CN116364540A - 基板处理设备和基板处理方法 - Google Patents

基板处理设备和基板处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116364540A
CN116364540A CN202210814754.5A CN202210814754A CN116364540A CN 116364540 A CN116364540 A CN 116364540A CN 202210814754 A CN202210814754 A CN 202210814754A CN 116364540 A CN116364540 A CN 116364540A
Authority
CN
China
Prior art keywords
space
gas
plasma
substrate
supplied
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210814754.5A
Other languages
English (en)
Inventor
朱润钟
李城吉
金宰焕
朴玩哉
吉惠晙
朴志焄
严永堤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN116364540A publication Critical patent/CN116364540A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32422—Arrangement for selecting ions or species in the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

本发明提供一种基板处理方法，包括：通过使用通过激发第一气体而产生的第一等离子体来处理所述基板的第一处理操作；以及通过使用通过激发不同于所述第一气体的第二气体而产生的第二等离子体来处理所述基板的第二处理操作。

Description

基板处理设备和基板处理方法
技术领域
本发明涉及基板处理设备和基板处理方法，并且更具体地涉及用等离子体处理基板的基板处理设备和基板处理方法。
背景技术
等离子体是指由离子、自由基和电子组成的电离气态。等离子体由非常高的温度、强电场或RF电磁场生成。半导体器件制造工艺可以包括通过使用等离子体去除形成在诸如晶圆的基板上的薄膜或异物的蚀刻工艺。执行蚀刻工艺，其中等离子体的离子和/或自由基与基板上的薄膜碰撞或与薄膜反应。
通常，包括自然氧化膜的各种膜堆叠并形成在基板上。用于通过使用等离子体处理基板的各种工艺需要针对每种工艺的适当选择性。选择性根据形成在基板上的膜的蚀刻程度来确定。在形成在基板上的膜中，特定的膜可以由通过自由基(或等离子体)和处理气体彼此反应所产生的蚀刻剂蚀刻。为了通过蚀刻剂蚀刻特定膜，需要以蚀刻剂平滑地作用在特定膜上为前提。当蚀刻剂不能平滑地作用在特定膜上时，用于蚀刻形成在基板上的特定膜的蚀刻速率降低。当蚀刻目标的蚀刻速率下降时，不满足基板处理所需的选择性，从而导致工艺处理的良率下降。
发明内容
本发明致力于提供能够有效地处理基板的基板处理设备和基板处理方法。
本发明还致力于提供能够有效地调整每个工艺所需的基板的选择性的基板处理设备和基板处理方法。
本发明还致力于提供能够有效地蚀刻形成在基板上的特定膜的基板处理设备和基板处理方法。
本发明要解决的问题不限于上述问题，并且本领域技术人员通过以下描述将清楚地理解未提及的问题。
本发明的示例性实施例提供基板处理方法，包括：通过使用通过激发第一气体而产生的第一等离子体来处理所述基板的第一处理操作；以及通过使用通过激发不同于所述第一气体的第二气体而产生的第二等离子体来处理所述基板的第二处理操作。
根据示例性实施例，可以在第一处理操作之后执行第二处理操作。
根据示例性实施例，可以交替地执行第一处理操作和第二处理操作。
根据示例性实施例，被激发成第一等离子体的第一气体可以包含氢，并且被激发成第二等离子体的第二气体可以包含氟。
根据示例性实施例，第一气体可以包含氨(NH3)，并且第二气体可以包含三氟化氮(NF3)。
根据示例性实施例，在所述第一处理操作中，所述第一等离子体可以在腔室内的第一空间中产生，在所述第一等离子体从所述第一空间流向位于所述第一空间下方的第二空间的同时，所述第一等离子体中包含的离子可以被去除并且氨自由基可以被供应到所述第二空间，并且所述氨自由基可以被供应到放置所述基板的第三空间。
根据示例性实施例，在所述第一处理操作中，所述第一等离子体可以在腔室内的第一空间中产生，在所述第一等离子体从所述第一空间流向位于所述第一空间下方的第二空间的同时，所述第一等离子体中包含的离子可以被去除并且氨自由基可以被供应到所述第二空间，并且在所述第二空间中，所述氨自由基和含氢的第三气体可以反应生成第一蚀刻剂，并且所述第一蚀刻剂可以被供应到放置所述基板的第三空间。
根据示例性实施例，在所述第二处理操作中，可以在所述第一空间中产生所述第二等离子体，在所述第二等离子体从所述第一空间流向所述第二空间的同时，所述第二等离子体中包含的离子可以被阻挡并且氟自由基被供应到所述第二空间，在所述第二空间中，所述氟自由基和含氢的第三气体可以反应生成第二蚀刻剂，并且所述第二蚀刻剂可以被供应到放置所述基板的第三空间。
本发明的另一个示例性实施例提供一种在划分为第一空间、第二空间和第三空间的腔室中处理基板的基板处理方法，所述基板处理方法包括：通过在所述第一空间中供应工艺气体产生等离子体，以及通过使所述等离子体和处理气体在位于所述第一空间下方的所述第二空间中反应产生蚀刻剂，其中所述蚀刻剂在位于所述第二空间下方的所述第三空间中处理所述基板，所述工艺气体包括第一气体和不同于所述第一气体的第二气体，通过将所述第一气体供应到所述第一空间并产生第一等离子体来提高在所述基板上形成的膜的质量，并且通过将所述第二气体供应到所述第一空间并产生第二等离子体来去除在所述基板上形成的所述膜。
根据示例性实施例，第一气体和第二气体可以交替地供应到第一空间。
根据示例性实施例，第一气体可以包含氨(NH3)，并且第二气体可以包含三氟化氮(NF3)。
根据示例性实施例，所述第一空间和所述第二空间可以由接地板隔开，由供应到所述第一空间的所述第一气体产生的所述第一等离子体中包含的离子可以被所述板阻挡，使得氨自由基可以被供应到所述第二空间，并且由供应到所述第一空间的所述第二气体产生的所述第二等离子体中包含的离子可以被所述板阻挡，使得氟自由基可以被供应到所述第二空间。
根据示例性实施例，处理气体可以包括氨(NH3)。
根据示例性实施例，在将所述第一气体和/或所述第二气体供应到所述第一空间的同时，可以将所述处理气体连续地供应到所述第二空间。
根据示例性实施例，第一气体和第二气体可以同时供应到第一空间。
本发明的另一个示例性实施例提供了基板处理设备，包括：腔室，所述腔室具有内部空间；支撑单元，所述支撑单元用于将基板支撑在所述内部空间中；上电极，所述上电极被施加高频电力；离子阻挡器，所述离子阻挡器设置在所述上电极下方并接地；喷头，所述喷头设置在所述离子阻挡器下方和所述支撑单元上方，并且形成有多个通孔；工艺气体供应单元，所述工艺气体供应单元用于将包括第一气体和不同于所述第一气体的第二气体的工艺气体供应到所述上电极和所述离子阻挡器之间的空间；处理气体供应单元，所述处理气体供应单元用于向所述离子阻挡器和所述喷头之间的空间供应处理气体；以及控制器，所述控制器控制所述上电极和所述工艺气体供应单元，以通过将所述第一气体供应到所述上电极和所述离子阻挡器之间的被限定为等离子体产生空间的区域来在所述等离子体产生空间中产生第一等离子体，并且通过将第二气体供应到所述等离子体产生空间来在所述等离子体产生空间中产生第二等离子体。
根据示例性实施例，所述控制器可以控制所述工艺气体供应单元，以在经过设定时间后将所述第一气体供应到所述等离子体产生空间并且将所述第二气体供应到所述等离子体产生空间。
根据示例性实施例，所述控制器可以控制所述工艺气体供应单元，使得所述第一气体和所述第二气体交替地供应到所述等离子体产生空间。
根据示例性实施例，所述控制器可以控制所述处理气体供应单元，使得在所述第一气体或所述第二气体被供应到所述等离子体产生空间的同时，所述处理气体被连续供应到由所述离子阻挡器和所述喷头之间的区域限定的混合空间。
根据示例性实施例，第一气体可以包含氨(NH3)，并且第二气体可以包含三氟化氮(NF3)。
根据本发明的示例性实施例，可以有效地处理基板。
此外，根据本发明的示例性实施例，可以有效地调整每个工艺所需的基板的选择性。
此外，根据本发明的示例性实施例，可以有效地蚀刻形成在基板上的特定膜。
本发明的效果不限于上述效果，并且本领域技术人员从本说明书和附图中可以清楚地理解未提及的效果。
附图说明
图1是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的基板处理设备的示意图。
图2和图3是示意性地示出根据图1的另一个示例性实施例的基板处理设备的示意图。
图4是示出根据本发明的示例性实施例的基板处理方法的流程图。
图5是示意性地示出在图4的第一处理操作和第二处理操作中向第一空间和第二空间供应的气体的种类的示意图。
图6是示出通过在图4的第一处理操作中激发供应到第一空间的第一气体而产生第一等离子体的状态的示意图。
图7是示意性地示出通过在图4的第一处理操作中使供应到第二空间的第三气体与第一自由基反应而产生第一蚀刻剂的状态的示意图。
图8是示出通过在图4的第二处理操作中激发供应到第一空间的第二气体而产生第二等离子体的状态的示意图。
图9是示意性地示出通过在图4的第二处理操作中使供应到第二空间的第三气体与第二自由基反应而产生第二蚀刻剂的状态的示意图。
图10是示出根据本发明的另一个示例性实施例的基板处理方法的流程图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图更详细地描述本发明的示例性实施例。可以各种形式修改本发明的示例性实施例，并且本发明的范围不应被解释为由下面描述的示例性实施例限制。将提供本示例性实施例以向本领域技术人员更完整地解释本发明。因此，附图中的部件的形状被放大以强调更清晰的描述。
诸如第一和第二的术语用于描述各种组成元件，但是所述组成元件不受术语的限制。术语仅仅是用于将一个组成元件与另一个组成元件进行区分。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，第一组成元件可以称为第二组成元件，并且类似地，第二组成元件可以称为第一组成元件。
在下文中，将参考图1至图10详细地描述本发明的示例性实施例。
图1是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的基板处理设备的示意图。参考图1，根据本发明的示例性实施例的基板处理设备1处理基板W。基板处理设备1可以通过使用等离子体来处理基板W。例如，基板处理设备1可以执行用于通过使用等离子体去除基板W上的薄膜的蚀刻工艺、用于去除光致抗蚀剂膜的灰化工艺、用于在基板W上形成薄膜的沉积工艺、或干洗工艺。然而，本发明不限于此，并且由基板处理设备1执行的等离子体处理工艺可以进行各种修改为已知的等离子体处理工艺。作为装载到基板处理设备1中的基板W，可以装置已部分执行处理工艺的基板W。例如，装载到基板处理设备1中的基板W可以是已执行蚀刻工艺或光学工艺的基板W。
基板处理设备1可以包括控制器20、外壳100、支撑单元200、喷头300、离子阻挡器400、上电极500和气体供应单元600。
腔室10可以具有内部空间。腔室10的内部空间可以划分为第一空间A1、第二空间A2和第三空间A3。腔室10可以由涉及限定第一空间A1、第二空间A2和第三空间A3的部件共同限定。
第一空间A1和第二空间A2可以由稍后描述的离子阻挡器400分隔。第一空间A1设置在离子阻挡器400上方，并且第二空间A2设置在离子阻挡器400下方。第二空间A2和第三空间A3可以由稍后描述的喷头300分隔。第二空间A2设置在喷头300上方，并且第三空间A3设置在喷头300下方。第三空间A3、第二空间A2和第一空间A1可以从腔室10的内部空间的底部在向上方向上依次设置。
第一空间A1可以被定义为稍后将描述的上电极500和离子阻挡器400彼此结合的空间。第一空间A1可以设置为产生等离子体P的空间。因此，第一空间A1可以用作等离子体产生空间。
第二空间A2可以被定义为通过将离子阻挡器400和喷头300彼此结合形成的空间。第二空间A2被设置为在第一空间A1中产生的等离子体P中所包括的自由基R与稍后描述的第三气体G3相互反应以形成蚀刻剂E的空间。因此，第二空间A2可以用作混合空间。
第三空间A3可以被定义为通过组合稍后描述的喷头300和外壳100而形成的空间。稍后描述的支撑单元200设置在第三空间A3中。第三空间A3可以用作处理由支撑单元200支撑的基板W的处理空间。在第三空间A3中，基板W可以由自由基R和/或蚀刻剂E处理。
