３つの手段があ
る。はじめに図２を用いて硬質カーボン膜の形成方法を
説明する。図２は本発明の実施形態における被膜形成方
法における中間層上面に形成する硬質カーボン膜の形成
方法を示す断面図である。

【０１０４】〔硬質カーボン膜の形成方法の第１例説
明：図２〕図２に示すように、ガス導入口６３と排気口
６５とを有する真空槽６１内に、硬質カーボン膜を形成
するガイドブッシュ１１を配置する。そしてこのガイド
ブッシュ１１開口内面に、接地電位に接続する補助電極
７１を挿入するように設ける。このとき補助電極７１が
ガイドブッシュ１１の開口中央部になるように配置す
る。ガイドブッシュ１１は直流電源７３に接続する。

【０１０５】そして真空槽６１内部を真空度が３×１０
^-5ｔｏｒｒになるように排気口６５から、図示しない排
気手段によって真空排気する。その後、ガス導入口６３
から炭素を含むガスとしてベンゼン（Ｃ6 Ｈ6 ）を真空
槽６１内に導入して、真空槽６１内の圧力を５×１０^-3
ｔｏｒｒになるように制御する。

【０１０６】そしてアノード７９にはアノード電源７５
から直流電圧を印加し、さらにフィラメント８１にはフ
ィラメント電源７７から交流電圧を印加する。このとき
アノード電源７５からアノード７９に印加する直流電圧
はプラス１０Ｖを印加する。さらにまた、フィラメント
電源７７からフィラメント８１に印加する電圧は、３０
Ａの電流が流れるように１０Ｖの交流電圧を印加する。
そしてガイドブッシュ１１には直流電源７３から直流電
圧を印加する。このときガイドブッシュ１１には直流電
源７３からマイナス３ｋＶの直流負電圧を印加する。そ
して真空槽６１内に配置するガイドブッシュ１１の周囲
領域にプラズマを発生させ、ガイドブッシュ１１に硬質
カーボン膜を１μｍから５μｍの膜厚で形成している。

【０１０７】この図２に示す硬質カーボン膜の被膜形成
方法では、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入するよ
うに配置し、接地電圧に接続する補助電極７１により、
ガイドブッシュ１１の外周部だけでなく、ガイドブッシ
ュ１１開口内面にもプラズマを形成することができる。

【０１０８】このように本発明の硬質カーボン膜の形成
方法では、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入する補
助電極７１を配置して被膜形成処理を行っている。この
ため同電位どうしが対向しているガイドブッシュ１１開
口内面に、接地電位に接続する補助電極７１を設けるこ
とになり、異常放電であるホロー放電の発生はなく、硬
質カーボン膜の密着性が向上する。

【０１０９】さらに補助電極７１の働きによってガイド
ブッシュ１１の長手方向の開口内面で、その電位特性が
均一になり、内周面に形成する硬質カーボン膜の膜厚分
布の発生がなく、開口端面と開口奥側とのガイドブッシ
ュ１１の開口全域にわたって均一な膜厚で形成すること
ができる。そのうえ前述のように硬質カーボン膜の下層
に形成する中間層も、ガイドブッシュ１１の開口端面と
開口奥側とで均一な膜厚で形成することができる。

【０１１０】このため中間層の膜厚のバラツキ分布に起
因し、中間層膜厚の薄い箇所が硬質カーボン膜のストレ
スに耐えきれず剥離して、硬質カーボン膜が剥離すると
いう現象は発生しない。このような理由によって本発明
の中間層と硬質カーボン膜との形成方法においては、ガ
イドブッシュ１１に対する硬質カーボン膜の密着性が良
好となる。

【０１１１】この補助電極７１は、ガイドブッシュ１１
の開口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程
度の隙間であるプラズマ形成領域を設けるようにする。
この補助電極７１の径とガイドブッシュ１１の内周面１
１ｂの径の寸法比を１／１０以下にすることが望まし
く、補助電極７１を細くするときは線状にすることもで
きる。そして、この硬質カーボン膜を形成するための補
助電極７１は、中間層材料を用いて中間層と連続して被
膜形成するか、あるいはステンレスのような金属材料や
タングステン（Ｗ）またはタンタル（Ｔａ）のような高
融点の金属材料で形成すればよい。

【０１１２】さらにこの補助電極７１の断面形状は円形
状とする。そして、ガイドブッシュ１１の開口内に補助
電極７１を挿入したとき、ガイドブッシュ１１の開口端
面と揃えるような長さとするか、あるいはガイドブッシ
ュ１１端面から補助電極７１を突出するような長さとす
るか、あるいはガイドブッシュ１１端面より突出せず端
面から１ｍｍ〜２ｍｍ奥側になるような長さとなるよう
に構成する。

【０１１３】〔硬質カーボン膜の形成方法の第２例説
明：図４〕つぎに図２を用いて説明した硬質カーボン膜
の形成方法と異なる実施形態を、図４の断面図を用いて
説明する。

【０１１４】図４に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５とを有する真空槽６１内に、内周面に中間層を形
成してあり、そしてこの中間層上面に硬質カーボン膜を
形成するガイドブッシュ１１を配置する。このガイドブ
ッシュ１１はマッチング回路６７を介して高周波電源６
９に接続する。そしてこのガイドブッシュ１１開口内に
は、接地電位に接続する補助電極７１を挿入するように
設ける。このとき補助電極７１は、ガイドブッシュ１１
の開口中央部になるように配置する。

【０１１５】そして排気口６５から真空槽６１の内部を
図示しない排気手段により、その真空度が３×１０^-5ｔ
ｏｒｒ以下になるように真空排気する。その後、ガス導
入口６３から炭素を含むガスとしてメタン（ＣＨ4 ）を
真空槽６１内に導入して、真空度を０．１ｔｏｒｒにな
るように調整する。

【０１１６】そしてガイドブッシュ１１には、マッチン
グ回路６７を介して、発振周波数が１３．５６ＭＨｚの
高周波電源６９から高周波電圧を４００Ｗ印加する。さ
らにガイドブッシュ１１の開口内面で、しかも開口中央
部には、接地電圧を接続する補助電極７１を挿入するよ
うに配置して、プラズマを発生させ、ガイドブッシュ１
１に膜厚が１μｍから５μｍの硬質カーボン膜を形成す
る。

【０１１７】この図４に示す硬質カーボン膜の被膜形成
方法では、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入するよ
うに配置し、接地電圧に接続する補助電極７１により、
ガイドブッシュ１１の外周部だけでなく、ガイドブッシ
ュ１１開口内面にもプラズマを形成することができる。

【０１１８】このように本発明の硬質カーボン膜の形成
方法では、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入する補
助電極７１を配置して被膜形成処理を行っている。この
ため同電位どうしが対向している開口内面に、接地電位
に接続する補助電極７１を設けることになり、異常放電
であるホロー放電の発生はなく、硬質カーボン膜の密着
性が向上する。

【０１１９】さらに補助電極７１の働きによってガイド
ブッシュ１１の長手方向の開口内面で、その電位特性が
均一になり、内周面に形成する硬質カーボン膜の膜厚分
布の発生がなく、開口端面と開口奥側とのガイドブッシ
ュ１１の開口全域にわたって均一な膜厚を形成すること
ができる。そのうえ前述のように硬質カーボン膜の下層
に形成する中間層も、ガイドブッシュ１１の開口端面と
開口奥側とで均一な膜厚を形成することができる。

【０１２０】このため中間層の膜厚バラツキ分布に起因
し、中間層膜厚の薄い箇所が硬質カーボン膜のストレス
に耐えきれず剥離して、硬質カーボン膜が剥離するとい
う現象は発生しない。このような理由によって本発明の
中間層と硬質カーボン膜との形成方法においては、ガイ
ドブッシュ１１に対する硬質カーボン膜の密着性が良好
となる。

【０１２１】この補助電極７１は、ガイドブッシュ１１
の開口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程
度の隙間であるプラズマ形成領域を設けるようにする。
この補助電極７１の径とガイドブッシュ１１の内周面１
１ｂの径の寸法比を１／１０以下にすることが望まし
く、補助電極７１を細くするときは線状にすることもで
きる。そして、この硬質カーボン膜を形成するための補
助電極７１は、中間層材料を用いて中間層と連続して被
膜形成するか、あるいはステンレスのような金属材料や
タングステン（Ｗ）またはタンタル（Ｔａ）のような高
融点の金属材料で形成すればよい。

【０１２２】さらにこの補助電極７１の断面形状は円形
状とする。そして、ガイドブッシュ１１の開口内に補助
電極７１を挿入したとき、ガイドブッシュ１１の開口端
面と揃えるような長さとするか、あるいはガイドブッシ
ュ１１端面から補助電極７１を突出するような長さとす
るか、あるいはガイドブッシュ１１端面より突出せず端
面から１ｍｍ〜２ｍｍ奥側になるような長さとなるよう
に構成する。

【０１２３】〔硬質カーボン膜の形成方法の第３例説
明：図５〕つぎに図２と図４を用いて説明した硬質カー
ボン膜の形成方法と異なる実施形態を、図５を用いて説
明する。図５は本発明の実施形態における被膜形成方法
における中間層上面に形成する硬質カーボン膜の形成方
法を示す断面図である。

【０１２４】図５に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５とを有する真空槽６１内に、内周面に中間層を形
成してあり、この中間層の上面に硬質カーボン膜を形成
するガイドブッシュ１１を配置する。このガイドブッシ
ュ１１は直流電源７３に接続する。そしてこのガイドブ
ッシュ１１の開口内面には、接地電位に接続する補助電
極７１を挿入するように設ける。このとき補助電極７１
がガイドブッシュ１１の開口中央部になるように配置す
る。

【０１２５】そして真空槽６１内を真空度が３×１０^-5
ｔｏｒｒになるように排気口６５から、図示しない排気
手段によって真空排気する。その後、ガス導入口６３か
ら炭素を含むガスとしてメタン（ＣＨ4 ）を真空槽６１
内に導入して、真空槽６１内の真空度が０．１ｔｏｒｒ
になるように制御する。そしてガイドブッシュ１１には
直流電源７３から直流電圧を印加する。このときガイド
ブッシュ１１には直流電源７３からマイナス６００Ｖの
直流負電圧を印加する。このようにして膜厚が１μｍか
ら５μｍの硬質カーボン膜を中間層上に形成する。

