JP2020021931A - 基板処理装置、基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置、基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2020021931A
JP2020021931A JP2019114531A JP2019114531A JP2020021931A JP 2020021931 A JP2020021931 A JP 2020021931A JP 2019114531 A JP2019114531 A JP 2019114531A JP 2019114531 A JP2019114531 A JP 2019114531A JP 2020021931 A JP2020021931 A JP 2020021931A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stage
electrode
substrate
substrate processing
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019114531A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7358084B2 (ja
Inventor
森　幸博
Yukihiro Mori
幸博 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASM IP Holding BV
Original Assignee
ASM IP Holding BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASM IP Holding BV filed Critical ASM IP Holding BV
Publication of JP2020021931A publication Critical patent/JP2020021931A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7358084B2 publication Critical patent/JP7358084B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02079—Cleaning for reclaiming
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32541—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/02087—Cleaning of wafer edges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/0209—Cleaning of wafer backside
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02115—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material being carbon, e.g. alpha-C, diamond or hydrogen doped carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/02315—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H01L21/31122—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching of layers not containing Si, e.g. PZT, Al2O3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1316—Methods for cleaning the liquid crystal cells, or components thereof, during manufacture: Materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202—Movement
    • H01J2237/20214—Rotation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H01J2237/3342—Resist stripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/335—Cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183—Matching circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

【課題】本発明は、基板のエッジ又はエッジに近い部分に安定したプラズマ処理を施すことができる基板処理装置と基板処理方法を提供することを目的とする。【解決手段】本願の発明に係る基板処理装置は、ステージと、該ステージを回転させる駆動部と、該ステージの外縁の一部だけに対向する電極と、該電極に高周波電力を供給する高周波電力供給部と、該電極と該ステージの間にガスを供給するガス供給装置と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図１

Description

本発明は基板処理装置と、その基板処理装置を用いた基板処理方法に関する。
半導体又は液晶の製造工程において、基板の外周部又は裏面が搬送ロボットのハンドと機械的に接触する。搬送ロボットのハンドが、例えば基板の側面部に堆積した薄膜に接触すると、当該薄膜が剥離しパーティクルの原因となる。この微小パーティクルは、高集積化したデバイスに電気的な不具合をもたらし、深刻な歩留りの低下を招く。加えて、基板の裏面の外周部に回り込んで形成された導電性の膜は、その後の工程において、基板の静電吸着を妨げたり、基板を縦に貫く直流電流を発生させたりして、素子へダメージを与える。
特表２０１１−５１１４３７号公報
基板外周部に対する機械的接触により発生するパーティクルを防止する方法として、基板外周の膜を選択的に取り除くことが考えられる。例えば、基板の外周部へ反応ガスを流し、当該外周部の上下に設けた電極の一方に高周波電力を印加し、当該外周部の周辺にプラズマを発生させる。この方法では、基板中心に向けたガスの拡散とプラズマの回り込みとを防ぐため、極端に狭い電極間隔を設定することになる。プラズマの点火電圧はパッシェンの法則に従い、反応炉内圧力ｐと電極間隔ｄの積ｐｄの関数となる。プラズマ点火電圧は１／ｄに比例するので、ｄが極端に小さいと、点火電圧が上がり均一で安定したプラズマを得ることが難しくなる。そのため、基板外周部の成膜又は膜の除去が不均一となり、歩留まりに悪影響を及ぼす。
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、基板のエッジ又はエッジに近い部分に安定したプラズマ処理を施すことができる基板処理装置と基板処理方法を提供することを目的とする。
本願の発明に係る基板処理装置は、ステージと、該ステージを回転させる駆動部と、該ステージの外縁の一部だけに対向する電極と、該電極に高周波電力を供給する高周波電力供給部と、該電極と該ステージの間にガスを供給するガス供給装置と、を備えたことを特徴とする。
本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。
本発明によれば、基板に安定したプラズマ処理を施すことができる。
基板処理装置の構成例を示す図である。 ステージ、基板及び電極などの平面図である。 電極の形状が処理結果に与える影響を示す図である。 別の例に係る基板処理装置の構成例を示す図である。 別の例に係る基板処理装置の構成例を示す図である。 別の例に係る基板処理装置の構成例を示す図である。
実施の形態．
実施の形態に係る基板処理装置と基板処理方法について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
図１は、基板処理装置２の構成例を示す図である。この基板処理装置はチャンバ１１に格納されたステージ１０を備えている。ステージ１０は例えば静電チャック電極（ＥＳＣ電極）とすることができる。ステージ１０は温度調整が可能なサセプタとすることができる。このステージ１０は駆動部１２によって回転させることができる。駆動部１２は、ｙ軸を回転軸としてステージ１０を回転させる。駆動部１２は例えばモータである。様々な方法でステージ１０を回転させることができる。
ステージ１０には、基板処理の対象となる基板１４がのせられている。基板１４の直径はステージ１０の直径より大きい。例えば、基板１４の直径はステージ１０の直径より大きい３００ｍｍとすることができる。そのため、基板１４のエッジ及びその近傍である外周部１４ａはステージ１０に支持されていない。基板１４は例えば半導体装置または液晶を製造する材料である。
基板処理装置２はステージ１０の横にある電極１６を備えている。電極１６の形状は例えば弧状である。電極１６には、例えば、電極１６に高周波電力を与える交流電源１８が接続されている。図２は、図１に示すステージ１０、基板１４及び電極１６などの平面図である。ステージ１０の外縁が破線で示されている。電極１６は、ステージ１０の外縁の一部だけに対向する。言いかえれば、電極１６はステージ１０を囲んでいない。電極１６とステージ１０の距離は１０ｍｍ以上とし得る。一例によれば、電極１６はステージ１０の外縁の１／２０以下の部分に対向する。図２には、電極１６に高周波電力を印加するために、例えば、システム１７、ＲＦジェネレータなどの交流電源１８及び整合回路１９を設けたことが示されている。システム１７からの指令を受けた交流電源１８が、整合回路１９を介して電極１６に高周波電力を提供する。システム１７、交流電源１８及び整合回路１９は、電極１６に高周波電力を供給する高周波電力供給部の一例である。基板処理装置２は別の高周波電力供給部を備えることができる。
図１には処理中に基板１４の一部から材料が除去されることを防止するためのマスクブロック２０が示されている。マスクブロック２０は、ステージ１０の上にステージ１０と離れて設けられている。マスクブロック２０の材料は例えばセラミックなどの絶縁体又は他の材料とすることができる。マスクブロック２０とステージ１０の間の距離は例えば基板１４の厚みより大きい。当該距離は、例えば少なくとも１ｍｍ、１〜３ｍｍ又は１〜５ｍｍとすることができる。マスクブロック２０には、マスクブロック２０を縦に貫通する貫通孔２０ａがある。この貫通孔２０ａには、パージガス供給装置２２から、例えばパージガス供給装置２２と貫通孔２０ａを連結するチューブを介してパージガスが供給される。そうすると、貫通孔２０ａを通じて、ステージ１０とマスクブロック２０の間の空間２０ｂにパージガスが提供される。このパージガスは、空間２０ｂを平面視でステージ１０に対して放射状に進むガス流を生じさせる。パージガス供給装置２２が供給するガスは、例えばＡｒ、Ｎ２又はＨｅである。
ガス供給装置２４は、電極１６とステージ１０の間隙２３に例えばチューブを介してガスを供給する装置である。ガス供給装置２４は例えばＯ２、ＮＦ３、Ｈｅ若しくはＡｒなどのエッチングガス、又は成膜に用いる材料ガスを間隙２３へ提供する。なお、ガス供給装置２４と前述のパージガス供給装置２２から供給されるガス流量は例えばマスフローコントローラ、システム１７、コントローラ２６又は他のコントローラなどで制御することができる。そのようなマスフローコントローラは、ガス供給装置２４とパージガス供給装置２２に設けることができる。
パージガス供給装置２２から提供されたガスと、ガス供給装置２４から提供されたガスは、例えば排気ダクト２５を経由して外部に排気される。排気経路に制御弁２７と排気ポンプ２８を設けてこれらの少なくとも一部をコントローラ２６で制御することで、チャンバ１１の中の圧力を最適化する。例えば、チャンバ１１の中が主にガス供給装置２４から提供されたガスによって満たされるように、制御弁２７と排気ポンプ２８を制御する。排気ダクト２５、制御弁２７及び排気ポンプ２８は排気路を構成する。
電極１６に対向する位置に、インピーダンス調整電極３０が設けられている。インピーダンス調整電極３０は、可変容量３２を介して接地されている。インピーダンス調整電極３０は、ステージ１０の上方に設けられている。インピーダンス調整電極３０は、ステージ１０の下方に設けてもよい。インピーダンス調整電極３０によって、放電プラグとして機能する電極１６の近傍にステージ１０とは別の接地ラインが提供される。可変容量３２の容量を調整することで、放電安定に最適な高周波インピーダンスを作りだすことができる。
ステージ１０の上方には測定器３４が設けられている。測定器３４は、たとえばカメラ、温度計又は膜厚測定器とし得る。測定器３４は、基板１４の外周部１４ａを上方より観察するために設けられている。外周部とは、基板１４のうちエッジに沿った環状の部分である。図１には基板１４の外周部１４ａが示されている。例えば、測定器３４によって、外周部１４ａの膜の除去完了又は成膜完了をリアルタイムでモニターする。
上述の基板処理装置を用いた基板処理方法の一例を説明する。まず、ステージ１０の上に、ステージ１０よりも直径の大きい基板１４をのせる。そうすると、図１、２に示されるように、基板１４の外周部１４ａがステージ１０の外縁から突出する。例えば、ステージ１０の静電チャックによりステージ１０に基板１４を密着させることで、基板１４の位置精度を高め、電極１６からの放電を安定化させることができる。
次に、電極１６とステージ１０の間にプラズマ１６ａを生成しつつ、ステージ１０を回転させる。たとえば、交流電源１８から電極１６に高周波電力を供給するとともに、ガス供給装置２４から電極１６とステージ１０の間隙２３にガスを供給することで、プラズマを生成させる。電極１６とステージ１０が容量結合された２つの電極を構成し、これにより容量結合プラズマを生成する。電極１６は小型の放電プラグとして機能する。ステージ１０の直径を基板１４の外径よりも小さくすることで、基板１４の裏面の外周部１４ａは、プラズマによく曝される。
この電極１６に最適な放電条件を整え安定したプラズマを発生させる。インピーダンス調整電極３０及び可変容量３２によって、局所的にインピーダンスを変えることでプラズマの発生を容易にし、かつプラズマを安定させることができる。可変容量３２の調整は、インピーダンスの最適化を可能とする。
少なくともプラズマ処理が行われている間、パージガス供給装置２２からマスクブロック２０の貫通孔２０ａにパージガスを提供し、ステージ１０とマスクブロック２０の間の空間２０ｂに平面視で放射状に進むガス流を生じさせる。そうすると、ガス供給装置２４から提供されたガスが、基板１４の上面に及ぶことを防ぐことができる。マスクブロック２０とパージガス供給装置２２から提供されるガスによって、基板１４の上面側に有意なプラズマ処理が及ぶことを抑制又は防止できる。マスクブロック２０とパージガス供給装置２２は必要に応じて提供され、省略することもできる。
そして、駆動部１２によって、図２の矢印に示すように基板１４を回転させることで、基板１４の外周部１４ａが順次プラズマ処理される。プラズマ処理によって、基板１４の側面と裏面に形成された膜を除去してもよいし、基板１４の側面と裏面に成膜処理を施してもよい。安定したプラズマによって、基板１４の外周部１４ａをプラズマ処理することで、均一若しくは均一性を改善した成膜又は均一若しくは均一性を改善した膜の除去が可能となる。
さらに、測定器３４によって、基板１４の外周部１４ａの状態を監視することができる。例えば、外周部１４ａの膜が除去されたか確認したり、外周部１４ａに成膜されたか確認したり、リアルタイムでモニターことができる。そのようなモニターを可能とするために、例えば、マスクブロック２０は外周部１４ａの直上を避けて設けられる。
図３は、電極の形状が処理結果に与える影響を示す図である。図３の例では、接地側電極として機能するステージ１０の外径を２９５ｍｍとした。ステージ１０の上には、直径３００ｍｍのシリコンを材料とする基板１４をのせた。基板１４として非結晶炭素被膜が成膜された基板を用いた。この例では、基板１４の外周部１４ａの膜を、１０分間の酸素ガスのプラズマにて除去した。電極１６は、幅４０ｍｍのアルミ製の放電プラグとした。電極１６に高周波電力を印加して、放電を起こし、ステージ１０を回転させることで、基板１４の外周部１４ａ全体にプラズマ処理を施した。その結果、図３の実線で示す膜厚プロファイルが得られた。
図３の破線は、平面視でステージ１０の外縁の全体と対向するアルミ製のリング状電極を設け、そのリング状電極に高周波電力を印加してステージを回転又は静止させて外周部全体に対してプラズマ処理した場合の膜厚プロファイルを示す。つまり、図３の破線のデータは、ステージ１０を囲むリング状電極で放電をさせた場合のプラズマ処理後の膜厚プロファイルを示す。
図３の実線のデータと破線のデータはどちらも基板１４の外縁から２ｍｍ内側の位置で測定された。また、どちらの場合も、電極（放電プラグ又はリング状電極）とステージ１０の距離は１２ｍｍとし、電極に印加する高周波電力の周波数を１３．５６ＭＨｚとした。
図３の実線と破線の比較から、ステージ１０の外縁の一部だけに対向する電極１６を設けることで、ステージ１０を囲むリング状電極を用いる場合よりも、膜厚の面内均一性が高まることが分かる。したがって、一例によれば、電極１６はステージ１０の外縁の一部だけに対向させるべきであり、ステージを囲むべきではない。電極でステージ１０を囲むリング状電極を用いる場合、電極とステージ１０が対向した部分全体において均等なガス流とプラズマを得ることが難しく、位置に応じて炭素膜の厚さが大きくばらつく。これに対し、電極を小さくして、ステージ１０の外縁の一部だけに対向させることで、一か所で安定した放電を起こすことが可能となり、均一な膜の除去ができる。
図４は、別の例に係る基板処理装置２´の構成例を示す図である。この例では、可変容量５０を介してステージ１０を接地した。可変容量５０の容量を調整することで、プラズマ生成時のインピーダンスを最適化することができる。
図５は、別の例に係る基板処理装置２´´の構成例を示す図である。この例では、ガス供給装置５２で、ステージ１０の下側から、電極１６とステージ１０の間隙２３にガスを供給する。これにより、ガス供給装置５２から基板１４の裏面側に十分なガスが提供されるので、特に基板１４の裏面に意図するプラズマ処理を施すことができる。
図６は、別の例に係る基板処理装置２´´´の構成例を示す図である。電極１６Ａは、基板１４と同じレベル（位置）、ステージ１０の上端と同じレベル、又はそれらより下のレベルにだけ設けることができる。図６の例では、基板１４上端と同レベル又は当該上端より下にだけ電極１６Ａを設けた。そうすると、プラズマは、主として基板１４の側面の横と、基板１４の裏面の下に生じる。この場合、基板１４の上面へのプラズマ処理を十分抑制しつつ、基板１４の側面及び裏面にプラズマ処理を施すことができる。別の方法で電極の形状を変更したり、電極とステージ１０の距離を調整したりすることができる。
１０ ステージ、 １２ 駆動部、 １４ 基板、 １６ 電極

Claims (10)

  1. ステージと、
    前記ステージを回転させる駆動部と、
    前記ステージの外縁の一部だけに対向する電極と、
    前記電極に高周波電力を供給する高周波電力供給部と、
    前記電極と前記ステージの間にガスを供給するガス供給装置と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記ステージの上に前記ステージと離れて設けられたマスクブロックと、
    前記ステージと前記マスクブロックの間の空間にパージガスを提供し、平面視で放射状に進むガス流を生じさせるパージガス供給装置と、を備えたことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記電極の形状は弧状であることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理装置。
  4. 前記電極に対向し、可変容量を介して接地されたインピーダンス調整電極を備えたことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  5. 前記インピーダンス調整電極は、前記ステージの上方に設けられたことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記ステージの上方に設けられた測定器を備えたことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  7. 前記測定器は、カメラ、温度計又は膜厚測定器であることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
  8. ステージの上に、前記ステージよりも直径の大きい基板をのせることと、
    前記ステージの外縁の一部だけに対向する電極に高周波電力を供給するとともに前記電極と前記ステージの間にガスを供給することで、前記電極と前記ステージの間にプラズマを生成しつつ、前記ステージを回転させることと、を備えたことを特徴とする基板処理方法。
  9. 前記プラズマによって、前記基板の側面と裏面に形成された膜を除去することを特徴とする請求項８に記載の基板処理方法。
  10. 前記プラズマによって、前記基板の側面と裏面に成膜処理を施すことを特徴とする請求項８に記載の基板処理方法。
JP2019114531A 2018-08-02 2019-06-20 基板処理装置、基板処理方法 Active JP7358084B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/053,740 2018-08-02
US16/053,740 US10566181B1 (en) 2018-08-02 2018-08-02 Substrate processing apparatuses and substrate processing methods

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020021931A true JP2020021931A (ja) 2020-02-06
JP7358084B2 JP7358084B2 (ja) 2023-10-10

Family

ID=69228915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019114531A Active JP7358084B2 (ja) 2018-08-02 2019-06-20 基板処理装置、基板処理方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10566181B1 (ja)
JP (1) JP7358084B2 (ja)
KR (1) KR20200015428A (ja)
CN (1) CN110797251A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200080460A (ko) * 2018-12-26 2020-07-07 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조 방법 및 반도체 공정 설비

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1154479A (ja) * 1997-08-01 1999-02-26 Sony Corp 半導体基板外周域を選択エッチングする半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP2003156314A (ja) * 2001-11-21 2003-05-30 Omron Corp 膜厚測定方法及びその装置
JP2003197600A (ja) * 2001-12-21 2003-07-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
JP2007299881A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd ベベルエッチング装置およびベベルエッチング方法
JP2008311385A (ja) * 2007-06-14 2008-12-25 Hitachi High-Technologies Corp 基板処理装置
US20110146703A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing bevel edge
JP2013251390A (ja) * 2012-05-31 2013-12-12 Toshiba Corp 現像処理装置
WO2018110301A1 (ja) * 2016-12-12 2018-06-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100442194B1 (ko) * 2002-03-04 2004-07-30 주식회사 씨싸이언스 웨이퍼 건식 식각용 전극
US8083890B2 (en) 2005-09-27 2011-12-27 Lam Research Corporation Gas modulation to control edge exclusion in a bevel edge etching plasma chamber
US7938931B2 (en) * 2006-05-24 2011-05-10 Lam Research Corporation Edge electrodes with variable power
US8137501B2 (en) * 2007-02-08 2012-03-20 Lam Research Corporation Bevel clean device
JP4962960B2 (ja) * 2007-08-09 2012-06-27 国立大学法人大阪大学 半導体ウエハ外周部の加工装置
US8329593B2 (en) * 2007-12-12 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for removing polymer from the wafer backside and edge
CN101741337B (zh) * 2009-11-24 2012-10-31 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种阻抗调节装置和包含该装置的阻抗匹配系统
JP5622077B2 (ja) * 2010-03-12 2014-11-12 日立金属株式会社 半導体基板の加工装置、及び半導体基板の製造方法
CN104299929A (zh) * 2013-07-19 2015-01-21 朗姆研究公司 用于原位晶片边缘和背侧等离子体清洁的系统和方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1154479A (ja) * 1997-08-01 1999-02-26 Sony Corp 半導体基板外周域を選択エッチングする半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP2003156314A (ja) * 2001-11-21 2003-05-30 Omron Corp 膜厚測定方法及びその装置
JP2003197600A (ja) * 2001-12-21 2003-07-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
JP2007299881A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd ベベルエッチング装置およびベベルエッチング方法
JP2008311385A (ja) * 2007-06-14 2008-12-25 Hitachi High-Technologies Corp 基板処理装置
US20110146703A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing bevel edge
JP2013251390A (ja) * 2012-05-31 2013-12-12 Toshiba Corp 現像処理装置
WO2018110301A1 (ja) * 2016-12-12 2018-06-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
US10566181B1 (en) 2020-02-18
JP7358084B2 (ja) 2023-10-10
KR20200015428A (ko) 2020-02-12
US20200043719A1 (en) 2020-02-06
CN110797251A (zh) 2020-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6812224B2 (ja) 基板処理装置及び載置台
JP6948822B2 (ja) 基板処理装置及び基板取り外し方法
TWI553729B (zh) Plasma processing method
JP4699127B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
TWI494995B (zh) Buffer plate and substrate processing device
JP5231038B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法、ならびに記憶媒体
JP5956933B2 (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US20120061351A1 (en) Plasma processing apparatus, plasma processing method and storage medium for storing program for executing the method
JP2011082180A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
TW200935512A (en) Apparatus and methof for plasma treatment
US20100218895A1 (en) Plasma processing apparatus
KR101898079B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
JP4642809B2 (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP2021128956A (ja) 載置台、プラズマ処理装置及びクリーニング処理方法
JP2020092036A (ja) 制御方法及びプラズマ処理装置
WO2004021427A1 (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP2020021931A (ja) 基板処理装置、基板処理方法
JPH0974129A (ja) プラズマ処理方法
JP7018801B2 (ja) プラズマ処理装置、及び被処理体の搬送方法
US8974600B2 (en) Deposit protection cover and plasma processing apparatus
TW202137323A (zh) 基板處理方法及基板處理系統
TWI431681B (zh) 洗淨方法及真空處理裝置
WO2021256302A1 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2002261084A (ja) ドライエッチング方法及び装置
US20220384183A1 (en) Cleaning method and plasma processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20210212

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20210217

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220607

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230227

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230509

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230828

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230927

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7358084

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150