KR101915833B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR101915833B1
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다카히로 히라노
기요타카 이시바시
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 기판 상의 위치마다의, 플라즈마의 영역을 통과하는 시간의 변동을 낮게 억제하는 동시에, 생성되는 플라즈마의 균일성을 높인다.
[해결수단] 개시하는 기판 처리 장치(10)는, 축선(X)을 중심으로 회전 가능하게 설치된 배치대(14)와, 배치대(14)의 회전에 의해 기판(W)이 순차 통과하는 영역에 가스를 공급하는 가스 공급부와, 공급된 가스의 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성부(22)를 구비하고, 플라즈마 생성부(22)는, 마이크로파를 방사하는 안테나(22a)와, 안테나(22a)에 마이크로파를 공급하는 동축 도파관(22b)을 지니고, 안테나(22a)를 축선(X)을 따른 방향에서 본 경우의 단면 형상을 구성하는 선분에는, 축선(X)으로부터 떨어짐에 따라서 서로 멀어지는 2개의 선분이 포함되고, 동축 도파관(22b)은, 안테나(22a)의 무게 중심으로부터 안테나(22a)에 마이크로파를 공급한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명의 여러 가지 측면 및 실시형태는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
기판 상에 성막을 행하는 수법의 일종으로서, 플라즈마 여기 원자층 퇴적(PE-ALD: Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition)법이 알려져 있다. PE-ALD 법에서는, 기판을 전구체 가스에 노출함으로써, 기판 상에 형성하고자 하는 박막의 구성 원소를 함유하는 전구체 가스를 화학 흡착시킨다. 이어서, 기판을 퍼지 가스에 노출함으로써, 그 기판에 지나치게 화학 흡착된 전구체 가스를 제거한다. 그리고, 형성하고자 하는 박막의 구성 원소를 함유하는 반응 가스의 플라즈마에 기판을 노출함으로써, 기판 상에 원하는 박막을 형성한다. PE-ALD법에서는, 이러한 공정이 반복됨으로써, 전구체 가스에 포함되는 원자 또는 분자가 처리된 막이 기판 상에 생성된다.
이러한 PE-ALD법을 실시하는 장치로서 세미 배치식의 성막 장치가 알려져 있다. 세미 배치식의 성막 장치에서는, 전구체 가스를 공급하는 영역과 반응 가스의 플라즈마를 생성하는 영역이 별개로 처리실 내에 형성되어 있고, 기판이 이들 영역을 순차 통과함으로써 원하는 막이 기판 상에 생성된다.
이러한 성막 장치는 배치대, 분사부 및 플라즈마 생성부를 갖추고 있다. 배치대는, 기판을 지지하는 것이며, 회전 축선 중심으로 회전 가능하다. 분사부 및 플라즈마 생성부는, 배치대에 대면(對面) 배치되어 있고, 둘레 방향으로 배열되어 있다. 분사부는, 대략 부채꼴의 평면 형상을 갖고 있으며, 전구체 가스를 공급한다. 플라즈마 생성부는, 반응 가스를 공급하여, 판형 안테나의 면 방향을 따라서 배치된 도파관으로부터 공급된 마이크로파를, 대략 부채꼴의 안테나로부터 방사함으로써, 반응 가스의 플라즈마를 생성한다. 분사부의 주위 및 플라즈마 생성부의 주위에는, 배기 구멍이 형성되어 있고, 분사부의 주연부에는, 퍼지 가스를 공급하는 분사구가 형성되어 있다. 또한, 플라즈마 생성부에는 둥근형 안테나가 이용되는 경우도 있다.
특허문헌 1: 국제공개 제2013/122043호
그런데, 플라즈마 생성부에 있어서 마이크로파를 방사하는 안테나의 형상을 둥근형으로 하면, 둥근형 안테나에 의해서 생성되는 플라즈마의 영역은, 안테나의 형상을 따른 형상으로 되기 때문에, 세미 배치식의 성막 장치에서는, 생성된 플라즈마의 영역을 기판이 통과하는 시간이, 기판의 위치(회전 중심으로부터의 거리)에 따라서 다르다. 그 때문에, 기판 상에 균일한 플라즈마 처리를 실시하기가 어렵다.
한편, 안테나의 형상을 부채꼴으로 하면, 생성된 플라즈마의 영역이 부채꼴 안테나의 형상을 따른 형상으로 되기 때문에, 생성된 플라즈마의 영역을 기판이 통과하는 시간을, 기판의 위치에 상관없이 균일하게 할 수 있다. 그러나, 부채꼴 안테나에서는, 안테나의 면 방향을 따라서 배치된 도파관으로부터 마이크로파가 공급되기 때문에, 안테나 전체에 마이크로파를 균일하게 공급하기가 어렵다. 그 때문에, 부채꼴 안테나로부터 균일성이 높은 마이크로파를 방사하기가 어려워, 생성되는 플라즈마의 균일성을 높이기가 어렵게 된다.
개시하는 기판 처리 장치는, 피처리 기판을 배치하고, 상기 피처리 기판이 축선의 주위를 이동하도록 상기 축선을 중심으로 회전 가능하게 설치된 배치대와, 상기 배치대의 회전에 의해 상기 축선에 대하여 둘레 방향으로 이동하는 상기 피처리 기판이 순차 통과하는 복수 영역의 각각에 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 복수 영역 중의 하나의 영역인 플라즈마 생성 영역에 있어서, 그 플라즈마 생성 영역에 공급된 가스의 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성부를 구비하고, 상기 플라즈마 생성부는, 상기 플라즈마 생성 영역에 고주파를 방사하는 안테나와, 상기 안테나에 고주파를 공급하는 급전부를 지니고, 상기 안테나를 상기 축선을 따른 방향에서 본 경우의 단면 형상을 구성하는 선분에는, 상기 축선으로부터 멀어짐에 따라서 서로 멀어지는 2개의 선분이 포함되고, 상기 급전부는, 상기 안테나의 무게 중심으로부터 상기 안테나에 고주파를 공급한다.
개시하는 기판 처리 장치의 하나의 양태에 따르면, 기판 상의 위치마다의, 플라즈마의 영역을 통과하는 시간의 변동을 낮게 억제하는 동시에, 생성되는 플라즈마의 균일성을 높일 수 있게 된다고 하는 효과를 발휘한다.
도 1은 일 실시형태에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시하는 기판 처리 장치에서 처리 용기의 상부를 제거한 상태를 도시하는 평면도이다.
도 3은 도 1 및 도 2에서의 기판 처리 장치의 A-A 단면도이다.
도 4는 도 3을 마주봤을 때 축선(X)의 좌측 부분의 확대 단면도이다.
도 5는 도 3을 마주봤을 때 축선(X)의 우측 부분의 확대 단면도이다.
도 6은 동축 도파관과 안테나와의 접속 부분의 확대 단면도이다.
도 7은 지파판의 개략 형상의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 8은 슬롯판의 개략 형상의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 9는 상부판의 개략 형상의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 10은 안테나 전체의 개략 형상의 일례를 도시하는 사시도이다.
도 11은 안테나의 변의 각도를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 안테나의 변의 각도와, 마이크로파 분포의 균일성과의 관계 시뮬레이션 결과의 일례를 도시하는 도면이다.
도 13은 스터브(stub) 부재의 삽입량과, 마이크로파 분포의 균일성과의 관계 시뮬레이션 결과의 일례를 도시하는 도면이다.
도 14는 안테나의 변의 위치와, 기판의 통과 영역과의 관계의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
개시하는 기판 처리 장치는, 하나의 실시형태에서, 피처리 기판을 배치하고, 피처리 기판이 축선의 주위를 이동하도록 축선을 중심으로 회전 가능하게 설치된 배치대와, 배치대의 회전에 의해 축선에 대하여 둘레 방향으로 이동하는 피처리 기판이 순차 통과하는 복수 영역의 각각에 가스를 공급하는 가스 공급부와, 복수 영역 중의 하나의 영역인 플라즈마 생성 영역에 있어서, 이 플라즈마 생성 영역에 공급된 가스의 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성부를 구비하고, 플라즈마 생성부는, 플라즈마 생성 영역에 고주파를 방사하는 안테나와, 안테나에 고주파를 공급하는 급전부를 지니고, 안테나를 축선을 따른 방향에서 본 경우의 단면 형상을 구성하는 선분에는, 축선에서 떨어짐에 따라서 서로 멀어지는 2개의 선분이 포함되고, 급전부는, 안테나의 무게 중심으로부터 안테나에 고주파를 공급한다.
또한, 개시하는 기판 처리 장치의 하나의 실시형태에서, 안테나를 축선을 따른 방향에서 본 경우의 단면 형상은 회전 대칭성을 갖는 형상이다.
또한, 개시하는 기판 처리 장치의 하나의 실시형태에서, 안테나를 축선을 따른 방향에서 본 경우의 단면 형상은 대략 정삼각형이다.
또한, 개시하는 기판 처리 장치의 하나의 실시형태에서, 축선을 따른 방향에서 본 경우의 안테나의 단면 형상을 구성하는 선분에 포함되는 2개의 선분의 각각은, 원판형의 피처리 기판의 직경보다도 길고, 안테나는, 축선을 따른 방향에서 본 경우에, 배치대 상의 피처리 기판이, 2개의 선분 내부를 통과하도록 플라즈마 생성 영역에 설치된다.
또한, 개시하는 기판 처리 장치의 하나의 실시형태에서, 안테나는, 축선을 따른 방향에서 본 경우에, 배치대 상의 피처리 기판의 중심이, 2개의 선분의 중앙을 통과하도록 플라즈마 생성 영역에 설치된다.
또한, 개시하는 기판 처리 장치의 하나의 실시형태에서, 플라즈마 생성부는, 급전부에 삽입되어, 삽입량을 제어할 수 있는 스터브를 더욱 갖는다.
또한, 개시하는 기판 처리 장치의 하나의 실시형태에서, 축선을 따른 방향에서 본 경우의 안테나의 단면 형상을 구성하는 선분에 포함되는 2개의 선분은, 미리 정해진 반경을 갖는 원의 일부인 곡선으로 연결되어 있다.
또한, 개시하는 기판 처리 장치의 하나의 실시형태에서, 안테나를 축선을 따른 방향에서 본 경우의 단면 형상은, 그 단면 형상을 구성하는 3개의 변을 각각 연장시킨 경우에 형성되는 대략 정삼각형의 3개의 내각에 있어서, 하나의 내각이 60도±1도의 범위 내이고, 다른 2개의 내각이 각각 60도±0.5도의 범위 내이다.
또한, 개시하는 기판 처리 장치의 하나의 실시형태에서, 고주파는 마이크로파이다.
또한, 개시하는 기판 처리 장치의 하나의 실시형태에서, 급전부는 동축 도파관이다.
또한, 개시하는 기판 처리 장치의 하나의 실시형태에서, 안테나는, 제1 유전체와, 제1 유전체 상에 설치되고, 동축 도파관의 내측 도체가 접속되는 슬롯판과, 슬롯판 상에 설치되는 제2 유전체와, 제2 유전체 상에 설치되고, 내부에 냉매를 유통시키기 위한 유로를 갖는 냉각 플레이트를 지닌다. 또한, 슬롯판에는, 2개의 슬롯을 갖는 슬롯쌍이, 축선을 따른 방향에서 본 경우에, 동축 도파관의 내측 도체가 접속되는 위치를 중심으로 하여, 반경이 다른 동심원형으로 나란하도록 복수 형성된다. 또한, 복수의 슬롯쌍은, 축선을 따른 방향에서 본 경우에, 회전 대칭이 되도록 슬롯판에 형성되어 있다.
또한, 개시하는 기판 처리 장치는, 하나의 실시형태에서, 동축 도파관이 접속되는 쪽의 안테나의 면 위에 배치되어, 냉각 플레이트를 제2 유전체에 압압하는 압압부를 더욱 구비하고, 냉각 플레이트, 제2 유전체, 슬롯판 및 제1 유전체는, 압압부의 압압력에 의해 상호 밀착되어 있다.
이하에, 개시하는 기판 처리 장치의 실시형태에 관해서 도면에 기초하여 상세히 설명한다. 한편, 본 실시형태에 의해 개시하는 발명이 한정되는 것은 아니다. 각 실시형태는 처리 내용을 모순되게 하지 않는 범위에서 적절하게 조합할 수 있다.
(실시형태)
도 1은 일 실시형태에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다. 도 2는 도 1에 도시하는 기판 처리 장치에서 처리 용기의 상부 부재를 제거한 상태를 도시하는 평면도이다. 도 3은 도 1 및 도 2에서의 기판 처리 장치의 A-A 단면도이다. 도 4는 도 3을 마주보았을 때 축선(X)의 좌측 부분의 확대 단면도이다. 도 5는 도 3을 마주보았을 때 축선(X)의 우측 부분의 확대 단면도이다. 도 1~도 5에 도시하는 기판 처리 장치(10)는, 주로, 처리 용기(12), 배치대(14), 제1 가스 공급부(16), 배기부(18), 제2 가스 공급부(20) 및 플라즈마 생성부(22)를 갖춘다.
도 1에 도시하는 것과 같이, 처리 용기(12)는, 축선(X)을 중심축으로 하는 대략 원통형의 용기이다. 처리 용기(12)는 처리실(C)을 내부에 구비한다. 처리실(C)은 분사부(16a)를 갖춘 유닛(U)을 포함한다. 처리 용기(12)는, 예컨대, 알루마이트 처리 또는 Y2O3(산화이트륨)의 용사 처리 등의 내플라즈마 처리가 내면에 실시된 Al(알루미늄) 등의 금속으로 형성된다. 기판 처리 장치(10)는 처리 용기(12) 내에 복수의 플라즈마 생성부(22)를 갖는다. 각각의 플라즈마 생성부(22)는, 처리 용기(12)의 위쪽에, 마이크로파를 출력하는 안테나(22a)를 갖춘다. 처리 용기(12)의 위쪽에 설치된 안테나(22a)의 수는, 도 1 및 도 2에 도시하는 것에 한정되지 않고, 적절하게 변경하여도 좋다.
도 2에 도시하는 것과 같이, 기판 처리 장치(10)는, 상면에 복수의 기판 배치 영역(14a)을 갖는 배치대(14)를 갖춘다. 배치대(14)는 축선(X)을 중심축으로 하는 대략 원판형의 부재이다. 배치대(14)의 상면에는, 기판(W)을 배치하는 기판 배치 영역(14a)이, 축선(X)을 중심으로 하여 동심원형으로 복수(도 2의 예에서는 5개) 형성된다. 기판(W)은 기판 배치 영역(14a) 내에 배치되며, 기판 배치 영역(14a)은, 배치대(14)가 회전했을 때, 기판(W)이 틀어지지 않도록 기판(W)을 지지한다. 기판 배치 영역(14a)은, 대략 원형의 기판(W)과 대략 같은 형상의 대략 원형의 오목부이다. 기판 배치 영역(14a)의 오목부의 직경 W1은, 기판 배치 영역(14a)에 배치되는 기판(W)의 직경과 비교하여 대략 동일하다. 즉, 기판 배치 영역(14a)의 오목부의 직경 W1은, 배치되는 기판(W)이 오목부에 감합되어, 배치대(14)가 회전하더라도, 원심력에 의해 기판(W)이 감합 위치로부터 이동하지 않도록 기판(W)을 고정하는 정도면 된다.
기판 처리 장치(10)는, 처리 용기(12)의 측벽에, 로봇 아암 등의 반송 장치를 통해, 기판(W)을 처리실(C)에 반입하고, 기판(W)을 처리실(C)로부터 반출하는 게이트 밸브(G)를 갖춘다. 또한, 기판 처리 장치(10)는, 배치대(14)의 외연의 아래쪽에, 배기구(22h)를 갖춘다. 배기구(22h)에는 배기 장치(52)가 접속된다. 기판 처리 장치(10)는, 배기 장치(52)의 동작을 제어함으로써, 처리실(C) 내의 압력을, 목적으로 하는 압력으로 유지한다.
도 3에 도시하는 것과 같이, 처리 용기(12)는 하부 부재(12a) 및 상부 부재(12b)를 갖는다. 하부 부재(12a)는, 위쪽으로 개구된 대략 통 형상을 지니고, 처리실(C)을 형성하는 측벽 및 바닥벽을 포함하는 오목부를 형성한다. 상부 부재(12b)는, 대략 통 형상을 지니고, 하부 부재(12a)의 오목부의 상부 개구를 덮어 폐쇄함으로써 처리실(C)을 형성하는 덮개이다. 하부 부재(12a)와 상부 부재(12b) 사이의 외주부에는, 처리실(C)을 밀폐하기 위한 탄성 밀봉 부재, 예컨대 O 링이 설치되어도 좋다.
기판 처리 장치(10)는, 처리 용기(12)에 의해 형성되는 처리실(C)의 내부에 배치대(14)를 갖춘다. 배치대(14)는, 구동 기구(24)에 의해서 축선(X)을 중심으로 회전 구동된다. 구동 기구(24)는, 모터 등의 구동 장치(24a) 및 회전축(24b)을 지니며, 처리 용기(12)의 하부 부재(12a)에 부착된다.
회전축(24b)은, 축선(X)을 중심 축선으로 하여, 처리실(C)의 내부까지 뻗어 있다. 회전축(24b)은, 구동 장치(24a)로부터 전달되는 구동력에 의해 축선(X)을 중심으로 회전한다. 배치대(14)는 중앙 부분이 회전축(24b)에 의해 지지된다. 따라서, 배치대(14)는 축선(X)을 중심으로 회전축(24b)의 회전에 따라서 회전한다. 한편, 처리 용기(12)의 하부 부재(12a)와 구동 기구(24) 사이에는, 처리실(C)을 밀폐하는 O 링 등의 탄성 밀봉 부재가 설치되어 있어도 좋다.
기판 처리 장치(10)는, 처리실(C) 내부의 배치대(14)의 아래쪽에, 기판 배치 영역(14a)에 배치된 기판(W)을 가열하기 위한 히터(26)를 갖춘다. 구체적으로는, 배치대(14)를 가열함으로써 기판(W)을 가열한다. 기판(W)은, 처리 용기(12)에 설치된 게이트 밸브(G)를 통해, 도시하지 않는 로봇 아암 등의 반송 장치에 의해 처리실(C)에 반송되어, 기판 배치 영역(14a)에 배치된다. 또한, 기판(W)은, 반송 장치에 의해 게이트 밸브(G)를 통해 처리실(C)로부터 빼내어진다.
처리실(C)은, 축선(X)을 중심으로 하는 원주 상에 배열된 제1 영역(R1)(도 2 참조) 및 제2 영역(R2)을 형성한다. 기판 배치 영역(14a)에 배치된 기판(W)은, 배치대(14)의 회전과 함께, 제1 영역(R1) 및 제2 영역(R2)을 순차 통과한다.
도 4에 도시하는 것과 같이, 기판 처리 장치(10)는, 제1 영역(R1)의 위쪽에, 배치대(14)의 상면에 대면하도록 제1 가스 공급부(16)가 배치된다. 제1 가스 공급부(16)는 분사부(16a)를 갖춘다. 즉, 처리실(C)에 포함되는 영역 중 분사부(16a)에 대면하는 영역이 제1 영역(R1)이다.
분사부(16a)는 복수의 분사구(16h)를 갖춘다. 제1 가스 공급부(16)는, 복수의 분사구(16h)를 통해 제1 영역(R1)에 전구체 가스를 공급한다. 전구체 가스가 제1 영역(R1)에 공급됨으로써, 제1 영역(R1)을 통과하는 기판(W)의 표면에, 전구체 가스의 원자 또는 분자가 화학적으로 흡착된다. 전구체 가스는, 예컨대 DCS(디클로로실란)나 모노클로로실란, 트리클로로실란 등이다.
제1 영역(R1)의 위쪽에는, 배치대(14)의 상면에 대면하도록 배기부(18)의 배기구(18a)가 형성되어 있다. 배기구(18a)는 분사부(16a)의 주위에 형성된다. 배기부(18)는, 진공 펌프 등의 배기 장치(34)의 동작에 의해, 배기구(18a)를 통해 처리실(C) 내의 가스를 배기한다.
제1 영역(R1)의 위쪽에는, 배치대(14)의 상면에 대면하도록, 제2 가스 공급부(20)의 분사구(20a)가 형성되어 있다. 분사구(20a)는 배기구(18a)의 주위에 형성되어 있다. 제2 가스 공급부(20)는, 분사구(20a)를 통해 제1 영역(R1)에 퍼지 가스를 공급한다. 제2 가스 공급부(20)에 의해서 공급되는 퍼지 가스는 예컨대 Ar(아르곤) 등의 불활성 가스이다. 퍼지 가스가 기판(W)의 표면에 분사됨으로써, 기판(W)에 화학적으로 과잉 흡착된 전구체 가스의 원자 또는 분자(잔류 가스 성분)가 기판(W)으로부터 제거된다. 이에 따라, 기판(W)의 표면에, 전구체 가스의 원자 또는 분자가 화학적으로 흡착된 원자층 또는 분자층이 형성되게 된다.
기판 처리 장치(10)는, 분사구(20a)로부터 퍼지 가스를 분사하여, 배기구(18a)로부터 배치대(14)의 표면을 따라서 퍼지 가스를 배기한다. 이에 따라, 기판 처리 장치(10)는, 제1 영역(R1)에 공급되는 전구체 가스가 제1 영역(R1) 밖으로 새어나오는 것을 억제한다. 또한, 기판 처리 장치(10)는, 분사구(20a)로부터 퍼지 가스를 분사하여 배기구(18a)로부터 배치대(14)의 면을 따라서 퍼지 가스를 배기하기 때문에, 제2 영역(R2)에 공급하는 반응 가스 또는 반응 가스의 라디칼 등이 제1 영역(R1) 내에 침입하는 것을 억제한다. 즉, 기판 처리 장치(10)는, 제2 가스 공급부(20)로부터의 퍼지 가스의 분사 및 배기부(18)로부터의 배기에 의해, 제1 영역(R1)과 제2 영역(R2)을 분리한다.
한편, 기판 처리 장치(10)는, 분사부(16a), 배기구(18a), 분사구(20a)를 포함하는 유닛(U)을 갖춘다. 즉, 분사부(16a), 배기구(18a) 및 분사구(20a)는 유닛(U)을 구성하는 부위로서 형성된다. 도 4에 도시하는 것과 같이, 유닛(U)은, 제1 부재(M1), 제2 부재(M2), 제3 부재(M3) 및 제4 부재(M4)가 순차 중첩된 구조를 갖는다. 유닛(U)은, 처리 용기(12)의 상부 부재(12b)의 하면에 접촉하도록 처리 용기(12)에 부착된다.
도 4에 도시하는 것과 같이, 유닛(U)에는, 제2 부재(M2)~제4 부재(M4)를 관통하는 가스 공급로(16p)가 형성되어 있다. 가스 공급로(16p)는, 상단이, 처리 용기(12)의 상부 부재(12b)에 형성된 가스 공급로(12p)와 접속된다. 가스 공급로(12p)에는, 밸브(16v) 및 매스 플로우 컨트롤러 등의 유량 제어기(16c)를 통해, 전구체 가스의 가스 공급원(16g)이 접속된다. 또한, 가스 공급로(16p)의 하단은, 제1 부재(M1)와 제2 부재(M2) 사이에 형성된 공간(16d)에 접속된다. 공간(16d)에는, 제1 부재(M1)에 형성된 분사부(16a)의 분사구(16h)가 접속된다.
유닛(U)에는 제4 부재(M4)를 관통하는 가스 공급로(20r)가 형성된다. 가스 공급로(20r)는, 상단이, 처리 용기(12)의 상부 부재(12b)에 형성된 가스 공급로(12r)와 접속된다. 가스 공급로(12r)에는, 밸브(20v) 및 매스 플로우 컨트롤러 등의 유량 제어기(20c)를 통해, 퍼지 가스의 가스 공급원(20g)이 접속된다.
유닛(U)은, 가스 공급로(20r)의 하단이, 제4 부재(M4)의 하면과 제3 부재(M3)의 상면 사이에 형성된 공간(20d)에 접속된다. 또한, 제4 부재(M4)는 제1 부재(M1)~제3 부재(M3)를 수용하는 오목부를 형성한다. 오목부를 형성하는 제4 부재(M4)의 내측면과 제3 부재(M3)의 외측면과의 사이에는 갭(20p)이 형성된다. 갭(20p)은 공간(20d)에 접속된다. 갭(20p)의 하단은 분사구(20a)로서 기능한다.
유닛(U)에는, 제3 부재(M3) 및 제4 부재(M4)를 관통하는 배기로(18q)가 형성된다. 배기로(18q)는, 상단이, 처리 용기(12)의 상부 부재(12b)에 형성된 배기로(12q)와 접속된다. 배기로(12q)는 진공 펌프 등의 배기 장치(34)에 접속된다. 또한, 배기로(18q)는, 하단이, 제3 부재(M3)의 하면과 제2 부재(M2)의 상면과의 사이에 형성된 공간(18d)에 접속된다.
제3 부재(M3)는 제1 부재(M1) 및 제2 부재(M2)를 수용하는 오목부를 갖춘다. 제3 부재(M3)가 구비하는 오목부를 구성하는 제3 부재(M3)의 내측면과, 제1 부재(M1) 및 제2 부재(M2)의 외측면과의 사이에는 갭(18g)이 형성된다. 공간(18d)은 갭(18g)에 접속된다. 갭(18g)의 하단은 배기구(18a)로서 기능한다. 기판 처리 장치(10)는, 분사구(20a)로부터 퍼지 가스를 분사하여 배기구(18a)로부터 배치대(14)의 면을 따라서 퍼지 가스를 배기함으로써, 제1 영역(R1)에 공급하는 전구체 가스가 제1 영역(R1) 밖으로 새어나가는 것을 억제한다.
도 5에 도시하는 것과 같이, 기판 처리 장치(10)는, 제2 영역(R2)의 상측인 상부 부재(12b)의 개구(AP)에, 배치대(14)의 상면에 대면하도록 설치된 플라즈마 생성부(22)를 갖춘다. 플라즈마 생성부(22)는, 안테나(22a)와, 안테나(22a)에 마이크로파 및 반응 가스를 공급하는 동축 도파관(22b)을 갖는다. 동축 도파관(22b)은 급전부의 일례이다. 상부 부재(12b)에는 예컨대 3개의 개구(AP)가 형성되고, 기판 처리 장치(10)는 예컨대 3개의 플라즈마 생성부(22)를 갖춘다.
플라즈마 생성부(22)는, 제2 영역(R2)에 반응 가스 및 마이크로파를 공급하여, 제2 영역(R2)에 있어서 반응 가스의 플라즈마를 생성한다. 반응 가스에 질소 함유 가스를 이용한 경우, 기판(W)에 화학적으로 흡착한 원자층 또는 분자층을 질화(窒化)시킨다. 반응 가스로서는, 예컨대 N2(질소) 또는 NH3(암모니아) 등의 질소 함유 가스를 이용할 수 있다.
도 5에 도시하는 것과 같이, 플라즈마 생성부(22)는, 개구(AP)를 폐색하도록 안테나(22a)를 기밀하게 배치한다. 안테나(22a)는 상부판(40), 슬롯판(42), 지파판(44) 및 냉각 플레이트(46)를 갖는다. 상부판(40)은, 유전체로 형성된 각이 둥근 대략 정삼각형의 부재이며, 예컨대 알루미나세라믹 등으로 형성된다. 상부판(40)은 제1 유전체의 일례이다. 상부판(40)은, 그 하면이 처리 용기(12)의 상부 부재(12b)에 형성된 개구(AP)로부터 제2 영역(R2)에 노출되도록 상부 부재(12b)에 의해서 지지되어 있다. 상부판(40)의 하면에는, 상부판(40)의 외연부를 따라서 제1 리브(40a)가 형성되고, 또한 내측에 대략 원형의 제2 리브(40b)가 형성된다. 또한, 제2 리브(40b)의 내측에는, 아래쪽으로 돌출된 돌출부(40c)가 형성되어 있고, 돌출부(40c)의 대략 중앙에는 두께 방향으로 관통하는 분사구(40d)가 형성된다.
상부판(40)의 하면, 즉, 제2 영역(R2)에 노출하는 상부판(40)의 면은, Al2O3, Y2O3 또는 YOxFy계 막(x는 0 이상의 정수, y는 1 이상의 정수)으로 코팅되어 있어도 좋다. YOxFy계 막은 예컨대 YF3의 막이라도 좋다. 이들의 코팅은 용사나 에어로졸 증착법 등에 의해서 행할 수 있다. 이에 따라, 상부판(40)의 재료가 기판(W)에의 처리 과정에서 혼입되는 콘터미네이션을 방지할 수 있다. 또한, 도 5에 예시한 상부판(40)의 하면에는, 제1 리브(40a) 및 제2 리브(40b) 등에 의해 요철이 형성되어 있지만, 상부판(40)의 하면은 편평한 면이라도 좋다. 이에 따라, 콘터미네이션을 방지하기 위해서 상부판(40)의 하면에 형성하는 코팅막의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
상부판(40)의 상면에는 슬롯판(42)이 배치된다. 슬롯판(42)은, 각이 둥근 대략 정삼각형으로 형성된 판형의 금속제 부재이다. 슬롯판(42)에는, 축선(X)의 방향에서 상부판(40)의 분사구(40d)와 겹치는 위치에 개구가 형성되어 있다. 또한, 슬롯판(42)에는 복수의 슬롯쌍이 형성되어 있다. 각 슬롯쌍에는 서로 직교 또는 교차하는 2개의 슬롯 구멍이 포함되어 있다. 이들 슬롯쌍은, 슬롯판(42)의 면내에 반경이 다른 동심원형으로 둘레 방향으로 복수 형성되어 있다. 동심원의 중심은, 축선(X) 방향에서 본 경우에, 예컨대 슬롯판(42)의 무게 중심이다.
또한, 슬롯판(42)의 상면에는 지파판(44)이 설치되어 있다. 지파판(44)은, 유전체로 형성된 각이 둥근 대략 정삼각형의 부재이며, 예컨대 알루미나세라믹 등에 의해 형성된다. 지파판(44)은 제2 유전체의 일례이다. 지파판(44)에는, 동축 도파관(22b)의 외측 도체(62b)를 배치하기 위한 대략 원통형의 개구가 형성된다. 이 개구의 주위를 형성하는 지파판(44)의 내경 측의 단부에는, 지파판(44)의 두께 방향으로 돌출하는 링 형상의 돌출부(44a)가 형성된다. 지파판(44)은, 돌출부(44a)가 상측으로 돌출하도록 슬롯판(42) 상에 부착되어 있다.
지파판(44)의 상면에는 냉각 플레이트(46)가 설치된다. 냉각 플레이트(46)는, 그 내부에 형성된 유로를 유통하는 냉매에 의해, 지파판(44)을 통해 안테나(22a)를 냉각한다. 냉각 플레이트(46)의 표면은 금속제이다. 냉각 플레이트(46) 상에는 냉각 플레이트(46)의 전면 또는 복수의 부분을 지파판(44)에 압압하는 압압부(47)가 설치되어 있다. 압압부(47)는, 예컨대 스파이럴 스프링 가스켓 등의 스프링을 이용하여 구성할 수 있다. 냉각 플레이트(46), 지파판(44), 슬롯판(42) 및 상부판(40)은, 압압부(47)의 압압력에 의해 상호 밀착되어 있다. 이에 따라, 대기압이나 플라즈마로부터의 열에 의해 상부판(40)이 구불거리게 된 경우라도, 냉각 플레이트(46), 지파판(44), 슬롯판(42) 및 상부판(40)은 계속해서 밀착할 수 있다. 그 결과, 안테나(22a)는, 냉각 플레이트(46)를 통해 효율적으로 방열할 수 있다. 또한, 냉각 플레이트(46)를 통한 안테나(22a)의 방열에 의해, 안테나(22a)의 변형이 억제된다. 그리고, 슬롯의 변형이 억제됨으로써, 제2 영역(R2)에 방사되는 냉각 플레이트(46)에 의해서 형성되는 전자계 분포의 변동이 억제된다.
동축 도파관(22b)은, 중공의 대략 원통형의 내측 도체(62a) 및 외측 도체(62b)를 갖춘다. 내측 도체(62a)는, 안테나(22a)의 위쪽에서 지파판(44)의 개구 및 슬롯판(42)의 개구를 관통한다. 내측 도체(62a) 내의 공간(64)은 상부판(40)의 분사구(40d)에 연통되어 있다. 또한, 내측 도체(62a)의 상단에는, 밸브(62v) 및 매스 플로우 컨트롤러 등의 유량 제어부(62c)를 통해, 반응 가스의 가스 공급원(62g)이 접속된다. 밸브(62v)로부터 동축 도파관(22b)에 공급된 반응 가스는, 내측 도체(62a) 내의 공간(64) 및 상부판(40)의 분사구(40d)를 통해 제2 영역(R2)에 공급된다.
외측 도체(62b)는, 내측 도체(62a)의 외주면과 외측 도체(62b)의 내주면 사이에 간극을 두고서, 내측 도체(62a)를 둘러싸는 식으로 형성된다. 외측 도체(62b)의 하단은 냉각 플레이트(46)의 개구부에 접속된다.
기판 처리 장치(10)는 도파관(60) 및 고주파 발생기(68)를 갖는다. 고주파 발생기(68)는, 예컨대 1 MHz~3 THz의 대역에 포함되는 고주파를 발생시킨다. 본 실시형태에서, 고주파 발생기(68)는, 300 MHz~3 THz의 대역에 포함되는 마이크로파(예컨대 2.45 GHz의 마이크로파)를 발생시킨다. 고주파 발생기(68)가 발생한 마이크로파는, 도파관(60)을 통해 동축 도파관(22b)에 전파되어, 내측 도체(62a)와 외측 도체(62b)와의 간극을 전파한다. 그리고, 지파판(44) 내부를 전파한 마이크로파는, 슬롯판(42)의 슬롯 구멍으로부터 상부판(40)에 전파되어, 상부판(40)으로부터 제2 영역(R2)에 방사된다.
또한, 제2 영역(R2)에는 반응 가스 공급부(22c)로부터도 반응 가스가 공급된다. 반응 가스 공급부(22c)는 가스 공급부(50a) 및 분사부(50b)를 갖는다. 가스 공급부(50a)는, 예컨대 개구(AP)의 주위로 뻗도록, 처리 용기(12)의 상부 부재(12b) 내측에 복수 설치된다. 분사부(50b)는, 가스 공급부(50a)로부터 공급된 반응 가스를 상부판(40)의 아래쪽을 향해 분사한다. 가스 공급부(50a)에는, 밸브(50v) 및 매스 플로우 컨트롤러 등의 유량 제어부(50c)를 통해, 반응 가스의 가스 공급원(50g)이 접속된다.
플라즈마 생성부(22)는, 상부판(40)의 분사구(40d) 및 반응 가스 공급부(22c)의 분사부(50b)에 의해 제2 영역(R2)에 반응 가스를 공급하고, 안테나(22a)에 의해 제2 영역(R2)에 마이크로파를 방사한다. 이에 따라, 제2 영역(R2)에서 반응 가스 플라즈마가 생성된다.
또한, 도 3에 도시하는 것과 같이, 기판 처리 장치(10)는, 기판 처리 장치(10)의 각 구성 요소를 제어하기 위한 제어부(70)를 갖춘다. 제어부(70)는, CPU(Central Processing Unit) 등의 제어 장치, 메모리 등의 기억 장치, 입출력 장치 등을 갖추는 컴퓨터라도 좋다. 제어부(70)는, 메모리에 기억된 제어 프로그램에 따라서 CPU가 동작함으로써, 기판 처리 장치(10)의 각 구성 요소를 제어한다.
제어부(70)는, 배치대(14)의 회전 속도를 제어하는 제어 신호를 구동 장치(24a)에 송신한다. 또한, 제어부(70)는, 기판(W)의 온도를 제어하는 제어 신호를 히터(26)에 접속된 전원에 송출한다. 또한, 제어부(70)는, 전구체 가스의 유량을 제어하는 제어 신호를 밸브(16v) 및 유량 제어기(16c)에 송출한다. 또한, 제어부(70)는, 배기구(18a)에 접속되는 배기 장치(34)의 배기량을 제어하는 제어 신호를 배기 장치(34)에 송신한다.
또한, 제어부(70)는, 퍼지 가스의 유량을 제어하는 제어 신호를 밸브(20v) 및 유량 제어기(20c)에 송신한다. 또한, 제어부(70)는, 마이크로파의 파워를 제어하는 제어 신호를 마이크로파 발생기(68)에 송신한다. 또한, 제어부(70)는, 반응 가스의 유량을 제어하는 제어 신호를 밸브(50v), 밸브(62v), 유량 제어부(50c) 및 유량 제어부(62c)에 송신한다. 또한, 제어부(70)는, 배기구(22h)로부터의 배기량을 제어하는 제어 신호를 배기 장치(52)에 송신한다.
도 6은 동축 도파관(22b)과 안테나(22a)와의 접속 부분의 확대 단면도이다. 냉각 플레이트(46)는 대략 평판형이며, 중앙에는 동축 도파관(22b)을 배치시키기 위한 개구가 형성되어 있다. 개구의 주위를 형성하는 냉각 플레이트(46)의 내경 측의 단부는 두께 방향으로 돌출되어 있다. 즉, 냉각 플레이트(46)는, 내경 측의 단부에서부터 판 두께 방향으로 돌출하는 링 형상의 돌출부(46a)를 갖는다. 냉각 플레이트(46)는, 돌출부(46a)가 상측이 되도록 안테나(22a) 상에 부착된다.
돌출부(46a)의 상단부에는 외측 도체(62b)의 하단이 접속된다. 외측 도체(62b)의 내주면과 돌출부(46a)의 내주면은 연속해 있고, 내측 도체(62a)의 외주면과 외측 도체(62b)의 내주면과의 직경 방향의 거리가, 내측 도체(62a)의 외주면과 돌출부(46a)의 내주면의 직경 방향의 거리와 대략 같아지도록 구성된다. 한편, 상기한 돌출부(44a)의 위쪽에는, 내측 도체(62a)의 외주면과 돌출부(46a)의 내주면 사이에 형성되는 틈이 위치하게 된다.
돌출부(46a)에는, 냉각 플레이트(46)의 외주측에서 내주측을 향해 비스듬히 아래 방향으로 연신하는 나사 구멍(46b)이 형성되어 있다. 나사 구멍(46b)의 내면에는 나사 홈이 형성되어 있다. 나사 구멍(46b)에는 스터브 부재(80)가 삽입된다. 스터브 부재(80)는, 외주에 나사산이 형성된 나사부(80a)와 막대형상부(80b)를 갖는다. 나사부(80a)를 회전시킴으로써, 그 회전량에 따라서, 막대형상부(80b)를 포함하는 스터브 부재(80) 전체를, 나사 구멍(46b)을 따라서 이동시킬 수 있다.
스터브 부재(80)는, 막대형상부(80b)의 선단이 내측 도체(62a)를 향하도록, 내측 도체(62a) 주위의 돌출부(46a) 내에 복수(예컨대 6개) 형성된다. 각각의 스터브 부재(80)의 나사부(80a)를 회전시킴으로써, 내측 도체(62a)의 외주면과 돌출부(46a)의 내주면 사이에 형성된 간극에 막대형상부(80b)를 삽입하는 양을 개별로 제어할 수 있다. 막대형상부(80b)의 삽입량을 제어함으로써, 상부판(40)의 하면에서 제2 영역(R2)으로 방사되는 마이크로파의 분포를 제어할 수 있다.
도 7은 지파판(44)의 개략 형상의 일례를 도시하는 평면도이다. 축선(X) 방향에서 본 경우의 지파판(44)의 평면 형상은, 각이 둥근 대략 정삼각형의 형상을 갖고 있고, 그 외형에는, 3 라인의 선(44b)과, 3 라인의 선(44c)이 포함된다. 각각의 선(44b)은, 대략 정삼각형의 삼각형(45)을 구성하는 각각의 변(45a)에 각각 포함된다. 각각의 선(44c)은, 인접하는 선(44b)의 단부끼리를, 지파판(44)의 외측으로 볼록하게 되는 곡선으로 연결한다. 선(44c)은 예컨대 미리 정해진 반경을 갖는 원의 일부이다. 이에 따라, 지파판(44) 내의 특정 위치에 응력이 집중하는 것을 억제할 수 있다.
축선(X) 방향에서 본 경우의 지파판(44)의 평면 형상은, 회전 대칭성(예컨대 3회 대칭성)을 갖는 형상인 것이 바람직하다. 그리고, 돌출부(44a)는 지파판(44)의 중심(예컨대 무게 중심)에 형성되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 동축 도파관(22b)의 내측 도체(62a)와 외측 도체(62b) 사이를 전파한 마이크로파는, 예컨대 부채꼴 형상을 갖는 지파판에 비해서, 돌출부(44a)의 상단에서 지파판(44) 내에 보다 균일하게 전파한다. 이에 따라, 지파판(44) 내부를 전파한 마이크로파가, 슬롯판(42)에 의해 균일하게 전파한다. 한편, 부채꼴 형상은, 축선(X) 방향에서 본 경우의 평면 형상을 구성하는 선분에, 축선(X)에서 떨어짐에 따라서 서로 멀어지는 2개의 선분을 포함하지만, 회전 대칭성은 없다.
여기서, 부채꼴 안테나의 경우, 마이크로파는, 안테나의 면 방향을 따라서 안테나의 상면에 배치된 도파관을 통해 공급된다. 그 때문에, 안테나의 상면에는 냉각 플레이트(46)를 배치할 수 없어, 안테나를 효율적으로 방열할 수 없다. 그 때문에, 부채꼴 안테나에서는, 발생한 열에 의해 안테나가 변형되거나 깨어지거나 하는 경우가 있다. 이에 대하여, 본 실시형태의 안테나(22a)에서는, 지파판(44)의 중심(예컨대 무게 중심)으로부터 마이크로파가 공급된다. 그 때문에, 안테나(22a)의 상면(지파판(44)의 상면)의 많은 영역을 냉각 플레이트(46)에 밀착시킬 수 있다. 이에 따라, 안테나(22a)를 보다 효율적으로 방열시킬 수 있어, 열에 의한 안테나(22a)의 변형이나 균열을 억제할 수 있게 된다.
도 8은 슬롯판(42)의 개략 형상의 일례를 도시하는 평면도이다. 슬롯판(42)은 판형의 금속 부재이며, 축선(X) 방향에서 본 경우의 평면 형상은, 예컨대 지파판(44)과 같은 형상으로 형성된다. 슬롯판(42)의 면내(예컨대 슬롯판(42)의 무게 중심)에는, 슬롯판(42)의 두께 방향으로 관통하는 개구(42d)가 형성된다. 또한, 슬롯판(42)에는, 개구(42d)를 중심으로 하여, 반경이 다른 동심원 상에, 복수의 슬롯쌍(42c)이 형성된다. 본 실시형태에서는, 반경이 다른 3개의 동심원의 각각을 따라서, 복수의 슬롯쌍(42c)이 형성되어 있다.
각각의 슬롯쌍(42c)은, 슬롯판(42)의 두께 방향으로 관통하는 슬롯(42a 및 42b)을 포함한다. 슬롯(42a 및 42b)은 긴 동그라미 향상으로 형성된다. 각각의 42c에 포함되는 슬롯(42a) 및 슬롯(42b)은 대략 L자형이 되도록 배치된다.
또한, 슬롯판(42) 상의 복수의 슬롯쌍(42c)의 배치는, 축선(X) 방향에서 본 경우에, 회전 대칭성(예컨대 3회 대칭성)을 갖는 배치인 것이 바람직하다. 이에 따라, 지파판(44)으로부터 전파한 마이크로파를 보다 균일하게 상부판(40)에 전파시킬 수 있다.
도 9는 상부판(40)의 개략 형상의 일례를 도시하는 평면도이다. 도 9에는, 제2 영역(R2)에 노출하는 쪽에서 본 경우의 상부판(40)이 예시되어 있다. 축선(X) 방향에서 본 경우의 상부판(40)의 평면 형상은 예컨대 지파판(44)과 같은 형상이며, 지파판(44)보다도 약간 크게 형성된다. 상부판(40)의 하면에는, 상부판(40)의 외연부를 따라서 제1 리브(40a)가 형성되고, 또한 그 내측에 대략 원형의 제2 리브(40b)가 형성된다. 또한, 제2 리브(40b)의 내측에는, 아래쪽으로 돌출된 돌출부(40c)가 형성되어 있고, 돌출부(40c)의 대략 중앙에는, 상부판(40)의 두께 방향으로 관통하는 분사구(40d)가 형성된다.
도 10은 안테나(22a) 전체의 개략 형상의 일례를 도시하는 사시도이다. 축선(X) 방향에서 본 경우에, 지파판(44)의 돌출부(44a), 슬롯판(42)의 슬롯(42a) 및 상부판(40)의 분사구(40d)의 위치를 맞추도록, 지파판(44), 슬롯판(42) 및 상부판(40)이 서로 겹쳐짐으로써, 안테나(22a)는 예컨대 도 10과 같이 구성된다. 지파판(44), 슬롯판(42, 및 상부판(40)이, 각각 각이 둥근 대략 정삼각형이기 때문에, 축선(X) 방향에서 본 경우의 안테나(22a)의 평면 형상은, 전체적으로 각이 둥근 대략 정삼각형이 된다.
지파판(44)이 대략 정삼각형의 형상을 갖고 있기 때문에, 예컨대 지파판(44)의 무게 중심에 접속된 동축 도파관(22b)을 통해 전파한 마이크로파가, 돌출부(44a)로부터 지파판(44) 내부를 보다 균일하게 전파한다. 또한, 슬롯판(42)에는, 회전 대칭성을 갖는 배치로 슬롯쌍(42c)이 형성되어 있기 때문에, 지파판(44)을 전파한 마이크로파가, 슬롯판(42)을 통해 보다 균일하게 상부판(40)에 전파된다. 그 때문에, 안테나(22a)는 상부판(40)으로부터 보다 균일한 마이크로파를 제2 영역(R2)에 방사할 수 있다.
여기서, 안테나(22a)의 각 변의 각도의 바람직한 범위에 관해서 설명한다. 도 11은 안테나(22a)의 변의 각도를 설명하기 위한 도면이다. 안테나(22a)는, 지파판(44)과 마찬가지로, 예컨대 도 11에 도시하는 것과 같이, 축선(X) 방향에서 본 경우에, 각이 둥근 대략 정삼각형의 형상을 갖고 있고, 그 외형에는, 3 라인의 선(220a)과 3 라인의 선(220b)이 포함된다. 각각의 선(220a)은, 대략 정삼각형의 삼각형(221)을 구성하는 각각의 변(221a)에 각각 포함된다. 각각의 선(220b)은, 인접하는 선(220a)의 단부끼리를, 안테나(22a)의 외측으로 볼록하게 되는 곡선으로 연결한다. 선(220b)은 예컨대 미리 정해진 반경을 갖는 원의 일부이다.
안테나(22a)는, 예컨대 도 11에 도시하는 것과 같이, 축선(X)이, 안테나(22a)의 외형을 포함하는 삼각형(221)의 정점의 하나를 지나도록, 상부 부재(12b)의 개구(AP)에 설치된다. 도 11에 도시하는 것과 같이, 안테나(22a)의 외형을 포함하는 삼각형(221)의 정점 중, 축선(X)에 일치하는 정점으로부터 뻗는 2개의 변(221a)이 이루는 각도를 (60-2β)도, 다른 정점으로부터 뻗는 2개의 변(221a)이 이루는 각도를 각각 (60+β)도라고 정의한다.
도 12는 안테나(22a)의 변(221a)의 각도와, 마이크로파의 분포 균일성과의 관계 시뮬레이션 결과의 일례를 도시하는 도면이다. 도 12에 도시하는 것과 같이, β의 값이 0인 경우(즉, 안테나(22a)의 각 변(221a)을 포함하는 삼각형(221)이 정삼각형인 경우)가 안테나(22a)로부터 방사되는 마이크로파의 균일성이 가장 좋고, β의 값을 0에서 증가 또는 감소시킴으로써, 마이크로파의 균일성이 악화된다.
한편, 도 12에서는, 마이크로파의 균일성(강도 분포의 대칭성)을, (최대치-최소치)/(2×평균치)로 산출하고 있기 때문에, 값이 낮을수록 균일성이 좋음을 보이고 있다. 발명자는, 더욱 예의 검토를 거듭한 결과, β의 값이 -0.5에서부터 +0.5의 범위 내라면, 마이크로파의 균일성이 대개 0.5% 이내로 억제되는 것을 알 수 있었다.
도 13은 스터브 부재(80)의 삽입량과, 마이크로파의 분포 균일성과의 관계 시뮬레이션 결과의 일례를 도시하는 도면이다. 도 13에 예시한 그래프에서, 횡축은, 스터브 부재(80)의 막대형상부(80b)의 선단과 내측 도체(62a)의 외주면 사이의 거리인 스터브 갭을 나타내고 있다. 또한, 도 13에 도시한 시뮬레이션에서의 막대형상부(80b)의 삽입 방향은, 도 11에 도시한 안테나(22a)에 있어서, 축선(X)에서 돌출부(44a)(안테나(22a)의 무게 중심)로 향하는 방향이다.
도 13의 시뮬레이션 결과로부터 분명한 것과 같이, 스터브 갭을 변화시킴으로써, 안테나(22a)로부터 방사되는 마이크로파의 균일성이 약 18%에서 약 13%로 변화된다. 즉, 스터브 부재(80)의 막대형상부(80b)의 삽입량을 제어함으로써, 안테나(22a)로부터 방사되는 마이크로파의 균일성을 약 5% 개선시킬 수 있음을 알 수 있었다.
도 12 및 도 13의 시뮬레이션 결과로부터, 안테나(22a)의 외형을 포함하는 삼각형(221)의 정점 중, 축선(X)이 지나는 정점으로부터 뻗는 2개의 변(221a)이 이루는 각도가 60도±1도의 범위 내이면서, 다른 정점으로부터 뻗는 2개의 변(221a)이 이루는 각도가 각각 60도±0.5도의 범위 내라면, 마이크로파의 균일성 악화를 대략 5% 이내로 억제할 수 있게 된다. 그리고, 마이크로파의 균일성 악화가 5% 이내라면, 스터브 부재(80)의 막대형상부(80b)의 삽입량으로, 마이크로파의 균일성 악화를 상쇄할 수 있게 된다.
도 14는, 안테나(22a)의 선(220a)의 위치와, 기판(W)의 통과 영역과의 관계의 일례를 설명하기 위한 도면이다. 안테나(22a)는, 축선(X)이, 안테나(22a)의 외형을 포함하는 삼각형의 정점의 하나를 지나도록, 상부 부재(12b)의 개구(AP)에 설치된다. 그리고, 안테나(22a)는, 안테나(22a)의 외형에 포함되는 2개의 선(220a)이, 각각, 예컨대 축선(X)와 직교하는 평면 내를, 축선(X)에서 직경 방향으로 뻗는 직선 상에 위치하도록, 상부 부재(12b)의 개구(AP)에 설치된다.
안테나(22a)는, 직선형의 선(220a)의 길이 L1이, 기판(W)의 직경 W2보다도 길게 되도록 형성되는 것이 바람직하다. 그리고, 안테나(22a)는, 축선(X) 방향에서 본 경우에, 배치대(14)의 기판 배치 영역(14a) 상에 배치된 기판(W)이, 배치대(14)의 회전에 따라 안테나(22a) 아래를 통과할 때에, 기판(W) 전체가 각각의 선(220a) 내부를 지나는 위치에 배치되는 것이 바람직하다. 이와 같이, 기판(W) 전체가, 축선(X)에서 직경 방향으로 뻗는 선(220a)의 아래를 통과함으로써, 기판(W)은, 플라즈마 생성부(22)에 의해서 생성된 플라즈마에 노출되는 시간을, 기판(W) 상의 각 위치에서, 축선(X)으로부터의 거리에 상관없이 일정하게 할 수 있다.
또한, 안테나(22a)는, 축선(X) 방향에서 본 경우에, 기판(W)의 중심(Q)이 지나는 궤도상에, 선(220a)의 중앙(P)이 위치하도록 상부 부재(12b)에 배치되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 기판(W)을, 보다 균일한 플라즈마 영역을 통과시킬 수 있다. 한편, 기판(W)의 중심(Q)이 지나는 궤도상에 선(220a)의 중앙(P)이 위치하도록 안테나(22a)를 배치한 경우, 안테나(22a)의 무게 중심(동축 도파관(22b)으로부터 마이크로파가 공급되는 돌출부(44a)의 위치)은, 기판(W)의 중심(Q)이 지나는 궤도로부터, 축선(X)과 반대쪽의 방향으로 미리 정해진 거리 L2만큼 떨어진 위치가 된다.
이상, 일 실시형태에 관해서 설명했다.
본 실시형태의 기판 처리 장치(10)에 따르면, 기판(W) 상의 위치마다의, 플라즈마 영역을 통과하는 시간의 변동을 낮게 억제하는 동시에, 생성되는 플라즈마의 균일성을 높일 수 있게 된다고 하는 효과를 발휘한다.
한편, 상기한 실시형태에서, 각 플라즈마 생성부(22)의 안테나(22a)는, 상부 부재(12b)의 개구(AP)에 고정되지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 각각의 안테나(22a)는, 대략 원통형의 처리 용기(12)의 직경 방향으로 이동할 수 있도록 상부 부재(12b)의 개구(AP)에 부착되어 있더라도 좋다. 이에 따라, 플라즈마 생성부(22)에서 생성된 플라즈마의 분포를, 처리 용기(12)의 직경 방향에서 미세 조정할 수 있게 된다.
또한, 상기한 실시형태에서, 안테나(22a)의 외형은, 각이 둥근 대략 정삼각형 형상이지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 안테나(22a)의 외형은, 축선(X) 방향에서 본 경우의 평면 형상을 구성하는 선분에, 축선(X)에서 떨어짐에 따라서 서로 멀어지는 2개의 선분을 포함하는 형상이라면, 예컨대 부채꼴 형상이라도 좋다. 다만, 그 경우라도, 마이크로파는, 동축 도파관(22b)에 의해, 안테나(22a)의 중앙(예컨대 무게 중심)으로부터 안테나(22a)에 공급된다. 이에 따라, 기판(W) 상의 위치마다의, 플라즈마 영역을 통과하는 시간의 변동을 낮게 억제할 수 있는 동시에, 안테나(22a)의 상면에 밀착하고 있는 냉각 플레이트(46)로부터 효율적으로 안테나(22a)의 열을 방출할 수 있다. 또한, 상기한 실시형태에서, 안테나(22a)는 상부판(40)을 갖지만, 개시하는 기술은 이것에 한정되지 않으며, 안테나(22a)는 상부판(40)을 갖고 있지 않아도 좋다. 이 경우, 안테나(22a)는, 진공 중에 노출된 도전성의 전극으로서 기능한다. 또한, 배치대(14)의 재질은, 도전성이라도 좋고, 유전체라도 좋다. 또한 가스는, 상부판(40) 혹은 전극으로부터 공급되어도 좋다.
이상, 본 발명을 실시형태를 이용하여 설명했지만, 본 발명의 기술적 범위는 상기 실시형태에 기재한 범위에 한정되지는 않는다. 상기 실시형태에 다양한 변경 또는 개량을 가할 수 있다는 것이 당업자에게는 자명하다. 또한, 그와 같은 변경 또는 개량을 가한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함될 수 있다는 것이 특허청구범위의 기재로부터 분명하다.
U: 유닛, X: 축선, 10: 기판 처리 장치, 12: 처리 용기, 14: 배치대, 16a: 분사부, 22: 플라즈마 생성부, 22a: 안테나

Claims (12)

  1. 피처리 기판을 배치하고, 상기 피처리 기판이 축선의 주위를 이동하도록 상기 축선을 중심으로 회전 가능하게 설치된 배치대와,
    상기 배치대의 회전에 의해 상기 축선에 대하여 둘레 방향으로 이동하는 상기 피처리 기판이 순차 통과하는 복수 영역의 각각에 가스를 공급하는 가스 공급부와,
    상기 복수 영역 중의 하나의 영역인 플라즈마 생성 영역에 있어서, 그 플라즈마 생성 영역에 공급된 가스의 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성부를 구비하고,
    상기 플라즈마 생성부는,
    상기 플라즈마 생성 영역에 1 MHz ~ 3 THz 대역의 고주파를 방사하는 안테나와,
    상기 안테나에 상기 고주파를 공급하는 급전부를 지니고,
    상기 안테나를 상기 축선을 따른 방향에서 본 경우의 평면 형상을 구성하는 선분에는,
    상기 축선으로부터 떨어짐에 따라서 서로 멀어지는 2개의 선분이 포함되고,
    상기 급전부는,
    상기 안테나의 무게 중심으로부터 상기 안테나에 상기 고주파를 공급하고,
    상기 안테나를 상기 축선을 따른 방향에서 본 경우의 평면 형상은, 정삼각형이고,
    상기 급전부는 상기 정삼각형의 중심에 접속되고,
    상기 정삼각형의 중심과 상기 정삼각형의 하나의 정점의 연장선 상에 상기 축선이 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 안테나를 상기 축선을 따른 방향에서 본 경우의 평면 형상은, 회전 대칭성을 갖는 형상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 삭제
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 2개의 선분의 각각은, 원판형의 상기 피처리 기판의 직경보다도 길고,
    상기 안테나는,
    상기 축선을 따른 방향에서 본 경우에, 상기 배치대 상의 상기 피처리 기판이, 상기 2개의 선분 내부를 통과하도록, 상기 플라즈마 생성 영역에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 안테나는,
    상기 축선을 따른 방향에서 본 경우에, 상기 배치대 상의 상기 피처리 기판의 중심이, 상기 2개의 선분의 중앙을 통과하도록, 상기 플라즈마 생성 영역에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 플라즈마 생성부는,
    상기 급전부에 삽입되며, 삽입량의 제어가 가능한 스터브(stub)를 더 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 2개의 선분은
    미리 정해진 반경을 갖는 원의 일부인 곡선으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 삭제
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 고주파는 마이크로파인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 급전부는 동축 도파관인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 안테나는,
    제1 유전체와,
    상기 제1 유전체 상에 설치되고, 상기 동축 도파관의 내측 도체가 접속되는 슬롯판과,
    상기 슬롯판 상에 설치되는 제2 유전체와,
    상기 제2 유전체 상에 설치되고, 내부에 냉매를 유통시키기 위한 유로를 갖는 냉각 플레이트를 지니고,
    상기 슬롯판에는, 2개의 슬롯을 갖는 슬롯쌍이, 상기 축선을 따른 방향에서 본 경우에, 상기 동축 도파관의 내측 도체가 접속되는 위치를 중심으로 하여, 반경이 다른 동심원형으로 나란하도록 복수 형성되고,
    상기 복수의 슬롯쌍은, 상기 축선을 따른 방향에서 본 경우에, 회전 대칭이 되도록 상기 슬롯판에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 동축 도파관이 접속되는 쪽의 상기 안테나의 면 위에 배치되어, 상기 냉각 플레이트를 상기 제2 유전체에 압압하는 압압부를 더욱 구비하고,
    상기 냉각 플레이트, 상기 제2 유전체, 상기 슬롯판 및 상기 제1 유전체는,
    상기 압압부의 압압력에 의해 상호 밀착되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6305314B2 (ja) * 2014-10-29 2018-04-04 東京エレクトロン株式会社 成膜装置およびシャワーヘッド
JP6479550B2 (ja) * 2015-04-22 2019-03-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP6569521B2 (ja) * 2015-12-24 2019-09-04 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
KR102084235B1 (ko) * 2015-12-28 2020-03-03 아이원스 주식회사 투명 불소계 박막의 형성 방법 및 이에 따른 투명 불소계 박막
JP6584355B2 (ja) * 2016-03-29 2019-10-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US10370763B2 (en) * 2016-04-18 2019-08-06 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US10748745B2 (en) 2016-08-16 2020-08-18 Applied Materials, Inc. Modular microwave plasma source
JP6850636B2 (ja) 2017-03-03 2021-03-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US10707058B2 (en) * 2017-04-11 2020-07-07 Applied Materials, Inc. Symmetric and irregular shaped plasmas using modular microwave sources
US11037764B2 (en) 2017-05-06 2021-06-15 Applied Materials, Inc. Modular microwave source with local Lorentz force
JP7067913B2 (ja) * 2017-12-13 2022-05-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US11393661B2 (en) 2018-04-20 2022-07-19 Applied Materials, Inc. Remote modular high-frequency source
US10504699B2 (en) 2018-04-20 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Phased array modular high-frequency source
US11081317B2 (en) 2018-04-20 2021-08-03 Applied Materials, Inc. Modular high-frequency source
KR20220021514A (ko) * 2020-08-14 2022-02-22 삼성전자주식회사 상부 전극 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011021607A1 (ja) * 2009-08-21 2011-02-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置および基板処理方法
US20110146910A1 (en) 2008-06-11 2011-06-23 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP2013168437A (ja) * 2012-02-14 2013-08-29 Tokyo Electron Ltd 成膜装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11135438A (ja) * 1997-10-28 1999-05-21 Nippon Asm Kk 半導体プラズマ処理装置
TW508693B (en) * 1999-08-31 2002-11-01 Tokyo Electron Limted Plasma treating apparatus and plasma treating method
WO2001052302A1 (en) * 2000-01-10 2001-07-19 Tokyo Electron Limited Segmented electrode assembly and method for plasma processing
US8006640B2 (en) * 2006-03-27 2011-08-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
US8187679B2 (en) * 2006-07-29 2012-05-29 Lotus Applied Technology, Llc Radical-enhanced atomic layer deposition system and method
WO2008153064A1 (ja) * 2007-06-11 2008-12-18 Tokyo Electron Limited プラズマ処理装置および処理方法
JP5096047B2 (ja) * 2007-06-14 2012-12-12 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波透過板
JP5195176B2 (ja) * 2008-08-29 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5812606B2 (ja) * 2010-02-26 2015-11-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR101246170B1 (ko) * 2011-01-13 2013-03-25 국제엘렉트릭코리아 주식회사 반도체 제조에 사용되는 분사부재 및 그것을 갖는 플라즈마 처리 장치
JP5644719B2 (ja) * 2011-08-24 2014-12-24 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置及びプラズマ発生装置
JP5712874B2 (ja) * 2011-09-05 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110146910A1 (en) 2008-06-11 2011-06-23 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
WO2011021607A1 (ja) * 2009-08-21 2011-02-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置および基板処理方法
JP2013168437A (ja) * 2012-02-14 2013-08-29 Tokyo Electron Ltd 成膜装置

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