KR101391064B1 - 이온 공급 장치 및 이것을 구비한 피처리체의 처리 시스템 - Google Patents

이온 공급 장치 및 이것을 구비한 피처리체의 처리 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR101391064B1
KR101391064B1 KR1020110071880A KR20110071880A KR101391064B1 KR 101391064 B1 KR101391064 B1 KR 101391064B1 KR 1020110071880 A KR1020110071880 A KR 1020110071880A KR 20110071880 A KR20110071880 A KR 20110071880A KR 101391064 B1 KR101391064 B1 KR 101391064B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ion supply
ion
supply device
slit
supply nozzle
Prior art date
Application number
KR1020110071880A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120011798A (ko
Inventor
유우도 스가와라
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20120011798A publication Critical patent/KR20120011798A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101391064B1 publication Critical patent/KR101391064B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67213—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one ion or electron beam chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Elimination Of Static Electricity (AREA)

Abstract

이온 공급 장치(54)는 이온 및 캐리어 가스를, 정전기를 제거하는 제전 대상으로 분출하는 이온 공급 노즐(58)을 구비하고 있다. 이온 공급 노즐(58)은 그 분출구에 슬릿(59)이 형성되어 있다. 슬릿(59)은 제전 대상과의 거리가 멀어지면, 그 폭이 넓어지도록 형성되어 있다. 이온 공급 노즐(58)의 분출구 근방의 내부 유로(60)에는 복수의 내부 핀(61)이 설치되어 있다. 내부 핀(61)은 슬릿(59)으로부터 분출되는 이온 및 캐리어 가스가 슬릿(59)의 길이 방향 전체 영역에 걸쳐서 균일하게 분산되도록 배치되어 있다.

Description

이온 공급 장치 및 이것을 구비한 피처리체의 처리 시스템{ION SUPPLY DEVICE AND WORKPIECE PROCESSING SYSTEM PROVIDED WITH THE SAME}
본 발명은 2010년 7월 21일에 출원된 일본 특허 출원 제2010-164107호에 의한 우선권의 이익에 기초한다. 따라서, 그것에 의한 우선권의 이익을 주장한다. 상기 일본 출원의 내용 전체는, 여기에 참조 문헌으로서 포함된다.
본 발명은 이온 공급 장치 및 이것을 구비한 피처리체의 처리 시스템에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정에서는, 피처리체, 예를 들어 반도체 웨이퍼에 박막을 형성하는 등의 각종 처리가 행해지고 있다. 이와 같은 처리의 과정에서는, 반도체 웨이퍼의 반송이 행해지고, 이 반송 시의 부재끼리 사이의 약간의 접촉이나 미끄럼 접촉에 의해, 반도체 웨이퍼, 반도체 웨이퍼를 수용하는 웨이퍼 보트 등에 정전기가 발생하기 쉽다. 반도체 웨이퍼 등에 정전기가 발생하고, 이들이 대전하면, 진애 등의 파티클이 반도체 웨이퍼에 부착되기 쉬워져 버리고, 이 결과, 제품의 수율이 저하되어 버린다고 하는 문제가 있다.
이로 인해, 처리 장치 내에, 반도체 웨이퍼 등에 대전한 정전기를 제거하는 제전 장치를 설치하는 것이 검토되고 있다. 예를 들어, 일본 특허 출원 공개 제2005-72559호 공보에는, 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지 수단과, 기판 보유 지지 수단을 포함하는 분위기를 제전하는 제전 수단을 구비한 기판 처리 장치가 제안되어 있다.
그러나, 처리 장치가 종형의 뱃치식 처리 장치와 같이, 제전 대상인 반도체 웨이퍼 등이 다수 존재하고, 광범위에 걸쳐서 제전하는 것이 필요한 경우에는, 균일하게 제전하는 것은 곤란하다. 이로 인해, 광범위하고, 균일한 제전 효과를 얻을 수 있는 장치가 요구되고 있다.
본 발명은 상기 실상을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 광범위하고, 균일한 제전 효과를 얻을 수 있는 이온 공급 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 광범위하고, 균일한 제전 효과를 얻을 수 있는 이온 공급 장치를 구비한, 피처리체의 처리 시스템을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제1 관점에 관한 이온 공급 장치는 정전기를 제거 가능한 이온을 발생시키는 이온 발생기와,
상기 이온 발생기에서 발생시킨 이온을 반송하는 캐리어 가스를 상기 이온 발생기에 공급하는 캐리어 가스 공급부와,
상기 이온 발생기로부터의 이온 및 캐리어 가스를, 분출구를 통해 정전기를 제거하는 제전 대상으로 분출하는 이온 공급 노즐을 구비하고,
상기 분출구에는 슬릿이 형성되고, 당해 슬릿은 상기 제전 대상과의 거리가 멀어지면, 그 폭이 넓어지도록 형성되고,
상기 이온 공급 노즐은 상기 분출구 근방의 내부 유로에 설치된 복수의 내부 핀을 구비하고, 당해 내부 핀은 상기 슬릿으로부터 분출되는 이온 및 캐리어 가스가 상기 슬릿의 길이 방향 전체 영역에 걸쳐서 균일하게 분산되도록 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 슬릿은, 예를 들어 상기 이온 공급 노즐의 선단측을 향해 그 폭이 넓어지는 역테이퍼 형상으로 형성되어 있다.
상기 이온 공급 노즐은, 예를 들어 폴리카보네이트, 석영, 또는 폴리에테르ㆍ에테르ㆍ케톤(PEEK)에 의해 형성되어 있다.
상기 이온 발생기로서는, 예를 들어 이오나이저가 있다.
본 발명의 제2 관점에 관한 피처리체의 처리 시스템은,
피처리체를 처리하는 피처리체의 처리 시스템이며,
상기 피처리체를 처리하는 처리 영역 내에, 본 발명의 제1 관점에 관한 이온 공급 장치가 배치되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 광범위하고, 균일한 제전 효과를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 처리 장치의 구조를 도시하는 정면도.
도 2는 도 1의 로딩 에어리어 내의 구조를 도시하는 평면도.
도 3은 도 1의 로딩 에어리어 내의 구조를 도시하는 측면도.
도 4는 이온 공급 장치의 구성을 도시하는 도면.
도 5는 도 4의 이온 공급 장치의 이온 공급 노즐의 형상을 도시하는 도면.
도 6은 도 1의 제어부의 구성예를 도시하는 도면.
이하, 본 발명의 이온 공급 장치 및 이것을 구비한 피처리체의 처리 시스템을 도 1에 도시하는 처리 장치에 적용한 경우를 예로 들어 설명한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 처리 장치(1)의 처리실(10)은 격벽(11)에 의해, 작업 에어리어(S1)와, 로딩 에어리어(S2)로 구획되어 있다. 작업 에어리어(S1)는 반도체 웨이퍼(W)가 다수매, 예를 들어 25매 수납된 밀폐형의 반송 용기인 캐리어(C)의 반송과, 캐리어(C)의 보관을 행하기 위한 영역으로, 대기 분위기로 유지되어 있다. 한편, 로딩 에어리어(S2)는 반도체 웨이퍼(W)에 대해 열처리, 예를 들어 성막 처리나 산화 처리를 행하기 위한 영역으로, 불활성 가스, 예를 들어 질소 가스(N2) 분위기로 유지되어 있다.
작업 에어리어(S1)에는 로드 포트(21)와, 캐리어 반송기(22)와, 하나 이상의 트랜스퍼 스테이지(23)와, 보관부(24)가 설치되어 있다.
로드 포트(21)는 처리실(10)의 측방 위치에 형성된 반송구(20)로부터, 외부의 도시하지 않은 반송 기구에 의해 반입된 캐리어(C)를 적재한다. 이 반송구(20)에 대응하는 위치의 처리실(10)의 외측에는, 예를 들어 도어(D)가 설치되어 있고, 도어(D)에 의해 반송구(20)가 개폐 가능하게 구성되어 있다.
캐리어 반송기(22)는 로드 포트(21)와 트랜스퍼 스테이지(23) 사이에 설치되어, 작업 에어리어(S1)에 있어서 캐리어(C)를 반송한다. 캐리어 반송기(22)는 지주(25)와, 지주(25)의 측면에 설치된 수평 아암(26)을 구비하고 있다. 지주(25)는 처리실(10) 내에 있어서 연직 방향에 걸쳐서 길게 설치되어 있다. 수평 아암(26)은 지주(25)의 하방측에 설치된 모터(M)에 의해 승강 가능하게 구성되어 있다. 또한, 수평 아암(26)에는, 예를 들어 관절 아암으로 이루어지는 반송 아암(27)이 설치되어, 수평 아암(26)을 승강시킴으로써 반송 아암(27)이 승강한다. 반송 아암(27)은 도시하지 않은 모터에 의해 수평 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 이와 같이, 수평 아암(26) 및 각 모터에 의해, 반송 아암(27)이 승강 및 수평 이동함으로써, 캐리어(C)의 전달이 행해지게 된다.
트랜스퍼 스테이지(23)는 격벽(11)의 작업 에어리어(S1)측에 설치되어, 캐리어 반송기(22)에 의해 반송된 캐리어(C)를 적재한다. 또한, 트랜스퍼 스테이지(23)에서는, 후술하는 이동 탑재 기구(42)에 의해, 적재된 캐리어(C) 내로부터 반도체 웨이퍼(W)가 로딩 에어리어(S2)에 취출된다. 트랜스퍼 스테이지(23)는, 예를 들어 상하 2개소에 설치되어 있다. 또한, 트랜스퍼 스테이지(23)의 측방 위치의 격벽(11)은 개방되어 있다. 이 개구를 막도록, 격벽(11)의 로딩 에어리어(S2)측에는 각 개구에 대응하여 셔터(30)가 설치되어 있다.
보관부(24)는 작업 에어리어(S1) 내의 상방측에 설치되어, 캐리어(C)를 보관한다. 보관부(24)는, 예를 들어 세로로 4열, 가로로 2열 배열되도록 세트로 되어 설치되어 있다. 이 보관부(24)의 세트는 지주(25)를 사이에 두도록 설치되어 있다.
도 2는 로딩 에어리어(S2) 내의 구조를 도시하는 평면도이다. 도 3은 로딩 에어리어(S2) 내의 구조를 도시하는 측면도이다. 도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이, 로딩 에어리어(S2) 내에는 이동 탑재 기구(41)와, 보트 적재대(45)(예컨대, 도면 부호 45a, 45b)와, 열처리로(46)와, 보트 이동 탑재 기구(51)와, 필터(52)와, 기체 배출구(53)와, 이온 공급 장치(54)가 설치되어 있고, 열처리로(46)는 로딩 에어리어(S2)에 연결되도록 설치되어 있다.
이동 탑재 기구(41)는 셔터(30)와 보트 적재대(45a) 사이에 설치되어 있다. 이동 탑재 기구(41)는 트랜스퍼 스테이지(23)에 적재된 캐리어(C)와, 보트 적재대(45)에 적재된 웨이퍼 보트(42)(예컨대, 도면 부호 42a, 42b) 사이에서 반도체 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 또한, 이동 탑재 기구(41)는, 예를 들어 복수매의 반도체 웨이퍼(W)를 일괄하여 이동 탑재 가능한 아암(43)이 진퇴 가능하게 설치되어 있다. 이동 탑재 기구(41)는 도시하지 않은 모터에 의해 연직축 주위로 회전 가능하게 구성되어, 승강축(44)을 따라서 승강 가능하게 구성되어 있다.
보트 적재대(45)는 웨이퍼 보트(42)를 적재하는 대이다. 본 실시 형태에서는 이동 탑재 기구(41)에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 웨이퍼 보트(42)를 적재하는 이동용 보트 적재대(45a)와, 대기용 웨이퍼 보트(42)를 적재하는 대기용 보트 적재대(45b)의 2개의 보트 적재대(45)가 설치되어 있다. 또한, 웨이퍼 보트(42)에 대해서도 복수대, 예를 들어 2대의 웨이퍼 보트(42a, 42b)가 설치되어 있고, 이 2대가 교대로 사용된다. 또한, 웨이퍼 보트(42)를 1대, 또는 3대 이상 설치해도 좋다. 예를 들어, 웨이퍼 보트(42)가 1대인 경우에는, 보트 적재대(45)를 설치할 필요는 없고, 열처리로(46)에 로드 또는 언로드하는 웨이퍼 보트(42)와 캐리어(C)의 사이에서 반도체 웨이퍼(W)의 이동 탑재가 행해진다.
열처리로(46)는 그 저부에 개구를 갖는 동시에 천장이 있도록 형성된 석영제의 원통체로 이루어지는 처리 용기(47)를 갖는다. 처리 용기(47)의 주위에는 원통 형상의 가열 히터(48)가 설치되어, 처리 용기(47) 내의 반도체 웨이퍼(W)를 가열할 수 있도록 구성되어 있다. 처리 용기(47)의 하방에는 승강 기구(49)에 의해 승강 가능하게 된 캡(50)이 배치되어 있다. 그리고, 이 캡(50) 상에 반도체 웨이퍼(W)가 수용된 웨이퍼 보트(42)(도 1에서는 부호 42b)를 적재하여 상승시킴으로써, 반도체 웨이퍼(W)[즉, 웨이퍼 보트(42b)]가 처리 용기(47) 내에 로드된다. 이 로드에 의해, 처리 용기(47)의 하단부 개구부는 캡(50)에 의해 기밀하게 폐쇄된다.
보트 이동 탑재 기구(51)는 보트 적재대(45)의 근방에 설치되어 있다. 보트 이동 탑재 기구(51)는 진퇴 가능한 아암(51a)을 구비하여, 보트 적재대(45) 및 캡(50) 사이에서의 웨이퍼 보트(42)의 이동 탑재를 행한다.
필터(52)는 로딩 에어리어(S2)의 일측면에 설치되어 있다. 필터(52)에는 도시하지 않은 가스 공급원에 접속되어 있고, 가스 공급원으로부터의 가스, 예를 들어 에어, N2 가스 등의 불활성 가스가 필터(52)를 통해 로딩 에어리어(S2) 내에 공급된다. 이로 인해, 필터(52)로부터, 청정 공기, 불활성 가스 등이 수평 방향으로 분출하여, 청정 기체의 사이드 플로우가 상시 형성된다.
기체 배출구(53)는 필터(52)의 설치면에 대향하는 면에 형성되어 있다. 기체 배출구(53)는 로딩 에어리어(S2) 내의 기체를 배출하는 배출구로, 필터(52)로부터의 청정 공기 등에 의해 로딩 에어리어(S2) 내의 진애 등의 파티클이 상기 배출구를 통해 배기되어, 로딩 에어리어(S2) 내를 청정하게 유지한다. 또한, 다른 실시 형태에서는, 기체 배출구(53)를 통하여 배기된 사이드 플로우를, 덕트 등을 통해 필터(52)측으로 복귀시켜, 순환 사용해도 좋다.
이온 공급 장치(54)는, 도 2에 도시한 바와 같이 로딩 에어리어(S2)의 일측면에 설치된 필터(52) 사이에 이온 공급 장치(54)가 배치되어 있다. 도 4에 이온 공급 장치(54)의 구성을 도시한다.
도 4에 도시한 바와 같이, 이온 공급 장치(54)는 상기 이온 공급 장치의 본체인 이온 발생기(55)와, 상기 이온 발생기(55)에 캐리어 가스를 공급하는 캐리어 가스 공급 유로(56)와, 이온 발생기(55)로부터 연장되는 이온 유로(57)와, 상기 이온 유로(57)의 선단부에 접속되는 이온 공급 노즐(58)을 구비하고 있다.
이온 발생기(55)는, 예를 들어 이오나이저로 구성되어 있다. 이오나이저는 플러스 이온과 마이너스 이온을 발생시키는 것으로, 예를 들어 플러스 이온과 마이너스 이온을 동시에 발생시키는 더블 DC식 바 타입의 이오나이저, 플러스 이온과 마이너스 이온을 일정한 간격으로 교대로 발생시키는 펄스 DC 타입 이오나이저, 플러스 이온과 마이너스 이온을 고속으로 교대로 발생시키는 AC식 바 타입의 이오나이저, X선을 조사하여 플러스 이온과 마이너스 이온을 발생시키는 연X선 이오나이저 등이 있다.
캐리어 가스 공급 유로(56)는 이온 발생기(55)와, 도시하지 않은 캐리어 가스 공급원을 접속한다. 캐리어 가스 공급 유로(56)는 캐리어 가스 공급원으로부터의 캐리어 가스를 이온 발생기(55)에 공급할 수 있도록 구성되어 있다. 이온을 반송하는 캐리어 가스로서는, 불활성 가스, 예를 들어 N2 가스가 사용된다.
이온 유로(57)는 이온 발생기(55)와, 이온 공급 노즐(58)에 접속된다. 이온 유로(57)는 이온 발생기(55)에서 발생된 플러스 이온과 마이너스 이온을 캐리어 가스와 함께 이온 공급 노즐(58)에 공급할 수 있도록 구성되어 있다.
이온 공급 노즐(58)은 캐리어 가스와 함께 공급된 이온(플러스 이온 및 마이너스 이온)을 제전 대상[웨이퍼 보트(42), 반도체 웨이퍼(W) 등]에 분출한다. 도 5는 이온 공급 노즐(58)의 구성을 도시하는 것으로, 도 5의 (a)는 이온 공급 노즐(58)의 정면도이고, 도 5의 (b)는 이온 공급 노즐(58)의 측면도이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 이온 공급 노즐(58)은, 단부에 노즐 개구부(분출구(70))가 설치되고, 상기 노즐 개구부에는 슬릿(59)이 형성되어 있다. 슬릿(59)은 제전 대상과의 거리가 멀어지면, 그 폭이 넓어지도록 형성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 슬릿(59)은 이온 공급 노즐(58)의 단부[도 5의 (a)의 상부]를 향해 그 폭이 넓어지는 역테이퍼 형상으로 형성되어 있다. 이로 인해, 이온 공급 노즐(58)은 그 상부측으로부터 가장 많은 양(즉, 유량)의 이온이 분출되고, 하부측으로부터 가장 적은 양(즉, 유량)의 이온이 분출된다. 여기서, 이온 공급 노즐(58)의 상부측으로부터 공급되는 최대량의 이온이 이온 공급 노즐(58)로부터 가장 이격된 위치의 제전 대상[예컨대, 웨이퍼 보트(42)의 상부]에 공급되고, 하부측으로부터 공급되는 최소량의 이온이 이온 공급 노즐(58)로부터 가장 가까운 위치의 제전 대상[예컨대, 웨이퍼 보트(42)의 하부]에 공급된다. 또한, 이온 공급 노즐(58)로부터 제전 대상[예컨대, 웨이퍼 보트(42)]에 도달할 때까지의 거리가 길면, 공급된 이온이 재결합되기 쉽다. 본 발명의 이온 공급 노즐(58)에서는, 제전 대상에 도달하기 전에 이온이 재결합되기 쉬운 개소에 가장 많은 양의 이온을 공급하고, 이온이 재결합되기 어려운 개소에 가장 적은 양의 이온을 공급하고 있으므로, 제전 대상인 웨이퍼 보트(42) 등의 전체 영역에 걸쳐서 균일한 제전 효과가 얻어진다.
또한, 이온 공급 노즐(58)은, 이온 유로(57)에 연결되는 내부 유로(60)와, 상기 내부 유로(60)에서 노즐 개구부 부근의 위치에서, 복수의 내부 핀(안내판)(61)이 설치되어 있다. 내부 핀(61)은 슬릿(59)으로부터 분출되는 이온 및 캐리어 가스가 슬릿(59)의 길이 방향 전체 영역에 걸쳐서 균일하게 분산되도록 배치되어 있다. 이와 같이, 내부 유로(60)에 복수의 내부 핀(61)이 설치되어 있으므로, 이온 공급 노즐(58)의 길이 방향(상하 방향)으로 균일하게 압력이 분산된다. 이로 인해, 제전 대상인 웨이퍼 보트(42) 등의 전체 영역에 걸쳐서 균일한 제전 효과가 얻어진다.
또한, 본 실시 형태에서는 이온 공급 노즐(58)의 내부 유로(60)가 직선 형상이지만, 예를 들어 내부 유로(60)에 굴곡 부분을 형성할 수밖에 없는 경우에는, 내부 유로(60) 내에서의 이온의 재결합을 억제하기 위해, 내부 유로(60)에 완만하거나, 또한 매끄러운 경사를 부여하는 것이 바람직하다.
이온 공급 노즐(58)은 발생한 이온을 소비하기 어렵고, 내열성이 우수한 재료, 예를 들어 폴리카보네이트(PC), 석영, 폴리에테르ㆍ에테르ㆍ케톤(PEEK) 등으로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
처리 장치(1)의 처리실(10)에는 각종 센서가 배치되어 있다. 예를 들어, 로딩 에어리어(S2) 내에는, 예컨대, 제전 대상의 대전량 검출 센서가 설치되어 있다. 또한, 각종 모터나 실린더에는 모터 위치나 실린더 위치를 검지하는 엔드 리미트 센서, 베이스 포지션 센서 등의 위치 센서가 배치되어 있다. 열처리로(46)에는 열처리로(46) 내의 온도를 측정하는 온도 센서 및 열처리로(46) 내의 압력을 측정하는 압력 센서가 복수개 배치되어 있다.
또한, 처리 장치(1)는 그 장치 각 부를 제어하는 제어부(100)에 접속되어 있다. 도 6에 제어부(100)의 구성을 도시한다. 도 6에 도시한 바와 같이, 제어부(100)는 조작 패널(121), 대전량 검출 센서 등의 각종 센서(122) 등이 접속되어 있다. 제어부(100)는 대전량 검출 센서 등의 각종 센서(122)로부터의 데이터에 기초하여, 예를 들어 이온 공급 장치(54) 등에 제어 신호를 출력한다.
조작 패널(121)은 표시부(표시 화면)와 조작 버튼을 구비하여, 오퍼레이터의 조작 지시를 제어부(100)에 전달하고, 또한 제어부(100)로부터의 다양한 정보를 표시부에 표시한다.
대전량 검출 센서 등의 각종 센서(122)는 검지한 정보를 제어부(100)에 통지한다.
도 6에 도시한 바와 같이, 제어부(100)는 레시피 기억부(101)와, ROM(102)과, RAM(103)과, I/O 포트(104)와, CPU(105)와, 이들을 서로 접속하는 버스(106)로 구성되어 있다.
레시피 기억부(101)에는 이 처리 장치(1)에서 실행되는 처리의 종류에 따라서, 제어 수순을 결정하는 프로세스용 레시피가 기억되어 있다. 프로세스용 레시피는 사용자가 실제로 행하는 처리(프로세스)마다 준비되는 레시피이다. 이 레시피에는 장치 각 부의 소정의 동작 프로그램이 포함되어 있다.
ROM(102)은 EEPROM, 플래시 메모리, 하드 디스크 등으로 구성되어, CPU(105)의 동작 프로그램 등을 기억하는 기록 매체이다.
RAM(103)은 CPU(105)의 워크 에어리어 등으로서 기능한다.
I/O 포트(104)는, 예를 들어 센서로부터의 정보를 CPU(105)에 공급하는 동시에, CPU(105)가 출력하는 제어 신호를 장치의 각 부로 출력한다.
CPU(Central Processing Unit)(105)는 제어부(100)의 중추를 구성하여, ROM(102)에 기억된 동작 프로그램을 실행한다. CPU(105)는 조작 패널(121)로부터의 지시에 따라서, 레시피 기억부(101)에 기억되어 있는 프로세스용 레시피에 따라서, 처리 장치(1)의 동작을 제어한다. 또한, CPU(105)는 대전량 검출 센서 등의 각종 센서(122)로부터의 데이터에 기초하여, 예를 들어 이온 공급 장치(54) 등의 각종 장치의 정지, 가동을 지시하는 제어 신호를 출력한다. 예를 들어, CPU(105)는 대전량 검출 센서의 검출값이 소정값보다도 낮은 경우에는, 이온 공급 장치(54)의 정지를 지시하는 제어 신호를 출력한다. 버스(106)는 각 부 사이에서 정보를 전달한다.
다음에, 이상과 같이 구성된 처리 장치(1)의 동작(피처리체의 처리 방법)에 대해 설명한다. 또한, 본 실시 형태에서는 작업 에어리어(S1) 외부로부터 로드 포트(21)에 적재된 캐리어(C) 내의 미처리의 반도체 웨이퍼(W)를 열처리로(46) 내에 수용하고, 반도체 웨이퍼(W)를 열처리한 후, 열처리한 반도체 웨이퍼(W)를 로드 포트(21)[작업 에어리어(S1) 외부]로 반송하는 경우를 예로 들어 처리 장치(1)의 동작을 설명한다.
우선, 제어부(100)[CPU(105)]는 캐리어 반송기(22)를 구동하여 로드 포트(21)에 적재된 캐리어(C)를 트랜스퍼 스테이지(23)로 반송시킨다. 다음에, CPU(105)는 셔터(30)를 개방한다. 그리고, CPU(105)는 이동 탑재 기구(41)를 구동하여, 트랜스퍼 스테이지(23)에 적재된 캐리어(C) 내의 반도체 웨이퍼(W)를, 보트 적재대(45a)에 적재된 웨이퍼 보트(42) 내에 수용한다. CPU(105)는 캐리어(C) 내의 반도체 웨이퍼(W)를 모두 웨이퍼 보트(42) 내에 수용하면, 캐리어 반송기(22)를 구동하여, 트랜스퍼 스테이지(23)에 적재된 캐리어(C)를 로드 포트(21)로 반송한다. 그리고, CPU(105)는 이 캐리어(C)를 작업 에어리어(S1) 외부로 반송한다. 예를 들어, 웨이퍼 보트(42) 내에 수용 가능한 반도체 웨이퍼(W)가 150매, 캐리어(C) 내의 반도체 웨이퍼(W)가 25매인 경우, CPU(105)는 이들 작업을 6회 반복한다. 또한, CPU(105)는 반도체 웨이퍼(W)를 수용하고 있지 않은 캐리어(C)를 보관부(24)에 보관해도 좋다.
CPU(105)는 웨이퍼 보트(42) 내에 소정수의 반도체 웨이퍼(W)를 수용하면, 셔터(30)를 폐쇄한다. 다음에, CPU(105)는 보트 이동 탑재 기구(51)를 구동하여, 보트 적재대(45a)에 적재된 웨이퍼 보트(42)를 캡(50) 상에 이동 탑재한다. 또한, 열처리로(46)에 의한 열처리가 완료되어 언로드하고, 열처리된 반도체 웨이퍼(W)를 수용하는 웨이퍼 보트(42)가 캡(50) 상에 적재되어 있는 경우, CPU(105)는 승강 기구(49) 및 보트 이동 탑재 기구(51)를 사용하여 이 웨이퍼 보트(42)를 대기용 보트 적재대(45b) 상에 이동 탑재한다. 이후의 웨이퍼 보트(42)의 동작에 대해서는 이하에 상술한다. 그리고, CPU(105)는 미처리의 반도체 웨이퍼(W)를 수용하는 웨이퍼 보트(42)의 캡(50) 상으로의 이동 탑재를 완료하면, 승강 기구(49)를 구동하여 캡(50)을 상승시키고, 이 웨이퍼 보트(42)를 열처리로(46)의 처리 용기(47) 내에 로드한다.
CPU(105)는 미처리의 반도체 웨이퍼(W)를 처리 용기(47) 내에 로드하면, 열처리로(46)를 제어하여, 반도체 웨이퍼(W)에 소정의 열처리, 예를 들어 성막 처리나 산화 확산 처리 등을 행하게 한다. 그리고, CPU(105)는 열처리를 종료하면, 승강 기구(49)를 구동하여 캡(50)을 하강시키고, 열처리된 반도체 웨이퍼(W)가 수용된 웨이퍼 보트(42)를 처리 용기(47) 내로부터 강하시켜 언로드한다.
CPU(105)는 웨이퍼 보트(42)[열처리된 반도체 웨이퍼(W)]를 언로드하면, 보트 이동 탑재 기구(51)를 구동하여, 캡(50) 상에 적재되어 있는 웨이퍼 보트(42)를 보트 적재대(45b)에 이동 탑재한다. 또한, CPU(105)는 캐리어 반송기(22)를 구동하여, 로드 포트(21)에 적재된 반도체 웨이퍼(W)가 수용되어 있지 않은 캐리어(C)를 트랜스퍼 스테이지(23)로 반송한다. 또한, 반도체 웨이퍼(W)가 수용되어 있지 않은 캐리어(C)의 로드 포트(21)로의 적재에 대해서는, 도시하지 않은 반송 기구에 의해 반송된다. 그리고, CPU(105)는 셔터(30)를 개방하는 동시에, 이동 탑재 기구(41)를 구동하여, 보트 적재대(45a)에 적재된 웨이퍼 보트(42) 내로부터 트랜스퍼 스테이지(23)에 적재된 캐리어(C) 내에 열처리된 반도체 웨이퍼(W)를 수용한다.
이와 같이, 로딩 에어리어(S2) 내에서, 이동 탑재 기구(41), 보트 이동 탑재 기구(51) 등이 구동함으로써, 반도체 웨이퍼(W), 반도체 웨이퍼(W)를 수용하는 캐리어(C), 웨이퍼 보트(42)가 정전기에 의해 대전되기 쉽다. 또한, 로딩 에어리어(S2) 내에 존재하는 약간의 파티클(먼지)도 정전기에 의해 대전되기 쉽다. 그러나, 본 실시 형태에 있어서는, 로딩 에어리어(S2) 내에 이온 공급 장치(54)가 배치되어, 이온 공급 장치(54)로부터 플러스 이온과 마이너스 이온을 방출하고 있으므로, 각종 장치의 대전 개소나 부유하고 있는 대전 파티클이 제전되어, 반도체 웨이퍼(W)에 파티클이 부착되는 것을 방지할 수 있다.
여기서, 이온 공급 장치(54)의 이온 공급 노즐(58)의 노즐 개구부에는 그 상부를 향해 그 폭이 넓어지는 역테이퍼 형상의 슬릿(59)이 형성되어 있으므로, 제전 대상인 웨이퍼 보트(42) 등의 전체 영역에 걸쳐서 균일한 제전 효과를 얻을 수 있다.
또한, 이온 공급 노즐(58)에는 노즐 개구부 부근의 내부 유로(60)에 복수의 내부 핀(61)이 설치되어 있으므로, 대전 대상으로의 지향성을 갖게 한 이온 및 캐리어 가스를 공급할 수 있다. 이로 인해, 제전 대상인 웨이퍼 보트(42) 등의 전체 영역에 걸쳐서 균일한 제전 효과가 얻어진다.
또한, 로딩 에어리어(S2) 내의 대전 상황은 도시하지 않은 대전량 검출 센서에 의해 상시 검출되어 있다. CPU(105)는 대전량 검출 센서의 검출값이 소정값보다도 낮은 경우에는 이온 공급 장치(54)를 정지할 수 있으므로, 캐리어 가스 등을 불필요하게 소비하는 것을 방지할 수 있다.
CPU(105)는 캐리어(C) 내에 소정수의 열처리된 반도체 웨이퍼(W)를 수용하면, 캐리어 반송기(22)를 구동하여, 트랜스퍼 스테이지(23)에 적재된 캐리어(C)를 로드 포트(21)로 반송한다. CPU(105)는 이 캐리어(C)를 작업 에어리어(S1) 외부로 반송한다. 그리고, CPU(105)는 웨이퍼 보트(42) 내에 수용되어 있는 모든 반도체 웨이퍼(W)를 작업 에어리어(S1) 외부로 반송하면, 셔터(30)를 폐쇄하여 이 처리를 종료한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 따르면, 이온 공급 노즐(58)의 노즐 개구부에는 그 상부를 향해 그 폭이 넓어지는 역테이퍼 형상의 슬릿(59)이 형성되어 있으므로, 제전 대상인 웨이퍼 보트(42) 등의 전체 영역에 걸쳐서 균일한 제전 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따르면, 이온 공급 노즐(58)에는 노즐 개구부 부근의 내부 유로(60)에 복수의 내부 핀(61)이 설치되어 있으므로, 제전 대상인 웨이퍼 보트(42) 등의 전체 영역에 걸쳐서 균일한 제전 효과가 얻어진다.
또한, 본 발명은 상기한 실시 형태로 한정되지 않고, 다양한 변형, 응용이 가능하다. 이하, 본 발명에 적용 가능한 다른 실시 형태에 대해 설명한다.
상기 실시 형태에서는, 슬릿(59)이 이온 공급 노즐(58)의 선단측을 향해 그 폭이 넓어지는 역테이퍼 형상으로 형성되어 있는 경우를 예로 들어 본 발명을 설명하였지만, 슬릿(59)은 제전 대상과의 거리가 멀어지면, 그 폭이 넓어지도록 형성되어 있으면 좋고, 제전 대상의 위치, 크기 등에 따라서 적절하게 변경 가능하다.
상기 실시 형태에서는 이온 발생기(55)에 이오나이저를 사용한 경우를 예로 들어 본 발명을 설명하였지만, 이온 발생기(55)는 정전기를 제거 가능한 이온을 발생시키는 것이면 좋고, 각종 이온 발생기를 사용하는 것이 가능하다.
상기 실시 형태에서는, 피처리체가 반도체 웨이퍼(W)의 경우를 예로 들어 본 발명을 설명하였지만, 예를 들어 FPD 기판, 글래스 기판, PDP 기판 등의 처리에도 적용 가능하다.
본 발명의 실시 형태에 관한 제어부(100)는 전용의 시스템에 의하지 않고, 통상의 컴퓨터 시스템을 사용하여 실현 가능하다. 예를 들어, 범용 컴퓨터에, 상술한 처리를 실행하기 위한 프로그램을 저장한 기록 매체(플렉시블 디스크, CD-ROM 등)로부터 당해 프로그램을 인스톨함으로써, 상술한 처리를 실행하는 제어부(100)를 구성할 수 있다.
그리고, 이들 프로그램을 공급하기 위한 수단은 임의이다. 상술한 바와 같이 소정의 기록 매체를 통해 공급할 수 있는 것 외에, 예를 들어 통신 회선, 통신 네트워크, 통신 시스템 등을 통해 공급해도 좋다. 이 경우, 예를 들어 통신 네트워크의 게시판(BBS:Bulletin Board System)에 당해 프로그램을 게시하고, 이것을 네트워크를 통해 반송파에 중첩하여 제공해도 좋다. 그리고, 이와 같이 제공된 프로그램을 기동하여, OS의 제어 하에서, 다른 애플리케이션 프로그램과 마찬가지로 실행함으로써, 상술한 처리를 실행할 수 있다.
본 발명은 피처리체의 처리 장치에 유용하다.
1 : 처리 장치
21 : 로드 포트
22 : 캐리어 반송기
23 : 트랜스퍼 스테이지
24 : 보관기
30 : 셔터
41 : 이동 탑재 기구
42a, 42b : 웨이퍼 보트
45a, 45b : 보트 적재대
46 : 열처리로
51 : 보트 이동 탑재 기구
52 : 필터
53 : 기체 흡입구
54 : 이온 공급 장치
55 : 이온 발생기
56 : 캐리어 가스 공급 유로
57 : 이온 유로
58 : 이온 공급 노즐
59 : 슬릿
60 : 내부 유로
61 : 내부 핀
70 : 분출구
100 : 제어부
101 : 레시피 기억부
102 : ROM
103 : RAM
104 : I/O 포트
105 : CPU
106 : 버스
121 : 조작 패널
122 : 센서
C : 캐리어
S1 : 작업 에어리어
S2 : 로딩 에어리어
W : 반도체 웨이퍼

Claims (5)

  1. 정전기를 제거 가능한 이온을 발생시키는 이온 발생기와,
    상기 이온 발생기에서 발생시킨 이온을 반송하는 캐리어 가스를 상기 이온 발생기에 공급하는 캐리어 가스 공급부와,
    상기 이온 발생기로부터의 이온 및 캐리어 가스를, 분출구를 통해 정전기를 제거하는 제전 대상으로 분출하는 이온 공급 노즐을 구비하고,
    상기 분출구에는 슬릿이 형성되고, 당해 슬릿은 상기 제전 대상과의 거리가 멀어지면, 그 폭이 넓어지도록 형성되고,
    상기 이온 공급 노즐은 상기 분출구 또는 분출구보다 내부 유로의 내측에 설치된 복수의 내부 핀을 구비하고, 당해 내부 핀은 상기 슬릿으로부터 분출되는 이온 및 캐리어 가스가 상기 슬릿의 길이 방향 전체 영역에 걸쳐서 균일하게 분산되도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는, 이온 공급 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 슬릿은 상기 이온 공급 노즐의 선단측을 향해 그 폭이 넓어지는 역테이퍼 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 이온 공급 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 이온 공급 노즐은 폴리카보네이트, 석영, 또는 폴리에테르ㆍ에테르ㆍ케톤(PEEK)에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 이온 공급 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 이온 발생기는 이오나이저인 것을 특징으로 하는, 이온 공급 장치.
  5. 피처리체를 처리하는 피처리체의 처리 시스템이며,
    상기 피처리체를 처리하는 처리 영역 내에 배치되는 제1항 또는 제2항의 이온 공급 장치가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는, 피처리체의 처리 시스템.
KR1020110071880A 2010-07-21 2011-07-20 이온 공급 장치 및 이것을 구비한 피처리체의 처리 시스템 KR101391064B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010164107A JP5485056B2 (ja) 2010-07-21 2010-07-21 イオン供給装置及びこれを備えた被処理体の処理システム
JPJP-P-2010-164107 2010-07-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120011798A KR20120011798A (ko) 2012-02-08
KR101391064B1 true KR101391064B1 (ko) 2014-04-30

Family

ID=45492821

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110071880A KR101391064B1 (ko) 2010-07-21 2011-07-20 이온 공급 장치 및 이것을 구비한 피처리체의 처리 시스템

Country Status (5)

Country Link
US (2) US8450700B2 (ko)
JP (1) JP5485056B2 (ko)
KR (1) KR101391064B1 (ko)
CN (1) CN102347257B (ko)
TW (1) TWI475930B (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5485056B2 (ja) * 2010-07-21 2014-05-07 東京エレクトロン株式会社 イオン供給装置及びこれを備えた被処理体の処理システム
JP5783971B2 (ja) * 2012-08-10 2015-09-24 株式会社東芝 塗布装置および塗布方法
US8681470B2 (en) * 2012-08-22 2014-03-25 Illinois Tool Works Inc. Active ionization control with interleaved sampling and neutralization
CN105851099A (zh) * 2016-04-25 2016-08-17 昆山瑞鸿诚自动化设备科技有限公司 一种lcd高温烤箱
TWI813718B (zh) * 2018-07-18 2023-09-01 日商東京威力科創股份有限公司 顯像處理裝置及顯像處理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11347505A (ja) * 1998-06-04 1999-12-21 Kasuga Electric Works Ltd 除電除塵器
JP2009016096A (ja) 2007-07-03 2009-01-22 Hugle Electronics Inc イオナイザ

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3442253B2 (ja) * 1997-03-13 2003-09-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US6456480B1 (en) * 1997-03-25 2002-09-24 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and a processing method
JP2000327359A (ja) * 1999-05-24 2000-11-28 Furukawa Electric Co Ltd:The 光ファイバの製造方法および光ファイバ用母材の保管装置
JP2001291693A (ja) * 2000-04-11 2001-10-19 Ferrotec Gsq Corp 半導体製造装置における洗浄装置の洗浄管構造
JP4738636B2 (ja) * 2001-05-29 2011-08-03 株式会社テクノ菱和 防爆型無発塵イオナイザー
DE10308299A1 (de) * 2003-02-26 2004-09-16 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Düsenanordnung
JP2005072559A (ja) * 2003-08-05 2005-03-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US7147900B2 (en) * 2003-08-14 2006-12-12 Asm Japan K.K. Method for forming silicon-containing insulation film having low dielectric constant treated with electron beam radiation
JP4734063B2 (ja) * 2005-08-30 2011-07-27 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置及び基板洗浄方法。
JP2007305403A (ja) * 2006-05-11 2007-11-22 Omron Corp コロナ放電型イオナイザ、ファンユニット、およびクリーンルームシステム
JP5240706B2 (ja) * 2008-01-15 2013-07-17 独立行政法人産業技術総合研究所 バー型イオン発生器及び除電器
JP5319203B2 (ja) * 2008-08-19 2013-10-16 株式会社キーエンス 除電器
JP2010225640A (ja) * 2009-03-19 2010-10-07 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び排気方法
JP5485056B2 (ja) * 2010-07-21 2014-05-07 東京エレクトロン株式会社 イオン供給装置及びこれを備えた被処理体の処理システム

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11347505A (ja) * 1998-06-04 1999-12-21 Kasuga Electric Works Ltd 除電除塵器
JP2009016096A (ja) 2007-07-03 2009-01-22 Hugle Electronics Inc イオナイザ

Also Published As

Publication number Publication date
CN102347257B (zh) 2015-05-13
US8692208B2 (en) 2014-04-08
US20120018649A1 (en) 2012-01-26
TWI475930B (zh) 2015-03-01
CN102347257A (zh) 2012-02-08
KR20120011798A (ko) 2012-02-08
US20130234035A1 (en) 2013-09-12
TW201215244A (en) 2012-04-01
US8450700B2 (en) 2013-05-28
JP2012028087A (ja) 2012-02-09
JP5485056B2 (ja) 2014-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101391064B1 (ko) 이온 공급 장치 및 이것을 구비한 피처리체의 처리 시스템
JP5802407B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6559087B2 (ja) 基板処理装置
KR101180283B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP6420609B2 (ja) 基板搬送方法および基板処理装置
US20060081181A1 (en) Film forming system and film forming method
US20200211868A1 (en) Substrate treating apparatus and substrate transporting method
JP2008130634A (ja) 基板搬送処理装置
JP2007046859A (ja) 減圧乾燥装置
JP2009272602A (ja) 基板処理装置
KR101849839B1 (ko) 기판 반송 장치, 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
KR101646824B1 (ko) 기판 반송 설비
JP6688361B2 (ja) 基板搬送方法
JP2002083854A (ja) 基板搬送装置
TWI640659B (zh) 基板處理系統及基板處理方法
KR101296476B1 (ko) 피처리체의 이동 적재 기구 및 피처리체의 처리 시스템
KR100650807B1 (ko) 기판반송장치, 처리장치, 기판의 처리시스템, 반송방법, 수납장치 및 수용박스
JP2011159834A (ja) ガス置換装置を備えた基板搬送装置、基板搬送システム、置換方法
JPH11238778A (ja) 基板移載装置
KR20160017333A (ko) 공정 트레이 및 이를 이용한 처리 장치
JP2016066689A (ja) 容器清掃装置及び容器清掃方法
KR102624575B1 (ko) 기판 처리 장치 및 압력 측정 방법
WO2020167630A1 (en) Printing system, process chamber and printing method for handling substrates in different orientations
KR20220037989A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TW201603173A (zh) 處理裝置及方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170330

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180418

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190418

Year of fee payment: 6