JP2004524680A - プラズマ生成装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
本発明は、半導体処理に関し、特に、遠隔に生成されたプラズマを用いて半導体基板を処理するための装置及び方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体基板を処理するための種々のシステム及び方法が公知である。例えば、いくつかの処理には、半導体基板上に薄膜及び/又は誘電体層を成膜するステップが含まれている。通常の成膜技術では、CVD処理(以下、「プラズマCVD」若しくは「PECVD」と呼ぶ)の際に、薄膜層を形成するために、処理室内に生成されたプラズマが用いられている。
【0003】
図1は、半導体基板を処理するのに用いられている従来の自己バイアス式のプラズマCVDデバイス100の基本的構成要素の単純化された模式図が図示されている。プラズマCVDデバイス100は、底部の電極102と上部の電極104との間にグロー放電領域を生成するように、高周波(RF)ジェネレータ(13.56MHz)を用いている。このRFジェネレータは、底部電極102の上に配置された基板106上に膜を成膜させるように、ガス状混合物内での反応を活性化させる。底部電極102及び上部電極104は、反応室(図示せず)内で互いに対向して配置されている。底部電極102は、外部DC電源108に接続されている。上部電極104は、高周波ジェネレータ110に接続されている。溝付メッシュ電極112が底部電極102と上部電極104との間に配置され、DCバイアス電流がメッシュ電極112と底部電極102との間に適用される。このデバイスでは、基板上に入射されるイオン及び遊離基が、基板106を支持している底部電極102を接地させずに、直流を適用することによって制御される。
【0004】
残念ながら、膜が成膜される基板106の表面がプラズマ生成領域付近に配置されているため、プラズマ放電によって生成された高エネルギー粒子が基板面を頻繁に衝撃してしまう。これによって、薄膜が劣化し、過剰なエネルギーを有する粒子の衝撃によって損傷される、若しくは異常な成膜がなされてしまう。
【発明の開示】
【発明の効果】
【0005】
本発明によって、処理室の遠隔部分の内部に形成されたプラズマ放電の構成要素及び粒子を用いて半導体基板を処理するための装置及び関連する方法が提供される。本発明によって、プラズマ放電により生成され、基板面を衝撃し得る高エネルギー粒子の量が減少される。本発明は、処理部分及びプラズマ生成部分を備えた処理室を含んでいる。処理部分内に配置された基板から離れて若しくは外側にプラズマ・フィールドが生成されるように、プラズマ生成部分の内部でプラズマ・フィールドが生成される。プラズマ・フィールドからの構成要素及び粒子は、基板と相互作用するべく、プラズマ生成部分から通路を通って処理部分に拡散及び/又はドリフトされ得る。処理室は、付加的なプラズマ・フィールドを生成するための複数のプラズマ生成部分を含み得ることに利点がある。各例において、付加的なプラズマ・フィールドが処理部分から遠隔に生成されている。
【0006】
本発明の一態様によれば、基板を処理するための装置が提供される。この装置は、処理室及びプラズマ生成室を含んでいる。プラズマは、プラズマ生成室で生成される。処理室及びプラズマ生成室は、プラズマ・フィールドの構成要素がプラズマ生成室から処理室に移動することが可能になるように、それらの間に通路を含んでいる。
【0007】
本発明の別態様によれば、半導体基板を処理するためのあるプラズマ生成方法が提供される。この方法は、第1プラズマ生成部分及び処理部分を備えた室を提供するステップを含んでいる。更に、この方法は、第1プラズマ生成部分内に第1プラズマ・フィールドを生成するステップと、第1プラズマ・フィールド構成要素を第1プラズマ生成部分から処理部分に移動させるステップとを含んでいる。構成要素は、処理部分内に配置された基板と相互作用する。
【0008】
本発明の別態様によれば、基板処理室の第1部分の内部でプラズマを生成するステップと、基板処理室の第2部分の内部に配置された基板の近接に構成要素を移動させるステップとを含む、基板を処理するステップが一方法によって提供される。第1部分は第2部分から遠隔にある。
【0009】
本発明のこれらの利点及びその他の利点は、付随の図面と関連して以下で示される実施例の詳細な説明によって、容易に、より明らかになるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【0010】
本発明の実施例は、付随の図面に関連して説明される。これらの図面は、実施例の説明及び理解を容易にするために単純化されている。
【0011】
