JPH1018043A - プラズマ蒸着システム用スロット付ｒｆコイル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 コイルの内部に配置された第１シールドを備
えたプラズマ処理システムのＲＦ磁界コイルのためのコ
イルシールド組立体を提供する。 【解決手段】 第１シールドはプラズマが維持される処
理チャンバの中央部空間をほぼ取り囲む中央部開口を有
している。少なくとも１つの少なくとも１つのスロット
が前記第１シールド内に形成されており、これを介して
延びている。バリヤは、前記第１シールドとコイルとの
間に位置しており、前記少なくとも１つのスロットの近
傍の第１シールドから隔置している。スロットは、コイ
ルからのＲＦ信号がプラズマと結合するのを許容するそ
して第１シールドとバリヤは前記中央部空間からの直接
通路および前記少なくとも１つのスロットを介してプラ
ズマイオンあるいはスパッタリングされた材料がコイル
をボンバードするのを防止するような構造を有し、その
ように配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の背景】本発明は、導電性材料を半導体ウエハー
あるいはその他のワークピースに高密度プラズマ蒸着に
よって堆積させるシステムに関し、特に、装置の内壁に
連続フィルムを形成することによって生じるシステムの
短絡を防止するためのシールドを有する装置に関する。
物理的堆積（ＰＶＤ）は、半導体ウエハーあるいは他の
ワークピースに薄膜およびコーティングを堆積によって
形成するための常套手段である。ＰＶＤは材料のコーテ
ィングがベーパー移送相に物理的なメカニズム、例え
ば、蒸発、昇華、或いはイオンボンバード等によって通
されるバキューム堆積工程である。スパッタリングは、
活性粒子によって表面ボンバードに伴う運動量交換によ
って固体あるいは液体の表面から材料が排出あるいは、
放出されるＰＶＤの１つの形態である。典型的なスパッ
タリングシステムでは、ターゲットと呼ばれるコーティ
ング材料源が基体と一緒にバキュームチャンバに配置さ
れる。そして、チャンバは高い真空度で排気され、ガス
で充填される。このガスは部分的にイオン化されてお
り、このイオン化されたガス原子はターゲット材料の粒
子を物理的に放出するためのターゲットに引き寄せられ
る。基体はターゲットの前に配置されており、これによ
ってスパッタリングされた原子の流れの一部を遮る。こ
の伝統的なスパッタリングシステムでは、ターゲット粒
子は、ほぼターゲットに対して並行から垂直な範囲の通
路に放出される。

【０００２】このように、基体がターゲットに体面して
いる場合には、多くの放出された粒子は、垂直でない通
路を通って基体に到達する。これらの粒子は、孔の側壁
に体積し、基体を浸食し、そしてホールが完全に充填さ
れる前にホールを塞ぎあるいは浸食する。Ｒ．Ｆ．パワ
ーを受けるコイルをスパッタリングチャンバの部分の周
りに巻回してもよく、これによって、ガスと、ターゲッ
トから放出された帯電原子粒子との混合物からなるプラ
ズマを形成する。この原子粒子は、基体を反対の電荷を
印加することによって基体に引きつけられる。これによ
ってこれらの粒子は、基体に対してほぼ垂直な通路を通
って基体をボンバードする。コイルとガスとの間の誘導
結合を可能にするためには、コイルとイオン化されるガ
スとの間の障壁が最小の、あるいは全く存在しないバキ
ュームチャンバ内に配置しなければならない。しかし、
プラズマにＲＦ磁界コイルをさらすことおよび材料がタ
ーゲットからスパッタリングされることは幾つかの有害
作用をもたらす可能性がある。第１に、各プラズマとス
パッタリングされた材料は除去する必要のあるＲＦ磁界
コイルに熱負荷を引き起こす。第２に、絶縁材料からな
るＲＦ給電のコイルサポートがスパッタリングされた材
料で覆われる可能性がある。スパッタリングされた材料
が金属である場合には、ＲＦ磁界コイルの動作を阻害す
る抵抗電流通路を形成する可能性があり、この結果、結
合効率および処理特性が不安定となる。第３に、ＲＦ磁
界コイルが処理中に分離したスパッタリングされた材料
で覆われ、処理汚染あるいは粒子問題を引き起こす。ま
た、ＴｉあるいはＴｉＮといった高抵抗材料がスパッタ
リングされる場合には、被膜が形成されるときに高いコ
イルの抵抗損失が生じる。

【０００３】汚染容器あるいはシールド組立体はコイル
とガスとの間に配置して、プラズマからコイルを遮蔽
し、コイルからのエネルギーが基体に到達するようにす
る。しかし、いったん導電性ターゲット材料がシールド
の内部表面の周りに連続通路を形成すると、コイルは導
電性フィルムに誘導的に結合され、これによってプラズ
マを消去する。本発明は、プラズマ処理システムにおけ
るＲＦ磁界コイル用シールド組立体をを提供することに
よってこれらの問題を解決するものである。このシール
ド組立体は、プラズマからコイルを保護するとともに、
スパッタリングされた金属とのボンバードからコイルを
保護する。さらに、このシールド組立体は、コイルによ
って発生したＲＦ（高周波）エネルギーが該シールド組
立体を通過してチャンバ内のプラズマと結合することを
可能にする。

【０００４】他の利点および特徴は好ましい実施例につ
いての以下の説明および特許請求の範囲から明確にな
る。

【０００５】

【発明の概要】一般に、１つの特徴においては、本発明
はバキュームチャンバ、該バキュームチャンバ内の中央
部空間を取り巻くＲＦ磁界コイルであって、プラズマ処
理中において前記ＲＦコイルはＲＦパワーを中央部空間
内のプラズマに結合するもの、および該コイルをプラズ
マから遮蔽するコイルシールド組立体とを備えている。
このコイルシールド組立体は、ＲＦ磁界コイルの内部、
すなわち、コイルと中央部空間との間に位置し、これを
貫通して延びる少なくとも１つのスロットを有する第１
シールドを備えている。このコイルシールド組立体は、
第１シールドとコイルとの間に位置決めされ、少なくと
も前記１つのスロットと整合するバリヤ構造を備えてい
る。この第１シールドとばバリヤ構造はプラズマ処理中
チャンバ内に配置された材料によってカクスロットのブ
ロッジを防止するような構造を有し、またそのように配
置されている。

【０００６】好ましい実施例では、バリヤ構造の内部表
面は、前記少なくとも１つのスロットに近接した第１シ
ールドから隔離しており、バリヤ構造の該表面が前記中
央部空間とコイルとの間の前記少なくとも１つのスロッ
トを通過する全ての視線をブロックするように位置決め
されている。さらに、少なくとも１つのスロットは第１
シールドの上端に最も近い位置から第１シールドの下端
に最も近い位置に延びている。また、少なくとも１つの
スロットは、第１シールドの周りに周方向に隔置する複
数のスロットの一部であり、複数のスロットの各スロッ
トは、Ｉ状、直線状および矢筈形状からなるグループの
１つの形状を有する。バリヤ構造は第２シールドを有し
ており、該第２シールドはその周りに周方向に隔置して
おり、この第２シールドに沿って延びる複数のスロット
を有している。そして、第２シールドの複数のスロット
は、第１シールドの複数のスロットから周方向にオフセ
ットしている。すなわち、これらのスロットは、中央部
空間の中心から異なる半径方向の通路に配置されてい
る。

【０００７】また、好ましい実施例では、第１シールド
の少なくとも１つのスロットは上端から下端まで第１シ
ールドを完全に貫通して延びており、これによって第１
シールドを分割している。また、第１シールドの１つの
スロットは、互いに電気的に分離された個別のセグメン
トに、第１シールドを分割する複数の周方向に隔置した
スロットの１つである。さらに、バリヤ構造は、誘電材
料を含んでおり、第１シールドに対するサポートを与え
る。バリヤ構造の表面は前記第１シールドの少なくとも
１つのスロットと整合し、これに最も近い凹部を備えて
いる。また、バリヤ構造の内部表面は第１シールドから
隔置されている。また、好ましい実施例では、バリヤ構
造は第１シールドとコイルとの間に位置決めされた第２
シールドを備えている。第２シールドは、これを貫通し
て延びる少なくとも１つのスロットを備えており、この
スロットは、第２シールドの先端に最も近い位置から第
２シールドの下端に最も近い位置まで延びている。この
第２シールドの少なくとも１つのスロットは、前記第１
シールドの少なくとも１つのスロットから周方向にオフ
セットしている。また、コイルシールド組立体は第２シ
ールドとコイルとの間に位置する誘電壁を備えている。
ある実施例においては、誘電壁はチャンバの壁を形成
し、これによってコイルは、チャンバの外側に位置す
る。第１および／または第２シールドはチャンバに着脱
自在に配置されている。さらに、本発明にかかるＲＦコ
イルとコイルシールド組立体を収容するチャンバのその
部分は、チャンバの残りの部分から分離可能な延長部と
することもできる。

【０００８】さらに他の好ましい実施例では、少なくと
も１つのスロットは第１シールドの周りにほぼ周方向に
延びている。また、ＲＦ磁界コイルと前記少なくとも１
つのスロットは複数の周方向に隔置した交点で周方向お
よび軸方向に整列しており、この点においてこの１つの
スロットはほぼＲＦ磁界コイルに対して横方向になって
いる。たとえば、ＲＦ磁界コイルは、スロットがほぼ円
形となるようにほぼ矩形形状のパターンに形成すること
ができる。また、この少なくとも１つのスロットはほぼ
矩形形状パターンのコイルと異なる位相の周期的矩形形
状パターンを有するか、ＲＦ磁界コイルとスロットの両
方が互いに異なる位相のほぼノコギリ歯形状のパターン
を形成することができる。一般に、他の特徴において
は、本発明は、ターゲットからの材料を基体状にスパッ
タリングによって蓄積させるプラズマ処理システムであ
る。プラズマ処理システムは、バキュームチャンバ、プ
ラズマ処理中基体を保持するプラットフォーム、ターゲ
ットが設けられるスパッタリング源、チャンバの内部に
位置し、コイルシールド組立体とプラットフォームの間
に位置するＲＦコイルおよび該ＲＦコイルの内部に位置
する第１シールドと第１シールドとＲＦコイルとの間に
位置するバリヤ構造とを有するコイルシールド組立体と
を備えている。

【０００９】第１シールドは、少なくとも１つのこれに
沿って延びるスロットを備えておりバリヤ構造は、該少
なくとも１つのスロットと整合しており、かつ前記少な
くとも１つのスロットに近い第１シールドから隔置して
いる。これによって、第１シールドの内側からＲＦコイ
ルまでの視線の通路が存在しない。一般に、さらに他の
特徴では、本発明は、プラズマを含有するチャンバと、
該チャンバの外側に配置されたＲＦ磁界コイルとコイル
シールド組立体とを備えたプラズマ処理システムであ
る。コイルシールド組立体はコイルの内部のチャンバの
壁の一部を形成する誘電壁とチャンバの内部の第１金属
シールドとを備えており、前記第１シールドは、軸方向
に延びる第１スロットによって分割されており、この場
合、第１シールドは該第１スロット近傍の誘電壁の内部
表面から隔置している。

【００１０】好ましい実施例では、プラズマ処理システ
ムは、さらに、前記誘電壁と第１シールドとの間に配置
され、前記第１シールドから隔置した第２金属シールド
を備えている。さらに、第２シールドは、第１シールド
内の第１スロットから周方向にオフセットされた第２ス
ロットによって分割されている。第１スロットは、第１
の複数の周方向に隔置したセグメントに第１シールドを
分割する第１の複数のスロットの１つである。第２スロ
ットは、第２シールドを第２の複数の周方向に隔置した
セグメントに分割する第２の複数のスロットの１つであ
る。さらに、第１の複数のスロットのそれぞれは、第２
の複数のスロットのそれぞれから周方向にオフセットさ
れている。第１および第２シールドは、互いにおよび接
地状態から電気的に分離されている。

【００１１】

【実施例の説明】図１は、基体にフィルム材料のスパッ
タリング堆積に使用されるプラズマ処理システムを示
す。説明を簡単にするために、異なる形状で図示されて
いる類似した構造体は、同じ参照番号で参照する。プラ
ズマ処理システムは、一般にポンプ１４を有し、チャン
バ１０を排気するための第１ポート１２と、ガスコント
ロール１８から例えば、アルゴン、窒素あるいは反応ガ
スと言ったプロセスガスを導入する第２ポート１６とを
有するほぼ円筒状のチャンバ１０を備えている。チャン
バ１０の頂部のソース組立体２０はチャンバ１０の内部
に装着され、下方に面したスパッタリングターゲット２
２を有する。チャンバの下端部にある可動プラットフォ
ームは基体２６を保持しており、この基体２６の上に
は、ターゲット２２からスパッタリングされた材料が堆
積される。基体２６は、通常は、半導体ウエハである
が、本発明は他の形態の基体あるいは他のワークピース
に対しても同様に想定しているものである。

【００１２】リフト機構２８は、図１に矢印で示すよう
にプラットフォーム２４を上下動させる。基体２６がプ
ラットフォーム２４に載置された後、リフト機構２８が
プラットフォーム２４を上昇させ、基体の外部ペリメー
タをクランプリング３０に接触させる。クランプリング
３０は、基体の直径よりも僅かに小さい中央開口を備え
ており、処理中堆積材料からプラットフォーム２４を遮
蔽する。ターゲット２２に接続されたＤＣ電圧供給源３
２はプラズマ堆積プロセスを開始し、中断するための電
力を供給する。スパッタリング中、電力供給源３２は、
通常は、電気的接地に対して負電圧にターゲットをバイ
アスする。多くの用途においては、壁１１の金属部分
は、接地されている。ソース組立体２０とターゲット２
２とは、絶縁リング３３によってチャンバ１０から電気
的に絶縁されている。図示の実施例では、ソース組立体
２０は、スパッタリング効率を向上させるためにターゲ
ット２２の背後に位置する複数のマグネット（図示せ
ず）を有するマグネトロンを備えている。このシステム
では、従来から周知であるが、ソース組立体２０は、ス
パッタリング中ターゲット材料のエロージョンの均一性
を向上させるためにターゲットの後ろの周りでマグネッ
トを回転させる機構を備えている。

【００１３】幾つかのプロセスでは、基体２６を独立し
てバイアスするためにプラットフォーム２４に接続され
た他のＤＣ電圧源あるいはを使用することが望ましい。
ソース組立体２０によって発生したプラズマにＲＦエネ
ルギーを結合するためのシステムは一般に参照番号１５
で参照されており、ＲＦ磁界コイル３４を備えている。
図１は、チャンバ１０の排気空間の内部に位置してお
り、ターゲット２２と基体２６との間に位置する中央部
空間３５をほぼ取り囲むコイル３４を図示している。Ｒ
Ｆ磁界コイル３４は、２つのリード３６および４０を有
する。リード３６は、壁１１のフィードスルー３８を解
してグランドに接続されている。リード４０は、第２の
フィードスルー４２およびＲＦカップリングネットワー
ク４６を解してＲＦ発生回路４４に接続されている。絶
縁サポートリング４７はチャンバ１０内のコイル３４を
支持する。

【００１４】本実施例では、コイルシールド組立体４８
は、通常ＲＦ磁界コイル３４内部に配置されている。コ
イルシールド組立体４８は、ＲＦ磁界コイル３４に近接
して配置されているが分離されている内部シールド５０
を備えている。内部シールド５０は、金属あるいは、こ
れとは別に、例えばセラミック、クォーツといった非導
電性材料とすることができる。内部シールド５０は、コ
イル３４の中心軸と垂直方向に整合する均等に隔置した
複数のスロット５２を備えている。内部シールド５０は
スパッタリングされた材料がコイル３４に堆積するのを
防止する一方スロット５２は、内部シールド５０のうず
電流を抑制する。このうず電流は、プラズマに結合され
た場合には、中央部空間３５を通るＲＦエネルギーを減
衰させる。

【００１５】外部シールド５４は、内部シールド５０と
コイル３４との間に配置される。外部シールド５４は、
スロット５２に近い表面５６を有するが内部シールド５
０からは分離されており、これによって、スロット５２
を通過するスパッタリングされた材料（たとえば金属）
が表面５６に堆積するとき、この材料が、内部シールド
５０のスロットの電気的短絡を形成せず、これによって
うず電流が内部シールド５０の周りを流れること許容す
るようになっている。図１に示す実施例では、外部シー
ルド５４は誘電材料から形成されており、ＲＦエネルギ
ーはこれを貫通して、ほぼ減衰されることなく中央部空
間３５に到達することができる。しかし以下に詳述する
ように本発明の別の実施例では、また、外部シールド５
４は、垂直スロットを有しており、このスロットは内部
シールド５０のスロット５２から周方向にオフセットし
ているが、同様に金属からできている。

【００１６】図２に示されている本発明の実施例を参照
すると、チャンバ１０に対する全体のＲＦエネルギー供
給システム１５はチャンバの着脱可能延長部１０ｂ内に
設けられている。この別の形態では、ＲＦ磁界コイル３
４は、外部シールド１５４内にはめ込まれている。外部
シールド１５４は、好ましくは、誘電材料から構成され
ており、チャンバ延長部１０ｂの壁１１に係止された絶
縁サポート１５８に取りつけられている。チャンバ延長
部１０ｂは点１３で固定チャンバ１０ａに着脱される。
チャンバ壁延長部１０ｂｊ固定チャンバ壁１０ａは好ま
しくはセラミックあるいはクォーツといった絶縁材料か
ら形成されている。誘導コイル３４はチャンバ壁延長部
１０ｂ内にはめ込まれているので、コイル３４に対して
真空および防水シールの必要はない。チャンバ延長部１
０ｂを固定チャンバ１０ａから分離することができるの
で、システムの個々の部品のサービス性および清潔性が
促進される。この別の形態においては、標準のスパッタ
リングチャンバとソース組立体との間にいま述べている
ようなＲＦエネルギー供給システム１５を有するチャン
バ延長部１０ｂを配置することによって、現存の標準的
なスパッタリングチャンバを、誘電的に結合されたスパ
ッタリングチャンバに首尾よく変更することができる。

【００１７】また、図３に示されているように、ＲＦ磁
界コイル３４は、ＲＦ磁界コイル３４の内部に半径方向
に配置された外部シールド５４と、ほぼ筒状のＲＦ磁界
コイル３４よりも大きな直径を有する絶縁サポート１５
８の間に支持される。ＲＦ磁界コイル３４は、サポート
１５８と外部シールド１５４の一方もしくは両方の表面
に形成された溝１６０内に支持されている。サポート１
５８は、チャンバ壁１１に係止されており、これによっ
て、ＲＦ磁界コイル３４は、接地されたチャンバから電
気的に分離される。金属製の、複数のスロット１５２を
有する内部シールド１５０は、外部シールド１５４を絶
縁サポート１５８に係止するファスナー１６２によって
外部シールド１５４の内部表面に取り付けられている。
スロット１５２は、頂部から底部まで内部シールド１５
０を介して完全に延びており、これによって、内部シー
ルド１５０は、複数の分離したセグメントに分割されて
いる。これらのセグメントはグランドからおよび互いに
電気的に分離されている。したがって、内部シールド１
５０の周りのあるいは、シールドのセグメントの間の閉
ループ電流通路は存在しない。このような通路を介して
ＲＦ磁界は、うず電流を発生し、このうず電流は、内部
シールド１５０内の中央領域３５内のプラズマへのＲＦ
信号の結合を減少させる。

【００１８】外部シールド１５４は、誘電あるいは絶縁
材料であり、コイル３４によって発生されたＲＦ信号に
対しては透過性を有する。内部シールド１５０は、外部
シールド１５４の内部表面１５６をターゲットからのス
パッタリングされた材料から保護する。但し、スロット
１５２の背後に配置された複数のストリップは別であ
る。導電性のスパッタリングされた材料の相を有するス
ロットのブリッジ（内部シールド１５０のセグメントを
共に電気的に短絡させる）を防止するために、凹部１６
４すなわち溝が各スロット１５２の背後の表面１５６に
形成される。各凹部１６４は、内部シールド１５０の対
応するスロットと整合しており、その対応するスロット
の幅より広くなっている。言い換えると、各凹部１６４
は、周方向に十分に広く、凹部１６４内に堆積された材
料は、内部シールドのセグメントを一緒に短絡させるこ
とはない。

【００１９】図４は、本発明のコイルシールド組立体の
別の実施例を示している。外部シールドと内部シールド
とは、一体化されて単一のシールド１５３を形成してい
る。シールド１５３内に形成されたスロット１６４は、
好ましくは、Ｔ型を成しており、これによって、シール
ドの内部表面上に堆積した材料の連続フィルムを形成す
ることが防止される。再び図２を参照すると、金属トッ
プシールド６８は、ターゲット２２の近傍で内部シール
ド１５０の上に張り出しており、ターゲット２２に最も
近くに位置する内部シールド１５０の上部および筒上サ
ポート１５８の両方にシールドを与えこれらがターゲッ
ト２２からのスパッタリングされた材料で覆われるのを
防止する。トップシールド６８は、チャンバ１０の接地
された壁に電気的に結合されている。プラットフォーム
２４の近傍に位置する内部シールド１５０の下部は金属
製底部シールド７０の２０の垂直に延びる部分の間に半
径方向に隔置している。底部シールド７０は、内部シー
ルド１５０の下方に延び、可動のプラットフォーム２４
の近傍のチャンバ１０を下部がスパッタリングされた材
料でボンバードされないように遮蔽している。好ましい
実施例において、底部シールドの中央開口７２は、基体
がクランプリング３０に接触する処理位置に上昇させる
のを許容する。底部シールド７０はチャンバ１０の接地
された壁１１に電気的に結合されたハンガー７４によっ
てサポートされている。

【００２０】トップシールド６８と底部シールド７０は
それぞれ接地されており、スパッタリングされたイオン
から直流のためのリターン通路を与える。トップおよび
ボトムシールド６８および７０は、また、筒状サポート
１５８および外部シールド１５４をプラズマによって発
生して熱およびスパッタリングされた材料によるボンバ
ードから保護する。金属製内部シールド１５０は、一
方、電気的に、他のセグメントから隔離されたそれぞれ
のセグメントでフロート状態になっており、これによっ
て、うず電流が内部シールド１５０の周囲あるいはスロ
ット１５２の周りを循環する通路を与える。内部シール
ド１５０に外部シールド１５４に直接ボルト止めする代
わりに、外部シールド１５４から内部シールド１５０を
分離するためにスペーサ（図示せず）を使用することが
できる。スペーサは、外部シールド１５４に凹部１６４
を設ける必要性を解消することとなる。スペーサは、た
とえば、内部シールド１５０と外部シールド１５４との
間のファスナー１６２の上に配置されるワッシャとする
ことができる。内部シールド１５０は、また、固定され
た外部シールド１５４とコイル３４に関して着脱自在と
なっており、これによって、シールド１５０およびシー
ルド組立体４８への清掃性およびサービス性を促進する
ことができる。

【００２１】図５を参照すると、コイルシールド組立体
４８の別の実施例は、内部シールド２５０とコイル３４
の間に配置され、これらから分離されている、スロット
を有する金属製の外部シールド２５４を備えている。外
部シールド２５４は、内部シールド２５０と同数の数の
スロット２５２から周方向にオフセットされている複数
のスロット２７６を有しており、これによって、中央部
空間３５とコイル３４との間に直接の視線通路は存在し
ない。内部シールド２５０と外部シールド２５４は、互
いにおよびグランドから電気的に分離されている。さら
に、スロット２５２は、内部シールド２５０をバラバラ
の電気的に分離したセグメント分割している。同様に、
スロット２７６は、トップからボトムまで完全に外部シ
ールド２５４を貫通しており、外部シールド２５４をバ
ラバラの電気的に分離したセグメントに分割している。

【００２２】コイル３４は、たとえば、絶縁サポート２
５８から半径方向内方向に延びる突起（図示せず）によ
ってほぼ筒状の絶縁サポート２５８で支持されている。
また、図６を参照すると、内部シールド２５０の各セグ
メントの上端には、絶縁サポート２５８に支持される１
つ以上の半径方向に延びるタブ２５１があり、チャンバ
１０内に内部シールド２５０のセグメントを所定位置に
保持している。同様に、外部シールド２５４の各セグメ
ントの上端においては、該外部シールドセグメントを所
定位置に維持する絶縁サポート２５８上に懸架される、
１つ以上の半径方向に延びるタブ２５５がある。タブ２
５１および２５５は、サポート２５８上に交互に位置し
ているとともに互いに電気的に分離されている。ファス
ナーと絶縁スペーサあるいはブッシング（図示せず）は
サポート２５８に内部および外部シールド２５０および
２５４のセグメントを係止するのに使用することができ
る。

【００２３】図面を簡単にするために、図６は、内部シ
ールド２５０の４つのスロット２５２だけを、外部シー
ルド２５４の４つのスロット２７６だけを示している。
しかし、これは限定的であることを意味するものではな
く、実際には、さらに多くのスロットあるいは少ないス
ロットを設けることができるということを理解された
い。図６の矢印は、スパッタリングされた材料あるいは
プラズマイオンが中央部空間３５からスロット２５２の
１つを通過する直線の視線通路の投影を示している外部
シールド２５４のスロット２７６は、内部シールド２５
０のスロット２５２から十分にオフセットしており、こ
れによって両方のシールドにおけるスロットを介してコ
イル３４に至る視線通路か存在しないこととなる。上記
したように、このことによって処理中、コイル３４に対
してスパッタリングされた材料およびイオンが到達し、
堆積することが防止される。

【００２４】図５に示した実施例は、コイル３４と外部
シールド２５４との間に位置し、外部シールド２５４を
支持する絶縁サポートを備えていない。しかし、この形
式の構成は、本発明の範囲内のものであることが想定さ
れている。上記の例示的な実施例のそれぞれにおいて、
コイル３４がチャンバ１０の内部に配置されている。コ
イル３４は、ＲＦパワーの完全な導電体ではない。そし
て、これは、熱を発生する所定の損失を有するものであ
る。この熱の除去を容易にするために、コイル３４は、
メタル管（たとえば銅）によって形成され、水あるいは
その他の冷媒がプラズマ処理中コイルに循環される。図
７を参照するように、他の実施例では、コイルシールド
組立体４８のコイル３４はチャンバ１０の外部に位置し
ている。この形態では、周囲の空気によるコイル３４の
対流冷却によってコイル３４を冷却するのに通常は十分
であり、したがってチャンバからコイルに液体を通そう
とする固有の問題については、防止される。円筒状の外
部サポート３５８はコイル３４の半径方向外側に配置さ
れており、たとえば、内部に延びるペグ（図示せず）あ
るいは他の適当な手段でコイル３４を支持する構造とな
っている。他の円筒状内部サポート３５９は、コイル３
４の半径方向内側に配置されており、バキュームチャン
バの外部壁として機能する。外部サポート３５８および
内部サポート３５９は、誘電材料（例えばセラミックあ
るいはクォーツ）から構成されている。Ｏリング３７
８、３８０および３８２は、内部および外部サポート３
５９および３５８が他のチャンバ部品と合わされる所で
真空シールを形成している。

【００２５】内部シールド３５０と外部シールド３５４
は、金属あるいは他の導電体から構成することができる
が、内部サポート３５９およびしたがって、コイル３４
に大して極力近傍に配置される。外部シールド３５４
は、絶縁内部サポート３５９と内部シールド３５０との
間に配置されるが、内部シールド３５０との電気接触は
絶たれている。トップからボトムに内部シールドを介し
て延びる複数のスロット３５２は、内部シールド３５０
をバラバラの電気的に分離したセグメントに分割してい
る。複数のスロット３７６は、周方向にスロット３５２
からオフセットしており、同様に外部シールド３５４を
バラバラの電気的に分離されたセグメントに分割してい
る。シールド３５０および３５４およびそのスロット３
５２および３７６は、整合しており、これによって中央
部空間３５と内部サポート３５９の間には直接の視線通
路は存在しない。さらに、シールド３５０および３５４
は互いにおよびグランドから電気的に分離されている。
各シールド３５０および３５４のセグメントは、図６に
関連して辞意浮きしたのと同様な方法で内部絶縁サポー
ト３５９に支持されるタブ３５１および３５５によって
それぞれ支持されている。ファスナーと絶縁スペーサ
（図示せず）はサポート３５９に対して内部および外部
シールドのそれぞれのセグメントを係止するのに使用さ
れる。

【００２６】図８を参照すると、コイルシールド組立体
４８の他の実施例はチャンバ１０内に位置するＲＦ磁界
コイル３４を備えている。ＲＦコイルを支持する構造
は、たとえば、ペグ（図示せず）あるいつはその他の内
方に突出し、コイル３４のターンを保持する構造を有す
る円筒状の絶縁サポート４５８によって与えられる。内
部シールド４５０は、コイル３４の内部に配置されてお
り、シールド４５０の周囲の周りに均等に隔置して複数
のスロット４５２を備えている。この実施例において
は、スロット４５２は、内部シールド４５０を貫通する
が、シールド４５０のトップからボトムまで完全には延
びていない。各スロット４５２は、内部シールド４５０
のトップの先端のすぐ下方の位置から内部シールド４５
０の下端４８６のすぐ上方の位置まで延びている。金属
製外部シールド４５４は、内部シールドとコイル３４と
の間に位置しており、半径方向に互いに隔置している。
外部シールド４５４は、複数の均等に隔置した、内部シ
ールド４５０のスロット４５２から周方向にオフセット
した開放スロット４５６をを備えており、これによって
中央部空間３５からコイル３４に至る視線通路は存在し
ない。内部シールド４５０と外部シールド４５４のいず
れも金属で構成することができる。

【００２７】内部シールド４５０および外部シールド４
５４の何れも接地されている。図８に示した実施例で
は、内部シールド４５０および外部シールド４５４のそ
れぞれが、チャンバ１０に対してこれらを支持し取り付
けるために、参照符号４５１および４５５でそれぞれ図
面に示す、これらの上端において外方に延びるリップを
備えている。内部シールド４５０が接地されているの
で、これは、スパッタリング電流のためのリターン通路
の一部を形成している。ボトムシールド７０は、また、
チャンバ１０のボトム部品がスパッタリングされた材料
にさらされないように保護するようになっている。スロ
ット４５２および４５６は、ＲＦ磁界コイル３４によっ
て発生したＲＦエネルギーが中央領域３５を貫通するよ
うにし、プラズマを発生する。内部および外部シールド
４５０および４５４は、コイル３４をプラズマから保護
し、ターゲット２２からスパッタリングされた材料がコ
イル３４の上に直接堆積するのを阻止する。

【００２８】図８は真っ直ぐでかつ垂直に配向した（例
えば、チャンバ１０の中心線に並行に配向したスロット
４５２および４５６を示しているが、他の形態を本発明
の範囲に含まれることを意図している。金属シールドの
うず電流をよりよく抑制すると思われる他のスロット形
状は、Ｉ形状スロット５５２（図９）、矢筈形状スロッ
ト（図１０）および斜線形状スロット７５２（図１１）
が含まれる。これらのより複雑な形状のスロットによっ
てうず電流が流れる通路を増加させ、これによってその
電流の抵抗を増加させる。図１２乃至１４を参照する
と、他の形式のスロット付コイルシールド組立体は、周
方向に延びるスロットを有するシールドを有している。
このスロットとＲＦ磁界コイルはそれぞれ周方向及び軸
方向に整列した交点において互いにほぼ横ぎるように配
向されている。図１２を参照すると、軸方向に延びるコ
イル部分８４６に接続された単回ＲＦ磁界コイル８３４
は周方向に配向したコイル部分８４２と８４４を有する
反復矩形の形態を成している。シールド８５０は、シー
ルド８５０を２つのセグメントに分割する円形スロット
８５２を形成している。コイル８３４は、スロット８５
２がコイル部分８４２及び８４４との間のほぼ中間に位
置するように円形スロット８５２に対して配置されてい
る。このように、円形スロット８５２のコイル８３４へ
の半径方向への突起は、軸方向部分８４６にのみ交差し
ている。

【００２９】図１３は、シールド９５０のＲＦ磁界コイ
ル９３４とほぼ周方向に延びるスロット９５２の両方が
反復矩形形態になっているコイルシールド組立体を図示
している。この実施例では、スロット９５２の矩形パタ
ーンは、コイル９３４の矩形パターンよりも大きな振幅
を有している。さらに、コイル９３５とスロット９５２
は互いにその周期の約４分の１ほど周方向にオフセット
しており、これによってコイル９３４の周方向の部分９
８０及び９８２だけが交差している。図１４はシールド
１０５０のＲＦ磁界コイル１０３４及びスロット１０５
２のそれぞれがのこぎり歯状を成しており、互いに約４
分の１だけオフセットしている。したがって、スロット
１０５２のコイル１０３４への半径方向の突起はそのの
こぎり歯パターンの各直線部分の中間点においてコイル
１０３４と交差する。図１２ないし図１４に図示された
コイルシールド組立体の上記の例においては、バリヤ、
あるいは外部シールドはＲＦ磁界コイルとシールドとの
間に配置される。バリヤはたとえば絶縁管あるいはスロ
ット付金属管とすることができる。またＲＦ磁界コイル
は図２に関連して既述したように外部シールドにはめ込
むことができる。われわれは、コイルからのＲＦエネル
ギーをプラズマに結合するのを許容する様々なコイルの
デザインを効率を測定した。まず、われわれは、代表的
な動作周波数、本例では２ＭＨｚで裸のターンコイルの
インダクタンスを測定した。われわれは、コイルに容量
的に結合することができる金属物体が近くに存在しない
状態でこの測定を行った。

【００３０】この裸のコイルのインダクタンスは、イン
ダクタンスとスロットの数とのプロットのトップ近くに
点線で示されている。また、われわれは、コイルの内側
に配置された図示のシールドのそれぞれについてのイン
ダクタンスを測定した。ＲＦエネルギーがプラズマ領域
に通過するシールドの効率が増大するほど、裸のコイル
の測定値に比べてのインダクタンスの低下が小さくな
る。図示のように、スロットの数だ増大すると結合が改
善される。さらに、より工夫を凝らしたデザイン（例え
ば、Ｉ型スロットあるいは矢筈型スロット）は結合を改
善する。しかし最も大きく改善されるのは、トップから
ボトムまでシールドの全体にわたってカッスすることよ
うにしてスロットを延ばすことである。われわれの測定
が、単一の“全体カット”スロットを有するシールドが
トップからボトルにわたるシールド全体通過をするもの
が一つもない多くのスロットが存在するようなデザイン
のどれよりも改善されるものであることを示しているこ
とを理解されたい。

【００３１】コイルシールド組立体を設計する場合、２
の基準がスロットの巾を決定するのにバランスする。第
１に、スロットは、スロットを介してのプラズマの漏れ
が実質的に存在しない程度に十分に巾の狭いものでなけ
ればならない。第２に、スパッタリングした金属によっ
てブリッジが生じないように十分に巾の広いものでなけ
ればならない。一般に、スロットの巾が約０．０６イン
チあるいはそれ以上であれば、処理システムの１回以上
のクリーニングサイクルよりも多く必要とするブリッジ
を防止するのに十分である。内部及び外部シールドのそ
れぞれが金属である図５乃至８を参照して上記で説明し
たコイルシールド組立体においては、外部シールドのス
ロットをより狭くすることができる。その理由は、これ
らのスロットは、スパッタリングされた材料に晒される
ことがないからである。内部シールドと外部シールドは
使用状態にある２つのシールドの間にブリッジ材料層の
形成を防止するように半径方向に隔置していなければな
らない。本発明の内部及び外部シールドはチャンバ内に
適宜着脱自在に配置されることができることを理解され
たい。

【００３２】さらなる設計上の検討は金属シールドとコ
イルとの間に間隔を置くことである。一般に、チャンバ
内においてプラズマへの結合を最大にするように内部金
属シールドに対してコイルを極力近接して配置すること
が望ましい。金属シールドはチャンバで行われるプロセ
スと適合する任意の形式の金属から構成することができ
る。材料を選択する場合、スパッタリング蒸着する材料
をかんがえ、スパッタリングされた材料が細かくフレー
ク状になることによってチャンバの汚染抑制するように
接着するようなシールド材料を選択するであろう。ま
た、シールドを再使用できるように、材料の上にスパッ
タリングされたものを除去するための化学プロセスに適
合するシールド材料を選択することを望むかもしれな
い。これらの要因は、当業者に一般に知られている。

【００３３】ＲＦ磁界コイルは単回巻きとすることもで
きるし、多数巻きとすることもできる。巻き数は、一般
に、電力損失と、インピーダンスマッチングの妥協であ
り、したがって、作動ＲＦ周波数に依存する。上記の本
発明の実施例は、スパッタリング蒸着システムにおいて
説明されているが、コイルシールド組立体は他の形態の
プラズマ処理システムにおいても使用することができ
る。他の実施例は以下の特許請求の範囲に包含される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に従うチャンバ内のプラズマと誘電的に
結合されるＲＦ磁界コイルとコイルシールド組立体を備
えたスパッタリング蒸着チャンバの概略断面図、

【図２】本発明のコイルシールド組立体の他の実施例も
のを収容するチャンバ壁延長部を概略的に示すプラズマ
蒸着システムの断面図、

【図３】図２のコイルシールド組立体の他の実施例の断
面図、

【図４】図２のコイルシールド組立体の他の実施例の断
面図、

【図５】本発明に従うコイルシールド組立体の他の実施
例を概略的に示すプラズマ蒸着システムの一部の部分破
断、断面図、

【図６】コイルシールド組立体の一部の線４ａに沿った
断面図、

【図７】本発明に従う他の実施例のコイルシールド組立
体を概略的に示すプラズマ蒸着システムの部分の部分破
断、断面図、

【図８】本発明に従う他の実施例のコイルシールド組立
体を概略的に示すプラズマ蒸着システムの部分の部分断
面斜視図、

【図９】図８に示すコイルシールド組立体と一緒に使用
するための異なるスロットデザインの概略図、

【図１０】図８に示すコイルシールド組立体と一緒に使
用するための異なるスロットデザインの概略図、

【図１１】図８に示すコイルシールド組立体と一緒に使
用するための異なるスロットデザインの概略図、

【図１２】本発明に従う他の形式のコイルシールド組立
体の３つの実施例の斜視図、

【図１３】本発明に従う他の形式のコイルシールド組立
体の３つの実施例の斜視図、

【図１４】本発明に従う他の形式のコイルシールド組立
体の３つの実施例の斜視図、

【図１５】４つの異なる形式のコイルシールド組立体に
ついての金属コイルシールドにおいてプラズマ領域のイ
ンダクタンスをスロットの数に対してプロットしたもの
である。

【符号の説明】

１０ チャンバ ２２ ターゲット ２４ プラットフォーム ２６ 基体 ２８ リフト機構 ３０ クランプリング ３４ ＲＦ磁界コイル ４８ コイルシールド組立体 ５０ 内部シールド ５２ スロット ５４ 外部シールド。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/31 21/31 Ｃ (72)発明者 アイヒュア スティーヴ チェン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94539 フリーモント リヴァーモア コ モン 43241 (72)発明者 ハワード グルーネス アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95062 サンタ クルーズ トリーヴァサ ン アベニュー 237 (72)発明者 ロバート ビー ローレンス アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95032 ロス ガトス エドマンド ドラ イヴ 15822 (72)発明者 ラルフ ホフマン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95129 サン ホセ サラトガ アベニュ ー 118−1431 (72)発明者 ツェン シュー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94404 フォフター シティー ハドソン ベイ ストリート 279 (72)発明者 ファーナンド ドーリーンス アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94109 サン フランシスコ ハイド ス トリート 45−1369

Claims (64)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 バキュームチャンバと、 前記バキュームチャンバ内の中央部空間を取り囲むＲＦ
   磁界コイルであって、処理中、前記中央部空間内のプラ
   ズマにＲＦパワーを結合するようになったものと、 前記コイルをプラズマからシールドするコイルシールド
   組立体であって、前記コイルシールド組立体が前記ＲＦ
   磁界コイル内に位置し、そこを通って延びる少なくとも
   １つのスロットを有する第１シールドと、前記第１シー
   ルドとコイルとの間に配置され、前記少なくとも１つの
   スロットと整合するバリヤ構造とを備え、 前記第１シールドとバリヤ構造がプラズマ処理中前記チ
   ャンバ内に堆積した材料によって前記少なくとも１つの
   スロットがブリッジを生じることを抑制するような構造
   を有しかつそのように配置されていることを特徴とする
   プラズマ処理システム。
2. 【請求項２】 請求項１において、前記第１シールドと
   前記バリヤ構造が一体で形成されていることを特徴とす
   るプラズマ処理システム。
3. 【請求項３】 請求項２において、前記少なくとも１つ
   のスロットがＴ字型であることを特徴とするプラズマ処
   理システム。
4. 【請求項４】 請求項１において、前記バリヤ構造の内
   部表面が、前記少なくとも１つのスロットに近接する第
   １シールドから隔置しており、前記バリヤ構造の表面が
   前記中央部空間とコイルとの間の少なくとも１つのスロ
   ットを介して全ての視線通路をブロックするように配置
   されていることを特徴とするプラズマ処理システム。
5. 【請求項５】 請求項４において、前記少なくとも１つ
   のスロットが前記第１シールドの上端に近接した位置か
   ら前記第１シールドの下端に近接した位置まで延びてい
   ることを特徴とするプラズマ処理システム。
6. 【請求項６】 請求項５において、前記少なくとも１つ
   のスロットが前記第１シールドの周りに周方向に隔置し
   た複数のスロットを備えていることを特徴とするプラズ
   マ処理システム。
7. 【請求項７】 請求項６において、前記複数のスロット
   のそれぞれのスロットはＩ型、直線型および矢筈型から
   なるグループの１つである形状を有することを特徴とす
   るプラズマ処理システム。
8. 【請求項８】 請求項６において、前記第１シールドが
   金属であることを特徴とするプラズマ処理システム。
9. 【請求項９】 請求項８において、前記第１シールドが
   接地されていることを特徴とするプラズマ処理システ
   ム。
10. 【請求項１０】 請求項８において、前記バリヤ構造の
    まわりに周方向に隔置し、これを介して延びる複数のス
    ロットを有する第２金属シールドを備えており、前記第
    ２シールドの複数のスロットが前記第１シールドの複数
    のスロットから周方向にオフセットしていることを特徴
    とするプラズマ処理システム。
11. 【請求項１１】 請求項４において、前記第１シールド
    の少なくとも１つのスロットが前記第１シールドの頂部
    から底部まで完全に貫通して延びており、これによって
    前記第１シールドを分割していることを特徴とするプラ
    ズマ処理システム。
12. 【請求項１２】 請求項１１において、前記第１シール
    ドの少なくとも１つのスロットが前記第１シールドを個
    々のセグメントに分割する複数の周方向に隔置したスロ
    ットを備えていることを特徴とするプラズマ処理システ
    ム。
13. 【請求項１３】 請求項１２において、前記第１シール
    ドの各セグメントが第１シールドの他のそれぞれのセグ
    メントから電気的に分離されていることを特徴とするプ
    ラズマ処理システム。
14. 【請求項１４】 請求項１０において、前記バリヤ構造
    が誘電材料を備えており、前記第１シールドに対するサ
    ポートを与えることを特徴とするプラズマ処理システ
    ム。
15. 【請求項１５】 請求項１４において、前記バリヤ構造
    の表面が前記第１シールドの少なくとも１つのスロット
    と整合し、これに近接した凹部を備えていることを特徴
    とするプラズマ処理システム。
16. 【請求項１６】 前記バリヤ構造の内部構造が前記第１
    シールドから隔置していることを特徴とするプラズマ処
    理システム。
17. 【請求項１７】 請求項１０において、前記バリヤ構造
    が前記第１シールドとコイルとの間に位置する第２シー
    ルドを備えて、前記第２シールドはこれを介して延びる
    少なくとも１つのスロットを備えており、 前記第２シールドの少なくとも１つのスロットが前記第
    ２シールドの頂部に近接した位置から底部に近接した位
    置まで延びており、前記第２シールドの少なくとも１つ
    のスロットが前記第１シールドの少なくとも１つのスロ
    ットから周方向にオフセットしていることを特徴とする
    プラズマ処理システム。
18. 【請求項１８】 請求項１７において、前記第２シール
    ドが金属であることを特徴とするプラズマ処理システ
    ム。
19. 【請求項１９】 請求項１８において、前記コイルシー
    ルド組立体が前記第２シールドとコイルとの間に位置す
    る誘電壁を備えていることを特徴とするプラズマ処理シ
    ステム。
20. 【請求項２０】 請求項１９において、前記第２シール
    ドとコイルとの間に配置された誘電壁がチャンバ壁を形
    成して、これによってＲＦコイルがバキュームチャンバ
    の外側に位置するようになったことを特徴とするプラズ
    マ処理システム。
21. 【請求項２１】 請求項４において、前記少なくとも１
    つのスロットが前記第１シールドの周りにほぼ周方向に
    延びていることを特徴とするプラズマ処理システム。
22. 【請求項２２】 請求項２１において、ＲＦ磁界コイル
    と少なくとも１つのスロットは、少なくとも１つのスロ
    ットがＲＦ磁界コイルをほぼ横切る複数の周方向に隔置
    した交差点において周方向および軸方向に整列している
    ことを特徴とするプラズマ処理システム。
23. 【請求項２３】 請求項２２において、ＲＦ磁界コイル
    はほぼ矩形形状のパターンに形成されていることを特徴
    とするプラズマ処理システム。
24. 【請求項２４】 請求項２３において、スロットがほぼ
    円形であることを特徴とするプラズマ処理システム。
25. 【請求項２５】 請求項２４において、前期少なくとも
    １つのスロットが周期的な矩形形状パターンを有し、コ
    イルのほぼ矩形形状パターンの位相とは異なっているこ
    とを特徴とするプラズマ処理システム。
26. 【請求項２６】 請求項２１において、前記ＲＦ磁界コ
    イルほぼのこぎり歯状の第１パターンを形成しており、
    スロットがＲＦ磁界コイルの前記ほぼのこぎり歯状の第
    １パターンとは位相の異なるほぼのこぎり歯状の第２パ
    ターンを形成していることを特徴とするプラズマ処理シ
    ステム。
27. 【請求項２７】 ターゲットからの材料を基体の上にス
    パッタリング堆積させるプラズマ処理システムにおい
    て、 前記システムが、 バキュームチャンバと、 プラズマ処理中基体を保持するプラットフォームと、 ターゲットが装着されるスパッタリング源と、 チャンバ内に配置されるとともに、前記ターゲットとプ
    ラットフォームとの間に位置するＲＦ磁界コイルと、 前記ＲＦ磁界コイル内に位置する第１シールドであっ
    て、これを介して延びる少なくともひとつのスロットを
    有するものと、前記第１シールドとＲＦコイルとの間に
    位置するバリヤ構造であって、前記少なくとも１つのス
    ロットと整合するとともに、前記少なくとも１つのスロ
    ットに近接した前記第１シールドから隔置しており、こ
    れによって、前記第１シールドの内部からＲＦコイルに
    至る視線通路が存在しないように構成されたものを有す
    るコイルシールド組立体とを備えたプラズマ処理システ
    ム。
28. 【請求項２８】 請求項２７において、前記第１シール
    ドが金属であるプラズマ処理システム。
29. 【請求項２９】 請求項２８において、前記少なくとも
    １つのスロットが周方向に隔置した第１の複数のスロッ
    トを備え、前記バリヤ構造が、これを介して延びる周方
    向に隔置するとともに、前記第１の複数のスロットから
    周方向にオフセットした第２の複数のスロットを有する
    第２シールドを備えていることを特徴とするプラズマ処
    理システム。
30. 【請求項３０】 請求項２９において、第２シールドが
    金属であることを特徴とするプラズマ処理システム。
31. 【請求項３１】 請求項２７において、バリヤ構造が電
    気的絶縁材料からなり、前記第１シールドを支持してお
    り、前記バリヤ構造がプラズマ処理中バリヤ構造の内部
    表面状にスパッタリング堆積された材料によって前記少
    なくとも１つのスロットのブリッジの発生を抑制するよ
    うに前記少なくとも１つのスロットと整合する凹部を有
    する内部表面を備えていることを特徴とするプラズマ処
    理システム。
32. 【請求項３２】 請求項３１において、前記少なくとも
    １つのスロットが前記第１シールドを分割する単一のス
    ロットからなることを特徴とするプラズマ処理システ
    ム。
33. 【請求項３３】 請求項３１において、前記少なくとも
    １つのスロットが前記第１シールドをセグメント化する
    ように複数の周方向に隔置したスロットを備えているこ
    とを特徴とするプラズマ処理システム。
34. 【請求項３４】 請求項２７において、前記少なくとも
    １つのスロットが前記第１シールドの周りにほぼ周方向
    に延びていることを特徴とするプラズマ処理システム。
35. 【請求項３５】 請求項３４において、ＲＦ磁界コイル
    と少なくとも１つのスロットが、該少なくとも１つのス
    ロットがＲＦ磁界コイルをほぼ横切る複数の周方向に隔
    置した交点において整列していることを特徴とするプラ
    ズマ処理システム。
36. 【請求項３６】 プラズマを収容するチャンバと、 該チャンバの外側に位置するＲＦ磁界コイルと、コイル
    シールド組立体とを備えたプラズマ処理システムであっ
    て、 前記コイルシールド組立体が、前記コイル内にチャンバ
    壁の一部を形成する誘電壁と、チャンバ内部の第１シー
    ルドであって、軸方向に延びる第１スロットによって分
    割されている第１シールドを備え、 前記第１シールドが前記第１スロット近傍の誘電壁の内
    部表面から隔置していることを特徴とするプラズマ処理
    システム。
37. 【請求項３７】 請求項３６において、第１シールドが
    金属であることを特徴とするプラズマ処理システム。
38. 【請求項３８】 請求項３７において、前記コイルシー
    ルド組立体がさらに、前記誘電壁と第１シールドとの間
    に配置されかつ前記第１シールドから隔置した第２金属
    シールドを備え、前記第２シールドが前記第１スロット
    から周方向にオフセットした第２スロットによって分割
    されていることを特徴とするプラズマ処理システム。
39. 【請求項３９】 請求項３８において、前記第１スロッ
    トが前記第１シールドを第１の複数の周方向に隔置した
    セグメントに分割する複数のスロットの１つであり、前
    記第２スロットが該第２シールドを第２の複数の周方向
    に隔置したセグメントに分割する第２の複数のスロット
    の１つであり、そして、前記第１の複数のスロットのそ
    れぞれが、前記第２の複数のスロットのそれぞれから周
    方向にオフセットしていることを特徴とするプラズマ処
    理システム。
40. 【請求項４０】 請求項３８において、前記第１および
    第２シールドが互いにおよびグランドから電気的に分離
    されていることを特徴とするプラズマ処理システム。
41. 【請求項４１】 外部チャンバ壁と、前記外部チャンバ
    の少なくとも一部に囲まれ、ガスのイオン化されたエレ
    メントを収容するチャンバ内にプラズマを形成するため
    に電流供給に接続されたインダクションコイルと、 非導電材料から形成され、前記外部チャンバの内部に着
    脱自在に配置された内部チャンバ壁とを備え、 前記内部チャンバ壁が、該内部チャンバの内部の内周の
    周りに連続的な電動フィルムが形成されることが防止さ
    れるように形成されていることを特徴とするワークピー
    スに導電材料を堆積するのに使用する装置。
42. 【請求項４２】 請求項４１において、前記内部チャン
    バ壁がその内部表面に沿った少なくとも１つの凹部開口
    を有することを特徴とする装置。
43. 【請求項４３】 請求項４２において、前記少なくとも
    １つの凹部開口がＴ型であることを特徴とる装置。
44. 【請求項４４】 請求項４２において、前記少なくとも
    １つの凹部開口が複数の凹部開口を備えていることを特
    徴とする装置。
45. 【請求項４５】 請求項４２において、前記内部チャン
    バ壁が非導電性材料を備えていることを特徴とする装
    置。
46. 【請求項４６】 請求項４５において、前記非導電性材
    料がセラミックであることを特徴とする装置。
47. 【請求項４７】 請求項４５において、前記非導電性材
    料がクォーツであることを特徴とする装置。
48. 【請求項４８】 円筒状のチャンバ壁を有するチャンバ
    と、 前記チャンバ壁の上端から上方に延びるチャンバ壁延長
    部であって、その中にはめ込まれる誘導コイルを備え、
    ガスのイオン化されたエレメントを収容するチャンバ内
    にプラズマを形成するために電流供給に接続されたチャ
    ンバ壁延長部と、 ワークピースに導電性材料の堆積中、チャンバ壁の内部
    壁上に連続的な導電性フィルムが形成されることが防止
    されるようになったシールドとを備えた、ワークピース
    に導電材料を堆積させるのに使用する装置。
49. 【請求項４９】 請求項４８において、前記チャンバ壁
    延長部が非導電材料を有することを特徴とする装置。
50. 【請求項５０】 請求項４９において、前記導電性材料
    がセラミックであることを特徴とする装置。
51. 【請求項５１】 請求項４９において、前記導電性材料
    がクォーツであることを特徴とする装置。
52. 【請求項５２】 請求項４８において、前記シールドが
    シリンダを備え、非導電性材料から形成され、前記チャ
    ンバに着脱自在に配置され、さらに少なくとも１つのス
    ロットを備えていることを特徴とする装置。
53. 【請求項５３】 請求項５２において、前記少なくとも
    １つのスロットが前記シールドの周りに周方向に隔置し
    た複数のスロットを備えていることを特徴とする装置。
54. 【請求項５４】 請求項５３において、前記複数のスロ
    ットのそれぞれがＴ字型であることを特徴とする装置。
55. 【請求項５５】 請求項５３において、前記シリンダが
    セラミックであることを特徴とする装置。
56. 【請求項５６】 導電性材料を堆積するワークピースを
    収容するチャンバと、 ガスのイオン化されたエレメントを収容するチャンバ内
    にプラズマを形成する手段と、 ワークピースに材料を堆積する間に前記チャンバの内部
    表面上に連続的な導電性フィルムの形成を防止するシー
    ルド手段とを備えたこと特徴とするワークピースに導電
    材料を堆積するのに使用する装置。
57. 【請求項５７】 請求項５６において、前記シールド手
    段が非導電性材料からなるシリンダを備え、さらに少な
    くとも１つのスロットを有することを特徴とする装置。
58. 【請求項５８】 請求項５７において、前記少なくとも
    １つのスロットがＴ字形状であることを特徴とする装
    置。
59. 【請求項５９】 請求項５７において、前記シールド手
    段がチャンバ内に着脱自在に配置されていることを特徴
    とする装置。
60. 【請求項６０】 請求項５９において、少なくとも１つ
    のスロットが前記シールド手段の周りに周方向に隔置し
    た複数のスロットを有することを特徴とする装置。
61. 【請求項６１】 請求項５７において、さらにＲＦ磁界
    コイルを備えており、該ＲＦ磁界コイルは、前記チャン
    バ内に少なくとも部分的にはめ込まれていることを特徴
    とする装置。
62. 【請求項６２】 プラズマが形成される空間を少なくと
    も部分的に取り囲むＲＦ磁界コイルと、 前記プラズマとターゲット材料粒子から前記ＲＦ磁界コ
    イルをシールドするために、これを介して延びる少なく
    とも１つのスロットを有する第１シールドとを有し、前
    記少なくとも１つのスロットが該シールド上にプラズマ
    とターゲット材料粒子の連続的なフィルムを形成するの
    を防止することを特徴とする、粒子がターゲット材料か
    ら放出されるようにプラズマを形成するためにＲＦエネ
    ルギーをガスに結合するための装置。
63. 【請求項６３】 請求項６２において、前記第１シール
    ドがシリンダを備え、前記少なくとも１つのスロットが
    前記シールドの周りの周方向に隔置した複数のスロット
    を有することを特徴とする装置。
64. 【請求項６４】 請求項６２において、さらに第１シー
    ルドと前記ＲＦ磁界コイルとの間に配置された第２シー
    ルドを備え、前記第２シールドは、これを介して延びる
    少なくとも１つのスロットを有しており、該第２シール
    ドの少なくとも１つのスロットは前記第１シールドの少
    なくとも１つのスロットから周方向にオフセットしてい
    ることを特徴とする装置。