JPH10280155A - 円筒状部材内周面への硬質カーボン膜の形成方法 - Google Patents
円筒状部材内周面への硬質カーボン膜の形成方法Info
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- JPH10280155A JPH10280155A JP9083733A JP8373397A JPH10280155A JP H10280155 A JPH10280155 A JP H10280155A JP 9083733 A JP9083733 A JP 9083733A JP 8373397 A JP8373397 A JP 8373397A JP H10280155 A JPH10280155 A JP H10280155A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 円筒状部材に密着性よく硬質カーボン膜を形
成することが可能な硬質カーボン膜の被膜形成方法を提
供する。 【解決手段】 円筒状部材１１の開口内面に接地電位と
接続する補助電極７１を挿入するように円筒状部材１１
を真空槽６１内に配置し、排気口６５から真空槽６１内
を排気した後、ガス導入口６３から炭素を含むガスを真
空槽６１内に導入し、リアクトル５４を介して円筒状部
材１１に直流電圧を印加しアノード７９に直流電圧を印
加しフィラメント８１に交流電圧を印加してプラズマを
発生させて円筒状部材１１に硬質カーボン膜を形成す
る。
成することが可能な硬質カーボン膜の被膜形成方法を提
供する。 【解決手段】 円筒状部材１１の開口内面に接地電位と
接続する補助電極７１を挿入するように円筒状部材１１
を真空槽６１内に配置し、排気口６５から真空槽６１内
を排気した後、ガス導入口６３から炭素を含むガスを真
空槽６１内に導入し、リアクトル５４を介して円筒状部
材１１に直流電圧を印加しアノード７９に直流電圧を印
加しフィラメント８１に交流電圧を印加してプラズマを
発生させて円筒状部材１１に硬質カーボン膜を形成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は硬質カーボン膜を円
筒状部材の内周面に形成するための被膜形成方法にかん
し、とくにブッシュやピストンリングやベアリングなど
の円筒状部材（部品）の内周面に硬質カーボン膜を形成
する被膜形成方法に関する。
筒状部材の内周面に形成するための被膜形成方法にかん
し、とくにブッシュやピストンリングやベアリングなど
の円筒状部材（部品）の内周面に硬質カーボン膜を形成
する被膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】円筒状部材の内周面に硬質カーボン膜を
被覆して、内周面の摩耗を抑制することが提案されてい
る。この硬質カーボン膜は黒色状の被膜で、ダイヤモン
ドによく似た性質をもつ。すなわち硬質カーボン膜は、
高い機械的硬度や低い摩擦係数や良好な電気的絶縁性や
高い熱伝導率や高い耐腐食性という優れた特性をもつ。
被覆して、内周面の摩耗を抑制することが提案されてい
る。この硬質カーボン膜は黒色状の被膜で、ダイヤモン
ドによく似た性質をもつ。すなわち硬質カーボン膜は、
高い機械的硬度や低い摩擦係数や良好な電気的絶縁性や
高い熱伝導率や高い耐腐食性という優れた特性をもつ。
【０００３】そのためブッシュやピストンリングやベア
リングなどに硬質カーボン膜を被覆することが提案さ
れ、実用化されている。そしてこの硬質カーボン膜は水
素化アモルファス・カーボン膜であり、前述のようにダ
イヤモンドとよく似た性質をもつため、ダイヤモンド・
ライク・カーボン膜（ＤＬＣ）と呼ばれたり、あるいは
ｉ−カーボン膜ともよばれている。
リングなどに硬質カーボン膜を被覆することが提案さ
れ、実用化されている。そしてこの硬質カーボン膜は水
素化アモルファス・カーボン膜であり、前述のようにダ
イヤモンドとよく似た性質をもつため、ダイヤモンド・
ライク・カーボン膜（ＤＬＣ）と呼ばれたり、あるいは
ｉ−カーボン膜ともよばれている。
【０００４】プラスマ化学気相成長法を用いた従来技術
における円筒状部材への硬質カーボン膜の形成方法を、
図５を用いて説明する。図５は、従来技術における硬質
カーボン膜の円筒状部材の内周面への形成方法を示す断
面図である。
における円筒状部材への硬質カーボン膜の形成方法を、
図５を用いて説明する。図５は、従来技術における硬質
カーボン膜の円筒状部材の内周面への形成方法を示す断
面図である。
【０００５】図５に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５とを有する真空槽６１内に、硬質カーボン膜を形
成する円筒状部材１１を配置する。このとき円筒状部材
１１の開口内面には補助電極７１を配置する。そしてこ
の補助電極７１は接地電位に接続する。
口６５とを有する真空槽６１内に、硬質カーボン膜を形
成する円筒状部材１１を配置する。このとき円筒状部材
１１の開口内面には補助電極７１を配置する。そしてこ
の補助電極７１は接地電位に接続する。
【０００６】そして、図５に図示しない排気手段によっ
て、排気口６５から真空槽６１の内部を、その真空度が
３×１０-5ｔｏｒｒ以下の圧力になるように真空排気す
る。その後、ガス導入口６３から炭素を含むガスを真空
槽６１内に導入して、真空槽６１内部の圧力を５×１０
-3ｔｏｒｒになるように調整する。
て、排気口６５から真空槽６１の内部を、その真空度が
３×１０-5ｔｏｒｒ以下の圧力になるように真空排気す
る。その後、ガス導入口６３から炭素を含むガスを真空
槽６１内に導入して、真空槽６１内部の圧力を５×１０
-3ｔｏｒｒになるように調整する。
【０００７】そしてこの円筒状部材１１には、直流電源
７３から直流電圧を印加する。また円筒状部材１１に対
向するように配置するアノード７９にはアノード電源７
５から直流電圧を印加し、さらにフィラメント８１には
フィラメント電源７７から交流電圧を印加する。このと
き、直流電源７３から円筒状部材１１に印加する直流電
圧は、マイナス３ｋＶを印加し、さらにアノード電源７
５からアノード７９に印加する直流電圧はプラス５０Ｖ
を印加する。さらにフィラメント電源７７からフィラメ
ント８１に印加する電圧は３０Ａの電流が流れるように
１０Ｖの交流電圧を印加する。
７３から直流電圧を印加する。また円筒状部材１１に対
向するように配置するアノード７９にはアノード電源７
５から直流電圧を印加し、さらにフィラメント８１には
フィラメント電源７７から交流電圧を印加する。このと
き、直流電源７３から円筒状部材１１に印加する直流電
圧は、マイナス３ｋＶを印加し、さらにアノード電源７
５からアノード７９に印加する直流電圧はプラス５０Ｖ
を印加する。さらにフィラメント電源７７からフィラメ
ント８１に印加する電圧は３０Ａの電流が流れるように
１０Ｖの交流電圧を印加する。
【０００８】すると真空槽６１内の円筒状部材１１の開
口内面の補助電極７１の周囲領域にプラズマが発生し
て、円筒状部材１１の開口内面の被加工物と接触する内
周面に硬質カーボン膜を形成することができる。
口内面の補助電極７１の周囲領域にプラズマが発生し
て、円筒状部材１１の開口内面の被加工物と接触する内
周面に硬質カーボン膜を形成することができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図５を用いて説明した
円筒状部材１１への硬質カーボン膜の形成方法では、被
膜形成圧力である５×１０-3ｔｏｒｒにて、円筒状部材
１１に直流電源７３からマイナス３ｋＶの直流電圧を印
加している。
円筒状部材１１への硬質カーボン膜の形成方法では、被
膜形成圧力である５×１０-3ｔｏｒｒにて、円筒状部材
１１に直流電源７３からマイナス３ｋＶの直流電圧を印
加している。
【００１０】このためプラズマ放電開始の瞬間に、円筒
状部材１１に異常放電であるアーク放電が発生する。こ
のアーク放電が発生する理由を以下に記載する。すなわ
ち真空槽６１内部の圧力が５×１０-3ｔｏｒｒのような
高い状態は、真空槽６１内の空間に電子などの電荷が多
い状態であり、空間インピーダンスが低く、このような
状態ではアーク放電が発生しやすい。
状部材１１に異常放電であるアーク放電が発生する。こ
のアーク放電が発生する理由を以下に記載する。すなわ
ち真空槽６１内部の圧力が５×１０-3ｔｏｒｒのような
高い状態は、真空槽６１内の空間に電子などの電荷が多
い状態であり、空間インピーダンスが低く、このような
状態ではアーク放電が発生しやすい。
【００１１】さらにプラズマ放電開始のときは、硬質カ
ーボン膜の被膜形成初期でもある。この被膜形成初期に
形成される膜質によって、円筒状部材１１との密着性を
左右する重要な時間である。したがって、プラズマ放電
の最初期に、異常放電であるアーク放電が発生すると、
硬質カーボン膜の密着性が低下し、円筒状部材から剥離
するという問題点が発生する。
ーボン膜の被膜形成初期でもある。この被膜形成初期に
形成される膜質によって、円筒状部材１１との密着性を
左右する重要な時間である。したがって、プラズマ放電
の最初期に、異常放電であるアーク放電が発生すると、
硬質カーボン膜の密着性が低下し、円筒状部材から剥離
するという問題点が発生する。
【００１２】〔発明の目的〕本発明の目的は、上記課題
を解決して、円筒状部材に密着性よく、硬質カーボン膜
を形成することが可能な硬質カーボン膜の被膜形成方法
を提供することである。
を解決して、円筒状部材に密着性よく、硬質カーボン膜
を形成することが可能な硬質カーボン膜の被膜形成方法
を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明における円筒状部材内周面への硬質カーボン膜
の形成方法においては、下記記載の手段を採用する。
に本発明における円筒状部材内周面への硬質カーボン膜
の形成方法においては、下記記載の手段を採用する。
【００１４】本発明の円筒状部材内周面への硬質カーボ
ン膜の形成方法においては、円筒状部材の開口内面に接
地電位と接続する補助電極を挿入するように円筒状部材
を真空槽内に配置し、排気口から真空槽内を排気した
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、リアクトルを介して円筒状部材に直流電圧を印加し
アノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を
印加してプラズマを発生させて円筒状部材に硬質カーボ
ン膜を形成することを特徴とする。
ン膜の形成方法においては、円筒状部材の開口内面に接
地電位と接続する補助電極を挿入するように円筒状部材
を真空槽内に配置し、排気口から真空槽内を排気した
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、リアクトルを介して円筒状部材に直流電圧を印加し
アノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を
印加してプラズマを発生させて円筒状部材に硬質カーボ
ン膜を形成することを特徴とする。
【００１５】本発明の円筒状部材内周面への硬質カーボ
ン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内面に接地電位と
接続する補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽
内に配置し、排気口から真空槽内を排気した後、ガス導
入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、リアクト
ルを介して円筒状部材に直流電圧を印加して、プラズマ
を発生させて円筒状部材に硬質カーボン膜を形成するこ
とを特徴とする。
ン膜の形成方法は、円筒状部材の開口内面に接地電位と
接続する補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽
内に配置し、排気口から真空槽内を排気した後、ガス導
入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、リアクト
ルを介して円筒状部材に直流電圧を印加して、プラズマ
を発生させて円筒状部材に硬質カーボン膜を形成するこ
とを特徴とする。
【００１６】本発明の円筒状部材内周面への硬質カーボ
ン膜の形成方法は、中間層を形成した円筒状部材の開口
内面に接地電位と接続する補助電極を挿入するように円
筒状部材を真空槽内に配置し、排気口から真空槽内を排
気した後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に
導入し、リアクトルを介して円筒状部材に直流電圧を印
加しアノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電
圧を印加してプラズマを発生させて円筒状部材に硬質カ
ーボン膜を形成することを特徴とする。
ン膜の形成方法は、中間層を形成した円筒状部材の開口
内面に接地電位と接続する補助電極を挿入するように円
筒状部材を真空槽内に配置し、排気口から真空槽内を排
気した後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に
導入し、リアクトルを介して円筒状部材に直流電圧を印
加しアノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電
圧を印加してプラズマを発生させて円筒状部材に硬質カ