図2は、本発明の代表的な環境を設立する、半導体ウェーハ処理システム10の一実施例の側面図を模式的に図示したものである。代表的な一システムが、1999年11月30日に提出された同時係属中の米国特許出願第09/451,677号に開示されており、言及を以ってその全文を本明細書の一部となす。処理システム10は、ウェーハ・カセット16を支持し、且つ上にロードロック18中に移動させるローディング・ステーション12を含んでいる。ウェーハ・カセット16は、手動若しくは無人搬送車(AGV)のいずれかでプラットフォーム14中に装填される着脱可能なカセットであってよい。ウェーハ・カセット116は、従来の大気圧式ロボット若しくはローダ(図示せず)を用いてカセット上にウェーハが装填される固定式カセットであってもよい。ウェーハ・カセット16が一度ロードロック18の内部に入れられてしまえば、ロードロック18及び転送室20が大気圧に保持されてもよいし、若しくはポンプ50を用いて真空に引かれてもよい。転送室20の内部のロボット22は、ロードロック18に向かって回転し、カセット16からウェーハを持ち上げる。同様に大気圧若しくは真空になっていてよい処理室26が、ゲート弁30を通してロボット22からウェーハを受取る。本発明によれば、処理室26は、例えば、成膜、エッチング、アッシング、表面処理、表面修正、プラズマ処理、若しくは同様の処理を含む半導体基板処理のために用いられる任意の処理室であってよい。処理室26は、転送室20上にボルトで留められ、更に支持フレーム32によって支持される。ウェーハが一度、処理室26の内部に入れられてしまえば、ロボット22が反応し、その後に、ウェーハ処理を開始するためにゲート弁30が閉じられる。ウェーハが処理された後、ロボット22がウェーハを持ち上げて冷却ステーション60中に配置できるように、ゲート弁30が開けられる。冷却ステーション60は、新しく処理されたウェーハがロードロック18内のウェーハ・カセット中へと元の位置に配置される前に、それらを冷却する。
【0012】
図3は、本発明による、処理室26の一実施例の単純化された模式図である。処理室26は、プラズマ生成部分40及び処理部分42を含んでいる。プラズマ・フィールド43の生成がプラズマ生成部40内で生じるように、プラズマ生成部分40と処理部分42とが分離されている。しかしながら、部分40及び42は、通じるように構成されている。例えば、通路若しくはダクト44によって、プラズマ・フィールドの粒子若しくは構成要素を処理部42上に移す経路が提供され得る。ダクト44は、プラズマ生成部分40と処理部分42との間の粒子を拡散及びドリフトを可能にする任意の種類の経路であってよい。当業者が理解されるように、拡散(という用語)は、液体、気体、若しくは固体の構成要素若しくは粒子がより高密度領域からより低い濃度のうちの1つの状態になることを説明しており、制限がなされるものではない。同様にして、当業者が理解されるように、ドリフト(という用語)は、液体、気体、若しくは固体の構成要素若しくは粒子が、自然力によって、若しくは自然力のようなものによって一緒に駆動、推進、若しくは付勢されること、又は一緒に引かれることを示しており、制限がなされるものではない。
【0013】
プラズマ生成部分40は、プラズマ・フィールド43を生成するべく、気相化学物質に対する第1電極52及び第2電極54を含んでいる。一実施例では、電極52及び54が、プラズマ生成室56を形成する適切なハウジングの両端に配置されている。プラズマ生成室56は、室内のプラズマ・フィールド43の生成を可能にして、ダクト44を通して等による処理部分42との連絡を提供する任意の適切な構成を有するように設計されてよい。
【0014】
一実施例では、高周波(HF)RFエネルギー、低周波(LF)エネルギー、並びにAC及びDC電力を室56内の電極52及び54に提供し得るエネルギー源58からプラズマ生成室56に、プラズマ・エネルギーが提供される。
【0015】
半導体処理に用いられるような、所定の気体は、種々のガス供給貯蔵庫(図示せず)から、適切なマニフォールド・システムから送出がなされる吸気ポートを通してプラズマ生成室56中に導入されてよい。気体の濃度は、プラズマ生成室56の内部のエネルギー、圧力、及び処理温度に従って、選択的に制御されてよい。
【0016】
室56の内部の圧力は、ダクトを通しての、且つ処理部分42の中への、プラズマ・フィールド43の粒子及び構成要素の拡散を生じさせるべく、制御がなされてよい。図4のグラフ61を参照すると、室26の内部の圧力をPtの範囲に制御及び減少することによって、プラズマ・フィールド43の生成に用いられる降伏電圧が約Vtの範囲へと著しく減少される。即ち、電極52及び54へのエネルギー供給によっても、同様に著しい減少が生じる。一実施例では、範囲Pt内の圧力を達成するために、プラズマ生成室56及び処理部分42の内部の圧力を減少させるべく、処理室26のポンピングにポンプ50が用いられてよい。各部分の内部の周囲圧力範囲Ptは、約10Torr乃至約10-2Torrに、例えば、1Torrに、概ね保持される。それゆえに、圧力をこの範囲内に保持することによって、エネルギーVtが1000ボルト乃至約10000ボルトの範囲に、DCが約500MHzになり得る。処理温度Ttは、概ね約0°C乃至約450°Cの範囲をとり得る。
