JP4126229B2 - プラズマ生成装置及び方法 - Google Patents
プラズマ生成装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4126229B2 JP4126229B2 JP2002560166A JP2002560166A JP4126229B2 JP 4126229 B2 JP4126229 B2 JP 4126229B2 JP 2002560166 A JP2002560166 A JP 2002560166A JP 2002560166 A JP2002560166 A JP 2002560166A JP 4126229 B2 JP4126229 B2 JP 4126229B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- processing
- chamber
- field
- plasma generation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
Description
Claims (14)
- 基板を処理するための装置であって、
処理室(26)を有し、
前記処理室(26)が、
処理部分(42)と、
プラズマ生成部分(40)とを有し、
前記プラズマ生成部分(40)が、
第1プラズマ・フィールドを生成するための第1プラズマ生成室(56x)であって、前記第1プラズマ・フィールドが前記処理部分(42)から遠隔に生成される、該第1プラズマ生成室(56x)と、
前記処理部分(42)と前記第1プラズマ生成室との間に配置された通路(44)であって、前記第1プラズマ・フィールドの粒子を前記第1プラズマ生成室(56x)から前記処理部分(42)への移動が可能になるように構成された、該通路(44)と、
第2プラズマ・フィールドを生成するための第2プラズマ生成室(56y)であって、前記第2プラズマ・フィールドが前記処理室(42)から遠隔に生成され、前記第1プラズマ生成室(56x)と交差するように配置されて相互に直接連通し、前記通路(44)は、前記第2プラズマ・フィールドの粒子の前記第2プラズマ生成室(56x)から前記処理部分(42)への移動が可能になるように構成され、前記第1プラズマ・フィールドと前記第2プラズマ・フィールドとは異なる源から生成される、該第2プラズマ生成室とを含むことを特徴とする装置。 - 前記プラズマ生成部分(40)が更に、第3プラズマ・フィールドを生成するための第3プラズマ生成室(56z)を含み、
前記第3プラズマ・フィールドは、前記処理部分から遠隔に生成され、前記第1及び第2プラズマ生成室(56x,56y)と交差するように配置されて相互に直接連通し、
前記通路(44)は、前記第3プラズマ・フィールドの粒子の前記第3プラズマ生成室(56z)から前記処理部分(42)への移動が可能になるように構成されることを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 前記第1及び第2プラズマ生成室のそれぞれが、
前記第1及び第2プラズマ・フィールドをそれぞれ生成するべく、気相化学物質を反応させるための第1及び第2電極(52,54)と、
前記第1及び第2電極に接続された電源であって、AC、DC、RF、及びマイクロ波の電源からなる群より選択されたものである、該電源とを有することを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 更に、前記第1及び第2プラズマ生成室(56x,56y)に気相化学物質を提供するための、少なくとも1つの吸気ポート(64)を有することを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記第1及び第2プラズマ・フィールドの粒子が、前記第1及び第2プラズマ生成室から前記処理部分にドリフトされることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記第1及び第2プラズマ・フィールドの粒子が、前記第1及び第2プラズマ生成室から前記処理部分に拡散されることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 更に、前記処理部分(42)の中に処理気体を導入するための処理部分用吸気ポート(88)を有することを特徴とする請求項1に記載の装置。
- プラズマ生成方法であって、
処理部分(42)とプラズマ生成部分(40)とを含む処理室(26)を提供するステップであって、前記プラズマ生成部分(40)は、第1プラズマ生成室(56x)、第2プラズマ生成室(56y)、及び前記処理部分と前記第1及び第2プラズマ生成室(56x,56y)との間に配置された通路(44)とを含み、前記第1及び第2プラズマ生成室(56x,56y)は互いに交差するように配置されて直接連通し、前記処理部分(42)が前記第1及び第2プラズマ生成室(56x,56y)から遠隔に配置された、該ステップと、
前記第1プラズマ生成室(56x)において第1プラズマ・フィールドを生成し、前記第2プラズマ生成室(56y)において第2プラズマ・フィールドを生成するステップであって、前記第1及び第2プラズマ・フィールドが前記処理部分(42)から遠隔に配置され、前記第1プラズマ・フィールドと前記第2プラズマ・フィールドとは異なる源から生成される、該ステップと、
前記第1プラズマ・フィールドの粒子及び前記第2プラズマ・フィールドの粒子を、前記通路(44)を通して、それぞれ前記第1及び第2プラズマ生成室(56x,56y)から前記処理部分(42)に移動させるステップとを有することを特徴とする方法。 - 前記移動させるステップが、前記粒子がドリフトされるように、前記処理室(26)の中にキャリア・ガスを導入するステップを有することを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記移動させるステップが、前記粒子の拡散を可能にするステップを含んでいることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記粒子が、前記第1プラズマ・フィールド及び/または前記第2プラズマ・フィールドの生成に用いられる気相化学物質の遊離基及び/又はイオンを有することを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 更に、前記粒子と基板の面で反応させるべく、前記処理部分(42)の中に処理気体を導入するステップを有することを特徴とする請求項8に記載の方法。
- プラズマを用いた基板処理方法であって、
基板を処理する処理室(26)のプラズマ生成部分(40)の中においてプラズマを生成するステップと、
前記プラズマの粒子を、前記処理室(26)の処理部分(42)の中に配置された基板の上に移動させるステップとを有し、
前記プラズマ生成部分(40)が、前記処理部分から遠隔に位置し、互いに交差するように配置されて直接連通しあう第1プラズマ生成室(56x)と第2プラズマ生成室(56y)とを含み、前記第1及び第2プラズマ生成室(56x,56y)においてそれぞれ異なる源からプラズマ・フィールドが生成されることを特徴とする方法。 - 前記処理室(26)の前記プラズマ生成部分(40)が、第3プラズマ生成室(56z)を更に含み、前記第3プラズマ生成室が前記処理部分(42)から遠隔にあり、前記第1及び第2プラズマ生成部分室(56x,56y)と交差するように配置されて相互に直接連通することを特徴とする請求項13に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/767,513 US6633132B2 (en) | 2001-01-23 | 2001-01-23 | Plasma gereration apparatus and method |
PCT/US2002/001605 WO2002059934A2 (en) | 2001-01-23 | 2002-01-17 | Plasma generation apparatus and method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004524680A JP2004524680A (ja) | 2004-08-12 |
JP4126229B2 true JP4126229B2 (ja) | 2008-07-30 |
Family
ID=25079733
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002560166A Expired - Fee Related JP4126229B2 (ja) | 2001-01-23 | 2002-01-17 | プラズマ生成装置及び方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6633132B2 (ja) |
EP (1) | EP1354336A2 (ja) |
JP (1) | JP4126229B2 (ja) |
KR (1) | KR100849763B1 (ja) |
TW (1) | TW541859B (ja) |
WO (1) | WO2002059934A2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003021642A2 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for processing a wafer |
US20030045098A1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for processing a wafer |
KR100453578B1 (ko) * | 2002-01-04 | 2004-10-20 | 주성엔지니어링(주) | 실리콘 에피택셜층 성장공정 전의 기판 사전 세정방법 |
US7387968B2 (en) * | 2005-11-08 | 2008-06-17 | Tokyo Electron Limited | Batch photoresist dry strip and ash system and process |
US9620338B2 (en) * | 2010-03-16 | 2017-04-11 | Mizuho Information & Research Institute, Inc. | System, method, and program for predicting processing shape by plasma process |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3269040D1 (en) | 1981-04-02 | 1986-03-27 | Perkin Elmer Corp | Discharge system for plasma processing |
CA2052080C (en) | 1990-10-10 | 1997-01-14 | Jesse N. Matossian | Plasma source arrangement for ion implantation |
US5282899A (en) | 1992-06-10 | 1994-02-01 | Ruxam, Inc. | Apparatus for the production of a dissociated atomic particle flow |
US5770098A (en) * | 1993-03-19 | 1998-06-23 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Etching process |
US6253704B1 (en) * | 1995-10-13 | 2001-07-03 | Mattson Technology, Inc. | Apparatus and method for pulsed plasma processing of a semiconductor substrate |
US5683548A (en) * | 1996-02-22 | 1997-11-04 | Motorola, Inc. | Inductively coupled plasma reactor and process |
JPH10270428A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
JP3301357B2 (ja) | 1997-08-26 | 2002-07-15 | 株式会社村田製作所 | 平行平板型プラズマcvd装置 |
US6335293B1 (en) * | 1998-07-13 | 2002-01-01 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for two-sided etch of a semiconductor substrate |
US6341574B1 (en) * | 1999-11-15 | 2002-01-29 | Lam Research Corporation | Plasma processing systems |
-
2001
- 2001-01-23 US US09/767,513 patent/US6633132B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-01-17 KR KR1020037009674A patent/KR100849763B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-01-17 WO PCT/US2002/001605 patent/WO2002059934A2/en active Application Filing
- 2002-01-17 JP JP2002560166A patent/JP4126229B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-01-17 EP EP02702034A patent/EP1354336A2/en not_active Withdrawn
- 2002-01-21 TW TW091100897A patent/TW541859B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1354336A2 (en) | 2003-10-22 |
KR20040011455A (ko) | 2004-02-05 |
JP2004524680A (ja) | 2004-08-12 |
US6633132B2 (en) | 2003-10-14 |
US20020096998A1 (en) | 2002-07-25 |
KR100849763B1 (ko) | 2008-07-31 |
WO2002059934A3 (en) | 2002-11-21 |
WO2002059934A2 (en) | 2002-08-01 |
TW541859B (en) | 2003-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11725274B2 (en) | Integrated cluster tool for selective area deposition | |
TWI795589B (zh) | 處理微電子工件的方法、以及處理基板的方法 | |
US9472412B2 (en) | Procedure for etch rate consistency | |
US8889023B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
US6500300B2 (en) | Plasma reactor | |
US7282454B2 (en) | Switched uniformity control | |
US20230178419A1 (en) | Scaled liner layer for isolation structure | |
US6767698B2 (en) | High speed stripping for damaged photoresist | |
US20120164834A1 (en) | Variable-Density Plasma Processing of Semiconductor Substrates | |
US20100098882A1 (en) | Plasma source for chamber cleaning and process | |
US20030155079A1 (en) | Plasma processing system with dynamic gas distribution control | |
JP2001148378A (ja) | プラズマ処理装置、クラスターツールおよびプラズマ制御方法 | |
EP0889976A1 (en) | Showerhead for uniform distribution of process gas | |
KR102116474B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
CN110047726B (zh) | 等离子体处理装置的零部件的清洁方法 | |
KR20200090133A (ko) | 막을 에칭하는 방법 | |
US20030029833A1 (en) | High speed photoresist stripping chamber | |
JP4126229B2 (ja) | プラズマ生成装置及び方法 | |
KR20210080215A (ko) | 에칭 방법, 기판 처리 장치, 및 기판 처리 시스템 | |
KR20210097045A (ko) | 에칭 방법, 기판 처리 장치, 및 기판 처리 시스템 | |
WO2001070517A1 (en) | High speed stripping for damaged photoresist | |
KR102618464B1 (ko) | 반도체 제조장치 | |
US20240071783A1 (en) | Apparatus for treating substrate | |
JPH1112742A (ja) | Cvd装置およびそのクリーニング方法 | |
CN116364540A (zh) | 基板处理设备和基板处理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050106 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070814 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071218 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080313 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080422 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080512 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110516 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |