TWI556690B - An antenna for a plasma processing apparatus, and a plasma processing apparatus using the same - Google Patents

Description

電漿處理裝置用天線及使用該天線的電漿處理裝置

本發明係有關於利用電漿之CVD裝置或濺鍍裝置或者蝕刻裝置等之電漿處理裝置所使用的高頻天線。本發明係一併提供使用該高頻天線的電漿處理裝置。

近年來，開發將高頻天線配置於真空容器內之內部天線方式的電漿處理裝置並已實用化。在該電漿處理裝置，向真空容器內引入用以產生電漿之氣體，並使高頻電流向高頻天線流動，而在其周圍產生高頻感應電場，藉此，使電子加速，將氣體的分子電離，而產生電漿。向基體(基板)之表面供給使用該電漿，對原料的靶濺鍍者，或將原料的氣體分解者，藉此，可形成薄膜或進行蝕刻。

在專利文獻1，揭示將複數支由U字形之導體所構成的高頻天線配置於真空容器內的電漿處理裝置。該裝置係藉由使用複數支高頻天線，而提高真空容器內之電漿密度的均勻性。又，U字形之高頻天線係相當於圈數未滿一圈的感應耦合天線，因為電感值比圈數超過一圈的感應耦合天線更低，所以在高頻天線之兩端所產生的高頻電壓減少，而抑制對所產生之電漿的靜電耦合所伴隨之電漿電位的高頻擺動。因此，減少對對地電位之電漿電位擺動所伴隨之過度的電子損失，而電漿電位降低。因此，可進行在基體上之低離子損害的薄膜形成處理。

高頻天線直接觸電漿時，因為在天線所產生之高頻電壓，而電子從電漿過度地流入天線，電漿電位變成比天線的電位更高。因此，天線所使用之材料被電漿濺鍍，因此，高頻天線的材料可能作為雜質混入薄膜。因此，在專利文獻1所記載之裝置，高頻天線係利用絕緣體(介電體)製保護管包覆成不會直接觸電漿。

[專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2001-035697號公報([0050]、[0052]、[0053]、第1圖、第11圖)

為了薄膜之形成或蝕刻處理而持續使用專利文獻1的電漿處理裝置時，薄膜材料或在蝕刻處理所使用之氣體分子的解離種或雙產生物逐漸附著於保護管之表面，不久其表面整體被堆積物層所覆蓋。成為這種狀態時，在堆積物是導電性的情況，在使高頻電流向高頻天線流動時，在堆積物層產生與其反向的電流，因此，高頻感應電場被遮蔽。又，在堆積物是不具有導電性的情況，亦在高頻感應電場通過堆積物層時，其強度衰減。

本發明所欲解決之課題係提供一種即使堆積物附著於天線保護管之表面，亦可抑制高頻感應電場之遮蔽或強度衰減之發生的高頻天線。一併提供一種使用該高頻天線的電漿處理裝置。

為了解決該課題所開發之本發明的高頻天線，係配置於真空容器內，並藉由使高頻電流流動而在該真空容器內產生高頻感應電場，使被引入該真空容器內的電漿產生氣體電漿化，其特徵在於包括：a)線狀的天線導體；b)介電體製保護管，係設置於該天線導體的周圍；及c)堆積物屏，係設置於該保護管之周圍的屏，並在該天線導體之長度方向的任意線上，覆蓋該保護管至少一處，而且具有至少一處開口。

在本發明的高頻天線，因為在薄膜之形成或蝕刻處理時，堆積物不會在保護管之表面在長度方向連續地附著，又，在屏之表面亦不會在長度方向連續地堆積，所以在堆積物是導電性的情況，在使高頻電流向天線導體流動時，妨礙與其反向的電流向堆積物層流動，而高頻感應電場不會被遮蔽。又，在不具有導電性之堆積物的情況，因為高頻感應電場不會被連續之堆積物層遮蔽，所以可抑制電漿產生能量降低。

在這種堆積物屏，例如可使用在保護管之長度方向部分中斷者。在此情況，屏中斷的部分相當於該開口。又，亦可使用沿著保護管之長度方向成螺旋狀，並在帶與帶之間隔著間隔設置帶狀的元件者。在此情況，帶與帶之間的空間相當於該開口。或者，亦可使用以在管狀的元件挪移圓周方向之位置的方式在長度方向排列多個在該管之圓周 方向長形狀的孔者。

在堆積物屏與保護管之間，設置從保護管突出，並繞該保護管之周圍一圈或沿著該保護管之長度方向成螺旋狀延伸的區隔部較佳。利用區隔部，可更確實地防止薄膜材料在保護管之表面在長度方向連續地堆積。

本發明之電漿處理裝置之第1形態的特徵在於包括：a)真空容器；b)靶固持手段，係設置於該真空容器內；c)基板固持手段，係設置成與該靶固持手段相對向；d)電漿產生氣體引入手段，係向該真空容器內引入電漿產生氣體；e)電場產生手段，係在包含該靶固持手段所固持之靶之表面的區域產生濺鍍用之直流電場或高頻電場；及f)本發明之高頻天線，係配置於該真空容器內，並在包含該靶固持手段所固持之靶之表面的區域產生高頻感應電場。

第1形態的電漿處理裝置係除了以往之濺鍍裝置的構成以外，還為了在靶之表面附近產生高頻感應電場，而設置本發明的高頻天線。

在以往之濺鍍裝置，利用電場產生手段使電漿產生氣體的分子電離，而產生電漿的同時藉由使所產生之離子碰撞靶，而對靶濺鍍後，使靶的材料堆積於基板上，藉此形成薄膜，相對地，在第1形態的電漿處理裝置，因為利用藉配置於真空容器內的高頻天線所產生之高頻感應電場， 可更提高在靶之表面附近之電漿的密度，所以可對靶更高速地濺鍍。但，因為在該裝置，高頻天線配置於真空容器內，所以靶被濺鍍而成的薄膜原料附著於高頻天線之表面。因此，在第1形態的電漿處理裝置，藉由使用本發明的高頻天線，防止高頻感應電場之強度變弱。

在第1形態的電漿處理裝置(濺鍍裝置)，設置磁場產生手段較佳，而該磁場產生手段係在包含該靶之表面的區域產生具有與該直流電場或高頻電場正交之成分的磁場。 這是除了以往之磁控器濺鍍裝置的構成以外，還設置本發明的高頻天線。

本發明之電漿處理裝置之第2形態的特徵在於包括：a)真空容器；b)基板固持手段，係設置於該真空容器內；c)複數個本發明的高頻天線，係設置於該真空容器內；d)電漿產生氣體引入手段，係向該真空容器內引入電漿產生氣體；及e)原料氣體引入手段，係向該真空容器內引入成為薄膜原料的氣體。

該電漿處理裝置係在專利文獻1所記載之電漿處理裝置的高頻天線，使用本發明的高頻天線。

又，本發明之電漿處理裝置之第3形態的特徵在於包括：a)真空容器；b)基板固持手段，係設置於該真空容器內； c)複數個本發明之高頻天線，係設置於該真空容器內；d)電漿產生氣體引入手段，係向該真空容器內引入電漿產生氣體；及e)蝕刻處理氣體引入手段，係向該真空容器內引入蝕刻處理所使用之氣體。

若依據本發明的高頻天線，藉由薄膜材料或蝕刻所使用之材料氣體附著而形成於保護管及堆積物屏之表面的堆積物層在天線導體之長度方向的任意線上至少一處中斷。因此，在堆積物是導電性的情況，可防止高頻感應電場被遮蔽，而在導電性以外的情況，可抑制高頻感應電場之強度衰減。

使用第1圖至第11圖，說明本發明之電漿處理裝置用高頻天線(以下稱為「高頻天線」)及使用該高頻天線之電漿處理裝置的實施例。

[第1實施例]

使用第1圖至第4圖，說明本發明之高頻天線的第1實施例。該高頻天線10具有：天線導體13，係將線狀導體彎曲成U字形；介電體製管14，係以包覆天線導體13的方式彎曲成U字形，且截面為圓形；及堆積物屏15，係設置於介電體製管14之外表面。堆積物屏15的細節將後 述。此外，第1圖(a)係在與高頻天線13平行之截面的縱面圖。高頻天線10經由饋通12，安裝於電漿處理裝置所具有之真空容器11的壁面。又，高頻電源16經由阻抗匹配器17，與天線導體13連接。此外，該U字形之天線導體13係相當於圈數未滿1圈的感應耦合天線，因為電感值比圈數為1圈以上的感應耦合天線低，所以在高頻天線之兩端所產生的高頻電壓降低，減少對所產生之電漿的靜電耦合所伴隨之過度的電子損失，而電漿電位降低。因此，可進行在基板上之低離子損害的薄膜形成處理。

堆積物屏15具有：腳部(區隔部)151，係從介電體製管14的外表面向外側延伸；及遮簷部152，係從腳部151的上端向介電體製管14之長度方向的兩側延伸。因此，在第1圖(a)的縱剖面圖，腳部151與遮簷部152係兩者合併時呈T字形的形狀。腳部151與遮簷部152都形成為繞介電體製管14的周圍一圈。而且，這些腳部151及遮簷部152在介電體製管14之長度方向排列多個並配置成遮簷部152彼此之間有間隔。即，構成堆積物屏15者在遮簷部與遮簷部之間中斷。將該中斷的部分稱為開口153。此外，堆積物屏15的材料不管是導體或介電體都可。

本實施例的高頻天線10係在第3圖或第4圖所示的電漿處理裝置(濺鍍裝置、電漿CVD裝置、電漿蝕刻裝置)等所使用。那些電漿處理裝置的細節將後述，是用以將薄膜形成於基板上及用以執行蝕刻的裝置，利用高頻天線10所產生之高頻感應電場形成電漿後，在電漿中對由薄膜原料所 構成之靶濺鍍，或將薄膜原料的氣體分解。那時，因為薄膜原料或蝕刻處理氣體附著於高頻天線10之表面，所以在其堆積物對高頻天線10之特性有不良影響上成為問題。尤其，因為藉由使高頻電流向天線導體13流動而在天線導體13的周圍產生隨時間變動的磁場，所以導電性的堆積物以在線狀導體之長度方向連接的方式附著時，電流向附著物流動，而抵消該磁場，結果，可能遮蔽高頻感應電場。

在本實施例，如下述所示，因堆積物屏15存在，而堆積物對高頻天線10的特性幾乎無不良影響。即，如第2圖所示，向高頻天線10(第2圖中的箭號)所飛來之堆積的原料係一部分堆積於遮簷部152的外側(外側堆積物M1)，其他部分通過開口153並堆積於介電體製管14之外表面(內側堆積物M2)。因為在相鄰的遮簷部152彼此之間有開口153存在，所以附著於各遮簷部152的外側堆積物M1不會彼此連接，或至少從電漿處理裝置開始運轉至經過相當時間，外側堆積物M1不會彼此連接。

又，因為介電體製管14之外表面在其長度方向被腳部(區隔部)151所區隔，所以(與裝置的使用時間無關)內側堆積物M2亦不會在長度方向連接。

如以上所示，利用堆積物屏15，可防止外側堆積物M1或內側堆積物M2在介電體製管14之長度方向連續地連接(至少相當時間)。因此，在堆積物具有導電性的情況，不會發生高頻感應電場被遮蔽的問題。又，在堆積物不具有導電性的情況，亦可抑制高頻感應電場之強度變弱(至少相 當時間)。又，因為無需定期除去堆積物之維修作業或使該作業的週期變長，所以可降低裝置的運轉費用。

進而，遮簷部152之前端與腳部151的距離長達某程度以上時，雖然通過開口153的薄膜原料從遮簷部152之前端往腳部151侵入至途中，但是不會侵入至更內部。在此情況，介電體製管14之外表面的至少一部分屬於遮簷部之陰影的位置，因為在該位置不會被內側堆積物M2所覆蓋，所以可更確實地防止高頻感應電場之強度變弱。為了具有這種效果，遮簷部152之前端與腳部151的距離設為遮簷部152與介電體製管14之間隙大小的2倍以上較佳。

其次，說明使用本實施例之高頻天線10的電漿處理裝置(濺鍍裝置)20。電漿處理裝置20是具有：磁控管濺鍍用磁鐵21，係設置於真空容器11的底部；靶座22，係設置於磁控管濺鍍用磁鐵21的上面；及基板座23，係與靶座22相對向地設置；進而在磁控管濺鍍用磁鐵21的側方包括本實施例的高頻天線10。可將板狀的靶T安裝於靶座22的上面，並將基板S安裝於基板座23的下面。又，在該電漿處理裝置20，如上述所示，經由阻抗匹配器17將高頻電源16與高頻天線10連接，而且設置有將用以施加以靶座22側為負的直流電壓於靶座22與基板座23之間的直流電源24。此外，將用以向真空容器11內引入用以產生電漿之氣體(電漿產生氣體)的氣體引入口27設置於真空容器11的側壁。

說明電漿處理裝置20的動作。首先，將靶T安裝於靶座22，並將基板S安裝於基板座23。接著，使真空容器 11變成真空後，從氣體引入口27向真空容器11內引入電漿產生氣體。接著，藉由使直流電流向磁控管濺鍍用磁鐵21的電磁鐵流動，而在靶T的附近產生磁場。同時，將靶座22與基板座23作為電極，利用直流電源24在兩者之間產生直流電場。進而，藉由從高頻電源16向天線導體13投入高頻電力，而在包含靶T的附近之高頻天線10的周圍產生高頻感應電場。利用這些磁場、直流電場及高頻感應電場，產生電漿。然後，藉由利用磁場及直流電場使從電漿所供給之電子進行擺線運動或餘擺線運動，促進電漿產生氣體的電離，而產生大量的陽離子。藉由這些陽離子與靶T之表面碰撞，而濺鍍粒子從靶T之表面飛出，該濺鍍粒子在靶T與基板S之間的空間飛行後，附著於基板S之表面。依此方式，藉由濺鍍粒子堆積於基板S之表面，而形成薄膜。

在該裝置，雖然濺鍍粒子附著於高頻天線10，但是藉由堆積物屏15的存在，而可防止高頻天線10所產生之高頻感應電場被遮蔽或變弱。

此外，雖然在此以磁控器濺鍍裝置為例加以說明，但是在自電漿處理裝置20除去磁控管濺鍍用磁鐵21的二極濺鍍裝置亦一樣，可將本實施例的高頻天線10設置於靶座22的側方。

其次，說明使用本實施例之高頻天線10的電漿處理裝置30。電漿處理裝置30係包括：基板座33，係設置於真空容器11的底部；及複數支高頻天線10，係與基板座33 上之基板S平行地排列於真空容器11的側壁。這些複數支高頻天線10係以3支或4支為一組，並對一組並列地連接一個高頻電源16。又，在真空容器11的側壁，設置：第1氣體引入口371，係向真空容器11內引入電漿產生氣體；及第2氣體引入口372，係向真空容器11內之比供給電漿產生氣體的區域更靠近基板座33側引入成為薄膜原料的氣體(薄膜原料氣體)或蝕刻處理氣體。

說明電漿處理裝置30的動作。首先，將基板S安裝於基板座33後，使真空容器11內變成真空。接著，從第1氣體引入口371向真空容器11內引入電漿產生氣體，並從第2氣體引入口372向真空容器11內引入薄膜原料氣體。然後，從高頻電源16向天線導體13供給高頻電流。因此，在真空容器11內產生高頻感應電場，利用該高頻感應電場使電子加速，將電漿產生氣體電離，而形成電漿。然後，薄膜原料氣體或蝕刻處理氣體利用電漿中的電子碰撞被分解，在基板S上進行薄膜形成或蝕刻處理。此外，雖然在此將基板S作為處理對象，但是在進行蝕刻的情況，未限定為被處理物是板狀的情況。

雖然在電漿處理裝置30，所分解之薄膜原料或蝕刻處理氣體亦附著於高頻天線10，但是藉由堆積物屏15的存在，而可防止高頻感應電場被該附著物遮蔽或減弱。

在至目為為止所述的電漿處理裝置20及30，亦可使用下述之第2實施例以後之實施例的高頻天線，替代第1實施例的高頻天線10。

[第2實施例]

使用第5圖及第6圖，說明本發明之高頻天線的第2實施例。本實施例的高頻天線10A具有與第1實施例之高頻天線10一樣的天線導體13及介電體製管14，而且將堆積物屏15A設置於介電體製管14之外表面(第5圖)。堆積物屏15A具有：腳部151A，係從介電體製管14的外表面向外側延伸；及遮簷部152A，係從腳部151A的上端向介電體製管14之長度方向的一側延伸。因此，在第5圖的縱剖面圖，腳部151A與遮簷部152A係兩者合併時呈L字形的形狀。

本實施例的高頻天線10A係如第6圖所示，與第1實施例的高頻天線10一樣，因為在相鄰的遮簷部152A彼此之間有開口153A存在，所以附著於各遮簷部152A的外側堆積物M1不會彼此連接(至少從電漿處理裝置開始運轉至經過相當時間)。又，因為介電體製管14之外表面在其長度方向被腳部(區隔部)151A所區隔，所以內側堆積物M2亦不會在長度方向連接。進而，因為薄膜原料從遮簷部152A的前端往腳部151A只侵入至途中，所以介電體製管14之外表面的至少一部分不會被內側堆積物M2所覆蓋。因此，尤其在附著物是導電性的情況，可防止高頻感應電場被遮蔽，而且在附著物是導電性者以外的情況，亦可抑制高頻感應電場的強度變弱。

[第3實施例]

使用第7圖及第8圖，說明本發明之高頻天線的第3 實施例。本實施例的高頻天線10B具有與第1及第2實施例之高頻天線一樣的天線導體13及介電體製管14，而且將堆積物屏(翼片15B)設置於介電體製管14之外表面(第7圖)。一個翼片15B係從介電體製管14的外表面向外側延伸，並形成為繞介電體製管14的周圍一圈。而且，翼片15B係在介電體製管14之長度方向排列多個並以遠大於其厚度的間隔排列。

本實施例的高頻天線10B係如第8圖所示，因為關於天線導體13的長度方向之翼片15B之前端的寬度遠比翼片彼此的間隔窄，所以附著於該前端之堆積物M1在該方向幾乎不延伸。因此，堆積物M1在該方向不會連接。又，因為介電體製管14之外表面被翼片15B所區隔，所以堆積物M2還是在該方向不會連接。因此，與第1及第2實施例的情況一樣，可防止高頻感應電場被遮蔽，而且可抑制高頻感應電場的強度變弱。

此外，雖然在翼片15B的側面，薄膜材料亦附著，但是因為每單位面積的量遠比翼片15B之前端或介電體製管14之外表面少，所以難形成薄膜材料的層。又，即使形成那種層，亦因為不僅其厚度薄，而且電流路徑比無翼片15B的情況更長，所以可使將電場隔離的電流變小。

雖然在第3實施例係排列多個繞介電體製管14之周圍一圈的翼片，但是替代地，以在介電體製管14之長度方向呈螺旋狀前進的方式形成一片翼片15B’(第9圖)，亦具有一樣之效果。

[第4實施例]

使用第10圖及第11圖，說明本發明之高頻天線的第4實施例。本實施例的高頻天線10C如第10圖(a)所示，具有與第1至第3實施例之高頻天線一樣的天線導體13及介電體製管14，而且在介電體製管14之外表面具有堆積物屏15C。堆積物屏15C係將多個孔41A或孔41B設置於介電體製管。此外，堆積物屏15C之管材料是亦可與介電體製管14相同，亦可與其相異。介電體製管14與堆積物屏15C之間成為空洞，相當於在第1及第2實施例之腳部者不存在。該空洞的高度(介電體製管14之外表面與堆積物屏15C之內表面之間的距離)係藉由將介電體製管14與堆積物屏15C一起固定於饋通12而保持定值。

在第10圖(b)及(c)，分別表示孔41A及孔41B的形狀及位置。這些第10圖(b)及(c)都是在長度方向切開堆積物屏15C後所展開的圖。孔41A係在堆積物屏15C的圓周方向呈長橢圓形，並在該方向以相同的週期a成一行地排列複數個。而且，該行在堆積物屏15C之長度方向配置多行。又，孔41A係配置成在相鄰的行之間彼此在圓周方向僅偏移a/2，其長徑b係比a/2更大。因此，在堆積物屏15C之表面，不管在任何位置，因從那裡在長度方向有孔41A存在。孔41B係除了形狀在堆積物屏15C的圓周方向是長的長方形以外，和孔41A一樣。

依此方式，藉由在堆積物屏15C之表面的任何位置都從那裡在長度方向有孔41A或41B存在，而如第11圖所 示，附著於堆積物屏15C之表面的外側堆積物M1係形成為至少在長度方向不會筆直地延伸。因此，在使高頻電流向天線導體13流動時，電流在長度方向流動，而可防止高頻感應電場被遮蔽。又，因為在堆積物屏15C，位於孔41A或孔41B之間的壁面發揮與第1及第2實施例之遮簷部一樣的功用，所以在相當於其陰影的位置之介電體製管14的外表面，可防止內側堆積物M2連接，因此，可防止高頻感應電場被遮蔽。為了具有該效果，在相鄰之孔的行之間，在孔與孔之間覆蓋介電體製管14之部分的寬度係設為介電體製管14與堆積物屏15C之間隙大小的2倍以上較佳。

10、10A、10B、10C‧‧‧高頻天線

11‧‧‧真空容器

12‧‧‧饋通

13‧‧‧天線導體

14‧‧‧介電體製管

15、15A、15C‧‧‧堆積物屏

151、151A‧‧‧腳部

152、152A‧‧‧遮簷部

153、153A‧‧‧開口

15B‧‧‧翼片

16‧‧‧高頻電源

17‧‧‧阻抗匹配器

20‧‧‧電漿處理裝置(濺鍍裝置)

21‧‧‧磁控管濺鍍用磁鐵

22‧‧‧靶座

23、33‧‧‧基板座

24‧‧‧直流電源

27‧‧‧氣體引入口

30‧‧‧電漿處理裝置(電漿CVD裝置、電漿蝕刻裝置)

371‧‧‧第1氣體引入口

372‧‧‧第2氣體引入口

41A、41B‧‧‧孔

S‧‧‧基板

T‧‧‧靶

第1圖係表示本發明之高頻天線之第1實施例的縱剖面圖(a)及該高頻天線之一部分的側視圖(b)。

第2圖係用以說明第1實施例的高頻天線中之堆積物屏之作用的圖。

第3圖係表示是本發明之高頻天線所使用之電漿處理裝置的一實施例之濺鍍裝置的縱剖面圖。

第4圖係表示是本發明之高頻天線所使用之電漿處理裝置的一實施例之電漿CVD裝置或電漿蝕刻裝置的縱剖面圖(a)及平面圖(b)。

第5圖係表示第2實施例之高頻天線的縱剖面圖。

第6圖係用以說明第2實施例的高頻天線中之堆積物屏之作用的圖。

第7圖係表示第3實施例之高頻天線的縱剖面圖。

第8圖係用以說明第3實施例的高頻天線中之堆積物屏之作用的圖。

第9圖係表示第3實施例之變形例的翼片及介電體製管之一部分的正視圖。

第10圖係表示第4實施例的高頻天線之在垂直於線狀導體之面的剖面圖(a)及展開圖(b)、(c)。

第11圖係用以說明第4實施例的高頻天線中之堆積物屏之作用的長度方向剖面圖。

10‧‧‧高頻天線

11‧‧‧真空容器

12‧‧‧饋通

13‧‧‧天線導體

14‧‧‧介電體製管

15‧‧‧堆積物屏

16‧‧‧高頻電源

17‧‧‧阻抗匹配器

151‧‧‧腳部

152‧‧‧遮簷部

153‧‧‧開口

Claims (11)

1. 一種高頻天線，配置於真空容器內，並藉由使高頻電流流動而在該真空容器內產生高頻感應電場，使被引入該真空容器內的電漿產生氣體電漿化，其特徵在於包括：a)線狀的天線導體；b)介電體製保護管，係設置於該天線導體的周圍；及c)堆積物屏，係設置於該保護管之周圍的屏，並在該天線導體之長度方向的任意線上，覆蓋該保護管至少一處，而且具有至少一處開口以及至少一突出部，該突出部設置於前述任意線上且從該保護管的表面突出，並繞該保護管之周圍一圈。
2. 如申請專利範圍第1項之高頻天線，其中該堆積物屏在該保護管之長度方向部分中斷。
3. 如申請專利範圍第1項之高頻天線，其中該堆積物屏係沿著該保護管之長度方向成螺旋狀，並在帶與帶之間隔著間隔設置帶狀的元件。
4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之高頻天線，其中該突出部沿著該保護管之長度方向呈螺旋狀延伸的。
5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之高頻天線，其中該天線導體是圈數未滿一圈的感應耦合天線。
6. 如申請專利範圍第5項之高頻天線，其中該天線導體是U字形。
7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之高頻天線， 其中該堆積物屏具有一遮簷部，從該突出部之前端沿該保護管的長度方向延伸。
8. 一種電漿處理裝置，其特徵在於包括：a)真空容器；b)靶固持手段，係設置於該真空容器內；c)基板固持手段，係設置成與該靶固持手段相對向；d)電漿產生氣體引入手段，係向該真空容器內引入電漿產生氣體；e)電場產生手段，係在包含該靶固持手段所固持之靶之表面的區域產生濺鍍用之直流電場或高頻電場；及f)如申請專利範圍第1至7項中任一項之高頻天線，係配置於該真空容器內，並在包含該靶固持手段所固持之靶之表面的區域產生高頻感應電場。
9. 如申請專利範圍第8項之電漿處理裝置，其中包括磁場產生手段，而該磁場產生手段係在包含該靶之表面的區域產生具有與該直流電場或高頻電場正交之成分的磁場。
10. 一種電漿處理裝置，其特徵在於包括：a)真空容器；b)基板固持手段，係設置於該真空容器內；c)複數個如申請專利範圍第1至7項中任一項之高頻天線，係設置於該真空容器內；d)電漿產生氣體引入手段，係向該真空容器內引入電漿產生氣體；及 e)原料氣體引入手段，係向該真空容器內引入成為薄膜原料的氣體。
11. 一種電漿處理裝置，其特徵在於包括：a)真空容器；b)基板固持手段，係設置於該真空容器內；c)複數個如申請專利範圍第1至7項中任一項之高頻天線，係設置於該真空容器內；d)電漿產生氣體引入手段，係向該真空容器內引入電漿產生氣體；及e)蝕刻處理氣體引入手段，係向該真空容器內引入蝕刻處理所使用之氣體。