【0017】
当業者に公知であるように、室26の内部のプラズマ・エネルギーによって、導入された気体がイオン化され、それにより、ウェーハ116の面上で相互作用し得る遊離基が生成されて、所望の製品が得られる。好適な反応気体には、F*、N*、O*、H*、及びSi*等の寿命の長い遊離基及びイオンが放出されるO2、H2、N2、NH3、SiH4、及びClF3が含まれてよい。
【0018】
図5には、本発明による、処理室26の一実施例の単純化されて図示されている。この実施例では、処理室26は、プラズマ生成部分40、処理部分42、及びそれら部分の間でのドリフト及び/又は拡散を可能にする共通通路44を含んでいる。プラズマ生成部分40は、本発明を制限する意図はなく、単一のプラズマ生成室56(図2参照)若しくは複数のプラズマ生成室56x、56y、及び56zとして形成されてよい。
【0019】
図5で示されるように、各プラズマ生成室56x、56y、及び56zは、互いの部分に関して、プラズマ・フィールドの生成を可能にする任意の構成で室の内部に配置されてよい。この実施例では、各プラズマ生成室56x、56y、及び56zは、直交に交差するように配置されてよい。例えば、室56x及び56yは、x−y平面内で直交して交差するように、x−y平面に配置される。室56zは、z軸に沿って配置され、x−y平面に垂直に、室56x及び56yと交差する。図5に図示されているように、室56x乃至56zが各々通じているので、室56x、56y、及び56zによって管状形状の本体が形成され得る。管状本体は、例えば、石英若しくは同様の材料等の、任意の適切な材料で作られてよい。プラズマ・フィールドが管状本体の内部の電極の間に生成され得るように、電極52及び54が、各管状本体の端部に配置されてよい。通路44によって、室56x、56y、及び56zのうちの1つ、若しくは全ての内部で生成されたプラズマ・フィールドの構成要素及び/又は粒子が、処理部分40の中への拡散若しくはドリフトが可能になる。所望の製品を形成するように、これらの構成要素及び/又は粒子は、公知の方法での反応がなされてよい。
【0020】
図6は、処理室26の作業の単純化された図である。この例では、室56x及び56zが、中央部分62で交差しているのが示されている。NH3、N2、N2O、及びNO2等の所定の気体が、吸気ポート64を通して、プラズマ生成室56yの中に導入されてよい。この例では、NH3が室56yの中に導入されている。NH3の濃度は、エネルギー、圧力、及び処理温度に従って、選択的に調整されてよい。電極52及び54に供給されるプラズマ・エネルギーがNH3をイオン化し、それにより、プラズマ・フィールド68の内部に、N*、H*、及びH2等の遊離基及びその他の構成要素が生成される。一実施例では、この遊離基が、通路44を通して処理部分70に拡散され、それにより、ウェーハ72の表面と相互作用する。代替的に、H2等のキャリア・ガスが、圧力下で吸気ポート66の中に導入されてよい。キャリア・ガスがプラズマ・フィールド68を通って移動して、処理部分70の中に遊離基を推進させる及び/又は付勢するように、このキャリア・ガスが、室56zを通って進んでよい。この例では、N*遊離基が、Si基板と反応してSiNの層72を形成している。
【0021】
図7-Aには、本発明による、室26の別の実施例が図示されている。この例では、処理室26が、フォトレジスト78の除去に対して適切である。H2等の第1気体が、プラズマ生成室56xの中に導入される。O2等の第2気体が、プラズマ生成室56yの中に導入される。各気体がイオン化され、2つのプラズマ・フィールド68及び76が形成される。プラズマ・フィールド68及び76は交差して示されているが、図7-Bの単純化された図で示されているように、プラズマ・フィールドが交差しないように、電極52及び54が配置されてもよい。
【0022】
再度、図7-Aを参照すると、O2等のキャリア・ガスがプラズマ生成室56zの中に導入されている。このキャリア・ガスは、H*及びO*遊離基とH2O蒸気を生じるプラズマ・フィールドを通って、処理部分70に進入する。このO*は炭素フォトレジストと反応して、フォトレジスト層78を除去するべくウェーハ72から運び去られるCO2を形成する。過剰のH*がH2を形成するのに対して、H2O蒸気はフォトレジスト層78を取り去るのを助ける。
【0023】
図8は、室26の別の実施例の単純化された図である。この実施例では、ウェーハ72上にSiO2層80を形成するのに、処理室26が用いられている。SiH4等の第1気体が、吸気ポート64を通してプラズマ生成室56yの中に導入される。この気体がイオン化されて、プラズマ・フィールド82が形成される。プラズマ・フィールド82は、処理部分70に拡散され得る遊離基Si*、H*、及びH2を含んでいる。代替的に、Ar若しくはHe等のキャリア・ガスを、プラズマ生成室56zの中に導入し、プラズマ・フィールド82を通って移動させ、Si*、H*、及びH2遊離基を処理室70の中にドリフトさせてもよい。気相反応で生じ得る、SiO2粒子の形成を防止するために、吸気ポート88を通してO2が処理部分70の中に直接導入されてよい。このO2は、基板面上のSi*と反応し、それによりSiO2粒子の形成が防止される。
【0024】
本発明の原理が、特定の装置に関して説明されてきたが、これらの説明によって本発明の範囲が制限されるものではないことを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【0025】
【図1】図1は、従来のCVDシステムの模式図である。
【図2】図2は、本発明による、代表的な処理システムの実施例の図である。
【図3】図3は、本発明による、処理室の単純化された模式図である。
【図4】図4は、図3の処理室の一実施例の降伏電圧−圧力図である。
【図5】図5は、本発明の一実施例の単純化された、斜視図である。
【図6】図6は、本発明の実施例の単純化された図である。
【図7−A】図7-Aは、本発明の実施例の単純化された図である。
【図7−B】図7-Bは、本発明の実施例の単純化された図である。
【図8】図8は、本発明の実施例の単純化された図である。
Claims (22)
- 基板を処理するための装置であって、
処理室と、
前記処理室に含まれる処理部分と、
前記処理室に含まれる、第1プラズマ・フィールドを生成するための第1プラズマ生成部分とを有し、
前記第1プラズマ・フィールドが前記処理部分から遠隔に生成され、前記第1プラズマ生成部分が前記処理部分と通じていることを特徴とする装置。 - 更に、第2プラズマ・フィールドを生成するための第2プラズマ生成部分を有し、前記第2プラズマ・フィールドが前記処理部分から遠隔に生成されることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 更に、第3プラズマ・フィールドを生成するための第3プラズマ生成部分を有し、前記第3プラズマ・フィールドが前記処理部分から遠隔に生成されることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記第1プラズマ生成部分が、前記第1プラズマ・フィールドを生成するべく、気相化学物質を反応させるための第1及び第2電極を有することを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 更に、前記第1及び第2電極に接続された電源を有し、前記電源が、AC、DC、RF、及びマイクロ波の電源からなる群より選択されることを特徴とする請求項4に記載の装置。
- 更に、前記第1プラズマ生成部分に気相化学物質を提供するための、少なくとも1つの吸気ポートを有することを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 半導体基板を処理するための装置であって、
処理室と、
プラズマ・フィールドを生成するためのプラズマ生成室とを有し、
前記処理室及び前記プラズマ生成室は、プラズマ・フィールド構成要素の前記プラズマ生成室から前記処理室への移動が可能になるように、それらの間に通路を含んでいることを特徴とする装置。 - 更に、第2プラズマ・フィールドを生成するための第2プラズマ生成室を有し、前記処理室及び前記第2プラズマ生成室は、第2プラズマ・フィールド構成要素の前記第2プラズマ生成室から前記処理室への移動が可能になるように構成されていることを特徴とする請求項7に記載の装置。
- 前記プラズマ・フィールド構成要素が、前記プラズマ生成室から前記処理室にドリフトされることを特徴とする請求項7に記載の装置。
- 前記プラズマ・フィールド構成要素が、前記プラズマ生成室から前記処理室に拡散されることを特徴とする請求項7に記載の装置。
- 前記プラズマ生成室が、
前記プラズマ・フィールドを生成するべく、気相化学物質を反応させるための第1及び第2電極と、
前記の第1及び第2電極の各々に接続された電源とを有し、
前記電源が、AC、DC、RF、及びマイクロ波の電源からなる群より選択されることを特徴とする請求項7に記載の装置。 - 更に、前記プラズマ生成室の中に気相化学物質を導入するための吸気ポートを有することを特徴とする請求項7に記載の装置。
- 更に、前記処理室の中に処理気体を導入するための吸気ポートを有することを特徴とする請求項7に記載の装置。
- プラズマ生成方法であって、
第1プラズマ生成部分及び処理部分を含む室を提供するステップと、
第1プラズマ・フィールドを、前記第1プラズマ生成部分の中で生成するステップと、
前記第1プラズマ・フィールドの構成要素を、前記第1プラズマ生成部分から前記処理部分に移動させるステップとを有することを特徴とする方法。 - 前記移動させるステップが、前記構成要素がドリフトされるように、前記室の中にキャリア・ガスを導入するステップを有することを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記移動させるステップが、前記構成要素の拡散を可能にするステップを含んでいることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 更に、
第2プラズマ生成部分の中に第2プラズマ・フィールドを生成するステップと、
前記第2プラズマ・フィールドの構成要素を、前記第2プラズマ生成部分から前記処理部分に移動させるステップとを有することを特徴とする請求項14に記載の方法。 - 前記移動させるステップが、前記構成要素のドリフト若しくは拡散を可能にするステップを有することを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記構成要素が、前記第1プラズマ・フィールドの生成に用いられる気相化学物質の遊離基、粒子、及び/又はイオンを有することを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 更に、前記構成要素と前記基板の面で反応させるべく、前記処理部分の中に処理気体を導入するステップを有することを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 方法であって、
基板処理室の第1部分の中にプラズマを生成するステップと、
前記プラズマの構成要素を、前記処理室の第2部分の中に配置された基板の上に移動させるステップとを有し、
前記第1部分が前記第2部分から遠隔にあることを特徴とする方法。 - 更に、前記室の第3部分の中にプラズマを生成するステップを有し、前記第3部分が前記第2部分から遠隔にあることを特徴とする請求項21に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/767,513 US6633132B2 (en) | 2001-01-23 | 2001-01-23 | Plasma gereration apparatus and method |
PCT/US2002/001605 WO2002059934A2 (en) | 2001-01-23 | 2002-01-17 | Plasma generation apparatus and method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004524680A true JP2004524680A (ja) | 2004-08-12 |
JP4126229B2 JP4126229B2 (ja) | 2008-07-30 |
Family
ID=25079733
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002560166A Expired - Fee Related JP4126229B2 (ja) | 2001-01-23 | 2002-01-17 | プラズマ生成装置及び方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6633132B2 (ja) |
EP (1) | EP1354336A2 (ja) |
JP (1) | JP4126229B2 (ja) |
KR (1) | KR100849763B1 (ja) |
TW (1) | TW541859B (ja) |
WO (1) | WO2002059934A2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003021642A2 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for processing a wafer |
US20030045098A1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for processing a wafer |
KR100453578B1 (ko) * | 2002-01-04 | 2004-10-20 | 주성엔지니어링(주) | 실리콘 에피택셜층 성장공정 전의 기판 사전 세정방법 |
US7387968B2 (en) * | 2005-11-08 | 2008-06-17 | Tokyo Electron Limited | Batch photoresist dry strip and ash system and process |
KR101656762B1 (ko) * | 2010-03-16 | 2016-09-12 | 가부시키가이샤 토호쿠 테크노 아치 | 플라즈마 프로세스에 의한 가공 형상의 예측 시스템, 방법 및 프로그램을 기록한 기록 매체 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0063273B1 (en) | 1981-04-02 | 1986-02-12 | The Perkin-Elmer Corporation | Discharge system for plasma processing |
CA2052080C (en) * | 1990-10-10 | 1997-01-14 | Jesse N. Matossian | Plasma source arrangement for ion implantation |
US5282899A (en) | 1992-06-10 | 1994-02-01 | Ruxam, Inc. | Apparatus for the production of a dissociated atomic particle flow |
US5770098A (en) * | 1993-03-19 | 1998-06-23 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Etching process |
US6253704B1 (en) * | 1995-10-13 | 2001-07-03 | Mattson Technology, Inc. | Apparatus and method for pulsed plasma processing of a semiconductor substrate |
US5683548A (en) | 1996-02-22 | 1997-11-04 | Motorola, Inc. | Inductively coupled plasma reactor and process |
JPH10270428A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
JP3301357B2 (ja) | 1997-08-26 | 2002-07-15 | 株式会社村田製作所 | 平行平板型プラズマcvd装置 |
US6335293B1 (en) * | 1998-07-13 | 2002-01-01 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for two-sided etch of a semiconductor substrate |
US6341574B1 (en) * | 1999-11-15 | 2002-01-29 | Lam Research Corporation | Plasma processing systems |
-
2001
- 2001-01-23 US US09/767,513 patent/US6633132B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-01-17 WO PCT/US2002/001605 patent/WO2002059934A2/en active Application Filing
- 2002-01-17 EP EP02702034A patent/EP1354336A2/en not_active Withdrawn
- 2002-01-17 KR KR1020037009674A patent/KR100849763B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-01-17 JP JP2002560166A patent/JP4126229B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-01-21 TW TW091100897A patent/TW541859B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2002059934A3 (en) | 2002-11-21 |
US6633132B2 (en) | 2003-10-14 |
KR100849763B1 (ko) | 2008-07-31 |
JP4126229B2 (ja) | 2008-07-30 |
EP1354336A2 (en) | 2003-10-22 |
KR20040011455A (ko) | 2004-02-05 |
US20020096998A1 (en) | 2002-07-25 |
TW541859B (en) | 2003-07-11 |
WO2002059934A2 (en) | 2002-08-01 |
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A621 | Written request for application examination |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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