CN101223624A - 离子源和等离子体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明能够长寿命地形成稳定的等离子体。本发明的离子源在划分等离子体生成室(14)的由电介质构成的隔壁(15)的外周一侧设置了高频天线(16)，在等离子体生成室(14)内设置了限制膜向与高频天线(16)对置的隔壁(15)内周面附着的、由电介质构成的屏蔽体(26)。由于该结构体用电介质构成，故可抑制在与等离子体的感应耦合中必要的高频电力的增大。再者，在该屏蔽体(26)中在横切高频天线(16)的卷绕方向的方向上形成了缝隙(26a)。利用该结构，由于可防止对于隔壁的内表面在高频天线的卷绕方向上附着膜连续化，故即使在附着膜是导电性物质的情况下也能有效地抑制高频天线与等离子体生成室之间的感应损耗。

Description

离子源和等离子体处理装置
技术领域
本发明涉及感应耦合型的离子源和具备该离子源的等离子体处理装置，更详细地说，涉及可抑制膜对于划分等离子体生成室的隔壁内表面的附着从而实现等离子体的稳定的生成、维持的离子源和等离子体处理装置。
背景技术
迄今为止，在半导体和电子部件等的制造或构造材料等的表面改质中使用了等离子体处理工艺。在这种等离子体处理工艺中，有以离子束状态引出等离子体中的离子以刻蚀被处理基板表面的金属膜等的离子束刻蚀及对溅射靶照射从等离子体引出的离子束以使溅射粒子附着、淀积于被处理基板上的离子束溅射等。
在上述的等离子体处理装置中，已知有电容耦合型、感应耦合型(ICP型)、电子回旋共振型(ECR型)等的离子源。特别是，如图16中所示，感应耦合型的离子源具备：等离子体生成室1；划分该等离子体生成室1的由电介质构成的隔壁2；以及设置在该隔壁2的外部并用于在等离子体生成室1内生成等离子体的高频天线3。
上述隔壁2一般用石英等的电介质材料形成。此外，高频天线3，例如如图16中所示，在隔壁2的侧面周边部被卷绕成线圈状，经隔壁2与等离子体进行感应耦合。对于所生成的等离子体来说，利用引出电极4只加速离子7，将其引出到处理室5中。对在处理室5内部设置的被处理基板或溅射靶等的被照射物6照射所引出的离子7，对被处理基板进行规定的刻蚀处理或成膜处理。
在上述的现有技术的ICP型的离子源中，利用从等离子体引出的离子7溅射被照射物6，其溅射物的一部分8附着于划分等离子体生成室1的隔壁2的内表面。特别是在溅射物8是导电性物质的情况下，如果溅射物8对于隔壁2的内表面在高频天线的卷绕方向上连续地着膜，则由于在隔壁2的内周面上呈现抵消在等离子体生成室1中激励的感应电磁场的方向的电流，故感应损耗增大。此外，同样，在离子7的朝向引出电极4碰撞时发生的来自引出电极4的导电性的溅射物9有时也经等离子体生成室1附着于隔壁2的内表面。
这样，如果感应损耗因导电性的附着物淀积、着膜在隔壁2的整个内周面上而增大，则存在不仅用于得到所希望的等离子体密度的高频电力增大、而且最终等离子体的生成、维持变得困难的问题。
为了防止这一点，例如在下述专利文献1、2中公开了在等离子体生成室的内部设置用于限制附着物对于隔壁内表面的淀积的屏蔽体的结构。该屏蔽体与隔壁的内表面对置地设置，抑制从被照射物飞来的溅射物附着于隔壁的内表面以确保等离子体的稳定的维持、生成。
专利文献1：特开2004-228181号公报
专利文献2：特开平11-251303号公报
但是，由于在上述专利文献1、2中记载的屏蔽体都是金属制的，故因暴露于等离子体中而被溅射，在忌讳金属污染的工艺中存在产生弊病的问题。
此外，由于在高频天线与等离子体形成空间之间插入金属结构体，故与不存在该屏蔽体的情况相比，在与等离子体的感应耦合中必要的高频电力增大。为了高效地进行高频天线与等离子体之间的感应耦合，必须在金属制的屏蔽体中形成多个用于使感应电磁场透过的开口或以大面积形成上述开口。因此，就抵消了作为屏蔽体的本来的功能，存在膜对于隔壁内表面的附着量增大的问题。
再者，为了提高防止对于隔壁内表面的附着的效果，必须将隔壁内壁面与屏蔽体的间隙保持得较小。该间隙形成电容器，在屏蔽体是金属制的情况下，如果着膜物质与屏蔽材料相比其导电性显著地低(电介质等)，则在使用过程中由于导致电容随时间发生变化，故稳定的等离子体的形成和维持变得困难，同时存在用于与其对应的匹配电路的设计变得复杂的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述的问题而进行的，其课题在于提供长寿命的能够形成稳定的等离子体的离子源和等离子体处理装置。
为了解决以上的课题，本发明的离子源具备：等离子体生成室；划分该等离子体生成室的由电介质构成的隔壁；以及设置在该隔壁的外部并用于在上述等离子体生成室内生成等离子体的高频天线，其中，在上述隔壁的内表面一侧设置了限制膜向与上述高频天线对置的隔壁内表面附着的、由电介质构成的结构体。
此外，本发明的等离子体处理装置具备：容纳被处理基板的处理室；等离子体生成室；划分该等离子体生成室的由电介质构成的隔壁；以及设置在该隔壁的外部并用于在上述等离子体生成室内生成等离子体的高频天线，其中，在上述隔壁的内表面一侧设置了限制膜向与上述高频天线对置的隔壁内表面附着的、由电介质构成的结构体。
与本发明有关的结构体可用配置成遮蔽隔壁的内表面一侧的屏蔽体构成，或用在隔壁的内表面上直接形成的凸部或凹部构成。此外，也可以是组合了上述屏蔽体与凸部或凹部的结构。
通过沿隔壁的外周部卷绕成线圈状或在隔壁的顶部外侧位置上卷绕成环状来构成高频天线。所谓「与高频天线对置的隔壁内表面」，前者的情况相当于隔壁的内周面，后者的情况相当于隔壁的顶部内表面。可以根据该高频天线的结构，构成与本发明有关的结构体。
例如，在用沿隔壁的外周部卷绕的线圈天线构成高频天线的情况下，上述结构体可用遮蔽隔壁的内表面并在横切高频天线的卷绕方向的方向上形成了缝隙的筒状的屏蔽体来构成，或用在隔壁的内周面的至少一部分中以横切高频天线的卷绕方向的方式延伸的凸部或凹部来构成。
另一方面，在用在隔壁的顶部外侧位置上卷绕成涡旋状的环状天线构成高频天线的情况下，上述结构体可用遮蔽隔壁的顶部内表面并在横切高频天线的卷绕方向的方向上形成了缝隙的平板状或曲面状的屏蔽体来构成，或可用在隔壁的顶部内表面的至少一部分中以横切高频天线的卷绕方向的方式延伸的凸部或凹部来构成。
