JPH056800A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH056800A JPH056800A JP3159501A JP15950191A JPH056800A JP H056800 A JPH056800 A JP H056800A JP 3159501 A JP3159501 A JP 3159501A JP 15950191 A JP15950191 A JP 15950191A JP H056800 A JPH056800 A JP H056800A
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- wall
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- vacuum chamber
- plasma processing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 排気口部分における排気弁体の形状およびそ
の電位差に配慮し、上記排気口部分を含めて真空チャン
バ−内壁を一定の電位に維持し、プラズマを安定で均等
状態に保持できるようにするとともに、上記排気弁体
に、気密構造を与えて、上記排気口部分の構造を簡略化
およびコンパクト化し、更にメンテナンス性も向上した
プラズマ処理装置を提供する。 【構成】 真空チャンバ−（１０１）内に対向して配置
された電極（１０９、１１２）間での放電現象によりプ
ラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、上記真空
チャンバ−（１０１）の内壁（１０２）に設けた排気口
（１０３）に、上記内壁面に対して凹凸の無いように、
かつ、気密に閉じられる弁体（１０６）を開閉可能に設
けるとともに、上記弁体（１０６）を上記内壁（１０
２）と同電位に保持している。
の電位差に配慮し、上記排気口部分を含めて真空チャン
バ−内壁を一定の電位に維持し、プラズマを安定で均等
状態に保持できるようにするとともに、上記排気弁体
に、気密構造を与えて、上記排気口部分の構造を簡略化
およびコンパクト化し、更にメンテナンス性も向上した
プラズマ処理装置を提供する。 【構成】 真空チャンバ−（１０１）内に対向して配置
された電極（１０９、１１２）間での放電現象によりプ
ラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、上記真空
チャンバ−（１０１）の内壁（１０２）に設けた排気口
（１０３）に、上記内壁面に対して凹凸の無いように、
かつ、気密に閉じられる弁体（１０６）を開閉可能に設
けるとともに、上記弁体（１０６）を上記内壁（１０
２）と同電位に保持している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、放電現象を利用して、
原料ガスを分解して基板上に膜堆積をおこない、あるい
は、基板上の堆積膜をエッチングし、もしくは表面改質
するときに使用するプラズマ処理装置に関するものであ
る。
原料ガスを分解して基板上に膜堆積をおこない、あるい
は、基板上の堆積膜をエッチングし、もしくは表面改質
するときに使用するプラズマ処理装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来技術】この種のプラズマ処理装置には、図５ある
いは図６に示す構成のものが知られている。図７に示す
従来のプラズマ処理装置は、真空チャンバ−５０１の内
壁５０２に排気口５０３を開口しており、この排気口５
０３には主排気弁５０６を開閉自在に備えている。そし
て、上記排気口５０３の外側には排気通路５０４を介し
て所要の排気系５０５が連通されており、上記主排気弁
５０６の開放時、上記チャンバ−５０１に対して高真空
排気を行うことができる。記真空チャンバ−では、所定
の真空度まで排気された後、反応ガス系５１６から通路
５１５を介してガスを導入し、圧力調整弁（図示せず）
で、チャンバ−内圧を所定値に保つ。上記真空チャンバ
−内の高周波電極５０９は絶縁物５０８を介して内壁に
対して電気的に絶縁されており、対向する対向電極５１
２との間でプラズマを発生する。このため、上記電極５
０９にはリ−ド５１０を介してＲＦ電源５１１が接続し
てあり、対向電極５１２は電気絶縁物５１３で内壁５０
２に対して絶縁され、また、リ−ド５１４を介して接地
されている。
いは図６に示す構成のものが知られている。図７に示す
従来のプラズマ処理装置は、真空チャンバ−５０１の内
壁５０２に排気口５０３を開口しており、この排気口５
０３には主排気弁５０６を開閉自在に備えている。そし
て、上記排気口５０３の外側には排気通路５０４を介し
て所要の排気系５０５が連通されており、上記主排気弁
５０６の開放時、上記チャンバ−５０１に対して高真空
排気を行うことができる。記真空チャンバ−では、所定
の真空度まで排気された後、反応ガス系５１６から通路
５１５を介してガスを導入し、圧力調整弁（図示せず）
で、チャンバ−内圧を所定値に保つ。上記真空チャンバ
−内の高周波電極５０９は絶縁物５０８を介して内壁に
対して電気的に絶縁されており、対向する対向電極５１
２との間でプラズマを発生する。このため、上記電極５
０９にはリ−ド５１０を介してＲＦ電源５１１が接続し
てあり、対向電極５１２は電気絶縁物５１３で内壁５０
２に対して絶縁され、また、リ−ド５１４を介して接地
されている。
【０００３】また、図６に示すプラズマ処理装置は、高
真空排気系と反応ガス排気系とを機能分離したもので、
ここでは真空チャンバ−６０１の内壁６０２に開口した
排気口６０３に主排気弁６０６を備えるとともに、別に
開口した反応ガス排気口６００を備えている。上記排気
口６０３は排気通路６０４を介して排気系６０５に連通
し、また、上記排気口６００は排気通路６１７を介して
排気系６１８に連通している。上記真空チャンバ−で
は、所定の真空度まで排気された後、反応ガス系６１６
から通路６１５を介してガスを導入し、圧力調整弁（図
示せず）で、チャンバ−内圧を所定値に保つ。上記真空
チャンバ−内の高周波電極６０９は絶縁物６０８を介し
て内壁に対して電気的に絶縁されており、対向する対向
電極６１２との間でプラズマを発生する。このため、上
記電極６０９にはリ−ド６１０を介してＲＦ電源６１１
が接続してあり、対向電極６１２は電気絶縁物６１３で
内壁６０２に対して絶縁され、また、リ−ド６１４を介
して接地されている。
真空排気系と反応ガス排気系とを機能分離したもので、
ここでは真空チャンバ−６０１の内壁６０２に開口した
排気口６０３に主排気弁６０６を備えるとともに、別に
開口した反応ガス排気口６００を備えている。上記排気
口６０３は排気通路６０４を介して排気系６０５に連通
し、また、上記排気口６００は排気通路６１７を介して
排気系６１８に連通している。上記真空チャンバ−で
は、所定の真空度まで排気された後、反応ガス系６１６
から通路６１５を介してガスを導入し、圧力調整弁（図
示せず）で、チャンバ−内圧を所定値に保つ。上記真空
チャンバ−内の高周波電極６０９は絶縁物６０８を介し
て内壁に対して電気的に絶縁されており、対向する対向
電極６１２との間でプラズマを発生する。このため、上
記電極６０９にはリ−ド６１０を介してＲＦ電源６１１
が接続してあり、対向電極６１２は電気絶縁物６１３で
内壁６０２に対して絶縁され、また、リ−ド６１４を介
して接地されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
場合、主排気弁５０６はプラズマ生成中、開放状態に置
かれるので、排気口５０３の部分での接地電位がチャン
バ−内壁と相違するため、上記プラズマの空間分布に変
化を生起させてしまう。そこで、上記主排気弁５０６に
対向して、上記チャンバ−内壁側に、接地されたメッシ
ュを張り、排気を妨げることなく、しかも、上記排気口
５０３の部分を内壁５０２と同電位にする試みもある
が、実質的効果が得られず、寧ろ、メッシュサイズによ
っては、かえって、メッシュにおいて放電が生起され、
本来のプラズマを乱す原因となってしまう。また、メッ
シュが細かいと、排気抵抗の増大で、排気能力が低下
し、所要の真空度まで達しなかったり、あるいは必要な
量の反応ガスが流せなくなるという問題を生じる。
場合、主排気弁５０６はプラズマ生成中、開放状態に置
かれるので、排気口５０３の部分での接地電位がチャン
バ−内壁と相違するため、上記プラズマの空間分布に変
化を生起させてしまう。そこで、上記主排気弁５０６に
対向して、上記チャンバ−内壁側に、接地されたメッシ
ュを張り、排気を妨げることなく、しかも、上記排気口
５０３の部分を内壁５０２と同電位にする試みもある
が、実質的効果が得られず、寧ろ、メッシュサイズによ