【０１２６】この図５に示す硬質カーボン膜の被膜形成
方法では、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入するよ
うに配置し、接地電圧に接続する補助電極７１により、
ガイドブッシュ１１の外周部だけでなく、ガイドブッシ
ュ１１開口内面にもプラズマを形成することができる。

【０１２７】このように本発明の硬質カーボン膜の形成
方法では、ガイドブッシュ１１の開口内面に挿入する補
助電極７１を配置して被膜形成処理を行っている。この
ため同電位どうしが対向している開口内面に、接地電位
に接続する補助電極を設けることになり、異常放電であ
るホロー放電の発生はなく、硬質カーボン膜の密着性が
向上する。

【０１２８】さらに補助電極７１の働きによってガイド
ブッシュ１１の長手方向の開口内面で、その電位特性が
均一になり、内周面に形成する硬質カーボン膜の膜厚分
布の発生がなく、開口端面と開口奥側とで均一な膜厚を
形成することができる。そのうえ硬質カーボン膜の下層
に形成する中間層も、前述のようにガイドブッシュ１１
の開口端面と開口奥側とで均一な膜厚を形成することが
できる。

【０１２９】このため中間層の膜厚のバラツキ分布に起
因し、中間層膜厚の薄い箇所が硬質カーボン膜のストレ
スに耐えきれず剥離して、硬質カーボン膜が剥離すると
いう現象は発生しない。このような理由によって本発明
の中間層と硬質カーボン膜との形成方法においては、ガ
イドブッシュ１１に対する硬質カーボン膜の密着性が良
好となる。

【０１３０】この補助電極７１は、ガイドブッシュ１１
の開口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程
度の隙間であるプラズマ形成領域を設けるようにする。
この補助電極７１の径とガイドブッシュ１１の内周面１
１ｂの径の寸法比を１／１０以下にすることが望まし
く、補助電極７１を細くするときは線状にすることもで
きる。そして、この硬質カーボン膜を形成するための補
助電極７１は、中間層材料を用いて中間層と連続して被
膜形成するか、あるいはステンレスのような金属材料や
タングステン（Ｗ）またはタンタル（Ｔａ）のような高
融点の金属材料で形成すればよい。

【０１３１】さらにこの補助電極７１の断面形状は円形
状とする。そして、ガイドブッシュ１１の開口内に補助
電極７１を挿入したとき、ガイドブッシュ１１の開口端
面と揃えるような長さとするか、あるいはガイドブッシ
ュ１１端面から補助電極７１を突出するような長さとす
るか、あるいはガイドブッシュ１１端面より突出せず端
面から１ｍｍ〜２ｍｍ奥側になるような長さとなるよう
に構成する。

【０１３２】〔中間層の形成方法の第２例の説明：図
３〕つぎに以上の説明と異なる本発明の実施形態におけ
る中間層および硬質カーボン膜との形成方法を、図３を
用いて説明する。図３は本発明の実施形態における中間
層の被膜形成方法を示す断面図である。

【０１３３】図３に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５とを有する真空槽６１内に、中間層を形成するガ
イドブッシュ１１を配置する。そしてこのガイドブッシ
ュ１１の開口内面には、マッチング回路６７を介して補
助電極電源８３ｂに接続し、中間層材料であるチタンか
らなる補助電極７１を挿入するように配置する。このと
き補助電極７１は、ガイドブッシュ１１の開口中央部に
なるように配置する。さらにガイドブッシュ１１に直流
電源７３を接続する。

【０１３４】そして排気口６５から真空槽６１の内部を
図示しない排気手段によって、その真空度が３×１０^-5
ｔｏｒｒ以下になるように真空排気する。その後、ガス
導入口６３から炭素を含むガスとしてメタン（ＣＨ4 ）
ガスとアルゴンの混合ガスを真空槽６１内に導入し、真
空度が８×１０^-3ｔｏｒｒになるように調整する。この
ときアルゴンガスとメタンガスとの比率は、メタン流量
比４０％から８０％とする。

【０１３５】そして補助電極７１には、マッチング回路
６７を介して１３．５６ＭＨｚの発振周波数を有する高
周波電圧を補助電極電源８３ｂから、高周波電圧を４０
０Ｗ印加する。その結果、ガイドブッシュ１１の開口内
面に配置する補助電極７１の周囲領域にプラズマを発生
させることができる。さらにガイドブッシュ１１に接続
する直流電源７３からマイナス５０Ｖの直流負電圧を印
加する。

【０１３６】そして、補助電極７１周囲のプラズマ中の
イオンによってチタンからなる補助電極７１をスパッタ
し、さらにこのスパッタにより叩きだされたチタン分子
と、メタン中の炭素とが反応する反応性スパッタリング
により、ガイドブッシュ１１の内周面に炭化チタン（Ｔ
ｉＣx ）からなる中間層を形成している。このスパッタ
リング処理を３０分間行ない、ガイドブッシュ１１の内
周面に厚さ０．５μｍの炭化チタン被膜からなる中間層
を形成する。

【０１３７】なおここでガイドブッシュ１１の開口内径
の大きさは１０ｍｍであり、チタンからなる補助電極７
１の直径は２ｍｍのものを使用している。なお補助電極
７１の断面形状は円形だけでなく、多角形状としてもよ
い。この補助電極７１は、ガイドブッシュ１１の開口大
きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程度の隙間
であるプラズマ形成領域を設けるようにする。

【０１３８】このように本発明の実施形態における中間
層の形成方法においては、ガイドブッシュ１１の開口内
に中間層材料からなる補助電極７１を配置して補助電極
７１とガイドブッシュ１１開口内面との間にプラズマ発
生させ、ガイドブッシュ内周面に中間層を形成してい
る。ガイドブッシュ１１の開口内に中間層材料からなる
補助電極７１を配置して形成するプラズマは、ガイドブ
ッシュ１１の長手方向で均一であるためガイドブッシュ
１１の内周面に均一な膜厚で中間層を形成することがで
きる。

【０１３９】この図３に示す本発明の中間層の形成方法
によって形成する中間層の膜厚分布を図６のグラフを用
いて説明する。図６のグラフは、横軸はガイドブッシュ
の開口端からの距離を示し、縦軸はガイドブッシュの内
周面に形成する中間層の膜厚を示す。そして曲線８５
が、図３に示す本発明の中間層の形成方法によって形成
したときの膜厚分布を示す。

【０１４０】図６のグラフの曲線８５に示すように、ガ
イドブッシュ開口端に０．５μｍの膜厚の中間層を形成
したとき、図３に示す方法によって形成した中間層は、
開口端から開口奥側に３０ｍｍに入った位置でも膜厚の
変化はほとんどなく、ガイドブッシュ１１の開口全域に
わたって均一な膜厚で炭化チタン被膜からなる中間層を
形成することができる。

【０１４１】その後、中間層を形成したガイドブッシュ
１１に硬質カーボン膜を形成する。そしてこの硬質カー
ボン膜の形成方法としては、図２と図４と図５を用いて
説明した３つの手段があり、中間層上に形成する硬質カ
ーボン膜の被膜形成方法は、さきに説明した方法と同じ
であるので、その被膜形成方法の説明は省略する。

【０１４２】〔中間層の形成方法の第３例の説明：図
７〕つぎに以上の説明と異なる実施形態におけるガイド
ブッシュ内周面への中間層および硬質カーボン膜の形成
方法を、図７を用いて説明する。図７は本発明の被膜形
成方法における中間層の形成方法を示す断面図である。
この図７を用いて説明する実施形態においては、抵抗加
熱蒸着法により、中間層を形成する。

【０１４３】図７に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５とを備える真空槽６１内に開口を有するガイドブ
ッシュ１１を配置する。そしてこのガイドブッシュ１１
の開口内に、中間層として形成するチタンからなる補助
電極７１を挿入するように配置する。この補助電極７１
の両端部には交流電圧を印加するための補助電極電源８
３ｃを接続する。

【０１４４】そして図示しない排気手段によって、真空
槽６１内を３×１０^-5ｔｏｒｒ以下の真空度になるよう
に真空排気する。さらにガス導入口６３から炭素を含む
ガスとしてメタン（ＣＨ4 ）ガスを真空槽６１内に導入
して、８×１０^-3ｔｏｒｒの真空度になるように調整す
る。さらにまた補助電極電源８３ｃから交流電圧を、電
流が１０Ａ流れるように補助電極７１に印加する。

【０１４５】するとガイドブッシュ１１の開口内に配置
する補助電極７１表面は溶融して、チタン分子が蒸発す
る。そして蒸発したチタン分子とメタン中の炭素が結合
し、チタン−炭素合金被膜がガイドブッシュ１１の内周
面に抵抗加熱蒸着法により形成することができる。

【０１４６】補助電極７１への交流電圧の印加を時間３
０分間行い、ガイドブッシュ１１の内周面に０．５μｍ
の厚さのチタン−炭素合金膜からなる中間層を形成す
る。なおここでガイドブッシュ１１の開口内径の大きさ
は１０ｍｍであり、チタンからなる補助電極７１の直径
は２ｍｍのものを使用している。なお補助電極７１の断
面形状は円形だけでなく、多角形状としてもよい。

【０１４７】このように本発明の実施形態における中間
層の形成方法においては、ガイドブッシュ１１の開口内
に中間層材料からなる補助電極７１を配置して、真空槽
６１内に炭素を含むガスを導入し、この補助電極７１表
面を溶融させる抵抗加熱蒸着法により、ガイドブッシュ
内周面に中間層を形成している。補助電極７１の溶融状
態は、ガイドブッシュ１１の長手方向で均一であるため
ガイドブッシュ１１の内周面に均一な膜厚で中間層を形
成することができる。

【０１４８】この図７に示す抵抗加熱蒸着法を適用する
本発明の中間層の形成方法によって形成する中間層の膜
厚分布を図６のグラフを用いて説明する。図６のグラフ
は、横軸はガイドブッシュの開口端からの距離を示し、
縦軸はガイドブッシュの内周面に形成する中間層の膜厚
を示す。そして曲線８５が、図７に示す本発明の中間層
の形成方法によって形成したときの膜厚分布を示す。

【０１４９】図６のグラフの曲線８５に示すように、ガ
イドブッシュ開口端に０．５μｍの膜厚の中間層を形成
したとき、図７に示す方法によって形成した中間層は、
開口端から開口奥側に３０ｍｍに入った位置でも膜厚の
変化はほとんどなく、ガイドブッシュ１１の開口全域に
わたって均一な膜厚でチタン−炭素合金膜からなる中間
層を形成することができる。

【０１５０】その後、中間層を形成したガイドブッシュ
１１に硬質カーボン膜を形成する。そしてこの硬質カー
ボン膜の形成方法としては、図２と図４と図５を用いて
説明した３つの手段があり、中間層上に形成する硬質カ
ーボン膜の被膜形成方法は、さきに説明した方法と同じ
であるので、その被膜形成方法の説明は省略する。

【０１５１】〔中間層の形成方法の第４例の説明：図
１〕つぎに以上の説明と異なる実施形態におけるガイド
ブッシュ内周面への中間層の形成方法を、図１を用いて
説明する。以下の実施形態の説明では中間層として、金
属被膜の第１の中間層と炭化金属被膜の第２の中間層と
の積層構造の中間層を、硬質カーボン膜の下層として採
用する。以下の説明では、第１の中間層としてチタンを
形成し、第２の中間層としてチタンと炭素の化合物であ
る炭化チタン被膜を形成する実施形態で説明する。

【０１５２】図１に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５とを有する真空槽６１内に、中間層を形成するガ
イドブッシュ１１を配置する。そして、このガイドブッ
シュ１１の開口内面には、補助電極電源８３ａに接続し
て、中間層材料であるチタンから構成する補助電極７１
を挿入するように設ける。このとき補助電極７１がガイ
ドブッシュ１１の開口中央部になるように配置する。ガ
イドブッシュ１１は直流電源７３に接続する。

【０１５３】そして真空槽６１内部を真空度が３×１０
^-5ｔｏｒｒ以下になるように排気口６５から、図示しな
い排気手段によって真空排気する。その後、ガス導入口
６３からスパッタガスとしてアルゴンガスを真空槽６１
内に導入して、真空槽６１内の圧力を８×１０^-3ｔｏｒ
ｒになるように制御する。

【０１５４】そして補助電極７１には補助電極電源８３
ａからマイナス５００Ｖの直流負電圧を印加する。その
結果、ガイドブッシュ１１の開口内面に配置する補助電
極７１の周囲領域にプラズマを発生させることができ
る。なお、ガイドブッシュ１１には直流電源７３から直
流電圧を印加する。このときガイドブッシュ１１には直
流電源７３からマイナス５０Ｖの直流負電圧を印加す
る。

【０１５５】そして、補助電極７１周囲と真空槽６１内
部とのプラズマ中のイオンによってチタンからなる補助
電極７１をスパッタし、さらにこのスパッタによって叩
きだされたチタン分子は、ガイドブッシュ１１に付着し
て、チタン被膜からなる第１の中間層を形成する。この
スパッタリング処理を３０分間の時間行い、ガイドブッ
シュ１１の内周面に膜厚０．５μｍのチタン被膜からな
る第１の中間層を形成する。

【０１５６】なおここでガイドブッシュ１１の開口内径
の大きさは１０ｍｍであり、チタンからなる補助電極７
１の直径は２ｍｍのものを使用している。なお補助電極
７１の断面形状は円形だけでなく、多角形状としてもよ
い。この補助電極７１は、ガイドブッシュ１１の開口大
きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程度の隙間
であるプラズマ形成領域を設けるようにする。

【０１５７】このように本発明の実施形態における第１
の中間層の形成方法においては、ガイドブッシュ１１の
開口内に中間層材料からなる補助電極７１を配置して補
助電極７１とガイドブッシュ１１開口内面との間にプラ
ズマ発生させ、ガイドブッシュ内周面に中間層を形成し
ている。ガイドブッシュ１１の開口内に中間層材料から
なる補助電極７１を配置して形成するプラズマは、ガイ
ドブッシュ１１の長手方向で均一であるためガイドブッ
シュ１１の内周面に均一な膜厚で第１の中間層を形成す
ることができる。

【０１５８】この図１に示す本発明の実施形態の第１の
中間層の形成方法によって形成する第１の中間層の膜厚
分布を図６のグラフを用いて説明する。図６のグラフ
は、横軸はガイドブッシュの開口端からの距離を示し、
縦軸はガイドブッシュの内周面に形成する中間層の膜厚
を示す。そして曲線８５が、図１に示す本発明の第１の
中間層の形成方法によって形成したときの膜厚分布を示
す。図６のグラフの曲線８５に示すように、ガイドブッ
シュ開口端に０．５μｍの膜厚の第１の中間層を形成し
たとき、図１に示す方法によって形成した第１の中間層
は、開口端から開口奥側に３０ｍｍに入った位置でも膜
厚の変化はほとんどなく、ガイドブッシュ１１の開口全
域にわたって均一な膜厚でチタン被膜からなる第１の中
間層を形成することができる。

【０１５９】さらにこの第１の中間層の上面に第２の中
間層を形成する被膜形成方法を、引き続き図１を用いて
説明する。図１に示すように、ガス導入口６３と排気口
６５とを有する真空槽６１内に、第２の中間層を形成す
るガイドブッシュ１１を配置する。そして、このガイド
ブッシュ１１の開口内面には、補助電極電源８３ａに接
続し、中間層材料であるチタンから構成する補助電極７
１を挿入するように設ける。このとき補助電極７１がガ
イドブッシュ１１の開口中央部になるように配置する。
ガイドブッシュ１１は直流電源７３に接続する。

【０１６０】そして真空槽６１内部を真空度が３×１０
^-5ｔｏｒｒ以下になるように排気口６５から、図示しな
い排気手段により真空排気する。その後、ガス導入口６
３から炭素を含むガスとしてメタン（ＣＨ4 ）とアルゴ
ンとの混合ガスを真空槽６１の内部に導入して、真空槽
６１の内部の圧力を８×１０^-3ｔｏｒｒになるように制
御する。このときアルゴンとメタンとの比率は、メタン
流量比４０％から８０％とする。

【０１６１】そして補助電極７１には補助電極電源８３
ａからマイナス５００Ｖの直流負電圧を印加する。その
結果、真空槽６１内に配置するガイドブッシュ１１の開
口内面に配置する補助電極７１の周囲領域にプラズマを
発生させることができる。なお、ガイドブッシュ１１に
は直流電源７３から直流電圧を印加する。このときガイ
ドブッシュ１１には、直流電源７３からマイナス５０Ｖ
の直流負電圧を印加する。

【０１６２】そして、補助電極７１周囲と真空槽６１内
部とのプラズマ中のイオンによってチタンからなる補助
電極７１をスパッタし、さらにこのスパッタによって叩
きだされたチタン分子と、メタン中の炭素とが反応する
反応性スパッタリングによって、ガイドブッシュ１１に
炭化チタン（ＴｉＣx ）からなる第２の中間層を形成し
ている。このスパッタリング処理を時間３０分間行い、
ガイドブッシュ１１の内周面に０．５μｍの厚さの炭化
チタン被膜からなる第２の中間層を形成する。

【０１６３】なおここでガイドブッシュ１１の開口内径
の大きさは１０ｍｍであり、チタンからなる補助電極７
１の直径は２ｍｍのものを使用している。なお補助電極
７１の断面形状は円形だけでなく、多角形状としてもよ
い。この補助電極７１は、ガイドブッシュ１１の開口大
きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程度の隙
間、すなわちプラズマ形成領域を設けるようにする。

【０１６４】このように本発明の実施形態における第２
の中間層の形成方法においては、ガイドブッシュ１１の
開口内に中間層材料からなる補助電極７１を配置して補
助電極７１とガイドブッシュ１１開口内面との間にプラ
ズマ発生させ、ガイドブッシュ内周面に第２の中間層を
形成している。ガイドブッシュ１１の開口内に中間層材
料からなる補助電極７１を配置して形成するプラズマ
は、ガイドブッシュ１１の長手方向で均一であるためガ
イドブッシュ１１の内周面に均一な膜厚で第２の中間層
を形成することができる。

【０１６５】この図１に示す本発明の中間層の形成方法
により形成する第２の中間層の膜厚分布を図６のグラフ
を用いて説明する。図６のグラフは、横軸はガイドブッ
シュの開口端からの距離を示し、縦軸はガイドブッシュ
の内周面に形成する第２の中間層の膜厚を示す。そして
曲線８５が、図１に示す本発明の第２の中間層の形成方
法によって形成したときの膜厚分布を示す。図６のグラ
フの曲線８５に示すように、ガイドブッシュ開口端に
０．５μｍの膜厚の第２の中間層を形成したとき、図１
に示す方法によって形成した第２の中間層は、開口端か
ら開口奥側に３０ｍｍに入った位置でも膜厚の変化はほ
とんどなく、ガイドブッシュ１１の開口全域にわたって
均一な膜厚で炭化チタン被膜からなる第２の中間層を形
成することができる。

【０１６６】このように本発明の実施形態の被膜形成方
法では、第１の中間層と第２の中間層とを膜厚の均一性
よく、しかも密着性よく形成することができるため、硬
質カーボン膜は密着性よく形成することができる。なお
この第２の中間層の上面に形成する硬質カーボン膜の形
成方法は、図２と図４と図５を用いて説明した被膜形成
方法と同じであるので、詳細な説明は省略する。

【０１６７】〔中間層の形成方法の第５例の説明：図
３〕つぎに以上の説明と異なる実施の形態におけるガイ
ドブッシュ内周面への中間層の形成方法を、図３を用い
て説明する。以下の実施形態では、チタン被膜からなる
第１の中間層を形成し、さらに炭化チタン被膜からなる
第２の中間層を形成する被膜形成方法を説明する。はじ
めに第１の中間層の形成方法を説明する。

【０１６８】図３に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５とを有する真空槽６１内に、中間層を形成するガ
イドブッシュ１１を配置する。そしてこのガイドブッシ
ュ１１の開口内面には、マッチング回路６７を介して補
助電極電源８３ｂに接続し、中間層材料であるチタンか
らなる補助電極７１を挿入するように設ける。このとき
補助電極７１は、ガイドブッシュ１１の開口中央部にな
るように配置する。さらにガイドブッシュ１１に直流電
源７３を接続する。

