JP2002033286A - ウエハ支持台及び半導体製造装置 - Google Patents
ウエハ支持台及び半導体製造装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価でしかも割れ難い載置部７を有するウエ
ハ支持台５を備えた半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 金属板２５にセラミックス２６を溶射す
ることで載置部７が形成されるウエハ支持台５を成膜室
３に備え、載置部７に基板６を吸着させるための静電気
力を生じさせる静電電源２２を接続し、載置部７に吸着
された基板６に成膜処理を施す処理手段を備えたので、
安価でしかも割れ難い載置部７を有するウエハ支持台５
を備えたプラズマＣＶＤ装置とすることができる。
ハ支持台５を備えた半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 金属板２５にセラミックス２６を溶射す
ることで載置部７が形成されるウエハ支持台５を成膜室
３に備え、載置部７に基板６を吸着させるための静電気
力を生じさせる静電電源２２を接続し、載置部７に吸着
された基板６に成膜処理を施す処理手段を備えたので、
安価でしかも割れ難い載置部７を有するウエハ支持台５
を備えたプラズマＣＶＤ装置とすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造のため
に基板を支持するウエハ支持台及び基板に成膜等の処理
を行う半導体製造装置に関する。
に基板を支持するウエハ支持台及び基板に成膜等の処理
を行う半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体の製造では、プラズマＣＶ
Ｄ(Chemical Vapor Deposition) 装置を用いた成膜が知
られている。プラズマＣＶＤ装置は、膜の材料となる材
料ガスを成膜室の中に導入してプラズマ状態にし、プラ
ズマ中の活性な励起原子によって基板表面の化学的な反
応を促進して成膜を行う装置である。プラズマＣＶＤ装
置では、成膜室の中に基板を支持するための基板支持部
を備えたウエハ支持台を備えている。
Ｄ(Chemical Vapor Deposition) 装置を用いた成膜が知
られている。プラズマＣＶＤ装置は、膜の材料となる材
料ガスを成膜室の中に導入してプラズマ状態にし、プラ
ズマ中の活性な励起原子によって基板表面の化学的な反
応を促進して成膜を行う装置である。プラズマＣＶＤ装
置では、成膜室の中に基板を支持するための基板支持部
を備えたウエハ支持台を備えている。
【０００３】ウエハ支持台の基板支持部には、バイアス
電極となる金属が備えられ、基板に電位を与えたり、静
電気力を持たせて基板を吸着するようになっている。従
来のウエハ支持台の基板支持部は、セラミックス（例え
ば、アルミナ等）の中に金属バイアス電極が埋め込まれ
た焼結材で構成されている。そして、金属バイアス電極
には端子が接続されており、金属バイアス電極をバイア
ス電極と静電気力を得るための電極としていた。また、
必要に応じて、ヒータや冷媒通路、あるいは温度センサ
等が埋め込まれていた。
電極となる金属が備えられ、基板に電位を与えたり、静
電気力を持たせて基板を吸着するようになっている。従
来のウエハ支持台の基板支持部は、セラミックス（例え
ば、アルミナ等）の中に金属バイアス電極が埋め込まれ
た焼結材で構成されている。そして、金属バイアス電極
には端子が接続されており、金属バイアス電極をバイア
ス電極と静電気力を得るための電極としていた。また、
必要に応じて、ヒータや冷媒通路、あるいは温度センサ
等が埋め込まれていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体製造装置
（プラズマＣＶＤ装置）におけるウエハ支持台は、静電
チャックの機能を持ったセラミックス製の基板支持部を
備えているため、非常に高価なものとなり、消耗品とし
てのコストが嵩んでいた。また、基板支持部はセラミッ
クスの焼結材であるため、脆く衝撃により割れやすい、
といった問題があった。
（プラズマＣＶＤ装置）におけるウエハ支持台は、静電
チャックの機能を持ったセラミックス製の基板支持部を
備えているため、非常に高価なものとなり、消耗品とし
てのコストが嵩んでいた。また、基板支持部はセラミッ
クスの焼結材であるため、脆く衝撃により割れやすい、
といった問題があった。
【０００５】本発明は上記状況に鑑みてなされたもの
で、安価でしかも割れ難い基板支持部を備えたウエハ支
持台を提供することを目的とする。また、本発明は上記
状況に鑑みてなされたもので、安価でしかも割れ難い基
板支持部を有するウエハ支持台を備えた半導体製造装置
を提供することを目的とする。
で、安価でしかも割れ難い基板支持部を備えたウエハ支
持台を提供することを目的とする。また、本発明は上記
状況に鑑みてなされたもので、安価でしかも割れ難い基
板支持部を有するウエハ支持台を備えた半導体製造装置
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明のウエハ支持台の構成は、金属板にセラミック
スを溶射することで基板支持部が形成されることを特徴
とする。そして、金属板は銅板であり、セラミックスは
アルミナであることを特徴とする。また、温度制御部材
を備えたことを特徴とする。
の本発明のウエハ支持台の構成は、金属板にセラミック
スを溶射することで基板支持部が形成されることを特徴
とする。そして、金属板は銅板であり、セラミックスは
アルミナであることを特徴とする。また、温度制御部材
を備えたことを特徴とする。
【０００７】また、上記目的を達成するための本発明の
半導体製造装置の構成は、金属板にセラミックスを溶射
することで基板支持部が形成されるウエハ支持台を加工
室に備え、基板支持部に基板を吸着させるための静電気
力を生じさせる回路を接続し、基板支持部に吸着された
基板に処理を施す処理手段を備えたことを特徴とする。
半導体製造装置の構成は、金属板にセラミックスを溶射
することで基板支持部が形成されるウエハ支持台を加工
室に備え、基板支持部に基板を吸着させるための静電気
力を生じさせる回路を接続し、基板支持部に吸着された
基板に処理を施す処理手段を備えたことを特徴とする。
【０００８】また、上記目的を達成するための本発明の
半導体製造装置の構成は、成膜室内に配置され金属板に
セラミックスを溶射することで基板支持部が形成される
ウエハ支持台と、基板支持部に基板を吸着させるための
静電気力を生じさせる回路と、成膜室内にプラズマを生
成しそこで励起・活性化された粒子により基板の表面に
薄膜形成処理を施す処理手段とを備えたことを特徴とす
る。そして、基板支持部の金属板は銅板であり、セラミ
ックスはアルミナであることを特徴とする。また、ウエ
ハ支持台の温度制御を行う温度制御部材を設けたことを
特徴とする。
半導体製造装置の構成は、成膜室内に配置され金属板に
セラミックスを溶射することで基板支持部が形成される
ウエハ支持台と、基板支持部に基板を吸着させるための
静電気力を生じさせる回路と、成膜室内にプラズマを生
成しそこで励起・活性化された粒子により基板の表面に
薄膜形成処理を施す処理手段とを備えたことを特徴とす
る。そして、基板支持部の金属板は銅板であり、セラミ
ックスはアルミナであることを特徴とする。また、ウエ
ハ支持台の温度制御を行う温度制御部材を設けたことを
特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１には本発明の一実施形態例に
係るウエハ支持台を備えた半導体製造装置としてのプラ
ズマＣＶＤ装置の概略側面を示してある。
係るウエハ支持台を備えた半導体製造装置としてのプラ
ズマＣＶＤ装置の概略側面を示してある。
【００１０】図１に示すように、基部１には円筒状の容
器２が設けられ、容器２内に加工室としての成膜室３が
形成されている。容器２の上部には円形の天井板４が設
けられ、容器２の中心における成膜室３にはウエハ支持
台５が備えられている。ウエハ支持台５は半導体の基板
６を静電的に吸着保持する円盤状の基板支持部としての
載置部７を有し、載置部７は支持軸８に支持されてい
る。載置部７は、銅等の金属板２５の表面にアルミナ等
のセラミックス２６を溶射することで形成されている。
載置部７の金属板２５にはバイアス電源２１及び静電電
源２２が接続され、載置部７に低周波を発生させると共
に静電気力を発生させる。ウエハ支持台５は全体が昇降
自在もしくは支持軸８が伸縮自在とすることで、上下方
向の高さが最適な高さに調整できるようになっている。
器２が設けられ、容器２内に加工室としての成膜室３が
形成されている。容器２の上部には円形の天井板４が設
けられ、容器２の中心における成膜室３にはウエハ支持
台５が備えられている。ウエハ支持台５は半導体の基板
６を静電的に吸着保持する円盤状の基板支持部としての
載置部７を有し、載置部７は支持軸８に支持されてい
る。載置部７は、銅等の金属板２５の表面にアルミナ等
のセラミックス２６を溶射することで形成されている。
載置部７の金属板２５にはバイアス電源２１及び静電電
源２２が接続され、載置部７に低周波を発生させると共
に静電気力を発生させる。ウエハ支持台５は全体が昇降
自在もしくは支持軸８が伸縮自在とすることで、上下方
向の高さが最適な高さに調整できるようになっている。
【００１１】容器２の外周には電磁石９が配置され、容
器２は環状の電磁石９により包囲されている。電磁石９
は円環状の鉄心１０と鉄心１０に巻かれるコイル１１と
により構成され、コイル１１には三相インバータ電源１
２が接続されて電磁石９に電圧が印加される。電磁石９
に電圧が印加されることにより、載置部７に載置される
基板６の表面に略平行に、かつ、容器２の中心軸回りに
回転する磁場を生成するようになっている。
器２は環状の電磁石９により包囲されている。電磁石９
は円環状の鉄心１０と鉄心１０に巻かれるコイル１１と
により構成され、コイル１１には三相インバータ電源１
２が接続されて電磁石９に電圧が印加される。電磁石９
に電圧が印加されることにより、載置部７に載置される
基板６の表面に略平行に、かつ、容器２の中心軸回りに
回転する磁場を生成するようになっている。
【００１２】天井板４の上には、例えば、円形リング状
の高周波アンテナ１３が配置され、高周波アンテナ１３
には整合器１４を介して高周波電源１５が接続されてい
る。高周波アンテナ１３に電力を供給することにより電
磁波が容器２の成膜室３に入射する。容器２内に入射さ
れた電磁波は、成膜室３内のガスをイオン化してプラズ
マを発生すると共に、成膜室３内の磁束に作用して電子
磁気音波を発生し、これがランダウ減衰によりプラズマ
にエネルギを移行させ、成膜室３内に強いプラズマを発
生させる。
の高周波アンテナ１３が配置され、高周波アンテナ１３
には整合器１４を介して高周波電源１５が接続されてい
る。高周波アンテナ１３に電力を供給することにより電
磁波が容器２の成膜室３に入射する。容器２内に入射さ
れた電磁波は、成膜室３内のガスをイオン化してプラズ
マを発生すると共に、成膜室３内の磁束に作用して電子
磁気音波を発生し、これがランダウ減衰によりプラズマ
にエネルギを移行させ、成膜室３内に強いプラズマを発
生させる。
【００１３】容器２には例えばシラン(SiH4)等の材料ガ
スを供給するガス供給ノズル１６が設けられ、ガス供給
ノズル１６から成膜室３内に成膜材料（例えばSi）とな
る材料ガスが供給される。また、容器２にはアルゴン等
の補助ガスを供給する補助ガス供給ノズル１７が設けら
れ、基部１には容器２の内部を排気するための真空排気
系（図示省略）に接続される排気口１８が設けられてい
る。
スを供給するガス供給ノズル１６が設けられ、ガス供給
ノズル１６から成膜室３内に成膜材料（例えばSi）とな
る材料ガスが供給される。また、容器２にはアルゴン等
の補助ガスを供給する補助ガス供給ノズル１７が設けら
れ、基部１には容器２の内部を排気するための真空排気
系（図示省略）に接続される排気口１８が設けられてい
る。
【００１４】上述したプラズマＣＶＤ装置では、ウエハ
支持台５の載置部７に基板６が載せられ、静電的に吸着
される。ガス供給ノズル１６から所定流量の材料ガスを
成膜室３内に供給すると共に補助ガス供給ノズル１７か
ら処置流量の補助ガスを成膜室３内に供給し、成膜室３
内を成膜条件に応じた所定圧力に設定する。その後、高
周波電源１５から高周波アンテナ１３に電力を供給して
高周波を発生させると共にバイアス電源２１から載置部
７に電力を供給して低周波を発生させる。同時に、三相
インバータ電源１２から電磁石９に電圧が印加され、成
膜室３内に回転磁場が生成される。
支持台５の載置部７に基板６が載せられ、静電的に吸着
される。ガス供給ノズル１６から所定流量の材料ガスを
成膜室３内に供給すると共に補助ガス供給ノズル１７か
ら処置流量の補助ガスを成膜室３内に供給し、成膜室３
内を成膜条件に応じた所定圧力に設定する。その後、高
周波電源１５から高周波アンテナ１３に電力を供給して
高周波を発生させると共にバイアス電源２１から載置部
７に電力を供給して低周波を発生させる。同時に、三相
インバータ電源１２から電磁石９に電圧が印加され、成
膜室３内に回転磁場が生成される。
【００１５】これにより、成膜室３内の材料ガスがプラ
ズマ状態となる。プラズマ中の電子、あるいはイオンと
いった荷電粒子は回転磁場の磁力線に巻き付くように回
転し、更に電界にも影響されながら運動する。従って、
高密度、かつ均一な密度のプラズマが成膜域に留まるこ
とになる。このプラズマは、材料ガス中の他の中性分子
に衝突して更に中性分子を電離、あるいは励起する。こ
うして生じた活性な粒子は、基板６の表面に接近して効
率良く化学反応を起こし、堆積してＣＶＤ膜となる。即
ち、処理手段としてプラズマにより成膜を行う機能が構
成されている。尚、処理手段として、平行な磁場を形成
してプラズマにより成膜を行う装置を例に挙げている
が、磁場の形成は適宜変更できると共に、成膜以外でも
エッチング等他の処理を行う装置を適用することも可能
である。
ズマ状態となる。プラズマ中の電子、あるいはイオンと
いった荷電粒子は回転磁場の磁力線に巻き付くように回
転し、更に電界にも影響されながら運動する。従って、
高密度、かつ均一な密度のプラズマが成膜域に留まるこ
とになる。このプラズマは、材料ガス中の他の中性分子
に衝突して更に中性分子を電離、あるいは励起する。こ
うして生じた活性な粒子は、基板６の表面に接近して効
率良く化学反応を起こし、堆積してＣＶＤ膜となる。即
ち、処理手段としてプラズマにより成膜を行う機能が構
成されている。尚、処理手段として、平行な磁場を形成
してプラズマにより成膜を行う装置を例に挙げている
が、磁場の形成は適宜変更できると共に、成膜以外でも
エッチング等他の処理を行う装置を適用することも可能
である。
【００１６】図２に基づいてウエハ支持台５を詳細に説
明する。図２にはウエハ支持台の側面状況を示してあ
る。
明する。図２にはウエハ支持台の側面状況を示してあ
る。
【００１７】図２に示すように、ウエハ支持台５はの載
置部７は、基板６よりも大きい円形の銅製の金属板２５
の表面にセラミックス（例えば、アルミナ）２６が十数
μｍの厚さに溶射されて形成されている。金属板２５が
薄い場合、溶射の熱によりうねりが生じる虞がある。こ
のため、セラミックス２６が溶射された載置部７の表面
は面粗度数μｍ（２μｍから３μｍ）以下に研磨されて
うねりが除去されている。従って、基板７との接触面積
を大きくとることができ、良好な吸着力が得られる。
置部７は、基板６よりも大きい円形の銅製の金属板２５
の表面にセラミックス（例えば、アルミナ）２６が十数
μｍの厚さに溶射されて形成されている。金属板２５が
薄い場合、溶射の熱によりうねりが生じる虞がある。こ
のため、セラミックス２６が溶射された載置部７の表面
は面粗度数μｍ（２μｍから３μｍ）以下に研磨されて
うねりが除去されている。従って、基板７との接触面積
を大きくとることができ、良好な吸着力が得られる。
【００１８】金属板２５の表面にセラミックス２６を溶
射して載置部７を形成したので、低コストでウエハ支持
台５を構成することができる。また、セラミックス２６
は溶射によりコーティングされているので、焼結と異な
り材料に導電性を制御する部材を入れることなく導電性
が得られる。従って、静電気力による吸着力が向上して
基板６を効率よく静電的に吸着することができる。更
に、金属板２５として、伝熱性の良好な銅を用いたこと
により、載置部７の温度が均等に保たれ温度管理が容易
となる。
射して載置部７を形成したので、低コストでウエハ支持
台５を構成することができる。また、セラミックス２６
は溶射によりコーティングされているので、焼結と異な
り材料に導電性を制御する部材を入れることなく導電性
が得られる。従って、静電気力による吸着力が向上して
基板６を効率よく静電的に吸着することができる。更
に、金属板２５として、伝熱性の良好な銅を用いたこと
により、載置部７の温度が均等に保たれ温度管理が容易
となる。
【００１９】溶射手順の一例を説明する。尚、以下に示
した手順は一例であり、これに限定されるものではな
い。 被溶射物の金属円盤（例えば、厚さ8mm 、直径325mm
）をアセトンまたはシンナーで洗浄する。 ＃60ホワイトアルミナビーズでショットブラスト処理
を行う。 予熱して水分、油分を完全に取り除く。 ニッケル80% 、クロム20% の溶射材で数μのアンダー
コートを行う（濡れ性を良くするため）。 純度99% のアルミナを所定の厚さ（例えば、50μ) ま
でコーティングする。
した手順は一例であり、これに限定されるものではな
い。 被溶射物の金属円盤（例えば、厚さ8mm 、直径325mm
）をアセトンまたはシンナーで洗浄する。 ＃60ホワイトアルミナビーズでショットブラスト処理
を行う。 予熱して水分、油分を完全に取り除く。 ニッケル80% 、クロム20% の溶射材で数μのアンダー
コートを行う（濡れ性を良くするため）。 純度99% のアルミナを所定の厚さ（例えば、50μ) ま
でコーティングする。
【００２０】尚、金属板２５は銅製に限らず、ステンレ
スやタングステン等溶射に耐え得る他の金属を用いるこ
とが可能である。例えば、金属板２５としてタングステ
ンを適用した場合、セラミックス２６を溶射してもうね
りが生じにくくなる。また、溶射するセラミックス２６
はアルミナに限らず、例えば、窒化アルミ等のセラミッ
クスを溶射することも可能である。
スやタングステン等溶射に耐え得る他の金属を用いるこ
とが可能である。例えば、金属板２５としてタングステ
ンを適用した場合、セラミックス２６を溶射してもうね
りが生じにくくなる。また、溶射するセラミックス２６
はアルミナに限らず、例えば、窒化アルミ等のセラミッ
クスを溶射することも可能である。
【００２１】また、ウエハ支持台５を備えた半導体製造
装置としては、Si酸化膜及び窒化膜を成膜するプラズマ
ＣＶＤ装置に限らず、他の成膜装置やエッチング処理を
行う製造装置を適用することが可能である。
装置としては、Si酸化膜及び窒化膜を成膜するプラズマ
ＣＶＤ装置に限らず、他の成膜装置やエッチング処理を
行う製造装置を適用することが可能である。
【００２２】図３に基づいて本発明の第２実施形態例に
係るウエハ支持台を説明する。図３には本発明の第２実
施形態例に係るウエハ支持台の側面状況を示してある。
尚、図２に示した部材と同一部材には同一符号を付して
重複する説明は省略してある。
係るウエハ支持台を説明する。図３には本発明の第２実
施形態例に係るウエハ支持台の側面状況を示してある。
尚、図２に示した部材と同一部材には同一符号を付して
重複する説明は省略してある。
【００２３】図３に示すように、ウエハ支持台２８の載
置部７は、基板６よりも大きい円形の銅製の金属板２５
の表面にセラミックス（例えば、アルミナ）２６が十数
μｍの厚さに溶射されて形成されている。載置部７の金
属板２５にはバイアス電源２１及び静電電源２２が接続
され、載置部７に低周波を発生させると共に静電気力を
発生させるようになっている。
置部７は、基板６よりも大きい円形の銅製の金属板２５
の表面にセラミックス（例えば、アルミナ）２６が十数
μｍの厚さに溶射されて形成されている。載置部７の金
属板２５にはバイアス電源２１及び静電電源２２が接続
され、載置部７に低周波を発生させると共に静電気力を
発生させるようになっている。
【００２４】載置部７の下面には、温度制御部材として
のヒータ管３０が渦巻き状に配設され、ヒータ管３０に
は電源３１が接続されて電気的に加熱されるようになっ
ている。ヒータ管３０により金属板２５が加熱され、材
料ガスの励起が促されて効率的かつ高品質のＣＶＤ膜を
成膜することができる。金属板２５は熱伝導性のよい銅
製であるので加熱が均一になり、載置部７を均等に加熱
することができる。
のヒータ管３０が渦巻き状に配設され、ヒータ管３０に
は電源３１が接続されて電気的に加熱されるようになっ
ている。ヒータ管３０により金属板２５が加熱され、材
料ガスの励起が促されて効率的かつ高品質のＣＶＤ膜を
成膜することができる。金属板２５は熱伝導性のよい銅
製であるので加熱が均一になり、載置部７を均等に加熱
することができる。
【００２５】このように加熱手段を備えたものにする場
合、従来では予めヒータ管３０を埋め込んで焼結する必
要があったが、載置部７の下面にあとからヒータ管３０
を設けることで加熱手段を備えることが可能になる。こ
のため、加熱手段の設計が容易となると共に、ヒータ管
３０だけを基板６や成膜の状況に応じて取り替えること
が可能になり、任意の加熱手段を必要な時に設けること
ができ、加熱制御が簡単に行える。
合、従来では予めヒータ管３０を埋め込んで焼結する必
要があったが、載置部７の下面にあとからヒータ管３０
を設けることで加熱手段を備えることが可能になる。こ
のため、加熱手段の設計が容易となると共に、ヒータ管
３０だけを基板６や成膜の状況に応じて取り替えること
が可能になり、任意の加熱手段を必要な時に設けること
ができ、加熱制御が簡単に行える。
【００２６】図４に基づいて本発明の第３実施形態例に
係るウエハ支持台を説明する。図４には本発明の第３実
施形態例に係るウエハ支持台の側面状況を示してある。
尚、図２、図３に示した部材と同一部材には同一符号を
付して重複する説明は省略してある。
係るウエハ支持台を説明する。図４には本発明の第３実
施形態例に係るウエハ支持台の側面状況を示してある。
尚、図２、図３に示した部材と同一部材には同一符号を
付して重複する説明は省略してある。
【００２７】図４に示すように、ウエハ支持台３２の載
置部７は、基板６よりも大きい円形の銅製の金属板２５
の表面にセラミックス（例えば、アルミナ）２６が十数
μｍの厚さに溶射されて形成されている。載置部７の金
属板２５にはバイアス電源２１及び静電電源２２が接続
され、載置部７に低周波を発生させると共に静電気力を
発生させるようになっている。
置部７は、基板６よりも大きい円形の銅製の金属板２５
の表面にセラミックス（例えば、アルミナ）２６が十数
μｍの厚さに溶射されて形成されている。載置部７の金
属板２５にはバイアス電源２１及び静電電源２２が接続
され、載置部７に低周波を発生させると共に静電気力を
発生させるようになっている。
【００２８】載置部７の下面には、温度制御部材として
の冷媒管３３が渦巻き状に配設され、冷媒管３３にはポ
ンプ３４により冷却水等が循環するようになっている。
冷媒管３３に冷却水が循環されることにより、載置部７
が冷却されて所定温度に保たれるようになっている。金
属板２５は熱伝導性のよい銅製であるので冷却が均一に
なり、載置部７を均等に冷却することができる。冷媒管
３３に加熱媒体を循環させることで、載置部７を加温す
ることも可能である。
の冷媒管３３が渦巻き状に配設され、冷媒管３３にはポ
ンプ３４により冷却水等が循環するようになっている。
冷媒管３３に冷却水が循環されることにより、載置部７
が冷却されて所定温度に保たれるようになっている。金
属板２５は熱伝導性のよい銅製であるので冷却が均一に
なり、載置部７を均等に冷却することができる。冷媒管
３３に加熱媒体を循環させることで、載置部７を加温す
ることも可能である。
【００２９】このように冷却手段や加温手段を備えたも
のにする場合、従来では予め冷媒管３３を埋め込んで焼
結する必要があったが、載置部７の下面に後から冷媒管
３３を設けることで冷却手段や加温手段を備えることが
可能になる。このため、冷却手段や加温手段の設計が容
易になると共に、冷媒管３３だけを基板６や成膜の状況
に応じて取り替えることが可能になり、任意の冷却手段
や加温手段を必要な時に設けることができ、温度制御が
簡単に行える。
のにする場合、従来では予め冷媒管３３を埋め込んで焼
結する必要があったが、載置部７の下面に後から冷媒管
３３を設けることで冷却手段や加温手段を備えることが
可能になる。このため、冷却手段や加温手段の設計が容
易になると共に、冷媒管３３だけを基板６や成膜の状況
に応じて取り替えることが可能になり、任意の冷却手段
や加温手段を必要な時に設けることができ、温度制御が
簡単に行える。
【００３０】上述した実施形態例では、温度制御部材と
して加熱手段や冷却手段、加温手段を後から設けた例を
示したが、温度を制御するための間接的な部材として温
度センサや機能評価センサ等を後から設けることも可能
である。また、温度を制御する部材に限らず、電力の状
況等を制御するための部材を後から設けることも可能で
ある。
して加熱手段や冷却手段、加温手段を後から設けた例を
示したが、温度を制御するための間接的な部材として温
度センサや機能評価センサ等を後から設けることも可能
である。また、温度を制御する部材に限らず、電力の状
況等を制御するための部材を後から設けることも可能で
ある。
【００３１】金属板２５にセラミックス２６を溶射して
載置部７を形成することにより、任意の手段やセンサ等
を後から設けたウエハ支持台とすることができ、ウエハ
支持台の付加価値を要望に応じて高めることが可能にな
る。
載置部７を形成することにより、任意の手段やセンサ等
を後から設けたウエハ支持台とすることができ、ウエハ
支持台の付加価値を要望に応じて高めることが可能にな
る。
【００３２】
【発明の効果】本発明のウエハ支持台は、金属板にセラ
ミックスを溶射することで基板支持部が形成されるの
で、安価でしかも割れ難い基板支持部を備えたウエハ支
持台とすることができる。また、セラミックス材料に導
電性を制御する部材を入れることなく導電性が得られ静
電気力による吸着力が向上して基板を効率よく静電的に
吸着することができる。また、金属板は銅板であり、セ
ラミックスはアルミナであるので、伝熱性の良好となり
基板支持部の温度が均等に保たれ温度管理が容易とな
る。また、温度制御部材を備えたので、温度制御を自由
に設計できるウエハ支持台が容易に得られる。
ミックスを溶射することで基板支持部が形成されるの
で、安価でしかも割れ難い基板支持部を備えたウエハ支
持台とすることができる。また、セラミックス材料に導
電性を制御する部材を入れることなく導電性が得られ静
電気力による吸着力が向上して基板を効率よく静電的に
吸着することができる。また、金属板は銅板であり、セ
ラミックスはアルミナであるので、伝熱性の良好となり
基板支持部の温度が均等に保たれ温度管理が容易とな
る。また、温度制御部材を備えたので、温度制御を自由
に設計できるウエハ支持台が容易に得られる。
【００３３】また、本発明の半導体製造装置は、金属板
にセラミックスを溶射することで基板支持部が形成され
るウエハ支持台を加工室に備え、基板支持部に基板を吸
着させるための静電気力を生じさせる回路を接続し、基
板支持部に吸着された基板に処理を施す処理手段を備え
たので、安価でしかも割れ難い基板支持部を有するウエ
ハ支持台を備えた半導体製造装置とすることができる。
また、基板支持部のセラミックス材料に導電性を制御す
る部材を入れることなく導電性が得られ静電気力による
吸着力が向上して基板を効率よく静電的に吸着すること
ができる。
にセラミックスを溶射することで基板支持部が形成され
るウエハ支持台を加工室に備え、基板支持部に基板を吸
着させるための静電気力を生じさせる回路を接続し、基
板支持部に吸着された基板に処理を施す処理手段を備え
たので、安価でしかも割れ難い基板支持部を有するウエ
ハ支持台を備えた半導体製造装置とすることができる。
また、基板支持部のセラミックス材料に導電性を制御す
る部材を入れることなく導電性が得られ静電気力による
吸着力が向上して基板を効率よく静電的に吸着すること
ができる。
【００３４】また、本発明の半導体製造装置は、成膜室
内に配置され金属板にセラミックスを溶射することで基
板支持部が形成されるウエハ支持台と、基板支持部に基
板を吸着させるための静電気力を生じさせる回路と、成
膜室内にプラズマを生成しそこで励起・活性化された粒
子により基板の表面に薄膜形成処理を施す処理手段とを
備えたので、安価でしかも割れ難い基板支持部を有する
ウエハ支持台を備えた成膜を行う半導体製造装置とする
ことができる。また、基板支持部のセラミックス材料に
導電性を制御する部材を入れることなく導電性が得られ
静電気力による吸着力が向上して基板を効率よく静電的
に吸着することができる。
内に配置され金属板にセラミックスを溶射することで基
板支持部が形成されるウエハ支持台と、基板支持部に基
板を吸着させるための静電気力を生じさせる回路と、成
膜室内にプラズマを生成しそこで励起・活性化された粒
子により基板の表面に薄膜形成処理を施す処理手段とを
備えたので、安価でしかも割れ難い基板支持部を有する
ウエハ支持台を備えた成膜を行う半導体製造装置とする
ことができる。また、基板支持部のセラミックス材料に
導電性を制御する部材を入れることなく導電性が得られ
静電気力による吸着力が向上して基板を効率よく静電的
に吸着することができる。
【００３５】また、基板支持部の金属板は銅板であり、
セラミックスはアルミナであるので、伝熱性が良好とな
り基板支持部の温度が均等に保たれ温度管理が容易とな
る。また、温度制御部材を備えたので、温度制御を自由
に設計できるウエハ支持台を有する半導体製造装置とす
ることができる。
セラミックスはアルミナであるので、伝熱性が良好とな
り基板支持部の温度が均等に保たれ温度管理が容易とな
る。また、温度制御部材を備えたので、温度制御を自由
に設計できるウエハ支持台を有する半導体製造装置とす
ることができる。
【図１】本発明の一実施形態例に係るウエハ支持台を備
えたプラズマＣＶＤ装置の概略側面図。
えたプラズマＣＶＤ装置の概略側面図。
【図２】ウエハ支持台の側面図。
【図３】本発明の第２実施形態例に係るウエハ支持台の
側面図。
側面図。
【図４】本発明の第３実施形態例に係るウエハ支持台の
側面図。
側面図。
【符号の説明】 １ 基部 ２ 容器 ３ 成膜室 ４ 天井板 ５，２８，３２ ウエハ支持台 ６ 基板 ７ 載置部 ８ 支持軸 ９ 電磁石 １０ 鉄心 １１ コイル １２ 三相インバータ電源 １３ 高周波アンテナ １４ 整合器 １５ 高周波電源 １６ ガス供給ノズル １７ 補助ガス供給ノズル １８ 排気系 ２１ バイアス電源 ２２ 静電電源 ２５ 金属板 ２６ セラミックス ３０ ヒータ管 ３１ 電源 ３３ 冷媒管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 雅彦 兵庫県神戸市兵庫区和田崎町一丁目１番１ 号 三菱重工業株式会社神戸造船所内 (72)発明者 上満 憲二郎 兵庫県神戸市兵庫区和田崎町一丁目１番１ 号 三菱重工業株式会社神戸造船所内 Ｆターム(参考） 4K030 CA04 CA12 GA02 KA23 KA41 KA46 5F004 BA20 BB07 BB29 BD04 5F031 CA02 HA02 HA16 HA37 HA38 HA58 JA01 JA46 MA28 NA01 5F045 AA08 AA09 BB08 DP02 EH02 EH11 EH16 EM02 EM05 EM09 GB05
Claims (7)
- 【請求項１】 金属板にセラミックスを溶射することで
基板支持部が形成されることを特徴とするウエハ支持
台。 - 【請求項２】 請求項１において、金属板は銅板であ
り、セラミックスはアルミナであることを特徴とするウ
エハ支持台。 - 【請求項３】 請求項２において、温度制御部材を備え
たことを特徴とするウエハ支持台。 - 【請求項４】 金属板にセラミックスを溶射することで
基板支持部が形成されるウエハ支持台を加工室に備え、
基板支持部に基板を吸着させるための静電気力を生じさ
せる回路を接続し、基板支持部に吸着された基板に処理
を施す処理手段を備えたことを特徴とする半導体製造装
置。 - 【請求項５】 成膜室内に配置され金属板にセラミック
スを溶射することで基板支持部が形成されるウエハ支持
台と、基板支持部に基板を吸着させるための静電気力を
生じさせる回路と、成膜室内にプラズマを生成しそこで
励起・活性化された粒子により基板の表面に薄膜形成処
理を施す処理手段とを備えたことを特徴とする半導体製
造装置。 - 【請求項６】 請求項４もしくは請求項５において、基
板支持部の金属板は銅板であり、セラミックスはアルミ
ナであることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項７】 請求項６において、基板支持部の温度制
御を行う温度制御部材を設けたことを特徴とする半導体
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000215349A JP2002033286A (ja) | 2000-07-17 | 2000-07-17 | ウエハ支持台及び半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000215349A JP2002033286A (ja) | 2000-07-17 | 2000-07-17 | ウエハ支持台及び半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002033286A true JP2002033286A (ja) | 2002-01-31 |
Family
ID=18710783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000215349A Withdrawn JP2002033286A (ja) | 2000-07-17 | 2000-07-17 | ウエハ支持台及び半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002033286A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013133110A1 (ja) * | 2012-03-09 | 2013-09-12 | 株式会社ユーテック | Ｃｖｄ装置 |
| JP2015523732A (ja) * | 2012-07-03 | 2015-08-13 | ワトロウ エレクトリック マニュファクチュアリング カンパニー | 積層ヒータ用複合基板 |
-
2000
- 2000-07-17 JP JP2000215349A patent/JP2002033286A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013133110A1 (ja) * | 2012-03-09 | 2013-09-12 | 株式会社ユーテック | Ｃｖｄ装置 |
| JPWO2013133110A1 (ja) * | 2012-03-09 | 2015-07-30 | 株式会社ユーテック | Ｃｖｄ装置 |
| JP2017179612A (ja) * | 2012-03-09 | 2017-10-05 | 株式会社ユーテック | 成膜方法 |
| JP2015523732A (ja) * | 2012-07-03 | 2015-08-13 | ワトロウ エレクトリック マニュファクチュアリング カンパニー | 積層ヒータ用複合基板 |
| US10395953B2 (en) | 2012-07-03 | 2019-08-27 | Watlow Electric Manufacturing Company | Composite substrate for layered heaters |
| US10658206B2 (en) | 2012-07-03 | 2020-05-19 | Watlow Electric Manufacturing Company | Method of forming a composite substrate for layered heaters |
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|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090423 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090731 |