控制器20可以控制基板处理设备1。控制器20可以包括由执行控制基板处理设备1的微处理器(计算机)形成的过程控制器、由操作者执行命令输入操作等以管理基板处理设备1的键盘形成的用户界面、用于可视化和显示基板处理设备1的操作状况等的显示器，以及存储用于在过程控制器的控制下执行在基板处理设备1中执行的过程的控制程序或用于根据各种数据和处理条件在每个部件中执行过程的程序(即处理方案)的存储单元。此外，用户界面和存储单元可以连接到过程控制器。处理方案可以存储在存储单元中的存储介质中，并且存储介质可以是硬盘，并且也可以是便携式盘，诸如CD-ROM或DVD，或者半导体存储器，诸如闪存。
控制器20可以控制基板处理设备1以便执行下面描述的基板处理方法。例如，控制器20可以控制设置在基板处理设备1中的部件以便执行下面描述的基板处理方法。
外壳100可以限定第三空间A3。例如，外壳100可以与稍后描述的喷头300结合而限定第三空间A3。稍后描述的支撑单元200设置在由外壳100限定的第三空间A3中。外壳100可以以大致圆柱形形状设置。例如，外壳100可以具有带有开口顶部的圆柱形形状。
外壳100的内壁可以涂覆有能够防止等离子体P蚀刻的材料。例如，外壳100的内壁可以涂覆有介电膜，诸如陶瓷。外壳110可以接地。可以在外壳100中形成开口(未示出)，通过所述开口从第三空间A3装载基板W或者将基板W装载到第三空间A3中。开口(未示出)可以由门(未示出)选择性地打开/关闭。
排气孔110形成在外壳100的底表面中。排气孔110可以连接到排气单元120。排气单元120排放在第三空间A3中流动的颗粒、工艺副产物等。排气单元120可以调节第三空间A3的压力。排气单元120可以包括排气管线122和减压构件124。排气管线122的一端可以连接到排气孔110，并且排气管线122的另一端可以连接到减压构件124。减压构件123可以是泵。然而，本发明不限于此，并且减压构件124可以进行各种修改并且设置有用于向第三空间A3提供负压的已知装置。
支撑单元200位于第三空间A3内。支撑单元200支撑第三空间A3中的基板W。支撑单元200可以是能够使用静电力夹持基板W的ESC。支撑单元200可以加热支撑的基板W。
支撑单元200可以包括主体210、静电电极220和加热器230。主体210支撑基板W。主体210具有用于将基板W支撑在上表面上的支撑表面。基板W位于主体210的上表面上。主体210可以设置有电介质。主体210可以被设置为盘形介电板。例如，主体210可以由陶瓷材料制成。稍后将描述的静电电极220和加热器230可以嵌入主体210中。
静电电极220可以设置在从顶部观察时与基板W重叠的位置处。静电电极220可以设置在加热器230上方。静电电极220电连接到第一电源220a。第一电源220a可以包括DC电源。第一开关220b安装在静电电极220与第一电源220a之间。通过接通/断开第一开关220b，静电电极220可以电连接到第一电源220a。例如，当第一开关220b接通时，直流电被施加到静电电极220。当向静电电极220施加电流时，可以在静电电极220中形成由能够夹持基板W的静电力产生的电场。电场可以将在朝向主体210的方向上夹持基板W的吸引力传递到基板W。因此，基板W被吸附到主体210。
加热器230加热基板W。加热器230可以加热支撑在主体210的上表面上的基板W。加热器230通过增加主体210的温度来加热基板W。加热器230电连接到第二电源230a。第二开关230b安装在加热器230和第二电源230a之间。通过接通/断开第二开关230b，加热器230可以电连接到第二电源230a。加热器230通过抵抗从第二电源230a施加的电流来产生热量。
产生的热量通过主体210传递到基板W。基板W可以通过由加热器230产生的热量保持在工艺所需的温度。另外，加热器230增加主体210的温度以防止在处理基板W时从基板W分离的杂质(例如，氧化膜)重新粘附到基板W上。加热器230可以是加热元件，诸如钨。然而，加热器230的类型不限于此，并且加热器可以进行各种修改并设置有已知的加热元件。
尽管未示出，但是根据示例性实施例，可以将多个加热器230设置为螺旋线圈。加热器230可以分别设置在主体210的不同区域中。例如，可以设置用于加热主体210的中心区域的加热器230和用于加热主体210的边缘区域的加热器230，并且加热器230可以彼此独立地调节加热程度。
在上述示例中，作为示例，已经描述了加热器230设置在主体210中，但是本发明不限于此。例如，加热器230可以不设置在主体210中。
喷头300可以设置在外壳100上。喷头300可以设置在稍后描述的离子阻挡器400和第三空间A3之间。通过组合喷头300和外壳100形成的空间可以被定义为第三空间A3。另外，通过组合稍后描述的喷头300和离子阻挡器400而形成的空间可以被定义为第二空间A2。
当从顶部观察时，喷头300可以形成为大致圆形形状。例如，喷头300可以设置成盘形状。根据示例性实施例，喷头300可以由不锈钢材料制成。
通孔302可以形成在喷头300中。可以设置多个通孔302。多个通孔302可以形成为从喷头300的上表面延伸到下表面。即，多个通孔302可以穿过喷头300形成。多个通孔302可以用作用于第二空间A2和第三空间A3之间的流体连通的通道。例如，多个通孔302可以允许在上部第二空间A2中流动的流体流入下部第三空间A3。
下部进气口310可以形成在喷头300中。可以设置至少一个下部进气口310。下部进气口310可以连接到稍后描述的处理气体管线642。下部进气口310可以与第二空间A2连通。下部进气口310可以将稍后描述的第三气体G3朝向第二空间A2供应。下部进气口310可以与第二空间A2连通，但是可以被配置成不与第三空间A3连通。下部进气口310可以设置在多个通孔302之间。即，下部进气口310可以形成在不与多个通孔302重叠的位置处。
加热构件HE可以设置在喷头300上方。当从顶部观察时，加热构件HE可以是具有环形形状的加热器。加热构件HE可以增加第二空间A2的温度。加热构件HE产生热量以增加第二空间A2的温度，从而提高去除了离子的等离子体P和第三气体G3的混合效率。
离子阻挡器400可以设置在喷头300上方。另外，离子阻挡器400可以设置在加热构件HE上方。离子阻挡器400可以设置在喷头300和稍后描述的上电极500之间。离子阻挡器400可以划分为上部第一空间A1和下部第二空间A2。例如，可以将通过组合离子阻挡层400、上电极500和稍后描述的绝缘构件DR形成的空间定义为第一空间A1。另外，可以将通过组合离子阻挡器400、喷头300和加热构件HE形成的空间定义为第二空间A2。
离子阻挡器400可以接地。离子阻挡器400可以用作与稍后描述的上电极500相对的电极。因此，离子阻挡器400可以用作与上电极500一起在第一空间A1中产生等离子体P的等离子体源。
