JP5072096B2 - イオン源およびプラズマ処理装置 - Google Patents
イオン源およびプラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5072096B2 JP5072096B2 JP2007534472A JP2007534472A JP5072096B2 JP 5072096 B2 JP5072096 B2 JP 5072096B2 JP 2007534472 A JP2007534472 A JP 2007534472A JP 2007534472 A JP2007534472 A JP 2007534472A JP 5072096 B2 JP5072096 B2 JP 5072096B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- partition wall
- plasma
- frequency antenna
- generation chamber
- plasma generation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32422—Arrangement for selecting ions or species in the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/0203—Protection arrangements
- H01J2237/0213—Avoiding deleterious effects due to interactions between particles and tube elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/16—Vessels
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
12 処理室
13 真空チャンバ
14 プラズマ生成室
15 隔壁
15a 突部
15b 凹部
16 高周波アンテナ
18 高周波電源
20 ステージ
21 バイアス用電源
22 グリッド電極(引出し電極)
26 シールド体
26a スロット
31 プラズマ処理装置
34 高周波アンテナ
35 隔壁
35a 突部
35b 凹部
36 シールド体
36a スロット
W 基板
図1は本発明の第1の実施の形態によるイオン源を備えたプラズマ処理装置11の概略構成図である。本実施の形態のプラズマ処理装置11は、半導体ウェーハや液晶パネル用基板等の被処理基板(以下単に「基板」という)Wを収容する処理室12が内部に形成された真空チャンバ13を備えている。この真空チャンバ13には、図示しない真空ポンプ等の真空排気手段に連絡する排気管13aが形成されており、処理室12の内部を所定の真空度に減圧可能とされている。
続いて、図5および図6は本発明に係る「構造体」の他の実施形態を示している。なお図において上述の第1の実施の形態と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。
図7および図8は本発明の第3の実施の形態を示している。なお、図において上述の第1,第2の実施の形態と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。
図9および図10は本発明の第4の実施の形態を示している。なお、図において上述の第1の実施の形態と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。
図11および図12は本発明に係る「構造体」の他の実施形態を示している。なお、図において上述の第4の実施の形態と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。
図13および図14は本発明の第6の実施の形態を示している。なお、図において上述の第4,第5の実施の形態と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。
Claims (5)
- プラズマ生成室と、
前記プラズマ生成室を区画する誘電体からなる隔壁と、
前記隔壁の外部に設置され前記プラズマ生成室内にプラズマを生成するための高周波アンテナと、
前記隔壁の内面の少なくとも一部に設けられ、前記高周波アンテナの巻回方向を横切る方向に延在する突部であり、前記高周波アンテナと対向する前記隔壁内面への膜の付着を規制する誘電体からなる第1の構造体と、
前記隔壁の内面を遮蔽するように配置され、前記高周波アンテナの巻回方向を横切る方向に形成された少なくとも1つのスロットと、前記突部と対向する部位に形成され前記突部を収容する溝部とを有する誘電体からなる第2の構造体と
を具備するイオン源。 - 請求項1に記載のイオン源であって、
前記プラズマ生成室からプラズマ中のイオンを引き出す引出し電極を更に具備する
イオン源。 - 被処理基板を収容する処理室と、
プラズマ生成室と、
前記プラズマ生成室を区画する誘電体からなる隔壁と、
前記隔壁の外部に設置され前記プラズマ生成室内にプラズマを生成するための高周波アンテナと、
前記隔壁の内面の少なくとも一部に設けられ、前記高周波アンテナの巻回方向を横切る方向に延在する突部であり、前記高周波アンテナと対向する前記隔壁内面への膜の付着を規制する誘電体からなる第1の構造体と、
前記隔壁の内面を遮蔽するように配置され、前記高周波アンテナの巻回方向を横切る方向に形成された少なくとも1つのスロットと、前記突部と対向する部位に形成され前記突部を収容する溝部とを有する誘電体からなる第2の構造体と
を具備するプラズマ処理装置。 - 請求項3に記載のプラズマ処理装置であって、
前記プラズマ生成室と前記処理室との間に設置され、前記プラズマ生成室から前記処理室へ向けてプラズマ中のイオンを引き出す引出し電極を更に具備する
プラズマ処理装置。 - 請求項3又は4に記載のプラズマ処理装置であって、
前記処理室に設置され、前記プラズマ生成室から引き出したイオンが照射され前記被処理基板上にスパッタ粒子を付着させるスパッタターゲットを更に具備する
プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007534472A JP5072096B2 (ja) | 2005-09-09 | 2006-09-07 | イオン源およびプラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005261901 | 2005-09-09 | ||
JP2005261901 | 2005-09-09 | ||
PCT/JP2006/317758 WO2007029777A1 (ja) | 2005-09-09 | 2006-09-07 | イオン源およびプラズマ処理装置 |
JP2007534472A JP5072096B2 (ja) | 2005-09-09 | 2006-09-07 | イオン源およびプラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2007029777A1 JPWO2007029777A1 (ja) | 2009-03-19 |
JP5072096B2 true JP5072096B2 (ja) | 2012-11-14 |
Family
ID=37835892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007534472A Active JP5072096B2 (ja) | 2005-09-09 | 2006-09-07 | イオン源およびプラズマ処理装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8356575B2 (ja) |
JP (1) | JP5072096B2 (ja) |
KR (1) | KR101247198B1 (ja) |
CN (1) | CN101223624B (ja) |
DE (1) | DE112006002412T5 (ja) |
RU (1) | RU2414766C2 (ja) |
TW (1) | TWI391518B (ja) |
WO (1) | WO2007029777A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170077840A (ko) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
Families Citing this family (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4345895B2 (ja) * | 2005-10-20 | 2009-10-14 | 日新イオン機器株式会社 | イオン源の運転方法およびイオン注入装置 |
JP5246474B2 (ja) * | 2008-02-08 | 2013-07-24 | Tdk株式会社 | ミリング装置及びミリング方法 |
WO2009154748A2 (en) | 2008-06-17 | 2009-12-23 | Rosemount Inc. | Rf adapter for field device with low voltage intrinsic safety clamping |
US8694060B2 (en) * | 2008-06-17 | 2014-04-08 | Rosemount Inc. | Form factor and electromagnetic interference protection for process device wireless adapters |
US8929948B2 (en) | 2008-06-17 | 2015-01-06 | Rosemount Inc. | Wireless communication adapter for field devices |
EA030379B1 (ru) * | 2008-08-04 | 2018-07-31 | Эй-Джи-Си Флет Гласс Норт Эмерике, Инк. | Способ нанесения тонкопленочных покрытий с использованием плазменно-химического осаждения из газовой фазы (варианты) |
JP5325623B2 (ja) * | 2009-03-24 | 2013-10-23 | 株式会社アルバック | 電子源 |
US7999479B2 (en) * | 2009-04-16 | 2011-08-16 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Conjugated ICP and ECR plasma sources for wide ribbon ion beam generation and control |
US9674976B2 (en) | 2009-06-16 | 2017-06-06 | Rosemount Inc. | Wireless process communication adapter with improved encapsulation |
US9111729B2 (en) | 2009-12-03 | 2015-08-18 | Lam Research Corporation | Small plasma chamber systems and methods |
US9190289B2 (en) | 2010-02-26 | 2015-11-17 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for plasma etch having independent control of ion generation and dissociation of process gas |
TWI502617B (zh) * | 2010-07-21 | 2015-10-01 | 應用材料股份有限公司 | 用於調整電偏斜的方法、電漿處理裝置與襯管組件 |
US9793126B2 (en) | 2010-08-04 | 2017-10-17 | Lam Research Corporation | Ion to neutral control for wafer processing with dual plasma source reactor |
US9967965B2 (en) | 2010-08-06 | 2018-05-08 | Lam Research Corporation | Distributed, concentric multi-zone plasma source systems, methods and apparatus |
US8999104B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-04-07 | Lam Research Corporation | Systems, methods and apparatus for separate plasma source control |
US9155181B2 (en) | 2010-08-06 | 2015-10-06 | Lam Research Corporation | Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus |
US9449793B2 (en) * | 2010-08-06 | 2016-09-20 | Lam Research Corporation | Systems, methods and apparatus for choked flow element extraction |
US10761524B2 (en) | 2010-08-12 | 2020-09-01 | Rosemount Inc. | Wireless adapter with process diagnostics |
US8736177B2 (en) * | 2010-09-30 | 2014-05-27 | Fei Company | Compact RF antenna for an inductively coupled plasma ion source |
US9105705B2 (en) * | 2011-03-14 | 2015-08-11 | Plasma-Therm Llc | Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer |
JP2014209406A (ja) * | 2011-07-20 | 2014-11-06 | キヤノンアネルバ株式会社 | イオンビーム発生装置、およびイオンビームプラズマ処理装置 |
US9039911B2 (en) | 2012-08-27 | 2015-05-26 | Lam Research Corporation | Plasma-enhanced etching in an augmented plasma processing system |
CN103959919A (zh) * | 2011-09-28 | 2014-07-30 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 等离子产生器 |
JP2013084552A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-05-09 | Tokyo Electron Ltd | ラジカル選択装置及び基板処理装置 |
US9310794B2 (en) | 2011-10-27 | 2016-04-12 | Rosemount Inc. | Power supply for industrial process field device |
US9177762B2 (en) | 2011-11-16 | 2015-11-03 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus of a wedge-shaped parallel plate plasma reactor for substrate processing |
US10283325B2 (en) | 2012-10-10 | 2019-05-07 | Lam Research Corporation | Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus |
JP2015053108A (ja) * | 2011-12-02 | 2015-03-19 | キヤノンアネルバ株式会社 | イオンビーム発生装置 |
US20140097752A1 (en) * | 2012-10-09 | 2014-04-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Inductively Coupled Plasma ION Source Chamber with Dopant Material Shield |
US9230819B2 (en) | 2013-04-05 | 2016-01-05 | Lam Research Corporation | Internal plasma grid applications for semiconductor fabrication in context of ion-ion plasma processing |
US9245761B2 (en) | 2013-04-05 | 2016-01-26 | Lam Research Corporation | Internal plasma grid for semiconductor fabrication |
US9017526B2 (en) * | 2013-07-08 | 2015-04-28 | Lam Research Corporation | Ion beam etching system |
US9147581B2 (en) | 2013-07-11 | 2015-09-29 | Lam Research Corporation | Dual chamber plasma etcher with ion accelerator |
EP3228160B1 (en) | 2014-12-05 | 2021-07-21 | AGC Glass Europe SA | Hollow cathode plasma source |
JP6508746B2 (ja) | 2014-12-05 | 2019-05-08 | エージーシー フラット グラス ノース アメリカ,インコーポレイテッドAgc Flat Glass North America,Inc. | マクロ粒子低減コーティングを利用したプラズマ源ならびにマクロ粒子低減コーティングを用いたプラズマ源を薄膜コーティングおよび表面改質に使用する方法 |
CN105789011B (zh) * | 2014-12-24 | 2018-01-26 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 感应耦合型等离子体处理装置 |
CN106653549B (zh) * | 2015-11-03 | 2020-02-11 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种半导体加工设备 |
US9721765B2 (en) | 2015-11-16 | 2017-08-01 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Plasma device driven by multiple-phase alternating or pulsed electrical current |
US9721764B2 (en) | 2015-11-16 | 2017-08-01 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Method of producing plasma by multiple-phase alternating or pulsed electrical current |
US10573499B2 (en) | 2015-12-18 | 2020-02-25 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Method of extracting and accelerating ions |
US10242846B2 (en) | 2015-12-18 | 2019-03-26 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Hollow cathode ion source |
JP6753678B2 (ja) * | 2016-03-25 | 2020-09-09 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置及びプラズマ点火方法 |
US20170352574A1 (en) * | 2016-06-02 | 2017-12-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and method for treating wafer |
US9865436B1 (en) * | 2016-06-10 | 2018-01-09 | Plasma-Therm Nes Llc | Powered anode for ion source for DLC and reactive processes |
US10573495B2 (en) * | 2017-10-09 | 2020-02-25 | Denton Vacuum, LLC | Self-neutralized radio frequency plasma ion source |
US11039527B2 (en) * | 2019-01-28 | 2021-06-15 | Mattson Technology, Inc. | Air leak detection in plasma processing apparatus with separation grid |
CN110039383A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-07-23 | 苏州至臻精密光学有限公司 | 一种射频离子源 |
JP7350643B2 (ja) * | 2019-12-04 | 2023-09-26 | Sppテクノロジーズ株式会社 | 誘導結合プラズマエッチング装置およびプラズマ生成機構 |
US20210183627A1 (en) * | 2019-12-11 | 2021-06-17 | International Business Machines Corporation | Apparatus For Reducing Wafer Contamination During ION-Beam Etching Processes |
CN113707528B (zh) | 2020-05-22 | 2023-03-31 | 江苏鲁汶仪器股份有限公司 | 一种离子源挡片、离子刻蚀机及其使用方法 |
RU206587U1 (ru) * | 2020-09-11 | 2021-09-16 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Изовак" | Источник ионов для обработки деталей |
CN112447486A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-03-05 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种双壁多结构石英筒装置 |
CN114724911A (zh) * | 2021-01-04 | 2022-07-08 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种等离子密度可调的离子源装置 |
KR20240058945A (ko) * | 2021-09-20 | 2024-05-07 | 램 리써치 코포레이션 | Icp 소스에서의 rf 전력 램프업을 완화하기 위한 인클로저 |
KR102654487B1 (ko) * | 2021-12-29 | 2024-04-05 | 피에스케이 주식회사 | 플라즈마 발생 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
GB202203146D0 (en) * | 2022-03-07 | 2022-04-20 | Micromass Ltd | Shield for ion source enclosure |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1018043A (ja) * | 1996-07-03 | 1998-01-20 | Applied Materials Inc | プラズマ蒸着システム用スロット付rfコイル |
JPH10130834A (ja) * | 1996-10-17 | 1998-05-19 | Applied Materials Inc | Icp源でのコイルのスパッタリング減少方法 |
JPH1187098A (ja) * | 1997-09-03 | 1999-03-30 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置 |
JP2000133497A (ja) * | 1998-10-29 | 2000-05-12 | Toshiba Corp | 高周波放電型プラズマ発生装置 |
JP2001254188A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-18 | Samco International Inc | 誘導結合形プラズマ処理装置 |
JP2002133497A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-05-10 | Officine Meccaniche F Lli Manea Srl | 自動販売機用支払いシステム |
JP2003173899A (ja) * | 2001-12-05 | 2003-06-20 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置 |
JP2003197115A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Shincron:Kk | イオン源装置 |
JP2004011021A (ja) * | 2002-06-11 | 2004-01-15 | Sharp Corp | 絶縁部材並びに該絶縁部材を用いたプラズマcvd装置 |
JP2004079557A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-11 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
WO2004064460A1 (ja) * | 2003-01-16 | 2004-07-29 | Japan Science And Technology Agency | 高周波電力供給装置およびプラズマ発生装置 |
WO2004090943A2 (en) * | 2003-04-01 | 2004-10-21 | Mattson Technology, Inc. | Plasma uniformity |
JP2004303687A (ja) * | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 電極接続具およびこれを備えた真空処理装置 |
JP2004363316A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3911314A (en) * | 1972-11-07 | 1975-10-07 | Strahlen Umweltforsch Gmbh | Ion gun for production of ion beams with particular radial current density profile |
US4416755A (en) * | 1981-04-03 | 1983-11-22 | Xerox Corporation | Apparatus and method for producing semiconducting films |
US5234529A (en) * | 1991-10-10 | 1993-08-10 | Johnson Wayne L | Plasma generating apparatus employing capacitive shielding and process for using such apparatus |
US5763851A (en) * | 1995-11-27 | 1998-06-09 | Applied Materials, Inc. | Slotted RF coil shield for plasma deposition system |
TW403959B (en) * | 1996-11-27 | 2000-09-01 | Hitachi Ltd | Plasma treatment device |
JP4119547B2 (ja) | 1997-10-20 | 2008-07-16 | 東京エレクトロンAt株式会社 | プラズマ処理装置 |
EP1118095B1 (de) * | 1998-09-30 | 2015-02-25 | Oerlikon Advanced Technologies AG | Vakuumbehandlungskammer und verfahren zur oberflächenbehandlung |
JP2002216653A (ja) | 2001-01-23 | 2002-08-02 | Hitachi Ltd | イオンビーム分布制御方法およびイオンビーム処理装置 |
US7176469B2 (en) * | 2002-05-22 | 2007-02-13 | The Regents Of The University Of California | Negative ion source with external RF antenna |
JP4091445B2 (ja) | 2003-01-21 | 2008-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
-
2006
- 2006-09-07 KR KR1020077028591A patent/KR101247198B1/ko active IP Right Grant
- 2006-09-07 TW TW095133073A patent/TWI391518B/zh active
- 2006-09-07 CN CN200680025436XA patent/CN101223624B/zh active Active
- 2006-09-07 US US11/990,787 patent/US8356575B2/en active Active
- 2006-09-07 WO PCT/JP2006/317758 patent/WO2007029777A1/ja active Application Filing
- 2006-09-07 RU RU2008113834/07A patent/RU2414766C2/ru active
- 2006-09-07 JP JP2007534472A patent/JP5072096B2/ja active Active
- 2006-09-07 DE DE112006002412T patent/DE112006002412T5/de not_active Withdrawn
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1018043A (ja) * | 1996-07-03 | 1998-01-20 | Applied Materials Inc | プラズマ蒸着システム用スロット付rfコイル |
JPH10130834A (ja) * | 1996-10-17 | 1998-05-19 | Applied Materials Inc | Icp源でのコイルのスパッタリング減少方法 |
JPH1187098A (ja) * | 1997-09-03 | 1999-03-30 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置 |
JP2000133497A (ja) * | 1998-10-29 | 2000-05-12 | Toshiba Corp | 高周波放電型プラズマ発生装置 |
JP2001254188A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-18 | Samco International Inc | 誘導結合形プラズマ処理装置 |
JP2002133497A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-05-10 | Officine Meccaniche F Lli Manea Srl | 自動販売機用支払いシステム |
JP2003173899A (ja) * | 2001-12-05 | 2003-06-20 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置 |
JP2003197115A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Shincron:Kk | イオン源装置 |
JP2004011021A (ja) * | 2002-06-11 | 2004-01-15 | Sharp Corp | 絶縁部材並びに該絶縁部材を用いたプラズマcvd装置 |
JP2004079557A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-11 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
WO2004064460A1 (ja) * | 2003-01-16 | 2004-07-29 | Japan Science And Technology Agency | 高周波電力供給装置およびプラズマ発生装置 |
WO2004090943A2 (en) * | 2003-04-01 | 2004-10-21 | Mattson Technology, Inc. | Plasma uniformity |
JP2004303687A (ja) * | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 電極接続具およびこれを備えた真空処理装置 |
JP2004363316A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170077840A (ko) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
KR102322816B1 (ko) | 2015-12-28 | 2021-11-08 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007029777A1 (ja) | 2007-03-15 |
TWI391518B (zh) | 2013-04-01 |
US20090250340A1 (en) | 2009-10-08 |
CN101223624A (zh) | 2008-07-16 |
US8356575B2 (en) | 2013-01-22 |
RU2414766C2 (ru) | 2011-03-20 |
DE112006002412T5 (de) | 2008-07-17 |
RU2008113834A (ru) | 2009-10-20 |
KR20080042041A (ko) | 2008-05-14 |
TW200714742A (en) | 2007-04-16 |
KR101247198B1 (ko) | 2013-03-25 |
JPWO2007029777A1 (ja) | 2009-03-19 |
CN101223624B (zh) | 2011-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5072096B2 (ja) | イオン源およびプラズマ処理装置 | |
KR101142412B1 (ko) | 플라즈마처리장치 | |
KR102374073B1 (ko) | 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 부품 | |
US20090308739A1 (en) | Wafer processing deposition shielding components | |
JP5462369B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4945566B2 (ja) | 容量結合型磁気中性線プラズマスパッタ装置 | |
JP2004505459A (ja) | リングの形状の高密度プラズマの生成源とその生成方法 | |
WO2013099372A1 (ja) | 放電容器及びプラズマ処理装置 | |
JP5701050B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4933329B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5325623B2 (ja) | 電子源 | |
JP6037814B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4933937B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
US20210391150A1 (en) | Plasma Source Configuration | |
KR20220049339A (ko) | 기판 처리 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090424 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110531 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110707 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120816 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120820 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5072096 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |