JP6753678B2 - 荷電粒子ビーム装置及びプラズマ点火方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム装置及びプラズマ点火方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6753678B2 JP6753678B2 JP2016061917A JP2016061917A JP6753678B2 JP 6753678 B2 JP6753678 B2 JP 6753678B2 JP 2016061917 A JP2016061917 A JP 2016061917A JP 2016061917 A JP2016061917 A JP 2016061917A JP 6753678 B2 JP6753678 B2 JP 6753678B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- pressure
- electrode
- charged particle
- particle beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/224—Luminescent screens or photographic plates for imaging ; Apparatus specially adapted therefor, e.g. cameras, TV-cameras, photographic equipment, exposure control; Optical subsystems specially adapted therefor, e.g. microscopes for observing image on luminescent screen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32422—Arrangement for selecting ions or species in the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
- H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32651—Shields, e.g. dark space shields, Faraday shields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/3299—Feedback systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/006—Details of gas supplies, e.g. in an ion source, to a beam line, to a specimen or to a workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/03—Mounting, supporting, spacing or insulating electrodes
- H01J2237/038—Insulating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/061—Construction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31749—Focused ion beam
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
パルス電圧波形を用いることにより、振動波形の初期電圧が非常に高い電圧であっても、パルスあたりの全電力は小さいものである。しかし、パルスの振動波形の初期電圧として高い電圧を印加する必要があった。
本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、プラズマが点火されるために必要な電圧を低く抑えることを目的とする。
イルとの間に設けられるシールドとを更に備え、前記電極はフローティング電極である。
また、本発明の一態様の荷電粒子ビーム装置において、前記検出部は、前記コイルのインピーダンスの変化を検出することにより、前記プラズマ生成室にプラズマが点火されたことを検出する。
ステージ12は、試料Sを保持する。
駆動機構13は、ステージ12に接続された状態で試料室11の内部に収容されており、制御部21から出力される制御信号に応じてステージ12を所定軸に対して変位させる。駆動機構13は、水平面に平行かつ互いに直交するX軸およびY軸と、X軸およびY軸に直交する鉛直方向のZ軸とに沿って平行にステージ12を移動させる移動機構13aを備えている。駆動機構13は、ステージ12をX軸またはY軸周りに回転させるチルト機構13bと、ステージ12をZ軸周りに回転させる回転機構13cと、を備えている。
集束イオンビーム鏡筒14は、イオンを発生させるプラズマイオン源14aと、プラズマイオン源14aから引き出されたイオンを集束および偏向させるイオン光学系14bと、を備えている。プラズマイオン源14aおよびイオン光学系14bは、制御部21から出力される制御信号に応じて制御され、集束イオンビームの照射位置および照射条件などが制御部21によって制御される。イオン光学系14bは、例えば、コンデンサレンズなどの第1静電レンズと、静電偏向器と、対物レンズなどの第2静電レンズと、などを備えている。なお、図1では静電レンズは2組であるが、3組以上備えてもよい。この場合、各レンズ間にアパーチャを設ける。
トーチ30の形状は、筒状に形成されている。トーチ30は、誘電体材料によって形成されている。誘電体材料は、例えば、石英ガラス、アルミナ、および窒化アルミニウムの何れかなどである。トーチ30の第1端部には、第1接地電位フランジ31が設けられている。トーチ30の第2端部には、第2接地電位フランジ32が設けられている。第1接地電位フランジ31および第2接地電位フランジ32は、接地電位に維持されている。第1接地電位フランジ31および第2接地電位フランジ32は、非磁性金属、例えば、銅やアルミなど、である。
トーチ30は、ガス導入室33およびプラズマ生成室34を形成している。ガス導入室33は、第1接地電位フランジ31に接続されるガス導入室材35と、トーチ30の内部に配置される末端電極36とによって形成されている。プラズマ生成室34は、末端電極36と、トーチ30の第2端部に配置されるプラズマ電極37とによって形成されている。末端電極36およびプラズマ電極37は、非磁性金属、例えば、銅やタングステンやモリブデンなど、である。プラズマが末端電極36およびプラズマ電極37をスパッタしてトーチ30の内壁に付着するため、スパッタに必要なエネルギーが高いタングステンやモリブデンの方が好ましい。また、末端電極36は、フローティング電極である。ガス導入室33の内部には、絶縁部材38が収容されている。
トーチ30の外部には、プラズマ生成室34の外周に沿って巻かれるコイル39が配置されている。コイル39には、RF電源39aから高周波電力が供給される。また、コイル39には、図5に示すように検出部39bが接続される。検出部39bは、プラズマ生成室34の内部にプラズマが点火されたか否かを検出する。検出部39bは、コイル39のインピーダンスの変化を検出することにより、プラズマが点火されたことを検出する。
ファラデーシールド40は、トーチ30とコイル39との間に設けられる。ファラデーシールド40とは、側面にスリットが設けられた電導性があり且つ非磁性の円筒状の部材である。ファラデーシールド40は、コイル39とプラズマの容量結合成分を小さくできる。そのため、ファラデーシールド40は、イオンビームのエネルギーの広がりを低減することができる。つまり、ファラデーシールド40を用いることにより、荷電粒子ビーム装置10はイオンビームを細く絞ることが可能である。
ガス導入室33およびプラズマ生成室34の境界に配置される末端電極36には、ガス導入室33からプラズマ生成室34に原料ガスを導入する複数の貫通孔36aが設けられている。複数の貫通孔36aの各々の大きさR(例えば、円形の貫通孔36aの直径など)は、プラズマシース長よりも小さく形成されている。プラズマシース長は、例えば、数10μm〜数100μmである。
プラズマ電極37には、プラズマ生成室34から外部にイオンを引き出す開口部37aが設けられている。
なお、プラズマ電極37には、接続部材(図示略)が装着される装着孔36bが絶縁部材38の装着孔38aに臨むように形成されている。
記憶部60には、図6に示すように、ガス圧の情報が記憶されている。ガス圧の情報には検出部39bが、プラズマが点火されたことを検出する前と、プラズマが点火されたことを検出した後とで設定するガス圧の情報がある。また、ガス圧の情報には、ガス供給源から供給される原料ガスの種類に応じたガス圧の情報がある。具体的には、記憶部60には、点火圧P1が記憶されている。点火圧P1とは、圧力調整装置35bがプラズマが点火されたことを検出する前に供給するガス圧である。また、記憶部60には、運転圧P2が記憶されている。運転圧P2とは、圧力調整装置35bがプラズマが点火されたことを検出した後に供給するガス圧である。
点火圧P1及び運転圧P2は、パッシェンの法則に基づいて予め決められている。パッシェンの法則は、火花電圧と(圧力×電極間距離)との関係を示している。電極間距離は、荷電粒子ビーム装置10の部品配置によって予め決まっている。
圧力調整装置35bは、供給する原料ガスの圧力を点火圧P1に調整する。プラズマ生成室34の圧力は、点火圧P1に調整される。
点火圧P1とは、高圧力領域PT1(火花電圧V1,点火圧P1)が示す、所望の火花電圧V1によってプラズマを点火できる圧力である。高圧力領域PT1とは、具体的には、図7に示すようにパッシェンの法則における火花電圧が小さい領域側の圧力である。
なお、上述した説明では、圧力制御部51が記憶部60から点火圧P1及び運転圧P2を取得した。しかし、圧力制御部51は点火圧P1及び運転圧P2を記憶部60から取得せずに算出するようにしてもよい。点火圧P1及び運転圧P2を言い換えると、圧力制御部51は、原料ガスの種類と、プラズマ電極37に印加される電圧(火花電圧)とから、パッシェンの法則に基づいて、供給する原料ガスの圧力を算出してもよい。
電子ビーム鏡筒15は、電子を発生させる電子源15aと、電子源15aから射出された電子を集束および偏向させる電子光学系15bと、を備えている。電子源15aおよび電子光学系15bは、制御部21から出力される制御信号に応じて制御され、電子ビームの照射位置および照射条件などが制御部21によって制御される。電子光学系15bは、例えば、電磁レンズと偏向器となどを備えている。
検出器16は、試料室11の内部において二次荷電粒子Rの量を検出可能な位置、例えば照射領域内の試料Sなどの照射対象に対して斜め上方の位置などに配置され、試料室11に固定されている。
制御部21は、入力デバイス22から出力される信号または予め設定された自動運転制御処理によって生成される信号などによって、荷電粒子ビーム装置10の動作を統合的に制御する。
ここまでは、プラズマが点火される前の点火制御部50の動作の一例について説明したが、次に、プラズマが点火された後の点火制御部50の動作の一例について説明する。
検出部39bがプラズマの点火を検出すると、点火制御部50は、記憶部60から運転圧P2を取得する。運転圧P2とは、図6に示すように、プラズマが点火されたことを検出した後のガス圧である。圧力制御部51は圧力調整装置35bに、原料ガスを供給する圧力を変更する指示を出す。圧力調整装置35bは、供給する原料ガスの圧力を運転圧P2に調整する。プラズマ生成室34の圧力は、運転圧P2に調整される。運転圧P2とは、より具体的には、図7に示すような、低圧力領域PT2(火花電圧V2,運転圧P2)が示す運転圧P2である。なお、運転圧P2は、点火圧P1よりも低い圧力である。
その後、プラズマ電極37にはイオンビームの加速エネルギーとなる所定の電圧を印加してプラズマに加速電圧を印加する。プラズマからイオンを引き出すための引出電極(不図示)に電圧を印加して、後段の集束レンズにより集束イオンビームを生成する。
つまり、荷電粒子ビーム装置10は、運転圧P2の圧力によって原料ガスを供給する。荷電粒子ビーム装置10は、運転圧P2の圧力によって原料ガスを供給することにより、点火されたプラズマを維持する。荷電粒子ビーム装置10は、点火圧P1の圧力によって原料ガスを供給すると、プラズマ電極37に印加する加速電圧を維持できない等、集束イオンビームの性能が低下する(点火されたプラズマは安定せず消える)。
次に、点火制御部50の動作手順について、図8を参照して説明する。
点火制御部50は、検出部39bからプラズマが点火されたか否かの検出結果を取得する(ステップS110)。点火制御部50は、プラズマが点火されたか否かによって記憶部60から取得する圧力を判断する(ステップS120)。プラズマが点火された場合、点火制御部50は、運転圧P2を取得する(ステップS130)。プラズマが点火されていない場合、点火制御部50は、点火圧P1を取得する(ステップS140)。点火制御部50は、圧力調整装置35bに対して、ガス圧を指示する。圧力調整装置35bは、供給する原料ガスの圧力を、点火制御部50から指示された圧力に調整する(ステップS150)。