在离子阻挡器400中可以形成孔402。孔402可以穿过离子阻挡器400的上端和下端。在第一空间A1中产生的等离子体P可以通过孔402从第一空间A1流到第二空间A2。离子阻挡器400可以吸收离子(或电子)以及包含在穿过孔402的等离子体P中的自由基R中的离子和电子。因此，在包含在等离子体P中的成分中，只有自由基R可以穿过离子阻挡器400。离子阻挡器400可以起到阻断离子通过的作用。
上电极500可以具有板形。上电极500可以位于腔室10的内部空间上方。上电极500可以设置在离子阻挡器400上方。上电极500可以设置成面对离子阻挡器400。由绝缘材料制成的绝缘构件DR可以设置在上电极500和离子阻挡器400之间。当从顶部观察时，绝缘构件DR可以具有环形形状。绝缘构件DR可以使离子阻挡器400和上电极500彼此电绝缘。
可以向上电极500提供电源模块510。电源模块510可以向上电极500供电。电源模块510可以包括上电源512和上电源开关514。上电源512可以作为RF电源提供。上电源512可以将高频电流施加到上电极500。阻抗匹配器(未示出)可以设置在上电极500和上电源512之间。根据上电源开关514的开/关，将高频电流施加到上电极500。当高频电流施加到上电极500时，电场形成在用作相对电极的离子阻挡器400和上电极500之间。因此，可以通过激发供应到第一空间A1的工艺气体(例如，第一气体G1和/或第二气体G2)来产生等离子体。
可以在上电极500中形成上部进气口520。可以设置至少一个上部进气口520。上部进气口520可以连接到稍后描述的第一气体管线622。上部进气口520可以朝向第一空间A1供应工艺气体。
气体供应单元600向腔室10的内部空间供应气体。例如，气体供应单元600可以将工艺气体供应到第一空间A1并且将处理气体供应到第二空间A2。气体供应单元600可以包括工艺气体供应单元620和处理气体供应单元640。
工艺气体供应单元620将工艺气体供应到第一空间A1。供应到第一空间A1的工艺气体可以包括第一气体G1和/或第二气体G2。供应到第一空间A1的第一气体G1和第二气体G2可以交替供应。可选地，可以先将第一气体G1供应到第一空间A1，并且然后可以将第二气体G2供应到第一空间A1。此外，第一气体G1和第二气体G2可以同时供应到第一空间A1。对此的详细机制将在下面描述。
工艺气体供应单元620可以包括第一气体供应源621和第二气体供应源625。第一气体供应源621将第一气体G1供应到第一空间A1。第一气体供应源621可以将第一气体G1供应到第一空间A1，所述第一空间A1是上电极500和离子阻挡器400之间的空间。第一气体供应源621可以包括第一气体管线622和第一气体供应源624。
第一气体管线622将第一气体供应源624和上部进气口520彼此连接。第一气体管线622的一端可以连接到多个上部进气口520中的每一个，并且第一气体管线622的另一端可以连接到第一气体供应源624。
第一气体供应源624通过第一气体管线622将第一气体G1供应到第一空间A1。第一气体G1可以包括氢基元素。例如，第一气体G1可以是氨(NH3)气体。可选地，第一气体G1还可以包括惰性气体，诸如H2或He。包含在第一气体G1中的惰性气体可以用作载气。供应到第一空间A1的第一气体G1可以被激发成第一等离子体P1。
第二气体供应源625将第二气体G2供应到第一空间A1。第二气体供应源625可以将第二气体G2供应到第一空间A1，所述第一空间A1是在上电极500和离子阻挡器400之间的空间。第二气体供应源625可以包括第二气体管线626和第二气体供应源628。
第二气体管线626将第二气体供应源628和上部进气口520彼此连接。第二气体管线626的一端可以连接到多个上部进气口520中的每一个，并且第二气体管线626的另一端可以连接到第二气体供应源628。
第二气体供应源628通过第二气体管线626将第二气体G2供应到第一空间A1。第二气体G2可以包括氢基元素。例如，第二气体G2可以包括氟基元素。例如，第二气体G2可以是三氟化氮(NF3)或氟(F2)气体。可选地，第二气体G2还可以包括Ar、H2和He中的任一种或多种。供应到第一空间A1的第二气体G2可以被上电极500和离子阻挡器400激发以产生第二等离子体P2。
处理气体供应单元640可以将第三气体G3供应到第二空间A2。供应到第二空间A2的第三气体G3可以是与自由基反应的处理气体。处理气体供应单元640可以将第三气体G3供应到第二空间A2，所述第二空间A2是在离子阻挡器400和喷头300之间的空间。处理气体供应单元640可以包括处理气体管线642和处理气体供应源644。
处理气体管线642将处理气体供应源644和下部进气口310彼此连接。处理气体管线642的一端可以连接到多个下部进气口310中的每一个，并且处理气体管线642的另一端可以连接到处理气体供应源644。
处理气体供应源644通过处理气体管线642将作为处理气体的第三气体G3供应到第二空间A2。第三气体G3可以包括氢基元素。例如，第三气体G3可以是氨气(NH3)。可选地，第三气体G3还可以包括惰性气体，诸如H2或He。包含在第三气体G3中的惰性气体可以用作载气。供应到第二空间A2的第三气体G3可以与自由基R反应以产生蚀刻剂E。
图2和图3是示意性地示出根据图1的另一个示例性实施例的基板处理设备的示意图。根据以下描述的示例性实施例的基板处理设备以与根据参考图1描述的示例性实施例的基板处理设备基本上相似的构型提供。因此，将省略对重叠部件的描述以防止内容重复。
参考图2，通孔302可以形成在喷头300中。可以设置多个通孔302。多个通孔302可以形成为从喷头300的上表面延伸到下表面。即，多个通孔302可以穿过喷头300形成。多个通孔302可以将流体从上部第二空间A2连通到下部第三空间A3。
孔402和中心进气口410可以形成在离子阻挡器400中。孔402可以穿过离子阻挡器400的上端和下端。可以设置至少一个中心进气口410。可以设置多个中心进气口410。多个中心进气口410中的每一个可以连接到处理气体管线642。中心进气口410可以朝向第二空间A2供应第三气体G3。中心进气口410可以与第二空间A2连通，但是可以被配置成不与上部第一空间A1连通。
参考图3，通孔302可以形成在喷头300中。可以设置多个通孔302。多个通孔302可以形成为从喷头300的上表面延伸到下表面。即，多个通孔302可以穿过喷头300形成。多个通孔302可以将流体从上部第二空间A2连通到下部第三空间A3。
下部进气口310可以形成在喷头300中。可以设置至少一个下部进气口310。可以设置多个下部进气口310。多个下部进气口310中的每一个可以连接到稍后描述的第一分支管线646。下部进气口310可以朝向第二空间A2供应第三气体G3。
下部进气口310可以与第二空间A2连通，但是可以被配置成不与第三空间A3连通。下部进气口310可以设置在多个通孔302之间。即，下部进气口310可以形成在不与多个通孔302重叠的位置处。
孔402和中心进气口410可以形成在离子阻挡器400中。孔402可以穿过离子阻挡器400的上端和下端。可以设置至少一个中心进气口410。可以设置多个中心进气口410。多个中心进气口410中的每一个可以连接到稍后描述的第二分支管线647。中心进气口410可以朝向第二空间A2供应第三气体G3。中心进气口410可以与第二空间A2连通，但是可以被配置成不与上部第一空间A1连通。
处理气体供应单元640可以包括处理气体管线642和处理气体供应源644。处理气体管线642可以包括主管线645、第一分支管线646和第二分支管线647。主管线645的一端连接到用于供应第三气体G3的处理气体供应源644。主管线645的另一端可以分支成第一分支管线646和第二分支管线647。第一分支管线646可以连接到下部进气口310。通过主管线645和第一分支管线646供应到下部进气口310的第三气体G3可以供应到第二空间A2。第二分支管线647可以连接到中心进气口410。通过主管线645和第二分支管线647供应到中心进气口410的第三气体G3可以供应到第二空间A2。
与上述示例性实施例不同，下部进气口310可以仅形成在喷头300的边缘区域中。此外，中心进气口410可以仅形成在离子阻挡器400的中心区域中。
在下文中，将详细描述根据本发明的示例性实施例的基板处理方法。可以在根据示例性实施例的基板处理设备1中执行下述基板处理方法。此外，控制器20可以控制基板处理设备1的配置，使得基板处理设备1能够执行下述基板处理方法。将基于通过使用例如参考图1描述的基板处理设备1来执行基板处理方法的情况来描述根据以下描述的示例性实施例的基板处理方法。然而，本发明不限于此，并且根据本发明的示例性实施例的基板处理方法可以通过使用图2和图3的基板处理设备1来执行。
图4是示出根据本发明的示例性实施例的基板处理方法的流程图。参考图4，根据本发明的示例性实施例的基板处理方法可以包括准备操作S10、处理操作S20和排气步骤S30。
准备操作S10可以是将腔室10的内部空间的气氛准备成适合处理基板W的环境的操作。例如，在准备操作S10中，在使用传送机器人(未示出)将基板W装载到腔室10的内部空间中之后，可以使腔室10的内部空间中的压力稳定。在准备操作S10中，可以使用排气单元120形成腔室10的适合处理基板W的内部空间气氛。例如，排气单元120可以部分地排出腔室10的内部空间的气氛以将腔室10的内部空间的压力保持在设定压力下。
可选地，在准备操作S10中，第一气体供应源621和第二气体供应源625可以将惰性气体(诸如H2或He)供应到第一空间A1。此外，在准备操作S10中，处理气体供应单元640可以将惰性气体(诸如H2或He)供应到第二空间A2。此外，在准备操作S10中，包括在基板处理设备1中的配置可以由控制器20检查。
在上述示例中，例如描述了在基板W装载到腔室10的内部空间中后执行准备操作S10的情况，但本发明不限于此。例如，可以在基板W未装载到腔室10的内部空间中的状态下执行准备操作S10。在完成准备操作S10之后，可以将基板W装载到腔室10的内部空间中。
图5是示意性地示出在图4的第一处理操作和第二处理操作中向第一空间和第二空间供应的气体的种类的示意图。图6是示出通过在图4的第一处理操作中激发供应到第一空间的第一气体而产生第一等离子体的状态的示意图。图7是示意性地示出通过在图4的第一处理操作中使供应到第二空间的第三气体与第一自由基反应而产生第一蚀刻剂的状态的示意图。图8是示出通过在图4的第二处理操作中激发供应到第一空间的第二气体而产生第二等离子体的状态的示意图。图9是示意性地示出通过在图4的第二处理操作中使供应到第二空间的第三气体与第二自由基反应而产生第二蚀刻剂的状态的示意图。
在下文中，将参考图5至图9详细地描述根据本发明的示例性实施例的处理操作S20。在处理操作S20中，可以通过将蚀刻剂E供应到基板W上来处理基板W。处理操作S20可以包括第一处理操作S22和第二处理操作S24。
在第一处理操作S22中，可以通过在基板W上供应第一蚀刻剂E1来处理基板W。例如，在第一处理操作S22中，可以将第一蚀刻剂E1供应到基板W上以改进形成在基板W上的膜的改性。
如图5和图6所示，在第一处理操作S22中，第一气体供应源621可以将第一气体G1供应到第一空间A1。例如，在第一处理操作S22中供应到第一空间A1的第一气体G1可以是包括氨(NH3)的气体。供应到第一空间A1的氨气(NH3)被施加了高频电力的上电极500和接地的离子阻挡器400激发成第一等离子体P1。即，随着第一气体G1转变为第一等离子体P1状态，第一气体分解为离子、电子和自由基。例如，随着氨气(NH3)转变为第一等离子体P1状态，可以在第一空间A1中产生第一自由基R1。例如，在第一空间A1中产生的第一自由基R1可以是氨自由基NH3*。
在第一空间A1中产生的第一等离子体P1通过形成在接地离子阻挡器400中的孔402流入第二空间A2。在第一等离子体P1通过孔402的过程中，第一等离子体P1的成分中的离子和电子被吸收。随着第一等离子体P1穿过离子阻挡器400，可以仅将离子中的自由基、电子和包括在第一等离子体P1中的自由基供应到第二空间A2。因此，如图7所示，可以仅将氨自由基(NH3*)供应到第二空间A2。
此外，在第一处理操作S22中，处理气体供应单元640可以将第三气体G3供应到第二空间A2。例如，在第一处理操作S22中供应到第二空间A2的第三气体G3可以是包括氨(NH3)的气体。
供应到第二空间A2的氨自由基(NH3*)的一些成分可以与供应到第二空间A2的第三气体G3反应。例如，供应到第二空间A2的氨气(NH3)与流过第二空间A2的氨自由基(NH3*)反应以产生第一蚀刻剂E1。在第二空间A2中产生的第一蚀刻剂E1从第二空间A2流向第三空间A3。另外，供应到第二空间A2的氨自由基(NH3*)的其他成分从第二空间A2流向第三空间A3。
供应到第三空间A3的氨自由基(NH3*)和/或第一蚀刻剂E1可以作用在位于第三空间A3中的基板W上。氨自由基(NH3*)和/或第一蚀刻剂E1可以附着到形成在基板W上的膜上。例如，氨自由基(NH3*)可以容易地附着到基板W的表面上。附着到基板W的表面上的氨自由基(NH3*)可以吸引稍后描述的第二蚀刻剂E2。例如，附着到基板W的表面上的氨自由基(NH3*)可以在氧化膜(例如SiO2)形成在基板W的表面上的位置处吸引第二蚀刻剂E2。被第一蚀刻剂E1吸引的第二蚀刻剂E2可以蚀刻氧化膜。因此，第一处理操作S22有助于使得第二蚀刻剂E2可以容易地与形成在基板W上的氧化膜反应。因此，第一处理操作S22有助于提高基板W的表面膜质量以调整形成在基板W上的膜的蚀刻程度。即，在第一处理操作S22中，可以调整在用于处理基板W的各种工艺中所需的选择性。
在第二处理操作S24中，可以通过将第二蚀刻剂E2供应到基板W上来处理基板W。例如，在第二处理操作S24中，可以通过将第二蚀刻剂E2供应到基板W上来蚀刻形成在基板W上的膜。可以在完成第一处理操作S22之后执行第二处理操作S24。
如图5和图8所示，在第二处理操作S24中，第二气体供应源625可以将第二气体G2供应到第一空间A1。例如，在第二处理操作S24中供应到第一空间A1的第二气体G2可以是包含三氟化氮(NF3)的气体。供应到第一空间A1的三氟化氮气体NF3被施加了高频电力的上电极500和接地的离子阻挡器400激发成第二等离子体P2。即，随着第二气体G2转变为第二等离子体P2状态，第二气体G2分解为离子、电子和自由基。例如，随着三氟化氮气体(NF3)转变为第二等离子体P2状态，可以在第一空间A1中产生第二自由基R2。例如，在第一空间A1中产生的第二自由基R2可以是氟自由基(F*)。
在第一空间A1中产生的第二等离子体P2通过形成在接地离子阻挡器400中的孔402流入第二空间A2。在第二等离子体P2通过孔402的过程中，第二等离子体P2的成分中的离子和电子被吸收。随着第二等离子体P2穿过离子阻挡器400，可以仅将离子中的自由基、电子和包括在第二等离子体P2中的自由基供应到第二空间A2。因此，如图9所示，可以仅将氟自由基(F*)供应到第二空间A2。
此外，在第二处理操作S24中，处理气体供应单元640可以将第三气体G3供应到第二空间A2。例如，在第二处理操作S24中供应到第二空间A2的第三气体G3可以是包括氨(NH3)的气体。
供应到第二空间A2的氟自由基(F*)的一些成分可以与供应到第二空间A2的第三气体G3反应。例如，供应到第二空间A2的氨气(NH3)与流过第二空间A2的氟自由基(F*)反应以产生第二蚀刻剂E2。第二蚀刻剂E2可以是氟化铵(NH4F)。可选地，第二蚀刻剂E2可以是氟化氢铵(NH4F.HF)。在第二空间A2中产生的第二蚀刻剂E2从第二空间A2流向第三空间A3。另外，供应到第二空间A2的氟自由基(F*)的其他成分从第二空间A2流向第三空间A3。
供应到第三空间A3的氟自由基(F*)和/或第二蚀刻剂E2可以作用在位于第三空间A3中的基板W上。例如，供应到第三空间A3的第二蚀刻剂E2(例如，NH4F)可以与形成在基板W上的氧化硅膜(例如，SiO2)反应以产生(NH4)2SiF6的反应物。产生的反应物可以从基板W上去除。因此，供应到第三空间A3的第二蚀刻剂E2可以作用在形成在基板W上的特定膜上以从基板W上去除特定膜。
返回参考图4，在排气操作S30中，可以将腔室10内的气氛排出。例如，在排气操作S30中，可以通过使用排气单元120将腔室10的内部空间的气氛排放到腔室10的外部。另外，在排气操作S30中，可以将在处理操作S20期间在第三空间A3中产生的工艺副产物(例如，(NH4)2SiF6)排放到腔室10的外部。
根据本发明的上述示例性实施例，在第二蚀刻剂E2作用于基板W并且在第二处理操作S24中蚀刻形成在基板W上的特定膜(例如，氧化膜)之前，提高了基板W的表面膜质量，使得第二蚀刻剂E2可以有效地作用于在第一处理操作S22中形成在基板上的特定膜。具体地，在第一处理操作S22中附着到基板W的表面的氨自由基(NH3*)可以吸引在第二处理操作S24中产生的第二蚀刻剂E2。由在第一处理操作S22中产生的氨自由基(NH3*)吸引的第二蚀刻剂E2可以与基板W上的氧化膜反应以容易地去除形成在基板W上的氧化膜。
因此，根据本发明的示例性实施例，在去除形成在基板W上的特定膜(例如，氧化膜)之前，提高了基板W的表面膜质量，从而更容易去除形成在基板W上的特定膜(例如，氧化膜)。因此，可以有效地调整用于处理基板W的各种工艺中所需的选择性。
在上述示例中，例如描述了在第一处理操作S22完成之后执行第二处理操作S24。然而，本发明不限于此，并且第一处理操作S22和第二处理操作S24可以同时执行。例如，将第一气体G1和第二气体G2同时供应到第一空间A1以在第一空间A1中同时产生第一等离子体P1和第二等离子体P2。
图10是示出根据本发明的另一个示例性实施例的基板处理方法的流程图。参考图10，在根据本发明的示例性实施例的基板处理方法中，第一处理操作S22和第二处理操作S24被按顺序执行，并且第一处理操作S22和第二处理操作S24可以彼此交替地重复执行。根据一个示例，在完成准备操作S10之后，第一处理操作S22和第二处理操作S24可以按顺序执行，并且然后可以重复执行第一处理操作S22和第二处理操作S24。本发明中所述的第一处理操作S22和第二处理操作S24的重复次数可以执行多次。根据本发明的示例性实施例，可以通过重复且交替地执行第一处理操作S22和第二处理操作S24来更有效地去除形成在基板W上的特定膜(例如，氧化膜(SiO2))。
前述详细描述示出了本发明。此外，以上内容示出并描述了本发明的示例性实施例，并且本发明可在各种其他组合、修改和环境中使用。也就是说，在本说明书所公开的发明构思的范围、与本公开等同的范围和/或本领域技术人员或知识的范围内，可以对前述内容进行修改或修正。前述示例性实施例描述了用于实现本发明的技术精神的最佳状态，并且本发明的特定应用领域和用途所需要的各种变化都是可能的。因此，以上本发明的详细描述不意图将本发明限于所公开的示例性实施例。此外，所附权利要求应被解释为也包括其他示例性实施例。

Claims (20)

1.一种基板处理方法，包括：
通过使用由激发第一气体产生的第一等离子体来处理所述基板的第一处理操作；以及
通过使用由激发不同于所述第一气体的第二气体产生的第二等离子体来处理所述基板的第二处理操作。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中在所述第一处理操作之后执行所述第二处理操作。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中所述第一处理操作和所述第二处理操作交替地执行。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其中被激发成所述第一等离子体的所述第一气体包含氢，并且
被激发成所述第二等离子体的所述第二气体包含氟。
5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中所述第一气体包含氨(NH3)，并且
所述第二气体包含三氟化氮(NF3)。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中在所述第一处理操作中，在腔室内的第一空间中产生所述第一等离子体，
在所述第一等离子体从所述第一空间流向位于所述第一空间下方的第二空间的同时，所述第一等离子体中包含的离子被去除并且氨自由基被供应到所述第二空间，并且
所述氨自由基被供应到放置所述基板的第三空间。
7.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中在所述第一处理操作中，在腔室内的第一空间中产生所述第一等离子体，
在所述第一等离子体从所述第一空间流向位于所述第一空间下方的第二空间的同时，所述第一等离子体中包含的离子被去除并且氨自由基被供应到所述第二空间，并且
在所述第二空间中，所述氨自由基和含氢的第三气体反应生成第一蚀刻剂，并且
所述第一蚀刻剂被供应到放置所述基板的第三空间。
8.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中在所述第二处理操作中，在所述第一空间中产生所述第二等离子体，
在所述第二等离子体从所述第一空间流向所述第二空间的同时，所述第二等离子体中包含的离子被阻挡并且氟自由基被供应到所述第二空间，
在所述第二空间中，所述氟自由基和含氢的第三气体反应生成第二蚀刻剂，并且
所述第二蚀刻剂被供应到放置所述基板的第三空间。
9.一种在划分为第一空间、第二空间和第三空间的腔室中处理基板的基板处理方法，所述基板处理方法包括：
通过在所述第一空间中供应工艺气体产生等离子体，以及
通过使所述等离子体和处理气体在位于所述第一空间下方的所述第二空间中反应产生蚀刻剂，
其中所述蚀刻剂在位于所述第二空间下方的所述第三空间中处理所述基板，
所述工艺气体包括第一气体和不同于所述第一气体的第二气体，
通过将所述第一气体供应到所述第一空间并产生第一等离子体来提高在所述基板上形成的膜的质量，并且
通过将所述第二气体供应到所述第一空间并产生第二等离子体来去除在所述基板上形成的所述膜。
10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中将所述第一气体和所述第二气体交替地供应到所述第一空间。
11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中所述第一气体包含氨(NH3)，并且
所述第二气体包含三氟化氮(NF3)。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中所述第一空间和所述第二空间由接地板隔开，
由供应到所述第一空间的所述第一气体产生的所述第一等离子体中包含的离子被所述板阻挡，使得氨自由基被供应到所述第二空间，并且
由供应到所述第一空间的所述第二气体产生的所述第二等离子体中包含的离子被所述板阻挡，使得氟自由基被供应到所述第二空间。
13.根据权利要求9至12中任一项所述的基板处理方法，其中所述处理气体包括氨(NH3)。
14.根据权利要求13所述的基板处理方法，其中在将所述第一气体和/或所述第二气体供应到所述第一空间的同时，将所述处理气体连续地供应到所述第二空间。
15.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中将所述第一气体和所述第二气体同时地供应到所述第一空间。
16.一种基板处理设备，包括：
腔室，所述腔室具有内部空间；
支撑单元，所述支撑单元用于将基板支撑在所述内部空间中；
上电极，所述上电极被施加高频电力到；
离子阻挡器，所述离子阻挡器设置在所述上电极下方并接地；
喷头，所述喷头设置在所述离子阻挡器下方和所述支撑单元上方，并且形成有多个通孔；
工艺气体供应单元，所述工艺气体供应单元用于将包括第一气体和不同于所述第一气体的第二气体的工艺气体供应到所述上电极和所述离子阻挡器之间的空间；
处理气体供应单元，所述处理气体供应单元用于将处理气体供应到所述离子阻挡器和所述喷头之间的空间；以及
控制器，
其中所述控制器控制所述上电极和所述工艺气体供应单元，以通过将所述第一气体供应到所述上电极和所述离子阻挡器之间的被限定为等离子体产生空间的区域来在所述等离子体产生空间中产生第一等离子体，并且通过将第二气体供应到所述等离子体产生空间来在所述等离子体产生空间中产生第二等离子体。
17.根据权利要求16所述的基板处理设备，其中所述控制器控制所述工艺气体供应单元，以在经过设定时间后将所述第一气体供应到所述等离子体产生空间并且将所述第二气体供应到所述等离子体产生空间。
18.根据权利要求17所述的基板处理设备，其中所述控制器控制所述工艺气体供应单元，使得所述第一气体和所述第二气体交替地供应到所述等离子体产生空间。
19.根据权利要求18所述的基板处理设备，其中所述控制器控制所述处理气体供应单元，使得在所述第一气体或所述第二气体被供应到所述等离子体产生空间的同时，所述处理气体被连续供应到由所述离子阻挡器和所述喷头之间的区域限定的混合空间。
20.根据权利要求16至19中任一项所述的基板处理设备，其中所述第一气体和所述处理气体包含氨(NH3)，并且
所述第二气体包含三氟化氮(NF3)。
CN202210814754.5A 2021-12-28 2022-07-11 基板处理设备和基板处理方法 Pending CN116364540A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2021-0189911 2021-12-28
KR1020210189911A KR20230100215A (ko) 2021-12-28 2021-12-28 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116364540A true CN116364540A (zh) 2023-06-30

Family

ID=86897153

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210814754.5A Pending CN116364540A (zh) 2021-12-28 2022-07-11 基板处理设备和基板处理方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230207275A1 (zh)
JP (1) JP2023098595A (zh)
KR (1) KR20230100215A (zh)
CN (1) CN116364540A (zh)

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101297926B1 (ko) * 2009-03-26 2013-08-19 가부시키가이샤 알박 진공 처리 방법 및 진공 처리 장치
US10204795B2 (en) * 2016-02-04 2019-02-12 Applied Materials, Inc. Flow distribution plate for surface fluorine reduction
US10319613B2 (en) * 2016-12-13 2019-06-11 Tokyo Electron Limited Method of selectively etching first region made of silicon nitride against second region made of silicon oxide
JP6836953B2 (ja) * 2016-12-13 2021-03-03 東京エレクトロン株式会社 窒化シリコンから形成された第１領域を酸化シリコンから形成された第２領域に対して選択的にエッチングする方法
WO2020023853A1 (en) * 2018-07-27 2020-01-30 Applied Materials, Inc. Remote capacitively coupled plasma source with improved ion blocker
KR20220097202A (ko) * 2020-12-31 2022-07-07 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20220158930A (ko) * 2021-05-25 2022-12-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230014339A (ko) * 2021-07-21 2023-01-30 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20230015004A (ko) * 2021-07-22 2023-01-31 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023098595A (ja) 2023-07-10
US20230207275A1 (en) 2023-06-29
KR20230100215A (ko) 2023-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102626802B1 (ko) 에칭 방법
US11664236B2 (en) Method of etching film and plasma processing apparatus
TWI779753B (zh) 電漿處理裝置及被處理體處理方法
US20150214066A1 (en) Method for material removal in dry etch reactor
JP7174634B2 (ja) 膜をエッチングする方法
US20210151301A1 (en) Method for etching film and plasma processing apparatus
KR20190106785A (ko) 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
JP6811202B2 (ja) エッチングする方法及びプラズマ処理装置
EP2879167B1 (en) Plasma processing method and plasma processing device
US20230022720A1 (en) Apparatus for treating substrate
US11721522B2 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
US20230148026A1 (en) Substrate treating method and substrate treating apparatus
JP2019046853A (ja) エッチング方法およびエッチング装置
JP7308110B2 (ja) シリコン酸化膜をエッチングする方法及びプラズマ処理装置
CN116364540A (zh) 基板处理设备和基板处理方法
TW202236370A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP7190988B2 (ja) エッチング方法及び基板処理装置
US20230207248A1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
US20230130652A1 (en) Substrate treating method and chamber cleaning method
US20230073489A1 (en) Method and apparatus for treating substrate
KR20230103860A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7229750B2 (ja) プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
KR20230103852A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20230103419A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN112786442A (zh) 等离子体处理方法及等离子体处理装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination