JP2001220667A - スパッタされたドープ済みのシード層を形成する方法及び装置 - Google Patents

スパッタされたドープ済みのシード層を形成する方法及び装置

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JP2001220667A JP2000335227A JP2000335227A JP2001220667A JP 2001220667 A JP2001220667 A JP 2001220667A JP 2000335227 A JP2000335227 A JP 2000335227A JP 2000335227 A JP2000335227 A JP 2000335227A JP 2001220667 A JP2001220667 A JP 2001220667A
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パヴァテ ヴィクラム
Murali Narasimhan
ナラシムハン ムラリ
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板上にドープされた層を形成させ、爾後の
その上への堆積の均一性を改善する方法及び装置を提供
することである。 【解決手段】 ドープ済みの導電性材料のターゲットを
使用し、ＰＶＤまたはＩＭＰ ＰＶＤのようなスパッタ
リングプロセスによって層を堆積させる。銅のような導
電性材料を、燐、ホウ素、インジウム、錫、ベリリウム
またはそれらの組合せのようなドーパントと合金にし、
基板表面上へのドープ済みの層の堆積均一性を改善し、
且つ導電性材料の酸化を減少させる。燐のようなドーパ
ントを添加すると、導電性材料の表面が安定化され、表
面拡散率が低下する。銅の総合表面拡散率は、集塊また
は不連続になる傾向を減少させ、それにより導電性フィ
ルムがより滑らかに堆積され、それにより導電性材料の
局所化された集塊が減少するように低下する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板上に１つの層を
堆積させることに関する。より詳しく述べれば、本発明
は基板上にドープされた層を堆積させることに関する。
【０００２】
【従来の技術】過去１０年間に、集積回路の設計及び製
造には一貫した、そして明確に予測可能な改善がなされ
てきた。改善を成功させる１つのキーは、集積回路（Ｉ
Ｃ）その他のエレクトロニックデバイスのデバイス間に
導電路を与える多レベル相互接続技術である。超大規模
集積回路（ＶＬＳＩ）及び極超大規模集積回路（ＵＬＳ
Ｉ）技術における水平の相互接続（典型的に、ラインと
呼ばれる）及び垂直の相互接続（典型的に、コンタクト
またはバイアと呼ばれ、コンタクトはその下に位置する
基板上のデバイスまで伸び、一方バイアはその下に位置
するＭ１、Ｍ２等のような金属層まで伸びる）のような
特色の寸法を縮小させる（現在では、サブクォーターミ
クロン及びより小さい範囲）場合に、相互接続ライン間
の容量性結合を減少させ、導電性特色内の抵抗を低下さ
せることの重要性が増大してきている。
【０００３】金属化に使用される導電性材料としては、
伝統的にアルミニウムが選択されてきた。しかしなが
ら、特色サイズがより小さくなってくるにつれて、アル
ミニウムより低い固有抵抗を有する導電性材料に対する
要望が出てきた。現在では、アルミニウムの代わりとし
て、またはそれを補足する相互接続材料として、銅が考
慮されつつある。それは、銅が低い固有抵抗（アルミニ
ウムの３.１μΩ−ｃｍに対して１.７μΩ−ｃｍ）及び
高い電流輸送能力を有しているからである。
【０００４】半導体デバイスを製造するために銅を使用
することが望ましいにも拘わらず、サブクォーターミク
ロン特色内の約４：１より高いアスペクト比を有する特
色内に銅を堆積させる方法を選択することは制限されて
きた。従来は、基板上に形成されているコンタクト、バ
イア、ライン、または他の特色を充填するために、典型
的にはアルミニウムである導電性材料を堆積させる好ま
しいプロセスは、化学蒸着（ＣＶＤ）及び物理蒸着（Ｐ
ＶＤ）であった。しかしながら、銅を堆積させるための
ＣＶＤプロセスの前駆物質は現在開発中であり、特色を
銅で充填するためのＰＶＤプロセスでは極めて小さい特
色の開口が橋絡されて、特色内にボイドを残す可能性が
ある。
【０００５】ＣＶＤ及びＰＶＤを用いた挑戦の結果とし
て、基板上の小さい特色を充填するための導電性材料、
特に銅を堆積させるプロセスとして、従来は主として回
路基板の製造に使用されていた電気めっきプロセスが開
発されつつある。しかしながら電気めっきは、それ自体
が基板上に均一に堆積させることへの挑戦である。電気
めっきは、基板上で電気めっき堆積プロセスを開始させ
るために、ＣＶＤまたはＰＶＤによって等角に堆積させ
た銅のような導電性シード層を使用する。上述したよう
に、銅のＣＶＤは開発中であり、従って現在では特色上
にシード層を等角に堆積させるためにはＰＶＤが選択さ
れている。
【０００６】しかしながら、銅のＰＶＤは、銅材料が表
面拡散するために堆積表面にまたがって、及びライン及
びバイア内に集塊する傾向がある。基板上に銅を堆積さ
せる場合、堆積温度の関数である高い表面拡散率のため
に、堆積された銅フィルムは集塊し、フィルムが脱湿潤
（dewet）して不連続になるか、及び／または集塊が露
出された銅表面の総合表面エネルギを減少させるように
なる。この集塊により、不連続フィルムが電気めっきさ
れた銅内にマイクロボイドを発生させたり、または粗く
された表面が局部的な電界を発生させ、これもマイクロ
ボイドまたは他の不均一性を生じさせる等、爾後の電気
めっきプロセスに好ましくない効果をもたらす。もしシ
ード層のような電気めっきされる層が基板上に不均一に
堆積されれば、電流はシード層の表面上に均一に分布せ
ず、爾後に基板上の電気めっきされる層が不均一に堆積
される恐れがある。
【０００７】更に、銅は高度に酸化し易く、それが銅特
色の固有抵抗を増加させる。酸化は、基板をチャンバ間
を移動させる時に周囲状態に曝露されて、または銅を酸
素源に曝露するような特定のプロセスにおいて発生し得
る。銅の酸化は、形成されたライン及びバイアの固有抵
抗を増加させる。
【０００８】従って、導電性材料の堆積により発生する
特色内のボイドを減少させ、基板への不要な酸化効果を
減少させる改良された堆積プロセスに対する要望が存在
している。
【０００９】
【発明の概要】本発明は一般的には、爾後の基板への堆
積の均一性を改善するために、基板上にドープされた層
を形成させる方法及び装置を提供する。好ましくは、こ
の層は導電性材料のドープされたターゲットを使用し、
物理蒸着（ＰＶＤ）またはイオン化金属プラズマ（ＩＭ
Ｐ）ＰＶＤのようなスパッタリングプロセスによって堆
積させる。好ましくは、基板表面上のドープされた層の
堆積の均一性を改善し、導電性材料の酸化を減少させる
ために、銅のような導電性材料を、燐、ホウ素、インジ
ウム、錫、ベリリウム、またはそれらの組合せのような
ドーパントと合金にする。燐のようなドーパントを添加
すると、銅表面のような導電性材料の表面が安定化し、
導電性材料の表面拡散率が低下するものと考えられる。
集塊または不連続になる傾向が低下し、それによってよ
り滑らかな導電性フィルムの堆積が可能になり、それに
よって導電性材料の局所化された集塊が減少するよう
に、銅の総合表面拡散率が低下する。より滑らかなフィ
ルムは、爾後の堆積プロセスにとって高度に望ましい。
銅のような導電性材料は、堆積されたドープ済された層
の上に、ＰＶＤ、化学蒸着（ＣＶＤ）、電気めっき、無
電気堆積、その他の堆積プロセスを含むいろいろなプロ
セスによって堆積させることができる。
【００１０】一つの特徴において、本発明は、基板上に
材料を堆積させるための、処理チャンバ及びドープされ
た導電性ターゲットを備えている装置を提供する。ター
ゲットは、銅、タングステン、アルミニウムのグルー
プ、またはそれらの組合せから選択された導電性材料
と、燐、ホウ素、インジウム、錫、ベリリウムのグルー
プ、またはそれらの組合せから選択されたドーピング材
料とを有する。
【００１１】他の特徴において、本発明は、基板上に１
つの層をスパッタリングするドープされた導電性ターゲ
ットを提供する。ドープされた導電性ターゲットは、
銅、タングステン、アルミニウムのグループ、またはそ
れらの組合せから選択された導電性材料と、燐、ホウ
素、インジウム、錫、ベリリウムのグループ、またはそ
れらの組合せから選択されたドーピング材料とを有す
る。
【００１２】また、他の特徴において、本発明は、スパ
ッタリングプロセスによって基板上に堆積されたドープ
されたシード層を有する基板を提供する。ドープされた
シード層は、銅、タングステン、アルミニウムのグルー
プ、またはそれらの組合せから選択された導電性材料
と、燐、ホウ素、インジウム、錫、ベリリウムのグルー
プ、またはそれらの組合せから選択されたドーピング材
料とを有する。
【００１３】更に、他の特徴おいて、本発明は、基板上
に１つの層をスパッタリングする方法を提供する。本方
法は、基板処理チャンバ内にプラズマを生成させるステ
ップと、銅、タングステン、アルミニウムのグループ、
またはそれらの組合せから選択された導電性材料と、
燐、ホウ素、インジウム、錫、ベリリウムのグループ、
またはそれらの組合せから選択されたドーピング材料と
を有するドープされた導電性ターゲットから材料をスパ
ッタさせるステップと、スパッタされたドープされた材
料を基板上に堆積させるステップとを含む。導電性の銅
層は、好ましくは電気めっきプロセスによって、このス
パッタされたドープされた材料上に堆積させることがで
きる。
【００１４】以上に概要を説明した本発明の特徴、長
所、及び目的は、以下の添付図面に基づく本発明の実施
の形態の詳細な説明から容易に理解できよう。しかしな
がら、添付図面は本発明の実施の形態の典型例に過ぎ
ず、本発明は他の同じような有効な実施の形態を受入れ
ることができるので、これらの実施の形態が本発明の範
囲を限定するものではないことを理解されたい。
【００１５】
【実施の形態】本発明は、好ましくはスパッタリングを
使用して、基板上にドープされた層を形成する方法及び
装置を提供する。
【００１６】図１は、比較的高密度のプラズマ、即ち処
理ガス（典型的にはアルゴン）及びスパッタされるター
ゲット材料の両者の大部分をイオン化する能力を有する
プラズマを生成することができるＩＭＰチャンバ１００
の概要断面図である。 ＩＭＰ VectraTMチャンバとして
知られるスパッタリングチャンバが、カリフォルニア州
サンタクララのApplied Materials, Inc.から入手可能
である。ＩＭＰチャンバは、これもApplied Materials,
Inc.から入手可能なEnduraTMプラットフォーム内に統
合することができる。ＩＭＰプロセスは標準ＰＶＤより
も高密度のプラズマを発生し、スパッタされたターゲッ
ト材料がプラズマを通過する際にスパッタされたターゲ
ット材料をイオン化する。スパッタされた材料をイオン
化することによって、バイアスされた基板表面に実質的
に直角な方向に引き付け、高アスペクト比の特色内にさ
えも薄い層で堆積させることができる。高密度プラズマ
は、チャンバ内に配置されていて交流電流が印加される
コイル１２２によって支持される。この電流はガスの原
子をスパッタされた材料に結合させ、そのかなりの部分
をイオン化させる。チャンバ１００は側壁１０１、蓋１
０２、及び底１０３を含んでいる。蓋１０２は、堆積さ
せる材料のターゲット１０５を支持する裏当て板１０４
を含む。
【００１７】ターゲット１０５は、好ましくは、導電性
材料及びドーピング材料で作る。導電性材料は、銅、タ
ングステン、アルミニウムのグループ、またはそれらの
組合せから選択される。ドーピング材料は、燐、ホウ
素、インジウム、錫、ベリリウムのグループ、またはそ
れらの組合せから選択される。好ましくは、導電性材料
は銅であり、ドーピング材料は燐である。ドーピング材
料の重量パーセンテージは約０.０１％から約１５％ま
でであり、好ましくは約０.０１％乃至約０.５％であ
る。ターゲットは、例えば酸化燐を、溶融した銅材料内
に均一に混合することによって（酸素は熱的に、または
化学的に解放され、残された燐及び銅がターゲット内に
形成される）準備することができる。冶金の分野におい
ては公知の多くのプロセスによって、ドープ済みのター
ゲットを作ることができる。
【００１８】チャンバ１００内の開口１０８は、チャン
バ１００へ、及びチャンバ１００から基板を送給し、回
収するロボット（図示してない）にアクセスを与える。
基板支持体１１２はチャンバ１１０内に基板１１０を支
持し、典型的には接地されている。基板支持体１１２
は、基板支持体１１２及びその上に載せられている基板
１１０を昇降させるリフトモータ１１４上に取付けられ
ている。リフトモータ１１８に接続されているリフト板
１１６がチャンバ１００内に取付けられており、基板支
持体１１２内に取付けられているピン１２０ａ、１２０
ｂを昇降させる。ピン１２０ａ、１２０ｂは、基板を基
板支持体１１２から、及びそれへ昇降させる。コイル１
２２が、基板支持体１１２とターゲット１０５との間に
取付けられており、ターゲット１０５と基板１１０との
間にプラズマを生成させ、維持するのを援助するため
に、チャンバ１００内に誘導結合された磁場を発生させ
る。
【００１９】コイル１２２は、その位置がターゲットと
基板１１０との間にあるためにスパッタされるので、好
ましくはターゲット１０５と類似の組成で作る。例え
ば、コイル１２２は銅及び燐で作ることができる。コイ
ル１２２のドーピングのパーセンテージは、所望の層組
成に依存してターゲットのドーピングパーセンテージに
対して変化させることができ、相対ドーピングパーセン
テージによって経験的に決定する。コイル１２２へ印加
される電力は、スパッタされる材料をイオン化するプラ
ズマを稠密にする。イオン化された材料は基板１１０に
向かって導かれ、その上に堆積する。シールド１２４が
チャンバ１００内に配置され、チャンバ側壁１０１をス
パッタ材料からシールドしている。またシールド１２４
は、コイル支持体１２６によってコイル１２２を支持す
る。コイル支持体１２６は、コイル１２２をシールド１
２４及びチャンバ１００から電気的に絶縁し、またコイ
ルと類似の材料で作ることができる。
【００２０】クランプリング１２８がコイル１２２と基
板支持体１１２との間に取付けられ、基板１１０が処理
位置まで上昇させられてクランプリング１２８の下側部
分と係合した時に、基板の外側の縁及び裏側をスパッタ
された材料からシールドする。若干のチャンバ形態で
は、基板１１０がシールド１２４より下まで降下して基
板転送が可能になった時に、シールド１２４がクランプ
リング１２８を支持するようになっている。
【００２１】この型のスパッタリングチャンバには３つ
の電源が使用されている。電源１３０は処理ガスのプラ
ズマを形成するために、好ましくは直流電力を供給する
（ＲＦ電力を使用することができる）。ターゲット裏当
て板１０４の背後に配置されている磁石１０６ａ、１０
６ｂは、ターゲット１０５付近の電子の密度を増加さ
せ、それによってターゲットにおけるイオン化を増加さ
せてスパッタリング効率を高める。磁石１０６ａ、１０
６ｂは、ターゲットの面にほぼ平行な磁力線を生成して
それらの周りにスピン軌道内の電子を捕捉し、スパッタ
リングのためのガス原子との衝突及びイオン化の可能性
を増大させる。好ましくはＲＦ電源である電源１３２
は、電力をコイル１２２へ供給してプラズマに結合さ
せ、プラズマの密度を増加させる。典型的には直流電源
である別の電源１３４は、基板支持体１１２をプラズマ
に対してバイアスし、スパッタされたイオン化材料を基
板に向かって指向的に引き付け（または、反発）させ
る。
【００２２】アルゴンまたはヘリウムの不活性ガス、ま
たは窒素のような反応性ガスのような処理ガスは、ガス
源１３８、１４０からそれぞれの質量流コントローラ１
４２、１４４によって定量され、ガス入口１３６を通し
てチャンバ１００へ供給される。真空ポンプ１４６が排
気ポート１４８を通してチャンバ１００に接続されてチ
ャンバ１００を排気し、チャンバ１００内を所望の圧力
に維持する。
【００２３】コントローラ１４９は、電源、リフトモー
タ、ガス注入用質量流コントローラ、真空ポンプの機
能、その他の関連するチャンバ成分及び機能を制御す
る。コントローラ１４９はターゲット１０５に結合され
ている電源１３０を制御し、処理ガスのプラズマを形成
させてターゲット材料をスパッタさせる。コントローラ
１４９はコイル１２２に結合されている電源１３２も制
御し、プラズマの密度を増加させ、スパッタされる材料
をイオン化させる。コントローラ１４９は電源１３４も
制御し、スパッタされたイオン化材料を基板表面に指向
的に引き付けさせる。コントローラ１４９は、好ましい
実施の形態ではハードディスクドライブであるメモリ内
に格納されているシステム制御ソフトウェアを実行す
る。コントローラ１４９は、アナログ及びディジタル入
力／出力基板、インタフェース基板、ステッパモータコ
ントローラ基板（図示してない）を含むことができる。