Claims (7)
- 原料ガスが導入されるガス導入室と、
前記ガス導入室に接続されたプラズマ生成室と、
前記プラズマ生成室の外周に沿って巻かれ、高周波電力が印加されるコイルと、
前記ガス導入室および前記プラズマ生成室の境界に配置され、複数の貫通孔が設けられた電極と、
前記電極と離間して設けられたプラズマ電極と、
前記プラズマ生成室にプラズマが点火されたか否かを検出する検出部と、
前記検出部が検出する結果に基づいて、プラズマが点火される前は、前記プラズマ電極に対して供給する電圧を点火電圧に制御し、かつ前記原料ガスを点火圧に制御し、プラズマが点火された後は、前記プラズマ電極に対して供給する電圧を所定の加速電圧に制御し、かつ前記原料ガスを前記点火圧より低い運転圧に制御する制御部と、
を備える
ことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。 - 前記所定の圧力には、
プラズマが点火されたと前記検出部が検出した場合の第1圧力と、前記第1圧力よりも圧力が低い第2圧力とが含まれ、
前記制御部は、プラズマが点火したと前記検出部が検出した場合に、前記第1圧力から前記第2圧力に圧力を変化させて制御する
ことを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム装置。 - 前記第2圧力とは、
前記プラズマが点火する際に前記プラズマ電極に対して供給される電圧が、点火前の前記原料ガスに対して前記プラズマ電極から印加された場合に、前記原料ガスの点火条件が成立しない範囲の圧力である
ことを特徴とする請求項2に記載の荷電粒子ビーム装置。 - 前記制御部は、前記電圧をパッシェンの法則における火花電圧の下限値以上から下限値の2倍の値以下の範囲にして、前記電圧と前記所定の圧力とを対応づけて制御する
ことを特徴とする請求項1から請求項3の何れか1つに記載の荷電粒子ビーム装置。 - 前記プラズマ生成室と、前記コイルとの間に設けられるシールドとを更に備え、
前記電極はフローティング電極である
ことを特徴とする請求項1から請求項4の何れか1つに記載の荷電粒子ビーム装置。 - 前記検出部は、前記コイルのインピーダンスの変化を検出することにより、前記プラズマ生成室にプラズマが点火されたことを検出する
ことを特徴とする請求項1から請求項5の何れか1つに記載の荷電粒子ビーム装置。 - 原料ガスが導入されるガス導入室と、
前記ガス導入室に接続されたプラズマ生成室と、
前記プラズマ生成室の外周に沿って巻かれ、高周波電力が印加されるコイルと、
前記ガス導入室および前記プラズマ生成室の境界に配置され、複数の貫通孔が設けられた電極と、
前記電極と離間して設けられたプラズマ電極と
を備える荷電粒子ビーム装置において、
前記プラズマ生成室にプラズマが点火されたか否かを検出する検出ステップと、
前記検出ステップから検出される結果に基づいて、プラズマが点火される前は、前記プラズマ電極に対して供給する電圧を点火電圧に制御し、かつ前記原料ガスを点火圧に制御し、プラズマが点火された後は、前記プラズマ電極に対して供給する電圧を所定の加速電圧に制御し、かつ前記原料ガスを前記点火圧より低い運転圧に制御する制御ステップと、
を有することを特徴とする荷電粒子ビーム装置を用いたプラズマ点火方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016061917A JP6753678B2 (ja) | 2016-03-25 | 2016-03-25 | 荷電粒子ビーム装置及びプラズマ点火方法 |
TW106100730A TWI713671B (zh) | 2016-03-25 | 2017-01-10 | 帶電粒子束裝置及電漿點火方法 |
KR1020170035442A KR102389647B1 (ko) | 2016-03-25 | 2017-03-21 | 하전 입자 빔 장치 및 플라즈마 점화 방법 |
US15/468,676 US10056232B2 (en) | 2016-03-25 | 2017-03-24 | Charged particle beam apparatus and plasma ignition method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016061917A JP6753678B2 (ja) | 2016-03-25 | 2016-03-25 | 荷電粒子ビーム装置及びプラズマ点火方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017174730A JP2017174730A (ja) | 2017-09-28 |
JP6753678B2 true JP6753678B2 (ja) | 2020-09-09 |
Family
ID=59898671
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016061917A Active JP6753678B2 (ja) | 2016-03-25 | 2016-03-25 | 荷電粒子ビーム装置及びプラズマ点火方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10056232B2 (ja) |
JP (1) | JP6753678B2 (ja) |
KR (1) | KR102389647B1 (ja) |
TW (1) | TWI713671B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7125749B2 (ja) * | 2018-10-29 | 2022-08-25 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004281232A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Ebara Corp | ビーム源及びビーム処理装置 |
JP4079834B2 (ja) * | 2003-06-04 | 2008-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
JP4620524B2 (ja) * | 2005-05-17 | 2011-01-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