由此，由于可防止对于隔壁的内表面在高频天线的卷绕方向上附着膜连续化，故即使在附着膜是导电性物质的情况下也能有效地抑制高频天线与等离子体生成室之间的感应损耗。此外，由于用电介质来构成该结构体，故可抑制在与等离子体的感应耦合中必要的高频电力的增大，同时可谋求在长时间内形成和维持稳定的等离子体。
如以上叙述的那样，按照本发明，可减少高频天线与等离子体生成室之间的感应损耗，同时可谋求在长时间内形成和维持稳定的等离子体。
附图说明
图1是具备本发明的第1实施方式的离子源的等离子体处理装置11的概略结构图。
图2是说明本发明的第1实施方式的离子源的结构的图，A是概略立体图，B是其正视图。
图3是说明本发明的第1实施方式的离子源的另一结构例的图，A是概略立体图，B是其正视图。
图4是说明本发明的第1实施方式的离子源的又一结构例的图，A是概略立体图，B是其正视图。
图5是说明本发明的第2实施方式的离子源的结构的图，A是概略立体图，B是其正视图。
图6是说明本发明的第2实施方式的离子源的另一结构的图，A是概略立体图，B是其正视图。
图7是说明本发明的第3实施方式的离子源的结构的图，A是概略立体图，B是其正视图。
图8是说明本发明的第3实施方式的离子源的另一结构的图，A是概略立体图，B是其正视图。
图9是具备本发明的第4实施方式的离子源的等离子体处理装置31的概略结构图。
图10是说明本发明的第4实施方式的离子源的结构的图，A是概略立体图，B是其正视图。
图11是说明本发明的第5实施方式的离子源的结构的图，A是概略立体图，B是其正视图。
图12是说明本发明的第5实施方式的离子源的另一结构的图，A是概略立体图，B是其正视图。
图13是说明本发明的第6实施方式的离子源的结构的图，A是概略立体图，B是其正视图。
图14是说明本发明的第6实施方式的离子源的另一结构的图，A是概略立体图，B是其正视图。
图15是表示与本发明有关的离子源的结构的变形例的主要部分的概略剖面图。
图16是说明具备现有技术的感应耦合型离子源的等离子体处理装置的结构和作用的图。
符号的说明
11等离子体处理装置
12处理室
13真空室
14等离子体生成室
15隔壁
15a凸部
15b凹部
16高频天线
18高频电源
20载物台
21偏置用电源
22格栅电极(引出电极)
26屏蔽体
26a缝隙
31等离子体处理装置
34高频天线
35隔壁
35a凸部
35b凹部
36屏蔽体
36a缝隙
W基板
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。
(第1实施方式)
图1是具备本发明的第1实施方式的离子源的等离子体处理装置11的概略结构图。本实施方式的等离子体处理装置11具备在内部形成了容纳半导体晶片或液晶面板用基板等的被处理基板(以下简称为「基板」)W的处理室12的真空室13。在该真空室13中形成了与未图示的真空泵等的真空排气单元连结的排气管13a，可将处理室12的内部减压到规定的真空度。
在真空室13的上部与处理室12连通地设置了用于划分等离子体生成室的隔壁15。该隔壁15例如用石英制钟罩等的电介质材料形成。在隔壁15的侧面周边部外侧设置了卷绕成线圈状的高频天线16。将高频电源18经匹配电路17连接到高频天线16的一端，高频天线16的另一端经电容器19与地电连接。高频电源18的电源频率例如是10kHz～100MHz。
通过从高频电源18对高频天线16施加高频电力，在等离子体生成室14内产生感应电磁场，激励导入到等离子体生成室14内的反应性气体使其等离子体化，同时与所生成的等离子体进行感应耦合在等离子体生成室14内稳定地维持等离子体的形成。在等离子体生成室14中设置了与本发明有关的屏蔽体26，在后面叙述其细节。
再有，在本实施方式中，从隔壁15的上部经气体导入管将上述反应性气体导入到等离子体生成室14内。气体的种类可使用Ar(氩)、O2(氧)、N2(氮)、Xe(氙)、PH3(磷化氢)等，气体压力例如是0.01Pa～10Pa。
在处理室12与等离子体生成室14之间设置了格栅电极22。格栅电极22相当于用于将在等离子体生成室14中形成的等离子体中的离子以束状引出到处理室12一侧的与本发明有关的「引出电极」。在本实施方式中，从等离子体生成室14一侧起按顺序成为束电极22A、加速电极22B和接地电极22C的3层结构，分别用钼或石墨等来构成。
分别将直流可变电源23A、23B连接到束电极22A和加速电极22B上，对束电极22A施加规定的正电位，对加速电极22B施加规定的负电位。通过调节这些电源电位的大小，可控制离子的加速能量。
通过检测流过直流可变电源23A的电流，可得到离子束的电流值。对直流可变电源23A赋予了电流检测功能，实时地监视离子束的电流值。通过反馈给高频电源18以调节对高频天线16供给的电力使得该监视电流值为恒定，将等离子体生成室14内的等离子体密度维持为恒定。
根据以上所述，利用等离子体生成室14、隔壁15、高频天线16、匹配电路17、高频电源18、格栅电极22构成与本发明有关的「离子源」。
其次，在处理室12中容纳的基板W被载物台20所支撑。将由格栅电极22引出的离子束照射到基板W上。用金属膜等的导电材料覆盖了基板W的表面(也有局部覆盖的情况)，利用离子束的照射进行金属膜的刻蚀。再有，在本实施方式中，将偏置用的高频电源21连接到载物台20上，也可以由利用离子束和残留气体的电荷变换生成的等离子体周期性地对基板W照射离子。
不特别限定金属膜的刻蚀工艺。例如，可应用于在金属膜上形成了规定形状的抗蚀剂掩模图案、通过利用离子束的照射刻蚀与抗蚀剂开口部对应的金属膜来形成布线图案的工艺。此外，也可应用于镶嵌工艺等的金属膜的全面回蚀。
在使用离子束刻蚀处理基板表面的金属膜的工序中，因离子束的溅射作用飞散的金属膜和格栅电极22的溅射物等附着、淀积在隔壁15的内表面上。如果该附着物在高频天线16的卷绕方向上连续地着膜，则由于发生抵消在等离子体的形成中所必要的感应电磁场的方向的电流，故感应损耗增大，等离子体的稳定的形成变得困难。
因此，在本实施方式中，在等离子体生成室14的内部设置了用于限制溅射物向与高频天线16对置的隔壁15内表面附着的屏蔽体26。该屏蔽体26是与本发明有关的「结构体」的一具体例。以下，参照图2～图4说明该屏蔽体26的细节。
屏蔽体26具有由电介质材料构成的筒状，被设置在等离子体生成室14内以便遮蔽隔壁15的内周壁面。在本实施方式中，屏蔽体26与隔壁15相同由石英制作，但除此以外，可根据用途或规格，选择氧化铝或氮化铝等任意的电介质材料。