ーボン膜を形成することを特徴とする。
【００１７】本発明の円筒状部材内周面への硬質カーボ
ン膜の形成方法においては、中間層を形成した円筒状部
材の開口内面に接地電位と接続する補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、排気口から真空
槽内を排気した後、ガス導入口から炭素を含むガスを真
空槽内に導入し、リアクトルを介して円筒状部材に直流
電圧を印加して、プラズマを発生させて円筒状部材に硬
質カーボン膜を形成することを特徴とする。
ン膜の形成方法においては、中間層を形成した円筒状部
材の開口内面に接地電位と接続する補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、排気口から真空
槽内を排気した後、ガス導入口から炭素を含むガスを真
空槽内に導入し、リアクトルを介して円筒状部材に直流
電圧を印加して、プラズマを発生させて円筒状部材に硬
質カーボン膜を形成することを特徴とする。
【００１８】本発明の円筒状部材内周面への硬質カーボ
ン膜の形成方法においては、円筒状部材の開口内面に直
流電源と接続する補助電極を挿入するように円筒状部材
を真空槽内に配置し、排気口から真空槽内を排気した
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、補助電極に直流正電圧を印加し、リアクトルを介し
て円筒状部材に直流電圧を印加しアノードに直流電圧を
印加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを発
生させて円筒状部材に硬質カーボン膜を形成することを
特徴とする。
ン膜の形成方法においては、円筒状部材の開口内面に直
流電源と接続する補助電極を挿入するように円筒状部材
を真空槽内に配置し、排気口から真空槽内を排気した
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、補助電極に直流正電圧を印加し、リアクトルを介し
て円筒状部材に直流電圧を印加しアノードに直流電圧を
印加しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを発
生させて円筒状部材に硬質カーボン膜を形成することを
特徴とする。
【００１９】本発明の円筒状部材内周面への硬質カーボ
ン膜の形成方法においては、円筒状部材の開口内面に直
流電源と接続する補助電極を挿入するように円筒状部材
を真空槽内に配置し、排気口から真空槽内を排気した
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、補助電極に直流正電圧を印加し、リアクトルを介し
て円筒状部材に直流電圧を印加して、プラズマを発生さ
せて円筒状部材に硬質カーボン膜を形成することを特徴
とする。
ン膜の形成方法においては、円筒状部材の開口内面に直
流電源と接続する補助電極を挿入するように円筒状部材
を真空槽内に配置し、排気口から真空槽内を排気した
後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、補助電極に直流正電圧を印加し、リアクトルを介し
て円筒状部材に直流電圧を印加して、プラズマを発生さ
せて円筒状部材に硬質カーボン膜を形成することを特徴
とする。
【００２０】本発明の円筒状部材内周面への硬質カーボ
ン膜の形成方法においては、中間層を形成した円筒状部
材の開口内面に直流電源と接続する補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、排気口から真空
槽内を排気した後、ガス導入口から炭素を含むガスを真
空槽内に導入し、補助電極に直流正電圧を印加し、リア
クトルを介して円筒状部材に直流電圧を印加しアノード
に直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を印加して
プラズマを発生させて円筒状部材に硬質カーボン膜を形
成することを特徴とする。
ン膜の形成方法においては、中間層を形成した円筒状部
材の開口内面に直流電源と接続する補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、排気口から真空
槽内を排気した後、ガス導入口から炭素を含むガスを真
空槽内に導入し、補助電極に直流正電圧を印加し、リア
クトルを介して円筒状部材に直流電圧を印加しアノード
に直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を印加して
プラズマを発生させて円筒状部材に硬質カーボン膜を形
成することを特徴とする。
【００２１】本発明の円筒状部材内周面への硬質カーボ
ン膜の形成方法においては、中間層を形成した円筒状部
材の開口内面に直流電源と接続する補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、排気口から真空
槽内を排気した後、ガス導入口から炭素を含むガスを真
空槽内に導入し、補助電極に直流正電圧を印加し、リア
クトルを介して円筒状部材に直流電圧を印加して、プラ
ズマを発生させて円筒状部材に硬質カーボン膜を形成す
ることを特徴とする。
ン膜の形成方法においては、中間層を形成した円筒状部
材の開口内面に直流電源と接続する補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、排気口から真空
槽内を排気した後、ガス導入口から炭素を含むガスを真
空槽内に導入し、補助電極に直流正電圧を印加し、リア
クトルを介して円筒状部材に直流電圧を印加して、プラ
ズマを発生させて円筒状部材に硬質カーボン膜を形成す
ることを特徴とする。
【００２２】本発明の円筒状部材内周面への硬質カーボ
ン膜の形成方法においては、端面部にダミー部材を配置
した円筒状部材の開口内面に接地電位と接続する補助電
極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、排
気口から真空槽内を排気した後、ガス導入口から炭素を
含むガスを真空槽内に導入し、リアクトルを介して円筒
状部材に直流電圧を印加しアノードに直流電圧を印加し
フィラメントに交流電圧を印加してプラズマを発生させ
て円筒状部材に硬質カーボン膜を形成することを特徴と
する。
ン膜の形成方法においては、端面部にダミー部材を配置
した円筒状部材の開口内面に接地電位と接続する補助電
極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、排
気口から真空槽内を排気した後、ガス導入口から炭素を
含むガスを真空槽内に導入し、リアクトルを介して円筒
状部材に直流電圧を印加しアノードに直流電圧を印加し
フィラメントに交流電圧を印加してプラズマを発生させ
て円筒状部材に硬質カーボン膜を形成することを特徴と
する。
【００２３】本発明の円筒状部材内周面への硬質カーボ
ン膜の形成方法においては、端面部にダミー部材を配置
した円筒状部材の開口内面に接地電位と接続する補助電
極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、排
気口から真空槽内を排気した後、ガス導入口から炭素を
含むガスを真空槽内に導入し、リアクトルを介して円筒
状部材に直流電圧を印加して、プラズマを発生させて円
筒状部材に硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る。
ン膜の形成方法においては、端面部にダミー部材を配置
した円筒状部材の開口内面に接地電位と接続する補助電
極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、排
気口から真空槽内を排気した後、ガス導入口から炭素を
含むガスを真空槽内に導入し、リアクトルを介して円筒
状部材に直流電圧を印加して、プラズマを発生させて円
筒状部材に硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る。
【００２４】本発明の円筒状部材内周面への硬質カーボ
ン膜の形成方法は、端面部にダミー部材を配置し、さら
に中間層を形成した円筒状部材の開口内面に接地電位と
接続する補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽
内に配置し、排気口から真空槽内を排気した後、ガス導
入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、リアクト
ルを介して円筒状部材に直流電圧を印加しアノードに直
流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を印加してプラ
ズマを発生させて円筒状部材に硬質カーボン膜を形成す
ることを特徴とする。
ン膜の形成方法は、端面部にダミー部材を配置し、さら
に中間層を形成した円筒状部材の開口内面に接地電位と
接続する補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽
内に配置し、排気口から真空槽内を排気した後、ガス導
入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、リアクト
ルを介して円筒状部材に直流電圧を印加しアノードに直
流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を印加してプラ
ズマを発生させて円筒状部材に硬質カーボン膜を形成す
ることを特徴とする。
【００２５】本発明の円筒状部材内周面への硬質カーボ
ン膜の形成方法は、端面部にダミー部材を配置し、さら
に中間層を形成した円筒状部材の開口内面に接地電位と
接続する補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽
内に配置し、排気口から真空槽内を排気した後、ガス導
入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、リアクト
ルを介して円筒状部材に直流電圧を印加して、プラズマ
を発生させて円筒状部材に硬質カーボン膜を形成するこ
とを特徴とする。
ン膜の形成方法は、端面部にダミー部材を配置し、さら
に中間層を形成した円筒状部材の開口内面に接地電位と
接続する補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽
内に配置し、排気口から真空槽内を排気した後、ガス導
入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、リアクト
ルを介して円筒状部材に直流電圧を印加して、プラズマ
を発生させて円筒状部材に硬質カーボン膜を形成するこ
とを特徴とする。
【００２６】本発明の円筒状部材内周面への硬質カーボ
ン膜の形成方法においては、端面部にダミー部材を配置
した円筒状部材の開口内面に直流電源と接続する補助電
極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、排
気口から真空槽内を排気した後、ガス導入口から炭素を
含むガスを真空槽内に導入し、補助電極に直流正電圧を
印加し、リアクトルを介して円筒状部材に直流電圧を印
加しアノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電
圧を印加してプラズマを発生させて円筒状部材に硬質カ
ーボン膜を形成することを特徴とする。
ン膜の形成方法においては、端面部にダミー部材を配置
した円筒状部材の開口内面に直流電源と接続する補助電
極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、排
気口から真空槽内を排気した後、ガス導入口から炭素を
含むガスを真空槽内に導入し、補助電極に直流正電圧を
印加し、リアクトルを介して円筒状部材に直流電圧を印
加しアノードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電
圧を印加してプラズマを発生させて円筒状部材に硬質カ
ーボン膜を形成することを特徴とする。
【００２７】本発明の円筒状部材内周面への硬質カーボ
ン膜の形成方法においては、端面部にダミー部材を配置
した円筒状部材の開口内面に直流電源と接続する補助電
極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、排
気口から真空槽内を排気した後、ガス導入口から炭素を
含むガスを真空槽内に導入し、補助電極に直流正電圧を
印加し、リアクトルを介して円筒状部材に直流電圧を印
加して、プラズマを発生させて円筒状部材に硬質カーボ
ン膜を形成することを特徴とする。
ン膜の形成方法においては、端面部にダミー部材を配置
した円筒状部材の開口内面に直流電源と接続する補助電
極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に配置し、排
気口から真空槽内を排気した後、ガス導入口から炭素を
含むガスを真空槽内に導入し、補助電極に直流正電圧を
印加し、リアクトルを介して円筒状部材に直流電圧を印
加して、プラズマを発生させて円筒状部材に硬質カーボ
ン膜を形成することを特徴とする。
【００２８】本発明の円筒状部材内周面への硬質カーボ
ン膜の形成方法は、端面部にダミー部材を配置し、さら
に中間層を形成した円筒状部材の開口内面に直流電源と
接続する補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽
内に配置し、排気口から真空槽内を排気した後、ガス導
入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、補助電極
に直流正電圧を印加し、リアクトルを介して円筒状部材
に直流電圧を印加しアノードに直流電圧を印加しフィラ
メントに交流電圧を印加してプラズマを発生させて円筒
状部材に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。
ン膜の形成方法は、端面部にダミー部材を配置し、さら
に中間層を形成した円筒状部材の開口内面に直流電源と
接続する補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽
内に配置し、排気口から真空槽内を排気した後、ガス導
入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入し、補助電極
に直流正電圧を印加し、リアクトルを介して円筒状部材
に直流電圧を印加しアノードに直流電圧を印加しフィラ
メントに交流電圧を印加してプラズマを発生させて円筒
状部材に硬質カーボン膜を形成することを特徴とする。
【００２９】本発明の円筒状部材内周面への硬質カーボ
ン膜の形成方法においては、端面部にダミー部材を配置
し、さらに中間層を形成した円筒状部材の開口内面に直
流電源と接続する補助電極を挿入するように円筒状部材
を真空槽の内部に配置し、排気口から真空槽内を排気し
た後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、補助電極に直流正電圧を印加し、リアクトルを介し
て円筒状部材に直流電圧を印加して、プラズマを発生さ
せて円筒状部材に硬質カーボン膜を形成することを特徴
とする。
ン膜の形成方法においては、端面部にダミー部材を配置
し、さらに中間層を形成した円筒状部材の開口内面に直
流電源と接続する補助電極を挿入するように円筒状部材
を真空槽の内部に配置し、排気口から真空槽内を排気し
た後、ガス導入口から炭素を含むガスを真空槽内に導入
し、補助電極に直流正電圧を印加し、リアクトルを介し
て円筒状部材に直流電圧を印加して、プラズマを発生さ
せて円筒状部材に硬質カーボン膜を形成することを特徴
とする。
【００３０】〔作用〕本発明の円筒状部材内周面への硬
質カーボン膜の形成方法においては、円筒状部材に直流
電圧を印加するための直流電源と円筒状部材とのあいだ
に、コイルにて構成するリアクトルを介在させる。この
リアクトルを設けて硬質カーボン膜を形成すると、プラ
ズマ放電を安定させることができ、異常放電であるアー
ク放電は発生しない。
質カーボン膜の形成方法においては、円筒状部材に直流
電圧を印加するための直流電源と円筒状部材とのあいだ
に、コイルにて構成するリアクトルを介在させる。この
リアクトルを設けて硬質カーボン膜を形成すると、プラ
ズマ放電を安定させることができ、異常放電であるアー
ク放電は発生しない。
【００３１】このようにプラズマ放電開始の硬質カーボ
ン膜の被膜形成初期には、異常放電であるアーク放電は
発生しない。したがって、硬質カーボン膜の密着性を左
右する被膜形成初期に、異常放電であるアーク放電が円
筒状部材に発生せず、硬質カーボン膜の膜質や密着性を
向上させることができる。このため本発明の硬質カーボ
ン膜の形成方法においては、硬質カーボン膜が円筒状部
材から剥離するという現象は発生しない。
ン膜の被膜形成初期には、異常放電であるアーク放電は
発生しない。したがって、硬質カーボン膜の密着性を左
右する被膜形成初期に、異常放電であるアーク放電が円
筒状部材に発生せず、硬質カーボン膜の膜質や密着性を
向上させることができる。このため本発明の硬質カーボ
ン膜の形成方法においては、硬質カーボン膜が円筒状部
材から剥離するという現象は発生しない。
【００３２】このためプラズマ放電の不安定に起因す
る、円筒状部材の内周面に形成する硬質カーボン膜の膜
質劣化は、本発明では発生しない。この結果、硬質カー
ボン膜のもつ優れた特性を充分に発揮することが可能と
なる。したがって、円筒状部材の内周面に膜形成時間を
延長して、厚く硬質カーボン膜を形成しても、プラズマ
放電は安定で、円筒状部材に硬質カーボン膜を厚い膜厚
で形成することができる。この結果、本発明では円筒状
部材の長期使用に対する信頼性を向上させることができ
る。
る、円筒状部材の内周面に形成する硬質カーボン膜の膜
質劣化は、本発明では発生しない。この結果、硬質カー
ボン膜のもつ優れた特性を充分に発揮することが可能と
なる。したがって、円筒状部材の内周面に膜形成時間を
延長して、厚く硬質カーボン膜を形成しても、プラズマ
放電は安定で、円筒状部材に硬質カーボン膜を厚い膜厚
で形成することができる。この結果、本発明では円筒状
部材の長期使用に対する信頼性を向上させることができ
る。
【００３３】本発明の円筒状部材内周面への硬質カーボ
ン膜の形成方法においては、円筒状部材の開口内面の開
口の中央部に、接地電位または直流正電圧に接続する補
助電極を配置して硬質カーボン膜を形成する。そして円
筒状部材には、負の直流電圧を印加する。
ン膜の形成方法においては、円筒状部材の開口内面の開
口の中央部に、接地電位または直流正電圧に接続する補
助電極を配置して硬質カーボン膜を形成する。そして円
筒状部材には、負の直流電圧を印加する。
【００３４】その結果、同電位の電極どうしが対向して
いる円筒状部材開口内面に、接地電位または直流正電圧
に接続する補助電極を設けることとなり、同電位どうし
が対向することがなくなる。このような電位状態は、プ
ラスマ化学気相成長法にとってもっとも望ましい状態で
あり、異常放電であるホロー放電は発生しない。そのた
め、密着性の良好な硬質カーボン膜を円筒状部材に形成
することができる。
いる円筒状部材開口内面に、接地電位または直流正電圧
に接続する補助電極を設けることとなり、同電位どうし
が対向することがなくなる。このような電位状態は、プ
ラスマ化学気相成長法にとってもっとも望ましい状態で
あり、異常放電であるホロー放電は発生しない。そのた
め、密着性の良好な硬質カーボン膜を円筒状部材に形成
することができる。
【００３５】そのうえ、本発明の円筒状部材内周面への
硬質カーボン膜の形成方法においては、前述のように円
筒状部材の開口内面に補助電極を配置しており、円筒状
部材の長手方向の開口内面で、電位特性が均一になる。
この結果、円筒状部材の開口内面に形成する硬質カーボ
ン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開口奥側とで
均一な膜厚を形成することができるという効果ももつ。
硬質カーボン膜の形成方法においては、前述のように円
筒状部材の開口内面に補助電極を配置しており、円筒状
部材の長手方向の開口内面で、電位特性が均一になる。
この結果、円筒状部材の開口内面に形成する硬質カーボ
ン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開口奥側とで
均一な膜厚を形成することができるという効果ももつ。
【００３６】さらに本発明の円筒状部材内周面への硬質
カーボン膜の形成方法においては、円筒状部材に開口内
面に配置する補助電極に直流の正電圧を印加して硬質カ
ーボン膜を形成する手段を採用する。このように直流正
電圧を補助電極に印加すると、補助電極の周囲領域に電
子を集める効果を生じ、補助電極の周囲領域は電子密度
が高くなる。
カーボン膜の形成方法においては、円筒状部材に開口内
面に配置する補助電極に直流の正電圧を印加して硬質カ
ーボン膜を形成する手段を採用する。このように直流正
電圧を補助電極に印加すると、補助電極の周囲領域に電
子を集める効果を生じ、補助電極の周囲領域は電子密度
が高くなる。
【００３７】このように電子密度が高くなると、必然的
に炭素を含むガスと電子との衝突確率が増えて、ガス分
子のイオン化が促進されて、その補助電極の周囲領域の
プラズマ密度が高くなる。このため硬質カーボン膜の被
膜形成速度は、補助電極に直流正電圧を印加しないとき
と比較して高くなる。
に炭素を含むガスと電子との衝突確率が増えて、ガス分
子のイオン化が促進されて、その補助電極の周囲領域の
プラズマ密度が高くなる。このため硬質カーボン膜の被
膜形成速度は、補助電極に直流正電圧を印加しないとき
と比較して高くなる。
【００３８】さらに本発明の円筒状部材内周面への硬質
カーボン膜の形成方法においては、円筒状部材の端面部
にダミー部材を配置して被膜形成している。このダミー
部材は以下に記載する役割をもつ。円筒状部材の端面は
電荷が集中しやすく、内面部に比較してて開口端面領域
は電位が高い状態であるエッジ効果を生じる。ここで円
筒状部材の端面近傍領域のプラズマ強度は、ほかの領域
より大きく、しかも不安定である。さらに円筒状部材の
端面領域は内面のプラズマと外周部のプラズマとの双方
のプラズマの影響を受けることになる。
カーボン膜の形成方法においては、円筒状部材の端面部
にダミー部材を配置して被膜形成している。このダミー
部材は以下に記載する役割をもつ。円筒状部材の端面は
電荷が集中しやすく、内面部に比較してて開口端面領域
は電位が高い状態であるエッジ効果を生じる。ここで円
筒状部材の端面近傍領域のプラズマ強度は、ほかの領域
より大きく、しかも不安定である。さらに円筒状部材の
端面領域は内面のプラズマと外周部のプラズマとの双方
のプラズマの影響を受けることになる。
【００３９】そしてこのような状態で硬質カーボン膜を
形成すると、円筒状部材の開口端面から数ｍｍ奥側の領
域とほかの領域とでは、硬質カーボン膜の密着性が若干
異なり、さらに膜質も若干異なる。そこで円筒状部材の
開口端面にダミー部材を配置して硬質カーボン膜を形成
すれば、この膜質や密着性が異なる領域は円筒状部材の
内周面に形成されず、ダミー部材の開口内面に形成され
ることになる。したがって、このダミー部材を用いるこ
とによって、円筒状部材に形成する硬質カーボン膜の密
着性と膜質の向上を図ることができる。
形成すると、円筒状部材の開口端面から数ｍｍ奥側の領
域とほかの領域とでは、硬質カーボン膜の密着性が若干
異なり、さらに膜質も若干異なる。そこで円筒状部材の
開口端面にダミー部材を配置して硬質カーボン膜を形成
すれば、この膜質や密着性が異なる領域は円筒状部材の
内周面に形成されず、ダミー部材の開口内面に形成され
ることになる。したがって、このダミー部材を用いるこ
とによって、円筒状部材に形成する硬質カーボン膜の密
着性と膜質の向上を図ることができる。
【００４０】そのうえさらに円筒状部材内周面に形成す
る硬質カーボン膜は、黒色状の被膜であり、ダイヤモン
ドによく似た性質をもつ。すなわち硬質カーボン膜は、
高い機械的硬度や低い摩擦係数や良好な電気的絶縁性や
高い熱伝導率や高い耐腐食性という優れた特性をもつ。
このため本発明の円筒状部材は、内周面の摩耗を抑える
ことができ、長期使用にたいする信頼性を向上させるこ
とができる。
る硬質カーボン膜は、黒色状の被膜であり、ダイヤモン
ドによく似た性質をもつ。すなわち硬質カーボン膜は、
高い機械的硬度や低い摩擦係数や良好な電気的絶縁性や
高い熱伝導率や高い耐腐食性という優れた特性をもつ。
このため本発明の円筒状部材は、内周面の摩耗を抑える
ことができ、長期使用にたいする信頼性を向上させるこ
とができる。
【００４１】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明を実施
するための最良の実施形態における円筒状部材の内周面
への硬質カーボン膜の被膜形成方法を説明する。
するための最良の実施形態における円筒状部材の内周面
への硬質カーボン膜の被膜形成方法を説明する。
【００４２】〔硬質カーボン膜の形成方法の第１例：図
１〕円筒状部材内周面への硬質カーボン膜の形成方法に
おける実施形態を、図１を用いて説明する。図１は本発
明の実施形態における円筒状部材内周面への硬質カーボ
ン膜の形成方法を示す断面図である。
１〕円筒状部材内周面への硬質カーボン膜の形成方法に
おける実施形態を、図１を用いて説明する。図１は本発
明の実施形態における円筒状部材内周面への硬質カーボ
ン膜の形成方法を示す断面図である。
【００４３】図１に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５を有する真空槽６１内部に、その内周面に硬質カ
ーボン膜を形成する円筒状部材１１を配置する。円筒状
部材１１は、リアクトル５４を介して直流電源７３に接
続する。このリアクトル５４は銅（Ｃｕ）線を巻回して
構成し、そのリアクタンス値は１００ｍＨ程度に設定す
る。
口６５を有する真空槽６１内部に、その内周面に硬質カ
ーボン膜を形成する円筒状部材１１を配置する。円筒状
部材１１は、リアクトル５４を介して直流電源７３に接
続する。このリアクトル５４は銅（Ｃｕ）線を巻回して
構成し、そのリアクタンス値は１００ｍＨ程度に設定す
る。
【００４４】そして円筒状部材１１の開口内面には、接
地電位に接続する補助電極７１を挿入するように設け
る。このとき補助電極７１は、円筒状部材１１の開口中
央部になるように配置する。なおこの図１では図示して
いないが、円筒状部材１１は真空槽６１の底面に、支持
部材によって支持されている。
地電位に接続する補助電極７１を挿入するように設け
る。このとき補助電極７１は、円筒状部材１１の開口中
央部になるように配置する。なおこの図１では図示して
いないが、円筒状部材１１は真空槽６１の底面に、支持
部材によって支持されている。
【００４５】そして真空槽６１内を真空度が３×１０-5
ｔｏｒｒ以下になるように、図示しない排気手段によっ
て排気口６５から真空排気する。その後、ガス導入口６
３から炭素を含むガスとしてベンゼン（Ｃ6 Ｈ6 ）を真
空槽６１内に導入して、真空槽６１内の圧力を５×１０
-3ｔｏｒｒになるように制御する。
ｔｏｒｒ以下になるように、図示しない排気手段によっ
て排気口６５から真空排気する。その後、ガス導入口６
３から炭素を含むガスとしてベンゼン（Ｃ6 Ｈ6 ）を真
空槽６１内に導入して、真空槽６１内の圧力を５×１０
-3ｔｏｒｒになるように制御する。
【００４６】その後、円筒状部材１１には直流電源７３
に直列接続したリアクトル５４を介して直流電源７３か
ら直流電圧を印加し、さらにアノード７９にはアノード
電源７５から直流電圧を印加し、さらにフィラメント８
１にはフィラメント電源７７から交流電圧を印加する。
に直列接続したリアクトル５４を介して直流電源７３か
ら直流電圧を印加し、さらにアノード７９にはアノード
電源７５から直流電圧を印加し、さらにフィラメント８
１にはフィラメント電源７７から交流電圧を印加する。
【００４７】このとき、直流電源７３から円筒状部材１
１に印加する直流電圧はマイナス３ｋＶを印加し、さら
にアノード電源７５からアノード７９に印加する直流電
圧はプラス５０Ｖを印加する。さらにフィラメント電源
７７からフィラメント８１に印加する電圧は３０Ａの電
流が流れるように１０Ｖの交流電圧を印加する。すると
真空槽６１内の円筒状部材１１の周囲領域にプラズマが
発生して、円筒状部材１１の内周面に硬質カーボン膜を
形成している。このとき硬質カーボン膜は１μｍから５
μｍの膜厚で形成する。
１に印加する直流電圧はマイナス３ｋＶを印加し、さら
にアノード電源７５からアノード７９に印加する直流電
圧はプラス５０Ｖを印加する。さらにフィラメント電源
７７からフィラメント８１に印加する電圧は３０Ａの電
流が流れるように１０Ｖの交流電圧を印加する。すると
真空槽６１内の円筒状部材１１の周囲領域にプラズマが
発生して、円筒状部材１１の内周面に硬質カーボン膜を
形成している。このとき硬質カーボン膜は１μｍから５
μｍの膜厚で形成する。
【００４８】このように本発明の硬質カーボン膜の形成
方法では、円筒状部材１１と直流電源７３とのあいだに
リアクトル５４を設け、円筒状部材１１の内周面に硬質
カーボン膜を形成している。このリアクトル５４を設け
ることにより、本発明においては、プラズマ放電を安定
させることができる。さらに硬質カーボン膜の膜質を左
右する被膜形成初期に、異常放電であるアーク放電が円
筒状部材１１に発生せず、硬質カーボン膜の膜質や密着
性を向上させることができる。
方法では、円筒状部材１１と直流電源７３とのあいだに
リアクトル５４を設け、円筒状部材１１の内周面に硬質
カーボン膜を形成している。このリアクトル５４を設け
ることにより、本発明においては、プラズマ放電を安定
させることができる。さらに硬質カーボン膜の膜質を左
右する被膜形成初期に、異常放電であるアーク放電が円
筒状部材１１に発生せず、硬質カーボン膜の膜質や密着
性を向上させることができる。
【００４９】この円筒状部材１１の開口内面に挿入する
ように配置する補助電極７１によって、開口内面領域に
おいては、同電位どうしが対向することがなくなる。こ
のため、本発明では異常放電であるホロー放電の発生は
なく、円筒状部材１１の開口内面に形成する硬質カーボ
ン膜の密着性が向上する。さらに円筒状部材１１の長手
方向の開口内面では補助電極７１により、電位特性が均
一になり、開口内面に形成する硬質カーボン膜の膜厚分
布の発生がない。このため本発明の円筒状部材１１は、
開口端面と開口奥側とで均一な膜厚を形成することがで
きる。
ように配置する補助電極７１によって、開口内面領域に
おいては、同電位どうしが対向することがなくなる。こ
のため、本発明では異常放電であるホロー放電の発生は
なく、円筒状部材１１の開口内面に形成する硬質カーボ
ン膜の密着性が向上する。さらに円筒状部材１１の長手
方向の開口内面では補助電極７１により、電位特性が均
一になり、開口内面に形成する硬質カーボン膜の膜厚分
布の発生がない。このため本発明の円筒状部材１１は、
開口端面と開口奥側とで均一な膜厚を形成することがで
きる。
【００５０】この補助電極７１は、円筒状部材１１の開
口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程度の
隙間であるプラズマ形成領域を設けるようにする。この
補助電極７１の径と円筒状部材１１の内周面１１ｂの径
の寸法比を１／１０以下にすることが望ましく、補助電
極７１を細くするときは線状にすることもできる。そし
てこの補助電極７１は、ステンレスのような金属材料や
タングステン（Ｗ）またはタンタル（Ｔａ）のような高
融点の金属材料で形成すればよい。
口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程度の
隙間であるプラズマ形成領域を設けるようにする。この
補助電極７１の径と円筒状部材１１の内周面１１ｂの径
の寸法比を１／１０以下にすることが望ましく、補助電
極７１を細くするときは線状にすることもできる。そし
てこの補助電極７１は、ステンレスのような金属材料や
タングステン（Ｗ）またはタンタル（Ｔａ）のような高
融点の金属材料で形成すればよい。
【００５１】さらにこの補助電極７１の断面形状は円形
状とする。そして、円筒状部材１１に補助電極７１を挿
入したとき、円筒状部材１１の開口端面と揃えるような
長さとするか、あるいは円筒状部材１１端面から補助電
極７１を突出するような長さとするか、あるいは円筒状
部材１１端面より突出せず端面から１ｍｍ〜２ｍｍ奥側
になるような長さとなるように構成する。
状とする。そして、円筒状部材１１に補助電極７１を挿
入したとき、円筒状部材１１の開口端面と揃えるような
長さとするか、あるいは円筒状部材１１端面から補助電
極７１を突出するような長さとするか、あるいは円筒状
部材１１端面より突出せず端面から１ｍｍ〜２ｍｍ奥側
になるような長さとなるように構成する。
【００５２】〔硬質カーボン膜の形成方法の第２例：図
２〕つぎに円筒状部材内周面への硬質カーボン膜の形成
方法における実施形態を、図２を用いて説明する。図２
は本発明の実施形態における円筒状部材内周面への硬質
カーボン膜の形成方法を示す断面図である。
２〕つぎに円筒状部材内周面への硬質カーボン膜の形成
方法における実施形態を、図２を用いて説明する。図２
は本発明の実施形態における円筒状部材内周面への硬質
カーボン膜の形成方法を示す断面図である。
【００５３】図２に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５を有する真空槽６１内部に、その内周面に硬質カ
ーボン膜を形成する円筒状部材１１を配置する。円筒状
部材１１は、リアクトル５４を介して直流電源７３に接
続する。このリアクトル５４は、銅（Ｃｕ）線を巻回し
て構成し、そのリアクタンス値は１００ｍＨ程度に設定
する。
口６５を有する真空槽６１内部に、その内周面に硬質カ
ーボン膜を形成する円筒状部材１１を配置する。円筒状
部材１１は、リアクトル５４を介して直流電源７３に接
続する。このリアクトル５４は、銅（Ｃｕ）線を巻回し
て構成し、そのリアクタンス値は１００ｍＨ程度に設定
する。
【００５４】そして円筒状部材１１の開口内面には、図
２に示すように、接地電位に接続する補助電極７１を挿
入するように設ける。このとき補助電極７１は、円筒状
部材１１の開口中央部になるように配置する。なおこの
図２では図示していないが、円筒状部材１１は真空槽６
１の底面に、支持部材によって支持されている。
２に示すように、接地電位に接続する補助電極７１を挿
入するように設ける。このとき補助電極７１は、円筒状
部材１１の開口中央部になるように配置する。なおこの
図２では図示していないが、円筒状部材１１は真空槽６
１の底面に、支持部材によって支持されている。
【００５５】そして排気口６５から真空槽６１内を、真
空度が３×１０-5ｔｏｒｒ以下になるように、図示しな
い排気手段によって真空排気する。その後、ガス導入口
６３から炭素を含むガスとしてメタンガス（ＣＨ4 ）を
真空槽６１内に導入し、真空度を０．１ｔｏｒｒになる
ように調整する。
空度が３×１０-5ｔｏｒｒ以下になるように、図示しな
い排気手段によって真空排気する。その後、ガス導入口
６３から炭素を含むガスとしてメタンガス（ＣＨ4 ）を
真空槽６１内に導入し、真空度を０．１ｔｏｒｒになる
ように調整する。
【００５６】そして円筒状部材１１には、リアクトル５
４を介して直流電源７３からマイナス６００Ｖの直流負
電圧を印加する。さらに円筒状部材１１の開口内面でし
かも開口中央部には、接地電位に接続する補助電極７１
を挿入するように配置して、プラズマを発生させて、円
筒状部材１１の内周面に硬質カーボン膜１５を形成して
いる。このとき硬質カーボン膜は１μｍから５μｍの膜
厚で形成する。
４を介して直流電源７３からマイナス６００Ｖの直流負
電圧を印加する。さらに円筒状部材１１の開口内面でし
かも開口中央部には、接地電位に接続する補助電極７１
を挿入するように配置して、プラズマを発生させて、円
筒状部材１１の内周面に硬質カーボン膜１５を形成して
いる。このとき硬質カーボン膜は１μｍから５μｍの膜
厚で形成する。
【００５７】このように本発明の硬質カーボン膜の形成
方法では、円筒状部材１１と直流電源７３とのあいだに
リアクトル５４を設け、円筒状部材１１の内周面に硬質
カーボン膜を形成している。このリアクトル５４を設け
ることにより、本発明においては、プラズマ放電を安定
させることができる。さらに硬質カーボン膜の膜質を左
右する被膜形成初期に、異常放電であるアーク放電が円
筒状部材１１に発生せず、硬質カーボン膜の膜質や密着
性を向上させることができる。
方法では、円筒状部材１１と直流電源７３とのあいだに
リアクトル５４を設け、円筒状部材１１の内周面に硬質
カーボン膜を形成している。このリアクトル５４を設け
ることにより、本発明においては、プラズマ放電を安定
させることができる。さらに硬質カーボン膜の膜質を左
右する被膜形成初期に、異常放電であるアーク放電が円
筒状部材１１に発生せず、硬質カーボン膜の膜質や密着
性を向上させることができる。
【００５８】この円筒状部材１１の開口内面に挿入する
ように配置する補助電極７１によって、開口内面領域に
おいては同電位どうしが対向することがなくなる。この
ため、異常放電であるホロー放電の発生はなく、円筒状
部材１１の開口内面に形成する硬質カーボン膜の密着性
が向上する。さらに円筒状部材１１の長手方向の開口内
面で、電位特性が均一になり、開口内面に形成する硬質
カーボン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開口奥
側とで均一な膜厚を形成することができる。
ように配置する補助電極７１によって、開口内面領域に
おいては同電位どうしが対向することがなくなる。この
ため、異常放電であるホロー放電の発生はなく、円筒状
部材１１の開口内面に形成する硬質カーボン膜の密着性
が向上する。さらに円筒状部材１１の長手方向の開口内
面で、電位特性が均一になり、開口内面に形成する硬質
カーボン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開口奥
側とで均一な膜厚を形成することができる。
【００５９】この補助電極７１は、円筒状部材１１の開
口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程度の
隙間であるプラズマ形成領域を設けるようにする。この
補助電極７１の径と円筒状部材１１の内周面１１ｂの径
の寸法比を１／１０以下にすることが望ましく、補助電
極７１を細くするときは線状にすることもできる。そし
てこの補助電極７１は、ステンレスのような金属材料や
タングステン（Ｗ）またはタンタル（Ｔａ）のような高
融点の金属材料で形成すればよい。
口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程度の
隙間であるプラズマ形成領域を設けるようにする。この
補助電極７１の径と円筒状部材１１の内周面１１ｂの径
の寸法比を１／１０以下にすることが望ましく、補助電
極７１を細くするときは線状にすることもできる。そし
てこの補助電極７１は、ステンレスのような金属材料や
タングステン（Ｗ）またはタンタル（Ｔａ）のような高
融点の金属材料で形成すればよい。
【００６０】さらにこの補助電極７１の断面形状は円形
状とし、円筒状部材１１に補助電極７１を挿入したと
き、円筒状部材１１の開口端面と揃えるような長さとす
るか、あるいは円筒状部材１１端面から補助電極７１を
突出するような長さとするか、あるいは円筒状部材１１
端面より突出せず端面から１ｍｍ〜２ｍｍ奥側になるよ
うな長さとなるように構成する。
状とし、円筒状部材１１に補助電極７１を挿入したと
き、円筒状部材１１の開口端面と揃えるような長さとす
るか、あるいは円筒状部材１１端面から補助電極７１を
突出するような長さとするか、あるいは円筒状部材１１
端面より突出せず端面から１ｍｍ〜２ｍｍ奥側になるよ
うな長さとなるように構成する。
【００６１】〔硬質カーボン膜の形成方法の第３例：図
３〕円筒状部材内周面への硬質カーボン膜の形成方法に
おける実施形態を、図３を用いて説明する。図３は本発
明の実施形態における円筒状部材内周面への硬質カーボ
ン膜の形成方法を示す断面図である。
３〕円筒状部材内周面への硬質カーボン膜の形成方法に
おける実施形態を、図３を用いて説明する。図３は本発
明の実施形態における円筒状部材内周面への硬質カーボ
ン膜の形成方法を示す断面図である。
【００６２】図３に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５を有する真空槽６１内部に、その内周面に硬質カ
ーボン膜を形成する円筒状部材１１を配置する。円筒状
部材１１は、リアクトル５４を介して直流電源７３に接
続する。このリアクトル５４は銅（Ｃｕ）線を巻回して
構成し、そのリアクタンス値は１００ｍＨ程度に設定す
る。
口６５を有する真空槽６１内部に、その内周面に硬質カ
ーボン膜を形成する円筒状部材１１を配置する。円筒状
部材１１は、リアクトル５４を介して直流電源７３に接
続する。このリアクトル５４は銅（Ｃｕ）線を巻回して
構成し、そのリアクタンス値は１００ｍＨ程度に設定す
る。
【００６３】そして円筒状部材１１の開口端面には、ダ
ミー部材５３を配置する。このダミー部材５３は、円柱
状の形状を有し、その中心に円筒状部材１１の内周面の
開口寸法とほぼおなじ内径寸法の開口を設ける。このダ
ミー部材５３の外径寸法は、円筒状部材１１の外径寸法
の大きさと同じ大きさとする。つまりダミー部材５３は
リング状の形状を有する。
ミー部材５３を配置する。このダミー部材５３は、円柱
状の形状を有し、その中心に円筒状部材１１の内周面の
開口寸法とほぼおなじ内径寸法の開口を設ける。このダ
ミー部材５３の外径寸法は、円筒状部材１１の外径寸法
の大きさと同じ大きさとする。つまりダミー部材５３は
リング状の形状を有する。
【００６４】そして円筒状部材１１の開口内面には、接
地電位に接続する補助電極７１を挿入するように配置す
る。このとき補助電極７１は、円筒状部材１１とダミー
部材５３の開口中央部になるように配置する。なおこの
図３では図示していないが、円筒状部材１１とダミー部
材５３は真空槽６１の底面に、支持部材によって支持さ
れている。
地電位に接続する補助電極７１を挿入するように配置す
る。このとき補助電極７１は、円筒状部材１１とダミー
部材５３の開口中央部になるように配置する。なおこの
図３では図示していないが、円筒状部材１１とダミー部
材５３は真空槽６１の底面に、支持部材によって支持さ
れている。
【００６５】そして真空槽６１内を真空度が３×１０-5
ｔｏｒｒ以下になるように、図示しない排気手段によっ
て排気口６５から真空排気する。その後、ガス導入口６
３から炭素を含むガスとしてベンゼン（Ｃ6 Ｈ6 ）を真
空槽６１内に導入して、真空槽６１内の圧力を５×１０
-3ｔｏｒｒになるように制御する。
ｔｏｒｒ以下になるように、図示しない排気手段によっ
て排気口６５から真空排気する。その後、ガス導入口６
３から炭素を含むガスとしてベンゼン（Ｃ6 Ｈ6 ）を真
空槽６１内に導入して、真空槽６１内の圧力を５×１０
-3ｔｏｒｒになるように制御する。
【００６６】その後、円筒状部材１１には直流電源７３
に直列接続したリアクトル５４を介して直流電源７３か
ら直流電圧を印加し、さらにアノード７９にはアノード
電源７５から直流電圧を印加し、さらにフィラメント８
１にはフィラメント電源７７から交流電圧を印加する。
に直列接続したリアクトル５４を介して直流電源７３か
ら直流電圧を印加し、さらにアノード７９にはアノード
電源７５から直流電圧を印加し、さらにフィラメント８
１にはフィラメント電源７７から交流電圧を印加する。
【００６７】このとき、直流電源７３から円筒状部材１
１に印加する直流電圧はマイナス３ｋＶを印加し、さら
にアノード電源７５からアノード７９に印加する直流電
圧はプラス５０Ｖを印加する。さらにフィラメント電源
７７からフィラメント８１に印加する電圧は３０Ａの電
流が流れるように１０Ｖの交流電圧を印加する。すると
真空槽６１内の円筒状部材１１の周囲領域にプラズマが
発生して、円筒状部材１１の内周面に硬質カーボン膜を
形成している。このとき硬質カーボン膜は１μｍから５
μｍの膜厚で形成する。
１に印加する直流電圧はマイナス３ｋＶを印加し、さら
にアノード電源７５からアノード７９に印加する直流電
圧はプラス５０Ｖを印加する。さらにフィラメント電源
７７からフィラメント８１に印加する電圧は３０Ａの電
流が流れるように１０Ｖの交流電圧を印加する。すると
真空槽６１内の円筒状部材１１の周囲領域にプラズマが
発生して、円筒状部材１１の内周面に硬質カーボン膜を
形成している。このとき硬質カーボン膜は１μｍから５
μｍの膜厚で形成する。
【００６８】このように本発明の硬質カーボン膜の形成
方法では、円筒状部材１１と直流電源７３とのあいだに
リアクトル５４を設け、円筒状部材１１の内周面に硬質
カーボン膜を形成している。このリアクトル５４を設け
ることにより、本発明においては、プラズマ放電を安定
させることができる。さらに硬質カーボン膜の膜質を左
右する被膜形成初期に、異常放電であるアーク放電が円
筒状部材１１に発生せず、硬質カーボン膜の膜質や密着
性を向上させることができる。
方法では、円筒状部材１１と直流電源７３とのあいだに
リアクトル５４を設け、円筒状部材１１の内周面に硬質
カーボン膜を形成している。このリアクトル５４を設け
ることにより、本発明においては、プラズマ放電を安定
させることができる。さらに硬質カーボン膜の膜質を左
右する被膜形成初期に、異常放電であるアーク放電が円
筒状部材１１に発生せず、硬質カーボン膜の膜質や密着
性を向上させることができる。
【００６９】この円筒状部材１１の開口内面に挿入する
ように配置する補助電極７１によって、開口内面領域に
おいては、同電位どうしが対向することがなくなる。こ
のため、本発明では異常放電であるホロー放電の発生は
なく、円筒状部材１１の開口内面に形成する硬質カーボ
ン膜の密着性が向上する。さらに円筒状部材１１の長手
方向の開口内面では補助電極７１により、電位特性が均
一になり、開口内面に形成する硬質カーボン膜の膜厚分
布の発生がない。このため本発明の円筒状部材１１は、
開口端面と開口奥側とで均一な膜厚を形成することがで
きる。
ように配置する補助電極７１によって、開口内面領域に
おいては、同電位どうしが対向することがなくなる。こ
のため、本発明では異常放電であるホロー放電の発生は
なく、円筒状部材１１の開口内面に形成する硬質カーボ
ン膜の密着性が向上する。さらに円筒状部材１１の長手
方向の開口内面では補助電極７１により、電位特性が均
一になり、開口内面に形成する硬質カーボン膜の膜厚分
布の発生がない。このため本発明の円筒状部材１１は、
開口端面と開口奥側とで均一な膜厚を形成することがで
きる。
【００７０】この補助電極７１は、円筒状部材１１の開
口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程度の
隙間であるプラズマ形成領域を設けるようにする。この
補助電極７１の径と円筒状部材１１の内周面１１ｂの径
の寸法比を１／１０以下にすることが望ましく、補助電
極７１を細くするときは線状にすることもできる。そし
てこの補助電極７１は、ステンレスのような金属材料や
タングステン（Ｗ）またはタンタル（Ｔａ）のような高
融点の金属材料で形成すればよい。
口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程度の
隙間であるプラズマ形成領域を設けるようにする。この
補助電極７１の径と円筒状部材１１の内周面１１ｂの径
の寸法比を１／１０以下にすることが望ましく、補助電
極７１を細くするときは線状にすることもできる。そし
てこの補助電極７１は、ステンレスのような金属材料や
タングステン（Ｗ）またはタンタル（Ｔａ）のような高
融点の金属材料で形成すればよい。
【００７１】さらにこの補助電極７１の断面形状は円形
状とする。そして、円筒状部材１１に補助電極７１を挿
入したとき、ダミー部材５３の開口端面と揃えるような
長さとするか、あるいはダミー部材５３端面から補助電
極７１を突出するような長さとするか、あるいはダミー
部材５３端面より突出せず端面から１ｍｍ〜２ｍｍ奥側
になるような長さとなるように構成する。
状とする。そして、円筒状部材１１に補助電極７１を挿
入したとき、ダミー部材５３の開口端面と揃えるような
長さとするか、あるいはダミー部材５３端面から補助電
極７１を突出するような長さとするか、あるいはダミー
部材５３端面より突出せず端面から１ｍｍ〜２ｍｍ奥側
になるような長さとなるように構成する。
【００７２】さらに前述のように円筒状部材１１の開口
端面にはダミー部材５３を配置している。そして前述の
ように、このダミー部材５３の中心部の開口大きさと、
円筒状部材１１の開口大きさとはほぼ同じ大きさとして
いる。このダミー部材５３は以下に記載する役割を果た
す。すなわち、図３に示す硬質カーボン膜の形成方法に
おいては、円筒状部材１１の内面と円筒状部材１１の外
周部とにプラズマが発生する。
端面にはダミー部材５３を配置している。そして前述の
ように、このダミー部材５３の中心部の開口大きさと、
円筒状部材１１の開口大きさとはほぼ同じ大きさとして
いる。このダミー部材５３は以下に記載する役割を果た
す。すなわち、図３に示す硬質カーボン膜の形成方法に
おいては、円筒状部材１１の内面と円筒状部材１１の外
周部とにプラズマが発生する。
【００７３】そして円筒状部材１１の端面は電荷が集中
しやすく、円筒状部材１１の内面に比らべて円筒状部材
１１の端面領域は電荷が高い状態、いわゆるエッジ効果
が発生する。ここで円筒状部材１１端面近傍のプラズマ
強度はほかの領域より大きく、しかも不安定でもある。
さらに円筒状部材１１の端部領域は、円筒状部材内面の
プラズマと円筒状部材外周部のプラズマとの双方のプラ
ズマの影響を受けることになる。
しやすく、円筒状部材１１の内面に比らべて円筒状部材
１１の端面領域は電荷が高い状態、いわゆるエッジ効果
が発生する。ここで円筒状部材１１端面近傍のプラズマ
強度はほかの領域より大きく、しかも不安定でもある。
さらに円筒状部材１１の端部領域は、円筒状部材内面の
プラズマと円筒状部材外周部のプラズマとの双方のプラ
ズマの影響を受けることになる。
【００７４】そしてこのような状態で硬質カーボン膜を
形成すると、円筒状部材１１の開口端面から数ｍｍ奥側
の領域と他の領域とでは、硬質カーボン膜の密着性が若
干劣り、さらに膜質も若干異なる。そこで円筒状部材１
１の開口端面にダミー部材５３を配置して硬質カーボン
膜を形成すれば、この膜質や密着性が異なる領域は円筒
状部材１１内面に形成されず、ダミー部材５３の開口内
面に形成されることになる。
形成すると、円筒状部材１１の開口端面から数ｍｍ奥側
の領域と他の領域とでは、硬質カーボン膜の密着性が若
干劣り、さらに膜質も若干異なる。そこで円筒状部材１
１の開口端面にダミー部材５３を配置して硬質カーボン
膜を形成すれば、この膜質や密着性が異なる領域は円筒
状部材１１内面に形成されず、ダミー部材５３の開口内
面に形成されることになる。
【００７５】図３に示すような装置を用いて硬質カーボ
ン膜を形成したときは、実験によれば円筒状部材１１の
開口端面から４ｍｍ程度奥側に、幅寸法が１ｍｍから２
ｍｍの膜質や密着性が異なる領域が形成された。そこで
円筒状部材１１の開口寸法とほぼ同じ開口寸法をもち、
長さ寸法が１０ｍｍのダミー部材５３を円筒状部材１１
の開口端面に配置して、前述の硬質カーボン膜の形成条
件で被膜形成を行った。この結果、膜質や密着性が異な
る領域はダミー部材５３に形成され、円筒状部材１１の
内面には膜質や密着性が異なる領域はまったく形成され
なかった。なおダミー部材５３を円筒状部材１１の開口
端面に配置することを省略してもその影響が小さいとき
は、ダミー部材は使用しなくてもよい。
ン膜を形成したときは、実験によれば円筒状部材１１の
開口端面から４ｍｍ程度奥側に、幅寸法が１ｍｍから２
ｍｍの膜質や密着性が異なる領域が形成された。そこで
円筒状部材１１の開口寸法とほぼ同じ開口寸法をもち、
長さ寸法が１０ｍｍのダミー部材５３を円筒状部材１１
の開口端面に配置して、前述の硬質カーボン膜の形成条
件で被膜形成を行った。この結果、膜質や密着性が異な
る領域はダミー部材５３に形成され、円筒状部材１１の
内面には膜質や密着性が異なる領域はまったく形成され
なかった。なおダミー部材５３を円筒状部材１１の開口
端面に配置することを省略してもその影響が小さいとき
は、ダミー部材は使用しなくてもよい。
【００７６】〔硬質カーボン膜の形成方法の第４例：図
４〕つぎに円筒状部材内周面への硬質カーボン膜の形成
方法における実施形態を、図４を用いて説明する。図４
は本発明の実施形態における円筒状部材内周面への硬質
カーボン膜の形成方法を示す断面図である。
４〕つぎに円筒状部材内周面への硬質カーボン膜の形成
方法における実施形態を、図４を用いて説明する。図４
は本発明の実施形態における円筒状部材内周面への硬質
カーボン膜の形成方法を示す断面図である。
【００７７】図４に示すように、ガス導入口６３と排気
口６５を有する真空槽６１内部に、その内周面に硬質カ
ーボン膜を形成する円筒状部材１１を配置する。円筒状
部材１１は、リアクトル５４を介して直流電源７３に接
続する。このリアクトル５４は、銅（Ｃｕ）線を巻回し
て構成し、そのリアクタンス値は１００ｍＨ程度に設定
する。
口６５を有する真空槽６１内部に、その内周面に硬質カ
ーボン膜を形成する円筒状部材１１を配置する。円筒状
部材１１は、リアクトル５４を介して直流電源７３に接
続する。このリアクトル５４は、銅（Ｃｕ）線を巻回し
て構成し、そのリアクタンス値は１００ｍＨ程度に設定
する。
【００７８】そして円筒状部材１１の開口端面には、ダ
ミー部材５３を配置する。このダミー部材５３は、円柱
状の形状を有し、その中心に円筒状部材１１の内周面の
開口寸法とほぼおなじ内径寸法の開口を設ける。このダ
ミー部材５３の外径寸法は、円筒状部材１１の外径寸法
の大きさと同じ大きさとする。つまりダミー部材５３は
リング状の形状を有する。
ミー部材５３を配置する。このダミー部材５３は、円柱
状の形状を有し、その中心に円筒状部材１１の内周面の
開口寸法とほぼおなじ内径寸法の開口を設ける。このダ
ミー部材５３の外径寸法は、円筒状部材１１の外径寸法
の大きさと同じ大きさとする。つまりダミー部材５３は
リング状の形状を有する。
【００７９】そして円筒状部材１１の開口内面には、図
４に示すように、接地電位に接続する補助電極７１を挿
入するように設ける。このとき補助電極７１は、円筒状
部材１１とダミー部材５３の開口中央部になるように配
置する。なおこの図４では図示していないが、円筒状部
材１１とダミー部材５３は真空槽６１の底面に、支持部
材によって支持されている。
４に示すように、接地電位に接続する補助電極７１を挿
入するように設ける。このとき補助電極７１は、円筒状
部材１１とダミー部材５３の開口中央部になるように配
置する。なおこの図４では図示していないが、円筒状部
材１１とダミー部材５３は真空槽６１の底面に、支持部
材によって支持されている。
【００８０】そして排気口６５から真空槽６１内を、真
空度が３×１０-5ｔｏｒｒ以下になるように、図示しな
い排気手段によって真空排気する。その後、ガス導入口
６３から炭素を含むガスとしてメタンガス（ＣＨ4 ）を
真空槽６１内に導入し、真空度を０．１ｔｏｒｒになる
ように調整する。
空度が３×１０-5ｔｏｒｒ以下になるように、図示しな
い排気手段によって真空排気する。その後、ガス導入口
６３から炭素を含むガスとしてメタンガス（ＣＨ4 ）を
真空槽６１内に導入し、真空度を０．１ｔｏｒｒになる
ように調整する。
【００８１】そして円筒状部材１１には、リアクトル５
４を介して直流電源７３からマイナス６００Ｖの直流負
電圧を印加する。さらに円筒状部材１１の開口内面でし
かも開口中央部には、接地電位に接続する補助電極７１
を挿入するように配置して、プラズマを発生させて、円
筒状部材１１の内周面に硬質カーボン膜１５を形成して
いる。このとき硬質カーボン膜は１μｍから５μｍの膜
厚で形成する。
４を介して直流電源７３からマイナス６００Ｖの直流負
電圧を印加する。さらに円筒状部材１１の開口内面でし
かも開口中央部には、接地電位に接続する補助電極７１
を挿入するように配置して、プラズマを発生させて、円
筒状部材１１の内周面に硬質カーボン膜１５を形成して
いる。このとき硬質カーボン膜は１μｍから５μｍの膜
厚で形成する。
【００８２】このように本発明の硬質カーボン膜の形成
方法では、円筒状部材１１と直流電源７３とのあいだに
リアクトル５４を設け、円筒状部材１１の内周面に硬質
カーボン膜を形成している。このリアクトル５４を設け
ることにより、本発明においては、プラズマ放電を安定
させることができる。さらに硬質カーボン膜の膜質を左
右する被膜形成初期に、異常放電であるアーク放電が円
筒状部材１１に発生せず、硬質カーボン膜の膜質や密着
性を向上させることができる。
方法では、円筒状部材１１と直流電源７３とのあいだに
リアクトル５４を設け、円筒状部材１１の内周面に硬質
カーボン膜を形成している。このリアクトル５４を設け
ることにより、本発明においては、プラズマ放電を安定
させることができる。さらに硬質カーボン膜の膜質を左
右する被膜形成初期に、異常放電であるアーク放電が円
筒状部材１１に発生せず、硬質カーボン膜の膜質や密着
性を向上させることができる。
【００８３】この円筒状部材１１の開口内面に挿入する
ように配置する補助電極７１によって、開口内面領域に
おいては同電位どうしが対向することがなくなる。この
ため、異常放電であるホロー放電の発生はなく、円筒状
部材１１の開口内面に形成する硬質カーボン膜の密着性
が向上する。さらに円筒状部材１１の長手方向の開口内
面で、電位特性が均一になり、開口内面に形成する硬質
カーボン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開口奥
側とで均一な膜厚を形成することができる。
ように配置する補助電極７１によって、開口内面領域に
おいては同電位どうしが対向することがなくなる。この
ため、異常放電であるホロー放電の発生はなく、円筒状
部材１１の開口内面に形成する硬質カーボン膜の密着性
が向上する。さらに円筒状部材１１の長手方向の開口内
面で、電位特性が均一になり、開口内面に形成する硬質
カーボン膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開口奥
側とで均一な膜厚を形成することができる。
【００８４】この補助電極７１は、円筒状部材１１の開
口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程度の
隙間であるプラズマ形成領域を設けるようにする。この
補助電極７１の径と円筒状部材１１の内周面１１ｂの径
の寸法比を１／１０以下にすることが望ましく、補助電
極７１を細くするときは線状にすることもできる。そし
てこの補助電極７１は、ステンレスのような金属材料や
タングステン（Ｗ）またはタンタル（Ｔａ）のような高
融点の金属材料で形成すればよい。
口大きさより小さければよく、好ましくは４ｍｍ程度の
隙間であるプラズマ形成領域を設けるようにする。この
補助電極７１の径と円筒状部材１１の内周面１１ｂの径
の寸法比を１／１０以下にすることが望ましく、補助電
極７１を細くするときは線状にすることもできる。そし
てこの補助電極７１は、ステンレスのような金属材料や
タングステン（Ｗ）またはタンタル（Ｔａ）のような高
融点の金属材料で形成すればよい。
【００８５】さらにこの補助電極７１の断面形状は円形
状とし、円筒状部材１１に補助電極７１を挿入したと
き、ダミー部材５３の開口端面と揃えるような長さとす
るか、あるいはダミー部材５３端面から補助電極７１を
突出するような長さとするか、あるいはダミー部材５３
端面より突出せず端面から１ｍｍ〜２ｍｍ奥側になるよ
うな長さとなるように構成する。
状とし、円筒状部材１１に補助電極７１を挿入したと
き、ダミー部材５３の開口端面と揃えるような長さとす
るか、あるいはダミー部材５３端面から補助電極７１を
突出するような長さとするか、あるいはダミー部材５３
端面より突出せず端面から１ｍｍ〜２ｍｍ奥側になるよ
うな長さとなるように構成する。
【００８６】さらに前述のように円筒状部材１１の開口
端面にはダミー部材５３を配置している。そして前述の
ように、このダミー部材５３の中心部の開口大きさと、
円筒状部材１１の開口大きさとはほぼ同じ大きさとして
いる。このダミー部材５３は以下に記載する役割を果た
す。すなわち、図４に示す硬質カーボン膜の形成方法に
おいては、円筒状部材１１の内面と円筒状部材１１の外
周部とにプラズマが発生する。
端面にはダミー部材５３を配置している。そして前述の
ように、このダミー部材５３の中心部の開口大きさと、
円筒状部材１１の開口大きさとはほぼ同じ大きさとして
いる。このダミー部材５３は以下に記載する役割を果た
す。すなわち、図４に示す硬質カーボン膜の形成方法に
おいては、円筒状部材１１の内面と円筒状部材１１の外
周部とにプラズマが発生する。
【００８７】そして円筒状部材１１の端面は電荷が集中
しやすく、円筒状部材１１の内面に比らべて円筒状部材
１１の端面領域は電荷が高い状態、いわゆるエッジ効果
が発生する。ここで円筒状部材１１端面近傍のプラズマ
強度はほかの領域より大きく、しかも不安定でもある。
さらに円筒状部材１１の端部領域は、円筒状部材内面の
プラズマと円筒状部材外周部のプラズマとの双方のプラ
ズマの影響を受けることになる。
しやすく、円筒状部材１１の内面に比らべて円筒状部材
１１の端面領域は電荷が高い状態、いわゆるエッジ効果
が発生する。ここで円筒状部材１１端面近傍のプラズマ
強度はほかの領域より大きく、しかも不安定でもある。
さらに円筒状部材１１の端部領域は、円筒状部材内面の
プラズマと円筒状部材外周部のプラズマとの双方のプラ
ズマの影響を受けることになる。
【００８８】そしてこのような状態で硬質カーボン膜を
形成すると、円筒状部材１１の開口端面から数ｍｍ奥側
の領域と他の領域とでは、硬質カーボン膜の密着性が若
干劣り、さらに膜質も若干異なる。そこで円筒状部材１
１の開口端面にダミー部材５３を配置して硬質カーボン
膜を形成すれば、この膜質や密着性が異なる領域は円筒
状部材１１内面に形成されず、ダミー部材５３の開口内
面に形成されることになる。
形成すると、円筒状部材１１の開口端面から数ｍｍ奥側
の領域と他の領域とでは、硬質カーボン膜の密着性が若
干劣り、さらに膜質も若干異なる。そこで円筒状部材１
１の開口端面にダミー部材５３を配置して硬質カーボン
膜を形成すれば、この膜質や密着性が異なる領域は円筒
状部材１１内面に形成されず、ダミー部材５３の開口内
面に形成されることになる。
【００８９】図４に示すような装置を用いて硬質カーボ
ン膜を形成したときは、実験によれば円筒状部材１１の
開口端面から４ｍｍ程度奥側に、幅寸法が１ｍｍから２
ｍｍの膜質や密着性が異なる領域が形成された。そこで
円筒状部材１１の開口寸法とほぼ同じ開口寸法をもち、
長さ寸法が１０ｍｍのダミー部材５３を円筒状部材１１
の開口端面に配置して、前述の硬質カーボン膜の形成条
件で被膜形成を行った。この結果、膜質や密着性が異な
る領域はダミー部材５３に形成され、円筒状部材１１の
内面には膜質や密着性が異なる領域はまったく形成され
なかった。なおダミー部材５３を円筒状部材１１の開口
端面に配置することを省略してもその影響が小さいとき
は、ダミー部材は使用しなくてもよい。
ン膜を形成したときは、実験によれば円筒状部材１１の
開口端面から４ｍｍ程度奥側に、幅寸法が１ｍｍから２
ｍｍの膜質や密着性が異なる領域が形成された。そこで
円筒状部材１１の開口寸法とほぼ同じ開口寸法をもち、
長さ寸法が１０ｍｍのダミー部材５３を円筒状部材１１
の開口端面に配置して、前述の硬質カーボン膜の形成条
件で被膜形成を行った。この結果、膜質や密着性が異な
る領域はダミー部材５３に形成され、円筒状部材１１の
内面には膜質や密着性が異なる領域はまったく形成され
なかった。なおダミー部材５３を円筒状部材１１の開口
端面に配置することを省略してもその影響が小さいとき
は、ダミー部材は使用しなくてもよい。
【００９０】なお、以上説明した本発明の円筒状部材内
周面への硬質カーボン膜の形成方法は、真空槽６１内に
配置する円筒状部材は単個または複数個のいずれにも適
用することができる。
周面への硬質カーボン膜の形成方法は、真空槽６１内に
配置する円筒状部材は単個または複数個のいずれにも適
用することができる。
【００９１】さらに硬質カーボン膜と円筒状部材とのあ
いだに中間層を設けてもよい。そのときは中間層として
は、周期律表第ＩＶｂ族のシリコン（Ｓｉ）やゲルマニ
ウム（Ｇｅ）や、あるいはシリコンやゲルマニウムの化
合物でもよい。あるいは中間層としてシリコンカーバイ
ト（ＳｉＣ）やチタンカーバイト（ＴｉＣ）のような炭
素を含む化合物でもよい。さらに中間層としてはチタン
（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）と、シリコンやゲルマニウム
あるいはシリコンやゲルマニウムの炭化物との２層膜構
造としてもよい。このときは中間層下層のチタンやクロ
ムは円筒状部材との密着性を保つ役割をもち、中間層上
層のシリコンやゲルマニウムあるいはシリコンやゲルマ
ニウムの炭化物は硬質カーボン膜と共有結合して、この
硬質カーボン膜と強く結合する役割をもつ。この中間層
は、たとえばスパッタリング法によって形成すればよ
い。
いだに中間層を設けてもよい。そのときは中間層として
は、周期律表第ＩＶｂ族のシリコン（Ｓｉ）やゲルマニ
ウム（Ｇｅ）や、あるいはシリコンやゲルマニウムの化
合物でもよい。あるいは中間層としてシリコンカーバイ
ト（ＳｉＣ）やチタンカーバイト（ＴｉＣ）のような炭
素を含む化合物でもよい。さらに中間層としてはチタン
（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）と、シリコンやゲルマニウム
あるいはシリコンやゲルマニウムの炭化物との２層膜構
造としてもよい。このときは中間層下層のチタンやクロ
ムは円筒状部材との密着性を保つ役割をもち、中間層上
層のシリコンやゲルマニウムあるいはシリコンやゲルマ
ニウムの炭化物は硬質カーボン膜と共有結合して、この
硬質カーボン膜と強く結合する役割をもつ。この中間層
は、たとえばスパッタリング法によって形成すればよ
い。
【００９２】さらに以上説明した本発明の硬質カーボン
膜の形成方法における実施形態の説明においては、炭素
を含むガスとしてメタンガスやベンゼンガスを用いる実
施形態で説明したが、メタン以外にエチレンなどの炭素
を含むガスや、あるいはヘキサンなどの炭素を含む液体
の蒸発蒸気も使用することができる。
膜の形成方法における実施形態の説明においては、炭素
を含むガスとしてメタンガスやベンゼンガスを用いる実
施形態で説明したが、メタン以外にエチレンなどの炭素
を含むガスや、あるいはヘキサンなどの炭素を含む液体
の蒸発蒸気も使用することができる。
【００９３】さらに炭素を含むガスであるメタンガスや
ベンゼンガスやエチレンガスにアルゴン（Ａｒ）ガスや
窒素（Ｎ2 ）ガスやヘリウム（Ｈｅ）ガスや水素（Ｈ2
）ガスを添加してもよい。
ベンゼンガスやエチレンガスにアルゴン（Ａｒ）ガスや
窒素（Ｎ2 ）ガスやヘリウム（Ｈｅ）ガスや水素（Ｈ2
）ガスを添加してもよい。
【００９４】このように炭素を含むガスにアルゴンガス
や窒素ガスを添加すると、膜形成速度を制御することが
できる。このため硬質カーボン膜を緻密化することがで
き、さらに窒素やアルゴンにて硬質カーボン膜表面をス
パッタし、密着性や膜質が悪い硬質カーボン膜を除去す
ることができ、膜質が向上する。さらに炭素を含むガス
に水素を添加すると、炭素のダングリングボンドを水素
で埋めることができ、硬質カーボン膜の膜質を向上させ
る効果がある。
や窒素ガスを添加すると、膜形成速度を制御することが
できる。このため硬質カーボン膜を緻密化することがで
き、さらに窒素やアルゴンにて硬質カーボン膜表面をス
パッタし、密着性や膜質が悪い硬質カーボン膜を除去す
ることができ、膜質が向上する。さらに炭素を含むガス
に水素を添加すると、炭素のダングリングボンドを水素
で埋めることができ、硬質カーボン膜の膜質を向上させ
る効果がある。
【００９５】さらに本発明の円筒状部材１１内周面への
硬質カーボン膜の形成方法においては、円筒状部材１１
に開口内面に配置する補助電極７１は接地電位に接続す
る実施形態で説明したが、この補助電極７１には直流の
正電圧を印加して硬質カーボン膜を形成する手段を採用
してもよい。このように直流正電圧を補助電極７１に印
加すると、補助電極７１の周囲領域に電子を集める効果
を生じ、補助電極７１の周囲領域は電子密度が高くな
る。
硬質カーボン膜の形成方法においては、円筒状部材１１
に開口内面に配置する補助電極７１は接地電位に接続す
る実施形態で説明したが、この補助電極７１には直流の
正電圧を印加して硬質カーボン膜を形成する手段を採用
してもよい。このように直流正電圧を補助電極７１に印
加すると、補助電極７１の周囲領域に電子を集める効果
を生じ、補助電極７１の周囲領域は電子密度が高くな
る。
【００９６】このように電子密度が高くなると、必然的
に炭素を含むガスと電子との衝突確率が増えて、ガス分
子のイオン化が促進されて、その補助電極７１の周囲領
域のプラズマ密度が高くなる。このため硬質カーボン膜
の被膜形成速度は、補助電極に直流正電圧を印加しない
ときと比較して高くなる。
に炭素を含むガスと電子との衝突確率が増えて、ガス分
子のイオン化が促進されて、その補助電極７１の周囲領
域のプラズマ密度が高くなる。このため硬質カーボン膜
の被膜形成速度は、補助電極に直流正電圧を印加しない
ときと比較して高くなる。
【００９７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の円筒状部材内周面への硬質カーボン膜の形成方法にお
いては、円筒状部材に直流電圧を印加するための直流電
源と円筒状部材とのあいだに、コイルにて構成するリア
クトルを介在させる。このリアクトルを設けて硬質カー
ボン膜を形成すると、プラズマ放電を安定させることが
でき、異常放電であるアーク放電は発生しない。
の円筒状部材内周面への硬質カーボン膜の形成方法にお
いては、円筒状部材に直流電圧を印加するための直流電
源と円筒状部材とのあいだに、コイルにて構成するリア
クトルを介在させる。このリアクトルを設けて硬質カー
ボン膜を形成すると、プラズマ放電を安定させることが
でき、異常放電であるアーク放電は発生しない。
【００９８】このようにプラズマ放電開始の硬質カーボ
ン膜の被膜形成初期には、異常放電であるアーク放電は
発生しない。したがって、硬質カーボン膜の密着性を左
右する被膜形成初期に、異常放電であるアーク放電が円
筒状部材に発生せず、硬質カーボン膜の膜質や密着性を
向上させることができる。このため本発明の硬質カーボ
ン膜の形成方法においては、硬質カーボン膜が円筒状部
材から剥離するという現象は発生しない。
ン膜の被膜形成初期には、異常放電であるアーク放電は
発生しない。したがって、硬質カーボン膜の密着性を左
右する被膜形成初期に、異常放電であるアーク放電が円
筒状部材に発生せず、硬質カーボン膜の膜質や密着性を
向上させることができる。このため本発明の硬質カーボ
ン膜の形成方法においては、硬質カーボン膜が円筒状部
材から剥離するという現象は発生しない。
【００９９】このためプラズマ放電の不安定に起因す
る、円筒状部材の内周面に形成する硬質カーボン膜の膜
質劣化は、本発明では発生しない。この結果、硬質カー
ボン膜のもつ優れた特性を充分に発揮することが可能と
なる。したがって円筒状部材の内周面に膜形成時間を延
長して、厚く硬質カーボン膜を形成しても、プラズマ放
電は安定で、円筒状部材に硬質カーボン膜を厚い膜厚で
形成することができる。この結果、本発明では円筒状部
材の長期使用に対する信頼性を向上させることができ
る。
る、円筒状部材の内周面に形成する硬質カーボン膜の膜
質劣化は、本発明では発生しない。この結果、硬質カー
ボン膜のもつ優れた特性を充分に発揮することが可能と
なる。したがって円筒状部材の内周面に膜形成時間を延
長して、厚く硬質カーボン膜を形成しても、プラズマ放
電は安定で、円筒状部材に硬質カーボン膜を厚い膜厚で
形成することができる。この結果、本発明では円筒状部
材の長期使用に対する信頼性を向上させることができ
る。
【０１００】本発明の円筒状部材内周面への硬質カーボ
ン膜の形成方法においては、円筒状部材の開口内面の開
口の中央部に、接地電位または直流正電圧に接続する補
助電極を配置して硬質カーボン膜を形成する。そして円
筒状部材には、負の直流電圧を印加する。
ン膜の形成方法においては、円筒状部材の開口内面の開
口の中央部に、接地電位または直流正電圧に接続する補
助電極を配置して硬質カーボン膜を形成する。そして円
筒状部材には、負の直流電圧を印加する。
【０１０１】その結果、同電位の電極どうしが対向して
いる円筒状部材開口内面に、接地電位または直流正電圧
に接続する補助電極を設けることとなり、同電位どうし
が対向することがなくなる。このような電位状態は、プ
ラスマ化学気相成長法にとってもっとも望ましい状態で
あり、異常放電であるホロー放電は発生しない。そのた
め、密着性の良好な硬質カーボン膜を円筒状部材に形成
することができる。
いる円筒状部材開口内面に、接地電位または直流正電圧
に接続する補助電極を設けることとなり、同電位どうし
が対向することがなくなる。このような電位状態は、プ
ラスマ化学気相成長法にとってもっとも望ましい状態で
あり、異常放電であるホロー放電は発生しない。そのた
め、密着性の良好な硬質カーボン膜を円筒状部材に形成
することができる。
【０１０２】そのうえ本発明の円筒状部材内周面への硬
質カーボン膜の形成方法においては、前述のように円筒
状部材の開口内面に補助電極を配置しており、円筒状部
材の長手方向の開口内面で、電位特性が均一になる。こ
の結果、円筒状部材の開口内面に形成する硬質カーボン
膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開口奥側とで均
一な膜厚を形成することができるという効果ももつ。
質カーボン膜の形成方法においては、前述のように円筒
状部材の開口内面に補助電極を配置しており、円筒状部
材の長手方向の開口内面で、電位特性が均一になる。こ
の結果、円筒状部材の開口内面に形成する硬質カーボン
膜の膜厚分布の発生がなく、開口端面と開口奥側とで均
一な膜厚を形成することができるという効果ももつ。
【０１０３】さらに本発明の円筒状部材内周面への硬質
カーボン膜の形成方法においては、円筒状部材に開口内
面に配置する補助電極に直流の正電圧を印加して硬質カ
ーボン膜を形成する手段を採用する。このように直流正
電圧を補助電極に印加すると、補助電極の周囲領域に電
子を集める効果を生じ、補助電極の周囲領域は電子密度
が高くなる。
カーボン膜の形成方法においては、円筒状部材に開口内
面に配置する補助電極に直流の正電圧を印加して硬質カ
ーボン膜を形成する手段を採用する。このように直流正
電圧を補助電極に印加すると、補助電極の周囲領域に電
子を集める効果を生じ、補助電極の周囲領域は電子密度
が高くなる。
【０１０４】このように電子密度が高くなると、必然的
に炭素を含むガスと電子との衝突確率が増えて、ガス分
子のイオン化が促進されて、その補助電極の周囲領域の
プラズマ密度が高くなる。このため硬質カーボン膜の被
膜形成速度は、補助電極に直流正電圧を印加しないとき
と比較して高くなる。
に炭素を含むガスと電子との衝突確率が増えて、ガス分
子のイオン化が促進されて、その補助電極の周囲領域の
プラズマ密度が高くなる。このため硬質カーボン膜の被
膜形成速度は、補助電極に直流正電圧を印加しないとき
と比較して高くなる。
【０１０５】さらに本発明の円筒状部材内周面への硬質
カーボン膜の形成方法においては、円筒状部材の端面部
にダミー部材を配置して被膜形成している。このダミー
部材は以下に記載する役割をもつ。円筒状部材の端面は
電荷が集中しやすく、内面部に比較してて開口端面領域
は電位が高い状態であるエッジ効果を生じる。ここで円
筒状部材の端面近傍領域のプラズマ強度は、ほかの領域
より大きく、しかも不安定である。さらに円筒状部材の
端面領域は内面のプラズマと外周部のプラズマとの双方
のプラズマの影響を受けることになる。
カーボン膜の形成方法においては、円筒状部材の端面部
にダミー部材を配置して被膜形成している。このダミー
部材は以下に記載する役割をもつ。円筒状部材の端面は
電荷が集中しやすく、内面部に比較してて開口端面領域
は電位が高い状態であるエッジ効果を生じる。ここで円
筒状部材の端面近傍領域のプラズマ強度は、ほかの領域
より大きく、しかも不安定である。さらに円筒状部材の
端面領域は内面のプラズマと外周部のプラズマとの双方
のプラズマの影響を受けることになる。
【０１０６】そしてこのような状態で硬質カーボン膜を
形成すると、円筒状部材の開口端面から数ｍｍ奥側の領
域とほかの領域とでは、硬質カーボン膜の密着性が若干
異なり、さらに膜質も若干異なる。そこで円筒状部材の
開口端面にダミー部材を配置して硬質カーボン膜を形成
すれば、この膜質や密着性が異なる領域は円筒状部材の
内周面に形成されず、ダミー部材の開口内面に形成され
ることになる。したがってこのダミー部材を用いること
によって、円筒状部材に形成する硬質カーボン膜の密着
性と膜質の向上を図ることができる。
形成すると、円筒状部材の開口端面から数ｍｍ奥側の領
域とほかの領域とでは、硬質カーボン膜の密着性が若干
異なり、さらに膜質も若干異なる。そこで円筒状部材の
開口端面にダミー部材を配置して硬質カーボン膜を形成
すれば、この膜質や密着性が異なる領域は円筒状部材の
内周面に形成されず、ダミー部材の開口内面に形成され
ることになる。したがってこのダミー部材を用いること
によって、円筒状部材に形成する硬質カーボン膜の密着
性と膜質の向上を図ることができる。
【０１０７】そのうえさらに円筒状部材内周面に形成す
る硬質カーボン膜は、黒色状の被膜であり、ダイヤモン
ドによく似た性質をもつ。すなわち硬質カーボン膜は、
高い機械的硬度や低い摩擦係数や良好な電気的絶縁性や
高い熱伝導率や高い耐腐食性という優れた特性をもつ。
このため本発明の円筒状部材は、内周面の摩耗を抑制る
ことができ、長期使用にたいする信頼性を向上させこと
ができる。
る硬質カーボン膜は、黒色状の被膜であり、ダイヤモン
ドによく似た性質をもつ。すなわち硬質カーボン膜は、
高い機械的硬度や低い摩擦係数や良好な電気的絶縁性や
高い熱伝導率や高い耐腐食性という優れた特性をもつ。
このため本発明の円筒状部材は、内周面の摩耗を抑制る
ことができ、長期使用にたいする信頼性を向上させこと
ができる。
【図１】本発明の実施の形態における円筒状部材内周面
への硬質カーボン膜の形成方法を示す断面図である。
への硬質カーボン膜の形成方法を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態における円筒状部材内周面
への硬質カーボン膜の形成方法を示す断面図である。
への硬質カーボン膜の形成方法を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態における円筒状部材内周面へ
の硬質カーボン膜の形成方法を示す断面図である。
の硬質カーボン膜の形成方法を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態における円筒状部材内周面へ
の硬質カーボン膜の形成方法を示す断面図である。
の硬質カーボン膜の形成方法を示す断面図である。
【図５】従来技術における円筒状部材内周面への硬質カ
ーボン膜の形成方法を示す断面図である。
ーボン膜の形成方法を示す断面図である。
１１ 円筒状部材 ５３ ダミー部材 ５４ リアクトル ６１ 真空槽 ６３ ガス導入口 ６５ 排気口 ６９ 高周波電源 ７１ 補助電極 ７３ 直流電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 戸井田 孝志 埼玉県所沢市大字下富字武野840番地 シ チズン時計株式会社所沢事業所内 (72)発明者 関根 敏一 東京都田無市本町６丁目１番12号 シチズ ン時計株式会社田無製造所内
Claims (16)
- 【請求項１】 円筒状部材の開口内面に接地電位と接続
する補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に
配置し、 排気口から真空槽内を排気した後、ガス導入口から炭素
を含むガスを真空槽内に導入し、 リアクトルを介して円筒状部材に直流電圧を印加しアノ
ードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を印加
してプラズマを発生させて円筒状部材に硬質カーボン膜
を形成することを特徴とする円筒状部材内周面への硬質
カーボン膜の形成方法。 - 【請求項２】 円筒状部材の開口内面に接地電位と接続
する補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に
配置し、 排気口から真空槽内を排気した後、ガス導入口から炭素
を含むガスを真空槽内に導入し、 リアクトルを介して円筒状部材に直流電圧を印加して、
プラズマを発生させて円筒状部材に硬質カーボン膜を形
成することを特徴とする円筒状部材内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法。 - 【請求項３】 中間層を形成した円筒状部材の開口内面
に接地電位と接続する補助電極を挿入するように円筒状
部材を真空槽内に配置し、 排気口から真空槽内を排気した後、ガス導入口から炭素
を含むガスを真空槽内に導入し、 リアクトルを介して円筒状部材に直流電圧を印加しアノ
ードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を印加
してプラズマを発生させて円筒状部材に硬質カーボン膜
を形成することを特徴とする円筒状部材内周面への硬質
カーボン膜の形成方法。 - 【請求項４】 中間層を形成した円筒状部材の開口内面
に接地電位と接続する補助電極を挿入するように円筒状
部材を真空槽内に配置し、 排気口から真空槽内を排気した後、ガス導入口から炭素
を含むガスを真空槽内に導入し、 リアクトルを介して円筒状部材に直流電圧を印加して、
プラズマを発生させて円筒状部材に硬質カーボン膜を形
成することを特徴とする円筒状部材内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法。 - 【請求項５】 円筒状部材の開口内面に直流電源と接続
する補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に
配置し、 排気口から真空槽内を排気した後、ガス導入口から炭素
を含むガスを真空槽内に導入し、 補助電極に直流正電圧を印加し、リアクトルを介して円
筒状部材に直流電圧を印加しアノードに直流電圧を印加
しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを発生さ
せて円筒状部材に硬質カーボン膜を形成することを特徴
とする円筒状部材内周面への硬質カーボン膜の形成方
法。 - 【請求項６】 円筒状部材の開口内面に直流電源と接続
する補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内に
配置し、 排気口から真空槽内を排気した後、ガス導入口から炭素
を含むガスを真空槽内に導入し、 補助電極に直流正電圧を印加し、リアクトルを介して円
筒状部材に直流電圧を印加して、プラズマを発生させて
円筒状部材に硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る円筒状部材内周面への硬質カーボン膜の形成方法。 - 【請求項７】 中間層を形成した円筒状部材の開口内面
に直流電源と接続する補助電極を挿入するように円筒状
部材を真空槽内に配置し、 排気口から真空槽内を排気した後、ガス導入口から炭素
を含むガスを真空槽内に導入し、 補助電極に直流正電圧を印加し、リアクトルを介して円
筒状部材に直流電圧を印加しアノードに直流電圧を印加
しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを発生さ
せて円筒状部材に硬質カーボン膜を形成することを特徴
とする円筒状部材内周面への硬質カーボン膜の形成方
法。 - 【請求項８】 中間層を形成した円筒状部材の開口内面
に直流電源と接続する補助電極を挿入するように円筒状
部材を真空槽内に配置し、 排気口から真空槽内を排気した後、ガス導入口から炭素
を含むガスを真空槽内に導入し、 補助電極に直流正電圧を印加し、リアクトルを介して円
筒状部材に直流電圧を印加して、プラズマを発生させて
円筒状部材に硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る円筒状部材内周面への硬質カーボン膜の形成方法。 - 【請求項９】 端面部にダミー部材を配置した円筒状部
材の開口内面に接地電位と接続する補助電極を挿入する
ように円筒状部材を真空槽内に配置し、 排気口から真空槽内を排気した後、ガス導入口から炭素
を含むガスを真空槽内に導入し、 リアクトルを介して円筒状部材に直流電圧を印加しアノ
ードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を印加
してプラズマを発生させて円筒状部材に硬質カーボン膜
を形成することを特徴とする円筒状部材内周面への硬質
カーボン膜の形成方法。 - 【請求項１０】 端面部にダミー部材を配置した円筒状
部材の開口内面に接地電位と接続する補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、 排気口から真空槽内を排気した後、ガス導入口から炭素
を含むガスを真空槽内に導入し、 リアクトルを介して円筒状部材に直流電圧を印加して、
プラズマを発生させて円筒状部材に硬質カーボン膜を形
成することを特徴とする円筒状部材内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法。 - 【請求項１１】 端面部にダミー部材を配置し、さらに
中間層を形成した円筒状部材の開口内面に接地電位と接
続する補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内
に配置し、 排気口から真空槽内を排気した後、ガス導入口から炭素
を含むガスを真空槽内に導入し、 リアクトルを介して円筒状部材に直流電圧を印加しアノ
ードに直流電圧を印加しフィラメントに交流電圧を印加
してプラズマを発生させて円筒状部材に硬質カーボン膜
を形成することを特徴とする円筒状部材内周面への硬質
カーボン膜の形成方法。 - 【請求項１２】 端面部にダミー部材を配置し、さらに
中間層を形成した円筒状部材の開口内面に接地電位と接
続する補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内
に配置し、 排気口から真空槽内を排気した後、ガス導入口から炭素
を含むガスを真空槽内に導入し、 リアクトルを介して円筒状部材に直流電圧を印加して、
プラズマを発生させて円筒状部材に硬質カーボン膜を形
成することを特徴とする円筒状部材内周面への硬質カー
ボン膜の形成方法。 - 【請求項１３】 端面部にダミー部材を配置した円筒状
部材の開口内面に直流電源と接続する補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、 排気口から真空槽内を排気した後、ガス導入口から炭素
を含むガスを真空槽内に導入し、 補助電極に直流正電圧を印加し、リアクトルを介して円
筒状部材に直流電圧を印加しアノードに直流電圧を印加
しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを発生さ
せて円筒状部材に硬質カーボン膜を形成することを特徴
とする円筒状部材内周面への硬質カーボン膜の形成方
法。 - 【請求項１４】 端面部にダミー部材を配置した円筒状
部材の開口内面に直流電源と接続する補助電極を挿入す
るように円筒状部材を真空槽内に配置し、 排気口から真空槽内を排気した後、ガス導入口から炭素
を含むガスを真空槽内に導入し、 補助電極に直流正電圧を印加し、リアクトルを介して円
筒状部材に直流電圧を印加して、プラズマを発生させて
円筒状部材に硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る円筒状部材内周面への硬質カーボン膜の形成方法。 - 【請求項１５】 端面部にダミー部材を配置し、さらに
中間層を形成した円筒状部材の開口内面に直流電源と接
続する補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内
に配置し、 排気口から真空槽内を排気した後、ガス導入口から炭素
を含むガスを真空槽内に導入し、 補助電極に直流正電圧を印加し、リアクトルを介して円
筒状部材に直流電圧を印加しアノードに直流電圧を印加
しフィラメントに交流電圧を印加してプラズマを発生さ
せて円筒状部材に硬質カーボン膜を形成することを特徴
とする円筒状部材内周面への硬質カーボン膜の形成方
法。 - 【請求項１６】 端面部にダミー部材を配置し、さらに
中間層を形成した円筒状部材の開口内面に直流電源と接
続する補助電極を挿入するように円筒状部材を真空槽内
に配置し、 排気口から真空槽内を排気した後、ガス導入口から炭素
を含むガスを真空槽内に導入し、 補助電極に直流正電圧を印加し、リアクトルを介して円
筒状部材に直流電圧を印加して、プラズマを発生させて
円筒状部材に硬質カーボン膜を形成することを特徴とす
る円筒状部材内周面への硬質カーボン膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9083733A JPH10280155A (ja) | 1997-04-02 | 1997-04-02 | 円筒状部材内周面への硬質カーボン膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9083733A JPH10280155A (ja) | 1997-04-02 | 1997-04-02 | 円筒状部材内周面への硬質カーボン膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10280155A true JPH10280155A (ja) | 1998-10-20 |
Family
ID=13810734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9083733A Pending JPH10280155A (ja) | 1997-04-02 | 1997-04-02 | 円筒状部材内周面への硬質カーボン膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10280155A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008223092A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Hoya Corp | モールドプレス成形型、及びその製造方法、並びにガラス光学素子の製造方法 |
| US10673067B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-06-02 | Nichia Corporation | Positive electrode material for non-aqueous secondary batteries, non-aqueous secondary battery, and method for producing positive electrode material for non-aqueous secondary batteries |
-
1997
- 1997-04-02 JP JP9083733A patent/JPH10280155A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008223092A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-09-25 | Hoya Corp | モールドプレス成形型、及びその製造方法、並びにガラス光学素子の製造方法 |
| US10673067B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-06-02 | Nichia Corporation | Positive electrode material for non-aqueous secondary batteries, non-aqueous secondary battery, and method for producing positive electrode material for non-aqueous secondary batteries |
| US10978694B2 (en) | 2016-12-27 | 2021-04-13 | Nichia Corporation | Positive electrode material for non-aqueous secondary batteries, non-aqueous secondary battery, and method for producing positive electrode material for non-aqueous secondary batteries |
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