っては、かえって、メッシュにおいて放電が生起され、
本来のプラズマを乱す原因となってしまう。また、メッ
シュが細かいと、排気抵抗の増大で、排気能力が低下
し、所要の真空度まで達しなかったり、あるいは必要な
量の反応ガスが流せなくなるという問題を生じる。
【０００５】後者の場合、反応ガスは、主排気弁６０６
を閉じた状態で、別の排気口６００を介して排気するの
で、若干、プラズマの空間分布における均一性を得るこ
とができるが、上記主排気弁はゴム製Ｏ−リングなどの
非導電性材料で構成されるので、上記チャンバ−内壁と
同電位にすることが困難である。特に、ＲＦプラズマの
場合、主排気弁６０６がステンレス製などのインピ−ダ
ンスが高い材料で構成されている時、電位差が大きくな
る。そこで、前者の場合のようにメッシュを用いること
も考えられるが、この場合には、前者であげられている
ような問題を抱えることになる。また、上記内壁６０２
と主排気弁６０６とは面一になっていないので、その個
所の凹凸でプラズマの不均一を招く。
を閉じた状態で、別の排気口６００を介して排気するの
で、若干、プラズマの空間分布における均一性を得るこ
とができるが、上記主排気弁はゴム製Ｏ−リングなどの
非導電性材料で構成されるので、上記チャンバ−内壁と
同電位にすることが困難である。特に、ＲＦプラズマの
場合、主排気弁６０６がステンレス製などのインピ−ダ
ンスが高い材料で構成されている時、電位差が大きくな
る。そこで、前者の場合のようにメッシュを用いること
も考えられるが、この場合には、前者であげられている
ような問題を抱えることになる。また、上記内壁６０２
と主排気弁６０６とは面一になっていないので、その個
所の凹凸でプラズマの不均一を招く。
【０００６】そこで、本発明者は、別に、排気口部分に
おける排気弁体の形状およびその電位差に配慮し、上記
排気口部分を含めて真空チャンバ−内壁を一定の電位に
維持し、プラズマを安定で均等状態に保持できるプラズ
マ処理装置を提唱した。
おける排気弁体の形状およびその電位差に配慮し、上記
排気口部分を含めて真空チャンバ−内壁を一定の電位に
維持し、プラズマを安定で均等状態に保持できるプラズ
マ処理装置を提唱した。
【０００７】このプラズマ処理装置では、真空チャンバ
−の内壁に設けた排気口に、上記内壁面に対して凹凸の
無いように閉じられる第１の弁体を開閉可能に設けると
ともに、上記弁体を上記内壁と同電位に保持し、かつ、
上記弁体よりも排気口外側に密閉式の第２の弁体を配置
しているのである。このため、排気口にメッシュを配置
する必要がなく、プラズマを安定で均等状態に保持でき
る。
−の内壁に設けた排気口に、上記内壁面に対して凹凸の
無いように閉じられる第１の弁体を開閉可能に設けると
ともに、上記弁体を上記内壁と同電位に保持し、かつ、
上記弁体よりも排気口外側に密閉式の第２の弁体を配置
しているのである。このため、排気口にメッシュを配置
する必要がなく、プラズマを安定で均等状態に保持でき
る。
【０００８】
【本発明の目的】本発明では、別に提唱したプラズマ処
理装置のように、排気口部分における排気弁体の形状お
よびその電位差に配慮し、上記排気口部分を含めて真空
チャンバ−内壁を一定の電位に維持し、プラズマを安定
で均等状態に保持できるようにするとともに、上記排気
弁体に、気密構造を与えて、上記排気口部分の構造を簡
略化およびコンパクト化し、更にメンテナンス性も向上
したプラズマ処理装置を提供しようとするものである。
理装置のように、排気口部分における排気弁体の形状お
よびその電位差に配慮し、上記排気口部分を含めて真空
チャンバ−内壁を一定の電位に維持し、プラズマを安定
で均等状態に保持できるようにするとともに、上記排気
弁体に、気密構造を与えて、上記排気口部分の構造を簡
略化およびコンパクト化し、更にメンテナンス性も向上
したプラズマ処理装置を提供しようとするものである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】すなわち、本発明にお
いては、真空チャンバ−内に対向して配置された電極間
での放電現象によりプラズマ処理を行うプラズマ処理装
置において、上記真空チャンバ−の内壁に設けた排気口
に、上記内壁面に対して凹凸の無いように、かつ、気密
に閉じられる弁体を開閉可能に設けるとともに、上記弁
体を上記内壁と同電位に保持している。
いては、真空チャンバ−内に対向して配置された電極間
での放電現象によりプラズマ処理を行うプラズマ処理装
置において、上記真空チャンバ−の内壁に設けた排気口
に、上記内壁面に対して凹凸の無いように、かつ、気密
に閉じられる弁体を開閉可能に設けるとともに、上記弁
体を上記内壁と同電位に保持している。
【００１０】
【作用】このため、排気口にメッシュを配置する必要が
なく、プラズマを安定で均等状態に保持できるととも
に、排気口部分には一つの排気弁体を備えるだけで良
く、上記真空チャンバ−に連通する排気ユニットを構成
しなくてよいから、上記排気口部分の構造を簡略化およ
びコンパクト化し、更にメンテナンス性も向上できるこ
とになる。
なく、プラズマを安定で均等状態に保持できるととも
に、排気口部分には一つの排気弁体を備えるだけで良
く、上記真空チャンバ−に連通する排気ユニットを構成
しなくてよいから、上記排気口部分の構造を簡略化およ
びコンパクト化し、更にメンテナンス性も向上できるこ
とになる。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の装置の一具体例を図１ないし
図４を参照して説明する。本発明のプラズマ処理装置
は、図１に示すように、真空チャンバ−１０１の内壁
（側壁）１０２に排気口１０３を開口している。そし
て、上記排気口１０３は外側に向けて拡大傾斜する周縁
１０３Ａを持っており、この周縁１０３Ａで嵌合する弁
体１０６が排気弁として上記排気口１０３に開閉自在に
装備してある。この場合、上記真空チャンバ−１０１内
に面する上記弁体１０６の面は、上記内壁１０２と面一
になっており、その個所の形状で、プラズマを乱すこと
がないようにしてある。上記弁体１０６にはフランジ状
の縁部１０６Ａがあり、そこに電気良導体からなる接地
部材１２２が取付けてあり、上記真空チャンバ−の外側
に当接してあって、上記プラズマを安定に、かつ均一に
維持するために、上記弁体１０６を内壁１０２と同電位
にしている。また、上記内壁１０２の外側に対向する上
記縁部１０６Ａの面には上記周縁１０３Ａを囲むように
して溝条１０６Ｂが形成してあって、そこには中空メタ
ルリングガスケット１２３が装着してあり、上記弁体１
０６の気密性を保持している。
図４を参照して説明する。本発明のプラズマ処理装置
は、図１に示すように、真空チャンバ−１０１の内壁
（側壁）１０２に排気口１０３を開口している。そし
て、上記排気口１０３は外側に向けて拡大傾斜する周縁
１０３Ａを持っており、この周縁１０３Ａで嵌合する弁
体１０６が排気弁として上記排気口１０３に開閉自在に
装備してある。この場合、上記真空チャンバ−１０１内
に面する上記弁体１０６の面は、上記内壁１０２と面一
になっており、その個所の形状で、プラズマを乱すこと
がないようにしてある。上記弁体１０６にはフランジ状
の縁部１０６Ａがあり、そこに電気良導体からなる接地
部材１２２が取付けてあり、上記真空チャンバ−の外側
に当接してあって、上記プラズマを安定に、かつ均一に
維持するために、上記弁体１０６を内壁１０２と同電位
にしている。また、上記内壁１０２の外側に対向する上
記縁部１０６Ａの面には上記周縁１０３Ａを囲むように
して溝条１０６Ｂが形成してあって、そこには中空メタ
ルリングガスケット１２３が装着してあり、上記弁体１
０６の気密性を保持している。
【００１２】なお、上記接地部材１２２は、図３あるい
は図４に示すように、Ｕ字形のクッション部をもった銅
板製で、上記弁体１０６にビス止めされている。また、
上記実施例では弁体１０６の気密性保持のための手段と
して、中空メタルリングガスケット１２３の構造を採用
したが、これには、一般に気密性保持手段として用いら
れるバイトン、ネオプレンなどで作られるＯ−リングを
採用しても良い。
は図４に示すように、Ｕ字形のクッション部をもった銅
板製で、上記弁体１０６にビス止めされている。また、
上記実施例では弁体１０６の気密性保持のための手段と
して、中空メタルリングガスケット１２３の構造を採用
したが、これには、一般に気密性保持手段として用いら
れるバイトン、ネオプレンなどで作られるＯ−リングを
採用しても良い。
【００１３】本発明に係る上記プラズマ処理装置は、こ
の実施例では、高真空排気系と反応ガス排気系とを機能
分離したもので、ここでは真空チャンバ−１０１の内壁
１０２に開口した排気口１０３とは別に、反応ガス排気
口１００を備えている。また、上記排気口１０３は排気
通路１０４を介して排気系１０５に連通し、上記排気口
１００は排気通路１１７を介して排気系１１８に連通し
ている。上記真空チャンバ−１０１では、所定の真空度
まで排気された後、反応ガス系１１６から通路１１５を
介してガスを導入し、圧力調整弁（図示せず）で、チャ
ンバ−内圧を所定値に保つ。上記真空チャンバ−内の高
周波電極１０９は絶縁物１０８を介して内壁に対して電
気的に絶縁されており、対向する対向電極１１２との間
でプラズマを発生する。このため、上記電極１０９には
リ−ド１１０を介してＲＦ電源１１１が接続してあり、
対向電極１１２は電気絶縁物１１３で内壁１０２と絶縁
され、また、リ−ド１１４を介して接地されている。
の実施例では、高真空排気系と反応ガス排気系とを機能
分離したもので、ここでは真空チャンバ−１０１の内壁
１０２に開口した排気口１０３とは別に、反応ガス排気
口１００を備えている。また、上記排気口１０３は排気
通路１０４を介して排気系１０５に連通し、上記排気口
１００は排気通路１１７を介して排気系１１８に連通し
ている。上記真空チャンバ−１０１では、所定の真空度
まで排気された後、反応ガス系１１６から通路１１５を
介してガスを導入し、圧力調整弁（図示せず）で、チャ
ンバ−内圧を所定値に保つ。上記真空チャンバ−内の高
周波電極１０９は絶縁物１０８を介して内壁に対して電
気的に絶縁されており、対向する対向電極１１２との間
でプラズマを発生する。このため、上記電極１０９には
リ−ド１１０を介してＲＦ電源１１１が接続してあり、
対向電極１１２は電気絶縁物１１３で内壁１０２と絶縁
され、また、リ−ド１１４を介して接地されている。
【００１４】このような装置を用いて、ＲＩＥモ−ドの
エッチングを実施する場合について、以下に説明する。
電極１０９上に基板（図示せず）を載せた後、弁体１０
６を開放し、排気系１０５を用いて、上記真空チャンバ
−１０１から真空排気を行い、上記チャンバ−１０１内
を所定の真空度まで減圧する。次に、弁体１０６を気密
に閉じ、反応ガス系１１６よりエッチング反応ガス、例
えば、ＣＦ4 などを上記チャンバ−１０１内に導入す
る。これにより、エッチングガスは、圧力調整弁（図示
せず）で設定された圧力にチャンバ−内圧を保ちなが
ら、上記チャンバ−１０１を満たし、排気系１１７を介
して排気される。所定の圧力に到達したならば、電極１
０９、１１２間に電圧を印加して、上記チャンバ−１０
１内にプラズマを生起する。これにより、反応ガスから
基板上の堆積膜に対して所定厚さまでエッチングを行う
のである。この場合、内壁１０２と弁体１０６とは同電
位に保持され、また、表面上の凹凸がないから、チャン
バ−１０１内でのプラズマの空間分布は均等に維持さ
れ、乱されることがない。特に、この実施例では、反応
ガスが、プラズマ生成中も、排気口１００を介して均一
に排気されているので、上記プラズマが揺らぐことな
く、安定に保持され、均一なエッチングがなされる。し
かして、所定厚さまで、エッチングがなされると、電力
の供給を停止し、反応ガスの供給を停止する。その後、
排気系１１８により上記チャンバ−１０１を排気し、所
定圧力まで減圧した段階で、弁体１０６を開放し、次の
真空排気を行うのである。
エッチングを実施する場合について、以下に説明する。
電極１０９上に基板（図示せず）を載せた後、弁体１０
６を開放し、排気系１０５を用いて、上記真空チャンバ
−１０１から真空排気を行い、上記チャンバ−１０１内
を所定の真空度まで減圧する。次に、弁体１０６を気密
に閉じ、反応ガス系１１６よりエッチング反応ガス、例
えば、ＣＦ4 などを上記チャンバ−１０１内に導入す
る。これにより、エッチングガスは、圧力調整弁（図示
せず）で設定された圧力にチャンバ−内圧を保ちなが
ら、上記チャンバ−１０１を満たし、排気系１１７を介
して排気される。所定の圧力に到達したならば、電極１
０９、１１２間に電圧を印加して、上記チャンバ−１０
１内にプラズマを生起する。これにより、反応ガスから
基板上の堆積膜に対して所定厚さまでエッチングを行う
のである。この場合、内壁１０２と弁体１０６とは同電
位に保持され、また、表面上の凹凸がないから、チャン
バ−１０１内でのプラズマの空間分布は均等に維持さ
れ、乱されることがない。特に、この実施例では、反応
ガスが、プラズマ生成中も、排気口１００を介して均一
に排気されているので、上記プラズマが揺らぐことな
く、安定に保持され、均一なエッチングがなされる。し