光及び／または磁気センサ（図示してない）が、可動機
械的アセンブリを運動させ、それらの位置を決定するた
めに使用される。
【００２４】２００ｍｍウェーハの上に、燐でドープさ
れた銅シード層を堆積させるプロセスの例を以下に説明
する。ヘリウムまたはアルゴンのような希ガスを、約５
ミリトル乃至約１００ミリトル、好ましくは約２０ミリ
トル乃至約５０ミリトルのチャンバ圧力を発生させるの
に十分な流量で、チャンバ内へ流入させる。電源１３０
は、約２００Ｗ乃至約６ｋＷ、好ましくは約７５０Ｗ乃
至約１.５ｋＷをターゲット１０５へ供給する。電源１
３２は、約５００Ｗ乃至約５ｋＷ、好ましくは約１.５
ｋＷ乃至約２.５ｋＷの交流をコイル１２２へ供給す
る。電源１３４は、約０Ｗ乃至約６００Ｗ、好ましくは
約３５０Ｗ乃至約５００Ｗの電力を、０％乃至１００
％、好ましくは約５０％乃至約７５％のデューティサイ
クルで基板支持体１１２へ供給する。基板温度を制御す
る場合、シード層堆積中の処理のためには、約−５０℃
乃至約１５０℃、好ましくは５０℃より低い表面温度が
有用である。銅／燐材料は、約５００Å 乃至約４００
０Å、好ましくは約２０００Åの厚みに基板上に堆積さ
れる。
【００２５】図２は、本発明のプロセスにより形成され
た例示基板１１０の断面図である。誘電体層２０４は基
板１１０上に堆積されており、バイア、コンタクト、ト
レンチ、またはラインのような特色２００を形成するよ
うにエッチングされている。“基板”という用語は、広
い意味で下に位置する材料を定義しており、下に位置す
る一連の層を含むことができる。誘電体層２０４は、シ
リコンウェーハ上に堆積されたプレ金属誘電体層である
ことも、または交互配列された誘電体層であることもで
きる。
【００２６】Ｔa層のようなライナー層２０６が、下に
位置する材料への付着を助長し、コンタクト／バイア抵
抗を減少させるための移行層として誘電体層２０４上に
堆積されている。ライナー層２０６は、好ましくはＩＭ
Ｐ ＰＶＤを使用して堆積させるが、平行化または遠投
（ロングスロー）スパッタリング、またはＣＶＤのよう
な他の方法によって堆積させることもできる。一般に平
行化スパッタリングは、ターゲットと基板との間にコリ
メータ（図示してない）を配置し、コリメータを斜めに
走行するスパッタされた材料を濾過することによって遂
行される。一般に遠投スパッタリングは、ターゲットと
基板との間の間隔を増加させて遂行される。距離を増大
させると、スパッタされた材料が基板表面に垂直に導か
れて基板へ到着する可能性が増加する。窒化タンタル
（ＴaＮ）のバリヤー層２０８を、ＰＶＤを使用して、
特に高アスペクト比の特色の場合には好ましくはＩＭＰ
ＰＶＤを使用してライナー層２０６上に堆積させる。
バリヤー層は、隣接する層内へ銅が拡散するのを防ぐ。
Ｔa／ＴaＮが好ましいのであるが、使用することができ
る他のライナー及び／またはバリヤー層は、チタン（Ｔ
i）、窒化チタン（ＴiＮ）、タングステン（Ｗ）、窒化
タングステン（ＷＮ）、その他の耐熱金属及びそれらの
窒化対応物である。
【００２７】ドープされたシード層２１０を、ＰＶＤを
使用して、好ましくはＩＭＰ ＰＶＤを使用してＴaＮ
バイヤー層２０８上に堆積させる。シード層２１０は、
好ましくは燐をドープした導電性ターゲットをスパッタ
させることによって堆積させる。導電性材料は、銅、タ
ングステン、アルミニウムのグループ、またはそれらの
組合せから選択する。ドーピング材料は、燐、ホウ素、
インジウム、錫、ベリリウムのグループ、またはそれら
の組合せから選択する。好ましくは、導電性材料は銅で
あり、ドーピング材料は燐である。ドーピング材料の重
量パーセンテージは約０.０１％から約１５％までであ
り、好ましくは約０.０１％乃至約０.５％である。銅／
燐材料を、爾後の銅層２１２のためのシード層として、
バリヤー層２０８の上に堆積させる。
【００２８】銅層２１２は、ＰＶＤ、ＩＭＰ ＰＶＤ、
ＣＶＤ、電気めっき、エレクトロレス堆積、蒸着、その
他の公知の方法によって堆積させることができる。好ま
しくは、銅層２１２は電気めっき技術を使用して堆積さ
せる。電気めっきシステムの例が１９９９年７月９日付
米国特許出願第０９/３５０,８７７号、及び１９９９年
４月８日付米国特許出願第０９/２８９,０７４号に開示
されているので参照されたい。電気めっき薬品、特に電
解液及び添加物が、１９９９年２月５日付米国特許出願
第０９/２４５,７８０号に開示されているので参照され
たい。
【００２９】爾後の処理は、化学機械研磨（ＣＭＰ）に
よる平面化、層の付加的な堆積、エッチング、及び基板
製造においては公知の他の処理を含む。
【００３０】ドーピング材料は、スパッタされた材料が
堆積する際の、銅のような導電性材料の表面拡散率を低
下させるものと考えられる。ドーピングによって集塊の
発生が減少し、スパッタされた導電性層はより等角に堆
積してボイドの発生を少なくする。その下に位置するシ
ード層の完全性によって影響を受ける電気めっきのよう
な爾後のプロセスに関して、ドープされた層は、爾後に
その上に堆積される層をより均一にする。
【００３１】燐その他のドーピング材料も、処理温度に
おける酸素に対するそれらの親和力が銅よりも大きいの
で、銅の酸化を減少させる。基板表面に到達する酸素が
ドーパントとの結合の開始を優先させるために、銅の酸
化が少なくなるものと考えられる。酸化のレベルが低い
と、ターゲット材料及びターゲット材料の堆積された層
の両方の抵抗が低下する。酸化の減少は、湿式ＣＭＰ処
理のような堆積後処理における腐食の減少をも援助す
る。また、燐はターゲット及び堆積された層を硬化させ
るものと考えられる。経験によれば、より硬いターゲッ
トは、ターゲットと隣接構造との間のアーキングを減少
させることを示唆している（アーキングはターゲットの
不要な片を強制的に移動（跳ね）させ、それらを基板上
に堆積させて堆積を汚染させる）。また燐は、銅の融解
温度を引き下げ、表面移動度及び平面化が低温において
発生できるようにすると考えられる。
【００３２】チャンバ及び他のシステム成分の配向は変
更することができる。更に、本明細書において使用した
“より上”、“頂部”、“より下”、“の下”、
“底”、“側”のような全ての運動及び位置は、ターゲ
ット、基板、及びコイルのような対象の位置に対するも
のである。従って、本発明は処理システム内における基
板の所望の支持を達成するどのような、または全ての成
分の配向をも意図している。
【００３３】以上に、本発明の好ましい実施の形態を説
明したが、特許請求の範囲に記載した本発明の基本的な
範囲から逸脱することなく、本発明の他の、及びさらな
る実施の形態を考案することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＩＭＰチャンバの概要断面図である。
【図２】基板上に形成されたシード層を有する基板の断
面図である。
【符号の説明】
１００ ＩＭＰチャンバ １０１ 側壁 １０２ 蓋 １０３ 底 １０４ 裏当て板 １０５ ターゲット １０６ 磁石 １０８ 開口 １１０ 基板 １１２ 基板支持体 １１４、１１８ リフトモータ １１６ リフト板 １２０ ピン １２２ コイル １２４ シールド １２６ コイル支持体 １２８ クランプリング １３０、１３２、１３４ 電源 １３６ ガス入口 １３８、１４０ ガス源 １４２、１４４ 質量流コントローラ １４６ 真空ポンプ １４８ 排気ポンプ １４９ コントローラ ２００ 特色 ２０４ 誘電体層 ２０６ ライナー層 ２０８ バリヤー層 ２１０ シード層 ２１２ 銅層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/285 ３０１ Ｈ０１Ｌ 21/285 ３０１Ｒ ３０１Ｚ (72)発明者 ムラリ ナラシムハン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95121 サン ホセ シアングゾーン コ ート 2111

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に材料を堆積させる装置であっ
    て、 ａ）処理チャンバと、 ｂ） i）銅、タングステン、アルミニウムのグループま
    たはそれらの組合せから選択された導電性材料、及び ii）燐、ホウ素、インジウム、錫、ベリリウムのグルー
    プまたはそれらの組合せから選択されたドーピング材
    料、を有するドープされた導電性ターゲットと、を備え
    ていることを特徴とする装置。
  2. 【請求項２】 前記ドープされた導電性ターゲットは、
    銅及び燐を有することを特徴とする請求項１に記載の装
    置。
  3. 【請求項３】 前記ターゲットに近接して配置されたコ
    イルに結合されているコイルバイアス発生器を更に備え
    ていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
  4. 【請求項４】 前記コイルは、ドープされた導電性材料
    からなることを特徴とする請求項３に記載の装置。
  5. 【請求項５】 前記コイルは、銅及び燐を有することを
    特徴とする請求項４に記載の装置。
  6. 【請求項６】 前記コイルは、前記ターゲットと実質的
    に同一のドーピング材料を有することを特徴とする請求
    項４に記載の装置。
  7. 【請求項７】 コントローラを更に備え、前記コントロ
    ーラは、前記コイルバイアス発生器を制御して前記コイ
    ルへ約５００ワット乃至約５０００ワットを印加させ、
    前記ターゲットからスパッタされた前記ドープされたタ
    ーゲット材料をイオン化させるようにプログラムされて
    いることを特徴とする請求項３に記載の装置。
  8. 【請求項８】 基板上に１つの層をスパッタリングする
    ためのドープされた導電性ターゲットであって、 ａ）銅、タングステン、アルミニウムのグループまたは
    それらの組合せから選択された導電性材料、及び ｂ）燐、ホウ素、インジウム、錫、ベリリウムのグルー
    プまたはそれらの組合せから選択されたドーピング材
    料、を有することを特徴とするドープされた導電性ター
    ゲット。
  9. 【請求項９】 前記ターゲットは、銅及び燐を有するこ
    とを特徴とする請求項８に記載のターゲット。
  10. 【請求項１０】 前記燐は、前記ターゲットの約０.０
    １％乃至約１５％からなることを特徴とする請求項８に
    記載のターゲット。
  11. 【請求項１１】 その上にスパッタリングプロセスによ
    って堆積されたドープされたシード層を有する基板であ
    って、前記ドープされたシード層は、 ａ）銅、タングステン、アルミニウムのグループまたは
    それらの組合せから選択された導電性材料、及び ｂ）燐、ホウ素、インジウム、錫、ベリリウムのグルー
    プまたはそれらの組合せから選択されたドーピング材
    料、を有することを特徴とする基板。
  12. 【請求項１２】 前記ドープされたシード層は、銅及び
    燐からなることを特徴とする請求項１１に記載の基板。
  13. 【請求項１３】 前記燐シード層は、前記シード層の約
    ０.０１％乃至約１５％有することを特徴とする請求項
    １２に記載の基板。
  14. 【請求項１４】 前記スパッタリングプロセスは、イオ
    ン化スパッタリングプロセスを有することを特徴とする
    請求項１１に記載の基板。
  15. 【請求項１５】 基板上に１つの層をスパッタリングす
    る方法であって、 ａ）基板処理チャンバ内にプラズマを生成するステップ
    と、 ｂ）i）銅、タングステン、アルミニウムのグループま
    たはそれらの組合せから選択された導電性材料、及び ii）燐、ホウ素、インジウム、錫、ベリリウムのグルー
    プまたはそれらの組合せから選択されたドーピング材
    料、を有するドープされた導電性ターゲットから材料を
    スパッタさせるステップと、 ｃ）前記スパッタされたドープされた材料を前記基板上
    に堆積させるステップと、を含むことを特徴とする方
    法。
  16. 【請求項１６】 前記ターゲットから材料をスパッタさ
    せるステップは、燐でドープされた銅をスパッタさせる
    ことからなることを特徴とする請求項１５に記載の方
    法。
  17. 【請求項１７】 前記ドープされた導電性ターゲットか
    らスパッタされた材料をイオン化するステップと、前記
    イオンを前記基板へ引き付けるステップとを更に含むこ
    とを特徴とする請求項１５に記載の方法。
  18. 【請求項１８】 前記基板上の前記スパッタされたドー
    プされた材料の少なくとも一部分上に、電気めっきプロ
    セスによって銅層を堆積させるステップを更に含むこと
    を特徴とする請求項１７に記載の方法。
  19. 【請求項１９】 ａ）銅、タングステン、アルミニウム
    のグループまたはそれらの組合せから選択された導電性
    材料、及びｂ）燐、ホウ素、インジウム、錫、ベリリウ
    ムのグループまたはそれらの組合せから選択されたドー
    ピング材料、を有するドープされたコイルから材料をス
    パッタさせるステップ、を更に含むことを特徴とする請
    求項１８に記載の方法。
  20. 【請求項２０】 前記スパッタされたドープされた材料
    上に導電性材料を堆積させるステップを更に含むことを
    特徴とする請求項１５に記載の方法。
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SG (1) SG86443A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005508092A (ja) * 2001-10-26 2005-03-24 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド 銅電極形成アプリケーションのためのａｌｄ窒化タンタル及びアルファ相タンタルの集積
CN100340693C (zh) * 2002-05-30 2007-10-03 住友金属矿山株式会社 透明导电薄膜用靶、透明导电薄膜及其制造方法、显示器用电极材料及有机电致发光元件
WO2010047105A1 (ja) * 2008-10-24 2010-04-29 三菱マテリアル株式会社 薄膜トランジスター用配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット
JP2010103376A (ja) * 2008-10-24 2010-05-06 Citizen Tohoku Kk 薄膜形成装置および薄膜形成方法
US7781326B2 (en) 2001-02-02 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US9212419B2 (en) 2008-08-01 2015-12-15 Mitsubishi Materials Corporation Sputtering target for forming wiring film of flat panel display

Families Citing this family (198)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6569751B1 (en) * 2000-07-17 2003-05-27 Lsi Logic Corporation Low via resistance system
US6355561B1 (en) * 2000-11-21 2002-03-12 Micron Technology, Inc. ALD method to improve surface coverage
US6979646B2 (en) * 2000-12-29 2005-12-27 Intel Corporation Hardening of copper to improve copper CMP performance
JP2002217292A (ja) * 2001-01-23 2002-08-02 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法
US6740221B2 (en) 2001-03-15 2004-05-25 Applied Materials Inc. Method of forming copper interconnects
KR100499557B1 (ko) * 2001-06-11 2005-07-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 배선 형성방법
US7521366B2 (en) * 2001-12-12 2009-04-21 Lg Display Co., Ltd. Manufacturing method of electro line for liquid crystal display device
WO2003063067A1 (en) * 2002-01-24 2003-07-31 Chatterbox Systems, Inc. Method and system for locating positions in printed texts and delivering multimedia information
US6824666B2 (en) * 2002-01-28 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Electroless deposition method over sub-micron apertures
US7138014B2 (en) 2002-01-28 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Electroless deposition apparatus
US6905622B2 (en) * 2002-04-03 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Electroless deposition method
WO2003085713A1 (en) * 2002-04-03 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Homogeneous copper-tin alloy plating for enhancement of electro-migration resistance in interconnects
US6899816B2 (en) * 2002-04-03 2005-05-31 Applied Materials, Inc. Electroless deposition method
EP1497820A4 (en) 2002-04-11 2009-03-11 Genoa Color Technologies Ltd COLOR DISPLAY DEVICES AND METHODS HAVING IMPROVED ATTRIBUTES
US20040118699A1 (en) * 2002-10-02 2004-06-24 Applied Materials, Inc. Homogeneous copper-palladium alloy plating for enhancement of electro-migration resistance in interconnects
US6821909B2 (en) * 2002-10-30 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Post rinse to improve selective deposition of electroless cobalt on copper for ULSI application
US7654221B2 (en) * 2003-10-06 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
US7827930B2 (en) * 2004-01-26 2010-11-09 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
US7465358B2 (en) * 2003-10-15 2008-12-16 Applied Materials, Inc. Measurement techniques for controlling aspects of a electroless deposition process
US7064065B2 (en) * 2003-10-15 2006-06-20 Applied Materials, Inc. Silver under-layers for electroless cobalt alloys
US20070111519A1 (en) * 2003-10-15 2007-05-17 Applied Materials, Inc. Integrated electroless deposition system
TW200530427A (en) * 2003-10-17 2005-09-16 Applied Materials Inc Selective self-initiating electroless capping of copper with cobalt-containing alloys
US20050098427A1 (en) * 2003-11-11 2005-05-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. RF coil design for improved film uniformity of an ion metal plasma source
US20060003570A1 (en) * 2003-12-02 2006-01-05 Arulkumar Shanmugasundram Method and apparatus for electroless capping with vapor drying
US20050230350A1 (en) * 2004-02-26 2005-10-20 Applied Materials, Inc. In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication
US20050266173A1 (en) * 2004-05-26 2005-12-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus of distributed plasma processing system for conformal ion stimulated nanoscale deposition process
TW200734482A (en) 2005-03-18 2007-09-16 Applied Materials Inc Electroless deposition process on a contact containing silicon or silicide
US7514353B2 (en) 2005-03-18 2009-04-07 Applied Materials, Inc. Contact metallization scheme using a barrier layer over a silicide layer
US7651934B2 (en) 2005-03-18 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Process for electroless copper deposition
US7285496B2 (en) * 2005-04-28 2007-10-23 Intel Corporation Hardening of copper to improve copper CMP performance
JP4923450B2 (ja) * 2005-07-01 2012-04-25 富士ゼロックス株式会社 バッチ処理支援装置および方法、プログラム
US20070012559A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Applied Materials, Inc. Method of improving magnetron sputtering of large-area substrates using a removable anode
US20070012558A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Applied Materials, Inc. Magnetron sputtering system for large-area substrates
US20070084720A1 (en) * 2005-07-13 2007-04-19 Akihiro Hosokawa Magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes
US20070012663A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Akihiro Hosokawa Magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes
US20070051616A1 (en) * 2005-09-07 2007-03-08 Le Hienminh H Multizone magnetron assembly
US20070056850A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Applied Materials, Inc. Large-area magnetron sputtering chamber with individually controlled sputtering zones
US20070056843A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Applied Materials, Inc. Method of processing a substrate using a large-area magnetron sputtering chamber with individually controlled sputtering zones
US7588668B2 (en) 2005-09-13 2009-09-15 Applied Materials, Inc. Thermally conductive dielectric bonding of sputtering targets using diamond powder filler or thermally conductive ceramic fillers
WO2007035880A2 (en) * 2005-09-21 2007-03-29 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming device features in an integrated electroless deposition system
US20070158179A1 (en) * 2006-01-11 2007-07-12 Anthony Ciancio Method and apparatus for improving symmetry of a layer deposited on a semiconductor substrate
US7749361B2 (en) * 2006-06-02 2010-07-06 Applied Materials, Inc. Multi-component doping of copper seed layer
US8791018B2 (en) 2006-12-19 2014-07-29 Spansion Llc Method of depositing copper using physical vapor deposition
US7867900B2 (en) 2007-09-28 2011-01-11 Applied Materials, Inc. Aluminum contact integration on cobalt silicide junction
JP5457754B2 (ja) * 2009-08-07 2014-04-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 透過型電極体を用いたプラズマ処理装置
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US8508018B2 (en) * 2010-09-24 2013-08-13 Intel Corporation Barrier layers
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8771539B2 (en) 2011-02-22 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Remotely-excited fluorine and water vapor etch
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8771536B2 (en) 2011-08-01 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films
US8679982B2 (en) 2011-08-26 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen
US8679983B2 (en) 2011-09-01 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen
US8927390B2 (en) 2011-09-26 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Intrench profile
US8808563B2 (en) 2011-10-07 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination
WO2013070436A1 (en) 2011-11-08 2013-05-16 Applied Materials, Inc. Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US8765574B2 (en) 2012-11-09 2014-07-01 Applied Materials, Inc. Dry etch process
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US9064816B2 (en) 2012-11-30 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective oxidation removal
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
US9111877B2 (en) 2012-12-18 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Non-local plasma oxide etch
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US8801952B1 (en) 2013-03-07 2014-08-12 Applied Materials, Inc. Conformal oxide dry etch
US10170282B2 (en) 2013-03-08 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Insulated semiconductor faceplate designs
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US8895449B1 (en) 2013-05-16 2014-11-25 Applied Materials, Inc. Delicate dry clean
US9114438B2 (en) 2013-05-21 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Copper residue chamber clean
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US8956980B1 (en) 2013-09-16 2015-02-17 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon nitride
US8951429B1 (en) 2013-10-29 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Tungsten oxide processing
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9236265B2 (en) 2013-11-04 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Silicon germanium processing
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9117855B2 (en) 2013-12-04 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Polarity control for remote plasma
