JP2001140065A - 薄膜内粒子性能を改善したイオン化金属プラズマ銅蒸着 - Google Patents
薄膜内粒子性能を改善したイオン化金属プラズマ銅蒸着Info
- Publication number
- JP2001140065A JP2001140065A JP2000245287A JP2000245287A JP2001140065A JP 2001140065 A JP2001140065 A JP 2001140065A JP 2000245287 A JP2000245287 A JP 2000245287A JP 2000245287 A JP2000245287 A JP 2000245287A JP 2001140065 A JP2001140065 A JP 2001140065A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- target
- substrate
- substrate support
- supporting member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 銅、アルミニウム、タングステン又は他の金
属材料のプラズマ強化ＰＶＤを行う改善されたシステ
ム。 【解決手段】 このシステムは、不所望の薄膜内粒子堆
積の重要な領域に改善された性能を有する。改善された
性能は、プラズマ強化ＰＶＤシステムで使用するＲＦコ
イルの作動温度を低くすることにより、またＲＦコイル
の外面を注意深く滑らかにすることにより与えられる。
コイル支持具に高熱伝導材料を使用し、コイル支持具と
ＲＦコイルの間の接触面積を増加し、コイルの積極的冷
却により、システムの性能が強化される。
属材料のプラズマ強化ＰＶＤを行う改善されたシステ
ム。 【解決手段】 このシステムは、不所望の薄膜内粒子堆
積の重要な領域に改善された性能を有する。改善された
性能は、プラズマ強化ＰＶＤシステムで使用するＲＦコ
イルの作動温度を低くすることにより、またＲＦコイル
の外面を注意深く滑らかにすることにより与えられる。
コイル支持具に高熱伝導材料を使用し、コイル支持具と
ＲＦコイルの間の接触面積を増加し、コイルの積極的冷
却により、システムの性能が強化される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に基板上に集
積回路等の電子デバイスを作成する方法と装置に関す
る。より詳しくは、本発明は、イオン化金属プラズマ
（ＩＭＰ）強化物理蒸着（ＰＶＤ）システムと技術を使
用して、基板上に蒸着された銅（Ｃｕ）層の薄膜内粒子
性能を改善する方法と装置に関する。
積回路等の電子デバイスを作成する方法と装置に関す
る。より詳しくは、本発明は、イオン化金属プラズマ
（ＩＭＰ）強化物理蒸着（ＰＶＤ）システムと技術を使
用して、基板上に蒸着された銅（Ｃｕ）層の薄膜内粒子
性能を改善する方法と装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造において、酸化珪
素等の誘電性層上に、導電性金属コンタクトと相互接続
ラインが蒸着される。スピードアップするため、回路の
小型化のため、従来のデバイスで好まれたアルミニウム
の導体より銅（Ｃｕ）が好まれるようになった。しか
し、銅は、表面に直接適用されると、珪素又は酸化珪素
基板の格子構造に拡散する場合がある。この銅の拡散に
より、デバイスの性能特性が変化し、デバイスのリーク
を起こす場合がある。それゆえ、銅の堆積の前に、基板
上にタンタル（Ｔａ）又は窒化タンタル（ＴａＮ）の非
常に薄いコンフォーマル層を堆積するのが好ましいと分
かった。この層は拡散のバリヤーとして作用し、珪素又
は酸化珪素基板内に銅が拡散するのを防止する。
素等の誘電性層上に、導電性金属コンタクトと相互接続
ラインが蒸着される。スピードアップするため、回路の
小型化のため、従来のデバイスで好まれたアルミニウム
の導体より銅（Ｃｕ）が好まれるようになった。しか
し、銅は、表面に直接適用されると、珪素又は酸化珪素
基板の格子構造に拡散する場合がある。この銅の拡散に
より、デバイスの性能特性が変化し、デバイスのリーク
を起こす場合がある。それゆえ、銅の堆積の前に、基板
上にタンタル（Ｔａ）又は窒化タンタル（ＴａＮ）の非
常に薄いコンフォーマル層を堆積するのが好ましいと分
かった。この層は拡散のバリヤーとして作用し、珪素又
は酸化珪素基板内に銅が拡散するのを防止する。
【０００３】基板表面が銅堆積の準備ができると、その
上に銅が堆積される。真空蒸着ではなく電気めっきによ
る後の銅の堆積の前駆ステップとして使用される好適な
技術は、プラズマ強化物理蒸着プロセスを使用して、基
板上に初期即ち「シード」銅（Ｃｕ）導電層を形成する
ことであった。
上に銅が堆積される。真空蒸着ではなく電気めっきによ
る後の銅の堆積の前駆ステップとして使用される好適な
技術は、プラズマ強化物理蒸着プロセスを使用して、基
板上に初期即ち「シード」銅（Ｃｕ）導電層を形成する
ことであった。
【０００４】従来の物理蒸着（ＰＶＤ）では、処理チャ
ンバは、アルゴン（又はガスの混合物）を使用して、１
〜10ミリトールの圧力で作動した。銅等の堆積（即ちス
パッタ）される材料のターゲットが、ＤＣ電源に接続さ
れる。処理する基板は、ターゲットから間隔をおき、そ
れとほぼ平行な支持部材上に取り付けられる。ＤＣ電力
をかけることにより、処理ガス中でグロー放電プラズマ
が発生し、アルゴンの陽イオンが負に帯電したターゲッ
トに引き付けられる。ターゲット材料の原子は、衝突す
るアルゴンイオンの衝撃力とターゲット材料構造即ち格
子との相互作用により、ターゲットから打出される（即
ちスパッタされる）。ターゲットからスパッタされる材
料の粒子は、一般に中性原子又は分子である。これらの
粒子は、粒子の軌道からターゲット表面に直角な角度ま
での角度のコサインとして変化する方向の分布に従っ
て、ターゲット表面から複数の角度で方向付けられる。
実際、ターゲット表面からまっすぐ垂直即ち直角にスパ
ッタされる原子は少ない。
ンバは、アルゴン（又はガスの混合物）を使用して、１
〜10ミリトールの圧力で作動した。銅等の堆積（即ちス
パッタ）される材料のターゲットが、ＤＣ電源に接続さ
れる。処理する基板は、ターゲットから間隔をおき、そ
れとほぼ平行な支持部材上に取り付けられる。ＤＣ電力
をかけることにより、処理ガス中でグロー放電プラズマ
が発生し、アルゴンの陽イオンが負に帯電したターゲッ
トに引き付けられる。ターゲット材料の原子は、衝突す
るアルゴンイオンの衝撃力とターゲット材料構造即ち格
子との相互作用により、ターゲットから打出される（即
ちスパッタされる）。ターゲットからスパッタされる材
料の粒子は、一般に中性原子又は分子である。これらの
粒子は、粒子の軌道からターゲット表面に直角な角度ま
での角度のコサインとして変化する方向の分布に従っ
て、ターゲット表面から複数の角度で方向付けられる。
実際、ターゲット表面からまっすぐ垂直即ち直角にスパ
ッタされる原子は少ない。
【０００５】ターゲットからスパッタされる粒子の基板
表面への衝突する角度をより制御可能にするため、基板
に衝突する前に金属原子又は分子をイオン化するのが好
ましいことが分かった。正味で正電荷を有する金属イオ
ンを提供することにより、処理する基板の選択した部分
又は全表面は、負のバイアスが供給されるかもしれな
い。基板のバイアスの負の電場は、基板表面への金属原
子の軌道それゆえ衝突角度に影響する場合がある。ＰＶ
Ｄプロセスに指向性を使用して、高アスペクト比（深さ
と幅の比）のバイア即ちトレンチに堆積させることがで
きる。イオン化した金属粒子を使用しないと、殆ど全方
向の中性スパッタ粒子（即ち、殆ど等方性の軌道分布を
有する）が、基板の頂部と高アスペクト比フィーチャの
上側側壁上にターゲット材料が蓄積する場合がある。こ
のため、アスペクト比が増すと、このようなフィーチャ
の低部と下側側壁部に堆積する原子はますます少なくな
る。ついに、頂部と上側側壁上に堆積した材料がブリッ
ジとなって接続し、フィーチャ内に好ましくないボイド
を形成する。さらに、堆積した材料は、金属薄片又は遊
離金属粒子として汚染源となり、それが基板の後の処理
ステップでのデバイスの特性に影響する場合がある。
表面への衝突する角度をより制御可能にするため、基板
に衝突する前に金属原子又は分子をイオン化するのが好
ましいことが分かった。正味で正電荷を有する金属イオ
ンを提供することにより、処理する基板の選択した部分
又は全表面は、負のバイアスが供給されるかもしれな
い。基板のバイアスの負の電場は、基板表面への金属原
子の軌道それゆえ衝突角度に影響する場合がある。ＰＶ
Ｄプロセスに指向性を使用して、高アスペクト比（深さ
と幅の比）のバイア即ちトレンチに堆積させることがで
きる。イオン化した金属粒子を使用しないと、殆ど全方
向の中性スパッタ粒子（即ち、殆ど等方性の軌道分布を
有する）が、基板の頂部と高アスペクト比フィーチャの
上側側壁上にターゲット材料が蓄積する場合がある。こ
のため、アスペクト比が増すと、このようなフィーチャ
の低部と下側側壁部に堆積する原子はますます少なくな
る。ついに、頂部と上側側壁上に堆積した材料がブリッ
ジとなって接続し、フィーチャ内に好ましくないボイド
を形成する。さらに、堆積した材料は、金属薄片又は遊
離金属粒子として汚染源となり、それが基板の後の処理
ステップでのデバイスの特性に影響する場合がある。
【０００６】処理チャンバ内の金属薄片又は遊離金属粒
子は、自由に動ける。チャンバ内での基板処理の後続の
堆積プロセスの間、このような可動の粒子は、基板の表
面上に引きつけられ付着する。このため、デバイスの特
性が変化し、絶縁境界を横切ってリークが起こり好まし
くない。製造した完成したデバイスに回路故障が生じる
場合がある。
子は、自由に動ける。チャンバ内での基板処理の後続の
堆積プロセスの間、このような可動の粒子は、基板の表
面上に引きつけられ付着する。このため、デバイスの特
性が変化し、絶縁境界を横切ってリークが起こり好まし
くない。製造した完成したデバイスに回路故障が生じる
場合がある。
【０００７】ターゲットと基板の間で中性スパッタ金属
粒子のイオン化をするため、ＰＶＤ処理チャンバ内で約
10〜約60ミリトールの圧力の高濃度の環境ガスが使用さ
れる。また、ＲＦ（ラジオ周波数）コイルが、チャンバ
内のターゲット表面と基板表面の間に置かれる。ＲＦコ
イルの軸は、ターゲット表面と基板表面にほぼ垂直に置
かれる。ＲＦコイルの直径は、処理空洞の内径に近くな
るように選択される。ＲＦコイルは、ＲＦ電源に接続さ
れ、電圧がかけられるとアルゴン環境ガスをイオン化す
る。ターゲットと基板の間のＲＦコイルの内側を通過す
る中性金属粒子は、ＲＦ電界及びイオン化した環境ガス
と相互作用し、イオン化される。チャンバ内の圧力がか
なり高ければ（例えば、約30ミロトール）、ＲＦコイル
は、ターゲットと基板表面の間の領域に高密度プラズマ
を提供する。この高圧環境ガスとＲＦコイルの使用によ
り強化されたＰＶＤ蒸着装置と方法は、イオン化金属プ
ラズマ（ＩＰＭ）チャンバとプロセスとして知られてい
る。
粒子のイオン化をするため、ＰＶＤ処理チャンバ内で約
10〜約60ミリトールの圧力の高濃度の環境ガスが使用さ
れる。また、ＲＦ（ラジオ周波数）コイルが、チャンバ
内のターゲット表面と基板表面の間に置かれる。ＲＦコ
イルの軸は、ターゲット表面と基板表面にほぼ垂直に置
かれる。ＲＦコイルの直径は、処理空洞の内径に近くな
るように選択される。ＲＦコイルは、ＲＦ電源に接続さ
れ、電圧がかけられるとアルゴン環境ガスをイオン化す
る。ターゲットと基板の間のＲＦコイルの内側を通過す
る中性金属粒子は、ＲＦ電界及びイオン化した環境ガス
と相互作用し、イオン化される。チャンバ内の圧力がか
なり高ければ（例えば、約30ミロトール）、ＲＦコイル
は、ターゲットと基板表面の間の領域に高密度プラズマ
を提供する。この高圧環境ガスとＲＦコイルの使用によ
り強化されたＰＶＤ蒸着装置と方法は、イオン化金属プ
ラズマ（ＩＰＭ）チャンバとプロセスとして知られてい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】後続の電気めっきプロ
セスで銅（Ｃｕ）を堆積するためのシード層を形成する
ＩＭＰ−Ｃｕ装置とプロセスは、半導体工業で受入れら
れている。ＩＭＰ−金属蒸着装置と方法の使用でもっと
も困難な問題の１つは、プロセスの薄膜内粒子（即ち欠
陥）性能である。前述したように、又は他のより微妙な
方法で遊離粒子が発生する場合がある。例えば、コイル
表面に鋭く打込まれた金属ポイントにより、非常に高い
電界が一時的に形成される（コロナ効果）場合がある。
このような電界は、遊離粒子を引き付け、又はイオン化
した金属粒子をＲＦコイルのプラズマからコイルの表面
へ引き付けられるようにする場合がある。これらの高電
界は一時的なので、このようなサイトの堆積したこのよ
うな粒子は、そこにゆるく結合しているだけで、後に剥
げ落ちる場合がある。これまで、基板当たり80以上の薄
膜内粒子数（即ちアダー）が測定された。ここに、アダ
ーは直径0.2μｍより大きい。システムの薄膜内欠陥性
能を著しく改善する改善されたＩＭＰ−Ｃｕ装置と方法
を提供することは、非常に価値がある。
セスで銅（Ｃｕ）を堆積するためのシード層を形成する
ＩＭＰ−Ｃｕ装置とプロセスは、半導体工業で受入れら
れている。ＩＭＰ−金属蒸着装置と方法の使用でもっと
も困難な問題の１つは、プロセスの薄膜内粒子（即ち欠
陥）性能である。前述したように、又は他のより微妙な
方法で遊離粒子が発生する場合がある。例えば、コイル
表面に鋭く打込まれた金属ポイントにより、非常に高い
電界が一時的に形成される（コロナ効果）場合がある。
このような電界は、遊離粒子を引き付け、又はイオン化
した金属粒子をＲＦコイルのプラズマからコイルの表面
へ引き付けられるようにする場合がある。これらの高電
界は一時的なので、このようなサイトの堆積したこのよ
うな粒子は、そこにゆるく結合しているだけで、後に剥
げ落ちる場合がある。これまで、基板当たり80以上の薄
膜内粒子数（即ちアダー）が測定された。ここに、アダ
ーは直径0.2μｍより大きい。システムの薄膜内欠陥性
能を著しく改善する改善されたＩＭＰ−Ｃｕ装置と方法
を提供することは、非常に価値がある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＩＭＰ−Ｃｕ
物理蒸着（ＰＶＤ）システム等の改善された金属粒子蒸
着システムを作動する方法と装置を提供する。このシス
テムは、システムの薄膜内粒子性能(in-film particle
performance)を改善する。本発明のシステムと方法で
は、このようなシステムで従来使用されていたＲＦコイ
ルと比べて非常に滑らかな表面のＲＦコイルを有するＩ
ＭＰ−Ｃｕチャンバが設けられる。さらに、本発明の改
善された装置と方法では、ＲＦコイルの温度は、従来の
システムで使用したＲＦコイルの温度よりずっと低い温
度に保持される。コイル温度が高いと、コイル上に金属
粒子がめっきされ環境が悪くなる。コイル温度を低くす
るのは、ＲＦ電源のデューティサイクルを減少させる
か、コイルの内側に冷却材を循環させてＲＦコイルを積
極的に冷却する（ここではコイル冷却システムと言う）
ことにより、行われる。本発明により、システムの動作
パラメータによって、蒸着したＣｕ薄膜内の薄膜内欠陥
（アダー、adder）の係数が、約２：１から10：１以上
に低下することが分かった。
物理蒸着（ＰＶＤ）システム等の改善された金属粒子蒸
着システムを作動する方法と装置を提供する。このシス
テムは、システムの薄膜内粒子性能(in-film particle
performance)を改善する。本発明のシステムと方法で
は、このようなシステムで従来使用されていたＲＦコイ
ルと比べて非常に滑らかな表面のＲＦコイルを有するＩ
ＭＰ−Ｃｕチャンバが設けられる。さらに、本発明の改
善された装置と方法では、ＲＦコイルの温度は、従来の
システムで使用したＲＦコイルの温度よりずっと低い温
度に保持される。コイル温度が高いと、コイル上に金属
粒子がめっきされ環境が悪くなる。コイル温度を低くす
るのは、ＲＦ電源のデューティサイクルを減少させる
か、コイルの内側に冷却材を循環させてＲＦコイルを積
極的に冷却する（ここではコイル冷却システムと言う）
ことにより、行われる。本発明により、システムの動作
パラメータによって、蒸着したＣｕ薄膜内の薄膜内欠陥
（アダー、adder）の係数が、約２：１から10：１以上
に低下することが分かった。
【００１０】
【発明の実施の形態及び実施例】本発明の上述のフィー
チャ、利点、目的を達成して、詳細に理解できるよう
に、図面に示す実施例を参照して、上に要約した本発明
をより詳細に説明する。しかし、添付した図面はこの発
明の典型的な実施例を示すのみであり、その範囲を制限
するものではない。本発明は、他の同様に有効な実施例
もあるからである。
チャ、利点、目的を達成して、詳細に理解できるよう
に、図面に示す実施例を参照して、上に要約した本発明
をより詳細に説明する。しかし、添付した図面はこの発
明の典型的な実施例を示すのみであり、その範囲を制限
するものではない。本発明は、他の同様に有効な実施例
もあるからである。
【００１１】銅蒸着チャンバとプロセスを参照して、好
適な実施例を説明する。しかし、他のコイル材料と蒸着
プロセスでも本発明を使用することができる。ＩＭＰ−
Ｃｕ処理において、所望の大きさとインピーダンス特性
を有する銅（Ｃｕ）で出来た単巻ＲＦが使用される。チ
タン（Ｔｉ）蒸着ではＴｉのコイルを使用でき、タンタ
ル（Ｔａ）蒸着ではＴａのコイルを使用でき、タングス
テン（Ｗ）蒸着ではＷのコイルを使用できる。ＩＭＰ−
Ｃｕ処理で使用する銅（Ｃｕ）コイルの典型的な表面
（図３に示す）を注意深く接近して調べると、ぎざぎざ
の表面が現れる。表面上に多数の鋭いスパイクされたピ
ンポイントがあることが分かる。これらのピンポイント
により、粒子が発生し、そのためプロセス又はこのプロ
セスを使用して形成したデバイスの完全さを損なう場合
がある。
適な実施例を説明する。しかし、他のコイル材料と蒸着
プロセスでも本発明を使用することができる。ＩＭＰ−
Ｃｕ処理において、所望の大きさとインピーダンス特性
を有する銅（Ｃｕ）で出来た単巻ＲＦが使用される。チ
タン（Ｔｉ）蒸着ではＴｉのコイルを使用でき、タンタ
ル（Ｔａ）蒸着ではＴａのコイルを使用でき、タングス
テン（Ｗ）蒸着ではＷのコイルを使用できる。ＩＭＰ−
Ｃｕ処理で使用する銅（Ｃｕ）コイルの典型的な表面
（図３に示す）を注意深く接近して調べると、ぎざぎざ
の表面が現れる。表面上に多数の鋭いスパイクされたピ
ンポイントがあることが分かる。これらのピンポイント
により、粒子が発生し、そのためプロセス又はこのプロ
セスを使用して形成したデバイスの完全さを損なう場合
がある。
【００１２】粒子発生の可能性を認識すると、ＲＦコイ
ルの表面特性（ぎざぎざ、でこぼこ、滑らか、非常に滑
らか）により、ＩＭＰ−Ｃｕプロセスにより薄膜内アダ
ーが発生することが想定される。ＲＦコイルの温度が高
いと、0.2μｍより大きい見えるＣｕアダーが発生する
と想定される。これらの想定の正確さを求めるため、ぎ
ざぎざ付き表面のコイルと滑らかな表面のコイルを使用
して実験を行った。図１は、この実験の結果を示す。
ルの表面特性（ぎざぎざ、でこぼこ、滑らか、非常に滑
らか）により、ＩＭＰ−Ｃｕプロセスにより薄膜内アダ
ーが発生することが想定される。ＲＦコイルの温度が高
いと、0.2μｍより大きい見えるＣｕアダーが発生する
と想定される。これらの想定の正確さを求めるため、ぎ
ざぎざ付き表面のコイルと滑らかな表面のコイルを使用
して実験を行った。図１は、この実験の結果を示す。
【００１３】図１において、コイルの温度は、コイルに
供給されるＲＦ電力のデューティサイクルの関数として
表される。デューティサイクルは、ＲＦコイルがオフの
時間（コイルに電力が送られない）と、ＲＦコイルがオ
ンの時間（コイルに電力が送られる）時間との比と定義
される。従って、デューティサイクル比が高いほど、よ
り低いコイル温度に対応する。図１に示す結果では、Ｒ
Ｆ電源のデューティサイクルは、１：１（最高温度）、
２：１、３：１（最低温度）で試験した。図1に示す結
果では、１つはぎざぎざの表面（粗い）を有し、１つは
滑らかな研磨した表面を有する２つのＲＦコイルを試験
した。
供給されるＲＦ電力のデューティサイクルの関数として
表される。デューティサイクルは、ＲＦコイルがオフの
時間（コイルに電力が送られない）と、ＲＦコイルがオ
ンの時間（コイルに電力が送られる）時間との比と定義
される。従って、デューティサイクル比が高いほど、よ
り低いコイル温度に対応する。図１に示す結果では、Ｒ
Ｆ電源のデューティサイクルは、１：１（最高温度）、
２：１、３：１（最低温度）で試験した。図1に示す結
果では、１つはぎざぎざの表面（粗い）を有し、１つは
滑らかな研磨した表面を有する２つのＲＦコイルを試験
した。
【００１４】図１は、全てのデューティサイクルについ
て、滑らかな研磨した表面のコイルは、ぎざぎざの表面
のコイルより薄膜内粒子の発生がずっと少ないことを示
す。両方のコイルの場合とも、コイルの温度が低いほ
ど、基板上に生じる薄膜内アダーが少ないと考えられ
る。これらの結果に基づいて、図２に、本は詰めの概念
による、ＩＭＰ−Ｃｕ処理チャンバ用等の改善されたＩ
ＭＰ金属プロセスとシステムの断面概略図を示す。
て、滑らかな研磨した表面のコイルは、ぎざぎざの表面
のコイルより薄膜内粒子の発生がずっと少ないことを示
す。両方のコイルの場合とも、コイルの温度が低いほ
ど、基板上に生じる薄膜内アダーが少ないと考えられ
る。これらの結果に基づいて、図２に、本は詰めの概念
による、ＩＭＰ−Ｃｕ処理チャンバ用等の改善されたＩ
ＭＰ金属プロセスとシステムの断面概略図を示す。
【００１５】図２に本発明のＩＭＰ−Ｃｕチャンバ20を
示す。チャンバ20の蓋24にＣｕターゲット22が取付けら
れている。一対の対向する磁石26,28が、チャンバ20の
蓋の上に配置され、回転デバイス（図示せず）により回
転することが出来る。基板支持具30の上面に基板32が配
置され、対向するターゲット22に平行に置かれている。
ＤＣ電源34がターゲット22に接続される。ＲＦ電源36が
基板支持具30に接続される。これら２つの電源は、適正
な極性（典型的には負）のバイアスをターゲットと基板
支持具30それゆえ基板に与える。
示す。チャンバ20の蓋24にＣｕターゲット22が取付けら
れている。一対の対向する磁石26,28が、チャンバ20の
蓋の上に配置され、回転デバイス（図示せず）により回
転することが出来る。基板支持具30の上面に基板32が配
置され、対向するターゲット22に平行に置かれている。
ＤＣ電源34がターゲット22に接続される。ＲＦ電源36が
基板支持具30に接続される。これら２つの電源は、適正
な極性（典型的には負）のバイアスをターゲットと基板
支持具30それゆえ基板に与える。
【００１６】ガス入口38が、チャンバ20内に環境ガス流
（アルゴン又はガス混合物等）を供給する。ガス源は、
流路と弁を経由してラインガス入口38に接続してもよ
い。弁は、調節可能で制御器37により制御される。ガス
出口33は、制御器37により制御される弁（図示せず）で
開閉して、弁から排気できる。制御器37は、任意の汎用
デジタルコンピュータで、中央演算装置とメモリーを有
し、ガス弁、真空ポンプシステム、真空ポンプ弁、ＲＦ
電源36、ＤＣ電源34、ＲＦ電源42を作動させるようにプ
ログラムできるものでも良い。
（アルゴン又はガス混合物等）を供給する。ガス源は、
流路と弁を経由してラインガス入口38に接続してもよ
い。弁は、調節可能で制御器37により制御される。ガス
出口33は、制御器37により制御される弁（図示せず）で
開閉して、弁から排気できる。制御器37は、任意の汎用
デジタルコンピュータで、中央演算装置とメモリーを有
し、ガス弁、真空ポンプシステム、真空ポンプ弁、ＲＦ
電源36、ＤＣ電源34、ＲＦ電源42を作動させるようにプ
ログラムできるものでも良い。
【００１７】ＲＦコイル40は、滑らかな表面で、さらに
研磨した表面でも良い。コイルの表面は、まず機械研磨
し、次に化学研磨及び／又はエッチングして作成しても
良い。コイル40の外面は、遊離薄片又はアダーの形成に
寄与するような鋭い突起部がない。遊離薄片又はアダー
は、ＩＭＰ−Ｃｕプロセスで基板32上に堆積する場合が
ある。ＲＦコイル40は、チャンバ20内のターゲット22
と、基板支持具30の間に取付けられる。環境ガス圧力が
約３０ミリトールに保持されれば、ＲＦコイル40は、コ
ンピュータの制御の下でＲＦ電源42により励起されると
き、ＩＭＰ−Ｃｕプロセス用のコイルの内部領域に高密
度プラズマを与えるように作動する。ＲＦ電源42は、そ
のデューティサイクルを制御器37により制御される。Ｒ
Ｆ電源42のデューティサイクルを変えることにより、高
度に研磨された外面を有するコイル40は、最適の温度に
保持され、コイルにより生成される遊離粒子は最低限に
なる。当業者は、本発明の範囲内の他のコイル温度制御
を使用することが出来ることが分かるであろう。
研磨した表面でも良い。コイルの表面は、まず機械研磨
し、次に化学研磨及び／又はエッチングして作成しても
良い。コイル40の外面は、遊離薄片又はアダーの形成に
寄与するような鋭い突起部がない。遊離薄片又はアダー
は、ＩＭＰ−Ｃｕプロセスで基板32上に堆積する場合が
ある。ＲＦコイル40は、チャンバ20内のターゲット22
と、基板支持具30の間に取付けられる。環境ガス圧力が
約３０ミリトールに保持されれば、ＲＦコイル40は、コ
ンピュータの制御の下でＲＦ電源42により励起されると
き、ＩＭＰ−Ｃｕプロセス用のコイルの内部領域に高密
度プラズマを与えるように作動する。ＲＦ電源42は、そ
のデューティサイクルを制御器37により制御される。Ｒ
Ｆ電源42のデューティサイクルを変えることにより、高
度に研磨された外面を有するコイル40は、最適の温度に
保持され、コイルにより生成される遊離粒子は最低限に
なる。当業者は、本発明の範囲内の他のコイル温度制御
を使用することが出来ることが分かるであろう。
【００１８】図３、４、５を参照すると、ＩＭＰプロセ
スで使用する従来のＲＦコイルの断面44が示される。こ
れらの図に示すコイルは、ぎざぎざの即ち粗くした表面
46を有する。ＲＦ電力がコイル部分44にかけられる任意
のときに、その外面の少なくとも短い部分は等電位であ
る。それゆえ、等電位の電界線48（図５に示す）は、任
意の鋭いスパイク即ちピンポイント50の周りで集中す
る。図５から明らかなように、鋭いポイント50の周りの
電界線の集中により、電界の非常に強いポイントが一時
的に存在する。かけられるＲＦ電力の負の半分のサイク
ルのこのような非常に高い電界の値により、ＲＦコイル
のプラズマ領域で、イオン化した金属を引き付け、捕獲
することさえある。ＲＦ電力の正の半分のサイクルでは
電界が逆になるので、これらの引き付けられ一時的に堆
積したイオンは、ＲＦコイル材料の金属格子からの自由
電子の捕獲により、中性化して、中性金属原子、又はこ
れらのプロセスの繰返しにより金属の薄片を形成し、そ
れが基板及び／又はプロセスを汚染する場合がある。
スで使用する従来のＲＦコイルの断面44が示される。こ
れらの図に示すコイルは、ぎざぎざの即ち粗くした表面
46を有する。ＲＦ電力がコイル部分44にかけられる任意
のときに、その外面の少なくとも短い部分は等電位であ
る。それゆえ、等電位の電界線48（図５に示す）は、任
意の鋭いスパイク即ちピンポイント50の周りで集中す
る。図５から明らかなように、鋭いポイント50の周りの
電界線の集中により、電界の非常に強いポイントが一時
的に存在する。かけられるＲＦ電力の負の半分のサイク
ルのこのような非常に高い電界の値により、ＲＦコイル
のプラズマ領域で、イオン化した金属を引き付け、捕獲
することさえある。ＲＦ電力の正の半分のサイクルでは
電界が逆になるので、これらの引き付けられ一時的に堆
積したイオンは、ＲＦコイル材料の金属格子からの自由
電子の捕獲により、中性化して、中性金属原子、又はこ
れらのプロセスの繰返しにより金属の薄片を形成し、そ
れが基板及び／又はプロセスを汚染する場合がある。
【００１９】図６に、本発明の滑らかなＲＦコイルの外
面の一部52を示す。この図のコイルの部分52の場合は、
ＲＦ電力がコイルの部分52にかけられる任意のとき、外
面54の少なくとも短い部分は、この場合非常に滑らかで
あり、等電位である。従って、電界線56は、表面で一様
に分布している。
面の一部52を示す。この図のコイルの部分52の場合は、
ＲＦ電力がコイルの部分52にかけられる任意のとき、外
面54の少なくとも短い部分は、この場合非常に滑らかで
あり、等電位である。従って、電界線56は、表面で一様
に分布している。
【００２０】図２に示すコイル40の温度を低い所望の値
に調節するために、コイル冷却システムの他のアプロー
チとしては、コイル支持部材のＡｌＮ、銅、アルミニウ
ム等の高熱伝導性材料を選択することがある。コイル支
持部材は、コイル40をチャンバ20内に吊るす。また、コ
イル支持部材とコイル40自体の接触面積を増加すると、
コイル動作温度を下げるのに役立つ。コイル冷却システ
ムの任意のもの又は全て又はその組み合わせは、本発明
の精神と範囲内に入る。
に調節するために、コイル冷却システムの他のアプロー
チとしては、コイル支持部材のＡｌＮ、銅、アルミニウ
ム等の高熱伝導性材料を選択することがある。コイル支
持部材は、コイル40をチャンバ20内に吊るす。また、コ
イル支持部材とコイル40自体の接触面積を増加すると、
コイル動作温度を下げるのに役立つ。コイル冷却システ
ムの任意のもの又は全て又はその組み合わせは、本発明
の精神と範囲内に入る。
【００２１】詳細に記述した実施例は、ＩＭＰ−Ｃｕ
ＰＶＤ蒸着プロセスで使用する銅（Ｃｕ）コイルである
が、他の金属ＰＶＤ蒸着システムでも、本発明の概念に
従って設計し作動させれば、薄膜内欠陥が堆積する性質
を改善することが出来る。Ｔｉコイルを使用するチタ
ン、Ｔａコイルを使用するタンタル、又はＷコイルを使
用するタングステンのＰＶＤ蒸着は、本発明の精神と範
囲内に入る。上述した記述により、当業者には他の別の
配置は明らかであろう。特許請求の範囲により、全ての
このような変形と修正を本発明の精神と範囲内に入る。
ＰＶＤ蒸着プロセスで使用する銅（Ｃｕ）コイルである
が、他の金属ＰＶＤ蒸着システムでも、本発明の概念に
従って設計し作動させれば、薄膜内欠陥が堆積する性質
を改善することが出来る。Ｔｉコイルを使用するチタ
ン、Ｔａコイルを使用するタンタル、又はＷコイルを使
用するタングステンのＰＶＤ蒸着は、本発明の精神と範
囲内に入る。上述した記述により、当業者には他の別の
配置は明らかであろう。特許請求の範囲により、全ての
このような変形と修正を本発明の精神と範囲内に入る。
【図１】ＩＭＰ処理チャンバ内で使用するＲＦコイルの
２つの異なる表面の種類について、ＲＦデューティサイ
クルにより求めれれる温度の関数として、0.2μｍより
大きい薄膜内欠陥（アダー）の平均数のデータを示す概
略図。
２つの異なる表面の種類について、ＲＦデューティサイ
クルにより求めれれる温度の関数として、0.2μｍより
大きい薄膜内欠陥（アダー）の平均数のデータを示す概
略図。
【図２】本発明によるＩＭＰチャンバとシステムの概略
断面図。
断面図。
【図３】ぎざぎざ付きコイルの側面断面図。
【図４】ぎざぎざ付き即ち粗い表面を有するコイルの概
略断面図。
略断面図。
【図５】図４のコイルの一部の断面図で、ぎざぎざ付き
表面に隣接する電界ラインを示す。
表面に隣接する電界ラインを示す。
【図６】滑らかな表面を有するコイルの概略断面図。
20 ＩＭＰ−Ｃｕチャンバ 22 Ｃｕターゲット 24 蓋 26,28 磁石 30 基板支持具 32 基板 33 ガス出口 34 ＤＣ電源 36 ＲＦ電源 38 ガス入口 37 制御器 40 ＲＦコイル 42 ＲＦ電源 44 コイル部分 46 表面 48 電界線 50 ピンポイント
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ダーリル アンジェロ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95051 サンタ クララ カラバザース ブールヴァード 1370−５ (72)発明者 アルヴィンド スンダラヤン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95050 サンタ クララ モンロー スト リート 2200−408 (72)発明者 ペイユン ディン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95129 サン ホセ ウェスト リヴァー サイド ウェイ 1020 (72)発明者 ジェームズ エイチ ツン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95132 サン ホセ スタービンズ ウェ イ 1512 (72)発明者 イリョウン リチャード ホン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95136 サン ホセ リオ ロボ ドライ ヴ 5233 (72)発明者 バリー チン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95070 サラトガ カンバーランド ドラ イヴ 13174
Claims (14)
- 【請求項１】 プラズマ強化物理真空蒸着システムにお
いて、 a) 真空チャンバ、を備え、該真空チャンバは、 i) スパッタターゲットと、 ii) 前記ターゲットから間隔をおいた基板支持具と、 iii) 少なくとも１つの環境ガス源と、前記真空チャン
バ内で環境ガスを所定の圧力に保つ真空ポンプシステム
と、を有し、 b) 前記ターゲットと前記基板支持具との間の空間に取
り付けられたほぼ螺旋形のコイルであって、滑らかな外
面を有し、螺旋軸は前記ターゲット及び前記基板支持具
の表面にほぼ垂直なコイル、 c) 前記コイルの温度を調節するコイル冷却システム、
を備えることを特徴とするシステム。 - 【請求項２】 前記コイルの外面は、機械的研磨された
表面である請求項１に記載したシステム。 - 【請求項３】 前記コイルの外面は、化学的研磨された
表面である請求項２に記載したシステム。 - 【請求項４】 前記コイル冷却システムは、前記コイル
に接続されたＲＦ電源と、前記ＲＦ電源のデューティサ
イクルを制御する制御器を備える請求項１に記載したシ
ステム。 - 【請求項５】 前記コイル冷却システムは、前記コイル
の内部空間を通って流れる冷却流体を備える請求項１に
記載したシステム。 - 【請求項６】 前記コイルを支持するための、高熱伝導
性材料で形成された複数のコイル支持部材を備える請求
項１に記載したシステム。 - 【請求項７】 高熱伝導性の前記コイル支持部材は、Ａ
ｌＮ、Ｃｕ、Ａｌからなる群から選択される請求項６に
記載したシステム。 - 【請求項８】 前記コイルと前記コイル支持部材とは同
じ材料で形成され、前記コイルと前記コイル支持部材の
接触面積は、前記コイル支持部材により前記コイルを支
持するのに必要な最底面積より大きい請求項７に記載し
たシステム。 - 【請求項９】 改善されたプラズマ強化物理真空蒸着方
法において、 a) ターゲットと、基板支持具により支持された基板と
の間の空間に取り付けられたコイルであって、滑らかな
外面を有し、螺旋軸は前記ターゲット及び前記基板支持
具の表面にほぼ垂直なコイルを有する真空チャンバを利
用し、 b) 前記コイルを冷却することを特徴とする方法。 - 【請求項１０】 コイルの表面を機械的に研磨する請求
項９に記載した方法。 - 【請求項１１】 コイルの表面を化学的に研磨する請求
項１０に記載した方法。 - 【請求項１２】 前記コイルに接続されたＲＦ電源のデ
ューティサイクルを制御することにより、前記コイルを
冷却する請求項９に記載した方法。 - 【請求項１３】 前記コイルの内部空間を通って流体を
流す請求項９に記載した方法。 - 【請求項１４】 前記コイル支持部材により前記コイル
を支持するのに必要な最底面積より大きい接触面積で、
前記コイル支持部材により前記コイルを支持する請求項
９に記載した方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/350556 | 1999-07-09 | ||
| US09/350,556 US6235163B1 (en) | 1999-07-09 | 1999-07-09 | Methods and apparatus for ionized metal plasma copper deposition with enhanced in-film particle performance |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001140065A true JP2001140065A (ja) | 2001-05-22 |
Family
ID=23377236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000245287A Withdrawn JP2001140065A (ja) | 1999-07-09 | 2000-07-07 | 薄膜内粒子性能を改善したイオン化金属プラズマ銅蒸着 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6235163B1 (ja) |
| EP (1) | EP1067578A3 (ja) |
| JP (1) | JP2001140065A (ja) |
| KR (1) | KR20010015227A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010103376A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Citizen Tohoku Kk | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6387800B1 (en) * | 1999-12-20 | 2002-05-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of forming barrier and seed layers for electrochemical deposition of copper |
| US7781327B1 (en) | 2001-03-13 | 2010-08-24 | Novellus Systems, Inc. | Resputtering process for eliminating dielectric damage |
| US6764940B1 (en) | 2001-03-13 | 2004-07-20 | Novellus Systems, Inc. | Method for depositing a diffusion barrier for copper interconnect applications |
| US8043484B1 (en) | 2001-03-13 | 2011-10-25 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for resputtering process that improves barrier coverage |
| US7186648B1 (en) | 2001-03-13 | 2007-03-06 | Novellus Systems, Inc. | Barrier first method for single damascene trench applications |
| US6554969B1 (en) | 2001-07-11 | 2003-04-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Acoustically enhanced deposition processes, and systems for performing same |
| US6841044B1 (en) * | 2002-08-28 | 2005-01-11 | Novellus Systems, Inc. | Chemically-enhanced physical vapor deposition |
| US8298933B2 (en) | 2003-04-11 | 2012-10-30 | Novellus Systems, Inc. | Conformal films on semiconductor substrates |
| US7842605B1 (en) | 2003-04-11 | 2010-11-30 | Novellus Systems, Inc. | Atomic layer profiling of diffusion barrier and metal seed layers |
| US20050061251A1 (en) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Ronghua Wei | Apparatus and method for metal plasma immersion ion implantation and metal plasma immersion ion deposition |
| US7910218B2 (en) | 2003-10-22 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings |
| US7374648B2 (en) * | 2004-06-28 | 2008-05-20 | Honeywell International Inc. | Single piece coil support assemblies, coil constructions and methods of assembling coil constructions |
| US9659758B2 (en) * | 2005-03-22 | 2017-05-23 | Honeywell International Inc. | Coils utilized in vapor deposition applications and methods of production |
| US20060278520A1 (en) * | 2005-06-13 | 2006-12-14 | Lee Eal H | Use of DC magnetron sputtering systems |
| US8617672B2 (en) | 2005-07-13 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Localized surface annealing of components for substrate processing chambers |
| US7762114B2 (en) * | 2005-09-09 | 2010-07-27 | Applied Materials, Inc. | Flow-formed chamber component having a textured surface |
| US7855147B1 (en) | 2006-06-22 | 2010-12-21 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for engineering an interface between a diffusion barrier layer and a seed layer |
| US7645696B1 (en) | 2006-06-22 | 2010-01-12 | Novellus Systems, Inc. | Deposition of thin continuous PVD seed layers having improved adhesion to the barrier layer |
| US7510634B1 (en) | 2006-11-10 | 2009-03-31 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and methods for deposition and/or etch selectivity |
| US7981262B2 (en) * | 2007-01-29 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Process kit for substrate processing chamber |
| US7682966B1 (en) | 2007-02-01 | 2010-03-23 | Novellus Systems, Inc. | Multistep method of depositing metal seed layers |
| US7922880B1 (en) | 2007-05-24 | 2011-04-12 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for increasing local plasma density in magnetically confined plasma |
| US7897516B1 (en) | 2007-05-24 | 2011-03-01 | Novellus Systems, Inc. | Use of ultra-high magnetic fields in resputter and plasma etching |
| US7942969B2 (en) | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
| US7659197B1 (en) | 2007-09-21 | 2010-02-09 | Novellus Systems, Inc. | Selective resputtering of metal seed layers |
| US7727882B1 (en) | 2007-12-17 | 2010-06-01 | Novellus Systems, Inc. | Compositionally graded titanium nitride film for diffusion barrier applications |
| US20090194414A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Nolander Ira G | Modified sputtering target and deposition components, methods of production and uses thereof |
| US8017523B1 (en) | 2008-05-16 | 2011-09-13 | Novellus Systems, Inc. | Deposition of doped copper seed layers having improved reliability |
| WO2010120792A1 (en) * | 2009-04-17 | 2010-10-21 | The Regents Of The University Of California | Method and apparatus for super-high rate deposition |
| US9390909B2 (en) | 2013-11-07 | 2016-07-12 | Novellus Systems, Inc. | Soft landing nanolaminates for advanced patterning |
| FR2996679A1 (fr) * | 2012-10-09 | 2014-04-11 | St Microelectronics Crolles 2 | Procede de depot d'une couche de tialn peu diffusive et grille isolee comprenant une telle couche |
| US9478411B2 (en) | 2014-08-20 | 2016-10-25 | Lam Research Corporation | Method to tune TiOx stoichiometry using atomic layer deposited Ti film to minimize contact resistance for TiOx/Ti based MIS contact scheme for CMOS |
| US9478438B2 (en) | 2014-08-20 | 2016-10-25 | Lam Research Corporation | Method and apparatus to deposit pure titanium thin film at low temperature using titanium tetraiodide precursor |
| US9184060B1 (en) | 2014-11-14 | 2015-11-10 | Lam Research Corporation | Plated metal hard mask for vertical NAND hole etch |
| US11183373B2 (en) | 2017-10-11 | 2021-11-23 | Honeywell International Inc. | Multi-patterned sputter traps and methods of making |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2602276B2 (ja) * | 1987-06-30 | 1997-04-23 | 株式会社日立製作所 | スパツタリング方法とその装置 |
| US5178739A (en) * | 1990-10-31 | 1993-01-12 | International Business Machines Corporation | Apparatus for depositing material into high aspect ratio holes |
| TW327236B (en) * | 1996-03-12 | 1998-02-21 | Varian Associates | Inductively coupled plasma reactor with faraday-sputter shield |
| US5707498A (en) * | 1996-07-12 | 1998-01-13 | Applied Materials, Inc. | Avoiding contamination from induction coil in ionized sputtering |
| US5961793A (en) * | 1996-10-31 | 1999-10-05 | Applied Materials, Inc. | Method of reducing generation of particulate matter in a sputtering chamber |
| US6077402A (en) * | 1997-05-16 | 2000-06-20 | Applied Materials, Inc. | Central coil design for ionized metal plasma deposition |
| US6023038A (en) * | 1997-09-16 | 2000-02-08 | Applied Materials, Inc. | Resistive heating of powered coil to reduce transient heating/start up effects multiple loadlock system |
| US6168696B1 (en) * | 1999-09-01 | 2001-01-02 | Micron Technology, Inc. | Non-knurled induction coil for ionized metal deposition, sputtering apparatus including same, and method of constructing the apparatus |
-
1999
- 1999-07-09 US US09/350,556 patent/US6235163B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-07-05 EP EP00305661A patent/EP1067578A3/en not_active Withdrawn
- 2000-07-07 KR KR1020000038865A patent/KR20010015227A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-07-07 JP JP2000245287A patent/JP2001140065A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010103376A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Citizen Tohoku Kk | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1067578A2 (en) | 2001-01-10 |
| KR20010015227A (ko) | 2001-02-26 |
| EP1067578A3 (en) | 2001-04-18 |
| US6235163B1 (en) | 2001-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001140065A (ja) | 薄膜内粒子性能を改善したイオン化金属プラズマ銅蒸着 | |
| JP4429605B2 (ja) | シーケンシャルな堆積及びエッチングを備えたイオン化ｐｖｄ方法及び装置 | |
| KR101760846B1 (ko) | 고 종횡비 피처들에서 금속을 증착하는 방법 | |
| Rossnagel | Directional and ionized physical vapor deposition for microelectronics applications | |
| US7186648B1 (en) | Barrier first method for single damascene trench applications | |
| JP4021601B2 (ja) | スパッタ装置および成膜方法 | |
| US6627050B2 (en) | Method and apparatus for depositing a tantalum-containing layer on a substrate | |
| US8858763B1 (en) | Apparatus and methods for deposition and/or etch selectivity | |
| US7026238B2 (en) | Reliability barrier integration for Cu application | |
| CN101914752B (zh) | 金属膜的薄膜沉积方法和薄膜沉积装置 | |
| JP2004526868A5 (ja) | ||
| WO2001061728A1 (en) | Method and apparatus for plasma deposition | |
| US20050266173A1 (en) | Method and apparatus of distributed plasma processing system for conformal ion stimulated nanoscale deposition process | |
| JP2001220667A (ja) | スパッタされたドープ済みのシード層を形成する方法及び装置 | |
| US6200433B1 (en) | IMP technology with heavy gas sputtering | |
| JP2001355066A (ja) | スパッタ堆積された銅の膜の硬さを増す方法および装置 | |
| KR100501460B1 (ko) | 이온화된금속으로부터증착된접착층을사용한반도체구조물내의홀충전방법 | |
| KR20210021105A (ko) | 니켈 실리사이드 재료들을 형성하는 방법 | |
| US20020093101A1 (en) | Method of metallization using a nickel-vanadium layer | |
| US8016985B2 (en) | Magnetron sputtering apparatus and method for manufacturing semiconductor device | |
| US9406558B2 (en) | Cu wiring fabrication method and storage medium | |
| KR20010051740A (ko) | 시드층의 개선된 스텝 커버리지를 얻기 위한 압력 변조 방법 | |
| US20140127912A1 (en) | Plasma process etch-to-deposition ratio modulation via ground surface design | |
| US7642201B2 (en) | Sequential tantalum-nitride deposition | |
| JP2024508912A (ja) | サブトラクティブ金属及びサブトラクティブ金属半導体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20071002 |