かして、所定厚さまで、エッチングがなされると、電力
の供給を停止し、反応ガスの供給を停止する。その後、
排気系１１８により上記チャンバ−１０１を排気し、所
定圧力まで減圧した段階で、弁体１０６を開放し、次の
真空排気を行うのである。
【００１５】例えば、基板上のａ−Ｓｉ膜をＣＦ4 ガス
を用いてエッチングした場合、供給電力５００Ｗ、エッ
チング圧力１０９ａ、ＣＦ4 ガス流量１００SCCMとすれ
ば、図２に示すように、エッチングレ−ト分布は４００
角の基板内で、±５％以内に改善されていることを確認
できる。
を用いてエッチングした場合、供給電力５００Ｗ、エッ
チング圧力１０９ａ、ＣＦ4 ガス流量１００SCCMとすれ
ば、図２に示すように、エッチングレ−ト分布は４００
角の基板内で、±５％以内に改善されていることを確認
できる。
【００１６】なお、上記弁体１０６は、インピ−ダンス
を考慮してアルミニウムで作り、接地部材１２２はリン
青銅を用いるとよい。なお、弁体１０６がステンレスな
どのインピ−ダンスが高い材料で作られるときには、図
４の実施例のように弁体１０６の裏面全体に、接地部材
１２２の延長部分として、リン青銅、アルミニウム、銅
などのインピ−ダンスの低い材料で覆うようにしてもよ
い。
を考慮してアルミニウムで作り、接地部材１２２はリン
青銅を用いるとよい。なお、弁体１０６がステンレスな
どのインピ−ダンスが高い材料で作られるときには、図
４の実施例のように弁体１０６の裏面全体に、接地部材
１２２の延長部分として、リン青銅、アルミニウム、銅
などのインピ−ダンスの低い材料で覆うようにしてもよ
い。
【００１７】
【発明の効果】以上の実施例で示したように、本発明の
プラズマ処理装置によれば、真空チャンバ−内に対向し
て配置された電極間での放電現象によりプラズマ処理を
行うプラズマ処理装置において、上記真空チャンバ−の
内壁に設けた排気口に、上記内壁面に対して凹凸の無い
ように、かつ、気密に閉じられる弁体を開閉可能に設け
るとともに、上記弁体を上記内壁と同電位に保持してい
るので、排気口にメッシュを配置する必要がなく、プラ
ズマを安定で均等状態に保持できるとともに、排気口部
分には一つの排気弁体を備えるだけで良く、上記真空チ
ャンバ−に連通する排気ユニットを構成しなくてよいか
ら、上記排気口部分の構造を簡略化およびコンパクト化
し、更にメンテナンス性も向上できる。
プラズマ処理装置によれば、真空チャンバ−内に対向し
て配置された電極間での放電現象によりプラズマ処理を
行うプラズマ処理装置において、上記真空チャンバ−の
内壁に設けた排気口に、上記内壁面に対して凹凸の無い
ように、かつ、気密に閉じられる弁体を開閉可能に設け
るとともに、上記弁体を上記内壁と同電位に保持してい
るので、排気口にメッシュを配置する必要がなく、プラ
ズマを安定で均等状態に保持できるとともに、排気口部
分には一つの排気弁体を備えるだけで良く、上記真空チ
ャンバ−に連通する排気ユニットを構成しなくてよいか
ら、上記排気口部分の構造を簡略化およびコンパクト化
し、更にメンテナンス性も向上できる。
【図１】本発明を実施するための成膜装置の一実施例の
概略図である。
概略図である。
【図２】本発明におけるエッチングレ−トを示したグラ
フである。
フである。
【図３】本発明における弁体の接地手段を示した縦断側
面図である。
面図である。
【図４】本発明における弁体の接地手段を示した縦断側
面図である。
面図である。
【図５】従来例のプラズマ処理装置の概略図である。
【図６】従来例のプラズマ処理装置の概略図である。
１０１ 真空チャンバ− １０２ 内壁 １０３ 排気口 １０６ 弁体 １０９、１１２ 高周波電極 １２２ 接地部材 １２３ 中空リングガスケット
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 真空チャンバ−内に対向して配置された
電極間での放電現象によりプラズマ処理を行うプラズマ
処理装置において、上記真空チャンバ−の内壁に設けた
排気口に、上記内壁面に対して凹凸の無いように、か
つ、気密に閉じられる弁体を開閉可能に設けるととも
に、上記弁体を上記内壁と同電位に保持していることを
特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3159501A JP3033787B2 (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3159501A JP3033787B2 (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH056800A true JPH056800A (ja) | 1993-01-14 |
| JP3033787B2 JP3033787B2 (ja) | 2000-04-17 |
Family
ID=15695150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3159501A Expired - Fee Related JP3033787B2 (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3033787B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0714998A3 (en) * | 1994-11-30 | 1996-12-04 | Applied Materials Inc | CVD processing chamber |
| US5885356A (en) * | 1994-11-30 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Method of reducing residue accumulation in CVD chamber using ceramic lining |
| WO2001041182A1 (en) * | 1999-11-22 | 2001-06-07 | Tokyo Electron Limited | Plasma processor, cluster tool, and method of controlling plasma |
| JP2002367969A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| KR20200049739A (ko) * | 2017-10-26 | 2020-05-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US11049737B2 (en) | 2017-10-26 | 2021-06-29 | Semes Co. Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
-
1991
- 1991-06-04 JP JP3159501A patent/JP3033787B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0714998A3 (en) * | 1994-11-30 | 1996-12-04 | Applied Materials Inc | CVD processing chamber |
| US5885356A (en) * | 1994-11-30 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Method of reducing residue accumulation in CVD chamber using ceramic lining |
| WO2001041182A1 (en) * | 1999-11-22 | 2001-06-07 | Tokyo Electron Limited | Plasma processor, cluster tool, and method of controlling plasma |
| JP2002367969A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| KR20200049739A (ko) * | 2017-10-26 | 2020-05-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US11049737B2 (en) | 2017-10-26 | 2021-06-29 | Semes Co. Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3033787B2 (ja) | 2000-04-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |