JPH0931655A - 硬質カーボン膜の形成方法 - Google Patents
硬質カーボン膜の形成方法Info
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- JPH0931655A JPH0931655A JP17841995A JP17841995A JPH0931655A JP H0931655 A JPH0931655 A JP H0931655A JP 17841995 A JP17841995 A JP 17841995A JP 17841995 A JP17841995 A JP 17841995A JP H0931655 A JPH0931655 A JP H0931655A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 試料１１の開口内面に直流正電位に接続する
補助電極２３を挿入するように試料を真空槽１３内に配
置し、真空槽内を排気後、ガス導入口１５から炭素を含
むガスを真空槽内に導入し、試料に直流電圧を印加しア
ノード３１に直流電圧を印加しフィラメント３３に交流
電圧を印加してプラズマを発生させて試料に硬質カーボ
ン膜を形成する。 【効果】 開口内面で同電位同士が対向することがなく
なり、異常放電であるホロー放電は発生しない。そのた
め、密着の良好な硬質カーボン膜を試料に形成すること
ができる。開口内面に形成する硬質カーボン膜の膜厚分
布の発生がなく、開口端面と開口中側とで均一な膜厚を
形成することができるという効果ももつ。さらに硬質カ
ーボン膜の膜形成速度は、補助電極に直流正電圧を印加
しないときに比らべて高くなる。
補助電極２３を挿入するように試料を真空槽１３内に配
置し、真空槽内を排気後、ガス導入口１５から炭素を含
むガスを真空槽内に導入し、試料に直流電圧を印加しア
ノード３１に直流電圧を印加しフィラメント３３に交流
電圧を印加してプラズマを発生させて試料に硬質カーボ
ン膜を形成する。 【効果】 開口内面で同電位同士が対向することがなく
なり、異常放電であるホロー放電は発生しない。そのた
め、密着の良好な硬質カーボン膜を試料に形成すること
ができる。開口内面に形成する硬質カーボン膜の膜厚分
布の発生がなく、開口端面と開口中側とで均一な膜厚を
形成することができるという効果ももつ。さらに硬質カ
ーボン膜の膜形成速度は、補助電極に直流正電圧を印加
しないときに比らべて高くなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は硬質カーボン膜の形成方
法に関し、とくに開口部を有する試料に硬質カーボン膜
を形成する方法に関する。
法に関し、とくに開口部を有する試料に硬質カーボン膜
を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】硬質カーボン膜は黒色を有し、ダイヤモ
ンドによく似た性質をもつ。すなわち硬質カーボン膜
は、高い機械的硬度や低い摩擦係数や良好な電気的絶縁
性や高い熱伝導率や高い耐腐食性をもつ。そのため装飾
品や医療機器や磁気ヘッドや工具などに硬質カーボン膜
を被覆することが提案されている。
ンドによく似た性質をもつ。すなわち硬質カーボン膜
は、高い機械的硬度や低い摩擦係数や良好な電気的絶縁
性や高い熱伝導率や高い耐腐食性をもつ。そのため装飾
品や医療機器や磁気ヘッドや工具などに硬質カーボン膜
を被覆することが提案されている。
【０００３】プラスマ化学気相成長法を用いた従来技術
における硬質カーボン膜の形成方法を、図４を用いて説
明する。図４は従来技術における硬質カーボン膜の形成
方法を示す断面図である。
における硬質カーボン膜の形成方法を、図４を用いて説
明する。図４は従来技術における硬質カーボン膜の形成
方法を示す断面図である。
【０００４】図４に示すように、ガス導入口１５と排気
口１７とを有する真空槽１３内に、硬質カーボン膜を形
成する試料１１を配置する。
口１７とを有する真空槽１３内に、硬質カーボン膜を形
成する試料１１を配置する。
【０００５】そして排気口１７から真空槽１３内を真空
排気後、この試料１１には、直流電源２５から直流電圧
を印加する。さらにアノード３１にはアノード電源２７
から直流電圧を印加し、さらにフィラメント３３にはフ
ィラメント電源２９から交流電圧を印加する。
排気後、この試料１１には、直流電源２５から直流電圧
を印加する。さらにアノード３１にはアノード電源２７
から直流電圧を印加し、さらにフィラメント３３にはフ
ィラメント電源２９から交流電圧を印加する。
【０００６】その後、ガス導入口１５から炭素を含むガ
スを真空槽１３内に導入し、真空槽１３内にプラズマを
発生させて、試料１１に硬質カーボン膜を形成してい
る。
スを真空槽１３内に導入し、真空槽１３内にプラズマを
発生させて、試料１１に硬質カーボン膜を形成してい
る。
【０００７】この図４に示す硬質カーボン膜の被膜形成
方法においては、試料１１に印加する直流電圧により発
生するプラズマと、交流電圧を印加するフィラメント３
３と直流電圧を印加するアノード３１で発生するプラズ
マとが発生する。
方法においては、試料１１に印加する直流電圧により発
生するプラズマと、交流電圧を印加するフィラメント３
３と直流電圧を印加するアノード３１で発生するプラズ
マとが発生する。
【０００８】そして硬質カーボン膜を形成するときの真
空槽１３内の圧力により、試料１１周囲のプラズマか、
フィラメント３３とアノード３１近傍のプラズマかが主
になって、硬質カーボン膜を形成している。
空槽１３内の圧力により、試料１１周囲のプラズマか、
フィラメント３３とアノード３１近傍のプラズマかが主
になって、硬質カーボン膜を形成している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図４を用いて説明した
硬質カーボン膜の形成方法においては、真空槽１３内の
圧力が３×１０-3ｔｏｒｒ以上のときは、試料１１の周
囲に発生するプラズマが主になって、炭素を含むガスを
分解して硬質カーボン膜を形成する。
硬質カーボン膜の形成方法においては、真空槽１３内の
圧力が３×１０-3ｔｏｒｒ以上のときは、試料１１の周
囲に発生するプラズマが主になって、炭素を含むガスを
分解して硬質カーボン膜を形成する。
【００１０】このとき試料１１の外周部には硬質カーボ
ン膜を均一性よく形成することができるが、試料１１の
開口内面に形成する硬質カーボン膜は密着性が悪く、さ
らに硬度などの膜質が劣る。
ン膜を均一性よく形成することができるが、試料１１の
開口内面に形成する硬質カーボン膜は密着性が悪く、さ
らに硬度などの膜質が劣る。
【００１１】これは、試料１１には同じ電圧が印加され
ており、開口内面は同電位の電極どうしが対向している
空間となり、その開口内面でのプラズマはホロー放電と
呼ばれる異常放電を発生する。
ており、開口内面は同電位の電極どうしが対向している
空間となり、その開口内面でのプラズマはホロー放電と
呼ばれる異常放電を発生する。
【００１２】このホロー放電によって形成される硬質カ
ーボン膜は、ポリマーライクな密着性の悪い被膜であ
り、試料１１から剥離しやすく、その硬度も低い。
ーボン膜は、ポリマーライクな密着性の悪い被膜であ
り、試料１１から剥離しやすく、その硬度も低い。
【００１３】これに対して真空槽１３内の圧力が３×１
０-3ｔｏｒｒより低いときは、試料１１周囲のプラズマ
より、硬質カーボン膜の形成はフィラメント３３とアノ
ード３１近傍に発生するプラズマがおもに寄与する。
０-3ｔｏｒｒより低いときは、試料１１周囲のプラズマ
より、硬質カーボン膜の形成はフィラメント３３とアノ
ード３１近傍に発生するプラズマがおもに寄与する。
【００１４】このとき試料１１の外周部には硬質カーボ
ン膜を均一性よく形成することができるが、試料１１の
開口内面に形成する硬質カーボン膜は試料１１の長手方
向で膜厚を均一に形成することができない。
ン膜を均一性よく形成することができるが、試料１１の
開口内面に形成する硬質カーボン膜は試料１１の長手方
向で膜厚を均一に形成することができない。
【００１５】ここで、フィラメント３３とアノード３１
近傍に発生するプラズマでイオン化された炭素イオン
は、試料１１に印加する直流負電位に引っ張られて堆積
し、試料１１に硬質カーボン膜の被膜形成を行ってい
る。
近傍に発生するプラズマでイオン化された炭素イオン
は、試料１１に印加する直流負電位に引っ張られて堆積
し、試料１１に硬質カーボン膜の被膜形成を行ってい
る。
【００１６】前述の真空槽１３内の圧力が３×１０-3ｔ
ｏｒｒより高いときは、硬質カーボン膜が化学気相成長
的に形成されるのに対して、圧力が３×１０-3ｔｏｒｒ
より低いときは、硬質カーボン膜が物理気相成長的に形
成される。
ｏｒｒより高いときは、硬質カーボン膜が化学気相成長
的に形成されるのに対して、圧力が３×１０-3ｔｏｒｒ
より低いときは、硬質カーボン膜が物理気相成長的に形
成される。
【００１７】このためにフィラメント３３とアノード３
１近傍に発生するプラズマがおもに寄与する硬質カーボ
ン膜形成のときは、真空蒸着法などの物理気相成長法と
同様に、試料１１の開口内面には開口端面から開口奥側
に向かう従って、硬質カーボン膜の膜厚が薄くなる。こ
の結果、試料１１の開口内面に形成する硬質カーボン膜
は試料１１の長手方向で膜厚を均一に形成することがで
きない。
１近傍に発生するプラズマがおもに寄与する硬質カーボ
ン膜形成のときは、真空蒸着法などの物理気相成長法と
同様に、試料１１の開口内面には開口端面から開口奥側
に向かう従って、硬質カーボン膜の膜厚が薄くなる。こ
の結果、試料１１の開口内面に形成する硬質カーボン膜
は試料１１の長手方向で膜厚を均一に形成することがで
きない。
【００１８】本発明の目的は、上記課題を解決して、開
口内面に密着性よくしかも均一な膜厚で硬質カーボン膜
を形成することが可能な硬質カーボン膜の形成方法を提
供することである。
口内面に密着性よくしかも均一な膜厚で硬質カーボン膜
を形成することが可能な硬質カーボン膜の形成方法を提
供することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の硬質カーボン膜の形成方法においては、下記
記載の手段を採用する。
に本発明の硬質カーボン膜の形成方法においては、下記
記載の手段を採用する。
【００２０】本発明の硬質カーボン膜の形成方法は、試
料の開口内面に直流正電圧を印加する補助電極電源に接
続する補助電極を挿入するように試料を真空槽内に配置
し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガス
を真空槽内に導入し、試料に直流電圧を印加しアノード
に直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を印加して
プラズマを発生させて試料に硬質カーボン膜を形成する
ことを特徴とする。
料の開口内面に直流正電圧を印加する補助電極電源に接
続する補助電極を挿入するように試料を真空槽内に配置
し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガス
を真空槽内に導入し、試料に直流電圧を印加しアノード
に直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を印加して
プラズマを発生させて試料に硬質カーボン膜を形成する
ことを特徴とする。
【００２１】本発明の硬質カーボン膜の形成方法は、中
間層を形成した試料の開口内面に直流正電圧を印加する
補助電極電源に接続する補助電極を挿入するように試料
を真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口か
ら炭素を含むガスを真空槽内に導入し、試料に直流電圧
を印加しアノードに直流電圧を印加しフィラメントに交
流電圧を印加してプラズマを発生させて試料に硬質カー
ボン膜を形成することを特徴とする。
間層を形成した試料の開口内面に直流正電圧を印加する
補助電極電源に接続する補助電極を挿入するように試料
を真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口か
ら炭素を含むガスを真空槽内に導入し、試料に直流電圧
を印加しアノードに直流電圧を印加しフィラメントに交
流電圧を印加してプラズマを発生させて試料に硬質カー
ボン膜を形成することを特徴とする。
【００２２】本発明の硬質カーボン膜の形成方法は、試
料の開口内面に直流正電圧を印加する補助電極電源に接
続する補助電極を挿入するように試料を真空槽内に配置
し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガス
を真空槽内に導入し、試料に高周波電圧を印加し、プラ
ズマを発生させて試料に硬質カーボン膜を形成すること
を特徴とする。
料の開口内面に直流正電圧を印加する補助電極電源に接
続する補助電極を挿入するように試料を真空槽内に配置
し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガス
を真空槽内に導入し、試料に高周波電圧を印加し、プラ
ズマを発生させて試料に硬質カーボン膜を形成すること
を特徴とする。
【００２３】本発明の硬質カーボン膜の形成方法は、中
間層を形成した試料の開口内面に直流正電圧を印加する
補助電極電源に接続する補助電極を挿入するように試料
を真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口か
ら炭素を含むガスを真空槽内に導入し、試料に高周波電
圧を印加し、プラズマを発生させて試料に硬質カーボン
膜を形成することを特徴とする。
間層を形成した試料の開口内面に直流正電圧を印加する
補助電極電源に接続する補助電極を挿入するように試料
を真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口か
ら炭素を含むガスを真空槽内に導入し、試料に高周波電
圧を印加し、プラズマを発生させて試料に硬質カーボン
膜を形成することを特徴とする。
【００２４】本発明の硬質カーボン膜の形成方法は、試
料の開口内面に直流正電圧を印加する補助電極電源に接
続する補助電極を挿入するように試料を真空槽内に配置
し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガス
を真空槽内に導入し、試料に直流電圧を印加し、プラズ
マを発生させて試料に硬質カーボン膜を形成することを
特徴とする。
料の開口内面に直流正電圧を印加する補助電極電源に接
続する補助電極を挿入するように試料を真空槽内に配置
し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガス
を真空槽内に導入し、試料に直流電圧を印加し、プラズ
マを発生させて試料に硬質カーボン膜を形成することを
特徴とする。
【００２５】本発明の硬質カーボン膜の形成方法は、中
間層を形成した試料の開口内面に直流正電圧を印加する
補助電極電源に接続する補助電極を挿入するように試料
を真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口か
ら炭素を含むガスを真空槽内に導入し、試料に直流電圧
を印加し、プラズマを発生させて試料に硬質カーボン膜
を形成することを特徴とする。
間層を形成した試料の開口内面に直流正電圧を印加する
補助電極電源に接続する補助電極を挿入するように試料
を真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口か
ら炭素を含むガスを真空槽内に導入し、試料に直流電圧
を印加し、プラズマを発生させて試料に硬質カーボン膜
を形成することを特徴とする。
【００２６】本発明の硬質カーボン膜の形成方法は、試
料の開口内面に直流正電圧を印加する補助電極電源に接
続する補助電極を挿入するように試料を真空槽内に配置
し、この真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含む
ガスを真空槽内に導入し、試料に直流電圧を印加しアノ
ードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を印加
してプラズマを発生させて試料の外周部を被覆して開口
内面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。
料の開口内面に直流正電圧を印加する補助電極電源に接
続する補助電極を挿入するように試料を真空槽内に配置
し、この真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含む
ガスを真空槽内に導入し、試料に直流電圧を印加しアノ
ードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を印加
してプラズマを発生させて試料の外周部を被覆して開口
内面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。
【００２７】本発明の硬質カーボン膜の形成方法は、中
間層を形成した試料の開口内面に直流正電圧を印加する
補助電極電源に接続する補助電極を挿入するように試料
を真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口か
ら炭素を含むガスを真空槽内に導入し、試料に直流電圧
を印加しアノードに直流電圧を印加しフィラメントに交
流電圧を印加してプラズマを発生させて試料の外周部を
被覆して開口内面に硬質カーボン膜を形成することを特
徴とする。
間層を形成した試料の開口内面に直流正電圧を印加する
補助電極電源に接続する補助電極を挿入するように試料
を真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口か
ら炭素を含むガスを真空槽内に導入し、試料に直流電圧
を印加しアノードに直流電圧を印加しフィラメントに交
流電圧を印加してプラズマを発生させて試料の外周部を
被覆して開口内面に硬質カーボン膜を形成することを特
徴とする。
【００２８】本発明の硬質カーボン膜の形成方法は、試
料の開口内面に直流正電圧を印加する補助電極電源に接
続する補助電極を挿入するように試料を真空槽内に配置
し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガス
を真空槽内に導入し、試料に高周波電圧を印加し、プラ
ズマを発生させて試料の外周部を被覆して開口内面に硬
質カーボン膜を形成することを特徴とする。
料の開口内面に直流正電圧を印加する補助電極電源に接
続する補助電極を挿入するように試料を真空槽内に配置
し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガス
を真空槽内に導入し、試料に高周波電圧を印加し、プラ
ズマを発生させて試料の外周部を被覆して開口内面に硬
質カーボン膜を形成することを特徴とする。
【００２９】本発明の硬質カーボン膜の形成方法は、中
間層を形成した試料の開口内面に直流正電圧を印加する
補助電極電源に接続する補助電極を挿入するように試料
を真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口か
ら炭素を含むガスを真空槽内に導入し、試料に高周波電
圧を印加し、プラズマを発生させて試料の外周部を被覆
して開口内面に硬質カーボン膜を形成することを特徴と
する。
間層を形成した試料の開口内面に直流正電圧を印加する
補助電極電源に接続する補助電極を挿入するように試料
を真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口か
ら炭素を含むガスを真空槽内に導入し、試料に高周波電
圧を印加し、プラズマを発生させて試料の外周部を被覆
して開口内面に硬質カーボン膜を形成することを特徴と
する。
【００３０】本発明の硬質カーボン膜の形成方法は、試
料の開口内面に直流正電圧を印加する補助電極電源に接
続する補助電極を挿入するように試料を真空槽内に配置
し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガス
を真空槽内に導入し、試料に直流電圧を印加し、プラズ
マを発生させて試料の外周部を被覆して開口内面に硬質
カーボン膜を形成することを特徴とする。
料の開口内面に直流正電圧を印加する補助電極電源に接
続する補助電極を挿入するように試料を真空槽内に配置
し、真空槽内を排気後、ガス導入口から炭素を含むガス
を真空槽内に導入し、試料に直流電圧を印加し、プラズ
マを発生させて試料の外周部を被覆して開口内面に硬質
カーボン膜を形成することを特徴とする。
【００３１】本発明の硬質カーボン膜の形成方法は、中
間層を形成した試料の開口内面に直流正電圧を印加する
補助電極電源に接続する補助電極を挿入するように試料
を真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口か
ら炭素を含むガスを真空槽内に導入し、試料に直流電圧
を印加し、プラズマを発生させて試料の外周部を被覆し
て開口内面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る。
間層を形成した試料の開口内面に直流正電圧を印加する
補助電極電源に接続する補助電極を挿入するように試料
を真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口か
ら炭素を含むガスを真空槽内に導入し、試料に直流電圧
を印加し、プラズマを発生させて試料の外周部を被覆し
て開口内面に硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る。
【００３２】
【作用】本発明の硬質カーボン膜の形成方法において
は、試料の開口内面の開口の中央部に、直流正電圧を印
加する補助電極電源に接続する補助電極を配置して硬質
カーボン膜を形成する。そして硬質カーボン膜を形成す
る試料には、負の直流電圧あるいは高周波電圧を印加す
る。
は、試料の開口内面の開口の中央部に、直流正電圧を印
加する補助電極電源に接続する補助電極を配置して硬質
カーボン膜を形成する。そして硬質カーボン膜を形成す
る試料には、負の直流電圧あるいは高周波電圧を印加す
る。
【００３３】その結果、同電位の電極どうしが対向して
いる開口内面に、直流正電圧を印加する補助電極電源に
接続する補助電極を設けることとなり、同電位同士が対
向することがなくなる。
いる開口内面に、直流正電圧を印加する補助電極電源に
接続する補助電極を設けることとなり、同電位同士が対
向することがなくなる。
【００３４】このような電位状態は、プラスマ化学気相
成長法にとってもっとも望ましい状態であり、異常放電
であるホロー放電は発生しない。そのため、密着性の良
好な硬質カーボン膜を試料に形成することができる。
成長法にとってもっとも望ましい状態であり、異常放電
であるホロー放電は発生しない。そのため、密着性の良
好な硬質カーボン膜を試料に形成することができる。
【００３５】さらに本発明の硬質カーボン膜の形成方法
においては、直流正電圧を印加する補助電極を試料の開
口内面に配置しており、試料の長手方向の開口内面で電
位特性が均一になる。
においては、直流正電圧を印加する補助電極を試料の開
口内面に配置しており、試料の長手方向の開口内面で電
位特性が均一になる。
【００３６】この結果、開口内面に形成する硬質カーボ
ン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開口奥側とで
均一な膜厚を形成することができるという効果ももつ。
ン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開口奥側とで
均一な膜厚を形成することができるという効果ももつ。
【００３７】さらにまた本発明の硬質カーボン膜の形成
方法においては、試料の開口内面の中央部に設ける補助
電極に、補助電極電源からの直流の正電圧を印加して硬
質カーボン膜を形成している。このため直流正電圧を印
加する補助電極の周囲領域に電子を集める効果が生じ、
この補助電極の周囲領域は電子密度が高くなる。
方法においては、試料の開口内面の中央部に設ける補助
電極に、補助電極電源からの直流の正電圧を印加して硬
質カーボン膜を形成している。このため直流正電圧を印
加する補助電極の周囲領域に電子を集める効果が生じ、
この補助電極の周囲領域は電子密度が高くなる。
【００３８】このように電子密度が高くなると、必然的
に炭素を含むガス分子と電子との衝突確率が増え、ガス
分子のイオン化が促進されて、その補助電極の周囲領域
のプラズマ強度が高くなる。
に炭素を含むガス分子と電子との衝突確率が増え、ガス
分子のイオン化が促進されて、その補助電極の周囲領域
のプラズマ強度が高くなる。
【００３９】このため補助電極に直流の正電圧を印加す
る本発明の硬質カーボン膜の形成方法においては、硬質
カーボン膜の膜形成速度は、補助電極に直流の正電圧を
印加しないときと比らべて高くなる。
る本発明の硬質カーボン膜の形成方法においては、硬質
カーボン膜の膜形成速度は、補助電極に直流の正電圧を
印加しないときと比らべて高くなる。
【００４０】さらに試料の開口大きさが小さくなり、開
口内面と補助電極との隙間が小さくなると、補助電極に
直流の正電圧を印加しないで硬質カーボン膜を形成する
と、開口内面にはプラズマが発生せず、被膜形成ができ
ない。
口内面と補助電極との隙間が小さくなると、補助電極に
直流の正電圧を印加しないで硬質カーボン膜を形成する
と、開口内面にはプラズマが発生せず、被膜形成ができ
ない。
【００４１】これに対して本発明の硬質カーボン膜の形
成方法においては、開口内面に配置する補助電極に補助
電極電源からの直流正電圧を印加して電子を強制的に補
助電極の周囲領域の開口内面に集めているので、補助電
極の周囲にプラズマを発生させることができる。
成方法においては、開口内面に配置する補助電極に補助
電極電源からの直流正電圧を印加して電子を強制的に補
助電極の周囲領域の開口内面に集めているので、補助電
極の周囲にプラズマを発生させることができる。
【００４２】したがって、直流の正電圧を印加しない補
助電極を用いた硬質カーボン膜の形成では被膜形成がで
きない開口大きさが小さい試料にも、直流正電圧を印加
した補助電極を用いる本発明の硬質カーボン膜の形成方
法を適用すれば被膜形成が可能となる。
助電極を用いた硬質カーボン膜の形成では被膜形成がで
きない開口大きさが小さい試料にも、直流正電圧を印加
した補助電極を用いる本発明の硬質カーボン膜の形成方
法を適用すれば被膜形成が可能となる。
【００４３】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例における
硬質カーボン膜の形成方法を説明する。図１は本発明の
実施例における硬質カーボン膜の形成方法を示す断面図
である。
硬質カーボン膜の形成方法を説明する。図１は本発明の
実施例における硬質カーボン膜の形成方法を示す断面図
である。
【００４４】図１に示すように、ガス導入口１５と排気
口１７とを有する真空槽１３内に、硬質カーボン膜を形
成する試料１１を配置する。そしてこの試料１１の開口
内面には、直流正電位に接続する補助電極２３を挿入す
るように設ける。このとき補助電極２３が試料１１の開
口中央部になるように配置する。
口１７とを有する真空槽１３内に、硬質カーボン膜を形
成する試料１１を配置する。そしてこの試料１１の開口
内面には、直流正電位に接続する補助電極２３を挿入す
るように設ける。このとき補助電極２３が試料１１の開
口中央部になるように配置する。
【００４５】そして真空槽１３内を真空度が３×１０-5
ｔｏｒｒになるように排気口１７から、図示しない排気
手段によって真空排気する。
ｔｏｒｒになるように排気口１７から、図示しない排気
手段によって真空排気する。
【００４６】その後、ガス導入口１５から炭素を含むガ
スとしてベンゼンを真空槽１３内に導入して、真空槽１
３内の圧力を５×１０-3ｔｏｒｒになるように制御す
る。
スとしてベンゼンを真空槽１３内に導入して、真空槽１
３内の圧力を５×１０-3ｔｏｒｒになるように制御す
る。
【００４７】そして試料１１には直流電源２５から直流
電圧を印加し、さらにアノード３１にはアノード電源２
７から直流電圧を印加し、さらにフィラメント３３には
フィラメント電源２９から交流電圧を印加する。さらに
また補助電極２３には補助電極電源３５から直流の正電
圧を印加する。
電圧を印加し、さらにアノード３１にはアノード電源２
７から直流電圧を印加し、さらにフィラメント３３には
フィラメント電源２９から交流電圧を印加する。さらに
また補助電極２３には補助電極電源３５から直流の正電
圧を印加する。
【００４８】このとき、補助電極２３には補助電極電源
３５から直流のプラス２０Ｖを印加する。さらに直流電
源２５から試料１１に印加する直流電圧はマイナス３ｋ
Ｖを印加し、さらにアノード電源２７からアノード３１
に印加する直流電圧はプラス１０Ｖを印加する。さらに
またフィラメント電源２９からフィラメント３３に印加
する電圧は３０Ａの電流が流れるように１０Ｖの交流電
圧を印加する。
３５から直流のプラス２０Ｖを印加する。さらに直流電
源２５から試料１１に印加する直流電圧はマイナス３ｋ
Ｖを印加し、さらにアノード電源２７からアノード３１
に印加する直流電圧はプラス１０Ｖを印加する。さらに
またフィラメント電源２９からフィラメント３３に印加
する電圧は３０Ａの電流が流れるように１０Ｖの交流電
圧を印加する。
【００４９】真空槽１３内の試料１１の周囲領域にプラ
ズマを発生させて、試料１１に硬質カーボン膜を形成し
ている。
ズマを発生させて、試料１１に硬質カーボン膜を形成し
ている。
【００５０】このときの補助電極電源３５を用いて補助
電極２３に印加する直流正電圧と、試料開口内面に形成
する硬質カーボン膜厚との関係を、図５のグラフに示
す。
電極２３に印加する直流正電圧と、試料開口内面に形成
する硬質カーボン膜厚との関係を、図５のグラフに示
す。
【００５１】図５のグラフにおいては、補助電極２３に
印加する直流の正電圧をゼロＶから３０Ｖまで変化さ
せ、さらに試料１１の開口内面と補助電極２３との間の
隙間寸法が３ｍｍと５ｍｍのときの硬質カーボン膜の膜
厚を示す。なお曲線５１が試料１１の開口内面と補助電
極２３との間の隙間が３ｍｍのときの特性を示し、曲線
５３が試料１１の開口内面と補助電極２３との間の隙間
が５ｍｍのときの特性を示す。
印加する直流の正電圧をゼロＶから３０Ｖまで変化さ
せ、さらに試料１１の開口内面と補助電極２３との間の
隙間寸法が３ｍｍと５ｍｍのときの硬質カーボン膜の膜
厚を示す。なお曲線５１が試料１１の開口内面と補助電
極２３との間の隙間が３ｍｍのときの特性を示し、曲線
５３が試料１１の開口内面と補助電極２３との間の隙間
が５ｍｍのときの特性を示す。
【００５２】図５の曲線５１、５３に示すように、補助
電極電源３５から補助電極２３に印加する直流正電圧を
増加させると、硬質カーボン膜の膜形成速度は向上す
る。さらにまた試料１１の開口内面と補助電極２３との
間の隙間寸法が大きいほど、硬質カーボン膜の膜形成速
度は向上している。
電極電源３５から補助電極２３に印加する直流正電圧を
増加させると、硬質カーボン膜の膜形成速度は向上す
る。さらにまた試料１１の開口内面と補助電極２３との
間の隙間寸法が大きいほど、硬質カーボン膜の膜形成速
度は向上している。
【００５３】そして曲線５１、すなわち試料１１の開口
内面と補助電極２３との間の隙間寸法が３ｍｍのとき
は、補助電極２３に印加する電位がゼロＶの接地電圧で
は、試料２３開口内面にプラズマが発生せず、硬質カー
ボン膜は形成できない。
内面と補助電極２３との間の隙間寸法が３ｍｍのとき
は、補助電極２３に印加する電位がゼロＶの接地電圧で
は、試料２３開口内面にプラズマが発生せず、硬質カー
ボン膜は形成できない。
【００５４】しかし試料１１の開口内面と補助電極２３
との間の隙間が３ｍｍのときでも、補助電極２３に印加
する補助電極電源３５からの直流正電圧を高くしていく
と、補助電極２３周囲の開口内面にプラズマが発生し、
硬質カーボン膜を形成することができる。
との間の隙間が３ｍｍのときでも、補助電極２３に印加
する補助電極電源３５からの直流正電圧を高くしていく
と、補助電極２３周囲の開口内面にプラズマが発生し、
硬質カーボン膜を形成することができる。
【００５５】この図１に示す硬質カーボン膜の被膜形成
方法においては、試料１１の開口内面に挿入するように
配置し、直流の正電圧を印加する補助電極２３によっ
て、試料１１の外周部だけでなく、試料１１開口内面に
もプラズマを形成することができる。
方法においては、試料１１の開口内面に挿入するように
配置し、直流の正電圧を印加する補助電極２３によっ
て、試料１１の外周部だけでなく、試料１１開口内面に
もプラズマを形成することができる。
【００５６】この試料１１の開口内面に挿入する補助電
極２３により、異常放電であるホロー放電の発生はな
く、硬質カーボン膜の密着性が向上する。
極２３により、異常放電であるホロー放電の発生はな
く、硬質カーボン膜の密着性が向上する。
【００５７】さらに試料１１の長手方向の開口内面で、
その電位特性が均一になり、開口内面に形成する硬質カ
ーボン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開口奥側
とで均一な膜厚を形成することができる。
その電位特性が均一になり、開口内面に形成する硬質カ
ーボン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開口奥側
とで均一な膜厚を形成することができる。
【００５８】さらにまた本発明の硬質カーボン膜の形成
方法においては、試料１１の開口内面の中央部に設ける
補助電極２３に、補助電極電源３５からの直流の正電圧
を印加して硬質カーボン膜を形成している。このため直
流正電圧を印加する補助電極２３の周囲領域に電子を集
める効果が生じ、この補助電極２３の周囲領域は電子密
度が高くなる。
方法においては、試料１１の開口内面の中央部に設ける
補助電極２３に、補助電極電源３５からの直流の正電圧
を印加して硬質カーボン膜を形成している。このため直
流正電圧を印加する補助電極２３の周囲領域に電子を集
める効果が生じ、この補助電極２３の周囲領域は電子密
度が高くなる。
【００５９】このように電子密度が高くなると、必然的
に炭素を含むガス分子と電子との衝突確率が増え、ガス
分子のイオン化が促進されて、試料１１の開口内面領域
のプラズマ強度が高くなる。
に炭素を含むガス分子と電子との衝突確率が増え、ガス
分子のイオン化が促進されて、試料１１の開口内面領域
のプラズマ強度が高くなる。
【００６０】このため補助電極２３に直流の正電圧を印
加する本発明の硬質カーボン膜の形成方法においては、
硬質カーボン膜の膜形成速度は、補助電極２３に直流の
正電圧を印加しないときと比らべて高くなる。
加する本発明の硬質カーボン膜の形成方法においては、
硬質カーボン膜の膜形成速度は、補助電極２３に直流の
正電圧を印加しないときと比らべて高くなる。
【００６１】さらに試料１１の開口大きさが小さくな
り、開口内面と補助電極２３との隙間が小さくなると、
補助電極２３に直流の正電圧を印加しないで硬質カーボ
ン膜を形成すると、開口内面にはプラズマが発生せず、
膜形成ができない。
り、開口内面と補助電極２３との隙間が小さくなると、
補助電極２３に直流の正電圧を印加しないで硬質カーボ
ン膜を形成すると、開口内面にはプラズマが発生せず、
膜形成ができない。
【００６２】これに対して本発明の硬質カーボン膜の被
膜形成方法においては、試料１１開口内面に配置する補
助電極２３に補助電極電源３５からの直流正電圧を印加
しているので、電子を強制的に補助電極２３の周囲領域
の開口内面に集めて、補助電極２３周囲にプラズマを発
生させることができる。
膜形成方法においては、試料１１開口内面に配置する補
助電極２３に補助電極電源３５からの直流正電圧を印加
しているので、電子を強制的に補助電極２３の周囲領域
の開口内面に集めて、補助電極２３周囲にプラズマを発
生させることができる。
【００６３】したがって、直流の正電圧を印加しない補
助電極を用いた硬質カーボン膜の形成では被膜形成がで
きない開口大きさが小さい試料にも、補助電極電源３５
からの直流正電圧を印加した補助電極を用いる本発明の
硬質カーボン膜の形成方法を適用すれば被膜形成が可能
となる。
助電極を用いた硬質カーボン膜の形成では被膜形成がで
きない開口大きさが小さい試料にも、補助電極電源３５
からの直流正電圧を印加した補助電極を用いる本発明の
硬質カーボン膜の形成方法を適用すれば被膜形成が可能
となる。
【００６４】この補助電極２３は、試料１１の開口大き
さより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程度の隙間、
すなわちプラズマ形成領域を設けるようにする。そして
この補助電極２３は、ステンレスのような金属材料で形
成すればよい。
さより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程度の隙間、
すなわちプラズマ形成領域を設けるようにする。そして
この補助電極２３は、ステンレスのような金属材料で形
成すればよい。
【００６５】さらに補助電極２３の断面形状は円形と
し、試料１１に補助電極２３を挿入したとき開口長さと
ほぼ同じにするか、あるいは試料より補助電極２３を突
出するように構成する。
し、試料１１に補助電極２３を挿入したとき開口長さと
ほぼ同じにするか、あるいは試料より補助電極２３を突
出するように構成する。
【００６６】ここで補助電極２３の断面形状は、試料１
１の開口の断面形状に合わせてもよい。すなわち試料１
１開口の断面形状が四角形であれば補助電極２３の断面
形状は四角形とし、試料１１開口の断面形状が円形であ
れば補助電極２３の断面形状は円形とする。
１の開口の断面形状に合わせてもよい。すなわち試料１
１開口の断面形状が四角形であれば補助電極２３の断面
形状は四角形とし、試料１１開口の断面形状が円形であ
れば補助電極２３の断面形状は円形とする。
【００６７】つぎに以上の説明と異なる実施例における
硬質カーボン膜の形成方法を説明する。図２は本発明の
実施例における硬質カーボン膜の形成方法を示す断面図
である。
硬質カーボン膜の形成方法を説明する。図２は本発明の
実施例における硬質カーボン膜の形成方法を示す断面図
である。
【００６８】図２に示すように、ガス導入口１５と排気
口１７とを有する真空槽１３内に、硬質カーボン膜を形
成する試料１１を配置する。
口１７とを有する真空槽１３内に、硬質カーボン膜を形
成する試料１１を配置する。
【００６９】そして排気口１７から真空槽１３内を図示
しない排気手段により真空排気後、ガス導入口１５から
炭素を含むガスとしてメタンガスを真空槽１３内に導入
し、真空度を０．１ｔｏｒｒになるように調整する。
しない排気手段により真空排気後、ガス導入口１５から
炭素を含むガスとしてメタンガスを真空槽１３内に導入
し、真空度を０．１ｔｏｒｒになるように調整する。
【００７０】そして試料１１には、マッチング回路１９
を介して１３．５６ＭＨｚの発振周波数を有する高周波
電源２１から高周波電圧を印加する。
を介して１３．５６ＭＨｚの発振周波数を有する高周波
電源２１から高周波電圧を印加する。
【００７１】さらに試料１１の開口内面で、しかも開口
中央部には、補助電極電源３５から印加する直流正電圧
を接続する補助電極２３を挿入するように配置して、プ
ラズマを発生させる。
中央部には、補助電極電源３５から印加する直流正電圧
を接続する補助電極２３を挿入するように配置して、プ
ラズマを発生させる。
【００７２】このときプラズマは、試料１１の外周部だ
けでなく、試料１１の開口内面にもプラズマは発生して
いるので、試料１１の開口内面にも硬質カーボン膜を形
成することができる。そして硬質カーボン膜は、外周部
と開口内面とではその膜質に差は発生していない。
けでなく、試料１１の開口内面にもプラズマは発生して
いるので、試料１１の開口内面にも硬質カーボン膜を形
成することができる。そして硬質カーボン膜は、外周部
と開口内面とではその膜質に差は発生していない。
【００７３】このときの補助電極電源３５を用いて補助
電極２３に印加する直流正電圧と、試料１１開口内面に
形成する硬質カーボン膜の膜厚との関係を、図６のグラ
フに示す。
電極２３に印加する直流正電圧と、試料１１開口内面に
形成する硬質カーボン膜の膜厚との関係を、図６のグラ
フに示す。
【００７４】図６のグラフにおいては、補助電極電源３
５を用いて補助電極２３に印加する直流の正電圧をゼロ
Ｖから３０Ｖまで変化させ、さらに試料１１の開口内面
と補助電極２３との間の隙間寸法が３ｍｍと５ｍｍのと
きの硬質カーボン膜の膜厚を示す。なお曲線５５が試料
１１の開口内面と補助電極２３との間の隙間が３ｍｍの
ときの特性を示し、曲線５７が試料１１の開口内面と補
助電極２３との間の隙間が５ｍｍのときの特性を示す。
５を用いて補助電極２３に印加する直流の正電圧をゼロ
Ｖから３０Ｖまで変化させ、さらに試料１１の開口内面
と補助電極２３との間の隙間寸法が３ｍｍと５ｍｍのと
きの硬質カーボン膜の膜厚を示す。なお曲線５５が試料
１１の開口内面と補助電極２３との間の隙間が３ｍｍの
ときの特性を示し、曲線５７が試料１１の開口内面と補
助電極２３との間の隙間が５ｍｍのときの特性を示す。
【００７５】図６の曲線５５、５７に示すように、補助
電極２３に補助電極電源３５から印加する直流正電圧を
増加させると、硬質カーボン膜の膜形成速度は向上す
る。さらにまた試料１１の開口内面と補助電極２３との
間の隙間寸法が大きいほど、硬質カーボン膜の膜形成速
度は向上している。
電極２３に補助電極電源３５から印加する直流正電圧を
増加させると、硬質カーボン膜の膜形成速度は向上す
る。さらにまた試料１１の開口内面と補助電極２３との
間の隙間寸法が大きいほど、硬質カーボン膜の膜形成速
度は向上している。
【００７６】そして曲線５５、すなわち試料１１の開口
内面と補助電極２３との間の隙間寸法が３ｍｍのとき
は、補助電極２３に印加する電圧がゼロＶの接地電位で
は、試料２３の開口内面にプラズマが発生せず、硬質カ
ーボン膜は形成できない。
内面と補助電極２３との間の隙間寸法が３ｍｍのとき
は、補助電極２３に印加する電圧がゼロＶの接地電位で
は、試料２３の開口内面にプラズマが発生せず、硬質カ
ーボン膜は形成できない。
【００７７】しかしながら試料１１の開口内面と補助電
極２３との間の隙間が３ｍｍのときでも、補助電極電源
３５を用いて補助電極２３に印加する直流正電圧を高く
していくと、補助電極２３周囲の開口内面にプラズマが
発生し、硬質カーボン膜を形成することができる。
極２３との間の隙間が３ｍｍのときでも、補助電極電源
３５を用いて補助電極２３に印加する直流正電圧を高く
していくと、補助電極２３周囲の開口内面にプラズマが
発生し、硬質カーボン膜を形成することができる。
【００７８】この図２に示す硬質カーボン膜の被膜形成
方法においては、試料１１の開口内面に挿入するように
配置し、補助電極電源３５から直流正電圧を印加する補
助電極２３によって、試料１１の外周部だけでなく、試
料１１開口内面にもプラズマを形成することができる。
方法においては、試料１１の開口内面に挿入するように
配置し、補助電極電源３５から直流正電圧を印加する補
助電極２３によって、試料１１の外周部だけでなく、試
料１１開口内面にもプラズマを形成することができる。
【００７９】この試料１１の開口内面に挿入するように
設ける補助電極２３により、異常放電であるホロー放電
の発生はなく、硬質カーボン膜の密着性が向上する。
設ける補助電極２３により、異常放電であるホロー放電
の発生はなく、硬質カーボン膜の密着性が向上する。
【００８０】さらに試料１１の長手方向の開口内面で、
電位特性が均一になり、開口内面に形成する硬質カーボ
ン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開口奥側とで
均一な膜厚を形成することができる。
電位特性が均一になり、開口内面に形成する硬質カーボ
ン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開口奥側とで
均一な膜厚を形成することができる。
【００８１】さらにまた本発明の硬質カーボン膜の形成
方法においては、試料１１の開口内面の中央部に設ける
補助電極２３に、補助電極電源３５からの直流の正電圧
を印加して硬質カーボン膜を形成している。このため直
流正電圧を印加する補助電極２３の周囲領域に電子を集
める効果が生じ、この補助電極２３の周囲領域は電子密
度が高くなる。
方法においては、試料１１の開口内面の中央部に設ける
補助電極２３に、補助電極電源３５からの直流の正電圧
を印加して硬質カーボン膜を形成している。このため直
流正電圧を印加する補助電極２３の周囲領域に電子を集
める効果が生じ、この補助電極２３の周囲領域は電子密
度が高くなる。
【００８２】このように電子密度が高くなると、必然的
に炭素を含むガス分子と電子との衝突確率が増え、ガス
分子のイオン化が促進されて、試料１１の開口内面領域
のプラズマ強度が高くなる。
に炭素を含むガス分子と電子との衝突確率が増え、ガス
分子のイオン化が促進されて、試料１１の開口内面領域
のプラズマ強度が高くなる。
【００８３】このため補助電極２３に直流の正電圧を印
加する本発明の硬質カーボン膜の形成方法においては、
硬質カーボン膜の膜形成速度は、補助電極２３に直流の
正電圧を印加しないときと比らべて高くなる。
加する本発明の硬質カーボン膜の形成方法においては、
硬質カーボン膜の膜形成速度は、補助電極２３に直流の
正電圧を印加しないときと比らべて高くなる。
【００８４】さらに試料１１の開口大きさが小さくな
り、開口内面と補助電極２３との隙間が小さくなると、
補助電極２３に直流の正電圧を印加しないで硬質カーボ
ン膜を形成すると、開口内面にはプラズマが発生せず、
被膜形成ができない。
り、開口内面と補助電極２３との隙間が小さくなると、
補助電極２３に直流の正電圧を印加しないで硬質カーボ
ン膜を形成すると、開口内面にはプラズマが発生せず、
被膜形成ができない。
【００８５】これに対して本発明の硬質カーボン膜の形
成方法においては、試料１１開口内面に配置する補助電
極２３に直流正電圧を印加し、電子を強制的に補助電極
２３の周囲領域の開口内面に集めているので、補助電極
２３周囲にプラズマを発生させることができる。
成方法においては、試料１１開口内面に配置する補助電
極２３に直流正電圧を印加し、電子を強制的に補助電極
２３の周囲領域の開口内面に集めているので、補助電極
２３周囲にプラズマを発生させることができる。
【００８６】したがって直流の正電圧を印加しない補助
電極を用いた硬質カーボン膜の形成では被膜形成ができ
ない開口大きさが小さい試料にも、補助電極電源３５か
らの直流正電圧を印加した補助電極を用いる本発明の硬
質カーボン膜の形成方法を適用すれば被膜形成が可能と
なる。
電極を用いた硬質カーボン膜の形成では被膜形成ができ
ない開口大きさが小さい試料にも、補助電極電源３５か
らの直流正電圧を印加した補助電極を用いる本発明の硬
質カーボン膜の形成方法を適用すれば被膜形成が可能と
なる。
【００８７】この補助電極２３は、試料１１の開口大き
さより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程度の隙間、
すなわちプラズマ形成領域を設けるようにする。そして
この補助電極２３は、ステンレスのような金属材料で形
成すればよい。
さより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程度の隙間、
すなわちプラズマ形成領域を設けるようにする。そして
この補助電極２３は、ステンレスのような金属材料で形
成すればよい。
【００８８】さらに補助電極２３の断面形状は円形と
し、試料１１に補助電極２３を挿入したとき開口長さと
ほぼ同じにするか、あるいは試料より補助電極２３を突
出するように構成する。
し、試料１１に補助電極２３を挿入したとき開口長さと
ほぼ同じにするか、あるいは試料より補助電極２３を突
出するように構成する。
【００８９】ここで補助電極２３の断面形状は、試料１
１の開口の断面形状に合わせてもよい。すなわち試料１
１開口の断面形状が四角形であれば補助電極２３の断面
形状は四角形とし、試料１１開口の断面形状が円形であ
れば補助電極２３の断面形状は円形とする。
１の開口の断面形状に合わせてもよい。すなわち試料１
１開口の断面形状が四角形であれば補助電極２３の断面
形状は四角形とし、試料１１開口の断面形状が円形であ
れば補助電極２３の断面形状は円形とする。
【００９０】つぎに以上の説明と異なる実施例における
硬質カーボン膜の形成方法を説明する。図３は本発明の
実施例における硬質カーボン膜の形成方法を示す断面図
である。
硬質カーボン膜の形成方法を説明する。図３は本発明の
実施例における硬質カーボン膜の形成方法を示す断面図
である。
【００９１】図３に示すように、ガス導入口１５と排気
口１７とを有する真空槽１３内に、硬質カーボン膜を形
成する試料１１を配置する。
口１７とを有する真空槽１３内に、硬質カーボン膜を形
成する試料１１を配置する。
【００９２】そして排気口１７から真空槽１３内を図示
しない排気手段により真空排気後、ガス導入口１５から
炭素を含むガスとしてメタンガスを真空槽１３内に導入
し、真空度を０．１ｔｏｒｒになるように調整する。
しない排気手段により真空排気後、ガス導入口１５から
炭素を含むガスとしてメタンガスを真空槽１３内に導入
し、真空度を０．１ｔｏｒｒになるように調整する。
【００９３】その後、この試料１１には、直流電源２５
からマイナス６００Ｖの直流電圧を印加する。
からマイナス６００Ｖの直流電圧を印加する。
【００９４】さらに試料１１の開口内面で、しかも開口
中央部には、補助電極電源３５から印加する直流正電圧
に接続する補助電極２３を挿入するように配置し、プラ
ズマを発生させる。
中央部には、補助電極電源３５から印加する直流正電圧
に接続する補助電極２３を挿入するように配置し、プラ
ズマを発生させる。
【００９５】このときプラズマは、試料１１の外周部だ
けでなく、試料１１の開口内面にもプラズマは発生して
いるので、試料１１の開口内面にも硬質カーボン膜を形
成することができる。そして硬質カーボン膜は、外周部
と開口内面とではその膜質に差は発生していない。
けでなく、試料１１の開口内面にもプラズマは発生して
いるので、試料１１の開口内面にも硬質カーボン膜を形
成することができる。そして硬質カーボン膜は、外周部
と開口内面とではその膜質に差は発生していない。
【００９６】このときの補助電極電源３５を用いて補助
電極２３に印加する直流正電圧と、試料１１の開口内面
に形成する硬質カーボン膜の膜厚との関係を、図７のグ
ラフに示す。
電極２３に印加する直流正電圧と、試料１１の開口内面
に形成する硬質カーボン膜の膜厚との関係を、図７のグ
ラフに示す。
【００９７】図７のグラフにおいては、補助電極電源３
５を用いて補助電極２３に印加する直流の正電圧をゼロ
Ｖから３０Ｖまで変化させ、さらに試料１１の開口内面
と補助電極２３との間の隙間寸法が３ｍｍと５ｍｍのと
きの硬質カーボン膜の膜厚を示す。なお曲線５９が試料
１１の開口内面と補助電極２３との間の隙間が３ｍｍの
ときの特性を示し、曲線６１が試料１１の開口内面と補
助電極２３との間の隙間が５ｍｍのときの特性を示す。
５を用いて補助電極２３に印加する直流の正電圧をゼロ
Ｖから３０Ｖまで変化させ、さらに試料１１の開口内面
と補助電極２３との間の隙間寸法が３ｍｍと５ｍｍのと
きの硬質カーボン膜の膜厚を示す。なお曲線５９が試料
１１の開口内面と補助電極２３との間の隙間が３ｍｍの
ときの特性を示し、曲線６１が試料１１の開口内面と補
助電極２３との間の隙間が５ｍｍのときの特性を示す。
【００９８】図７の曲線５９、６１に示すように、補助
電極電源３５から補助電極２３に印加する直流正電圧を
増加させると、硬質カーボン膜の膜形成速度は向上す
る。さらにまた試料１１の開口内面と補助電極２３との
間の隙間寸法が大きいほど、硬質カーボン膜の膜形成速
度は向上している。
電極電源３５から補助電極２３に印加する直流正電圧を
増加させると、硬質カーボン膜の膜形成速度は向上す
る。さらにまた試料１１の開口内面と補助電極２３との
間の隙間寸法が大きいほど、硬質カーボン膜の膜形成速
度は向上している。
【００９９】そして曲線５９、すなわち試料１１の開口
内面と補助電極２３との間の隙間寸法が３ｍｍのとき
は、補助電極２３に印加する電圧がゼロＶの接地電位で
は、試料２３開口内面にプラズマが発生せず、硬質カー
ボン膜は形成できない。
内面と補助電極２３との間の隙間寸法が３ｍｍのとき
は、補助電極２３に印加する電圧がゼロＶの接地電位で
は、試料２３開口内面にプラズマが発生せず、硬質カー
ボン膜は形成できない。
【０１００】しかし試料１１の開口内面と補助電極２３
との間の隙間が３ｍｍのときでも、補助電極２３に印加
する補助電極電源３５からの直流正電圧を高くしていく
と、補助電極２３周囲の開口内面にプラズマが発生し、
硬質カーボン膜を形成することができる。
との間の隙間が３ｍｍのときでも、補助電極２３に印加
する補助電極電源３５からの直流正電圧を高くしていく
と、補助電極２３周囲の開口内面にプラズマが発生し、
硬質カーボン膜を形成することができる。
【０１０１】この図３に示す硬質カーボン膜の被膜形成
方法においては、試料１１の開口内面に挿入するように
設け、補助電極電源３５から直流正電圧を印加する補助
電極２３により、試料１１の外周部だけでなく、試料１
１開口内面にもプラズマを形成することができる。
方法においては、試料１１の開口内面に挿入するように
設け、補助電極電源３５から直流正電圧を印加する補助
電極２３により、試料１１の外周部だけでなく、試料１
１開口内面にもプラズマを形成することができる。
【０１０２】この試料１１の開口内面に挿入するように
配置する補助電極２３によって、異常放電であるホロー
放電の発生はなく、硬質カーボン膜の密着性が向上す
る。
配置する補助電極２３によって、異常放電であるホロー
放電の発生はなく、硬質カーボン膜の密着性が向上す
る。
【０１０３】さらに試料１１の長手方向の開口内面で、
電位特性が均一になり、開口内面に形成する硬質カーボ
ン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開口奥側とで
均一な膜厚を形成することができる。
電位特性が均一になり、開口内面に形成する硬質カーボ
ン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開口奥側とで
均一な膜厚を形成することができる。
【０１０４】さらにまた本発明の硬質カーボン膜の形成
方法においては、試料１１の開口内面の中央部に設ける
補助電極２３に、補助電極電源３５からの直流の正電圧
を印加して硬質カーボン膜を形成している。このため直
流正電圧を印加する補助電極２３の周囲領域に電子を集
める効果が生じ、この補助電極２３の周囲領域は電子密
度が高くなる。
方法においては、試料１１の開口内面の中央部に設ける
補助電極２３に、補助電極電源３５からの直流の正電圧
を印加して硬質カーボン膜を形成している。このため直
流正電圧を印加する補助電極２３の周囲領域に電子を集
める効果が生じ、この補助電極２３の周囲領域は電子密
度が高くなる。
【０１０５】このように電子密度が高くなると、必然的
に炭素を含むガス分子と電子との衝突確率が増え、ガス
分子のイオン化が促進されて、試料１１の開口内面領域
のプラズマ強度が高くなる。
に炭素を含むガス分子と電子との衝突確率が増え、ガス
分子のイオン化が促進されて、試料１１の開口内面領域
のプラズマ強度が高くなる。
【０１０６】このため補助電極２３に直流の正電圧を印
加する本発明の硬質カーボン膜の形成方法においては、
硬質カーボン膜の膜形成速度は、補助電極２３に直流の
正電圧を印加しないときと比らべて高くなる。
加する本発明の硬質カーボン膜の形成方法においては、
硬質カーボン膜の膜形成速度は、補助電極２３に直流の
正電圧を印加しないときと比らべて高くなる。
【０１０７】さらに試料１１の開口大きさが小さくな
り、開口内面と補助電極２３との隙間が小さくなると、
補助電極２３に直流の正電圧を印加しないで硬質カーボ
ン膜を形成すると、開口内面にはプラズマが発生せず、
膜形成ができない。
り、開口内面と補助電極２３との隙間が小さくなると、
補助電極２３に直流の正電圧を印加しないで硬質カーボ
ン膜を形成すると、開口内面にはプラズマが発生せず、
膜形成ができない。
【０１０８】これに対して本発明の硬質カーボン膜の被
膜形成方法においては、試料１１の開口内面に配置する
補助電極２３に補助電極電源３５を用いて直流正電圧を
印加し、電子を強制的に補助電極２３の周囲領域の開口
内面に集めているので、補助電極２３周囲にプラズマを
発生させることができる。
膜形成方法においては、試料１１の開口内面に配置する
補助電極２３に補助電極電源３５を用いて直流正電圧を
印加し、電子を強制的に補助電極２３の周囲領域の開口
内面に集めているので、補助電極２３周囲にプラズマを
発生させることができる。
【０１０９】したがって、直流の正電圧を印加しない補
助電極を用いた硬質カーボン膜の形成では被膜形成がで
きない開口大きさが小さい試料にも、補助電極電源３５
からの直流正電圧を印加した補助電極を用いる本発明の
硬質カーボン膜の形成方法を適用すれば被膜形成が可能
となる。
助電極を用いた硬質カーボン膜の形成では被膜形成がで
きない開口大きさが小さい試料にも、補助電極電源３５
からの直流正電圧を印加した補助電極を用いる本発明の
硬質カーボン膜の形成方法を適用すれば被膜形成が可能
となる。
【０１１０】この補助電極２３は、試料１１の開口大き
さより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程度の隙間、
すなわちプラズマ形成領域を設けるようにする。そして
この補助電極２３は、ステンレスのような金属材料で形
成すればよい。
さより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程度の隙間、
すなわちプラズマ形成領域を設けるようにする。そして
この補助電極２３は、ステンレスのような金属材料で形
成すればよい。
【０１１１】さらに補助電極２３の断面形状は円形と
し、試料１１に補助電極２３を挿入したとき開口長さと
ほぼ同じにするか、あるいは試料より補助電極２３を突
出するように構成する。
し、試料１１に補助電極２３を挿入したとき開口長さと
ほぼ同じにするか、あるいは試料より補助電極２３を突
出するように構成する。
【０１１２】ここで補助電極２３の断面形状は、試料１
１の開口の断面形状に合わせてもよい。すなわち試料１
１開口の断面形状が四角形であれば補助電極２３の断面
形状は四角形とし、試料１１開口の断面形状が円形であ
れば補助電極２３の断面形状は円形とする。
１の開口の断面形状に合わせてもよい。すなわち試料１
１開口の断面形状が四角形であれば補助電極２３の断面
形状は四角形とし、試料１１開口の断面形状が円形であ
れば補助電極２３の断面形状は円形とする。
【０１１３】図１から図３を用いて説明した本発明の硬
質カーボン膜の形成方法における以上の説明において
は、試料１１の外周部と開口内面とに硬質カーボン膜を
形成する実施例で説明したが、開口内面にのみに硬質カ
ーボン膜を形成するすることができる。
質カーボン膜の形成方法における以上の説明において
は、試料１１の外周部と開口内面とに硬質カーボン膜を
形成する実施例で説明したが、開口内面にのみに硬質カ
ーボン膜を形成するすることができる。
【０１１４】そのときは、試料１１の外周部に被覆部材
を配置する方法や、簡易的にはアルミニウム箔を試料１
１の外周部に巻き付けるように形成してもよい。
を配置する方法や、簡易的にはアルミニウム箔を試料１
１の外周部に巻き付けるように形成してもよい。
【０１１５】さらに図１から図３を用いて説明した本発
明の硬質カーボン膜の形成方法における以上の説明にお
いては、試料１１に直接硬質カーボン膜を形成する実施
例で説明したが、中間層を介して硬質カーボン膜を形成
してもよい。
明の硬質カーボン膜の形成方法における以上の説明にお
いては、試料１１に直接硬質カーボン膜を形成する実施
例で説明したが、中間層を介して硬質カーボン膜を形成
してもよい。
【０１１６】そのときは、この中間層としては、周期律
表第ＩＶ族のシリコン（Ｓｉ）やゲルマニウム（Ｇｅ）
や、あるいはシリコンやゲルマニウムの化合物でもよ
い。あるいはこの中間層としては、シリコンカーバイト
（ＳｉＣ）やチタンカーバイト（ＴｉＣ）のような炭素
を含む化合物でもよい。
表第ＩＶ族のシリコン（Ｓｉ）やゲルマニウム（Ｇｅ）
や、あるいはシリコンやゲルマニウムの化合物でもよ
い。あるいはこの中間層としては、シリコンカーバイト
（ＳｉＣ）やチタンカーバイト（ＴｉＣ）のような炭素
を含む化合物でもよい。
【０１１７】さらに中間層としては、チタン（Ｔｉ）や
クロム（Ｃｒ）と、シリコンやゲルマニウムとの２層膜
でもよい。このとき中間層の下層のチタンやクロムは試
料との密着性を保つ役割をもち、中間層の上層のシリコ
ンやゲルマニウムは硬質カーボン膜と共有結合して、こ
の硬質カーボン膜と強く結合する役割をもつ。
クロム（Ｃｒ）と、シリコンやゲルマニウムとの２層膜
でもよい。このとき中間層の下層のチタンやクロムは試
料との密着性を保つ役割をもち、中間層の上層のシリコ
ンやゲルマニウムは硬質カーボン膜と共有結合して、こ
の硬質カーボン膜と強く結合する役割をもつ。
【０１１８】さらにまた中間層としては、チタン化合物
やクロム化合物とシリコン化合物やゲルマニウム化合物
との２層膜でもよく、あるいはチタンやクロムとシリコ
ン化合物やゲルマニウム化合物との２層膜でもよく、あ
るいはチタン化合物やクロム化合物とシリコンやゲルマ
ニウムとの２層膜としてもよい。
やクロム化合物とシリコン化合物やゲルマニウム化合物
との２層膜でもよく、あるいはチタンやクロムとシリコ
ン化合物やゲルマニウム化合物との２層膜でもよく、あ
るいはチタン化合物やクロム化合物とシリコンやゲルマ
ニウムとの２層膜としてもよい。
【０１１９】そしてこの中間層の形成方法としては、ス
パッタリング法やイオンプレーティング法や化学気相成
長（ＣＶＤ）法や溶射法を適用すればよい。
パッタリング法やイオンプレーティング法や化学気相成
長（ＣＶＤ）法や溶射法を適用すればよい。
【０１２０】さらにまた図１から図３を用いて説明した
本発明の硬質カーボン膜の形成方法における以上の本発
明の硬質カーボン膜の形成方法の説明においては、炭素
を含むガスとしてメタンガスやベンゼンガスを用いる実
施例で説明したが、メタン以外にエチレンなどの炭素を
含むガスや、あるいはヘキサンなどの炭素を含む液体の
蒸発蒸気も使用することができる。
本発明の硬質カーボン膜の形成方法における以上の本発
明の硬質カーボン膜の形成方法の説明においては、炭素
を含むガスとしてメタンガスやベンゼンガスを用いる実
施例で説明したが、メタン以外にエチレンなどの炭素を
含むガスや、あるいはヘキサンなどの炭素を含む液体の
蒸発蒸気も使用することができる。
【０１２１】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
硬質カーボン膜の形成方法では、試料の開口内面に、補
助電極電源からの直流正電圧に接続する補助電極を配置
して硬質カーボン膜を形成している。そして試料には、
高周波電圧あるいは負の直流電圧を印加する。
硬質カーボン膜の形成方法では、試料の開口内面に、補
助電極電源からの直流正電圧に接続する補助電極を配置
して硬質カーボン膜を形成している。そして試料には、
高周波電圧あるいは負の直流電圧を印加する。
【０１２２】このため、同電位の電極どうしが対向して
いる開口内面に、直流正電位に接続する補助電極を設け
ることとなり、同電位どうしが対向することがなくな
り、異常放電であるホロー放電は発生しない。そのた
め、密着性が良好な硬質カーボン膜を試料に形成するこ
とができる。
いる開口内面に、直流正電位に接続する補助電極を設け
ることとなり、同電位どうしが対向することがなくな
り、異常放電であるホロー放電は発生しない。そのた
め、密着性が良好な硬質カーボン膜を試料に形成するこ
とができる。
【０１２３】さらに本発明の硬質カーボン膜の形成方法
においては、直流正電圧に接続する補助電極を試料の開
口内面に配置して被膜形成しており、試料の長手方向の
開口内面で、電位特性を均一にすることができる。この
結果、開口内面に形成する硬質カーボン膜の膜厚分布の
発生がなく、開口端面と開口中側とで均一な膜厚を形成
することができるという効果ももつ。
においては、直流正電圧に接続する補助電極を試料の開
口内面に配置して被膜形成しており、試料の長手方向の
開口内面で、電位特性を均一にすることができる。この
結果、開口内面に形成する硬質カーボン膜の膜厚分布の
発生がなく、開口端面と開口中側とで均一な膜厚を形成
することができるという効果ももつ。
【０１２４】さらにまた本発明の硬質カーボン膜の形成
方法においては、試料の開口内面の中央部に設ける補助
電極に、直流の正電圧を印加して硬質カーボン膜を形成
している。このため直流正電圧を印加する補助電極の周
囲領域に電子を集める効果が生じ、この補助電極の周囲
領域は電子密度が高くなる。
方法においては、試料の開口内面の中央部に設ける補助
電極に、直流の正電圧を印加して硬質カーボン膜を形成
している。このため直流正電圧を印加する補助電極の周
囲領域に電子を集める効果が生じ、この補助電極の周囲
領域は電子密度が高くなる。
【０１２５】このように電子密度が高くなると、必然的
に炭素を含むガス分子と電子との衝突確率が増え、ガス
分子のイオン化が促進されて、その補助電極の周囲領域
のプラズマ強度が高くなる。
に炭素を含むガス分子と電子との衝突確率が増え、ガス
分子のイオン化が促進されて、その補助電極の周囲領域
のプラズマ強度が高くなる。
【０１２６】このため補助電極に直流の正電圧を印加す
る本発明の硬質カーボン膜の形成方法においては、硬質
カーボン膜の膜形成速度は、補助電極に直流の正電圧を
印加しないときと比らべて高くなる。
る本発明の硬質カーボン膜の形成方法においては、硬質
カーボン膜の膜形成速度は、補助電極に直流の正電圧を
印加しないときと比らべて高くなる。
【０１２７】さらに試料の開口大きさが小さくなり、開
口内面と補助電極との隙間が小さくなると、補助電極に
直流の正電圧を印加しないで硬質カーボン膜を形成する
と、開口内面にはプラズマが発生せず、被膜形成ができ
ない。
口内面と補助電極との隙間が小さくなると、補助電極に
直流の正電圧を印加しないで硬質カーボン膜を形成する
と、開口内面にはプラズマが発生せず、被膜形成ができ
ない。
【０１２８】これに対して本発明の硬質カーボン膜の形
成方法においては、開口内面に配置する補助電極に直流
正電圧を印加しているので、電子を強制的に補助電極の
周囲領域の試料開口内面に集めて、補助電極の周囲にプ
ラズマを発生させることができる。
成方法においては、開口内面に配置する補助電極に直流
正電圧を印加しているので、電子を強制的に補助電極の
周囲領域の試料開口内面に集めて、補助電極の周囲にプ
ラズマを発生させることができる。
【０１２９】したがって、直流の正電圧を印加しない補
助電極を用いた硬質カーボン膜の形成では被膜形成がで
きない開口大きさが小さい試料にも、直流正電圧を印加
する補助電極を用いる本発明の硬質カーボン膜の形成方
法を適用すれば被膜形成が可能となる。
助電極を用いた硬質カーボン膜の形成では被膜形成がで
きない開口大きさが小さい試料にも、直流正電圧を印加
する補助電極を用いる本発明の硬質カーボン膜の形成方
法を適用すれば被膜形成が可能となる。
【図１】本発明の実施例における硬質カーボン膜の形成
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例における硬質カーボン膜の形成
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
【図３】本発明の実施例における硬質カーボン膜の形成
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
【図４】従来技術における硬質カーボン膜の形成方法を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図５】本発明の実施例における硬質カーボン膜の形成
方法の補助電極に印加する直流正電圧と硬質カーボン膜
の膜形成速度との関係を示すグラフである。
方法の補助電極に印加する直流正電圧と硬質カーボン膜
の膜形成速度との関係を示すグラフである。
【図６】本発明の実施例における硬質カーボン膜の形成
方法の補助電極に印加する直流正電圧と硬質カーボン膜
の膜形成速度との関係を示すグラフである。
方法の補助電極に印加する直流正電圧と硬質カーボン膜
の膜形成速度との関係を示すグラフである。
【図７】本発明の実施例における硬質カーボン膜の形成
方法の補助電極に印加する直流正電圧と硬質カーボン膜
の膜形成速度との関係を示すグラフである。
方法の補助電極に印加する直流正電圧と硬質カーボン膜
の膜形成速度との関係を示すグラフである。
１１ 試料 １３ 真空槽 １５ ガス導入口 １７ 排気口 ２１ 高周波電源 ２３ 補助電極 ２５ 直流電源 ３５ 補助電極電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 戸井田 孝志 埼玉県所沢市大字下富字武野840番地 シ チズン時計株式会社技術研究所内
Claims (12)
- 【請求項１】 試料の開口内面に直流正電圧を印加する
補助電極電源に接続する補助電極を挿入するように試料
を真空槽の中に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口
から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、試料に直流電
圧を印加しアノードに直流電圧を印加しフィラメントに
交流電圧を印加してプラズマを発生させて試料に硬質カ
ーボン膜を形成することを特徴とする硬質カーボン膜の
形成方法。 - 【請求項２】 中間層を形成した試料の開口内面に直流
正電圧を印加する補助電極電源に接続する補助電極を挿
入するように試料を真空槽内に配置し、真空槽内を排気
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、試料に直流電圧を印加しアノードに直流電圧を印加
しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを発生さ
せて試料に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする
硬質カーボン膜の形成方法。 - 【請求項３】 試料の開口内面に直流正電圧を印加する
補助電極電源に接続する補助電極を挿入するように試料
を真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口か
ら炭素を含むガスを真空槽内に導入し、試料に高周波電
圧を印加し、プラズマを発生させて試料に硬質カーボン
膜を形成することを特徴とする硬質カーボン膜の形成方
法。 - 【請求項４】 中間層を形成した試料の開口内面に直流
正電圧を印加する補助電極電源に接続する補助電極を挿
入するように試料を真空槽内に配置し、真空槽内を排気
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、試料に高周波電圧を印加し、プラズマを発生させて
試料に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする硬質
カーボン膜の形成方法。 - 【請求項５】 試料の開口内面に直流正電圧を印加する
補助電極電源に接続する補助電極を挿入するように試料
を真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口か
ら炭素を含むガスを真空槽内に導入し、試料に直流電圧
を印加し、プラズマを発生させて試料に硬質カーボン膜
を形成することを特徴とする硬質カーボン膜の形成方
法。 - 【請求項６】 中間層を形成した試料の開口内面に直流
正電圧を印加する補助電極電源に接続する補助電極を挿
入するように試料を真空槽内に配置し、真空槽内を排気
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、試料に直流電圧を印加し、プラズマを発生させて試
料に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする硬質カ
ーボン膜の形成方法。 - 【請求項７】 試料の開口内面に直流正電圧を印加する
補助電極電源に接続する補助電極を挿入するように試料
を真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口か
ら炭素を含むガスを真空槽内に導入し、試料に直流電圧
を印加しアノードに直流電圧を印加しフィラメントに交
流電圧を印加してプラズマを発生させて試料の外周部を
被覆して開口内面に硬質カーボン膜を形成することを特
徴とする硬質カーボン膜の形成方法。 - 【請求項８】 中間層を形成した試料の開口内面に直流
正電圧を印加する補助電極電源に接続する補助電極を挿
入するように試料を真空槽内に配置し、真空槽内を排気
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、試料に直流電圧を印加しアノードに直流電圧を印加
しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを発生さ
せて試料の外周部を被覆して開口内面に硬質カーボン膜
を形成することを特徴とする硬質カーボン膜の形成方
法。 - 【請求項９】 試料の開口内面に直流正電圧を印加する
補助電極電源に接続する補助電極を挿入するように試料
を真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口か
ら炭素を含むガスを真空槽内に導入し、試料に高周波電
圧を印加し、プラズマを発生させて試料の外周部を被覆
して開口内面に硬質カーボン膜を形成することを特徴と
する硬質カーボン膜の形成方法。 - 【請求項１０】 中間層を形成した試料の開口内面に直
流正電圧を印加する補助電極電源に接続する補助電極を
挿入するように試料を真空槽内に配置し、真空槽内を排
気後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、試料に高周波電圧を印加し、プラズマを発生させて
試料の外周部を被覆して開口内面に硬質カーボン膜を形
成することを特徴とする硬質カーボン膜の形成方法。 - 【請求項１１】 試料の開口内面に直流正電圧を印加す
る補助電極電源に接続する補助電極を挿入するように試
料を真空槽内に配置し、真空槽内を排気後、ガス導入口
から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、試料に直流電
圧を印加し、プラズマを発生させて試料の外周部を被覆
して開口内面に硬質カーボン膜を形成することを特徴と
する硬質カーボン膜の形成方法。 - 【請求項１２】 中間層を形成した試料の開口内面に直
流正電圧を印加する補助電極電源に接続する補助電極を
挿入するように試料を真空槽内に配置し、真空槽内を排
気後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、試料に直流電圧を印加し、プラズマを発生させて試
料の外周部を被覆して開口内面に硬質カーボン膜を形成
することを特徴とする硬質カーボン膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17841995A JPH0931655A (ja) | 1995-07-14 | 1995-07-14 | 硬質カーボン膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17841995A JPH0931655A (ja) | 1995-07-14 | 1995-07-14 | 硬質カーボン膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0931655A true JPH0931655A (ja) | 1997-02-04 |
Family
ID=16048179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17841995A Pending JPH0931655A (ja) | 1995-07-14 | 1995-07-14 | 硬質カーボン膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0931655A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998001600A1 (fr) * | 1996-07-08 | 1998-01-15 | Citizen Watch Co., Ltd. | Bague de guidage et procede de formation d'un film sur une bague de guidage |
| JP2008223092A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Hoya Corp | モールドプレス成形型、及びその製造方法、並びにガラス光学素子の製造方法 |
| US9972476B2 (en) | 2013-03-28 | 2018-05-15 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Film forming device, film forming method, and film forming program |
-
1995
- 1995-07-14 JP JP17841995A patent/JPH0931655A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998001600A1 (fr) * | 1996-07-08 | 1998-01-15 | Citizen Watch Co., Ltd. | Bague de guidage et procede de formation d'un film sur une bague de guidage |
| US6056443A (en) * | 1996-07-08 | 2000-05-02 | Citizen Watch Co., Ltd. | Guide bush and method of forming film over guide bush |
| JP2008223092A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Hoya Corp | モールドプレス成形型、及びその製造方法、並びにガラス光学素子の製造方法 |
| US9972476B2 (en) | 2013-03-28 | 2018-05-15 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Film forming device, film forming method, and film forming program |
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