JPH10130834A - Ｉｃｐ源でのコイルのスパッタリング減少方法 - Google Patents

Ｉｃｐ源でのコイルのスパッタリング減少方法

Info

Publication number
JPH10130834A
JPH10130834A JP9285718A JP28571897A JPH10130834A JP H10130834 A JPH10130834 A JP H10130834A JP 9285718 A JP9285718 A JP 9285718A JP 28571897 A JP28571897 A JP 28571897A JP H10130834 A JPH10130834 A JP H10130834A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
coil
target
sample
plasma
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP9285718A
Other languages
English (en)
Inventor
Zheng Xu
スー ゼン
Fusen Chen
チェン フーセン
Jaim Nulman
ヌルマン ハイム
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JPH10130834A publication Critical patent/JPH10130834A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H01L21/203—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 室内でプラズマを発生し、層をスパッタ堆積
するための改善された方法と装置。 【解決手段】 半導体製造装置内でプラズマ室(100) の
ＲＦコイル(104) のスパッタリングを減らす磁気シール
ドが提供される。磁気シールドはまた、コイル上への材
料の堆積を減らし、その結果コイルにより試料上に落ち
る微粒子物質を減らす。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ発生器に
関し、より詳しくは半導体デバイスの製造において、材
料層をスパッタ堆積するためにプラズマを発生する方法
と装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】低圧のラジオ周波数（ＲＦ）によるプラ
ズマが、エネルギーを与えたイオンと活性化した原子の
便利な供給源となり、表面処理、成膜、エッチングプロ
セス等の色々の半導体デバイス製造プロセスで使用でき
る。例えば、スパッタ成膜プロセスを使用して、半導体
ウェハ上に材料を堆積するためには、プラズマは負にバ
イアスされたスパッタターゲット材料の近くで発生させ
る。プラズマ中で発生したイオンは、ターゲットの表面
に衝突し除去する、即ちターゲットから材料を「スパッ
タ」する。スパッタされた材料は、次に移動し、半導体
ウェハの表面に堆積する。
【０００３】スパッタされた材料は、ターゲットから堆
積する基体まで基体の表面に対して斜めの角度で直線経
路で移動する傾向がある。その結果、幅に対する深さの
アスペクト比の高い溝又は孔を有する半導体デバイスの
エッチングされた溝と孔に体積する材料は、ブリッジと
なり、堆積層に空洞を生じる場合があるので好ましくな
い。このような空洞が出来ないようにするため、スパッ
タされた材料がプラズマにより十分にイオン化されてい
るなら、基体を負に帯電させ、基体に隣接して適当に垂
直に向いた電場を配置することにより、スパッタされた
材料をターゲットと基体の間でほぼ垂直の経路に向け直
すことができる。しかし、低密度プラズマでスパッタさ
れた材料は、イオン化の程度が１％未満である場合が多
く、これでは通常多くの数の空洞が形成されるのを防ぐ
のに十分ではない。従って、堆積層に不所望の空洞が多
く形成されないようにするためには、プラズマの密度を
高め、スパッタされる材料のイオン化割合を増加するこ
とが望ましい。ここで使用する「高密度プラズマ（ＨＤ
Ｐ）」とは、電子とイオン密度が高いものをいう。
【０００４】ＲＦの場でプラズマを励起する公知の技術
には、容量結合、誘導結合、電波加熱等がある。標準的
な誘導結合プラズマ（ＩＰＣ）発生器では、プラズマを
囲むコイルを通過するＲＦ電流が、プラズマ中に電磁電
流を誘導する。この電流により、伝導するプラズマが抵
抗加熱で加熱され、定常状態に保持される。例えば、米
国特許第4,362,632 号に示されるように、コイルを通る
電流は、インピーダンス整合した回路網を通じて、コイ
ルに結合したＲＦ発生器により供給され、コイルが変圧
器の第１の巻きとして作用するようにする。プラズマ
は、変圧器の１巻きの第２の巻きとして作用する。
【０００５】コイルからプラズマへ移行するエネルギー
を最大にするため、コイルをプラズマ自体に出来るだけ
近く配置することが望ましい。しかし同時に、内側表面
から出る微粒子の発生を最小限にすることも望ましい。
これらの内側表面から出るる微粒子は、ウェハ自体の上
に落下し、製品を汚染する場合がある。従って、スパッ
タリング室は、一般にターゲットとウェハを支持する台
の間のプラズマ発生領域を囲む環状シールドを有するこ
とが多い。シールドの表面は、滑らかで緩やかに曲がっ
ているので、比較的清掃し易く、真空室の内側にスパッ
タリング材料が堆積するのを防止する。一方、コイルと
コイルの支持構造の表面は、比較的鋭く曲がっているの
で、コイルとその支持構造から堆積した材料を除去する
のはより難しいと考えられる。さらに、シールドの滑ら
かで緩やかに曲がった表面は、コイルとその支持構造の
鋭く曲がった表面より、出てくる微粒子が少ないと考え
られる。
【０００６】従って、一方でコイルをシールドの外に置
き（本出願の出願人と同じ「プラズマ中のヘリコン波発
生方法と装置」という題の共に係属する1995年11月15日
出願の米国特許出願第08/559,345号に記載されてい
る）、コイルが堆積される材料からシールドされるよう
にするのが好ましい。このような配置にすれば、コイル
とその支持構造による微粒子の発生が最小になり、室の
清掃が容易になるであろう。他方、コイルをシールド内
側のプラズマ発生領域に出来るだけ近く置き、プラズマ
からの間隔による又はシールド自体による減衰を防ぎ、
それによりコイルからプラズマへのエネルギー移行を最
大にするのが好ましい。従って、微粒子の発生を最小に
し、室の清掃を容易にしながら、同時にコイルからプラ
ズマへのエネルギー移行を最大にするのは困難であっ
た。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、実際
的な用途で室内でプラズマを発生し、層をスパッタ堆積
するための上述の制限をなくす改善された方法と装置を
提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】これら及び他の目的と利
点は、本発明の１態様に従い、プラズマとイオン化した
ターゲット材料から磁気シールドされたコイルからの電
磁エネルギーを誘導結合するプラズマ発生装置により達
成され、ターゲット材料のコイル上への堆積を最小にす
ることができる。その結果、コイルから出る微粒子物質
による汚染を減らすことができる。好適な実施例では、
試料上に材料をスパッタするため半導体製造装置内でプ
ラズマにエネルギーを与える装置は、室内にプラズマ発
生領域を有する半導体製造室と、該室に支持されエネル
ギーをプラズマ発生領域に結合するよう配置されたコイ
ルと、該コイルから試料へのスパッタリングを減らすよ
うに配置された磁場の配列とを備える。又は、磁場の配
列は、ターゲットからコイルへのスパッタリングを減ら
すように配置することもできる。ターゲットとコイル
は、両方ともチタン、アルミニウム、又は他の好適な材
料を含むことができる。この装置は、室に伴い、磁場の
配列を与えるように配置された１つまたはそれ以上の電
磁石コイルを備えるようにしてもよい。又は、この装置
は、室に支持され、磁場の配列を提供するように配置さ
れた１つまたはそれ以上の永久磁石を備えるようにして
もよい。
【０００９】
【発明の実施の形態及び実施例】最初に図１〜３を参照
すると、本発明の実施例によるプラズマ発生器は、真空
室102 （図２）に収容されたほぼ円筒形のプラズマ室10
0 を備える。この実施例のプラズマ室100 は、真空室壁
108 （図２）の内側に室シールド106 により保持される
１つの螺旋形コイル104 を有する。室シールド106 は、
プラズマ室100 の内部で真空室102 の真空室壁108 （図
２）に材料が堆積するのを防止する。ＲＦ発生器3040か
らのラジオ周波数（ＲＦ）エネルギーが、コイル104 か
らプラズマ室100 の内部へ放射され、それがプラズマ室
100 内のプラズマにエネルギーを与える。イオン束が、
プラズマ室100 の上に配置され、負にバイアスされたタ
ーゲット110 に衝突する。プラズマイオンが、ターゲッ
ト110 から材料を放出させ、プラズマ室100 の底部に台
114 で保持されたウェハ又は他の試料である基体112 の
上に堆積させる。ターゲット110 上に設けられた回転磁
石組立体116 が、磁場を発生し、ターゲット110 のスパ
ッタリングにより均一に浸食するようにターゲット110
の表面の上をスイープする。
【００１０】以下に詳述するように、本発明の１態様で
は、コイル104 は、電磁石コイル1000と1010により発生
する磁場により磁気的にシールドされ、コイル104 から
の材料のスパッタリングが最小になるようになってい
る。さらに、ターゲット材料のコイル104 上への堆積も
減らすことができる。その結果、コイル104 からスパッ
タされた材料による又はコイル104 から出る微粒子物質
による基体112 の汚染を減少させることができる。図３
は、この例示の実施例のプラズマ発生装置の電気接続の
概略図である。プラズマにより発生したイオンを引きつ
けるため、ターゲット110 は可変ＤＣ電源3000により負
にバイアスされるのが好ましい。同様に、台114 を可変
ＤＣ電源3010により負にバイアスし、基体112 を負にバ
イアスして、イオン化した堆積材料を基体112 に引きつ
けることができる。図４に示す他の実施例では、基体11
2 を負にバイアスするため台114 はラジオ周波数ＲＦ電
源によりバイアスされ、イオン化した堆積材料をより均
一に基体112 に引きつけることができる。台114 の一端
は、アンプと整合回路網3025の出力のようなＲＦ電源に
結合し、その入力は、ＲＦ発生器3045に結合する。台11
4 の他端は、好ましくはコンデンサー3065を通って接地
される。コンデンサーは可変コンデンサーでもよい。又
は、基体112 の外部バイアスはなくすこともできる。こ
れは、本出願の出願人と同じ「全面高密度プラズマ物理
蒸着方法」という題の共に係属する1996年７月９日出願
の米国特許出願第08/677,588号（代理人ファイル#1402/
PVD/DV）に記載されている。
【００１１】コイル104 の一端は、アンプと整合回路網
3020の出力等のＲＦ電源に結合し、その入力は、ＲＦ発
生器3040に結合する。コイル104 の他端は、好ましくは
コンデンサー3060を通って接地される。コンデンサーは
可変コンデンサーでもよい。同様に、電磁石コイル1000
の一端は、変圧器と整流回路4020の出力等のＤＣ電源に
結合し、その入力は、ＡＣ電力発生器4040に結合する。
電磁石コイル1000の他端は、好ましくは抵抗4060を通っ
て接地される。抵抗は可変抵抗でもよい。同様に、電磁
石コイル1010の一端は、変圧器と整流回路5020の出力等
のＤＣ電源に結合し、その入力は、ＡＣ電力発生器5040
に結合する。電磁石コイル1010の他端は、好ましくは抵
抗5060を通って接地される。抵抗は可変抵抗でもよい。
又は、両方の電磁石コイル1000と1010を同一にすること
もでき、もちろん両方を共通のＤＣ電力発生器に結合す
ることもでき、１つ又はそれ以上のＡＣ電源を使用する
こともできる。高温又は低温超伝導材料の巻き線を使用
して、必要により極低温に冷却し、電磁石コイル1000と
1010の１つ又はそれ以上を超伝導とし、いったんエネル
ギーを与えたら電源からの結合を外すことができる。
【００１２】図５は、電磁石コイル1000と1010の作用を
図式的に示す。即ち、コイル104 からの材料のスパッタ
リングを減らし、コイル104 による微粒子物質の発生を
減らし、それゆえ基体112 の汚染を減らす作用である。
図５に示すように、磁力線1100は電磁石コイル1000と10
10で発生し、高密度プラズマ900 でエネルギーを与えら
れた電子を磁力線1100の周りの螺旋経路1200を渦巻形に
進め、エネルギーを与えられた電子を螺旋コイル104 に
衝突しないように偏向させる。磁力線1100によるエネル
ギーを与えられた電子の偏向はまた、偏向した電子の一
般的移動方向に沿って電場を発生し、高密度プラズマ90
0 のエネルギーを与えられたイオンとターゲット材料の
イオンを螺旋コイル104 に衝突しないように偏向させ
る。さらに、磁力線1100は、高密度プラズマ900 をプラ
ズマ室100 の中心軸に向かって内側に圧縮し、コイル10
4 の半径方向内側に磁力線1100の強度によって数mmから
１cmまたはそれ以上のバッファー領域を生じ、コイル10
4 を直接プラズマで加熱しないようにできるので有利で
ある。より詳しくは、磁力線1100は、高密度プラズマ90
0 のエネルギーを与えられた電子をコイル104 から離れ
るように偏向させ、コイル104 の周り回って接地した室
シールド106 へ行くようにする。これが、エネルギーを
与えられた電子をコイル104 のすぐ近くに滞在しないよ
うにし、前駆物質のガス原子と分子をイオン化しないよ
うにし、コイル104 から材料をスパッタしないようにす
る。スパッタすると、それが次に基体112 を汚染するこ
とがある。さらに、磁力線1100は、コイル104 をある程
度までイオン化した堆積物質（元はターゲット110 から
放出された）から磁気的にシールドすることができる。
その結果、ターゲット材料のコイル104 上への蓄積を減
らすことができ、そのため微粒子の形成を減らすことが
できる。微粒子が出来ると、次にコイル104 から移動し
て落下し、基体112 を汚染する恐れがある。隣接するＲ
Ｆコイル104 の領域で電磁石コイル1000と1010で発生す
る一般的な磁場強度は、50〜110 ガウスの範囲である。
高密度プラズマ900 の一般的な電子密度は、1012cm-3の
程度である。
【００１３】図６は、プラズマ室100 の中心軸からの距
離ｘに対する、軸方向の磁場強度Ｂ z の好適な一定でな
い配列の概略を示す。例えば図６に示すように、プラズ
マ室100 の中心軸に近い軸方向の位置ｘa の磁場強度ａ
（図５）は、プラズマ室100の中心軸からより遠い軸方
向の位置ｘb の磁場強度ｂ（図５）より小さい。その結
果、軸方向に磁場強度Ｂz の好適な一定でない配列で
は、高密度プラズマ900の中央領域での磁力線1100の影
響が減少し、一方高密度プラズマ900 の周縁部の有効磁
気シールドは高まる。図６に示すように、プラズマ室10
0 の中心軸から遠い距離ｘでの一般的な磁場強度Ｂz の
大きさの値は、およそ８０ガウスである。一般に好適な
実施例では、高密度プラズマ900 に比較的大きな導電性
があれば、磁場強度Ｂの大きさは、高密度プラズマ900
の縁部から中央領域に向かって指数関数的に減少する。
【００１４】図２は、プラズマ室100 が物理蒸着（ＰＶ
Ｄ）装置に組み込まれた状態を示す。本発明のプラズマ
発生器は例示のためＰＶＤ装置と組み合わせて記載する
が、本発明のプラズマ発生器は、プラズマエッチング、
化学蒸着（ＣＶＤ）、他の色々の表面処理プロセス等の
プラズマを利用する他の半導体製造プロセスで使用する
のにも適している。コイル104 は、複数のコイルの離隔
絶縁器（スタンドオフ）120 （図１）により室シールド
160 上に保持され、それが、コイル104 を支持する室シ
ールド160から電気的に絶縁する。さらに、コイルの離
隔絶縁器120 は内部ラビリンス構造を有し、ターゲット
110 からコイルの離隔絶縁器120 へ導電性材料を繰り返
し堆積しても、コイル104 から室シールド160 への完全
な導電性通路ができてコイル104 を室シールド160 （一
般に接地されている）へ短絡させることがないようにす
る。
【００１５】ＲＦ電力は、貫通ボルト356 （図２）によ
りコイル104 に与えられる。貫通（フィードスルー）離
隔絶縁器124 が、コイル支持する離隔絶縁器120 と同様
に、ターゲットからコイル貫通離隔絶縁器124 へ導電性
材料の繰り返し堆積しても、導電性通路ができ、コイル
104 を室シールド160 へ短絡させることがないようにす
る。これは、本出願の出願人と同じ「プラズマを発生す
る凹部付コイル」という題の共に係属する1996年５月９
日出願の米国特許出願第08/647,182号（代理人ファイル
#1186/PVD/DV）に記載されている。図２に示すように、
コイルの貫通離隔絶縁器124 は、コイル支持する離隔絶
縁器120 と同様に、ほぼ円板形の絶縁ベース部材350
と、絶縁ベース部材350 をカバーするサンドブラストし
たチタン製のほぼ円筒形のカバー部材352 とを有する。
ベース部材350 とカバー部材352 は、コイル離隔絶縁器
120 の構造に似た内部ラビリンス構造を形成し、コイル
104とシールドの壁140 の間が短絡するのを防ぐ。貫通
離隔絶縁器124 は、中央孔を有し、そこを通ってネジ付
き導電性貫通ボルト356 が延び、そこを通ってＲＦ電力
がコイル104 に与えられる。貫通ボルト356 は、チタン
スリーブ358 に収容され、該チタンスリーブはサンドブ
ラストしたチタン製の末端スリーブ359 を有し、それが
コイル104 を受ける。貫通離隔絶縁器124 は、絶縁ベー
ス部材350 によりシールドの壁140 の内側に固定され、
ナット366 が壁140 の他の側で貫通ボルト356 上にネジ
止めされる。ナット366 は、電気コネクター368 と絶縁
スペーサー374 により、壁140 から間隔をおいている。
電気コネクター368 は、整合回路網3020を通って（図３
に図式的に示す）、貫通ボルト356 をＲＦ発生器3040に
結合する（図３に図式的に示す）。
【００１６】図２に示すように、電磁石コイル1000と10
10は、それぞれ電磁石コイル支持具1005と1015により室
シールド106 の外に配置される。電磁石コイル支持具10
05はアダプターリング組立体152 に取り付けることがで
き、電磁石コイル支持具1015は真空室壁108 に取り付け
ることができる。図３に示すように、電磁石コイル1000
は、アダプターリング組立体の貫通部（図示せず）を通
ってＤＣ電源に結合する。電磁石コイル1010は、真空室
壁の貫通部（図示せず）を通ってＤＣ電源に結合する。
又は、電磁石コイル1000と1010の１つ又は両方をＡＣ電
源に結合することもでき、そうすると高密度プラズマ90
0 が回転し、ターゲット110 から基体112 上への材料が
より均一に堆積する。図２から分かるように、この実施
例のプラズマ室100 は、上に位置するターゲット110 の
グランド面を与え、負にバイアスされたダークスペース
シールドリング130 を有する。さらに、前述の共に係属
する米国特許出願第08/647,182号に詳細に説明されてい
るように、シールドリング130 は、ターゲットの外縁を
プラズマからシールドし、ターゲットの外縁のスパッタ
リングを減少させる。ダークスペースシールドリング13
0 は、コイル104 （とコイル支持離隔絶縁器120 と貫通
離隔絶縁器124 ）をターゲット110 からスパッタされる
材料からシールドするように配置されているという点
で、別の機能も行う。
【００１７】この例示の実施例では、ダークスペースシ
ールドリング130 は、ほぼ逆円錐台形で、（反磁性の）
チタン又は（非強磁性の）ステンレス鋼又は（非磁性
の）ニッケルの閉じた連続リングである。ダークスペー
スシールドリング130 は、プラズマ室100 の中心に向か
って延び、1/4 インチの距離ｄだけコイル104 に重なり
合う。もちろん、重なり合う量は、コイル104 の相対的
な大きさと位置及び他の要因によって変えることができ
る。例えば、重なり合いを増加して、スパッタされる材
料からのコイル104 のシールドを増加させることができ
るが、重なり合いを増加すると、ターゲット110 をプラ
ズマからさらにシールドすることになり、用途によって
は好ましくない。又は、コイル104 をプラズマ室100 の
中心に近くに移動することにより、ダークスペースシー
ルドリング130 とコイル104 の重なり合う量を減らし
て、高密度プラズマ900 がエネルギーを与えるのを増加
することができる。このような重なり合いが減少する
と、ダークスペースシールドリング130 によりターゲッ
ト110 からスパッタされる材料からコイル104 のシール
ドが減るが、電磁石1000と1010により発生する磁力線に
よる磁気シールドは、ダークスペースシールドリング13
0 によるシールドの減少を完全に又は一部補償する。
【００１８】室シールド106 はほぼ深皿形であり、ほぼ
円筒形の垂直方向壁140 を備え、該壁に離隔絶縁器120
と124 がコイル104 を絶縁して支持するように取り付け
られる。シールドはさらに、ほぼ環状のフロア壁142 を
備え、該壁がチャック即ち台114 を囲み、例示の実施例
では該台に直径８インチの基体112 を支持する。クラン
プリング154 がウェハを台114 に固定し、室シールド10
6 のフロア壁142 と台114 の間の間隙をカバーする。従
って、図２から明らかなように、室シールド106 がクラ
ンプリング154 と共に、プラズマ室100 内で基体112 上
に堆積する堆積材料から、真空室102 の内側を保護す
る。前述の共に係属する「全面高密度プラズマ物理蒸着
方法」という題の共に係属する1996年７月９日出願の米
国特許出願第08/677,588号（代理人ファイル#1402/PVD/
DV）に詳細に説明されているように、クランプリングは
なくすことができる。室シールド106 もまた、ダークス
ペースシールドリング130 と同様に、（反磁性の）チタ
ン又は（非強磁性の）ステンレス鋼又は（非磁性の）ニ
ッケルで形成されるのが好ましい。
【００１９】真空室壁108 は、上側環状フランジ150 を
有する。プラズマ室100 は、上側環状フランジ150 に係
合するアダプターリング組立体152 により支持される。
室シールド106 は、水平に延びる外側フランジ160 を有
し、該部材は複数の固定ネジ（図示せず）により、アダ
プターリング組立体152 の水平に延びるフランジ162に
固定されている。室シールド106 は、アダプターリング
組立体152 を通って装置のアースに接地されている。ダ
ークスペースシールドリング130 はまた、上側フランジ
170 を有し、該フランジはアダプターリング組立体152
の水平のフランジ部材162 に固定される。ダークスペー
スシールドリング130 はまた、室シールド106 と同様に
アダプターリング組立体152 を通って接地される。ター
ゲット110 は、一般に円板形で、またアダプターリング
組立体152 により支持される。しかし、ターゲット110
は負にバイアスされ、それゆえ接地されているアダプタ
ーリング組立体152 からは絶縁しなければならない。従
って、ターゲット110 の下側に形成された溝176 に、セ
ラミック絶縁リング組立体172 が置かれ、該組立体はま
たアダプターリング組立体152 の上側の対応する溝174
内に置かれる。絶縁リング組立体172 は、セラミック等
の色々の絶縁材料で造ることができ、ターゲット110 を
アダプターリング組立体152 から間隔をおき、ターゲッ
ト110 が適切に負にバイアスされるようにする。ターゲ
ットとアダプターリング組立体にはＯリングシーリング
表面178 を設け、真空室フランジ150 からターゲット11
0 まで、真空漏れのない組立体とする。
【００２０】例示の実施例のコイル104 は、２インチ×
1/8 インチの丈夫でサンドブラストした固体高純度（好
ましくは99.995％の純度）チタン又は銅のリボンを直径
12〜14インチの３巻きの螺旋コイルに形成したものであ
る。しかし、スパッターされる材料と他の要因により、
他の高導電性材料を使用し、別の形状とすることもでき
る。例えば、リボンは1/16インチと薄くてもよい。又、
スパッタする材料がアルミニウムなら、ターゲットとコ
イルの両方を高純度アルミニウムで作るのがよい。例示
したリボンの形状に加えて、特に水冷する場合は中空チ
ューブを使用することもできる。図１〜５の実施例で
は、２つの電磁石コイル1000と1010しか使用しなかった
が、電磁石コイルは１つでもよく、10又はそれ以上の電
磁石コイルを使用することもでき、電磁石コイルと永久
磁石を組み合わせて使用することもできる。多くの電磁
石コイルを使用する利点は、多くの電磁石コイルを使用
すると、高密度プラズマ900 の整形即ち「ボトリング」
をより正確にでき、そのため高密度プラズマ900 の有効
電子密度が増加し、ターゲット110 から基体112 上へ均
一に堆積するようにし、ターゲット110 から基体112 の
精密な形状と構造、特に高いアスペクト比の深く狭い
溝、管、接触孔等に堆積する材料を磁気的に平行にす
る。
【００２１】図７は、本発明の他の実施例の磁気シール
ドした螺旋コイル104 の断面図であり、幾らか異なる構
成によりコイル104 による微粒子物質の発生が減少し、
基体112 の汚染が減少している。図７の実施例では、永
久磁石2000により磁力線2100が発生し、高密度プラズマ
900 でエネルギーを与えられた電子を磁力線2100の周り
の螺旋経路1200を渦巻形に進め、エネルギーを与えられ
た電子と高密度プラズマ900 のイオン、及びターゲット
材料のイオンを螺旋コイル104 に衝突しないように偏向
させる。図７に示すように、螺旋経路1200は、磁力線21
00にほぼ垂直な平面に投影するとほぼ円形になる。図７
に示す電子の螺旋経路1200の投影は、適当である。磁力
線2100は、図７の左側の図の平面に入り、図７の右側の
図の平面から出てくるからである。ｋ方向の磁場Ｂk で
ｊ方向に速度ｖj で動く電子上のｉ方向のローレンツ力
の磁気成分Ｆimは（方向１、２、３は右手協働系を形成
する）、
【数１】 で与えられる。ここに、電子の電荷の絶対値は1.602189
2 ±0.0000046 ×10-19 クーロン、光速ｃは、2.997924
58±0.000000012 ×1010cm/sec、εijk は、完全に反対
称のテンソルである（ε123=1=ε231=ε321= -ε213= -
ε 132= -ε321 、他の全ての成分は消える）。
【００２２】例えば図７において、１方向を水平、２方
向を垂直、３方向を図の平面に垂直とすると、図７の左
側では、磁力線2100が図の平面の３の負方向に入る（B1
=0,B 2=0,B3=-B ）。図の平面の電子の速度が２の正方向
で上方（v1=0,v2=v,v3=0）のとき、ローレンツ力の磁気
成分は、１の正方向で右である（F1m =-ε123ev2B3/c=e
vB/c,F2m=0,F3m=0）。図の平面の電子の速度が１の正方
向で右方（v1=v,v2=0,v3=0）のとき、ローレンツ力の磁
気成分は、２の負方向で下方である（F1m =0,F 2m = -ε
213ev1B3/c=evB/c,F3m =0 ）。図の平面の電子の速度が
２の負方向で下方（v1=0,v2=-v,v3=0 ）のとき、ローレ
ンツ力の磁気成分は、１の負方向で左方である（F1m =-
ε123ev2B3/c=evB/c,F2m =0,F3m =0）。図の平面の電子
の速度が１の負方向で左方（v1=-v,v2=0,v3=0 ）のと
き、ローレンツ力の磁気成分は、２の正方向の上方であ
る（F1m =0,F2m = -ε213ev1B3/c=evB/c,F3m =0 ）。そ
の結果、電子は図７の左側に示すように図の平面で時計
回りに回転する。同様に、図７の右側では、磁力線2100
が図の平面から３の正方向に出る（B1=0,B2=0,B3=B）。
図の平面の電子の速度が２の正方向で上方（v1=0,v2=v,
v3=0）のとき、ローレンツ力の磁気成分は、１の負方向
で左である（F1m =-ε123ev2B3/c=-evB/c,F2m =0,F3m=
0）。図の平面の電子の速度が１の負方向で左方（v1=-
v,v2=0,v3=0 ）のとき、ローレンツ力の磁気成分は、２
の負方向の下方である（F1m=0,F2m = -ε213ev1B3/c=-e
vB/c,F3m =0）。図の平面の電子の速度が２の負方向で
下方（v1=0,v2=-v,v3=0 ）のとき、ローレンツ力の磁気
成分は、１の正方向の右方である（F1m =-ε123ev2B3/c
=evB/c,F2m =0,F3m =0）。図の平面の電子の速度が１の
正方向で右方（v1=v,v2=0,v3=0）のとき、ローレンツ力
の磁気成分は、２の正方向の上方である（F1m =0,F2m =
-ε213ev1B3/c=evB/c,F3m =0 ）。その結果、電子は図
７の右側に示すように図の平面で反時計回りに回転す
る。
【００２３】永久磁石2000で発生する磁力線2100により
与えられる磁気シールドは、図１〜５の実施例のダーク
スペースシールドリング130 と同じような機能を果た
す。より詳しくは、磁力線2100は、ターゲット110 から
放出される堆積材料からコイル104 をある程度磁気的に
シールドする。さらに上述したように、磁力線2100は、
高密度プラズマ900 からエネルギーを与えられた電子を
コイル104 とコイル104の周りから離れ、接地した室シ
ールド106 へ向くように偏向させる。こうすると、エネ
ルギーを与えられた電子がコイル104 のすぐ近くに滞在
せず、前駆物質のガス原子と分子をイオン化しない。も
しイオン化すると、コイル104 から材料をスパッタし、
次に基体112 を汚染することになる。図８は、図７の他
の実施例の永久磁石2000の好適な配置の上面平面図であ
る。さらに、永久磁石2000を、コイル104 に対してプラ
ズマ室100 の中心軸の周りで機械的に回転させ、高密度
プラズマ900 のエネルギーを与えられた電子とイオン、
及びターゲット材料のイオンから、コイル104 をより均
一に磁気シールドするようにすることもできる。
【００２４】上述の個々の実施例で、複数巻きのコイル
104 と204 を使用したが、もちろん代わりに１回巻きの
コイルを使用することもできる。さらに、例示のリボン
形コイル104 と204 の代わりに、コイル104 と204 の個
々の巻きを平らな開端環状リングで代用することもでき
る。これは、「プラズマ発生とスパッタリング用のコイ
ル」という題の共に係属し本出願人に属する1996年７月
10日出願の米国特許出願第08/680,335号（代理人ファイ
ル#1390-CIP/PVD/DV）に記述されている。上述の個々の
実施例は、プラズマ室内で１つのコイルを使用する。本
発明は、ＲＦでエネルギーを与えられたコイルを２つ以
上有するプラズマ室に適用できる。例えば、本発明はヘ
リコン（螺旋）波を発生する複数コイル室に適用するこ
とができる。これは、前述の「プラズマ中でヘリコン波
を発生する方法と装置」という題の共に係属する1995年
11月15日出願の米国特許出願第08/559,345号に記述され
ている。適当なＲＦ発生器と整合する回路は、当業者に
よく知られた部品である。例えば、整合回路とアンテナ
と最適の周波数整合を行う「周波数探索」を行うことが
出来るENI Genesis シリーズは、好適である。ＲＦ電力
をコイル104 に発生する発生器の周波数は、２MHz が好
ましいが、範囲は例えば１MHz から４MHz まで変えるこ
とができる。ＲＦ電力設定は4.5 kWが好適であるが、1.
5 〜５kWを使用できる。さらに、ターゲット110 のバイ
アスは３kWが好適であるが、２〜10kWを使用でき、台11
4 のバイアス電圧はＤＣ−30V を使用できる。
【００２５】上述の実施例では、室シールド106 の直径
は、16インチであるが、直径は６〜25インチの範囲でも
よい。シールドは、セラミック又は水晶等の絶縁材料等
の色々の材料で作ることができる。しかし、シールドと
ターゲット材料で被覆され易い全ての金属表面は、スパ
ッタされるターゲット材料と同じ材料で作るのでなけれ
ば、ステンレス鋼又は銅等の材料で作るのが好ましい。
被覆される構造材料の熱膨張係数は、スパッタされる材
料の熱膨張係数と近くし、スパッタされた材料がシール
ド又は他の構造から剥離しウェハ上に落ちないようにす
るのがよい。さらに、被覆される材料はスパッタされる
材料によく付着するのがよい。従って、堆積する材料が
チタンなら、シールド、ブラケット、被覆され易い他の
構造の好適な金属は、サンドブラストしたチタンであ
る。コイルの端部キャップと貫通離隔絶縁器等のよりス
パッタされ易い表面は、例えば高純度チタン等のターゲ
ットと同じ種類の材料で作るのがよい。もちろん、堆積
する材料がチタン以外なら、好適な金属は堆積する材
料、例えばステンレス鋼である。ターゲットをスパッタ
する前に構造をモリブテンで被覆すれば、付着性が改善
される。しかし、モリブテンはコイルからスパッタされ
れば試料を汚染するので、コイル（又は他のスパッタさ
れ易い表面）は、モリブテン又は他の材料で被覆しない
方が好ましい。
【００２６】ウェハからターゲットまでの間隔は、約14
0 mm（約5.5 in）が好ましいが、約1.5 〜８inの範囲と
することができる。このウェハとターゲットの間隔で、
ターゲットから1.9 インチ間隔をおいてコイルの直径1
1.4インチで、段付きウェハの満足できる底部被覆率を
達成した。コイルの直径を大きくすると、コイルが試料
の端部から離れ、底部被覆率に悪影響があることが分か
った。一方、コイルの直径を小さくし、コイルを試料近
くに動かすと、層の均一性に悪影響がある。堆積の均一
性は、コイルのターゲットからの間隔の関数と考えられ
る。前述したように、ターゲットとウェハの間隔が140
mmでは、コイルとターゲットの間隔1.9 インチが良かっ
た。コイルを垂直にターゲット（又はウェハ）に向かっ
て又は離れるように動かすと、堆積層の均一性に悪影響
がある。プラズマを発生するのに、Ar、H2、O2、又はNF
3 、CF4 等の反応性ガスその他等の色々の前駆物質ガス
を使用することができる。前駆物質ガス圧力の範囲は、
0.1 〜50mTorr が適している。イオン化ＰＶＤでは、ス
パッタされた材料を最もよくイオン化するには、10〜10
0 mTorr の範囲の圧力が好ましい。もちろん、色々の態
様での本発明の改変は、当業者には明らかであろう。調
査して分かるものもあり、通常の機械的電気的設計事項
もある。他の実施例も可能であり、特定の設計は特定の
用途による。このように、本発明の範囲は、ここに記述
した特定の実施例に限らず、特許請求の範囲とその均等
範囲により決められる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例によるプラズマ発生室の一部断
面にした斜視図。
【図２】図１のプラズマ発生室を真空室に組み込んだ状
態の一部の断面図。
【図３】図１、２のプラズマ発生室への電気的相互連絡
の概略図。
【図４】図１、２のプラズマ発生室への他の電気的相互
連絡の概略図。
【図５】図１〜４の実施例のプラズマ発生室の概略断面
図。
【図６】図５の磁場の軸方向磁力の大きさを示す概略
図。
【図７】本発明の他の実施例によるプラズマ発生室の断
面図。
【図８】図７の実施例によるプラズマ発生室の上面図。
【符号の説明】
100 ・・プラズマ室 102 ・・真空室 104 ・・コイル 106 ・・室シールド 108 ・・真空室壁 110 ・・ターゲット 112 ・・基体 114 ・・台 120 ・・コイル離隔絶縁器 130 ・・ダークスペースシールドリング 900 ・・高密度プラズマ 1000,1010 ・・電磁石コイル 2000・・永久磁石 3000,3010 ・・可変ＤＣ電源 3040・・ＲＦ発生器 4040,5040 ・・ＡＣ電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フーセン チェン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95014 クーパーティノ スターン アベ ニュー 10390 (72)発明者 ハイム ヌルマン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94306 パロ アルト エル カミノ ウ ェイ 4155ジー

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 材料を試料上にスパッタするため、半導
    体製造装置内でプラズマにエネルギーを与える装置にお
    いて、 プラズマ発生領域を内部に有する半導体製造室、 前記室に支持され、前記プラズマ発生領域にエネルギー
    を結合するコイル、及び、 前記コイルから前記試料上へのスパッタリングを減少す
    るように配置された磁場の配列を有することを特徴とす
    る装置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載した装置であって、チタ
    ンを含むターゲットを備え、前記コイルはチタンを含む
    ことを特徴とする装置。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載した装置であって、アル
    ミニウムを含むターゲットを備え、前記コイルはアルミ
    ニウムを含むことを特徴とする装置。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載した装置であって、前記
    室に支持され、前記磁場の配列を与えるように配置され
    た複数の電磁石コイルを備えることを特徴とする装置。
  5. 【請求項５】 請求項１に記載した装置であって、前記
    室に支持され、前記磁場の配列を与えるように配置され
    た複数の永久磁石を備えることを特徴とする装置。
  6. 【請求項６】 材料を試料上にスパッタするため、半導
    体製造装置内でプラズマにエネルギーを与える装置にお
    いて、 プラズマ発生領域を内部に有する半導体製造室、 前記室内に支持され、第１材料で作られ、ターゲット材
    料を試料上にスパッタするように配置されたスパッタリ
    ングターゲット、 前記室に支持され、前記ターゲットと同じ種類の材料で
    形成されたコイル、及び、 前記コイルから前記試料上へのスパッタリングを減少す
    るような配置で、磁場の配列を与えるように配置された
    第１、第２電磁石コイル、を備えることを特徴とする装
    置。
  7. 【請求項７】 請求項６に記載した装置であって、前記
    第１、第２電磁石コイルは、磁場強度の大きさが、前記
    室のほぼ中央領域でほぼ最小になることを特徴とする装
    置。
  8. 【請求項８】 請求項６に記載した装置であって、 前記ターゲットにＤＣバイアスを与える第１電源、 前記試料にＤＣバイアスを与える第２電源、 前記コイルにＲＦ電力を与えるＲＦ発生器、及び、 前記第１、第２電磁石コイルにＤＣ電力を与える第３電
    源、を備えることを特徴とする装置。
  9. 【請求項９】 請求項６に記載した装置であって、 前記ターゲットにＤＣバイアスを与える第１電源、 前記試料にＤＣバイアスを与える第２電源、 前記コイルにＲＦ電力を与えるＲＦ発生器、 前記第１電磁石コイルにＤＣ電力を与える第３電源、及
    び、 前記第２電磁石コイルにＤＣ電力を与える第４電源、を
    備えることを特徴とする装置。
  10. 【請求項１０】 請求項６に記載した装置であって、 前記ターゲットにＤＣバイアスを与える電源、 前記試料に交流バイアスを与えるＲＦ電源、 前記コイルにＲＦ電力を与えるＲＦ発生器、及び、 前記第１、第２電磁石コイルにＤＣ電力を与える電源、
    を備えることを特徴とする装置。
  11. 【請求項１１】 請求項６に記載した装置であって、 前記ターゲットにＤＣバイアスを与える電源、 前記試料に交流バイアスを与えるＲＦ電源、 前記コイルにＲＦ電力を与えるＲＦ発生器、 前記第１電磁石コイルにＤＣ電力を与える第１電源、及
    び、 前記第２電磁石コイルにＤＣ電力を与える第２電源、を
    備えることを特徴とする装置。
  12. 【請求項１２】 材料を試料上にスパッタするため、半
    導体製造装置内でプラズマにエネルギーを与える装置に
    おいて、 プラズマ発生領域を内部に有する半導体製造室、 前記室に支持され、前記プラズマ発生領域にエネルギー
    を結合するコイル、 ターゲットから前記コイル上へのスパッタリングを減少
    するように配置された磁場の配列を有することを特徴と
    する装置。
  13. 【請求項１３】 材料を試料上に堆積する方法におい
    て、 前記試料上に配置されたターゲットから前記試料上へタ
    ーゲット材料をスパッタリングし、 前記試料に隣接して配置されたコイルを磁気的にシール
    ドし、前記コイルからのコイル材料の前記試料上へのス
    パッタリングを減少することを特徴とする方法。
  14. 【請求項１４】 請求項１３に記載した方法であって、
    複数の電磁石コイルにエネルギーを与え、前記コイルの
    前記磁気シールドを与えることを特徴とする方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１３に記載した方法であって、
    前記ターゲット材料と前記コイル材料は同じ種類の材料
    であることを特徴とする方法。
  16. 【請求項１６】 請求項１３に記載した方法であって、
    複数の永久磁石を配置し、前記コイルの前記磁気シール
    ドを与えることを特徴とする方法。
  17. 【請求項１７】 材料を試料上に堆積する方法におい
    て、 前記試料上に配置されたターゲットから前記試料上へタ
    ーゲット材料をスパッタリングし、 前記試料に隣接して配置されたコイルを磁気的にシール
    ドし、前記ターゲットからのターゲット材料の前記コイ
    ル上へのスパッタリングを減少することを特徴とする方
    法。
JP9285718A 1996-10-17 1997-10-17 Ｉｃｐ源でのコイルのスパッタリング減少方法 Withdrawn JPH10130834A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/733,620 US6514390B1 (en) 1996-10-17 1996-10-17 Method to eliminate coil sputtering in an ICP source
US08/733620 1996-10-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10130834A true JPH10130834A (ja) 1998-05-19

Family

ID=24948413

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9285718A Withdrawn JPH10130834A (ja) 1996-10-17 1997-10-17 Ｉｃｐ源でのコイルのスパッタリング減少方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6514390B1 (ja)
EP (1) EP0837490A3 (ja)
JP (1) JPH10130834A (ja)
KR (1) KR19980032837A (ja)
SG (1) SG65687A1 (ja)
TW (1) TW382737B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000129439A (ja) * 1998-10-23 2000-05-09 Trikon Holdings Ltd スパッタリング装置および方法
JP2001220667A (ja) * 1999-09-27 2001-08-14 Applied Materials Inc スパッタされたドープ済みのシード層を形成する方法及び装置
KR20020078618A (ko) * 2001-04-06 2002-10-19 이정중 다중 코일 방식의 유도 결합 플라즈마 마그네트론스퍼터링 시스템 및 그 방법
JP5072096B2 (ja) * 2005-09-09 2012-11-14 株式会社アルバック イオン源およびプラズマ処理装置
WO2014170935A1 (ja) * 2013-04-19 2014-10-23 キヤノンアネルバ株式会社 イオンビーム処理装置、電極アセンブリ及び電極アセンブリの洗浄方法

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6224724B1 (en) * 1995-02-23 2001-05-01 Tokyo Electron Limited Physical vapor processing of a surface with non-uniformity compensation
KR100489918B1 (ko) * 1996-05-09 2005-08-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마발생및스퍼터링용코일
TW358964B (en) 1996-11-21 1999-05-21 Applied Materials Inc Method and apparatus for improving sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma
US6315872B1 (en) * 1997-11-26 2001-11-13 Applied Materials, Inc. Coil for sputter deposition
US6238528B1 (en) * 1998-10-13 2001-05-29 Applied Materials, Inc. Plasma density modulator for improved plasma density uniformity and thickness uniformity in an ionized metal plasma source
GB2343992B (en) * 1998-11-20 2001-06-20 Michael John Thwaites High density plasmas
US8696875B2 (en) 1999-10-08 2014-04-15 Applied Materials, Inc. Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering
US10047430B2 (en) 1999-10-08 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering
US6463873B1 (en) 2000-04-04 2002-10-15 Plasma Quest Limited High density plasmas
US7041201B2 (en) * 2001-11-14 2006-05-09 Applied Materials, Inc. Sidewall magnet improving uniformity of inductively coupled plasma and shields used therewith
US7504006B2 (en) 2002-08-01 2009-03-17 Applied Materials, Inc. Self-ionized and capacitively-coupled plasma for sputtering and resputtering
US20050098427A1 (en) * 2003-11-11 2005-05-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. RF coil design for improved film uniformity of an ion metal plasma source
US7527713B2 (en) * 2004-05-26 2009-05-05 Applied Materials, Inc. Variable quadruple electromagnet array in plasma processing
US7686926B2 (en) * 2004-05-26 2010-03-30 Applied Materials, Inc. Multi-step process for forming a metal barrier in a sputter reactor
DE102004035335A1 (de) * 2004-07-21 2006-02-16 Schott Ag Reinraumfähige Beschichtungsanlage
US7244344B2 (en) * 2005-02-03 2007-07-17 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition plasma reactor with VHF source power applied through the workpiece
JP5373905B2 (ja) * 2009-07-17 2013-12-18 株式会社アルバック 成膜装置及び成膜方法
KR101757922B1 (ko) * 2009-10-27 2017-07-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
JP5592098B2 (ja) 2009-10-27 2014-09-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR101757920B1 (ko) 2009-10-27 2017-07-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
CN105491780B (zh) * 2014-10-01 2018-03-30 日新电机株式会社 等离子体产生用的天线及具备该天线的等离子体处理装置
US11037765B2 (en) * 2018-07-03 2021-06-15 Tokyo Electron Limited Resonant structure for electron cyclotron resonant (ECR) plasma ionization
GB2588932B (en) * 2019-11-15 2022-08-24 Dyson Technology Ltd Method and apparatus for sputter deposition of target material to a substrate
JP7203869B2 (ja) * 2021-01-18 2023-01-13 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法、およびプログラム

Family Cites Families (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4362632A (en) 1974-08-02 1982-12-07 Lfe Corporation Gas discharge apparatus
US4865712A (en) * 1984-05-17 1989-09-12 Varian Associates, Inc. Apparatus for manufacturing planarized aluminum films
EP0169744A3 (en) 1984-07-26 1987-06-10 United Kingdom Atomic Energy Authority Ion source
JPH0740468B2 (ja) * 1984-12-11 1995-05-01 株式会社日立製作所 高周波プラズマ発生装置
JPS61190070A (ja) 1985-02-20 1986-08-23 Hitachi Ltd スパツタ装置
CH668565A5 (de) 1986-06-23 1989-01-13 Balzers Hochvakuum Verfahren und anordnung zum zerstaeuben eines materials mittels hochfrequenz.
GB8629634D0 (en) 1986-12-11 1987-01-21 Dobson C D Reactive ion & sputter etching
US4792732A (en) 1987-06-12 1988-12-20 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Radio frequency plasma generator
US5175608A (en) 1987-06-30 1992-12-29 Hitachi, Ltd. Method of and apparatus for sputtering, and integrated circuit device
US4842703A (en) 1988-02-23 1989-06-27 Eaton Corporation Magnetron cathode and method for sputter coating
JP2859632B2 (ja) 1988-04-14 1999-02-17 キヤノン株式会社 成膜装置及び成膜方法
US4925542A (en) 1988-12-08 1990-05-15 Trw Inc. Plasma plating apparatus and method
US4918031A (en) 1988-12-28 1990-04-17 American Telephone And Telegraph Company,At&T Bell Laboratories Processes depending on plasma generation using a helical resonator
GB8905075D0 (en) 1989-03-06 1989-04-19 Nordiko Ltd Electrode assembly and apparatus
US5135629A (en) 1989-06-12 1992-08-04 Nippon Mining Co., Ltd. Thin film deposition system
US5122251A (en) 1989-06-13 1992-06-16 Plasma & Materials Technologies, Inc. High density plasma deposition and etching apparatus
US5091049A (en) 1989-06-13 1992-02-25 Plasma & Materials Technologies, Inc. High density plasma deposition and etching apparatus
US5429070A (en) 1989-06-13 1995-07-04 Plasma & Materials Technologies, Inc. High density plasma deposition and etching apparatus
US4990229A (en) 1989-06-13 1991-02-05 Plasma & Materials Technologies, Inc. High density plasma deposition and etching apparatus
US5421891A (en) 1989-06-13 1995-06-06 Plasma & Materials Technologies, Inc. High density plasma deposition and etching apparatus
US4948458A (en) 1989-08-14 1990-08-14 Lam Research Corporation Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma
US5234560A (en) 1989-08-14 1993-08-10 Hauzer Holdings Bv Method and device for sputtering of films
DE3942964A1 (de) 1989-12-23 1991-06-27 Leybold Ag Einrichtung fuer die erzeugung eines plasmas
US5304279A (en) 1990-08-10 1994-04-19 International Business Machines Corporation Radio frequency induction/multipole plasma processing tool
JPH0816266B2 (ja) 1990-10-31 1996-02-21 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 高アスペクト比の穴に材料を付着させる装置
US5178739A (en) * 1990-10-31 1993-01-12 International Business Machines Corporation Apparatus for depositing material into high aspect ratio holes
US5206516A (en) 1991-04-29 1993-04-27 International Business Machines Corporation Low energy, steered ion beam deposition system having high current at low pressure
JP2635267B2 (ja) 1991-06-27 1997-07-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Ｒｆプラズマ処理装置
US5280154A (en) 1992-01-30 1994-01-18 International Business Machines Corporation Radio frequency induction plasma processing system utilizing a uniform field coil
US5368685A (en) 1992-03-24 1994-11-29 Hitachi, Ltd. Dry etching apparatus and method
US5225740A (en) 1992-03-26 1993-07-06 General Atomics Method and apparatus for producing high density plasma using whistler mode excitation
US5361016A (en) 1992-03-26 1994-11-01 General Atomics High density plasma formation using whistler mode excitation in a reduced cross-sectional area formation tube
US5231334A (en) 1992-04-15 1993-07-27 Texas Instruments Incorporated Plasma source and method of manufacturing
US5241245A (en) 1992-05-06 1993-08-31 International Business Machines Corporation Optimized helical resonator for plasma processing
US5397962A (en) 1992-06-29 1995-03-14 Texas Instruments Incorporated Source and method for generating high-density plasma with inductive power coupling
JP3688726B2 (ja) 1992-07-17 2005-08-31 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US5404079A (en) 1992-08-13 1995-04-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma generating apparatus
US5312717A (en) 1992-09-24 1994-05-17 International Business Machines Corporation Residue free vertical pattern transfer with top surface imaging resists
DE4235064A1 (de) 1992-10-17 1994-04-21 Leybold Ag Vorrichtung zum Erzeugen eines Plasmas mittels Kathodenzerstäubung
US5346578A (en) 1992-11-04 1994-09-13 Novellus Systems, Inc. Induction plasma source
JP3224443B2 (ja) 1993-02-08 2001-10-29 靖浩 堀池 ヘリコン波プラズマ処理装置
JP3271359B2 (ja) 1993-02-25 2002-04-02 ソニー株式会社 ドライエッチング方法
JP3252518B2 (ja) 1993-03-19 2002-02-04 ソニー株式会社 ドライエッチング方法
JP3174981B2 (ja) 1993-03-26 2001-06-11 東京エレクトロン株式会社 ヘリコン波プラズマ処理装置
US5430355A (en) 1993-07-30 1995-07-04 Texas Instruments Incorporated RF induction plasma source for plasma processing
US5418431A (en) 1993-08-27 1995-05-23 Hughes Aircraft Company RF plasma source and antenna therefor
JP2657170B2 (ja) 1994-10-24 1997-09-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JPH07176399A (ja) 1994-10-24 1995-07-14 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP3483327B2 (ja) 1994-11-29 2004-01-06 アネルバ株式会社 プラズマ処理方法
JPH08288259A (ja) 1995-04-18 1996-11-01 Sony Corp ヘリコン波プラズマ装置およびこれを用いたドライエッチング方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000129439A (ja) * 1998-10-23 2000-05-09 Trikon Holdings Ltd スパッタリング装置および方法
JP2001220667A (ja) * 1999-09-27 2001-08-14 Applied Materials Inc スパッタされたドープ済みのシード層を形成する方法及び装置
KR20020078618A (ko) * 2001-04-06 2002-10-19 이정중 다중 코일 방식의 유도 결합 플라즈마 마그네트론스퍼터링 시스템 및 그 방법
JP5072096B2 (ja) * 2005-09-09 2012-11-14 株式会社アルバック イオン源およびプラズマ処理装置
WO2014170935A1 (ja) * 2013-04-19 2014-10-23 キヤノンアネルバ株式会社 イオンビーム処理装置、電極アセンブリ及び電極アセンブリの洗浄方法
US10224179B2 (en) 2013-04-19 2019-03-05 Canon Anelva Corporation Ion beam processing apparatus, electrode assembly, and method of cleaning electrode assembly
US10879040B2 (en) 2013-04-19 2020-12-29 Canon Anelva Corporation Ion beam processing apparatus, electrode assembly, and method of cleaning electrode assembly
US11355314B2 (en) 2013-04-19 2022-06-07 Canon Anelva Corporation Ion beam processing apparatus, electrode assembly, and method of cleaning electrode assembly

Also Published As

Publication number Publication date
SG65687A1 (en) 1999-06-22
KR19980032837A (ko) 1998-07-25
US6514390B1 (en) 2003-02-04
EP0837490A2 (en) 1998-04-22
TW382737B (en) 2000-02-21
EP0837490A3 (en) 1998-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH10130834A (ja) Ｉｃｐ源でのコイルのスパッタリング減少方法
US6599399B2 (en) Sputtering method to generate ionized metal plasma using electron beams and magnetic field
US5961793A (en) Method of reducing generation of particulate matter in a sputtering chamber
JP4553992B2 (ja) プラズマの発生及びスパッタのためのコイル
US6190513B1 (en) Darkspace shield for improved RF transmission in inductively coupled plasma sources for sputter deposition
US6254746B1 (en) Recessed coil for generating a plasma
TWI699812B (zh) 線性化高能射頻電漿離子源及用於產生線性化高能電漿離子束之方法
US6254737B1 (en) Active shield for generating a plasma for sputtering
US6417626B1 (en) Immersed inductively—coupled plasma source
KR19980033213A (ko) 스퍼터링 챔버내의 미립자 물질 발생 감소 방법
US8398832B2 (en) Coils for generating a plasma and for sputtering
WO1999057746A1 (en) Method and apparatus for ionized physical vapor deposition
US6565717B1 (en) Apparatus for sputtering ionized material in a medium to high density plasma
TW408358B (en) Improved inductively coupled plasma source
JP2002520492A (ja) フィードスルー重複コイル
KR20010041917A (ko) 중첩 단부가 제공된 코일을 갖는 스퍼터링 장치
KR100489917B1 (ko) 플라즈마생성용코일을지지하는스탠드오프및코일지지방법
EP0841683A2 (en) Active shield for generating a plasma for sputtering
JP2001516950A (ja) 中密度ないし高密度プラズマ中でイオン化した材料をスパッタするための装置
JPS63241190A (ja) 枚葉式プラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20050104