【０１６９】そして排気口６５から真空槽６１の内部を
図示しない排気手段により、その真空度が３×１０^-5ｔ
ｏｒｒ以下になるように真空排気する。その後、ガス導
入口６３からアルゴンガスを真空槽６１内に導入し、真
空度が８×１０^-3ｔｏｒｒになるように調整する。

【０１７０】そして補助電極７１には、マッチング回路
６７を介して１３．５６ＭＨｚの発振周波数を有する高
周波電圧を補助電極電源８３ｂから、高周波電圧を４０
０Ｗ印加する。その結果、ガイドブッシュ１１の開口内
面に配置する補助電極７１の周囲領域にプラズマを発生
させることができる。さらにガイドブッシュ１１に接続
する直流電源７３からマイナス５０Ｖの直流負電圧を印
加する。

【０１７１】そして、補助電極７１周囲のプラズマ中の
イオンによってチタンからなる補助電極７１をスパッタ
し、さらにこのスパッタによって叩きだされたチタン分
子をガイドブッシュ１１の内周面に付着させて、チタン
被膜からなる第１の中間層を形成している。このスパッ
タリング処理を３０分間行って、ガイドブッシュ１１の
内周面に厚さが０．５μｍのチタン被膜からなる第１の
中間層を形成する。

【０１７２】なおここでガイドブッシュ１１の開口内径
の大きさは１０ｍｍであり、チタンからなる補助電極７
１の直径は２ｍｍのものを使用している。なお補助電極
７１の断面形状は円形だけでなく、多角形状としてもよ
い。この補助電極７１は、ガイドブッシュ１１の開口大
きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程度の隙間
であるプラズマ形成領域を設けるようにする。

【０１７３】このように本発明の実施の形態における第
１の中間層の形成方法においては、ガイドブッシュ１１
の開口内に第１の中間層材料からなる補助電極７１を配
置して補助電極７１とガイドブッシュ１１開口内面との
間にプラズマ発生させ、ガイドブッシュ１１内周面に第
１の中間層を形成している。ガイドブッシュ１１の開口
内に第１の中間層材料からなる補助電極７１を配置して
形成するプラズマは、ガイドブッシュ１１の長手方向で
均一であるためガイドブッシュ１１の内周面に均一な膜
厚で第１の中間層を形成することができる。

【０１７４】この図３に示す本発明の中間層の形成方法
により形成する第１の中間層の膜厚分布を図６のグラフ
を用いて説明する。図６のグラフは、横軸はガイドブッ
シュの開口端からの距離を示し、縦軸はガイドブッシュ
の内周面に形成する第１の中間層の膜厚を示す。そして
曲線８５が、図３に示す本発明の第１の中間層の形成方
法によって形成したときの膜厚分布を示す。

【０１７５】図６のグラフの曲線８５に示すように、ガ
イドブッシュ開口端に０．５μｍの膜厚の第１の中間層
を形成したとき、図３に示す方法によって形成した第１
の中間層は、開口端から開口奥側に３０ｍｍに入った位
置でも膜厚の変化はほとんどなく、ガイドブッシュ１１
の開口全域にわたって均一な膜厚でチタン被膜からなる
第１の中間層を形成することができる。

【０１７６】さらにこの第１の中間層上面に第２の中間
層を形成する被膜形成方法を、引き続き図３を用いて説
明する。

【０１７７】図３に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５とを有する真空槽６１内に、第１の中間層を形成
し、その上面に第２の中間層を形成するガイドブッシュ
１１を配置する。そしてこのガイドブッシュ１１の開口
内面には、マッチング回路６７を介して補助電極電源８
３ｂに接続し、中間層材料であるチタンからなる補助電
極７１を挿入するように配置する。このとき補助電極７
１は、ガイドブッシュ１１の開口中央部になるように配
置する。さらにガイドブッシュ１１に直流電源７３を接
続する。

【０１７８】そして排気口６５から真空槽６１の内部を
図示しない排気手段によって、その真空度が３×１０^-5
ｔｏｒｒ以下になるように真空排気する。その後、ガス
導入口６３から炭素を含むガスとしてメタン（ＣＨ4 ）
ガスとアルゴンとの混合ガスを真空槽６１内に導入し、
真空度が８×１０^-3ｔｏｒｒになるように調整する。こ
のときアルゴンガスとメタンガスとの比率は、メタン流
量比４０％から８０％とする。

【０１７９】そして補助電極７１には、マッチング回路
６７を介して１３．５６ＭＨｚの発振周波数を有する高
周波電圧を補助電極電源８３ｂから、高周波電圧を４０
０Ｗ印加する。その結果、ガイドブッシュ１１の開口内
面に配置する補助電極７１に周囲領域にプラズマを発生
させることができる。さらにガイドブッシュ１１に接続
する直流電源７３からマイナス５０Ｖの直流負電圧を印
加する。

【０１８０】そして、補助電極７１周囲のプラズマ中の
イオンによりチタンからなる補助電極７１をスパッタ
し、さらにこのスパッタによって叩きだされたチタン分
子と、メタン中の炭素とが反応する反応性スパッタリン
グによって、ガイドブッシュ１１の内周面に炭化チタン
（ＴｉＣx ）からなる第２の中間層を形成している。こ
のスパッタリング処理を時間３０分間行い、ガイドブッ
シュ１１の内周面に厚さ０．５μｍの炭化チタン被膜か
らなる第２の中間層を形成する。

【０１８１】なおここでガイドブッシュ１１の開口内径
の大きさは１０ｍｍであり、チタンからなる補助電極７
１の直径は２ｍｍのものを使用している。なお補助電極
７１の断面形状は円形だけでなく、多角形状としてもよ
い。この補助電極７１は、ガイドブッシュ１１の開口大
きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程度の隙
間、すなわちプラズマ形成領域を設けるようにする。

【０１８２】このように本発明の実施の形態における第
２の中間層の形成方法においては、ガイドブッシュ１１
の開口内に第２の中間層材料からなる補助電極７１を配
置して補助電極７１とガイドブッシュ１１開口内面との
間にプラズマ発生させ、ガイドブッシュ１１内周面に第
２の中間層を形成している。ガイドブッシュ１１の開口
内に第２の中間層材料からなる補助電極７１を配置して
形成するプラズマは、ガイドブッシュ１１の長手方向で
均一であるためガイドブッシュ１１の内周面に均一な膜
厚で第２の中間層を形成することができる。

【０１８３】この図３に示す本発明の中間層の形成方法
により形成する第２の中間層の膜厚分布を図６のグラフ
を用いて説明する。図６のグラフは、横軸はガイドブッ
シュの開口端からの距離を示し、縦軸はガイドブッシュ
の内周面に形成する第２の中間層の膜厚を示す。そして
曲線８５が、図３に示す本発明の第２の中間層の形成方
法によって形成したときの膜厚分布を示す。

【０１８４】図６のグラフの曲線８５に示すように、ガ
イドブッシュ開口端に０．５μｍの膜厚の第２の中間層
を形成したとき、図３に示す方法によって形成した第２
の中間層は、開口端から開口奥側に３０ｍｍに入った位
置でも膜厚の変化はほとんどなく、ガイドブッシュ１１
の開口全域にわたって均一な膜厚で炭化チタン被膜から
なる第２の中間層を形成することができる。

【０１８５】その後、第２の中間層を形成したガイドブ
ッシュ１１に硬質カーボン膜を形成する。そしてこの硬
質カーボン膜の形成方法は、図２と図４と図５を用いて
説明した被膜形成方法と同じであるので、詳細な説明は
省略する。

【０１８６】〔中間層の形成方法の第６例の説明：図
７〕つぎに以上の説明と異なる実施形態におけるガイド
ブッシュ内周面への中間層および硬質カーボン膜の形成
方法を、図７を用いて説明する。以下の実施形態の説明
では中間層として、金属被膜の第１の中間層と炭化金属
被膜の第２の中間層との積層構造の中間層を、硬質カー
ボン膜の下層として採用する。以下の説明では、第１の
中間層としてチタンを形成し、第２の中間層としてチタ
ンと炭素の化合物である炭化チタン被膜を形成する実施
形態で説明する。図７は本発明の被膜形成方法における
第１の中間層と第２の中間層との形成方法を示す断面図
である。この図７を用いて説明する実施形態において
は、抵抗加熱蒸着法により、第１の中間層と第２の中間
層を形成する。

【０１８７】図７に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５とを備える真空槽６１内に開口を有するガイドブ
ッシュ１１を配置する。そしてこのガイドブッシュ１１
の開口内に、中間層として形成するチタンからなる補助
電極７１を挿入するように配置する。この補助電極７１
の両端部には交流電圧を印加するための補助電極電源８
３ｃを接続する。

【０１８８】そして図示しない排気手段によって、真空
槽６１内を３×１０^-5ｔｏｒｒ以下の真空度になるよう
に真空排気する。さらに、補助電極電源８３ｃから交流
電圧を、電流が１０Ａ流れるように補助電極７１に印加
する。

【０１８９】するとガイドブッシュ１１の開口内に配置
する補助電極７１表面は溶融して、チタン分子が蒸発す
る。そして蒸発したチタン分子によるチタン被膜がガイ
ドブッシュ１１の内周面に形成され、ガイドブッシュ１
１の内周面に抵抗加熱蒸着法により、第１の中間層を形
成することができる。

【０１９０】補助電極７１への交流電圧の印加を時間３
０分間行い、ガイドブッシュ１１の内周面に０．５μｍ
の厚さのチタン被膜からなる第１の中間層を形成する。
なおここでガイドブッシュ１１の開口内径の大きさは１
０ｍｍであり、チタンからなる補助電極７１の直径は２
ｍｍのものを使用している。なお補助電極７１の断面形
状は円形だけでなく、多角形状としてもよい。

【０１９１】このように本発明の実施形態における第１
の中間層の形成方法においては、ガイドブッシュ１１の
開口内に中間層材料からなる補助電極７１を配置して、
この補助電極７１表面を溶融させる抵抗加熱蒸着法によ
り、ガイドブッシュ内周面に第１の中間層を形成してい
る。補助電極７１の溶融状態は、ガイドブッシュ１１の
長手方向で均一であるためガイドブッシュ１１の内周面
に均一な膜厚で第１の中間層を形成することができる。

【０１９２】この図７に示す抵抗加熱蒸着法を適用する
本発明の第１の中間層の形成方法によって形成する中間
層の膜厚分布を図６のグラフを用いて説明する。図６の
グラフは、横軸はガイドブッシュの開口端からの距離を
示し、縦軸はガイドブッシュの内周面に形成する第１の
中間層の膜厚を示す。そして曲線８５が、図７に示す本
発明の第１の中間層の形成方法によって形成したときの
膜厚分布を示す。

【０１９３】図６のグラフの曲線８５に示すように、ガ
イドブッシュ開口端に０．５μｍの膜厚の第１の中間層
を形成したとき、図７に示す方法によって形成した第１
の中間層は、開口端から開口奥側に３０ｍｍに入った位
置でも膜厚の変化はほとんどなく、ガイドブッシュ１１
の開口全域にわたって均一な膜厚でチタン被膜からなる
第１の中間層を形成することができる。

【０１９４】その後、第１の中間層を形成したガイドブ
ッシュ１１の内周面に第２の中間層を形成する。この第
２の中間層の形成方法を、引き続き図７を用いて説明す
る。図７に示すように、ガス導入口６３と排気口６５と
を備える真空槽６１内に開口を有するガイドブッシュ１
１を配置する。そしてこのガイドブッシュ１１の開口内
に、中間層として形成するチタンからなる補助電極７１
を挿入するように配置する。この補助電極７１の両端部
には交流電圧を印加するための補助電極電源８３ｃを接
続する。

【０１９５】そして図示しない排気手段によって、真空
槽６１内を３×１０^-5ｔｏｒｒ以下の真空度になるよう
に真空排気する。さらにガス導入口６３から炭素を含む
ガスとしてメタン（ＣＨ4 ）ガスを真空槽６１内に導入
して、８×１０^-3ｔｏｒｒの真空度になるように調整す
る。さらにまた補助電極電源８３ｃから交流電圧を、電
流が１０Ａ流れるように補助電極７１に印加する。

【０１９６】するとガイドブッシュ１１の開口内に配置
する補助電極７１表面は溶融して、チタン分子が蒸発す
る。そして蒸発したチタン分子とメタンガス中の炭素が
結合し、チタン−炭素合金被膜からなる第２の中間層
を、ガイドブッシュ１１の内周面に抵抗加熱蒸着法によ
り形成することができる。

【０１９７】補助電極７１への交流電圧の印加を時間３
０分間行い、ガイドブッシュ１１の内周面に、膜厚が
０．５μｍのチタン−炭素合金膜からなる第２の中間層
を形成する。なおここでガイドブッシュ１１の開口内径
の大きさは１０ｍｍであり、チタンからなる補助電極７
１の直径は２ｍｍのものを使用している。なお補助電極
７１の断面形状は円形だけでなく、多角形状としてもよ
い。

【０１９８】このように本発明の実施形態における第２
の中間層の形成方法においては、ガイドブッシュ１１の
開口内に中間層材料からなる補助電極７１を配置して、
真空槽６１内に炭素を含むガスを導入し、この補助電極
７１表面を溶融させる抵抗加熱蒸着法により、ガイドブ
ッシュ内周面に中間層を形成している。補助電極７１の
溶融状態は、ガイドブッシュ１１の長手方向で均一であ
るためガイドブッシュ１１の内周面に均一な膜厚で中間
層を形成することができる。

【０１９９】この図７に示す抵抗加熱蒸着法を適用する
本発明の中間層の形成方法によって形成する第２の中間
層の膜厚分布を図６のグラフを用いて説明する。図６の
グラフは、横軸はガイドブッシュの開口端からの距離を
示し、縦軸はガイドブッシュの内周面に形成する第２の
中間層の膜厚を示す。そして曲線８５が、図７に示す本
発明の第２の中間層の形成方法によって形成したときの
膜厚分布を示す。

【０２００】図６のグラフの曲線８５に示すように、ガ
イドブッシュ開口端に０．５μｍの膜厚の第２の中間層
を形成したとき、図７に示す方法によって形成した第２
の中間層は、開口端から開口奥側に３０ｍｍに入った位
置でも膜厚の変化はほとんどなく、ガイドブッシュ１１
の開口全域にわたって均一な膜厚でチタン−炭素合金膜
からなる第２の中間層を形成することができる。

【０２０１】その後、第２の中間層を形成したガイドブ
ッシュ１１に硬質カーボン膜を形成する。そしてこの硬
質カーボン膜の形成方法としては、図２と図４と図５を
用いて説明した３つの手段があり、第２の中間層上に形
成する硬質カーボン膜の被膜形成方法は、さきに説明し
た方法と同じであるので、その被膜形成方法の説明は省
略する。

【０２０２】図２と図４と図５とを用いて説明した本発
明の硬質カーボン膜の形成方法における以上の実施形態
の説明においては、ガイドブッシュ１１の開口内に配置
する補助電極には接地電位に接続する形態で説明した。
しかしながら、補助電極７１に直流電源から直流の正電
圧を印加して硬質カーボン膜を形成する方法を採用して
もよい。

【０２０３】このようにガイドブッシュ１１の開口内面
に配置する補助電極７１に直流正電圧を印加して硬質カ
ーボン膜を形成すると、以下に記載する効果をもつよう
になる。すなわち直流正電圧を補助電極７１に印加する
と、この補助電極７１の周囲領域に電子を集める効果を
生じ、補助電極７１の周囲領域は電子密度が高くなる。
このように電子密度が高くなると、必然的に炭素を含む
分子と電子との衝突確率が増え、ガス分子のイオン化が
促進され、その補助電極７１の周囲領域のプラズマ密度
が高くなる。

【０２０４】このため補助電極７１に直流の正電圧を印
加して硬質カーボン膜を形成する実施形態においては、
硬質カーボン膜の被膜形成速度は、補助電極７１にこの
ように直流の正電圧を印加しないときと比らべて高くな
る。

【０２０５】さらにガイドブッシュ１１の開口径の大き
さが小さくなり、内周面と補助電極７１との隙間寸法が
小さくなると、補助電極７１に直流の正電圧を印加しな
いで硬質カーボン膜を形成すると、ガイドブッシュ１１
の内周面にプラズマが発生せず、被膜形成ができない。

【０２０６】これにたいして補助電極７１に直流正電圧
を印加して硬質カーボン膜を形成する実施形態において
は、開口内面に配置する補助電極７１に直流の電源から
直流正電圧を印加して電子を強制的に、補助電極７１の
周囲領域に集めることができる。このため、補助電極７
１の周囲にプラズマを発生させることができる。

【０２０７】したがって、直流の正電圧を補助電極７１
に印加しないで硬質カーボン膜を形成する実施形態にお
いて被膜形成ができない開口大きさが小さいガイドブッ
シュ１１にも、直流正電圧を印加する補助電極７１を用
いて被膜形成する実施形態を適用すれば、硬質カーボン
膜の膜形成が可能となる。

【０２０８】そして好ましくは、同一の装置を用いて連
続して中間層と硬質カーボン膜とを形成する方法を採用
するほうがよい。この理由は、この中間層と硬質カーボ
ン膜との被膜の相互の密着性が向上するためである。

【０２０９】そして同一の被膜形成装置を用いて連続し
て中間層と硬質カーボン膜とを形成するときは、中間層
を形成後、補助電極７１を接地電位とし、ガイドブッシ
ュ１１に直流負電圧または高周波電圧を印加し、さらに
ガス導入口６３から導入するガスを変えればよい。これ
は中間層として積層膜で形成するときも同じである。

【０２１０】さらに以上説明した中間層の形成方法にお
いて、補助電極としてチタンを用いる実施形態で説明し
たが、チタン以外にモリブデンやタングステンやタンタ
ルやアルミニウムも適用可能である。このときは形成さ
れる中間層としては、補助電極材料被膜やこれらの炭化
物被膜が形成されることになる。

【０２１１】さらに以上説明した中間層の形成方法で
は、真空槽に導入するガスとして、アルゴンガス、ある
いは炭素を含むガスとアルゴンガスとの混合ガスを用い
る実施形態で説明した。しかしながら、真空槽に導入す
るガスとしては、シリコンを含むガスとアルゴンガスと
の混合ガスを用いる実施形態を採用してもよい。このと
きは、中間層として金属被膜と金属−シリコン合金であ
る金属シリサイドとの積層膜や、金属シリサイド被膜と
なる。

【０２１２】さらに図２と図４と図５とを用いて説明し
た本発明の硬質カーボン膜の形成方法における以上の実
施形態の説明においては、炭素を含むガスとしてメタン
ガスやベンゼンガスを用いる実施形態で説明したが、メ
タン以外にエチレンなどの炭素を含むガスや、あるいは
ヘキサンなどの炭素を含む液体の蒸発蒸気も使用するこ
とができる。

【０２１３】また以上説明した本発明の中間層の形成方
法における以上の説明においては、炭素を含むガスとし
てメタン（ＣＨ4 ）を用いて説明したが、エチレンなど
の炭素を含むガスを用いても中間層を形成することがで
きる。さらに図１と図３とを用いて説明した中間層の形
成方法においては、ガイドブッシュ１１に印加する電圧
として直流電源７３からマイナス５０Ｖを印加する実施
形態で説明したが、ガイドブッシュ１１には接地電位を
接続してもよい。このときも以上説明した本発明の被膜
形成方法における効果である、ガイドブッシュ１１の内
周面に均一な膜厚の中間層を形成することができる。

【０２１４】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
被膜形成方法における中間層と硬質カーボン膜の形成方
法では、ガイドブッシュの開口内面の開口の中央部に、
接地電位あるいは直流負電圧に接続する補助電極を配置
して中間層と硬質カーボン膜を形成する。そして中間層
と硬質カーボン膜を形成するガイドブッシュには、負の
直流電圧または高周波電圧を印加する。

【０２１５】その結果、同電位の電極どうしが対向して
いる開口内面に、接地電位あるいは直流負電圧に接続す
る補助電極を設けることとなり、同電位同士が対向する
ことがなくなる。このような電位状態は、プラスマ化学
気相成長法にとってもっとも望ましい状態であり、異常
放電であるホロー放電は発生しない。そのため、密着性
の良好な硬質カーボン膜をガイドブッシュに形成するこ
とができる。

【０２１６】さらに本発明の被膜形成方法における中間
層と硬質カーボン膜の形成方法においては、接地電位ま
たは直流正電圧に接続する補助電極をガイドブッシュの
開口内面に配置しており、ガイドブッシュの長手方向の
開口内面で電位特性が均一になる。この結果、内周面に
形成する中間層と硬質カーボン膜の膜厚ばらつきの発生
がなく、ガイドブッシュの開口端面と開口奥側との全域
にわたって均一な膜厚を形成することができるという効
果ももつ。

【０２１７】さらに本発明のガイドブッシュ内周面への
被膜形成方法においては、ガイドブッシュの開口内面に
配置する補助電極に直流の正電圧を印加して硬質カーボ
ン膜を形成している。このように直流正電圧を補助電極
に印加すると、この補助電極の周囲領域に電子を集める
効果を生じ、補助電極の周囲領域は電子密度が高くな
る。このように電子密度が高くなると、必然的に炭素を
含むガス分子と電子との衝突確率が増えて、ガス分子の
イオン化が促進され、その補助電極の周囲領域のプラズ
マ密度が高くなる。

【０２１８】このため補助電極に直流の正電圧を印加し
て硬質カーボン膜を形成する実施形態においては、硬質
カーボン膜の被膜形成速度は、補助電極にこのように直
流の正電圧を印加しないときと比らべて高くなる。さら
にガイドブッシュの開口の大きさが小さくなり、内周面
と補助電極との隙間寸法が小さくなると、補助電極に直
流の正電圧を印加しないで硬質カーボン膜を形成する
と、ガイドブッシュの開口内面にプラズマが発生せず、
被膜形成ができない。

【０２１９】これにたいして補助電極に直流正電圧を印
加して硬質カーボン膜を形成する方法においては、開口
内面に配置する補助電極に直流の電源から直流正電圧を
印加して電子を強制的に補助電極の周囲領域に集めるこ
とができる。このため、補助電極の周囲にプラズマを発
生させることができる。したがって、直流の正電圧を補
助電極に印加しないで硬質カーボン膜を形成する方法で
被膜形成ができない開口大きさが小さいガイドブッシュ
にも、直流正電圧を印加する補助電極を用いて被膜形成
する方法を適用すれば、硬質カーボン膜の膜形成が可能
となる。

【０２２０】さらにまた本発明の被膜形成方法における
中間層の形成方法においては、ガイドブッシュの開口内
に中間層材料からなる補助電極を配置して、補助電極と
開口内面との間にプラズマ発生させ、または抵抗加熱蒸
着法によって、ガイドブッシュ内周面に中間層を形成し
ている。ガイドブッシュの内周面の全域にわって均一な
膜厚分布で中間層を形成することができる。このため中
間層膜厚がガイドブッシュ開口内面の奥側にて薄膜化す
ると、硬質カーボン膜のストレスに耐えきれず剥離して
しまう。

【０２２１】本発明の中間層の形成方法では、中間層膜
厚の分布バラツキが均一で開口奥側の薄膜化現象は発生
しない。このように本発明の被膜形成方法においては、
ガイドブッシュに対する硬質カーボン膜の密着性が良好
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態におけるガイドブッシュ内
周面への被膜形成方法を示す断面図である。

【図２】本発明の実施の形態におけるガイドブッシュ内
周面への被膜形成方法を示す断面図である。

【図３】本発明の実施の形態におけるガイドブッシュ内
周面への被膜形成方法を示す断面図である。

【図４】本発明の実施の形態におけるガイドブッシュ内
周面への被膜形成方法を示す断面図である。

【図５】本発明の実施の形態におけるガイドブッシュ内
周面への被膜形成方法を示す断面図である。

【図６】本発明の実施の形態と従来技術の被膜形成方法
によって形成した被膜の膜厚と開口端からの距離との関
係を示すグラフである。

【図７】本発明の実施の形態におけるガイドブッシュ内
周面への被膜形成方法を示す断面図である。

【図８】本発明の実施形態におけるガイドブッシュ内周
面への硬質カーボン膜の形成方法により中間層と硬質カ
ーボン膜を形成するガイドブッシュを使用する旋盤の主
軸近傍を示す断面図である。

【図９】本発明の実施形態におけるガイドブッシュ内周
面への硬質カーボン膜の形成方法により中間層と硬質カ
ーボン膜を形成するガイドブッシュを使用する旋盤の主
軸近傍を示す断面図である。

【図１０】本発明の実施形態におけるガイドブッシュ内
周面への被膜形成方法により中間層と硬質カーボン膜を
形成するガイドブッシュを示す断面図である。

【図１１】従来技術におけるガイドブッシュ内周面への
被膜形成方法のうち中間層の形成方法を示す断面図であ
る。

【図１２】従来技術におけるガイドブッシュ内周面への
被膜形成方法のうち硬質カーボン膜の形成方法を示す断
面図である。

【符号の説明】

１１ ガイドブッシュ １１ｂ 内周面 ６１ 真空槽 ６３ ガス導入口 ６５ 排気口 ７１ 補助電極 ７３ 直流電源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 戸井田 孝志 埼玉県所沢市大字下富字武野840番地 シ チズン時計株式会社所沢事業所内 (72)発明者 関根 敏一 東京都田無市本町６丁目１番12号 シチズ ン時計株式会社田無製造所内

Claims (36)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源
   に接続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入する
   ようにガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内
   部を排気した後、ガイドブッシュは接地電位に接続する
   かあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入
   口からアルゴンガスと炭素を含むガスとの混合ガスを真
   空槽内に導入して、補助電極電源から直流負電圧を補助
   電極に印加してプラズマを発生させガイドブッシュ内周
   面に金属炭化物被膜からなる中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内に接地電位または直流
   正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブッ
   シュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気した後、ガス
   導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイド
   ブッシュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧を印
   加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを発生
   させてガイドブッシュ内周面に硬質カーボン膜を形成す
   ることを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜形成
   方法。
2. 【請求項２】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源
   に接続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入する
   ようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空槽
   内部を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続
   するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス
   導入口からアルゴンガスと炭素を含むガスとの混合ガス
   を導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印
   加してプラズマを発生させガイドブッシュ内周面に金属
   炭化物被膜からなる中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内に接地電位または直流
   正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブッ
   シュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気した後、ガ
   ス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイ
   ドブッシュに高周波電圧を印加してプラズマを発生させ
   てガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成することを特
   徴とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方法。
3. 【請求項３】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源
   に接続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入する
   ようにガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部
   を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続する
   かあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入
   口からアルゴンガスと炭素を含むガスとの混合ガスを導
   入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印加し
   てプラズマを発生させガイドブッシュの内周面に金属炭
   化物被膜からなる中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内に接地電位または直流
   正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブッ
   シュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気した後、ガ
   ス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイ
   ドブッシュに直流電圧を印加してプラズマを発生させて
   ガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成することを特徴
   とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方法。
4. 【請求項４】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源
   に接続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入する
   ようにガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部
   を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続する
   かあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入
   口からアルゴンガスと炭素を含むガスとの混合ガスを導
   入し、補助電極電源から交流電圧を補助電極に印加して
   抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内周面に金属炭
   化物被膜からなる中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内に接地電位または直流
   正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブッ
   シュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入
   口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイドブッ
   シュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧を印加し
   フィラメントに交流電圧を印加してプラズマを発生させ
   てガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成することを特
   徴とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方法。
5. 【請求項５】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源
   に接続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入する
   ようにガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部
   を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続する
   かあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入
   口からアルゴンガスと炭素を含むガスとの混合ガスを導
   入し、補助電極電源から交流電圧を補助電極に印加して
   抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内周面に金属炭
   化物被膜からなる中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内に接地電位または直流
   正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブッ
   シュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気した後、ガ
   ス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイ
   ドブッシュに高周波電圧を印加してプラズマを発生させ
   てガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成することを特
   徴とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方法。
6. 【請求項６】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源
   に接続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入する
   ようにガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部
   を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続する
   かあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入
   口からアルゴンガスと炭素を含むガスとの混合ガスを導
   入し、補助電極電源から交流電圧を補助電極に印加して
   抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内周面に金属炭
   化物被膜からなる中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内に接地電位または直流
   正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブッ
   シュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気した後、ガ
   ス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイ
   ドブッシュに直流電圧を印加してプラズマを発生させて
   ガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成することを特徴
   とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方法。
7. 【請求項７】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源
   に接続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入する
   ようにガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部
   を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続する
   かあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入
   口からアルゴンガスと炭素を含むガスとの混合ガスを導
   入し、補助電極電源から高周波電圧を補助電極に印加し
   てガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズマ
   を発生させガイドブッシュの内周面に金属炭化物被膜か
   らなる中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
   流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
   ッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気したのち、
   ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガ
   イドブッシュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧
   を印加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを
   発生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成する
   ことを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方
   法。
8. 【請求項８】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源
   に接続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入する
   ようにガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部
   を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続する
   かあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入
   口からアルゴンガスと炭素を含むガスとの混合ガスを導
   入し、補助電極電源から高周波電圧を補助電極に印加し
   てガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズマ
   を発生させガイドブッシュの内周面に金属炭化物被膜か
   らなる中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
   流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
   ッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気後、ガス
   導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイド
   ブッシュに高周波電圧を印加してプラズマを発生させて
   ガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成することを特徴
   とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方法。
9. 【請求項９】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電源
   に接続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入する
   ようにガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部
   を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続する
   かあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入
   口からアルゴンガスと炭素を含むガスとの混合ガスを導
   入し、補助電極電源から高周波電圧を補助電極に印加し
   てガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズマ
   を発生させガイドブッシュの内周面に金属炭化物被膜か
   らなる中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
   流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
   ッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気後、ガス
   導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイド
   ブッシュに直流電圧を印加してプラズマを発生させてガ
   イドブッシュに硬質カーボン膜を形成することを特徴と
   するガイドブッシュ内周面への被膜形成方法。
10. 【請求項１０】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電
    源に接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入す
    るようにガイドブッシュを真空槽内部に配置し、真空槽
    の内部を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接
    続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガ
    ス導入口からアルゴンガスを導入し、補助電極電源から
    直流負電圧を補助電極に印加してプラズマを発生させガ
    イドブッシュ内周面に金属被膜からなる第１の中間層を
    形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続
    し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するように
    ガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を排
    気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するかあ
    るいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口か
    らアルゴンガスと炭素を含むガスとの混合ガスを真空槽
    内に導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に
    印加してプラズマを発生させガイドブッシュ内周面に金
    属炭化物被膜からなる第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
    たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
    イドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、
    ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガ
    イドブッシュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧
    を印加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを
    発生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成する
    ことを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方
    法。
11. 【請求項１１】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電
    源に接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入す
    るようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空
    槽内部を排気した後、ガイドブッシュは接地電位に接続
    するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス
    導入口からアルゴンガスを導入し、補助電極電源から直
    流負電圧を補助電極に印加してプラズマを発生させガイ
    ドブッシュ内周面に金属被膜からなる第１の中間層を形
    成し、 その後、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続
    し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するように
    ガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を排
    気した後、ガス導入口からアルゴンガスと炭素を含むガ
    スとの混合ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュは
    接地電位に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧
    を印加し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極に印
    加してプラズマを発生させガイドブッシュ内周面に金属
    炭化物被膜からなる第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
    たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
    イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気
    後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
    し、ガイドブッシュに高周波電圧を印加してプラズマを
    発生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成する
    ことを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方
    法。
12. 【請求項１２】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電
    源に接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入す
    るようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空
    槽内を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続
    するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス
    導入口からアルゴンガスを導入し、補助電極電源から直
    流負電圧を補助電極に印加してプラズマを発生させガイ
    ドブッシュ内周面に金属被膜からなる第１の中間層を形
    成し、 その後、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続
    し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するように
    ガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空槽の内部
    を排気したのち、ガス導入口からアルゴンガスと炭素を
    含むガスとの混合ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッ
    シュは接地電位に接続するかあるいは直流電源から直流
    負電圧を印加し、補助電極電源から直流負電圧を補助電
    極に印加してプラズマを発生させガイドブッシュ内周面
    に金属炭化物被膜からなる第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
    たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
    イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気し
    たのち、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導
    入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加してプラズマを
    発生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成する
    ことを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方
    法。
13. 【請求項１３】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電
    源に接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入す
    るようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空
    槽の内部を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に
    接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、
    ガス導入口からアルゴンガスを真空槽内に導入し、補助
    電極電源から交流電圧を補助電極に印加して抵抗加熱蒸
    着法によりガイドブッシュの内周面に金属被膜からなる
    第１の中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続
    し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するように
    ガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部を排気
    したのち、ガス導入口からアルゴンガスと炭素を含むガ
    スとの混合ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュは
    接地電位に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧
    を印加し、補助電極電源から交流電圧を補助電極に印加
    して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内周面に金
    属炭化物被膜からなる第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
    たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
    イドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を排気
    した後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導
    入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加し、アノードに
    直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を印加してプ
    ラズマを発生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜を
    形成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被
    膜形成方法。
14. 【請求項１４】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電
    源に接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入す
    るようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空
    槽の内部を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に
    接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、
    ガス導入口からアルゴンガスを真空槽内に導入し、補助
    電極電源から交流電圧を補助電極に印加して抵抗加熱蒸
    着法によりガイドブッシュの内周面に金属被膜からなる
    第１の中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続
    し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するように
    ガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部を排気
    したのち、ガス導入口からアルゴンガスと炭素を含むガ
    スとの混合ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュは
    接地電位に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧
    を印加し、補助電極電源から交流電圧を補助電極に印加
    して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内周面に金
    属炭化物被膜からなる第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
    たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
    イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気し
    た後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
    し、ガイドブッシュに高周波電圧を印加してプラズマを
    発生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成する
    ことを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方
    法。
15. 【請求項１５】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電
    源に接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入す
    るようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空
    槽の内部を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に
    接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、
    ガス導入口からアルゴンガスを真空槽内に導入し、補助
    電極電源から交流電圧を補助電極に印加して抵抗加熱蒸
    着法によりガイドブッシュの内周面に金属被膜からなる
    第１の中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続
    し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するように
    ガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部を排気
    したのち、ガス導入口からアルゴンガスと炭素を含むガ
    スとの混合ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュは
    接地電位に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧
    を印加し、補助電極電源から交流電圧を補助電極に印加
    して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内周面に金
    属炭化物被膜からなる第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
    たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
    イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気し
    た後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
    し、ガイドブッシュに直流電圧を印加してプラズマを発
    生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成するこ
    とを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方
    法。
16. 【請求項１６】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電
    源に接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入す
    るようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空
    槽の内部を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に
    接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、
    ガス導入口からアルゴンガスを真空槽内に導入し、補助
    電極電源から高周波電圧を補助電極に印加してガイドブ
    ッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ
    ガイドブッシュの内周面に金属被膜からなる第１の中間
    層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続
    し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するように
    ガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部を排気
    したのち、ガス導入口からアルゴンガスと炭素を含むガ
    スとの混合ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュは
    接地電位に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧
    を印加し、補助電極電源から高周波電圧を補助電極に印
    加してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラ
    ズマを発生させガイドブッシュの内周面に金属炭化物被
    膜からなる第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
    たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
    イドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、
    ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガ
    イドブッシュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧
    を印加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを
    発生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成する
    ことを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方
    法。
17. 【請求項１７】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電
    源に接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入す
    るようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空
    槽の内部を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に
    接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、
    ガス導入口からアルゴンガスと炭素を含むガスとの混合
    ガスを真空槽内導入し、補助電極電源から高周波電圧を
    補助電極に印加してガイドブッシュの開口内の補助電極
    の周囲にプラズマを発生させガイドブッシュの内周面に
    金属被膜からなる第１の中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続
    し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するように
    ガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部を排気
    したのち、ガス導入口からアルゴンガスと炭素を含むガ
    スとの混合ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュは
    接地電位に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧
    を印加し、補助電極電源から高周波電圧を補助電極に印
    加してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラ
    ズマを発生させガイドブッシュの内周面に金属炭化物被
    膜からなる第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
    たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
    イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気し
    た後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
    し、ガイドブッシュに高周波電圧を印加してプラズマを
    発生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成する
    ことを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方
    法。
18. 【請求項１８】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電
    源に接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入す
    るようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空
    槽の内部を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に
    接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、
    ガス導入口からアルゴンガスを真空槽内に導入し、補助
    電極電源から高周波電圧を補助電極に印加してガイドブ
    ッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ
    ガイドブッシュの内周面に金属被膜からなる第１の中間
    層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続
    し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するように
    ガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部を排気
    したのち、ガス導入口からアルゴンガスと炭素を含むガ
    スとの混合ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュは
    接地電位に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧
    を印加し、補助電極電源から高周波電圧を補助電極に印
    加してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラ
    ズマを発生させガイドブッシュの内周面に金属炭化物被
    膜からなる第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
    たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
    イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気し
    た後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
    し、ガイドブッシュに直流電圧を印加してプラズマを発
    生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成するこ
    とを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方
    法。
19. 【請求項１９】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電
    源に接続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入す
    るようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空
    槽の内部を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に
    接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、
    ガス導入口からアルゴンガスとシリコンを含むガスとの
    混合ガスを真空槽内に導入して、補助電極電源から直流
    負電圧を補助電極に印加してプラズマを発生させガイド
    ブッシュ内周面に金属シリサイド被膜からなる中間層を
    形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
    流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
    ッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気したのち、
    ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガ
    イドブッシュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧
    を印加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを
    発生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成する
    ことを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方
    法。
20. 【請求項２０】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電
    源に接続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入す
    るようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空
    槽の内部を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に
    接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、
    ガス導入口からアルゴンガスとシリコンを含むガスとの
    混合ガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助
    電極に印加してプラズマを発生させガイドブッシュ内周
    面に金属シリサイド被膜からなる中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
    流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
    ッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気後、ガス
    導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイド
    ブッシュに高周波電圧を印加してプラズマを発生させて
    ガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成することを特徴
    とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方法。
21. 【請求項２１】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電
    源に接続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入す
    るようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空
    槽の内部を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に
    接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、
    ガス導入口からアルゴンガスとシリコンを含むガスとの
    混合ガスを導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助
    電極に印加してプラズマを発生させガイドブッシュ内周
    面に金属シリサイド被膜からなる中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
    流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
    ッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気後、ガス
    導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイド
    ブッシュに直流電圧を印加してプラズマを発生させてガ
    イドブッシュに硬質カーボン膜を形成することを特徴と
    するガイドブッシュ内周面への被膜形成方法。
22. 【請求項２２】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電
    源に接続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入す
    るようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空
    槽の内部を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に
    接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、
    ガス導入口からアルゴンガスとシリコンを含むガスとの
    混合ガスを導入し、補助電極電源から交流電圧を補助電
    極に印加して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内
    周面に金属シリサイド被膜からなる中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
    流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
    ッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気した後、ガ
    ス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイ
    ドブッシュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧を
    印加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを発
    生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成するこ
    とを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方
    法。
23. 【請求項２３】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電
    源に接続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入す
    るようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空
    槽の内部を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に
    接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、
    ガス導入口からアルゴンガスとシリコンを含むガスとの
    混合ガスを導入し、補助電極電源から交流電圧を補助電
    極に印加して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内
    周面に金属シリサイド被膜からなる中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
    流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
    ッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気後、ガス
    導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイド
    ブッシュに高周波電圧を印加してプラズマを発生させて
    ガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成することを特徴
    とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方法。
24. 【請求項２４】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電
    源に接続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入す
    るようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空
    槽の内部を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に
    接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、
    ガス導入口からアルゴンガスとシリコンを含むガスとの
    混合ガスを導入し、補助電極電源から交流電圧を補助電
    極に印加して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内
    周面に金属シリサイド被膜からなる中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
    流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
    ッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気後、ガス
    導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイド
    ブッシュに直流電圧を印加してプラズマを発生させてガ
    イドブッシュに硬質カーボン膜を形成することを特徴と
    するガイドブッシュ内周面への被膜形成方法。
25. 【請求項２５】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電
    源に接続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入す
    るようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空
    槽の内部を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に
    接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、
    ガス導入口からアルゴンガスとシリコンを含むガスとの
    混合ガスを導入し、補助電極電源から高周波電圧を補助
    電極に印加してガイドブッシュの開口内の補助電極の周
    囲にプラズマを発生させガイドブッシュの内周面に金属
    シリサイド被膜からなる中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
    流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
    ッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気した後、ガ
    ス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイ
    ドブッシュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧を
    印加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを発
    生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成するこ
    とを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方
    法。
26. 【請求項２６】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電
    源に接続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入す
    るようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空
    槽の内部を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に
    接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、
    ガス導入口からアルゴンガスとシリコンを含むガスとの
    混合ガスを導入し、補助電極電源から高周波電圧を補助
    電極に印加してガイドブッシュの開口内の補助電極の周
    囲にプラズマを発生させガイドブッシュの内周面に金属
    シリサイド被膜からなる中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
    流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
    ッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気後、ガス
    導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイド
    ブッシュに高周波電圧を印加してプラズマを発生させて
    ガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成することを特徴
    とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方法。
27. 【請求項２７】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電
    源に接続し金属の中間層材料からなる補助電極を挿入す
    るようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空
    槽の内部を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に
    接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、
    ガス導入口からアルゴンガスとシリコンを含むガスとの
    混合ガスを導入し、補助電極電源から高周波電圧を補助
    電極に印加してガイドブッシュの開口内の補助電極の周
    囲にプラズマを発生させガイドブッシュの内周面に金属
    シリサイド被膜からなる中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位または直
    流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガイドブ
    ッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気後、ガス
    導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガイド
    ブッシュに直流電圧を印加してプラズマを発生させてガ
    イドブッシュに硬質カーボン膜を形成することを特徴と
    するガイドブッシュ内周面への被膜形成方法。
28. 【請求項２８】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電
    源に接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入す
    るようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空
    槽の内部を排気した後、ガイドブッシュは接地電位に接
    続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガ
    ス導入口からアルゴンガスを導入し、補助電極電源から
    直流負電圧を補助電極に印加してプラズマを発生させガ
    イドブッシュ内周面に金属被膜からなる第１の中間層を
    形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続
    し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するように
    ガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を排
    気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続するかあ
    るいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス導入口か
    らアルゴンガスとシリコンを含むガスとの混合ガスを真
    空槽内に導入し、補助電極電源から直流負電圧を補助電
    極に印加してプラズマを発生させガイドブッシュ内周面
    に金属シリサイド被膜からなる第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
    たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
    イドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、
    ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガ
    イドブッシュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧
    を印加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを
    発生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成する
    ことを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方
    法。
29. 【請求項２９】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電
    源に接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入す
    るようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空
    槽内部を排気した後、ガイドブッシュは接地電位に接続
    するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス
    導入口からアルゴンガスを導入し、補助電極電源から直
    流負電圧を補助電極に印加してプラズマを発生させガイ
    ドブッシュ内周面に金属被膜からなる第１の中間層を形
    成し、 その後、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続
    し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するように
    ガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を排
    気した後、ガス導入口からアルゴンガスとシリコンを含
    むガスとの混合ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシ
    ュは接地電位に接続するかあるいは直流電源から直流負
    電圧を印加し、補助電極電源から直流負電圧を補助電極
    に印加してプラズマを発生させガイドブッシュ内周面に
    金属シリサイド被膜からなる第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
    たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
    イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気
    後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
    し、ガイドブッシュに高周波電圧を印加してプラズマを
    発生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成する
    ことを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方
    法。
30. 【請求項３０】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電
    源に接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入す
    るようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空
    槽内を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に接続
    するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、ガス
    導入口からアルゴンガスを導入し、補助電極電源から直
    流負電圧を補助電極に印加してプラズマを発生させガイ
    ドブッシュ内周面に金属被膜からなる第１の中間層を形
    成し、 その後、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続
    し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するように
    ガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空槽の内部
    を排気したのち、ガス導入口からアルゴンガスとシリコ
    ンを含むガスとの混合ガスを真空槽内に導入し、ガイド
    ブッシュは接地電位に接続するかあるいは直流電源から
    直流負電圧を印加し、補助電極電源から直流負電圧を補
    助電極に印加してプラズマを発生させガイドブッシュ内
    周面に金属シリサイド被膜からなる第２の中間層を形成
    し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
    たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
    イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気し
    たのち、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導
    入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加してプラズマを
    発生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成する
    ことを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方
    法。
31. 【請求項３１】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電
    源に接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入す
    るようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空
    槽の内部を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に
    接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、
    ガス導入口からアルゴンガスを真空槽内に導入し、補助
    電極電源から交流電圧を補助電極に印加して抵抗加熱蒸
    着法によりガイドブッシュの内周面に金属被膜からなる
    第１の中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続
    し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するように
    ガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部を排気
    したのち、ガス導入口からアルゴンガスとシリコンを含
    むガスとの混合ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシ
    ュは接地電位に接続するかあるいは直流電源から直流負
    電圧を印加し、補助電極電源から交流電圧を補助電極に
    印加して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内周面
    に金属シリサイド被膜からなる第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
    たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
    イドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽の内部を排気
    した後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導
    入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加し、アノードに
    直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を印加してプ
    ラズマを発生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜を
    形成することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被
    膜形成方法。
32. 【請求項３２】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電
    源に接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入す
    るようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空
    槽の内部を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に
    接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、
    ガス導入口からアルゴンガスを真空槽内に導入し、補助
    電極電源から交流電圧を補助電極に印加して抵抗加熱蒸
    着法によりガイドブッシュの内周面に金属被膜からなる
    第１の中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続
    し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するように
    ガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部を排気
    したのち、ガス導入口からアルゴンガスとシリコンを含
    むガスとの混合ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシ
    ュは接地電位に接続するかあるいは直流電源から直流負
    電圧を印加し、補助電極電源から交流電圧を補助電極に
    印加して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内周面
    に金属シリサイド被膜からなる第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
    たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
    イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気し
    た後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
    し、ガイドブッシュに高周波電圧を印加してプラズマを
    発生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成する
    ことを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方
    法。
33. 【請求項３３】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電
    源に接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入す
    るようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空
    槽の内部を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に
    接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、
    ガス導入口からアルゴンガスを真空槽内に導入し、補助
    電極電源から交流電圧を補助電極に印加して抵抗加熱蒸
    着法によりガイドブッシュの内周面に金属被膜からなる
    第１の中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続
    し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するように
    ガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部を排気
    したのち、ガス導入口からアルゴンガスとシリコンを含
    むガスとの混合ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシ
    ュは接地電位に接続するかあるいは直流電源から直流負
    電圧を印加し、補助電極電源から交流電圧を補助電極に
    印加して抵抗加熱蒸着法によりガイドブッシュの内周面
    に金属シリサイド被膜からなる第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
    たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
    イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気し
    た後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
    し、ガイドブッシュに直流電圧を印加してプラズマを発
    生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成するこ
    とを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方
    法。
34. 【請求項３４】 ガイドブッ シュの開口内に補助電極
    電源に接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入
    するようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真
    空槽の内部を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位
    に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加
    し、ガス導入口からアルゴンガスを真空槽内に導入し、
    補助電極電源から高周波電圧を補助電極に印加してガイ
    ドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生
    させガイドブッシュの内周面に金属被膜からなる第１の
    中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続
    し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するように
    ガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部を排気
    したのち、ガス導入口からアルゴンガスとシリコンを含
    むガスとの混合ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシ
    ュは接地電位に接続するかあるいは直流電源から直流負
    電圧を印加し、補助電極電源から高周波電圧を補助電極
    に印加してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲に
    プラズマを発生させガイドブッシュの内周面に金属シリ
    サイド被膜からなる第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
    たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
    イドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、
    ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、ガ
    イドブッシュに直流電圧を印加し、アノードに直流電圧
    を印加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを
    発生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成する
    ことを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜形成方
    法。
35. 【請求項３５】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電
    源に接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入す
    るようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空
    槽の内部を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に
    接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、
    ガス導入口からアルゴンガスとシリコンを含むガスとの
    混合ガスを真空槽内導入し、補助電極電源から高周波電
    圧を補助電極に印加してガイドブッシュの開口内の補助
    電極の周囲にプラズマを発生させガイドブッシュの内周
    面に金属被膜からなる第１の中間層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続
    し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するように
    ガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部を排気
    したのち、ガス導入口からアルゴンガスと炭素を含むガ
    スとの混合ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシュは
    接地電位に接続するかあるいは直流電源から直流負電圧
    を印加し、補助電極電源から高周波電圧を補助電極に印
    加してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲にプラ
    ズマを発生させガイドブッシュの内周面に金属シリサイ
    ド被膜からなる第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
    たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
    イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気し
    た後、ガス導入口からシリコンを含むガスを真空槽内に
    導入し、ガイドブッシュに高周波電圧を印加してプラズ
    マを発生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成
    することを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜形
    成方法。
36. 【請求項３６】 ガイドブッシュの開口内に補助電極電
    源に接続し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入す
    るようにガイドブッシュを真空槽の内部に配置し、真空
    槽の内部を排気したのち、ガイドブッシュは接地電位に
    接続するかあるいは直流電源から直流負電圧を印加し、
    ガス導入口からアルゴンガスを真空槽内に導入し、補助
    電極電源から高周波電圧を補助電極に印加してガイドブ
    ッシュの開口内の補助電極の周囲にプラズマを発生させ
    ガイドブッシュの内周面に金属被膜からなる第１の中間
    層を形成し、 その後、ガイドブッシュの開口内に補助電極電源に接続
    し中間層材料からなる金属の補助電極を挿入するように
    ガイドブッシュを真空槽内に配置し、真空槽内部を排気
    したのち、ガス導入口からアルゴンガスとシリコンを含
    むガスとの混合ガスを真空槽内に導入し、ガイドブッシ
    ュは接地電位に接続するかあるいは直流電源から直流負
    電圧を印加し、補助電極電源から高周波電圧を補助電極
    に印加してガイドブッシュの開口内の補助電極の周囲に
    プラズマを発生させガイドブッシュの内周面に金属シリ
    サイド被膜からなる第２の中間層を形成し、 さらにその後、ガイドブッシュの開口内面に接地電位ま
    たは直流正電圧に接続する補助電極を挿入するようにガ
    イドブッシュを真空槽の中に配置し、真空槽内を排気し
    た後、ガス導入口からシリコンを含むガスを真空槽内に
    導入し、ガイドブッシュに直流電圧を印加してプラズマ
    を発生させてガイドブッシュに硬質カーボン膜を形成す
    ることを特徴とするガイドブッシュ内周面への被膜形成
    方法。