在屏蔽体26中形成了在横切高频天线16(图1)的卷绕方向的方向上形成的缝隙26a。在本实施方式中，通过与圆筒状的屏蔽体26的轴方向平行地形成缝隙26a，使缝隙26a与高频天线16的卷绕方向大致正交。由此，由于可防止在高频天线16的卷绕方向(屏蔽体26的周边方向)上连续的附着物的着膜，故可避免沿屏蔽体26的内周面发生感应电流。
为了抑制附着物经屏蔽体26的外周面与隔壁15的内周面之间的间隙淀积在隔壁15的内表面上，使该屏蔽体26与隔壁15之间的间隙窄是较为理想的。较为理想的是，接近地配置屏蔽体26和隔壁15，使得间隙的大小约为1mm。
最好将屏蔽体26的缝隙26a形成为具有如图2A中所示那样截断屏蔽体26的长度。另一方面，在形成多条缝隙26a的情况下，如图3和图4中所示，将缝隙26a的长度作成为不截断屏蔽体26的程度。特别是如图4中所示，在形成多条缝隙26a的情况下，通过交替地从屏蔽体26的两端部形成缝隙26a，可消除屏蔽体26在周边方向上连续的部位，可大幅度地减少因附着物的着膜引起的感应电流的发生。
此外，缝隙26a的形成宽度不作特别限定，但从谋求减少对于隔壁15的内表面的附着量的观点来看，在能阻止屏蔽体26的周边方向的闭环路化的范围内，最好将缝隙宽度形成得较窄。再有，也可只在高频天线16的卷绕位置上形成缝隙26a。
关于屏蔽体26对于等离子体生成室14的固定，经未图示的安装夹具将屏蔽体26安装在隔壁15上。安装夹具材质不作特别限定，但从避免金属污染的观点来看，最好用电介质材料来形成。再有，屏蔽体26的结构不限于筒状的结构，例如也可经规定的微小的间隙(例如，约1mm)使多片长方形的遮蔽物与隔壁15的内表面对置地配置。
另一方面，如图1中所示，屏蔽体26的下端面临格栅电极22(束电极22A)的附近位置。其理由是因为，因将等离子体吸引到真空室13等的接地部位而在等离子体分布中产生了紊乱、以及离子溅射真空室13成为金属污染的原因。通过使屏蔽体26的下端部接近于格栅电极22或与其接触，可避免因上述那样的等离子体的漏泄引起的弊病。屏蔽体26的下端与格栅电极22之间的距离越小越好，在1mm以下的情况下，确认了其效果。在本实施方式中，设定为约0.5mm。
在如以上那样构成的本实施方式中，通过在等离子体生成室14内设置遮蔽隔壁15的内周面的屏蔽体26，可防止处理室12中的基板W在离子束刻蚀时从基板表面飞散的溅射物附着、淀积在隔壁15的整个内表面上。此外，虽然溅射物附着在屏蔽体26的内表面上，但由于形成了缝隙26a，故附着膜不会在屏蔽体26的整个周边方向上连续。
因而，按照本实施方式，由于可防止附着膜在高频天线16的卷绕方向上连续化，故即使在附着膜具有导电性的情况下，也可有效地抑制高频天线16与等离子体生成室14之间的感应损耗。不限于溅射物是导电性高的材料的情况，即使在具有能发生来自高频天线16的感应电流的程度以上的导电性的情况下，也能得到同样的效果。
此外，由于用电介质材料构成了屏蔽体26，故可抑制在与等离子体的感应耦合中必要的高频电力的增大，同时可谋求在长时间内形成和维持稳定的等离子体。此外，由于用电介质材料构成了屏蔽体26，故不会发生因屏蔽体是金属制而引起的金属污染的问题。
(第2实施方式)
接着，图5和图6表示了与本发明有关的「结构体」的另一实施方式。再有，在图中，关于与上述的第1实施方式对应的部分附以同一符号，省略其详细的说明。
在图5A、B中表示的结构例中，在划分等离子体生成室14的圆筒形状的隔壁15的内周面上具备在横切高频天线16(图1)的卷绕方向的方向上延伸的凸部15a。根据该结构，由于可利用该凸部15a避免溅射物对于隔壁15的内周面在其周边方向上连续地着膜，故可谋求减少高频天线16的感应损耗。
此外，在膜附着于凸部15a的两侧面上的情况下，因为从隔壁15的内表面一侧朝向凸部15a前端的电流的方向与从凸部15a前端朝向隔壁15的内表面一侧的电流的方向彼此相反，故可谋求抵消、减轻该部位中的感应电流。
在图5的例子中，虽然表示了对于隔壁15的内周面以180度间隔在2个部位上配置了凸部15a的例子，但可只在隔壁15的内周面的至少一部分上形成凸部15a，也可在3个以上的多个部位上以等角度间隔或不等角度间隔以放射状形成凸部15a。
凸部15a的形成高度最好在其形成宽度以上(纵横比大于等于1)。具体地说，在将凸部15a的形成宽度定为1mm时，将凸部15a的形成高度定为1mm以上。凸部15a由电介质材料构成，可与隔壁15的内周面一体地形成，也可作为另外的构件安装在隔壁15的内周面上。
另一方面，在图6A、B中表示的结构例中，在划分等离子体生成室14的圆筒形状的隔壁15的内周面上具备在横切高频天线16(图1)的卷绕方向的方向上延伸的凹部15b。根据该结构，由于可利用该凹部15b避免溅射物对于隔壁15的内周面在其周边方向上连续地着膜，故可谋求减少高频天线16的感应损耗。
此外，在膜附着于凹部15b的两侧面上的情况下，因为从隔壁15的内表面一侧朝向凹部15b底部的电流的方向与从凹部15b底部朝向隔壁15的内表面一侧的电流的方向彼此相反，故可谋求抵消、减轻该部位中的感应电流。
在图6的例子中，虽然表示了对于隔壁15的内周面以180度间隔在2个部位上配置了凹部15b的例子，但可只在隔壁15的内周面的至少一部分上形成凹部15b，也可在3个以上的多个部位上以等角度间隔或不等角度间隔以放射状形成凹部15b。
凹部15b的形成深度最好在其形成宽度以上(纵横比大于等于1)。具体地说，在将凹部15b的形成宽度定为1mm时，将凹部15b的形成深度定为1mm以上。在隔壁15的内周面上以凹陷的方式设置了凹部15b。
如上所述，通过将凸部15a或凹部15b作为与本发明有关的「结构体」来构成，可得到与上述的第1实施方式同样的效果。
(第3实施方式)
接着，图7和图8表示了本发明第3实施方式。再有，在图中，关于与上述的第1、第2实施方式对应的部分附以同一符号，省略其详细的说明。
在本实施方式中，具有组合了在上述的第1实施方式中说明的屏蔽体26和在上述的第2实施方式中说明的隔壁15的内表面结构的结构例。
即，在图7A、B中表示的结构例中，在划分等离子体生成室14的圆筒形状的隔壁15的内周面上在横切高频天线16(图1)的卷绕方向的方向上形成了凹部15b，同时在该隔壁15的内部设置了在横切高频天线16的卷绕方向的方向上形成了缝隙26a的由电介质材料构成的屏蔽体26。
根据以上的结构，由于在溅射物经隔壁15与屏蔽体26之间的间隙附着于隔壁15的内周面上时该附着膜难以在高频天线16的卷绕方向上连续化，故可谋求延长维护周期。此外，通过使隔壁15的凹部15b和屏蔽体26的缝隙26a朝向彼此不同的角度位置，可进一步提高其效果。
另一方面，在图8A、B中表示的结构例中，在划分等离子体生成室14的圆筒形状的隔壁15的内周面上在横切高频天线16(图1)的卷绕方向的方向上形成了凸部15a，同时在该隔壁15的内部设置了在横切高频天线16的卷绕方向的方向上形成了缝隙26a的由电介质材料构成的屏蔽体26。将屏蔽体26的厚度形成得比较厚，在与凸部15a对置的部位上分别形成了容纳该凸部15a的缝隙部26b。
根据这样的结构，可谋求实现隔壁15的内表面与屏蔽体26之间的间隙的错综复杂结构，与上述同样，可提高防止在隔壁15的内周面上溅射物连续着膜的效果。
(第4实施方式)
图9和图10表示了本发明第4实施方式。再有，在图中，关于与上述的第1实施方式对应的部分附以同一符号，省略其详细的说明。
本实施方式的等离子体处理装置31在划分等离子体生成室14的石英制的隔壁35的顶部外侧具备在平面内卷绕成环状(涡旋状)的高频天线34这一点上与上述的第1实施方式不同。而且，在与该高频天线34对置的隔壁35的内表面(顶部内表面)设置了用于限制溅射物的附着的屏蔽体36。
屏蔽体36与隔壁35同样地由电介质材料(例如石英)构成，如图10A、B中所示，具有遮蔽隔壁35的顶部内表面的圆板形状。而且，在该屏蔽体36的面内在横切高频天线34的卷绕方向的方向上形成了缝隙36a。缝隙36a的形成条数不作特别限定，在图中以多条(4条)按等角度间隔以放射状来形成，但至少是1条即可。
与上述的第1实施方式同样，通过互相接近地配置屏蔽体36与隔壁35的顶部内表面使得间隙的大小约为1mm，抑制溅射物经两者间的间隙侵入而着膜。
在如以上那样构成的本实施方式的等离子体处理装置31中，通过在等离子体生成室14内设置遮蔽隔壁35的顶部内表面的屏蔽体36，在处理室12中的基板W的离子束刻蚀时，限制因从基板表面飞散的溅射物引起的朝向隔壁35的顶部内表面的着膜。此外，虽然溅射物也附着于屏蔽体36上，但由于形成了缝隙36a，故附着膜不会在屏蔽体36的整个周边方向上连续。
因而，按照本实施方式，由于可防止附着膜在高频天线34的卷绕方向上连续化，故即使在附着膜具有导电性的情况下，也可有效地抑制高频天线34与等离子体生成室14之间的感应损耗。
此外，由于用电介质材料来构成屏蔽体36，故可抑制在与等离子体的感应耦合中必要的高频电力的增大，同时可谋求在长时间内形成和维持稳定的等离子体。此外，由于用电介质材料来构成屏蔽体36，故不会发生因屏蔽体是金属制而引起的金属污染的问题。
(第5实施方式)
接着，图11和图12表示了与本发明有关的「结构体」的另一实施方式。再有，在图中，关于与上述的第4实施方式对应的部分附以同一符号，省略其详细的说明。
在图11A、B中表示的结构例中，在划分等离子体生成室14的圆筒形状的隔壁35的顶部内表面具备在横切高频天线34(图9)的卷绕方向的方向上延伸的凸部35a。根据该结构，由于可利用该凸部35a避免溅射物对于隔壁35的顶部内表面在其面内周边方向上连续地着膜，故可谋求减少高频天线34的感应损耗。
此外，在膜附着于凸部35a的两侧面上的情况下，因为从隔壁35的内表面一侧朝向凸部35a前端的电流的方向与从凸部35a前端朝向隔壁35的内表面一侧的电流的方向彼此相反，故可谋求抵消、减轻该部位中的感应电流。
在图11的例子中，虽然表示了对于隔壁35的顶部内表面以90度间隔在4个部位上配置了凸部35a的例子，但可只在隔壁35的顶部内表面的至少一部分上形成凸部35a，也可在更多个部位上以等角度间隔或不等角度间隔以放射状形成凸部35a。
凸部35a的形成高度最好在其形成宽度以上(纵横比大于等于1)。具体地说，在将凸部35a的形成宽度定为1mm时，将凸部35a的形成高度定为1mm以上。凸部35a由电介质材料构成，可与隔壁35的顶部内表面一体地形成，也可作为另外的构件安装在隔壁35的顶部内表面上。
另一方面，在图12A、B中表示的结构例中，在划分等离子体生成室14的圆筒形状的隔壁35的内表面上具备在横切高频天线34(图9)的卷绕方向的方向上延伸的凹部35b。根据该结构，由于可利用该凹部35b避免溅射物对于隔壁35的顶部内表面在其面内周边方向上连续地着膜，故可谋求减少高频天线34的感应损耗。
此外，在膜附着于凹部35b的两侧面上的情况下，因为从隔壁35的内表面一侧朝向凹部35b底部的电流的方向与从凹部35b底部朝向隔壁35的内表面一侧的电流的方向彼此相反，故可谋求抵消、减轻该部位中的感应电流。
在图12的例子中，虽然表示了对于隔壁35的内周面以90度间隔在4个部位上配置了凹部35b的例子，但可只在隔壁35的顶部内表面的至少一部分上形成凹部35b，也可在更多个部位上以等角度间隔或不等角度间隔以放射状形成凹部35b。
凹部35b的形成深度最好在其形成宽度以上(纵横比大于等于1)。具体地说，在将凹部35b的形成宽度定为1mm时，将凹部35b的形成深度定为1mm以上。
如上所述，通过将凸部35a或凹部35b作为与本发明有关的「结构体」来构成，可得到与上述的第4实施方式同样的效果。
(第6实施方式)
图13和图14表示了本发明第6实施方式。再有，在图中，关于与上述的第4、第5实施方式对应的部分附以同一符号，省略其详细的说明。
在本实施方式中，具有组合了在上述的第4实施方式中说明的屏蔽体36和在上述的第5实施方式中说明的隔壁35的内表面结构的结构例。
即，在图13A、B中表示的结构例中，在划分等离子体生成室14的圆筒形状的隔壁35的顶部内表面上在横切高频天线34(图9)的卷绕方向的方向上形成了凹部35b，同时在该隔壁35的内部设置了在横切高频天线34的卷绕方向的方向上形成了缝隙36a的由电介质材料构成的屏蔽体36。与上述的第4实施方式同样，通过互相接近地配置屏蔽体36与隔壁35的顶部内表面使得间隙的大小约为1mm，抑制溅射物经两者间的间隙侵入而着膜。
根据以上的结构，由于在溅射物经隔壁35与屏蔽体36之间的间隙附着于隔壁35的顶部内表面上时该附着膜难以在高频天线34的卷绕方向上连续化，故可谋求延长维护周期。此外，通过使隔壁35的凹部35b和屏蔽体36的缝隙36a朝向彼此不同的角度位置，可进一步提高其效果。
另一方面，在图14A、B中表示的结构例中，在划分等离子体生成室14的圆筒形状的隔壁35的顶部内表面上在横切高频天线34(图9)的卷绕方向的方向上形成了凸部35a，同时在该隔壁35的内部设置了在横切高频天线34的卷绕方向的方向上形成了缝隙36a的由电介质材料构成的屏蔽体36。与上述的第4实施方式同样，通过互相接近地配置屏蔽体36与隔壁35的顶部内表面使得间隙的大小约为1mm，抑制溅射物经两者间的间隙侵入而着膜。
根据这样的结构，可谋求实现隔壁35的内表面与屏蔽体36之间的间隙的错综复杂的结构，与上述同样，可提高防止在隔壁35的顶部内表面上溅射物连续着膜的效果。
以上说明了本发明的各实施方式，但是，当然本发明不由这些实施方式来限定，根据本发明的技术的思想，可作各种各样的变形。
例如，在以上的各实施方式中，作为等离子体处理装置举出了离子束刻蚀装置为例来说明，但也可代之以在处理室内设置溅射靶、使溅射粒子附着于被处理基板上成膜的离子束溅射装置来构成。此外，除此以外，也可将本发明应用于等离子体掺杂装置或等离子体刻蚀装置等其它的等离子体处理装置。
此外，在以上的各实施方式中，虽然将划分等离子体生成室14的隔壁(钟罩)15、35作为隔绝大气与真空的装置外壁部来构成，但也可代之以例如如图15中所示在真空室13的内部配置与本发明有关的离子源。隔壁15在真空室13的内部划分了等离子体生成室14。在真空室13的内部且在隔壁15的外周一侧配置了高频天线16，设置了与本发明有关的屏蔽体26，使其遮蔽与该高频天线16对置的隔壁15的内周面。
再者，虽然将与本发明有关的屏蔽体16、36形成为圆筒状或板状，但也可与隔壁的内表面形状相一致地适当地变更，例如形成为方筒状或鼓状等。

Claims (11)

1.一种离子源，具备：等离子体生成室；划分该等离子体生成室的由电介质构成的隔壁；以及设置在该隔壁的外部并用于在上述等离子体生成室内生成等离子体的高频天线，其特征在于：
在上述隔壁的内表面一侧设置了限制膜向与上述高频天线对置的隔壁内表面附着的、由电介质构成的结构体。
2.如权利要求1所述的离子源，其特征在于：
上述结构体是遮蔽上述隔壁的内表面并具有在横切上述高频天线的卷绕方向的方向上形成的至少1个缝隙的、由电介质材料构成的屏蔽体。
3.如权利要求2所述的离子源，其特征在于：
以接近上述隔壁的内表面的方式配置了上述屏蔽体。
4.如权利要求1所述的离子源，其特征在于：
上述结构体是在上述隔壁的内表面的至少一部分中在横切上述高频天线的卷绕方向的方向上延伸的凸部或凹部。
5.如权利要求1所述的离子源，其特征在于：
上述结构体由在上述隔壁的内表面的至少一部分中在横切上述高频天线的卷绕方向的方向上延伸的凸部或凹部、以及遮蔽上述隔壁的内表面并具有在横切上述高频天线的卷绕方向的方向上形成的至少1个缝隙的、由电介质材料构成的屏蔽体构成。
6.如权利要求1所述的离子源，其特征在于：
上述离子源还具备从上述等离子体生成室引出等离子体中的离子的引出电极。
7.如权利要求1所述的离子源，其特征在于：
上述结构体是遮蔽上述隔壁的内表面并具有在横切上述高频天线的卷绕方向的方向上形成的至少1个缝隙的、由电介质材料构成的屏蔽体，在该屏蔽体的附近设置了从上述等离子体生成室引出等离子体中的离子的引出电极，上述屏蔽体与上述引出电极之间的距离在1mm以下。
8.一种等离子体处理装置，具备：容纳被处理基板的处理室；等离子体生成室；划分该等离子体生成室的由电介质构成的隔壁；以及设置在该隔壁的外部并用于在上述等离子体生成室内生成等离子体的高频天线，其特征在于：
在上述隔壁的内表面一侧设置了限制膜向与上述高频天线对置的隔壁内表面附着的、由电介质构成的结构体。
9.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：
在上述等离子体生成室与上述处理室之间设置了从上述等离子体生成室朝向上述处理室引出等离子体中的离子的引出电极。
10.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：
上述结构体是遮蔽上述隔壁的内表面并具有在横切上述高频天线的卷绕方向的方向上形成的至少1个缝隙的、由电介质材料构成的屏蔽体，在该屏蔽体的附近设置了从上述等离子体生成室引出等离子体中的离子的引出电极，上述屏蔽体与上述引出电极之间的距离在1mm以下。
11.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：
在上述处理室中设置了被从上述等离子体生成室引出的离子照射并使溅射粒子附着于上述被处理基板上的溅射靶。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103035468A (zh) * 2011-09-29 2013-04-10 东京毅力科创株式会社 自由基选择装置和基板处理装置
CN103119687A (zh) * 2010-09-30 2013-05-22 Fei公司 用于电感耦合等离子体离子源的紧凑rf天线
CN105789011A (zh) * 2014-12-24 2016-07-20 中微半导体设备(上海)有限公司 感应耦合型等离子体处理装置
CN106653549A (zh) * 2015-11-03 2017-05-10 中微半导体设备(上海)有限公司 一种半导体加工设备
WO2022110774A1 (zh) * 2020-11-30 2022-06-02 江苏鲁汶仪器有限公司 一种双壁多结构石英筒装置

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4345895B2 (ja) * 2005-10-20 2009-10-14 日新イオン機器株式会社 イオン源の運転方法およびイオン注入装置
JP5246474B2 (ja) * 2008-02-08 2013-07-24 Ｔｄｋ株式会社 ミリング装置及びミリング方法
CN102084307B (zh) 2008-06-17 2014-10-29 罗斯蒙特公司 用于具有低压本质安全钳的现场设备的rf适配器
US8694060B2 (en) * 2008-06-17 2014-04-08 Rosemount Inc. Form factor and electromagnetic interference protection for process device wireless adapters
US8929948B2 (en) 2008-06-17 2015-01-06 Rosemount Inc. Wireless communication adapter for field devices
EA020763B9 (ru) 2008-08-04 2015-05-29 Эй-Джи-Си Флет Гласс Норт Эмерике, Инк. Источник плазмы и способы нанесения тонкопленочных покрытий с использованием плазменно-химического осаждения из газовой фазы
JP5325623B2 (ja) * 2009-03-24 2013-10-23 株式会社アルバック 電子源
US7999479B2 (en) * 2009-04-16 2011-08-16 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Conjugated ICP and ECR plasma sources for wide ribbon ion beam generation and control
US9674976B2 (en) 2009-06-16 2017-06-06 Rosemount Inc. Wireless process communication adapter with improved encapsulation
US9111729B2 (en) 2009-12-03 2015-08-18 Lam Research Corporation Small plasma chamber systems and methods
US9190289B2 (en) 2010-02-26 2015-11-17 Lam Research Corporation System, method and apparatus for plasma etch having independent control of ion generation and dissociation of process gas
TWI502617B (zh) * 2010-07-21 2015-10-01 應用材料股份有限公司 用於調整電偏斜的方法、電漿處理裝置與襯管組件
US9793126B2 (en) 2010-08-04 2017-10-17 Lam Research Corporation Ion to neutral control for wafer processing with dual plasma source reactor
US8999104B2 (en) 2010-08-06 2015-04-07 Lam Research Corporation Systems, methods and apparatus for separate plasma source control
US9155181B2 (en) 2010-08-06 2015-10-06 Lam Research Corporation Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US9449793B2 (en) * 2010-08-06 2016-09-20 Lam Research Corporation Systems, methods and apparatus for choked flow element extraction
US9967965B2 (en) 2010-08-06 2018-05-08 Lam Research Corporation Distributed, concentric multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US10761524B2 (en) 2010-08-12 2020-09-01 Rosemount Inc. Wireless adapter with process diagnostics
US9070760B2 (en) * 2011-03-14 2015-06-30 Plasma-Therm Llc Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer
JP2014209406A (ja) 2011-07-20 2014-11-06 キヤノンアネルバ株式会社 イオンビーム発生装置、およびイオンビームプラズマ処理装置
US9039911B2 (en) 2012-08-27 2015-05-26 Lam Research Corporation Plasma-enhanced etching in an augmented plasma processing system
CN103959919A (zh) * 2011-09-28 2014-07-30 迈普尔平版印刷Ip有限公司 等离子产生器
US9310794B2 (en) 2011-10-27 2016-04-12 Rosemount Inc. Power supply for industrial process field device
US9177762B2 (en) 2011-11-16 2015-11-03 Lam Research Corporation System, method and apparatus of a wedge-shaped parallel plate plasma reactor for substrate processing
US10283325B2 (en) 2012-10-10 2019-05-07 Lam Research Corporation Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
JP2015053108A (ja) * 2011-12-02 2015-03-19 キヤノンアネルバ株式会社 イオンビーム発生装置
US20140097752A1 (en) * 2012-10-09 2014-04-10 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Inductively Coupled Plasma ION Source Chamber with Dopant Material Shield
US9230819B2 (en) 2013-04-05 2016-01-05 Lam Research Corporation Internal plasma grid applications for semiconductor fabrication in context of ion-ion plasma processing
US9245761B2 (en) 2013-04-05 2016-01-26 Lam Research Corporation Internal plasma grid for semiconductor fabrication
US9017526B2 (en) * 2013-07-08 2015-04-28 Lam Research Corporation Ion beam etching system
US9147581B2 (en) 2013-07-11 2015-09-29 Lam Research Corporation Dual chamber plasma etcher with ion accelerator
KR102365939B1 (ko) 2014-12-05 2022-02-22 에이지씨 플랫 글래스 노스 아메리카, 인코퍼레이티드 거대-입자 감소 코팅을 활용하는 플라즈마 소스 및 박막 코팅의 증착과 표면의 개질을 위해 거대-입자 감소 코팅을 활용하는 플라즈마 소스의 사용 방법
CN107852805B (zh) 2014-12-05 2020-10-16 Agc玻璃欧洲公司 空心阴极等离子体源
US9721765B2 (en) 2015-11-16 2017-08-01 Agc Flat Glass North America, Inc. Plasma device driven by multiple-phase alternating or pulsed electrical current
US9721764B2 (en) 2015-11-16 2017-08-01 Agc Flat Glass North America, Inc. Method of producing plasma by multiple-phase alternating or pulsed electrical current
US10573499B2 (en) 2015-12-18 2020-02-25 Agc Flat Glass North America, Inc. Method of extracting and accelerating ions
US10242846B2 (en) 2015-12-18 2019-03-26 Agc Flat Glass North America, Inc. Hollow cathode ion source
JP6800009B2 (ja) * 2015-12-28 2020-12-16 芝浦メカトロニクス株式会社 プラズマ処理装置
JP6753678B2 (ja) * 2016-03-25 2020-09-09 株式会社日立ハイテクサイエンス 荷電粒子ビーム装置及びプラズマ点火方法
US20170352574A1 (en) * 2016-06-02 2017-12-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for treating wafer
US9865436B1 (en) * 2016-06-10 2018-01-09 Plasma-Therm Nes Llc Powered anode for ion source for DLC and reactive processes
US10573495B2 (en) * 2017-10-09 2020-02-25 Denton Vacuum, LLC Self-neutralized radio frequency plasma ion source
US11039527B2 (en) * 2019-01-28 2021-06-15 Mattson Technology, Inc. Air leak detection in plasma processing apparatus with separation grid
JP7350643B2 (ja) * 2019-12-04 2023-09-26 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 誘導結合プラズマエッチング装置およびプラズマ生成機構
US20210183627A1 (en) * 2019-12-11 2021-06-17 International Business Machines Corporation Apparatus For Reducing Wafer Contamination During ION-Beam Etching Processes
RU206587U1 (ru) * 2020-09-11 2021-09-16 Общество С Ограниченной Ответственностью "Изовак" Источник ионов для обработки деталей
WO2023043768A1 (en) * 2021-09-20 2023-03-23 Lam Research Corporation Enclosure for mitigating rf power ramp up in icp source
KR102654487B1 (ko) 2021-12-29 2024-04-05 피에스케이 주식회사 플라즈마 발생 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
GB202203146D0 (en) * 2022-03-07 2022-04-20 Micromass Ltd Shield for ion source enclosure

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3911314A (en) * 1972-11-07 1975-10-07 Strahlen Umweltforsch Gmbh Ion gun for production of ion beams with particular radial current density profile
US4416755A (en) * 1981-04-03 1983-11-22 Xerox Corporation Apparatus and method for producing semiconducting films
US5234529A (en) * 1991-10-10 1993-08-10 Johnson Wayne L Plasma generating apparatus employing capacitive shielding and process for using such apparatus
US5763851A (en) * 1995-11-27 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Slotted RF coil shield for plasma deposition system
JPH1018043A (ja) * 1996-07-03 1998-01-20 Applied Materials Inc プラズマ蒸着システム用スロット付ｒｆコイル
US6514390B1 (en) * 1996-10-17 2003-02-04 Applied Materials, Inc. Method to eliminate coil sputtering in an ICP source
TW403959B (en) * 1996-11-27 2000-09-01 Hitachi Ltd Plasma treatment device
JPH1187098A (ja) * 1997-09-03 1999-03-30 Toshiba Corp プラズマ処理装置
JP4119547B2 (ja) 1997-10-20 2008-07-16 東京エレクトロンＡｔ株式会社 プラズマ処理装置
WO2000019483A1 (de) 1998-09-30 2000-04-06 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Vakuumbehandlungskammer und verfahren zur oberflächenbehandlung
JP2000133497A (ja) * 1998-10-29 2000-05-12 Toshiba Corp 高周波放電型プラズマ発生装置
JP4469054B2 (ja) * 2000-03-10 2010-05-26 サムコ株式会社 誘導結合形プラズマ処理装置
IT1319046B1 (it) * 2000-10-18 2003-09-23 Ohg F Lli Manea S R L Sistema di pagamento per macchine distributrici automatiche
JP2002216653A (ja) 2001-01-23 2002-08-02 Hitachi Ltd イオンビーム分布制御方法およびイオンビーム処理装置
JP3793451B2 (ja) * 2001-12-05 2006-07-05 積水化学工業株式会社 放電プラズマ処理装置
JP2003197115A (ja) * 2001-12-25 2003-07-11 Shincron:Kk イオン源装置
US7176469B2 (en) * 2002-05-22 2007-02-13 The Regents Of The University Of California Negative ion source with external RF antenna
JP4050099B2 (ja) * 2002-06-11 2008-02-20 シャープ株式会社 絶縁部材並びに該絶縁部材を用いたプラズマｃｖｄ装置
JP2004079557A (ja) * 2002-08-09 2004-03-11 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
EP2565903B1 (en) * 2003-01-16 2014-09-10 Japan Science and Technology Agency Plasma generator
JP4091445B2 (ja) 2003-01-21 2008-05-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US7232767B2 (en) * 2003-04-01 2007-06-19 Mattson Technology, Inc. Slotted electrostatic shield modification for improved etch and CVD process uniformity
JP4095921B2 (ja) * 2003-04-01 2008-06-04 三菱重工業株式会社 電極接続具およびこれを備えた真空処理装置
JP4079834B2 (ja) * 2003-06-04 2008-04-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103119687A (zh) * 2010-09-30 2013-05-22 Fei公司 用于电感耦合等离子体离子源的紧凑rf天线
CN103119687B (zh) * 2010-09-30 2015-09-23 Fei公司 用于聚焦带电粒子束系统的电感耦合等离子体离子源
CN103035468A (zh) * 2011-09-29 2013-04-10 东京毅力科创株式会社 自由基选择装置和基板处理装置
CN105789011A (zh) * 2014-12-24 2016-07-20 中微半导体设备(上海)有限公司 感应耦合型等离子体处理装置
CN106653549A (zh) * 2015-11-03 2017-05-10 中微半导体设备(上海)有限公司 一种半导体加工设备
CN106653549B (zh) * 2015-11-03 2020-02-11 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种半导体加工设备
WO2022110774A1 (zh) * 2020-11-30 2022-06-02 江苏鲁汶仪器有限公司 一种双壁多结构石英筒装置

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