RU2008113834A - Источник ионов и устройство для плазменной обработки - Google Patents

Источник ионов и устройство для плазменной обработки Download PDF

Info

Publication number
RU2008113834A
RU2008113834A RU2008113834/28A RU2008113834A RU2008113834A RU 2008113834 A RU2008113834 A RU 2008113834A RU 2008113834/28 A RU2008113834/28 A RU 2008113834/28A RU 2008113834 A RU2008113834 A RU 2008113834A RU 2008113834 A RU2008113834 A RU 2008113834A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
plasma
frequency antenna
plasma generator
ion source
generator chamber
Prior art date
Application number
RU2008113834/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2414766C2 (ru
Inventor
Наруясу САСАКИ (JP)
Наруясу САСАКИ
Сабуроу СИМИЗУ (JP)
Сабуроу СИМИЗУ
Тосидзу КУНИБЕ (JP)
Тосидзу КУНИБЕ
Original Assignee
Улвак, Инк. (Jp)
Улвак, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Улвак, Инк. (Jp), Улвак, Инк. filed Critical Улвак, Инк. (Jp)
Publication of RU2008113834A publication Critical patent/RU2008113834A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2414766C2 publication Critical patent/RU2414766C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/08—Ion sources; Ion guns
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
    • H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32422—Arrangement for selecting ions or species in the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/0203—Protection arrangements
    • H01J2237/0213—Avoiding deleterious effects due to interactions between particles and tube elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/06—Sources
    • H01J2237/08—Ion sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/16—Vessels

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

1. Источник ионов, содержащий: ! плазменную генераторную камеру; ! ограждающую стенку, выполненную из диэлектрического материала и ограничивающую упомянутую плазменную генераторную камеру; ! высокочастотную антенну, установленную на внешней поверхности упомянутой ограждающей стенки и генерирующую плазму в упомянутой плазменной генераторной камере; и ! конструкцию, установленную внутри упомянутой плазменной генераторной камеры, при этом упомянутая конструкция выполнена из диэлектрического материала и ограничивает осаждение на внутренней поверхности упомянутой ограждающей стенки, находящейся перед упомянутой высокочастотной антенной. ! 2. Источник ионов по п.1, в котором упомянутая конструкция представляет собой защитный корпус, выполненный из диэлектрического материала, покрывающий внутреннюю поверхность упомянутой ограждающей стенки и содержащий, по меньшей мере, одну прорезь, сформированную в направлении, пересекающем направление намотки упомянутой высокочастотной антенны. ! 3. Источник ионов по п.2, в котором упомянутый защитный корпус установлен около внутренней поверхности упомянутой ограждающей стенки. ! 4. Источник ионов по п.1, в котором упомянутая конструкция представляет собой выступ или углубление, сформированный(ное) на, по меньшей мере, одной части внутренней поверхности упомянутой ограждающей стенки и продолженный(ное) в направлении, пересекающем направление намотки упомянутой высокочастотной антенны. ! 5. Источник ионов по п.1, в котором упомянутая конструкция содержит: ! выступ или углубление, сформированный(ное) на, по меньшей мере, одной части внутренней поверхности упомянутой огражд�

Claims (11)

1. Источник ионов, содержащий:
плазменную генераторную камеру;
ограждающую стенку, выполненную из диэлектрического материала и ограничивающую упомянутую плазменную генераторную камеру;
высокочастотную антенну, установленную на внешней поверхности упомянутой ограждающей стенки и генерирующую плазму в упомянутой плазменной генераторной камере; и
конструкцию, установленную внутри упомянутой плазменной генераторной камеры, при этом упомянутая конструкция выполнена из диэлектрического материала и ограничивает осаждение на внутренней поверхности упомянутой ограждающей стенки, находящейся перед упомянутой высокочастотной антенной.
2. Источник ионов по п.1, в котором упомянутая конструкция представляет собой защитный корпус, выполненный из диэлектрического материала, покрывающий внутреннюю поверхность упомянутой ограждающей стенки и содержащий, по меньшей мере, одну прорезь, сформированную в направлении, пересекающем направление намотки упомянутой высокочастотной антенны.
3. Источник ионов по п.2, в котором упомянутый защитный корпус установлен около внутренней поверхности упомянутой ограждающей стенки.
4. Источник ионов по п.1, в котором упомянутая конструкция представляет собой выступ или углубление, сформированный(ное) на, по меньшей мере, одной части внутренней поверхности упомянутой ограждающей стенки и продолженный(ное) в направлении, пересекающем направление намотки упомянутой высокочастотной антенны.
5. Источник ионов по п.1, в котором упомянутая конструкция содержит:
выступ или углубление, сформированный(ное) на, по меньшей мере, одной части внутренней поверхности упомянутой ограждающей стенки и продолженный(ное) в направлении, пересекающем направление намотки упомянутой высокочастотной антенны; и
защитный корпус, выполненный из диэлектрического материала, покрывающий внутреннюю поверхность упомянутой ограждающей стенки и содержащий, по меньшей мере, одну прорезь, сформированную в направлении, пересекающем направление намотки упомянутой высокочастотной антенны.
6. Источник ионов по п.1, дополнительно содержащий вытягивающий электрод для выведения ионов из плазмы, генерируемой в упомянутой плазменной генераторной камере.
7. Источник ионов по п.1, в котором:
упомянутая конструкция представляет собой защитный корпус, выполненный из диэлектрического материала, покрывающий внутреннюю поверхность упомянутой ограждающей стенки и содержащий, по меньшей мере, одну прорезь, сформированную в направлении, пересекающем направление намотки упомянутой высокочастотной антенны;
вытягивающий электрод для выведения ионов из плазмы, генерируемой в упомянутой плазменной генераторной камере, установлен вблизи упомянутого защитного корпуса; при этом
расстояние между упомянутым защитным корпусом и упомянутым вытягивающим электродом равно или меньше, чем 1 мм.
8. Устройство для плазменной обработки, содержащее:
технологическую камеру для размещения подлежащей обработке подложки;
плазменную генераторную камеру;
ограждающую стенку, выполненную из диэлектрического материала и ограничивающую упомянутую плазменную генераторную камеру;
высокочастотную антенну, установленную на внешней поверхности упомянутой ограждающей стенки и генерирующую плазму в упомянутой плазменной генераторной камере; и
конструкцию, установленную внутри упомянутой плазменной генераторной камеры, при этом упомянутая конструкция выполнена из диэлектрического материала и ограничивает осаждение на внутренней поверхности упомянутой ограждающей стенки, находящейся перед упомянутой высокочастотной антенной.
9. Устройство для плазменной обработки по п.8, в котором предусмотрен вытягивающий электрод для выведения ионов из плазмы, генерируемой в упомянутой плазменной генераторной камере, к упомянутой технологической камере, установленный между упомянутой плазменной генераторной камерой и упомянутой технологической камерой.
10. Устройство для плазменной обработки по п.8, в котором:
упомянутая конструкция представляет собой защитный корпус, выполненный из диэлектрического материала, покрывающий внутреннюю поверхность упомянутой ограждающей стенки и содержащий, по меньшей мере, одну прорезь, сформированную в направлении, пересекающем направление намотки упомянутой высокочастотной антенны;
вытягивающий электрод для выведения ионов из плазмы, генерируемой в упомянутой плазменной генераторной камере, установлен вблизи упомянутого защитного корпуса; при этом
расстояние между упомянутым защитным корпусом и упомянутым вытягивающим электродом равно или меньше, чем 1 мм.
11. Устройство для плазменной обработки по п.8, в котором мишень установки для распыления, облучаемая ионами, выводимыми из упомянутой плазменной генераторной камеры и осаждающая распыляемые материалы на упомянутую, подлежащую обработке подложку, установлена внутри упомянутой технологической камеры.
RU2008113834/07A 2005-09-09 2006-09-07 Источник ионов и устройство для плазменной обработки RU2414766C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005-261901 2005-09-09
JP2005261901 2005-09-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2008113834A true RU2008113834A (ru) 2009-10-20
RU2414766C2 RU2414766C2 (ru) 2011-03-20

Family

ID=37835892

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008113834/07A RU2414766C2 (ru) 2005-09-09 2006-09-07 Источник ионов и устройство для плазменной обработки

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8356575B2 (ru)
JP (1) JP5072096B2 (ru)
KR (1) KR101247198B1 (ru)
CN (1) CN101223624B (ru)
DE (1) DE112006002412T5 (ru)
RU (1) RU2414766C2 (ru)
TW (1) TWI391518B (ru)
WO (1) WO2007029777A1 (ru)

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4345895B2 (ja) * 2005-10-20 2009-10-14 日新イオン機器株式会社 イオン源の運転方法およびイオン注入装置
JP5246474B2 (ja) * 2008-02-08 2013-07-24 Ｔｄｋ株式会社 ミリング装置及びミリング方法
CN102084307B (zh) 2008-06-17 2014-10-29 罗斯蒙特公司 用于具有低压本质安全钳的现场设备的rf适配器
US8694060B2 (en) * 2008-06-17 2014-04-08 Rosemount Inc. Form factor and electromagnetic interference protection for process device wireless adapters
US8929948B2 (en) 2008-06-17 2015-01-06 Rosemount Inc. Wireless communication adapter for field devices
EA020763B9 (ru) 2008-08-04 2015-05-29 Эй-Джи-Си Флет Гласс Норт Эмерике, Инк. Источник плазмы и способы нанесения тонкопленочных покрытий с использованием плазменно-химического осаждения из газовой фазы
JP5325623B2 (ja) * 2009-03-24 2013-10-23 株式会社アルバック 電子源
US7999479B2 (en) * 2009-04-16 2011-08-16 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Conjugated ICP and ECR plasma sources for wide ribbon ion beam generation and control
US9674976B2 (en) 2009-06-16 2017-06-06 Rosemount Inc. Wireless process communication adapter with improved encapsulation
US9111729B2 (en) 2009-12-03 2015-08-18 Lam Research Corporation Small plasma chamber systems and methods
US9190289B2 (en) 2010-02-26 2015-11-17 Lam Research Corporation System, method and apparatus for plasma etch having independent control of ion generation and dissociation of process gas
TWI502617B (zh) * 2010-07-21 2015-10-01 應用材料股份有限公司 用於調整電偏斜的方法、電漿處理裝置與襯管組件
US9793126B2 (en) 2010-08-04 2017-10-17 Lam Research Corporation Ion to neutral control for wafer processing with dual plasma source reactor
US8999104B2 (en) 2010-08-06 2015-04-07 Lam Research Corporation Systems, methods and apparatus for separate plasma source control
US9155181B2 (en) 2010-08-06 2015-10-06 Lam Research Corporation Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US9449793B2 (en) * 2010-08-06 2016-09-20 Lam Research Corporation Systems, methods and apparatus for choked flow element extraction
US9967965B2 (en) 2010-08-06 2018-05-08 Lam Research Corporation Distributed, concentric multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US10761524B2 (en) 2010-08-12 2020-09-01 Rosemount Inc. Wireless adapter with process diagnostics
US8736177B2 (en) * 2010-09-30 2014-05-27 Fei Company Compact RF antenna for an inductively coupled plasma ion source
US9070760B2 (en) * 2011-03-14 2015-06-30 Plasma-Therm Llc Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer
JP2014209406A (ja) 2011-07-20 2014-11-06 キヤノンアネルバ株式会社 イオンビーム発生装置、およびイオンビームプラズマ処理装置
US9039911B2 (en) 2012-08-27 2015-05-26 Lam Research Corporation Plasma-enhanced etching in an augmented plasma processing system
CN103959919A (zh) * 2011-09-28 2014-07-30 迈普尔平版印刷Ip有限公司 等离子产生器
JP2013084552A (ja) * 2011-09-29 2013-05-09 Tokyo Electron Ltd ラジカル選択装置及び基板処理装置
US9310794B2 (en) 2011-10-27 2016-04-12 Rosemount Inc. Power supply for industrial process field device
US9177762B2 (en) 2011-11-16 2015-11-03 Lam Research Corporation System, method and apparatus of a wedge-shaped parallel plate plasma reactor for substrate processing
US10283325B2 (en) 2012-10-10 2019-05-07 Lam Research Corporation Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
JP2015053108A (ja) * 2011-12-02 2015-03-19 キヤノンアネルバ株式会社 イオンビーム発生装置
US20140097752A1 (en) * 2012-10-09 2014-04-10 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Inductively Coupled Plasma ION Source Chamber with Dopant Material Shield
US9230819B2 (en) 2013-04-05 2016-01-05 Lam Research Corporation Internal plasma grid applications for semiconductor fabrication in context of ion-ion plasma processing
US9245761B2 (en) 2013-04-05 2016-01-26 Lam Research Corporation Internal plasma grid for semiconductor fabrication
US9017526B2 (en) * 2013-07-08 2015-04-28 Lam Research Corporation Ion beam etching system
US9147581B2 (en) 2013-07-11 2015-09-29 Lam Research Corporation Dual chamber plasma etcher with ion accelerator
KR102365939B1 (ko) 2014-12-05 2022-02-22 에이지씨 플랫 글래스 노스 아메리카, 인코퍼레이티드 거대-입자 감소 코팅을 활용하는 플라즈마 소스 및 박막 코팅의 증착과 표면의 개질을 위해 거대-입자 감소 코팅을 활용하는 플라즈마 소스의 사용 방법
CN107852805B (zh) 2014-12-05 2020-10-16 Agc玻璃欧洲公司 空心阴极等离子体源
CN105789011B (zh) * 2014-12-24 2018-01-26 中微半导体设备(上海)有限公司 感应耦合型等离子体处理装置
CN106653549B (zh) * 2015-11-03 2020-02-11 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种半导体加工设备
US9721765B2 (en) 2015-11-16 2017-08-01 Agc Flat Glass North America, Inc. Plasma device driven by multiple-phase alternating or pulsed electrical current
US9721764B2 (en) 2015-11-16 2017-08-01 Agc Flat Glass North America, Inc. Method of producing plasma by multiple-phase alternating or pulsed electrical current
US10573499B2 (en) 2015-12-18 2020-02-25 Agc Flat Glass North America, Inc. Method of extracting and accelerating ions
US10242846B2 (en) 2015-12-18 2019-03-26 Agc Flat Glass North America, Inc. Hollow cathode ion source
JP6800009B2 (ja) * 2015-12-28 2020-12-16 芝浦メカトロニクス株式会社 プラズマ処理装置
JP6753678B2 (ja) * 2016-03-25 2020-09-09 株式会社日立ハイテクサイエンス 荷電粒子ビーム装置及びプラズマ点火方法
US20170352574A1 (en) * 2016-06-02 2017-12-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for treating wafer
US9865436B1 (en) * 2016-06-10 2018-01-09 Plasma-Therm Nes Llc Powered anode for ion source for DLC and reactive processes
US10573495B2 (en) * 2017-10-09 2020-02-25 Denton Vacuum, LLC Self-neutralized radio frequency plasma ion source
US11039527B2 (en) * 2019-01-28 2021-06-15 Mattson Technology, Inc. Air leak detection in plasma processing apparatus with separation grid
JP7350643B2 (ja) * 2019-12-04 2023-09-26 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 誘導結合プラズマエッチング装置およびプラズマ生成機構
US20210183627A1 (en) * 2019-12-11 2021-06-17 International Business Machines Corporation Apparatus For Reducing Wafer Contamination During ION-Beam Etching Processes
RU206587U1 (ru) * 2020-09-11 2021-09-16 Общество С Ограниченной Ответственностью "Изовак" Источник ионов для обработки деталей
CN112447486A (zh) * 2020-11-30 2021-03-05 江苏鲁汶仪器有限公司 一种双壁多结构石英筒装置
WO2023043768A1 (en) * 2021-09-20 2023-03-23 Lam Research Corporation Enclosure for mitigating rf power ramp up in icp source
KR102654487B1 (ko) 2021-12-29 2024-04-05 피에스케이 주식회사 플라즈마 발생 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
GB202203146D0 (en) * 2022-03-07 2022-04-20 Micromass Ltd Shield for ion source enclosure

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3911314A (en) * 1972-11-07 1975-10-07 Strahlen Umweltforsch Gmbh Ion gun for production of ion beams with particular radial current density profile
US4416755A (en) * 1981-04-03 1983-11-22 Xerox Corporation Apparatus and method for producing semiconducting films
US5234529A (en) * 1991-10-10 1993-08-10 Johnson Wayne L Plasma generating apparatus employing capacitive shielding and process for using such apparatus
US5763851A (en) * 1995-11-27 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Slotted RF coil shield for plasma deposition system
JPH1018043A (ja) * 1996-07-03 1998-01-20 Applied Materials Inc プラズマ蒸着システム用スロット付ｒｆコイル
US6514390B1 (en) * 1996-10-17 2003-02-04 Applied Materials, Inc. Method to eliminate coil sputtering in an ICP source
TW403959B (en) * 1996-11-27 2000-09-01 Hitachi Ltd Plasma treatment device
JPH1187098A (ja) * 1997-09-03 1999-03-30 Toshiba Corp プラズマ処理装置
JP4119547B2 (ja) 1997-10-20 2008-07-16 東京エレクトロンＡｔ株式会社 プラズマ処理装置
WO2000019483A1 (de) 1998-09-30 2000-04-06 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Vakuumbehandlungskammer und verfahren zur oberflächenbehandlung
JP2000133497A (ja) * 1998-10-29 2000-05-12 Toshiba Corp 高周波放電型プラズマ発生装置
JP4469054B2 (ja) * 2000-03-10 2010-05-26 サムコ株式会社 誘導結合形プラズマ処理装置
IT1319046B1 (it) * 2000-10-18 2003-09-23 Ohg F Lli Manea S R L Sistema di pagamento per macchine distributrici automatiche
JP2002216653A (ja) 2001-01-23 2002-08-02 Hitachi Ltd イオンビーム分布制御方法およびイオンビーム処理装置
JP3793451B2 (ja) * 2001-12-05 2006-07-05 積水化学工業株式会社 放電プラズマ処理装置
JP2003197115A (ja) * 2001-12-25 2003-07-11 Shincron:Kk イオン源装置
US7176469B2 (en) * 2002-05-22 2007-02-13 The Regents Of The University Of California Negative ion source with external RF antenna
JP4050099B2 (ja) * 2002-06-11 2008-02-20 シャープ株式会社 絶縁部材並びに該絶縁部材を用いたプラズマｃｖｄ装置
JP2004079557A (ja) * 2002-08-09 2004-03-11 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
EP2565903B1 (en) * 2003-01-16 2014-09-10 Japan Science and Technology Agency Plasma generator
JP4091445B2 (ja) 2003-01-21 2008-05-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US7232767B2 (en) * 2003-04-01 2007-06-19 Mattson Technology, Inc. Slotted electrostatic shield modification for improved etch and CVD process uniformity
JP4095921B2 (ja) * 2003-04-01 2008-06-04 三菱重工業株式会社 電極接続具およびこれを備えた真空処理装置
JP4079834B2 (ja) * 2003-06-04 2008-04-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE112006002412T5 (de) 2008-07-17
KR101247198B1 (ko) 2013-03-25
TWI391518B (zh) 2013-04-01
TW200714742A (en) 2007-04-16
US20090250340A1 (en) 2009-10-08
JP5072096B2 (ja) 2012-11-14
JPWO2007029777A1 (ja) 2009-03-19
CN101223624B (zh) 2011-06-15
CN101223624A (zh) 2008-07-16
RU2414766C2 (ru) 2011-03-20
KR20080042041A (ko) 2008-05-14
WO2007029777A1 (ja) 2007-03-15
US8356575B2 (en) 2013-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2008113834A (ru) Источник ионов и устройство для плазменной обработки
JP3912993B2 (ja) 中性粒子ビーム処理装置
KR101915833B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102411638B1 (ko) 상류 플라즈마 소스들을 사용하는 챔버-후 저감
JP2020177921A (ja) プラズマ生成装置及び方法
CN106548914B (zh) 一种等离子体处理设备及其清洗系统和方法
EA200701008A1 (ru) Плазменная система
ES2105263T3 (es) Aparato y procedimiento para el tratamiento con plasma en el cual se induce un campo electrico uniforme a traves de una ventana dielectrica.
KR101887160B1 (ko) 반응 챔버와 반도체 제조 장치
JP2003109942A (ja) エッチング方法及びエッチング装置
WO2013099372A1 (ja) 放電容器及びプラズマ処理装置
CN109075008A (zh) 与介电沉积一起使用的非消失的阳极
TWI384086B (zh) Film forming apparatus and thin film forming method
TW201415958A (zh) 利用氣相介質中之電子迴旋共振產生沿軸向顯著延伸之電漿的裝置
KR20010012858A (ko) 기판상에 유전체막을 스퍼터 증착하기 위한 장치 및 방법
US20060112879A1 (en) Plasma processing apparatus
CN114107920B (zh) 溅射镀膜装置
TWI670382B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP5325623B2 (ja) 電子源
JP2003224115A (ja) プラズマプロセスにおけるチャンバの共振を緩和する装置並びに方法
WO2020116252A1 (ja) プラズマ処理装置、及び、プラズマ処理方法
SE0702770L (sv) Förfarande för plasmaaktiverad kemisk ångdeponering och plasmasönderdelningsenhet
KR102450392B1 (ko) 스퍼터링 장치
KR101283645B1 (ko) 내장 무선 주파수 안테나를 구비한 유도 결합 플라즈마반응기
JP6863608B2 (ja) プラズマ源及びプラズマ処理装置