KR19980032837A

KR19980032837A - Ｉｃｐ 소스의 코일 스퍼터링 제거 방법

Info

Publication number: KR19980032837A
Application number: KR1019970052683A
Authority: KR
Inventors: 젱 수; 푸센 첸; 제임 눌만
Original assignee: 조셉제이.스위니; 어플라이드머티어리얼스,인코포레이티드
Priority date: 1996-10-17
Filing date: 1997-10-15
Publication date: 1998-07-25
Also published as: SG65687A1; TW382737B; JPH10130834A; US6514390B1; EP0837490A2; EP0837490A3

Abstract

반도체 제조 시스템의 플라즈마 챔버를 위한 RF 코일의 스퍼터링을 감소하는 자기 시일드가 제공된다. 또한 자기 시일드는 코일상의 재료 증착을 감소시켜 제품상의 코일에 의해 방출되는 미립자 물질의 감소를 초래한다.

Description

ＩＣＰ 소스의 코일 스퍼터링 제거 방법

본 발명은 플라즈마 발생 장치에 관한 것으로서, 특히 반도체 소자의 제조에서 층 재료를 스퍼터링 증착하도록 플라즈마를 발생하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.

저압 무선 주파수(RF) 발생된 플라즈마는 표면 처리, 증착, 및 에칭 처리를 포함하는 다양한 반도체 소자 제조 방법에 사용될 수 있는 에너지 이온과 활성 원자의 편리한 소스가 되었다. 예를 들면, 스퍼터 증착 방법을 사용하여 반도체 웨이퍼 상에 재료를 증착하기 위하여, 플라즈마는 음적으로 바이어싱되는 스퍼터 타겟 재료의 근처에 발생된다. 이온은 타겟으로부터 스퍼터 재료를 이동시키기 위해 타겟의 표면에 충격을 주어 타겟 근처에 형성된다. 다음에 스퍼터링된 재료는 반도체 웨이퍼의 표면으로 이송되어 증착된다.

스퍼터링된 재료는 기판의 표면에 비스듬한 각도로 타겟으로부터 증착될 기판까지의 직선 경로로 이동하려는 경향을 가진다. 결과로서, 재료는 높은 길이 대 폭 종횡비를 갖는 트렌치 또는 홀을 가지는 반도체 소자의 에칭된 트랜치와 홀내에 증착된다. 공동을 방지하기 위하여, 스퍼터링된 재료는 스퍼터링된 재료가 플라즈마에 의해 충분히 이온화된다면 기판에 인접한 수직 지향된 전계를 위치시키기 위하여 기판을 음적으로 대전시킴으로써 타겟과 기판 사이의 수직 경로로 다시 진행될 수 있다. 그러나, 저밀도 플라즈마로 스퍼터링된 재료는 종종 초과 수의 공동의 형성을 방지하는데 통상 불충분한 1% 미만의 이온화 정도를 가진다. 따라서, 증착층내의 원치않는 공동의 형성을 감소시키기 위하여 스퍼터링된 재료의 이온화 속도를 증가시키기 위하여 플라즈마의 밀도를 증가시키는 것이 바람직하다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, 상기 용어 고밀도 플라즈마는 높은 전자 및 이온 밀도를 가지는 것으로 참조하려 한다.

정전 커플링, 유도 커플링 및 전파 가열을 포함하는 RF계로 플라즈마를 여기하기 위한 수개의 공지된 기술들이 있다. 표준 유도 커플링된 플라즈마(ICP : inductively coupled plasma) 발생기에서, 플라즈마를 둘러싸는 코일을 통과하는 RF 전류는 플라즈마내의 전자기 전류를 유도한다. 이런 전류는 플라즈마가 안정된 상태로 유지되도록 오믹 가열에 의해 전도 플라즈마를 가열한다. 미국 특허 번호 제4,362,632호에 도시된 바와 같이, 코일을 통과하는 전류는 임피던스 정합 네트워크를 통해 코일에 커플링된 RF 발생기에 의해 공급되어 상기 코일은 트랜스포머의 1차 권선으로서 기능한다. 플라즈마는 트랜스포머의 단일 회전 2차 권선으로서 기능한다.

코일로부터 플라즈마에 커플링되는 에너지를 최대화하기 위하여, 플라즈마 자체에 가능한 가깝게 코일을 배치하는 것이 바람직하다. 동시에, 그러나, 또한 내부 표면으로부터 방출되는 미립자 발생을 최소화하는 것이 바람직하다. 내부 표면으로부터 방출된 미립자는 웨이퍼 자체에 떨어질 수 있어 제품을 오염시킨다. 따라서, 많은 스퍼터링 챔버는 타겟과 웨이퍼를 지지하는 페데스탈사이의 플라즈마 발생 영역을 둘러싸는 일반적으로 환형 시일드를 포함한다. 상기 시일드는 세정을 상대적으로 용이하게 하고 진공 챔버의 내부가 스퍼터링 재료로 증착되는 것을 방지하는 평탄하고 완만한 곡선 표면을 제공한다. 대조적으로, 코일과 상기 코일을 위한 임의 스퍼터링 구조물은 일반적으로 코일과 그것의 지지용 구조물로부터 증착되는 재료를 제거하는 것이 더욱 어렵게 될 수 있는 상대적으로 가파른 곡선 표면을 가진다고 믿어진다. 부가적으로, 상기 시일드의 평탄하고 완만한 곡선 표면은 코일과 그것의 지지용 구조물의 가파른 곡선 표면보다 더 적은 미립자를 방출하려는 경향이 있다고 믿어진다.

그러므로, 다른한편 플라즈마에 헬리콘파를 발사하기 위한 방법 및 장치로 명명되고, 1995년 11월15일에 제출된 계류중인 특허 제08/559,345호에 개시된 바와 같이 상기 코일이 증착되어지는 재료로부터 시일딩되도록 상기 코일을 시일드 외부에 배치하는 것이 바람직할 것이다. 상기 구성은 코일과 그것의 지지용 구조물에 의한 미립자의 발생을 최소화하고 챔버의 세정을 용이하게 할 것이다. 다른한편, 플라즈마 또는 시일드 자체로부터의 간격에 의한 감쇠를 방지하여 코일로부터 플라즈마로의 에너지 전송을 최대화하도록 상기 코일은 상기 시일드 내부의 플라즈마 발생 영역에 가능한 가깝게 배치되는 것이 바람직하다. 따라서, 코일로부터 플라즈마로의 에너지 전송을 증가시키는 동시에 미립자 발생을 최소화하고 챔버 세정을 용이하도록 하는 것은 어렵다.

본 발명의 목적은 실질적 목적을 위해 이미 언급된 단점을 제거하는 챔버내에 플라즈마를 발생하고 층을 스퍼터링 증착하기 위한 개선된 방법 및 장치를 제공하는 것이다.

도 1은 본 발명의 일시예에 따른 플라즈마 발생 챔버의 투시적 부분 단면도.

도 2는 진공 챔버에 설치된 플라즈마 발생 챔버의 투시적 부분 단면도.

도 3은 도 1-2의 플라즈마 발생 챔버에 대한 전기적 상호접속의 개략도.

도 4는 도 1-2의 플라즈마 발생 챔버에 대한 다른 전기적 상호접속의 개략도.

도 5는 도 1-4의 실시예에 따른 플라즈마 발생 챔버의 개략 단면도.

도 6은 도 5의 자기 시일드의 축방향 자계 세기의 진폭을 개략적으로 도시하는 그래프.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생 챔버의 단면도.

도 8은 도 7의 실시예에 따른 플라즈마 발생 챔버 부품의 평면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

100 : 플라즈마 챔버 106 : 챔버 시일드

110 : 타겟 1000, 1010 : 전자기 코일

상기 목적은 본 발명의 한 특징에 따른 코일상의 타겟 재료의 증착을 최소화하도록 플라즈마와 이온화된 타겟 재료로부터 자성적으로 시일딩되는 코일로부터 정전기 에너지를 유도적으로 커플링하는 플라즈마 발생 장치에 의해 달성된다. 결과적으로, 코일에 의해 방출된 미립자 물질에 의한 제품의 오염은 감소될 수 있다.

바람직한 실시예에서, 제품상에 재료를 스퍼터링하기 위해 반도체 제조 시스템내에 플라즈마를 에너지화하기 위한 장치는 플라즈마 발생 영역을 가지는 반도체 제조 챔버, 상기 챔버에 의해 지탱되고 상기 플라즈마 발생 영역내에 에너지를 커플링하도록 배치된 코일, 및 제품상의 코일로부터 스퍼터링을 감소하도록 배치된 가계 장치를 포함할 수 있다. 선택적으로, 자계 장치는 코일상의 타겟으로부터 스퍼터링을 감소하도록 배치될 수 있다. 상기 타겟과 코일은 둘다 티타늄, 알루미늄 또는 다른 적당한 재료를 포함할 수 있다. 상기 장치는 상기 챔버에 의해 지탱되고 상기 자계 장치를 제공하도록 배치된 하나 이상의 전자기 코일을 포함할 수 있다. 선택적으로, 상기 장치는 상기 챔버에 의해 지탱되고 상기 자계 장치를 제공하도록 배치된 하나 이상의 영구 자석을 포함할 수 있다.

도 1 내지 도 3를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 발생기는 진공 챔버(102)(도 2)내에 수용되는 실린더형 플라즈마 챔버(100)을 포함한다. 이런 실시예의 상기 플라즈마 챔버(100)는 챔버 시일드(106)에 의해 내부적으로 상기 진공 챔버 벽(108)(도 2)에 지탱되는 단일 나선형 코일(104)를 가진다. 상기 챔버 시일드(106)는 상기 플라즈마 챔버(100)의 내부에 증착되어지는 재료로부터 상기 진공 챔버(102)의 내부 벽(108)(도 2)을 보호한다.

RF 발생기(3040)로부터의 무선 주파수(RF) 에너지는 상기 코일(104)로부터 상기 플라즈마 챔버(100)의 내부로 방사되어 상기 플라즈마 챔버(100)내의 플라즈마를 에너지화한다. 이온 플럭스는 상기 플라즈마 챔버(100)상에 배치된 음으로 바이어싱된 타겟(110)을 때린다. 상기 플라즈마 이온은 상기 플라즈마 챔버(100)의 하부에 페데스탈(114)에 의해 지지되는 웨이퍼 또는 다른 제품이 될 수 있는 기판(112)상에 타겟(110)으로부터 재료를 배출한다. 상기 타겟(110)상에 제공된 회전 자석 어셈블리(116)는 상기 타겟(110)의 스퍼터링에 의한 균일한 부식을 증진하도록 상기 타겟(110)의 표면에 걸쳐 스위핑하는 자계를 생성한다.

이하에 더욱 상세히 설명되는 바와 같이, 본 발명의 한 특징에 따라, 상기 코일(104)은 상기 코일(104)로부터 재료의 스퍼터링을 최소화하도록 전자기 코일(1000과 1010)에 의해 발생된 자계에 의해 자성적으로 시일딩된다. 부가적으로, 또한 상기 타겟 재료의 코일(104)상의 증착이 감소될 수 있다. 결과적으로, 상기 코일(104)로부터 스퍼터링된 재료 또는 상기 코일(104)에 의해 방출되는 미립자 물질에 의한 기판(112)의 오염은 감소된다.

도 3은 이런 예시적 실시예의 플라즈마 발생 장치의 전기적 접속의 개략도이다. 상기 플라즈마에 의해 발생된 이온을 유인하기 위하여, 상기 타겟(110)은 바람직하게 가변 DC 전력 소스(3000)에 의해 음으로 바이어싱된다. 동일한 방식으로, 상기 페데스탈(114)은 이온화된 증착 재료를 상기 기판(112)으로 유인하도록 상기 기판(112)을 음으로 바이어싱하기 위하여 가변 DC 전력 소스(3010)에 의해 음으로 바이어싱될 수 있다. 다른 실시예에서, 도 4에 도시된 바와 같이 상기 페데스탈(114)은 상기 기판(112)에 더욱 균일하게 이온화된 증착 재료를 유인하도록 상기 기판(112)을 바이어싱하기 위하여 고주파수 RF 전력 소스에 의해 바이어싱될 수 있다. 상기 페데스탈(114)의 한 단부는 입력이 RF 발생기(3045)에 커플링되는 증폭기와 정합 네트워크(3025)의 출력과 같은 RF 소스에 커플링된다. 상기 페데스탈(114)의 다른 단부는 바람직하게 가변 캐패시터가 될 수 있는 캐패시터(3065)를 통해 접지된다. 선택적으로, 1996년 7월 9일에 제출되고, 전면 고밀도 플라즈마 증착을 제공하기 위한 방법으로 명명된 계류중인 특허 제08/677,588호에 더욱 상세히 설명된 바와 같이, 상기 기판(112)의 외부 바이어싱은 임의로 제거될 수 있다.

상기 코일(104)의 한 단부는 입력이 RF 발생기(3040)에 커플링되는 증폭기와 정합 네트워크(3020)의 출력과 같은 RF 소스에 커플링된다. 상기 코일(104)의 다른 단부는 바람직하게 가변 캐패시터가 될 수 있는 캐패시터(3060)를 통해 접지된다. 유사하게, 상기 전자기 코일(1000)의 한 단부는 입력이 AC 전력 발생기(4040)에 커플링되는 변압기와 정류 회로(4020)의 출력과 같은 DC 전력 소스에 커플링될 수 있다. 상기 전자기 코일(1000)의 다른 단부는 바람직하게 가변 저항이 될 수 있는 저항(4060)를 통해 접지된다. 마찬가지로, 상기 전자기 코일(1010)의 한 단부는 입력이 AC 전력 발생기(5040)에 커플링되는 변압기와 정류 회로(5020)의 출력과 같은 DC 전력 소스에 커플링될 수 있다. 상기 전자기 코일(1010)의 다른 단부는 바람직하게 가변 저항이 될 수 있는 저항(5060)를 통해 접지된다. 선택적으로, 전자기 코일(1000과 1010)은 둘다 동일하거나, 또는 둘다 공통 DC 전력 발생기에 커플링될 수 있고, 또는 하나 이상의 AC 전력 소스가 사용될 수 있다. 하나 이상의 전자기 코일(1000과 1010)은 필요에 따라 극저온적으로 냉각되고, 에너지화될 때 임의 전력 공급원으로부터 단절될 수 있는 고온 또는 저온 초전도 재료의 권선을 사용하여 초전도화될 수 있다.

도 5는 상기 코일(104)로부터 재료 스퍼터링을 감소하고, 상기 코일(104)에 의한 미립자 물질의 발생을 감소하고, 그러므로 상기 기판(112)의 오염을 감소시키는 상기 전자기 코일(1000과 1010)의 동작을 개략적으로 도시한다. 도 5에 도시된 바와 같이, 자계선(1100)이 상기 전자기 코일(1000과 1010)에 의해 발생되어 고밀도 플라즈마(900)로부터 에너지화된 전자가 자계선(1100) 둘레의 나선형 경로(1200)로 진행하도록 하고, 이온화된 전자가 상기 나선형 코일(104)에 충돌하지 못하도록 이온화된 전자를 편향시킨다. 또한 상기 자계선(1100)에 의해 이온화된 전자의 편향은 상기 편향된 전자의 일반적 이동 방향을 따라 전계를 형성하여 상기 나선형 코일(104) 충돌로부터 고밀도 플라즈마(900)의 에너지화된 이온과 타겟 재료 이온을 편향시킨다. 더욱이, 상기 자계선(1100)은 상기 플라즈마 챔버(100)의 중심축를 행해 내부로 상기 고밀도 플라즈마(900)를 압착하여 상기 자계선(1100)의 세기에 의존하여 상기 코일(104)로부터 내부로 방사상으로 수 ㎜ 내지 수 ㎝ 이상의 버퍼 영역을 형성하고 유리하게 상기 코일(104)의 직접 플라즈마 가열을 방지하는 것으로 믿어진다. 특히, 상기 자계선(1100)은 상기 코일(104)로부터 멀리 상기 고밀도 플라즈마(900)의 에너지화된 전자를 상기 코일(104) 주위의 경로로 상기 접지된 챔버 시일드(106)로 편향시킨다. 이것은 상기코일(104)의 인접 근처에 머물지 못하도록 하고 상기 코일(104)로부터 재료를 스퍼터링하여 상기 기판(112)을 오염시킬 수 있는 선구물질 가스 원자와 분자를 이온화시키지 못하도록 한다. 또한, 상기 자계선(1100)은 제한된 범위로 본래 상기 타겟(110)으로부터 배출되는 이온화된 증착 재료로부터 상기 코일(104)를 자성적으로 시일딩할 수 있다. 결과적으로, 상기 코일(104)상의 타겟 재료의 축적은 감소될 수 있고, 그 결과 상기 코일(104)로부터 순차적으로 제거되어 상기 기판(112)에 떨어져 상기 기판(12)을 오염시킬 수 있는 미립자 형성을 감소시킨다. 상기 RF 코일(104)에 인접한 영역에 전자기 코일(1000과 1010)에 의해 발생된 전형적 자계 세기는 50-110 가우스의 범위이다. 상기 고밀도 플라즈마(900)내의 전형적 전자 밀도는 10¹²㎝^-3정도이다.

도 6은 플라즈마 챔버(100)의 중심 대칭 축으로부터 거리(x)에 대하여 도식화된 축 방향 자계 세기(B_z)의 진폭에 대한 바람직한 불균일 구성을 개략적으로 도시한다. 예를 들면, 도 6에 도시된 바와 같이 플라즈마 챔버(100)의 중심축에 더 가까운 위치(X_a)에서의 축 방향 자계 세기의 진폭(도 5)은 플라즈마 챔버(100)의 중심 축으로부터 더욱 먼 위치(X_b)에서의 축 방향 자계 세기의 진폭(b)(도 5) 보다 작다. 결론적으로, 고밀도 플라즈마(900)의 중심 영역상의 자계섬(1100)의 간섭은 축 방향 자계 세기(B_z)의 진폭에 대한 바람직한 불균일 구성으로 감소될 수 있다. 반면에, 고밀도 플라즈마(900)의 주변에서 효과적 자기 시일딩은 증진될 수 있다. 축방향 자계 세기(B_z) 진폭의 전형적 값은 플라즈마 챔버(100)의 중심 대칭축으로부터 상당한 거리(x)로 도 6에 도시된 바와 같이 80가우스의 등급에 있다. 전형적으로, 바람직한 실시예에서 자계 세기(B)의 진폭은 일반적으로 고밀도 플라즈마(900)의 상대적으로 큰 전도성이 주어진 고밀도 플라즈마(900)의 중심 영역을 향해 에지로부터 내부로 지수적으로 떨어진다고 믿어진다.

도 2는 물리적 기상 증착(PVD) 시스템의 진공 챔버(102)에 설치된 플라즈마 챔버(100)를 도시한다. 본 발명의 플라즈마 발생기가 설명 목적을 위해 PVD 시스템과 관련하여 개시되더라도, 본 발명에 따른 플라즈마 발생기는 플라즈마 에칭, 화학 기상 증착(CVD) 및 여러 가지 표면 처리 방법을 포함하여 플라즈마를 사용하는 다른 반도체 제조 방법과 사용하기에 적당하다고 예기된다.

상기 코일(104)은 지지용 챔버 시일드(106)로부터 상기 코일(104)을 전기적으로 절연하는 다수의 코일 스탠드오프(120)에 의해 상기 챔버 시일드(160)상에 지탱된다(도 1). 부가적으로, 상기 절연용 코일 스탠드오프(120)는 상기 챔버 시일드(106)(전형적으로 접지되는)에 상기 코일(104)을 단락시킬 수 있는 상기 코일(104)로부터 상기 챔버 시일드(106)로 증착된 재료의 완전한 도전 경로의 형성을 방지하면서 상기 코일 스탠드오프(120)상에 상기 타겟(110)으로부터 도전 재료의 반복된 증착을 허용하는 내부 미로 구조를 가진다.

RF 전력은 절연용 피드스루 스탠드오프(124)에 의해 지지되는 피드스루 볼트(356)(도 2)에 의해 상기 코일(104)에 인가된다. 플라즈마를 발생하기 위한 리세스된 코일로 명명되고, 1996년 5월 9일에 제출된 계류중인 출원 일련 번호 제08/647,182호에 더욱 상세히 설명된 바와 같이, 상기 피드스루 스탠드오프(124)는 상기 코일 지지용 스탠드오프(120)처럼 코일(104)을 챔버 시일드(106)에 단락시킬 수 있는 도전 경로의 형성없이 상기 피드스루 스탠드오프(124)상에 타겟으로부터 도전 재료의 반복된 증착을 허용한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 코일 피드스루 스탠드오프(124)는 상기 코일 지지용 스탠드오프(120)처럼 일반적으로 디스크형 절연 베이스 부재(350)와 상기 절연 베이스 부재(350)를 커버하는 비즈-블라스트 티타늄의 일반적으로 실린더형 커버 부재(352)를 가진다. 상기 베이스 부재(350)와 커버 챔버(352)는 상기 코일(104)과 상기 시일드 벽(140) 사이의 단락 형성을 방지하도록 상기 코일 스탠드오프(120)의 그것보다 다소 작은 내부 미로 구조를 형성한다. 상기 피드스루 스탠드오프(124)는 RF 전력이 상기 코일(104)에 인가되는 나사선 도전 피드스루 볼트(356)를 연장시키는 중앙 개구부를 가진다. 상기 피드스루 볼트(356)는 상기 코일(104)을 수용하는 비즈-블라스트 티타늄의 종결 슬리브(359)를 가지는 티타늄 슬리브(358)에 의해 수용된다. 상기 피드스루 스탠드오프(124)는 상기 벽(140) 내부상의 절연 베이스 부재(350)와 상기 벽(140)의 다른 측면상의 피드스루 볼트(356)상에 나사 결합된 너트(366)에 의해 상기 시일드의 상기 벽(140)에 고정된다. 상기 너트(336)는 전기적 접속기(368)와 절연 스페이서(374)에 의해 상기 벽(140)으로부터 일정 간격 배치된다. 상기 전기적 접속기(368)는 상기 피드스루(356)를 RF 발생기(3040)(도 3에 개략적으로 도시된)에 정합 네트워크(3020)(또한 도 3에 개략적으로 도시된)를 통해 접속한다.

전자기 코일(1000과 1010)은 각각 도 2에 도시된 바와 같은 전자기 코일 지지대(1005와 1015)에 의해 지지되는 챔버 시일드(106)의 외부적으로 배치된다. 전자기 코일 지지대(1005)는 어댑터 링 어셈블리(152)에 부착될 수 있고, 전자기 코일 지지대(1015)는 진공 챔버 벽(108)에 부착될 수 있다. 상기 전자기 코일(1000)은 어댑터 링 어셈블리 피드스루(도시 안됨)를 통해 도 3에 도시된 바와 같이 DC 전력 소스에 접속한다. 또한 상기 전자기 코일(1010)은 진공 챔버 벽 피드스루(도시 안됨)를 통해 도 3에 도시된 바와 같이 DC 전력 소스에 접속한다. 선택적으로, 전자기 코일(1000과 1010) 중 하나 또는 둘다는 고밀도 플라즈마(900)가 상기 기판(112)상에 상기 타겟(110)으로부터 재료의 증진된 증착 균일도를 초래할 수 있게 회전되도록 할수 있다.

도 2에 잘 도시된 바와 같이, 이런 실시예의 상기 플라즈마 챔버(100)는 음으로 바이어싱되는 상부의 상기 타겟(100)에 관련하여 접지 평면을 제공하는 암공간 시일드 링(130)을 가진다. 부가적으로, 플라즈마를 발생하기 위한 리세스된 코일로 명명된 계류중인 출원 일련 번호 제08/647,182호에 더욱 상세히 설명된 바와 같이, 또한 상기 시일드 링(130)은 상기 타겟 외부 에지의 스퍼터링을 감소하도록 플라즈마로부터 타겟의 외부 에지를 시일딩한다. 상기 암공간 시일드(130)는 상기 타겟(110)으로부터 스퍼터링되는 재료로부터 상기 코일(104)( 및 코일 지지용 스탠드오프(120)와 피드스루 스탠드오프(124))를 시일딩하도록 배치된다는 점에서 또다른 기능을 수행한다.

예시된 실시예에서, 상기 암공간 시일드(130)는 일반적으로 반전된 절두 원추형 모양을 가지는 (반자성) 티타늄 또는 (비강자성) 스테인레스강 또는 (비자기) 니켈의 밀폐된 연속 링이다. 상기 암공간 시일드는 약 1/4 인치의 거리(d) 만큼 코일(104)에 중첩하도록 플라즈마 챔버(100)의 중앙을 향해 내부로 연장한다. 물론, 중첩의 정도는 상기 코일(104)의 관련 크기와 배치 및 다른 인자에 의존하여 변경될 수 있다. 에를 들면, 상기 중첩은 상기 스퍼터링된 재료로부터 상기 코일(104)의 시일딩을 증가시키도록 증가될 수 있지만, 중첩의 증가는 일부의 응용에 바람직하지 않을 수 있는 플라즈마로부터 타겟(110)을 추가로 시일딩할 수 있다. 선택적으로, 암공간 시일드(130)와 코일(104) 사이의 중첩 정도는 고밀도 플라즈마의 에너지화를 증가시키도록 플라즈마 챔버(100)의 중앙을 향해 더 가깝게 코일(104)을 이동함으로써 감소될 수 있다. 이런 증첩의 감소가 암공간 시일드(130)에 의해 타겟(110)으로부터 스퍼터링되는 재료로부터 상기 코일(104)의 시일딩을 감소시킬 수 있더라도, 상기 전자기 코일(1000과 1010)에 의해 발생된 자계선에 의한 자기 시일딩은 암공간 시일드(130)에 의한 시일딩 감소를 완전히 또는 부분적으로 보상할 수 있다.

상기 챔버 시일드(106)는 일반적으로 사발형이고 스탠드오프(120과 124)가 코일(104)을 절연적으로 지지하도록 부착되는 일반적 실린더 모양의 수직 방향 벽(140)을 포함한다. 상기 시일드는 추가로 예시된 실시예에서 약 8 직경을 가지는 기판(112)을 지지하는 척 또는 페데스탈(114)을 둘러싸는 일반적 환형 바닥벽(142)을 가진다. 클램핑 링(154)은 상기 척(114)에 대해 웨이퍼를 크램핑하고 상기 챔버 시일드(106)의 바닥 벽(142)과 상기 척(114) 사이의 갭을 커버한다. 그러므로, 클램핑 링(154)과 챔버 시일드(106)는 플라즈마 챔버(100)내의 기판(112)상에 증착되는 증착 재료로부터 진공 챔버(102)의 내부를 보호한다는 것을 도 2로부터 알수 있다. 1996년 7월 9일에 제출되고, 전면 고밀도 플라즈마 증착을 제공하기 위한 방법으로 명명된 계류중인 특허 제08/677,588호에 더욱 상세히 설명된 바와 같이, 상기 클램핑 링은 제거될 수 있다. 또한 상기 챔버 시일드(106)는 바람직하게 암공간 시일드(130)처럼 티타늄 또는 (비강자성) 스테인레스 강 또는 (비자기) 니켈로 형성된다.

상기 진공 챔버 벽(108)은 상부 환형 플랜지(150)를 가진다. 상기 플라즈마 챔버(100)는 진공 챔버 벽 플랜지(150)를 구속하는 어댑터 링 어셈블리(152)에 의해 지지된다. 상기 챔버 시일드(106)는 어댑터 링 어셈블리(152)의 수평적으로 연장하는 플랜지 부재(162)에 다수의 조임 나사(도시 안됨)에 이해 조여지는 수평적으로 연장하는 외부 플랜지 부재(160)를 가진다. 상기 챔버 시일드(106)는 어댑터 링 어셈블리(152)를 통해 시스템 접지에 접지된다.

또한 상기 암공간 시일드(130)는 어댑터 링 어셈블리(152)의 수평 플랜지(162)에 조여지는 상부 플랜지(170)를 가진다. 상기 암공간 시일드(130)는 챔버 시일드(106)처럼 어댑터 링 어셈블리(152)를 통해 접지된다.

상기 타겟(110)은 일반적으로 디스크 모양이고, 또한 상기 어댑터 링 어셈블리(152)에 의해 지지된다. 그러나, 상기 타겟(110)은 음적으로 바이어싱되어 접지되는 상기 어댑터 링 어셈블리(152)로부터 절연되어야 한다. 따라서, 상기 타겟(110)의 하부에 형성된 채널(176)에 안착된 것은 상기 어댑터 링 어셈블리(152)의 상부내의 대응하는 채널(174)에 또한 안착되는 세라믹 절연 링 어셈블리(172)이다. 세라믹을 포함하는 다양한 절연 재료로 제조될 수 있는 상기 절연 링 어셈블리(172)는 상기 타겟(110)이 적당히 음적으로 바이어싱되도록 상기 어댑터 링 어셈블리(152)로부터 타겟(110)을 일정 간격 유지한다. 상기 타겟, 어댑터 및 세라믹 링 어셈블리는 상기 진공 챔버(102)로부터 상기 타겟(110)까지 진공 밀폐 어셈블리를 제공하기 위해 O-링 시일링 표면(178)으로 제공된다.

예시된 실시예의 코일(104)은 바람직하게 아주 튼튼한 1/8 인치의 비즈-블라스트 고체 고순수(바람직하게 99.995% 순수한) 티타늄 또는 약 12-14인치의 직경을 가지는 3개 회전 나선형 코일내에 형성된 구리 리본에 의해 2인치로 제조된다. 그러나, 다른 높은 도전 재료와 모양이 스퍼터링되는 재료와 다른 인자에 의존하여 사용될 수 있다. 예를 들면, 상기 리본은 1/16인치 두께가 될 수 있다. 또한, 상기 스퍼터링될 재료가 고순수 알루미늄이라면, 상기 타겟과 코일은 둘다 고순수 알루미늄으로 제조되어야 한다. 예시된 리본 모양에 부가적으로, 물 냉각이 요구된다면 공동 관이 사용될 수 있다.

도 1-5의 실시예는 단지 2개 전자기 코일(1000과 1010)을 사용하는 것으로 도시되지만, 물론 하나와 같이 적은 전자기 코일이 사용될 수 있고, 10개 이상과 같이 많은 전자기 코일이 또한 사용될 수 있으며, 또는 전자기 코일과 영구 자석의 조합이 사용될 수 있다. 많은 전자기 코일을 사용할때의 장점은 많은 전자기 코일이 고밀도 플라즈마(900)의 효과적 전자 밀도를 증가시킬 수 있고 기판(112)상의 타겟(110)으로부터 증진된 재료의 증착 균일도를 초래하는 고밀도 플라즈마(900)의 더욱 정밀한 형태 또는 보틀링(bottling), 및 기판(112)의 미세 형태와 구조상, 특히 매우 높은 종횡비를 갖는 깊고, 좁은 트렌치, 비아 및 콘택 홀에 타겟(110)으로부터 증착된 재료의 더 큰 자기 조준을 가능하게 한다는 것이다.

도 7은 코일(104)에 의한 미립자 물질의 발생이 기판(112)의 오염을 감소시키도록 다소 서로 다른 구조에 의해 감소되는 본 발명의 다른 실시예에 따른 자성적으로 시일딩된 나선형 코일(104)의 단면도를 도시한다. 도 7의 실시예에서, 자계선(2100)은 영구 자석(2000)에 의해 발생되고, 다시 고밀도 플라즈마(900)의 에너지화된 전자가 나선형 경로(1200)로 상기 자계선(2100)의 근처로 나선형으로 나아가게 하고, 상기 나선형 코일(104) 충격으로부터 고밀도 플라즈마(900)의 이온화된 전자와 이온, 및 타겟 재료 이온을 편향시킨다. 상기 나선형 경로(1200)는 도 7에 도시된 바와 같이 상기 자계선(2100)에 수직한 평면상에 투영될 때 실질적으로 원형을 보인다. 도 7에 도시된 나선형 경로(1200)의 투영은 자계선(2100)이 도 7의 왼쪽상의 도면 평면으로 가고 도 7의 오른쪽상의 도면 평면 외부로 나오기 때문에 전자를 위해 적당하다. k번째 방향(우선 좌표 시스템을 형성하는 방향 1, 2, 및 3)의 자계(B_k)에서 j번째 방향의 속도(V_j)로 이동하는 전자의 i번째 방향의 로렌쯔 힘의 자기 성분은 다음과 같은 식으로 주어진다.

여기에서, 전자의 전하 절대값은 1.6021892±0.0000046×10^-19쿨롱이고, 광(c)의 속도는 2.99792458±0.000000012×10¹⁰㎝/초이며, ε_ijk는 완전 반대칭 텐서이다(ε₁₂₃=1=ε₂₃₁=ε₃₁₂=-ε₂₁₃=-ε₁₃₂=-ε₃₂₁, 모든 다른 성분은 동등하게 0이 된다). 예를 들면, 도 7에서 1 방향 수평, 2 방향 수직 및 도면의 평면에 대한 3 방향 수직으로 자계선(2100)이 도 7의 왼쪽에서 도면의 평면내에서 음의 3 방향(B₁=0, B₂=0, B₃=-B)에 있고 도면의 평면에서 전자의 속도가 양의 2 방향(V₁=0, V₂=V, V₃=0)으로 상승할 때, 로렌쯔 힘의 자기 성분은 오른쪽으로 양의 1 방향(F_1m=-ε₁₂₃ev₂B₃/c=evB/c, F_2m=0, F_3m=0)에 있고; 도면의 평면에서 전자의 속도가 오른쪽으로 양의 1 방향(V₁=V, V₂=0, V₃=0)에 있을 때 로렌쯔 힘의 자기 성분은 음의 2 방향(F_1m=0, F_2m=-ε₂₁₃ev₁B₃/c=-evB/c, F_3m=0)으로 하강하고; 도면의 평면에서 전자의 속도가 음의 2 방향(V₁=0, V₂=-V, V₃=0)으로 하강할 때 로렌쯔 힘의 자기 성분은 왼쪽으로 음의 1 방향(F_1m=-ε₁₂₃ev₂B₃/c=-evB/c, F_2m=0, F_3m=0)에 있고; 도면의 평면에서 전자의 속도가 오른쪽으로 음의 1 방향(V₁=-V, V₂=0, V₃=0)에 있을 때 로렌쯔 힘의 자기 성분은 양의 2 방향(F_1m==0, F_2m=-ε₂₁₃ev₁B₃/c=evB/c, F_3m=0)에 있고, 도 6의 왼쪽에 도시된 바와 같이 도면의 평면에서 전자의 시계 방향을 초래한다. 유사하게, 도 7의 오른쪽에서 자계선(2100)이 도면의 평면으로부터 양의 3 방향(B₁=0, B₂=0, B₃=B)에 있고 도면의 평면에서 전자의 속도가 양의 2 방향(V₁=0, V₂=V, V₃=0)으로 상승할 때, 로렌쯔 힘의 자기 성분은 왼쪽으로 음의 1 방향(F_1m=-ε₁₂₃ev₂B₃/c=-evB/c, F_2m=0, F_3m=0)에 있고; 도면의 평면에서 전자의 속도가 왼쪽으로 음의 1 방향(V₁=-V, V₂=0, V₃=0)에 있을 때 로렌쯔 힘의 자기 성분은 음의 2 방향(F_1m=0, F_2m=-ε₂₁₃ev₁B₃/c=-evB/c, F_3m=0)으로 하강하고; 도면의 평면에서 전자의 속도가 음의 2 방향(V₁=0, V₂=-V, V₃=0)으로 하강할 때 로렌쯔 힘의 자기 성분은 오른쪽으로 양의 1 방향(F_1m=-ε₁₂₃ev₂B₃/c=evB/c, F_2m=0, F_3m=0)에 있고; 도면의 평면에서 전자의 속도가 오른쪽으로 양의 1 방향(V₁=V, V₂=0, V₃=0)에 있을 때 로렌쯔 힘의 자기 성분은 양의 2 방향(F_1m==0, F_2m=-ε₂₁₃ev₁B₃/c=evB/c, F_3m=0)에 있고, 도 6의 오른쪽에 도시된 바와 같이 도면의 평면에서 전자의 반시계 방향을 초래한다.

상기 영구 자석(2000)에 의해 발생된 자계선(2100)에 의해 제공된 자기 시일딩은 도 1-5의 실시예의 암공간 시일드(130)의 기능과 유사한 기능을 수행한다. 특히, 상기 자계선(2100)은 타겟(110)으로부터 배출되는 증착 재료로부터 제한된 범위로 자성적으로 상기 코일(104)을 시일딩한다. 또한, 이미 언급된 바와 같이 상기 자계선(2100)은 코일(104)로부터 멀리 고밀도 플라즈마(900)로부터 에너지화된 전자를 코일(104) 근처의 접지된 챔버 시일드(106)로 편향시킨다. 이것은 에너지화된 전자가 코일(104)의 인접 부근에 지체하지 못하도록 하고 기판(112)을 실질적으로 오염시킬 수 있는 코일(104)로부터 재료를 스퍼터링할 수 있는 선구물질 가스 원자와 분자가 이온화되지 못하도록 한다.

도 8은 도 7의 실시예의 영구 자석(2000)을 위한 바람직한 다른 구성의 평면도를 개략적으로 도시한다. 부가적으로, 상기 영구 자석(2000)은 에너지화된 전자와 고밀도 플라즈마(900)의 이온과 타겟 재료 이온으로부터 코일(104)의 더욱 균일한 자기 시일딩을 제공하도록 상기 플라즈마 챔버(100)의 대칭 중심 축 근처의 코일(104)에 관련하여 기계적으로 회전될 수 있다.

이미 개시된 실시예의 각각에서, 다중 회전 코일(104과 204)이 사용되지만, 물론 단일 회전 코일이 대신 사용될 수 있다. 또한, 에시된 리본형 코일(104과 204) 대신에, 상기 코일(104 또는 204)의 각각의 회전은 1996년 7월 10일에 제출되고 플라즈마 발생과 스퍼터링을 위한 코일로 명명된 계류중인 출원 일련번호 제08/680,335호에 개시된 바와 같이 평면의 개방식 환형 링으로 이루어질 수 있다.

이미 개시된 각각의 실시예는 플라즈마 챔버에 단일 코일이 사용된다. 본 발명은 하나 이상의 RF 동력 코일을 가지는 플라즈마 챔버에 이용가능하다는 것을 인식하여야 한다. 예를 들면, 본 발명은 1995년 11월 15일에 제출되고 플라즈마에 헬리콘파를 발사하기 위한 방법 및 장치로 명명된 이미 언급된 출원 일련번호 제08/559,345호에 개시된 타입의 헬리콘파를 발사하기 위한 다중 코일 챔버에 적용될 수 있다.

적당한 RF 발생기와 정합 회로는 종래 기술의 숙련자에게 잘 알려진 부품이다. 예를 들면, 정합 네트워크 및 안테나와 정합하는 최상의 주파수를 위해 주파수 추적할 수 있는 능력을 가지는 ENI 제니스 시리즈와 같은 RF 발생기가 적당하다. 상기 코일(104)에 대한 RF 전력을 발생하기 위한 발생기의 주파수는 바람직하게 2㎒이지만, 상기 범위는 1㎒로부터 4㎒까지 변화할 수 있다고 예기된다. 4.5㎾의 RF 전력 설정이 바람직하지만 1.5-5㎾의 범위가 만족스럽다고 믿어진다. 부가적으로, 3㎾의 타겟(110)을 바이어싱하기 위한 DC 전력 설정이 바람직하지만, 2-10㎾의 범위가 바람직하고 -30볼트 DC의 페데스탈(114) 바이어스 전압이 만족스럽다.

예시적 실시예에서, 상기 챔버 시일드(106)는 16의 직경을 가지지만 양호한 결과는 6-25 범위의 직경으로 달성될 수 있다고 예기된다. 상기 시일드는 절연 재료, 이를테면 세라믹 또는 수정을 포함하는 다양한 재료로 제조될 수 있다. 그러나, 상기 타겟 재료로 마찬가지로 코팅될 상기 시일드와 모든 금속 표면은 바람직하게 스퍼터링된 타겟 재료와 같은 동일한 재료로 제조되지 않는다면, 스테인레스강 또는 구리와 같은 재료로 제조될 수 있다. 코팅되어야 할 표면의 재료는 시일드 또는 웨이퍼 상의 다른 구조물로부터 스퍼터링된 재료의 박편화를 감소시키도록 스퍼터링된 재료의 열팽창 계수에 거의 일치하는 열팽창 계수를 가져야 한다. 부가적으로, 코팅될 상기 재료는 스퍼터링된 재료에 대해 양호한 접착성을 가져야 한다. 그러므로, 예를 들어 상기 증착된 재료가 티타늄이라면, 코팅될 상기 시일드, 브래킷 및 다른 구조물의바람직한 금속은 비즈-블라스트 티타늄이다. 스퍼터링될 어떤 표면은 바람직하게 타겟과 동일한 타입의 재료, 이를테면 고순수 티타늄으로 제조될 수 있을 것이다. 물론, 증착될 재료가 티타늄 외의 재료라면, 바람직한 금속은 상기 증착된 재료, 스테인레스강 또는 구리이다. 또한 접착성은 타겟 스퍼터링 이전에 몰리브덴으로 상기 구조물들을 코팅함으로써 개선될 수 있다. 그러나, 몰리브덴이 코일로부터 스퍼터링된다면 제품을 오염시킬 수 있기 때문에 상기 코일(또는 스퍼터링될 어떤 다른 표면)은 몰리브덴 또는 다른 재료로 코팅하지 않는 것이 바람직하다.

상기 웨이퍼 대 타겟 간격은 바람직하게 약 140㎜(약 5.5)이지만, 약 1.5 내지 8 범위가 될 수 있다. 이런 웨이퍼 대 타겟 간격에 대하여, 만족스런 웨이퍼 하부 스텝 커버리지는 1.9 인치의 거리만큼 타겟으로부터 일정 간격 배치된 11.5인치의 코일 직경으로 달성되었다. 제품 에지로부터 멀리 코일이 이동하는 코일의 직경 증가는 하부 커버리지에 대하여 역효과를 가질 수 있다는 것을 알 수 있다. 다른 한편, 웨이퍼 에지에 가깝게 코일이 이동하는 코일 직경의 감소는 층 균일성에 악영향을 줄 수 있다.

또한 증착 균일도는 타겟으로부터 코일 간격의 함수가 되는 것으로 보인다. 이전에 언급된 코일과 타겟 사이의 1.9인치의 간격은 140㎜의 타겟 대 웨이퍼 간격을 위해 만족스럽다. 타겟(또는 웨이퍼)으로부터 전방 또는 멀리 코일 수직적 이동은 증착 층 균일도에 악영향을 줄 수 있다.

다양한 선구물질 가스가 Ar,H₂, O₂또는 NF₃, CF₄과 같은 반응 가스 및 다른 것 등을 포함하여 플라즈마를 발생하는데 사용될 수 있다. 다양한 선구물질 가스 압력은 0.1-50mTorr의 압력을 포함하면 적당하다. 이온화된 PVD를 위하여, 10 내지 100mTorr의 압력은 스퍼터링된 재료의 양호한 이온화를 제공한다.

이상에서는 본 발명의 양호한 일 실시예에 따라 본 발명이 설명되었지만, 첨부된 청구 범위에 의해 한정되는 바와 같은 본 발명의 사상을 일탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형이 가능함은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에게는 명백하다.

반도체 제조 시스템의 플라즈마 챔버를 위한 RF 코일의 스퍼터링을 감소하시키고, 코일상의 재료 증착을 감소시켜 제품상의 코일에 의해 방출되는 미립자 물질의 감소를 초래한다.

Claims

제품상에 재료를 스퍼터링하는 반도체 제조 시스템내의 플라즈마를 에너지화하기 위한 장치에 있어서,

플라즈마 발생 영역을 가지는 반도체 제조 챔버;

상기 챔버에 의해 지탱되고 상기 플라즈마 발생 영역내에 에너지를 커플링하도록 배치된 코일; 및

상기 제품상에 상기 코일로부터의 스퍼터링을 감소하도록 배치된 자계 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 시스템내의 플라즈마 에너지화 장치.
제 1항에 있어서, 상기 타겟과 상기 코일은 티타늄으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 시스템내의 플라즈마 에너지화 장치.
제 1항에 있어서, 상기 타겟과 상기 코일은 알루미늄으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 시스템내의 플라즈마 에너지화 장치.
제 1항에 있어서, 상기 챔버에 의해 지탱되고 상기 자계 수단을 제공하도록 배치된 다수의 전자기 코일을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 시스템내의 플라즈마 에너지화 장치.
제 1항에 있어서, 상기 챔버에 의해 지탱되고 상기 자계 수단을 제공하도록 배치된 다수의 영구 자석을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 시스템내의 플라즈마 에너지화 장치.
제품상에 재료를 스퍼터링하는 반도체 제조 시스템내의 플라즈마를 에너지화하기 위한 장치에 있어서,

플라즈마 발생 영역을 가지는 반도체 제조 챔버;

상기 챔버내에 지탱되고 제 1 재료로 형성되는 스퍼터링 타겟을 포함하는데, 상기 타겟은 상기 제품상에 상기 타겟 재료를 스퍼터링하도록 배치되고;

상기 챔버에 의해 지탱되고 상기 타겟과 같은 동일한 타입의 재료로 형성된 코일;

상기 챔버에 의해 지탱되고 상기 제품상의 상기 코일로부터의 스퍼터링을 감소하도록 배치된 자계 수단을 제공하도록 배치된 제 1 및 제 2 전자기 코일을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 시스템내의 플라즈마 에너지화 장치.
제 6항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 전자기 코일은 자계 세기의 진폭이 상기 챔버의 중앙 영역에서 최소가 되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 시스템내의 플라즈마 에너지화 장치.
제 6항에 있어서,

상기 타겟에 DC 바이어스를 인가하기위한 제 1 소스;

상기 제품에 DC 바이어스를 인가하기 위한 제 2 소스;

상기 코일에 RF 전력을 인가하기 위한 RF 발생기; 및

상기 제 1 및 제 2 전자기 코일에 DC 전력을 인가하기 위한 제 3 소스를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 시스템내의 플라즈마 에너지화 장치.
제 6항에 있어서,

상기 타겟에 DC 바이어스를 인가하기위한 제 1 소스;

상기 제품에 DC 바이어스를 인가하기 위한 제 2 소스;

상기 코일에 RF 전력을 인가하기 위한 RF 발생기;

상기 제 1 전자기 코일에 DC 전력을 인가하기 위한 제 3 소스; 및

상기 제 2 전자기 코일에 DC 전력을 인가하기 위한 제 4 소스를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 시스템내의 플라즈마 에너지화 장치.
제 6항에 있어서,

상기 타겟에 DC 바이어스를 인가하기위한 소스;

상기 제품에 교류 바이어스를 인가하기 위한 RF 소스;

상기 코일에 RF 전력을 인가하기 위한 RF 발생기; 및

상기 제 1 및 제 2 전자기 코일에 DC 전력을 인가하기 위한 소스를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 시스템내의 플라즈마 에너지화 장치.
제 6항에 있어서,

상기 타겟에 DC 바이어스를 인가하기위한 소스;

상기 제품에 교류 바이어스를 인가하기 위한 RF 소스;

상기 코일에 RF 전력을 인가하기 위한 RF 발생기;

상기 제 1 전자기 코일에 DC 전력을 인가하기 위한 제 1 소스; 및

상기 제 2 전자기 코일에 DC 전력을 인가하기 위한 제 2 소스를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 시스템내의 플라즈마 에너지화 장치.
제품상에 재료를 스퍼터링하는 반도체 제조 시스템내의 플라즈마를 에너지화하기 위한 장치에 있어서,

플라즈마 발생 영역을 가지는 반도체 제조 챔버;

상기 챔버에 의해 지탱되고 상기 플라즈마 발생 영역내에 에너지를 커플링하도록 배치된 코일; 및

상기 코일상의 상기 타겟으로부터의 스퍼터링을 감소하도록 배치된 자계 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 시스템내의 플라즈마 에너지화 장치.
제품상의 재료 증착 방법에 있어서,

상기 제품상의 상부에 배치된 타겟으로부터 상기 제품상에 타겟 재료를 스퍼터링하는 단계; 및

코일로부터 상기 제품상의 상기 코일 재료의 스퍼터링을 감소하도록 상기 제품에 인접하게 배치된 상기 코일을 자성적으로 시일딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제품상의 재료 증착 방법.
제 13항에 있어서, 상기 코일의 자기 시일딩을 제공하도록 다수의 전자기 코일을 에너지화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제품상의 재료 증착 방법.
제 13항에 있어서, 상기 타겟 재료와 상기 코일 재료는 동일한 타입의 재료인 것을 특징으로 하는 제품상의 재료 증착 방법.
제 13항에 있어서, 상기 코일의 자기 시일딩을 제공하도록 다수의 영구 자석을 배치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제품상의 재료 증착 방법.
제품상의 재료 증착 방법에 있어서,

상기 제품상에 배치된 타겟으로부터 상기 제품상에 타겟 재료를 스퍼터링하는 단계; 및

상기 타겟으로부터 상기 코일상의 타겟 재료의 스퍼터링을 감소하도록 상기 제품에 인접하게 배치된 코일을 자성적으로 시일딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제품상의 재료 증착 방법.