US9287095B2 (en) 2013-12-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
US9263278B2 (en) 2013-12-17 2016-02-16 Applied Materials, Inc. Dopant etch selectivity control
US9190293B2 (en) 2013-12-18 2015-11-17 Applied Materials, Inc. Even tungsten etch for high aspect ratio trenches
US9287134B2 (en) 2014-01-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Titanium oxide etch
US9293568B2 (en) 2014-01-27 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Method of fin patterning
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9299575B2 (en) 2014-03-17 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Gas-phase tungsten etch
US9299538B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9136273B1 (en) 2014-03-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Flash gate air gap
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9269590B2 (en) 2014-04-07 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Spacer formation
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9847289B2 (en) 2014-05-30 2017-12-19 Applied Materials, Inc. Protective via cap for improved interconnect performance
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9159606B1 (en) 2014-07-31 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Metal air gap
US9165786B1 (en) 2014-08-05 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
US9368364B2 (en) 2014-09-24 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials
US9355862B2 (en) 2014-09-24 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Fluorine-based hardmask removal
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US9299583B1 (en) 2014-12-05 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Aluminum oxide selective etch
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US9343272B1 (en) 2015-01-08 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Self-aligned process
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9373522B1 (en) 2015-01-22 2016-06-21 Applied Mateials, Inc. Titanium nitride removal
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
TWI680496B (zh) * 2016-09-13 2019-12-21 美商應用材料股份有限公司 高壓縮/拉伸的翹曲晶圓上的厚鎢硬遮罩膜沉積
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
CN111952263B (zh) * 2019-05-16 2022-08-05 上海交通大学 一种微米级单晶铜互连结构及其制备方法
US11430692B2 (en) * 2020-07-29 2022-08-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Thermally stable copper-alloy adhesion layer for metal interconnect structures and methods for forming the same

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63130770A (ja) * 1986-11-21 1988-06-02 Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk 蒸着用タ−ゲツト材料
JPH03196620A (ja) * 1989-12-26 1991-08-28 Nippon Mining Co Ltd 銅配線の形成法とそれに使用するターゲット
JPH0430530A (ja) * 1990-05-28 1992-02-03 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 配線用薄膜形成法
JPH05214523A (ja) * 1992-02-05 1993-08-24 Toshiba Corp スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JPH06112009A (ja) * 1992-09-28 1994-04-22 Ulvac Japan Ltd 高抵抗膜および高抵抗膜の製造方法
JPH10130834A (ja) * 1996-10-17 1998-05-19 Applied Materials Inc Ｉｃｐ源でのコイルのスパッタリング減少方法
JP2003500546A (ja) * 1999-06-02 2003-01-07 ジョンソン・マッセイ・エレクトロニクス・インコーポレーテッド 銅スパッター用ターゲットアセンブリー及びその製造方法

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4094761A (en) 1977-07-25 1978-06-13 Motorola, Inc. Magnetion sputtering of ferromagnetic material
DE3142541C2 (de) 1981-10-27 1986-07-31 Demetron Gesellschaft für Elektronik-Werkstoffe mbH, 6540 Hanau Mehrstofflegierung für Targets von Katodenzerstäubungsanlagen
US4620872A (en) 1984-10-18 1986-11-04 Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha Composite target material and process for producing the same
FR2601175B1 (fr) 1986-04-04 1993-11-12 Seiko Epson Corp Cible de pulverisation cathodique et support d'enregistrement utilisant une telle cible.
DE3631830A1 (de) 1986-09-19 1988-03-31 Demetron Mehrstofflegierung fuer targets von kathodenzerstaeubungsanlagen und deren verwendung
US4885029A (en) 1987-03-09 1989-12-05 Scm Metal Products, Inc. Thin section dispersion strengthened copper body and method of making same
JP2602276B2 (ja) 1987-06-30 1997-04-23 株式会社日立製作所 スパツタリング方法とその装置
JP2511289B2 (ja) * 1988-03-30 1996-06-26 株式会社日立製作所 半導体装置
JPH03289156A (ja) 1990-04-06 1991-12-19 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
US5039570A (en) 1990-04-12 1991-08-13 Planar Circuit Technologies, Inc. Resistive laminate for printed circuit boards, method and apparatus for forming the same
US5130274A (en) 1991-04-05 1992-07-14 International Business Machines Corporation Copper alloy metallurgies for VLSI interconnection structures
JP3220760B2 (ja) * 1992-03-19 2001-10-22 株式会社日立製作所 半導体装置
EP0592174B1 (en) * 1992-10-05 2001-09-05 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing optical recording medium, sputtering method
FR2698882B1 (fr) 1992-12-04 1995-02-03 Castolin Sa Procédé pour former un revêtement protecteur sur un substrat.
EP0601509A1 (en) 1992-12-07 1994-06-15 Nikko Kyodo Co., Ltd. Semiconductor devices and method of manufacturing the same
US5330629A (en) 1992-12-15 1994-07-19 At&T Bell Laboratories Method for depositing aluminum layers on insulating oxide substrates
US5551970A (en) 1993-08-17 1996-09-03 Otd Products L.L.C. Dispersion strengthened copper
US5590389A (en) 1994-12-23 1996-12-31 Johnson Matthey Electronics, Inc. Sputtering target with ultra-fine, oriented grains and method of making same
US5685491A (en) 1995-01-11 1997-11-11 Amtx, Inc. Electroformed multilayer spray director and a process for the preparation thereof
US5599740A (en) 1995-11-16 1997-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Deposit-etch-deposit ozone/teos insulator layer method
JPH09199976A (ja) 1996-01-18 1997-07-31 Hitachi Ltd 弾性表面波素子電極
US5997699A (en) 1996-04-08 1999-12-07 Micron Technology Inc. Insitu faceting during deposition
US6368469B1 (en) * 1996-05-09 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Coils for generating a plasma and for sputtering
WO1997047783A1 (en) 1996-06-14 1997-12-18 The Research Foundation Of State University Of New York Methodology and apparatus for in-situ doping of aluminum coatings
US5693565A (en) 1996-07-15 1997-12-02 Dow Corning Corporation Semiconductor chips suitable for known good die testing
US5686335A (en) 1996-07-22 1997-11-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Method of making high-performance and reliable thin film transistor (TFT) using plasma hydrogenation with a metal shield on the TFT channel
KR100269287B1 (ko) 1996-11-22 2000-11-01 윤종용 반도체장치의hsg형성방법
US5803342A (en) 1996-12-26 1998-09-08 Johnson Matthey Electronics, Inc. Method of making high purity copper sputtering targets
US5801100A (en) 1997-03-07 1998-09-01 Industrial Technology Research Institute Electroless copper plating method for forming integrated circuit structures
US6387805B2 (en) 1997-05-08 2002-05-14 Applied Materials, Inc. Copper alloy seed layer for copper metallization
US5891802A (en) * 1997-07-23 1999-04-06 Advanced Micro Devices, Inc. Method for fabricating a metallization stack structure to improve electromigration resistance and keep low resistivity of ULSI interconnects
JP3616724B2 (ja) 1997-09-25 2005-02-02 アルプス電気株式会社 半導体装置の製造方法
US6130156A (en) * 1998-04-01 2000-10-10 Texas Instruments Incorporated Variable doping of metal plugs for enhanced reliability
US6181012B1 (en) * 1998-04-27 2001-01-30 International Business Machines Corporation Copper interconnection structure incorporating a metal seed layer
US6165567A (en) * 1999-04-12 2000-12-26 Motorola, Inc. Process of forming a semiconductor device
US6099705A (en) * 1999-09-08 2000-08-08 United Microelectronics Corp. Physical vapor deposition device for forming a uniform metal layer on a semiconductor wafer

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63130770A (ja) * 1986-11-21 1988-06-02 Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk 蒸着用タ−ゲツト材料
JPH03196620A (ja) * 1989-12-26 1991-08-28 Nippon Mining Co Ltd 銅配線の形成法とそれに使用するターゲット
JPH0430530A (ja) * 1990-05-28 1992-02-03 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 配線用薄膜形成法
JPH05214523A (ja) * 1992-02-05 1993-08-24 Toshiba Corp スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JPH06112009A (ja) * 1992-09-28 1994-04-22 Ulvac Japan Ltd 高抵抗膜および高抵抗膜の製造方法
JPH10130834A (ja) * 1996-10-17 1998-05-19 Applied Materials Inc Ｉｃｐ源でのコイルのスパッタリング減少方法
JP2003500546A (ja) * 1999-06-02 2003-01-07 ジョンソン・マッセイ・エレクトロニクス・インコーポレーテッド 銅スパッター用ターゲットアセンブリー及びその製造方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7781326B2 (en) 2001-02-02 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US8114789B2 (en) 2001-02-02 2012-02-14 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US9012334B2 (en) 2001-02-02 2015-04-21 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
JP2005508092A (ja) * 2001-10-26 2005-03-24 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド 銅電極形成アプリケーションのためのａｌｄ窒化タンタル及びアルファ相タンタルの集積
JP4711624B2 (ja) * 2001-10-26 2011-06-29 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 銅電極形成アプリケーションのためのａｌｄ窒化タンタル及びアルファ相タンタルの集積
CN100340693C (zh) * 2002-05-30 2007-10-03 住友金属矿山株式会社 透明导电薄膜用靶、透明导电薄膜及其制造方法、显示器用电极材料及有机电致发光元件
US9212419B2 (en) 2008-08-01 2015-12-15 Mitsubishi Materials Corporation Sputtering target for forming wiring film of flat panel display
WO2010047105A1 (ja) * 2008-10-24 2010-04-29 三菱マテリアル株式会社 薄膜トランジスター用配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット
JP2010103331A (ja) * 2008-10-24 2010-05-06 Mitsubishi Materials Corp 薄膜トランジスター用配線膜形成用スパッタリングターゲット
JP2010103376A (ja) * 2008-10-24 2010-05-06 Citizen Tohoku Kk 薄膜形成装置および薄膜形成方法
CN102203916A (zh) * 2008-10-24 2011-09-28 三菱综合材料株式会社 用于形成薄膜晶体管用布线膜的溅射靶材

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