KR20120023799A - 성막 장치 및 성막 방법 - Google Patents

Abstract

이 성막 장치(1)는, 성막면을 가진 피처리체(W)와 스퍼터링면(3a)을 가진 타겟(3)이 대향하도록 상기 피처리체(W) 및 상기 타겟(3) 모두가 배치되는 내부 공간을 갖는 챔버(2)와, 상기 챔버(2)안을 감압하는 배기부와, 상기 스퍼터링면(3a)이 노출되는 상기 내부 공간에 자기장을 발생시키는 제1 자기장 발생부(4)와, 상기 타겟(3)에 음의 직류 전압을 인가하는 직류 전원(9)와, 상기 챔버(2)안에 스퍼터링 가스를 도입하는 가스 도입부(11)와, Iu로 정의된 전류치가 인가되어 상기 타겟(3)에 가까운 위치에 배치된 제1 발생부(13u)와, Id로 정의된 전류치가 인가되어 상기 피처리체에 가까운 위치에 배치된 제2 발생부(13d)를 가지고, 관계식Id<Iu를 충족하도록 상기 제1 발생부(13u) 및 상기 제2 발생부(13d)에 전류를 인가하고, 상기 스퍼터링면(3a)의 전면과 상기 피처리체(W)의 상기 성막면의 전면 사이에 소정 간격으로 수직인 자력선이 지나가도록 수직 자기장을 발생시키는 제2 자기장 발생부(13)를 포함한다.

Description

성막 장치 및 성막 방법{Film-forming apparatus and film-forming method}

본 발명은, 피처리체의 표면에 피막을 형성하기 위해 사용되는 성막 장치 및 성막 방법에 관한 것으로서, 특히 박막 형성 방법의 일종인 스퍼터링법을 사용한 DC 마그네트론 방식의 성막 장치 및 성막 방법에 관한 것이다.

본원은 2009년 7월 17일에 출원된 일본 특허출원 2009-169447호에 기초하여 우선권을 주장하고 그 내용을 여기에 원용한다.

종래, 예를 들면 반도체 디바이스 제작시의 성막 공정에서는 스퍼터링법을 사용한 성막 장치(이하, 「스퍼터링 장치」라고 한다.)가 사용되었다.

이와 같은 용도의 스퍼터링 장치에서는, 최근의 배선 패턴의 미세화에 따라 처리해야 할 기판 전면에 깊이와 폭의 비가 3을 초과하는 고 어스펙트비의 미세 홀에 대해 양호한 피복성으로 피막을 성막할 수 있는 것, 즉 커버리지의 향상이 강하게 요구되고 있다.

일반적으로 상기 스퍼터링 장치에서는, 예를 들면 타겟의 후방(타겟에서 스퍼터링면과는 반대쪽)에 극성을 교대로 다르게 한 복수개의 자석으로 구성된 자석 조립체가 배치되어 있다. 이 자석 조립체에 의해, 타겟의 전방(스퍼터링면이 노출되는 공간)에 터널형 자기장을 발생시켜 타겟의 전방에서 전리(電離)된 전자 및 스퍼터링에 의해 생긴 2차 전자를 포착함으로써 타겟의 전방에서의 전자 밀도를 높이고 플라즈마 밀도를 높인다.

이와 같은 스퍼터링 장치에서는, 타겟 중 상기 자기장의 영향을 받는 영역이 우선적으로 스퍼터링된다. 따라서 방전 안정성 또는 타겟의 사용 효율 향상 등의 관점에서 상기 영역이, 예를 들면 타겟 중앙 부근에 존재하면 스퍼터링시 타겟의 침식량은 그 중앙 부근에서 많아진다.

이와 같은 경우 타겟으로부터 스퍼터링된 타겟재 입자(예를 들면 금속 입자, 이하, 「스퍼터링 입자」라고 한다)가 기판의 연직 방향에 대해 경사진 각도로 입사되어 기판의 외주부에 부착된다.

그 결과 스퍼터링 장치를 상기 용도의 성막 공정에 사용한 경우에는, 특히 기판의 외주부에서 비대칭인 커버리지가 형성된다는 문제가 종래부터 알려져 있다. 즉, 기판의 외주부에 형성된 미세 홀의 단면에서 미세 홀의 저부와 한쪽 측벽 사이에 형성된 피막의 형상과, 그 저부와 다른 쪽 측벽 사이에 형성된 피막의 형상이 달라진다는 문제가 있었다.

이와 같은 문제를 해결하기 위해 진공 챔버 내에 기판이 재치되는 스테이지의 윗쪽 에 스테이지의 표면과 대략 평행하게 제1 스퍼터링 타겟이 배치되고, 또한 스테이지의 비스듬하게 윗쪽에서 스테이지 표면에 대해 경사 방향을 향하는 제2 스퍼터링 타겟이 배치된 스퍼터링 장치, 즉 복수개의 캐소드 유닛을 구비한 장치가, 예를 들면 특허문헌 1에 알려져 있다.

그러나 상기 특허문헌 1에 기재되어 있는 것처럼 복수개의 캐소드 유닛을 진공 챔버 내에 배치하면 장치 구성이 복잡해지고 또 타겟의 수에 따른 스퍼터링 전원 또는 자석 조립체가 필요해지는 등 부품 점수가 증가하여 비용이 증가하는 부작용이 있다. 또한 타겟의 사용 효율도 나빠져 제조 비용이 증가하는 부작용도 있다.

일본 특개 2008-47661호 공보

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 기판에 형성된 고 어스펙트비의 홀, 트렌치 또는 미세 패턴에 대해 높은 피복성으로 피막을 형성하고, 또한 기판 외주부에서도 기판의 중앙부와 동일 레벨의 피복성을 확보할 수 있는 성막 장치 및 성막 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 제1 태양의 성막 장치는, 성막면을 가진 피처리체와 스퍼터링면을 가진 타겟(피막의 모재)이 대향하도록 상기 피처리체 및 상기 타겟 모두가 배치(수납)되는 내부 공간을 갖는 챔버와, 상기 챔버 내를 감압하는 배기부와, 상기 스퍼터링면이 노출되는 상기 내부 공간(스퍼터링면의 전방)에 자기장을 발생시키는 제1 자기장 발생부와, 상기 타겟에 음의 직류 전압을 인가하는 직류 전원과, 상기 챔버 내에 스퍼터링 가스를 도입하는 가스 도입부와, Iu로 정의된 전류치가 인가되어 상기 타겟에 가까운 위치(타겟 근방)에 배치된 제1 발생부와, Id로 정의된 전류치가 인가되어 상기 피처리체에 가까운 위치(피처리체근방)에 배치된 제2 발생부를 가지고, 관계식Id<Iu를 충족하도록 상기 제1 발생부 및 상기 제2 발생부에 전류를 인가하고, 상기 스퍼터링면의 전면과 상기 피처리체의 상기 성막면의 전면 사이에 소정 간격으로 수직인 자력선이 지나가도록 수직 자기장을 발생시키는 제2 자기장 발생부를 포함한다.

본 발명의 제1 태양의 성막 장치에서는, 상기 Iu 및 상기 Id는 관계식1<Iu/Id≤3을 충족하는 것이 바람직하다.

본 발명의 제2 태양의 성막 방법은, 성막면을 가진 피처리체와 스퍼터링면을 가진 타겟이 대향하도록 상기 피처리체 및 상기 타겟 모두가 배치되는 내부 공간을 갖는 챔버와, 상기 챔버 내를 감압하는 배기부와, 상기 스퍼터링면이 노출되는 상기 내부 공간에 자기장을 발생시키는 제1 자기장 발생부와, 상기 타겟에 음의 직류 전압을 인가하는 직류 전원과, 상기 챔버 내에 스퍼터링 가스를 도입하는 가스 도입부와, 상기 타겟에 가까운 위치에 배치된 제1 발생부와 상기 피처리체에 가까운 위치에 배치된 제2 발생부를 가지고, 상기 스퍼터링면의 전면과 상기 피처리체의 상기 성막면의 전면 사이에 소정 간격으로 수직인 자력선이 지나가도록 수직 자기장을 발생시키는 제2 자기장 발생부를 포함한 성막 장치를 준비하고, Iu로 정의된 전류치를 상기 제1 발생부에 인가하고, Id로 정의된 전류치를 상기 제2 발생부에 인가하고, 관계식Id<Iu를 충족하도록 상기 제1 발생부 및 상기 제2 발생부에 인가되는 상기 전류치를 제어한다.

본 발명의 제2 태양의 성막 방법에서는, 상기 Iu와 상기 Id는 관계식1<Iu/Id≤3을 충족하도록 상기 제1 발생부 및 상기 제2 발생부에 공급되는 전류치를 제어하는 것이 바람직하다.

본 발명에 의하면, 타겟의 전면과 피처리체의 전면 사이에 수직인 자력선이 지나가도록 수직 자기장을 발생시키기 때문에 스퍼터링에 의해 타겟의 스퍼터링면에서 비산된 정전하를 가진 스퍼터링 입자의 방향은 상기 수직 자기장에 의해 변화된다. 이로써 스퍼터링 입자는 피처리체에 대해 대략 수직으로 입사되어 부착된다.

그 결과, 반도체 디바이스 제작시의 성막 공정에서 본 발명의 성막 장치를 사용함으로써 고 어스펙트비의 홀, 트렌치 또는 미세 패턴에 대해 높은 피복성으로 피막을 형성할 수 있다. 또한 피처리체의 중앙부에서의 피복성과 동일 레벨의 피복성으로 피처리체의 외주부에 피막을 형성할 수 있다. 또 처리체의 외주부에서 비대칭인 커버리지가 형성된다는 문제가 해소된다. 즉, 기판의 외주부에 형성된 미세 홀의 단면에서, 미세 홀 저부와 한쪽 측벽 사이에 형성된 피막의 형상과, 그 저부와 다른 쪽 측벽 사이에 형성된 피막의 형상이 달라진다는 문제가 해소된다.

본 발명에서는, 제2 자기장 발생부에서 타겟에 가까운 위치에 배치된 제1 발생부에 인가되는 전류치(제1 전류)를 Iu로 정의하고, 피처리체에 가까운 위치에 배치된 제2 발생부에 인가되는 전류치(제2 전류)를 Id로 정의한 경우, 관계식Id<Iu를 충족하도록 제2 자기장 발생부에 전류를 인가한다. 이로써 타겟에 가까운 위치에서의 자속 밀도가 피처리체에 가까운 위치에서의 자속 밀도보다 커져 타겟에 가까운 위치에서 비산되는 스퍼터링 입자가 피처리체를 향해 효과적으로 유도된다. 따라서 기판에 형성된 고 어스펙트비의 홀, 트렌치 또는 미세 패턴에 대해 높은 피복성으로 피막을 형성할 수 있다.

도 1은, 본 발명에 관한 성막 장치의 구조를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 2a는, 본 발명에 관한 성막 장치에서 수직 자기장을 발생시킨 상태를 도시한 모식도이다.
도 2b는, 본 발명에 관한 성막 장치에서 수직 자기장을 발생시킨 상태를 도시한 모식도이다.
도 3은, 기판상에 성막된 고어스펙트비의 미세 홀 및 트렌치의 구조를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 4는, 상(上)코일 및 하(下)코일 각각에 공급되는 전류치와, 측벽에 형성된 피막의 피복성을 평가한 결과와의 관계를 도시한 도면이다.
도 5는, 상코일 및 하코일 각각에 공급되는 전류치와, 미세 홀의 최소 개구를 평가한 결과와의 관계를 도시한 도면이다.

이하, 본 발명에 관한 성막 장치 및 성막 방법의 실시형태에 대해서 도면에 기초하여 설명하기로 한다.

또 이하의 설명에 사용하는 각 도면에서는, 각 구성 요소를 도면상에서 인식할 수 있는 정도의 크기로 하기 위해 각 구성 요소의 치수 및 비율을 실제의 것과는 적절히 다르게 하였다.

도 1에 도시한 바와 같이, 성막 장치(1)는 DC 마그네트론 스퍼터링 방식의 성막 장치로서, 진공 분위기의 생성이 가능한 진공 챔버(2)(챔버)를 구비한다.

진공 챔버(2)의 천정부에는 캐소드 유닛(C)이 설치되어 있다.

아울러 이하의 설명에서는 진공 챔버(2)의 천정부에 가까운 위치를 「상」이라고 칭하고, 진공 챔버(2)의 저부에 가까운 위치를 「하」라고 칭한다.

캐소드 유닛(C)은 타겟(3)을 구비하고, 타겟(3)은 홀더(5)에 설치되어 있다.

또한 캐소드 유닛(C)은 타겟(3)의 스퍼터링면(하면)(3a)이 노출되는 공간(스퍼터링면(3a)의 전방)에 터널형 자기장을 발생하는 제1 자기장 발생부(4)를 구비한다.

타겟(3)은, 처리해야 할 기판(W)(피처리체)에 형성되는 박막의 조성에 따라 적절히 선택된 재료, 예를 들면 Cu,Ti,Al 또는 Ta로 구성되어 있다.

타겟(3)의 형상은, 처리해야 할 기판(W)의 형상에 대응시켜 스퍼터링면(3a)의 면적이 기판(W)의 표면적보다 커지도록 공지의 방법으로 소정 형상(예를 들면, 평면도에서 원형)으로 제작되어 있다.

또 타겟(3)은, 공지의 구조를 가진 DC 전원(9)(스퍼터링 전원, 직류 전원)에 전기적으로 접속되어 소정의 음의 전위가 인가된다.

제1 자기장 발생부(4)는, 홀더(5)에서 타겟(3)(스퍼터링면(3a))이 배치되는 위치와는 반대 위치(상측, 타겟(3) 또는 홀더(5)의 배면쪽)에 배치되어 있다.

제1 자기장 발생부(4)는, 타겟(3)에 평행하게 배치된 요크(4a)와, 요크(4a)의 하면에 설치된 자석(4b),(4c)으로 구성되어 있다.

타겟(3)에 가까운 위치에 배치된 자석(4b),(4c) 끝단의 극성이 교대로 다르게 자석(4b),(4c)은 배치되어 있다.

자석(4b),(4c)의 형상 또는 갯수는, 방전 안정성 또는 타겟의 사용 효율 향상 등의 관점에서, 스퍼터링면(3a)이 노출되는 공간(타겟(3)의 전방)에 형성되는 자기장(자기장의 형상 또는 분포)에 따라 적절히 선택된다.

자석(4b),(4c)의 형상으로서는, 예를 들면 박편 형상, 봉형상 또는 이들 형상이 적절히 조합된 형상이 채용되어도 좋다.

또 제1 자기장 발생부(4)에 이동 기구가 설치되어도 좋고, 이동 기구에 의해 제1 자기장 발생부(4)가 타겟(3)의 배면쪽에서 왕복 운동 또는 회전 운동해도 좋다.

진공 챔버(2)의 저부에는 타겟(3)에 대향하도록 스테이지(10)가 배치되어 있다.

스테이지(10) 위에는 기판(W)이 탑재되고, 스테이지(10)에 의해 기판(W)의 위치가 결정되어 기판(W)이 지지된다.

또 진공 챔버(2)의 측벽에는, 아르곤 가스 등 스퍼터링 가스를 도입하는 가스관(11)(가스 도입부)의 일단이 접속되어 있고, 가스관(11)의 타단은 매스 플로우 콘트롤러(미도시)를 통해 가스원에 연통되어 있다.

또한 진공 챔버(2)에는 터보 분자 펌프 또는 로터리 펌프 등으로 이루어진 진공 배기부(12)(배기부)로 통하는 배기관(12a)이 접속되어 있다.

도 3은, 성막 장치(1)를 사용하여 피막이 형성되는 기판의 일부를 도시하고 있으며, 기판상에 성막된 고 어스펙트비의 미세 홀 및 트렌치의 구조를 모식적으로 도시한 단면도이다. 도 3에서, 부호 H는 고 어스펙트비의 미세 홀이고, 부호 L은 기판상에 성막된 박막이다. 성막 처리해야 할 기판(W)에서는 Si웨이퍼 표면에 실리콘 산화물막(절연막)(I)이 형성된 후, 이 실리콘 산화물막중에 고 어스펙트비의 미세 홀(H)이 패터닝에 의해 형성되어 있다.

그런데 종래의 성막 방법에서는, 타겟(3)을 스퍼터링하면 타겟(3) 안에 제1 자기장 발생부(4)에 의해 발생하는 자기장의 영향을 받는 영역이 우선적으로 스퍼터링되고, 이 스퍼터링에 의해 타겟재 입자인 스퍼터링 입자가 비산된다. 이 경우, 타겟에서는 상기와 같이 자기장의 영향을 받는 영역에 침식이 생긴다. 또 타겟으로부터 비산된 스퍼터링 입자는, 기판(W)의 연직 방향에 대해 경사진 각도로 기판(W)의 외주부에 입사되어 기판(W)에 부착된다.

이와 같은 종래의 성막 방법에 의해 타겟(3)을 스퍼터링함으로써 기판(W)에 Al 또는 Cu로 이루어진 씨드층 또는 Ti 또는 Ta로 이루어진 배리어 메탈층 등의 박막(L)을 성막하면, 기판(W)의 외주부에 위치한 미세 홀에서 비대칭인 커버리지가 형성된다는 문제가 생긴다. 즉, 기판(W)의 연직 방향에 대해 경사진 각도로 스퍼터링 입자가 기판(W)의 외주부에 입사되어 부착됨으로써 기판의 외주부에 형성된 미세 홀의 단면에서, 미세 홀 저부와 한쪽 측벽 사이에 형성된 피막의 형상과, 그 저부와 다른 쪽 측벽 사이에 형성된 피막의 형상이 달라진다.

이에 반해 본 실시형태의 성막 장치(1)에서는, 도 2a에 도시한 바와 같이 타겟(3)의 스퍼터링면(3a)의 전면 및 기판(W)의 전면 사이에 수직인 자력선(M)을 발생시키는 제2 자기장 발생부(13)가 설치되어 있다. 제2 자기장 발생부(13)는, 타겟(3)에 가까운 위치에 배치된 상코일(13u)(제1 발생부)과, 기판(W)에 가까운 위치에 배치된 하코일(13d)(제2 발생부)을 포함한다. 상코일(13u) 및 하코일(13d)은 타겟(3) 및 기판(W)의 중심 사이를 잇는 기준축(CL) 둘레로 진공 챔버(2)의 외측벽에 설치되어 있다. 상코일(13u) 및 하코일(13d)은 진공 챔버(2)의 상하 방향에서 소정 간격으로 떨어져 있다.

상코일(13u)은, 진공 챔버(2)의 외측벽에 설치된 링형 코일 지지체(14)를 가지고, 코일 지지체(14)에 도선(15)을 권회(卷回)함으로써 구성되어 있다. 또 상코일(13u)에 전력을 공급(통전)하는 전원 장치(16)가 상코일(13u)에 접속되어 있다. 하코일(13d)은 진공 챔버(2)의 외측벽에 설치된 링형 코일 지지체(14)를 가지고 코일 지지체(14)에 도선(15)을 권회함으로써 구성되어 있다. 또 하코일(13d)에 전력을 공급(통전)하는 전원 장치(16)가 하코일(13d)에 접속되어 있다(도 1,2a,2b 참조).

코일의 갯수, 도선(15)의 직경 또는 도선(15)의 권수(卷數)는, 예를 들면 타겟(3)의 치수, 타겟(3)과 기판(W)간의 거리, 전원 장치(16)의 정격 전류치 또는 발생시키는 자기장의 강도(가우스)에 따라 적절히 설정된다.

전원 장치(16)는, 상코일(13u) 및 하코일(13d) 각각에 공급되는 전류치 및 전류의 방향을 임의로 변경할 수 있는 제어 회로(미도시)를 구비한 공지의 구조를 가진다. 본 실시형태에서는, 통전에 의해 상코일(13u) 및 하코일(13d) 각각에 자기장을 발생시키고, 그 자기장이 합성된 합성 자기장이 진공 챔버(2)의 내부 공간 내에서 수직인 자기장을 형성하도록 상코일(13u) 및 하코일(13d) 각각에 공급되는 전류치 및 전류의 방향이 선택된다(예를 들면, 코일 전류가 15A이고, 내부 공간에서의 수직 자기장이 100가우스).

아울러 본 실시형태에서는 상코일(13u) 및 하코일(13d) 각각에 공급되는 전류치 및 전류의 방향을 임의로 변경하기 위해 상코일(13u) 및 하코일(13d) 각각에 별개의 전원 장치(16)가 설치된 구조에 대해서 설명하였다. 본 발명은 이 구성을 한정하지는 않는다. 같은 전류치 및 같은 전류의 방향으로 각 코일(13u),(13d)에 전력을 공급할 경우에는 1개의 전원 장치에 의해 각 코일(13u),(13d)에 전력을 공급하는 구성이 채용되어도 좋다.

또 본 실시형태의 성막 장치(1)는 상코일(13u)에 인가되는 전류치가 하코일(13d)에 인가되는 전류치와 다르도록 코일(13u),(13d)에 인가되는 전류를 제어할 수 있다.

도 2a 및 도 2b는, 타겟(3)의 전면 및 기판(W)의 전면 사이로 통과하는 수직인 자력선(M)(M1,M2)을 도시한 도면이다.

도 2a 및 도 2b에서는, 자력선(M1),(M2)은 화살표를 사용하여 도시되어 있는데, 이 화살표는 설명을 위해 편의적으로 도시되어 있으며 자기장의 방향을 한정하지는 않는다. 즉, 자력선(M1),(M2)은 자석의 N극에서 S극으로 향하는 방향 및 자석의 S극에서 N극으로 향하는 방향 모두를 포함하고 있다.

도 2a는, 상코일(13u)에 인가되는 전류치와 하코일(13d)에 인가되는 전류치가 같은 경우의 자력선(M1)을 도시하고 있다.

각 코일에 같은 전류치를 인가함으로써 타겟(3)에 가까운 위치에서 발생하는 자속 밀도(타겟(3) 근방의 자속 밀도)와, 기판(W)에 가까운 위치에서 발생하는 자속 밀도(기판(W) 근방의 자속 밀도)가 균일해지도록 전류치가 제어되어 있다. 반면 도 2b는, 상코일(13u)에 인가되는 전류치와 하코일(13d)에 인가되는 전류치가 다른 경우의 자력선(M2)을 도시한다.

즉, 도 2b에서는, 기판(W)에 가까운 위치에 배치된 하코일(13d)에 인가되는 전류(Id)보다 큰 전류(Iu)를 타겟(3)에 가까운 위치에 배치된 상코일(13u)에 인가한다. 이로써 타겟(3) 근방의 자속 밀도가 기판(W) 근방의 자속 밀도보다 커지도록 진공 챔버(2) 안의 자기장이 제어되어 있다.

또 전류(Id) 및 전류(Iu)의 관계에서는, 관계식1<Iu/Id≤3을 충족하도록 진공 챔버(2) 안의 자기장이 제어되어 있다. 즉, Iu의 크기는 Id의 크기의 3배 이상이다.

상기와 같이 구성된 성막 장치(1)에서는, 타겟(3)을 스퍼터링했을 때 타겟(3)으로부터 비산된 스퍼터링 입자가 정전하를 가지고 있는 경우, 타겟(3)에서 기판(W)으로 향하는 수직 자기장에 의해 스퍼터링 입자가 비산되는 방향이 변화된다. 이로써 기판(W)의 전면에서 스퍼터링 입자가 기판(W)에 대해 대략 수직으로 입사되어 부착된다.

특히 도 2b에 도시한 바와 같이, 하코일(13d)에 공급되는 전류보다 큰 전류를 상코일(13u)에 인가함으로써 기판(W)의 전면에서 고 어스펙트비의 미세 홀 및 트렌치(H)에 소정의 박막(L)을 양호한 피복성으로 성막할 수 있다. 또 기판(W)의 외주부에서 비대칭인 커버리지가 형성된다는 문제가 해소된다. 즉, 기판(W)의 외주부에 형성된 미세 홀의 단면에서, 미세 홀 저부와 한쪽 측벽 사이에 형성된 피막의 형상과, 그 저부와 다른 쪽 측벽 사이에 형성된 피막의 형상이 달라진다는 문제가 해소된다. 이로써 미세 홀내의 표면(노출면)에 형성되는 피막 두께의 균일성(면내 균일성)이 향상된다.

이와 같은 본 실시형태의 성막 장치(1)에서는, 우선적으로 스퍼터링되는 타겟(3)의 영역을 정하는 제1 자기장 발생부(4)는 그대로이고, 제2 자기장 발생부(13)의 각 코일(13u),(13d)에 의해 생성되는 자기장이 스퍼터링 입자가 비산되는 방향을 바꾼다. 이로써 타겟(3)의 이용 효율을 저하시키지 않고, 게다가 상기 종래 기술과 같은 복수개의 캐소드 유닛을 사용하는 구조를 사용하지 않고 성막 장치의 제작 비용 또는 성막 장치의 가동 비용을 낮출 수 있다.

또 성막 장치(1)에서는, 상코일(13u) 및 하코일(13d)을 진공 챔버(2)의 바깥쪽에 설치한 것일 뿐이므로 복수개의 캐소드 유닛을 사용하기 위해 장치 구성을 변경하는 경우에 비해 본 실시형태의 장치 구성은 매우 간단하며, 기존 장치를 개조함으로써 본 실시형태의 장치를 실현할 수 있다.

다음으로, 상기 성막 장치(1)를 사용한 성막 방법과, 이 방법에 의해 형성된 피막에 대해서 설명하기로 한다.

우선, 피막이 형성되는 기판(W)으로서 Si웨이퍼를 준비한다. 이 Si웨이퍼의 표면에는 실리콘 산화물막(I)이 형성되어 있고, 이 실리콘 산화물막(I)에는 공지의 방법을 사용하여 배선용 미세 홀 및 트렌치(H)가 사전에 패터닝에 의해 형성되어 있다.

다음으로, 성막 장치(1)를 사용한 스퍼터링에 의해 씨드층인 Cu막(L)을 Si웨이퍼 상에 성막하는 경우에 대해서 설명하기로 한다.

우선, 진공 배기부(12)를 작동시켜 진공 챔버(2) 안의 압력이 소정의 진공도(예를 들면, 10^-5Pa대)가 되도록 감압한다.

다음으로, 스테이지(10)에 기판(W)(Si웨이퍼)를 탑재하고, 그와 동시에 전원 장치(16)를 작동시켜 상코일(13u) 및 하코일(13d)에 통전하여 타겟(3)의 전면 및 기판(W)의 전면 사이에 수직인 자력선(M)을 발생시킨다.

그리고 진공 챔버(2)안의 압력이 소정치에 도달한 후에 진공 챔버(2) 안에 아르곤 가스 등(스퍼터링 가스)을 소정의 유량으로 도입하면서 DC 전원(9)에서 타겟(3)으로 소정의 음의 전위를 인가(전력 투입)한다.

이로써 진공 챔버(2)안에 플라즈마 분위기를 생성한다.

이 경우, 제1 자기장 발생부(4)에 의해 발생한 자기장에 의해 스퍼터링면(3a)이 노출되는 공간(전방 공간)에서 전리된 전자 및 스퍼터링에 의해 생긴 2차 전자가 포착 되어 스퍼터링면(3a)이 노출되는 공간에서 플라즈마가 발생한다.

플라즈마중의 아르곤 이온 등 희가스 이온이 스퍼터링면(3a)에 충돌함으로써 스퍼터링면(3a)이 스퍼터링되고 스퍼터링면(3a)에서 기판(W)을 향해 Cu 원자 또는 Cu 이온이 비산된다.

이 때, 특히 정전하를 가진 Cu가 비산되는 방향이 수직 자기장에 의해 기판(W)의 연직 방향으로 변경되고, 기판(W)의 전면에서 스퍼터링 입자가 기판(W)에 대해 대략 수직으로 입사되어 부착된다. 이로써 기판(W)의 전면에서 미세 홀 및 트렌치(H)에 양호한 피복성으로 피막이 성막된다.

아울러 본 실시형태에서는 상코일(13u) 및 하코일(13d)에 통전하여 수직 자기장을 발생시키는 장치를 설명하였으나, 타겟(3)의 전면 및 기판(W)의 전면 사이에 수직인 자력선(M)을 발생시킬 수 있는 장치라면, 본 발명은 장치 구조를 한정하지 않는다. 예를 들면, 공지의 소결 자석을 진공 챔버의 안쪽 또는 바깥쪽에 적절히 배치함으로써 진공 챔버 내에 수직 자기장을 형성해도 좋다.

<실시예>

다음으로, 본 발명의 성막 장치 및 성막 방법의 실시예를 설명하기로 한다.

본 실시예에서는, 도 1에 도시한 성막 장치(1)를 사용하여 기판(W)상에 Cu막을 성막하였다.

구체적으로, φ300㎜의 Si웨이퍼 표면 전체에 실리콘 산화물막이 형성되고, 이 실리콘 산화물막에 공지의 방법으로 미세 트렌치(폭40㎚, 깊이140㎚)가 패터닝에 의해 형성된 기판(W)을 준비하였다. 또 타겟으로서는, Cu의 조성비가 99%이고 스퍼터링면의 직경이 φ400㎜로 제작된 타겟을 사용하였다. 타겟과 기판간의 거리를 400㎜로 설정함과 동시에 상코일(13u)의 하단과 타겟(3)간의 거리 및 하코일(13d)의 상단과 기판(W)간의 거리를 각각 50㎜로 설정하였다.

또한 성막 조건으로서, 스퍼터링 가스로서 Ar를 사용하고 이 가스를 15sccm의 유량으로 진공 챔버내에 도입하였다. 또 타겟에 공급되는 투입 전력을 18kW(전류30A)로 설정하였다. 각 코일(13u),(13d)에 공급되는 전류치로서, 하향 수직 자기장이 진공 챔버내에 발생하도록 마이너스 극성의 전류치를 인가하였다. 또 코일(13u),(13d)에 공급되는 전류치 각각은, 전류치를 변화시킴에 따른 피복성의 변화를 확인하기 위해 -5A?-40A 사이에서 변화시켰다. 그리고 스퍼터링 시간을 10초로 설정하고 미세 트렌치가 형성되어 있는 기판(W)상에 Cu막을 성막하였다. 아울러 이하의 설명 및 도 4,5에 도시한 전류치는 절대값을 사용하여 표기되어 있다.

상술한 바와 같이, 각 코일(13u),(13d)에 공급되는 전류치를 변화시켜 기판(W)상에 Cu막을 형성하고, 형성된 Cu막을 평가하였다.

평가 기준(평가 항목)은, 미세 트렌치의 측벽에 성막된 Cu막의 피복성, Cu막이 성막된 후의 미세 트렌치의 최소 개구, 및 보텀 커버리지(bottom coverage, 미세 트렌치의 저부에 성막된 Cu막의 막두께와 미세 홀의 주위면에 성막된 Cu막의 막두께의 비)이다. 도 3은, Cu막이 성막된 고 어스펙트비의 미세 트렌치를 모식적으로 도시한 단면도이다.

우선, 기판(W)의 외주부에서 미세 트렌치의 측벽에 형성된 Cu막의 피복성 평가를 실시하였다.

도 4는, 각 코일(13u),(13d)에 인가되는 전류치를 변화시킨 경우에 미세 트렌치의 측벽에 형성된 Cu막을 관찰하여 피복성을 평가한 결과를 도시하였다.

도 4에서, 횡축은 하코일에 공급되는 전류치, 종축은 상코일에 공급되는 전류치를 도시한다.

도 4에서, 「◎」는, 미세 트렌치의 측벽에 형성된 Cu막의 피복율이 60% 이상으로서 충분한 막두께가 얻어진 것, 즉, 양호한 평가 결과가 얻어진 것을 도시하였다. 또 「○」는, 미세 트렌치의 측벽에 형성된 Cu막의 피복율이 40%?60%임을 도시하였다. 또 「△」는, 미세 트렌치의 측벽에 형성된 Cu막의 피복율이 20%?40%임을 도시하였다. 또 「×」는, 미세 트렌치의 측벽에 형성된 Cu막의 피복율이 20% 이하임을 도시하였다.

그 결과로부터, 코일(13u),(13d)의 어느 한쪽에 공급되는 전류치가 25A이상이거나, 코일(13u),(13d) 모두에 공급되는 전류치가 15A이상인 경우, 충분한 막두께를 가진 Cu막을 미세 트렌치의 측벽에 형성할 수 있다는 것을 알 수 있었다.

또 양 코일에 공급되는 전류치가 15A이상인 경우, 특히 양 코일에 공급되는 전류치25A인 경우에 Cu막이 성막되는 상태가 좋고, 미세 트렌치의 측벽에 형성된 Cu막의 피복성에 관하여는, 전류치가 높을수록 높은 피복성을 얻을 수 있다는 것을 알 수 있었다.

다음으로, Cu막이 성막된 후의 미세 트렌치의 최소 개구의 평가를 행하였다.

최소 개구란, Cu막이 성막된 후의 미세 홀(H)의 개구부의 직경 D를 의미한다(도 3 참조).

도 5는, 각 코일(13u),(13d)에 인가되는 전류치를 변화시킨 경우에 Cu막이 성막된 후의 최소 개구 D를 평가한 결과를 도시하였다.

도 5에서, 횡축은 하코일에 공급되는 전류치, 종축은 상코일에 공급되는 전류치를 도시한다.

도 5에서, 「◎」는, 직경이 30㎚이상인 충분한 최소 개구가 얻어지는 것, 즉 양호한 평가 결과가 얻어진 것을 도시하였다. 또 「○」는, 직경이 20㎚이상인 최소 개구가 얻어지는 것을 도시하였다. 「△」는, 최소 개구의 직경이 10㎚이하임을 도시하였다. 「×」는, 개구가 형성되지 않은 것을 도시하였다.

그 결과로부터, 하코일(13d)에 공급되는 전류치가 15A 이하이면, 기준을 충족하는 최소 개구, 즉, 직경이 30㎚ 이상인 충분한 최소 개구 D가 형성된다는 것을 알 수 있었다. 특히 하코일(13d)에 공급되는 전류치가 5A인 경우에 양호한 결과가 얻어졌다.

또 도 5에 도시한 바와 같이, 하코일(13d)에 공급되는 전류(Id) 및 상코일(13u)에 공급되는 전류(Iu)의 관계에서는, 관계식1<Iu/Id≤3을 충족하도록 전류가 제어되어 있는 경우에 양호한 평가 결과가 얻어진다는 것을 알 수 있었다.

다음으로, 미세 트렌치 저부에 성막된 Cu막의 막두께와 미세 홀의 주위면에 성막된 Cu막의 막두께에 기초하여 보텀 커버리지를 산출하여 평가하였다.

이 평가에서는, Cu응집의 평가 및 미세 트렌치의 최소 개구의 평가가 모두 기준을 충족하고, 특히 Cu응집의 평가에서 양호한 결과가 얻어진 조건에 대해서 보텀 커버리지를 산출하였다.

상코일 및 하코일 각각에 공급되는 전류치가 15A 및 15A인 조건과, 25A 및 15A인 조건은 Cu응집 및 최소 개구의 결과가 모두 양호했다. 따라서 이들 조건에 의해 성막된 미세 트렌치 저부의 Cu막의 막두께와 미세 홀의 주위면의 Cu막에 대해서 보텀 커버리지를 산출하였다.

도 3에 도시한 미세 홀의 주위면에 형성되는 막의 두께 Ta와, 미세 홀의 저면에 형성되는 막의 두께 Tb를 각각 측정하고, 두께 Tb를 두께 Ta로 나눈 값, 즉 보텀 커버리지(Tb/Ta)를 산출하였다.

	전류치(A)		보텀 커버리지(Tb/Ta)
	Iu(상코일)	Id(하코일)	저면 중앙부 (Tb(1)/Ta)	저면 단부1 (Tb(2)/Ta)	저면 단부2 (Tb(3)/Ta)
조건1	-25	-15	87.8%	78.0%	68.3%
조건2	-15	-15	75.6%	73.0%	61.8%

표 1에 보텀 커버리지를 산출한 결과를 나타낸다.

표 1은, 기판(W)의 중앙부(기판 중심부에서 반경 20㎜이내의 영역) 및 외주부(기판 중심에서 거리 130㎜만큼 떨어진 기판의 바깥쪽 영역(외주부))에서의 보텀 커버리지가 산출된 결과를 나타낸다. 기판(W)의 중앙부에서는, 미세 홀의 저부 중앙부의 보텀 커버리지(Tb(1)/Ta)를 측정하였다.

한편 기판(W)의 외주부에서는 스퍼터링 입자가 경사진 각도로 입사되어 부착되는 것으로 생각되며, 미세 홀의 저부 양단부에서의 보텀 커버리지(Tb(2)/Ta,Tb(3)/Ta)를 측정하였다.

표 1에서, 상코일 및 하코일 각각에 공급되는 전류치가 25A 및 15A(조건1)인 경우의 보텀 커버리지의 퍼센티지는, 상코일 및 하코일 각각에 공급되는 전류치가 15A 및 15A(조건2)인 경우의 보텀 커버리지의 퍼센티지보다 높았다.

그 결과로부터, 상코일에 공급되는 전류치를 하코일에 공급되는 전류치보다 크게 함으로써, 도 2b에 도시한 바와 같이 타겟 근방의 자속 밀도가 피처리체 근방의 자속 밀도보다 커져 타겟 근방에 비산되는 스퍼터링 입자가 피처리체(기판(W))를 향해 효과적으로 유도되기 때문에 보텀 커버리지가 개선된다는 것을 알 수 있었다.

이상의 결과로부터, 상코일 및 하코일 각각에 공급되는 전류치가 25A 및 15A인 조건으로 기판(W)상에 성막된 Cu막은, 미세 트렌치의 측벽에 형성된 Cu막의 피복성, Cu막이 성막된 후의 미세 트렌치의 최소 개구 및 보텀 커버리지의 평가에서 양호한 막이라는 것을 알 수 있었다.

본 발명은, 피처리체의 표면에 피막을 형성하기 위해 사용되는 성막 장치 및 성막 방법에 널리 적용 가능하며, 특히 박막 형성 방법의 일종인 스퍼터링법을 사용한 DC마그네트론 방식의 성막 장치 및 성막 방법에 적용 가능하다.

C…캐소드 유닛, W…기판(피처리체), 1…성막 장치, 2…진공 챔버, 3…타겟, 3a…스퍼터링면, 4…제1 자기장 발생부, 4a…요크, 4b,4c…자석, 9…DC 전원(스퍼터링 전원), 10…스테이지, 11…가스관, 12…진공 배기부, 12a… 배기관, 13…제2 자기장 발생부, 13u…상코일(제1 발생부), 13d…하코일(제2 발생부), 14…코일 지지체, 15…도선, 16…전원 장치.

Claims (4)

1. 성막 장치로서,
   성막면을 가진 피처리체와 스퍼터링면을 가진 타겟이 대향하도록 상기 피처리체 및 상기 타겟 모두가 배치되는 내부 공간을 갖는 챔버;
   상기 챔버 내를 감압하는 배기부;
   상기 스퍼터링면이 노출되는 상기 내부 공간에 자기장을 발생시키는 제1 자기장 발생부;
   상기 타겟에 음의 직류 전압을 인가하는 직류 전원;
   상기 챔버 내에 스퍼터링 가스를 도입하는 가스 도입부;
   Iu로 정의된 전류치가 인가되어 상기 타겟에 가까운 위치에 배치된 제1 발생부와, Id로 정의된 전류치가 인가되어 상기 피처리체에 가까운 위치에 배치된 제2 발생부를 가지고, 관계식Id<Iu를 충족하도록 상기 제1 발생부 및 상기 제2 발생부에 전류를 인가하고, 상기 스퍼터링면의 전면과 상기 피처리체의 상기 성막면의 전면 사이에 소정 간격으로 수직인 자력선이 지나가도록 수직 자기장을 발생시키는 제2 자기장 발생부;
   를 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
2. 제1항에 있어서,
   상기 Iu 및 상기 Id는 관계식 1<Iu/Id≤3을 충족하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
3. 성막 방법으로서,
   성막면을 가진 피처리체와 스퍼터링면을 가진 타겟이 대향하도록 상기 피처리체 및 상기 타겟 모두가 배치되는 내부 공간을 갖는 챔버와, 상기 챔버내를 감압하는 배기부와, 상기 스퍼터링면이 노출되는 상기 내부 공간에 자기장을 발생시키는 제1 자기장 발생부와, 상기 타겟에 음의 직류 전압을 인가하는 직류 전원과, 상기 챔버내에 스퍼터링 가스를 도입하는 가스 도입부와, 상기 타겟에 가까운 위치에 배치된 제1 발생부와 상기 피처리체에 가까운 위치에 배치된 제2 발생부를 가지고, 상기 스퍼터링면의 전면과 상기 피처리체의 상기 성막면의 전면 사이에 소정 간격으로 수직인 자력선이 지나가도록 수직 자기장을 발생시키는 제2 자기장 발생부를 포함한 성막 장치를 준비하고,
   Iu로 정의된 전류치를 상기 제1 발생부에 인가하고,
   Id로 정의된 전류치를 상기 제2 발생부에 인가하고,
   관계식 Id<Iu를 충족하도록 상기 제1 발생부 및 상기 제2 발생부에 인가되는 상기 전류치를 제어하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
4. 제3항에 있어서,
   상기 Iu와 상기 Id는 관계식 1<Iu/Id≤3을 충족하도록 상기 제1 발생부 및 상기 제2 발생부에 공급되는 전류치를 제어하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.

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