KR101247198B1 (ko) * | 2005-09-09 | 2013-03-25 | 가부시키가이샤 알박 | 이온원 및 플라스마 처리장치 |
US7732759B2 (en) * | 2008-05-23 | 2010-06-08 | Tokyo Electron Limited | Multi-plasma neutral beam source and method of operating |
US8343371B2 (en) * | 2010-01-15 | 2013-01-01 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for improving photoresist properties using a quasi-neutral beam |
US8124942B2 (en) * | 2010-02-16 | 2012-02-28 | Fei Company | Plasma igniter for an inductively coupled plasma ion source |
US8455822B2 (en) * | 2010-08-31 | 2013-06-04 | Fei Company | Navigation and sample processing using an ion source containing both low-mass and high-mass species |
KR101893471B1 (ko) * | 2011-02-15 | 2018-08-30 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 멀티존 플라즈마 생성을 위한 방법 및 장치 |
US8633452B2 (en) * | 2011-07-13 | 2014-01-21 | Fei Company | Methods and structures for rapid switching between different process gases in an inductively-coupled plasma (ICP) ion source |
JP2014157719A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Toyota Motor Corp | プラズマ発生装置及びプラズマ発生装置の制御方法 |
US10475626B2 (en) * | 2015-03-17 | 2019-11-12 | Applied Materials, Inc. | Ion-ion plasma atomic layer etch process and reactor |
-
2016
- 2016-03-25 JP JP2016061917A patent/JP6753678B2/ja active Active
-
2017
- 2017-01-10 TW TW106100730A patent/TWI713671B/zh active
- 2017-03-21 KR KR1020170035442A patent/KR102389647B1/ko active IP Right Grant
- 2017-03-24 US US15/468,676 patent/US10056232B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10056232B2 (en) | 2018-08-21 |
US20170278678A1 (en) | 2017-09-28 |
TWI713671B (zh) | 2020-12-21 |
TW201738923A (zh) | 2017-11-01 |
KR20170113162A (ko) | 2017-10-12 |
JP2017174730A (ja) | 2017-09-28 |
KR102389647B1 (ko) | 2022-04-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5744454B2 (ja) | ユーザが選択可能な複数の動作モードを有する荷電粒子ビーム・システム | |
JP5371142B2 (ja) | マルチソース型のプラズマ集束イオン・ビーム・システム | |
JP5792509B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置及び試料加工方法 | |
JP6227257B2 (ja) | 自動化されたイオン・ビームのアイドリング | |
KR102520928B1 (ko) | 플라즈마 이온원 및 하전 입자 빔 장치 | |
JP6433515B2 (ja) | ミラーイオン顕微鏡およびイオンビーム制御方法 | |
JP6753678B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置及びプラズマ点火方法 | |
KR102521450B1 (ko) | 플라즈마 이온원 및 하전 입자 빔 장치 | |
KR20180109687A (ko) | 하전 입자 빔 장치 | |
JP7125749B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
US10176964B2 (en) | Focused ion beam apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20181102 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190214 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191126 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20200123 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200325 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200721 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200820 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6753678 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |