JP2003507880A - パルスプラズマ処理方法および装置 - Google Patents
パルスプラズマ処理方法および装置Info
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 150
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 88
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 325
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 121
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 121
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 69
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 10
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 3
- 230000005428 wave function Effects 0.000 claims description 3
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 claims description 2
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 117
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 33
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 14
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 13
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 13
- 238000003877 atomic layer epitaxy Methods 0.000 description 12
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 11
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 10
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000004044 response Effects 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 6
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 5
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 4
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 description 2
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000005315 distribution function Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000001802 infusion Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150000715 DA18 gene Proteins 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- BXNANOICGRISHX-UHFFFAOYSA-N coumaphos Chemical compound CC1=C(Cl)C(=O)OC2=CC(OP(=S)(OCC)OCC)=CC=C21 BXNANOICGRISHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000004401 flow injection analysis Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000037427 ion transport Effects 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 102000007863 pattern recognition receptors Human genes 0.000 description 1
- 108010089193 pattern recognition receptors Proteins 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000002688 persistence Effects 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000001686 rotational spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000035807 sensation Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007619 statistical method Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/3105—After-treatment
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- H01L21/31105—Etching inorganic layers
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Abstract
Description
て、この変更された気体種もしくはその成分が基板を打つように発生されるプラ
ズマアシスト基板処理(plasma assisted substrate processing)のモードに関す
る。
が見られた。特に、半導体産業においてこの需要の増加は顕著であった。半導体
産業では、基本的な処理工程に、反応イオンエッチング(RIE)と、プラズマ
アシスト化学気相成長(CVD)と、スパッタリングと、反応スパッタリングと
、イオンアシスト物理気相成長(PVD)とが含まれている。これらの産業で一
般に利用される処理は、通常、連続的なモードで実施される。即ち、経時的か一
時的に変更されるかもしくは変調(modulation)される唯一のパラメータは、無線
周波数(radio frequency)(RF)エネルギーである。これは、本質的に、RF
励起信号期間に変化する。
に起こる処理パラメータの一時的な調整は、調査のために選択された幾つかの領
域に限定されている。気体種の一時的な調整は、原子層エピタキシー(atomic la
yer epitaxy)(ALE)と、パルス(pulsed)ジェットエピタキシー(pulsed jet
epitaxy)(PJE)と、ALEの派生物とで利用される。また、ごく最近、RF
パワーの一時的な変調が、電子温度制御の結果として意図的に選択性を改良する
ことを実証している。
、RF振幅の一時的な変調を伴って生じた。断続的な機能(時間の)を処理する
際には、離散フーリエスペース(discrete Fourier space)でこれらの機能を表わ
すのが従来的である。即ち、
る。一般に、適用されたRF信号は、上述の形式を取る。ここで、フーリエ調波
振幅Anは、時間とは無関係である。しかしながら、パルスRF(pulsed RF)の
適用は、一般にAn=An(t)を有する。
(pulsing)することと組み合わせられるパルス化ガスの概念が、例えばHein
ecke等への米国特許4,824,690号に開示されている。この特許は、
振動させる方法で夫々異なったガスを処理チャンバに交互に、処理ガス交換レー
トと時間尺度で一致する交換レート(exchange rate)で導入することと、各ガス
の交換サイクルの始めと一致するRFパワーを同時にパルス化することとを考慮
したプラズマリアクトルを提案している。RFパワーは、各ガスの導入パルス(p
ulse)の開始のパルスの幅が50乃至500ミリ秒(msec)である(ほぼ0.1乃
至1%のデューティーサイクル(duty cycle))ほぼ60kWとオフの間でパルス
化される。Heinecke等への米国特許4,935,661号は、高圧下の
ガス吸気をパルス化することによってガス交換レートが改良され得ることを開示
している。 上述のHeinecke等への2件の特許は蒸着処理に方向付けられているが
、これらは、エッチングのような他の処理のために開示された技術の適用につい
ても言及している。
それは、原子層エピタキシー(atomic layer epitaxy)(ALE)、化学気相成長
(CVD)、分子ビームエピタキシー(MBE)、パルスジェットエピタキシー
(PJE)、パルス分子ビーム、パルスガス注入、およびパルスガスバルブを含
んでいる。特許文献では、パルスジェット;作動(run)/通気(vent);およびパ
ルス“列(train)”;のパルスガス注入の3つのタイプが確認されてきた。パル
スジェット注入は、その名前が意味するように、ガスを一連の個別のパルスの形
状で注入するために、ガス注入を制御することによって達成される。作動/排出
構造において、1つまたはそれ以上のガス流は、(“作動”)チャンバ注入また
は(“通気”)排出間で交互に切り換えられる。排出すなわち通気システムは、
チャンバ状態(すなわち圧力など)を模倣(mimic)しなければならない。パルス“
列”ガス注入は、一次搬送ガス内への周期的注入によって、異なったガスが周期
的にその中に導入されるような連続的に流れる搬送ガスを使用し、それによって
ガス“列”を生成する。隣接する種間のガス拡散を最小にするために、ガスパル
スは、搬送ガスが拡散バリヤーとして作用することを可能にするために、十分低
いデューティーサイクル(duty cycle)で操作する。換言すれば、2つまたはそれ
以上の異なったが処理ガスが交互に注入される場合、両方または全ての処理ガス
の流れは、いずれかのガスの搬送流内への注入に先立って短い周期で阻止され、
それによって、2つまたはそれ以上の処理ガスの連続する一定量は互いに分離さ
れる。これらの3つのタイプのパルスガス注入は、例えば、Blakeslee
の米国特許3,721,583号;Boucherの米国特許3,979,23
5号;Suntola等の米国特許4,058,430号;およびSuntol
a等の米国特許4,413,022号に記載されている。
or)ガス滞留時間、すなわち、数分から数十分よりも十分に長いガス交換周期に
わたって起きる。 PJEは、ALEの延長であり、高いレートで超音波ジェットを持って操作す
る。Ozaki等のいくつかの文献は100ミリ秒程度の低い周期を有するガス
交換レートでの高速ジェットの使用に関する。これらの文献は、Appl.Ph
ys.Lett.、53巻16頁(1988)の「速いガスを使用したGaAsの
原子層エピタキシーへの新しいアプローチ」;薄いソリッドフィルム、174巻
頁(1989)の「新しい原子層エピタキシー技法によるGaAsとAlAsの成
長」;および、J.Crys.Growth、107巻頁(1991)の「III
−V混合物のパルスジェットエピタキシー」である。
(Torr)から1平方インチ当たり200ポンド(200Psi)の範囲の分布圧力
で提供する供給リザーバによって供給されたパルス超音波ジェットの列を採用す
るPJE技法を開示している。さらに、複数のジェットは、いかなる周波数でも
パルス化でき、互いに関して位相を合わせられる。 ALEと同様に、PJE技法は選択的エピタキシーを促進し、高度に均一な蒸
着を生成できる。
を有するパルス分子ビーム生成の可能性を示唆している。代表的なものとして、
文献は、車両燃料注入バルブおよび圧電装置にある程度類似した高速EMバルブ
を使用して、パルス分子ビームが発生されてきたことを報告している。例示によ
れば、このタイプの技術は次のような文献に述べられている。すなわち、Gen
tryおよびGieseによるJ.Chem.Phys.、67巻11頁(19
77)の「HD+He衝突における解決された単一量子回転励磁……」;Bal
le等によるJ.Chem.Phys.、72巻2頁(1979)の「弱い分子複
合物の回転スペクトルを観察するための新規な方法……」;Bassi等による
Rev.Sci.Instrum.、52巻1頁(1981)の「パルス分子ビー
ムソース」;Cross等によるRev.Sci.Instrum.、53巻3
8頁(1982)の「高反復レートパルスノズルビームソース」;およびAndr
esen等によるRev.Sci.Instrum.、56巻11頁(1985)
の「圧電パルスノズルビームの特性」である。フライト時間(time-of-flight)か
らの結果と蛍光測定を引き起こされたUVレーザは、50μ秒程度に短いパルス
時間と、1000Hz程度に高い反復レートが達成されることを示している。
影響を及ぶすのと同様に、選択性、および/または、均一性を促進するために主
として利用されてきた。従来の研究の焦点は、オフとオンとの間でRFパワーを
一時的に変調し、それにより、パルス幅とパルス反復レート(PRR)を変調す
ることによって改良された選択性と均一性とを達成する。特に、従来、プラズマ
において解離を生成しついでエッチングまたは付着化学物の反応物を制御するた
めに、一時的にRFパワーを変調することが提案されてきた。RFパワーのパル
ス変調は、本質的にパルスサイクルを超える平均的感覚で電子温度を減少し、そ
して、電子エネルギー分布の時間平均に直接影響をおよぼす。プラズマ内の分子
の解離とイオン化の程度またはレート(rate)は、電子の数と衝突断面積に比例し
、後者は電子エネルギーに依存する。引き続いて、プラズマ内の電子エネルギー
分布を制御することによって、基板処理用の化学反応物を制御できる。
するためにパルスRFパワーを使用することを開示している。Gorin等への
米国特許4,263,088号は、エッチング処理の終了を決定するための放射
分光学の使用を開示している。ここでは、RFパワーが、連続モードからパルス
化モードに切り換えられる。いくつかの他の特許は、反応物をかなり枯渇させる
時間と比較して少ない時間尺度でRFパワーをパルス化することを示唆している
。例えば、Engle等への米国特許4,401,507号と、Ellenbe
rger等への米国特許4,500,563号を参照してほしい。そのようなパ
ルス化はエッチング/蒸着の選択性と均一性を促進するために示されてきた。
ている。Sugai等によるMat.Res.Soc.Symp.Proc.、
406巻15頁(1977)の「高密度プラズマの診断(diagnostics)と制御」は
、誘電的に結合されたプラズマリアクトルへの改良された診断の達成を述べてい
る。パルス幅、振幅および反復レートの変化を通じて、SiO2からSへの選択
性の改良は、CF2からCF3、CFおよびFへの相対的濃度を制御することに
よって達成されてきた。事実、SamukawaによるJpn.Appl.Ph
ys.、33(1)巻2133頁(1994)の「パルス時間変調されたECRプ
ラズマにおける高度に選択性の、また、高度に異方性のSiO2エッチング」は
、CF2からFへの比率とパルス持続期間との間の直接的関係を確認している。
さらに、環境にやさしい半導体製造推進用のNSF/SRCエンジニアリングリ
サーチセンターの遠隔会議(1997年11月6日)の、Labelle等による
「パルスPECVDフルオロカーボン薄膜の特性の前兆の影響」は、パルスPE
CVDフルオロカーボン薄膜の研究における高められたCF2比率を報告してい
る。
によるJ.Vac.Sci.Technol.B、12(6)巻3300頁(19
94)の「高度に選択性のパルス時間変調電子サイクロトロン共振プラズマエッ
チング……」は、パルスRFパワーを使用するポリシリコンエッチングにおける
イオンエネルギースペクトルの制御を議論している。Yeon等によるJ.Va
c.Sci.Technol.B、15(1)巻66頁(1997)の「無線周波数
パワー変調による微粒子構成とその制御の研究……」は、RF変調による微粒子
構成を減少することを主張している。
、141〜146頁の「時間変調バイアス方法によるポリSiエッチングの選択
性とプロフィル制御」は、改良されたポリSiからSiO2エッチングの選択性
、改良されたエッチングの異方性、および、パルスがチャック(chuck)バイアス
を調整した場合の抑制されたマイクロトレンチ現象を報告している。
102頁の「パルス時間変調プラズマによるトポグラフィー(topography)依存装
填損傷の減少」、および、Matui等によるドライ処理シンポジューム(IV
−2)、85〜90頁の「極微細構造の装填構築のパルス変調されたプラズマの
影響」は、トポグラフィー依存装填損傷の軽減に関するパルス変調されたプラズ
マを調査している。
化)する概念はこのようにして知られている。事実、これらの概念は、すでに述
べたように広範囲にわたって調査されてきた。しかしながら、誘電的に結合され
たプラズマ(ICP)技術に基づく公知のウエハー処理技術は、反応化学物およ
びイオンボンバードメント(ion bombardment)の独立した制御に欠けている。例
えば、処理ガスの解離によって最適なエッチング反応物を製造するために必要な
プラズマ状態は、最適なイオンエネルギー(およびイオンエネルギー分布)を基板
に供給するために必要な状態とは同一ではない。 さらに、公知のチャンバ構造は、反応ガスの有効な使用、または、蒸発したエ
ッチング生成物を有効に除去することができない。
づく公知のウエハー処理手順に固有の複数の制限を除去することである。 本発明のより詳細な目的は、エッチングの選択性と側壁外形を改良するために
、異なった処理段階を最適化するための方向へ処理変数の独立制御を可能にする
ことである。 本発明の他の詳細な目的は、ガス使用効率を改良し、それゆえポンプ速度要求
を減少するために、パルスガスおよびパルスRF変調を利用することである。 本発明のさらに他の詳細な目的は、明らかに異なった一連の(時間における)
処理ステップを可能にし、与えられた処理ステップ用に明らかに異なった状態に
影響するために、パルスガス、および/または、パルスRF変調を利用すること
であり、一連の処理ステップが基板へのより大きな処理用に組み合わされている
。
ズマアシスト処理を施すための方法において:少なくとも1つの処理ガスをリア
クトルチャンバ内に導入し;チャンバ内でRF電磁場を確立し電磁場を処理ガス
と相互作用することによってリアクトル内でプラズマを生成し;各エネルギーレ
ベル値が基板の各異なった処理プロセスを生成するかまたはその達成と関連され
るように、電磁場が、いずれもプラズマを維持するのに十分な少なくとも2つの
異なった値間で周期的に変化するエネルギーレベルを有するようにし、各エネル
ギーレベル値は、基板への各異なった処理プロセスを製造するか、またはその実
行と関連付けられている方法によって達成される。
されるRFパワーは、2つの値の間で一時的に変調される。これら値の夫々は、
プラズマを維持するのに十分である。各パワーの値は、夫々異なった基板処理プ
ロセスの実施を実行させるか、この実行と関係している。
ー(RF bias power)が、イオンを基板表面に引き付けるように働くDC自己バイ
アスを生じるように適用されるチャック(chuck)すなわち基板ホルダーに設けら
れる。後述するように、プラズマを維持するか発生するという主要な目的のため
に、誘導コイル(好ましいアプローチ)もしくは基板の反対側の電極(容量性放
電におけるように)に適用されるRFパワーは、RFソースパワー(RF source p
ower)として説明されている。プラズマから基板表面にイオンを引き付けるとい
う主要な目的のために、チャックすなわち基板ホルダーに適用されたRFパワー
は、RFバイアスパワーとして説明されている。RFパワーに限って言及すると
、RFパワーのどちらか一方もしくは両方のタイプを適用し得る状況に適用する
。
理中に変化しないとき、もしくは夫々パワーの値が供給された際、プラズマ内に
存在すべき夫々異なった気体種が各々連続的に導入されるとき、結果として向上
を生じ得る。かくして、同じ気体種もしくは気体種の混合物の連続的な流れを維
持する間、RFソースパワーとRFバイアスパワーとをパルス変調するのが好ま
しいプロセスがある。他のプロセスでは、RFバイアスパワーを一定に維持する
間、ガスの流れをチャンバとRFソースパワー中にパルス化させるのが好ましい
。
は、RFソースパワーの一時的な変調と協働作用する順番で、2つの種の間で変
化する。この目的は、2つのプロセスを実行するか、これに替えて、夫々異なっ
た気体種を用いることである。最大とまではいわないが、本発明が意図されてい
るこのタイプのプロセスの多くにとって、また、他の欠かせないケースにおいて
も、プラズマ処理の実施を向上させるために、処理される基板を支持するチャッ
クにかけられるRFバイアスパワーを変調することは効果的である。このような
変調は、RFソースパワーの一時的な変調と協働作用する。また、RFソースパ
ワーのパルスの変調とRFバイアスパワーとの間、もしくはこれら変調の一方も
しくは両方と処理ガスの導入が変化するパターンとの間の位相の差を導入するこ
とが望ましい。かくして、変調波形形状および処理ガス導入パターンは、互いに
一致する必要がないが、一致した関係は、多くの処理において好ましい。
維持する誘電的に結合された無線周波数(ICRF)パワーおよび多分チャック
へのRFバイアスパワーを同時に変調することによって、2つのプロセスは、相
対的に高いレートを交替するように形成され得る。かくして、この方法は、連続
したサイクルで実行され得る。各プロセスは、連続的な各サイクルの夫々半分の
サイクルの間に実行される。 本発明は、1つの典型的な方法の文脈で説明されるが、本発明はこの方法に限
定されるものではないことが理解されるだろう。典型的な方法は、二酸化珪素、
SiO2、をエッチングするために利用される。
があるが、CFCl、CHFのような他の組成物も使用され得る。ArとCF4 は、エッチングプロセスで夫々に異なった役割を果たす。更に、RFパワーは、
標準的には2kWより下の低い値と、標準的には5kWである高い値との間でパ
ルス化され、CF4とArの導入に夫々一致する。最後に、チャックに供給され
るRFパワーの振幅は、DC自己バイアス圧力とイオンエネルギーとに影響する
ように変調される。異なった複数のガス間の切り替えと様々の変調とが幅広いパ
ターンもしくは波形形状で実行され、振幅の形状と、ガスおよびRF成分の位相
変調さえも取り得ることが予見される。
所定の位相シフトの確立を伴う。ここでのシナリオでは、RFパワーパルスおよ
び/もしくは気体種パルスは長方形であるが、必ずしもそうである必要はない。
波形形状は、周期的な傾斜(ランプ)(ramp)もしくは、夫々異なった周波数ω+
Δωおよびω―Δω(2Δωによって分けられる。ここではΔω<<ω)での位
相における一致した2つのサインカーブ状信号の線形重畳でのサインカーブ状の
機能であり得る。この場合、周波数Δω(即ち波形パケット)で打つ(もしくは
振幅変調)周波数ωのサインカーブ状信号を得ることができる。
また命名されたCF4は、プラズマリアクトル中に導入される。しかしながら、
この形状はプラズマ中では短命である。ここで、不活性ガスCF4分子は、CF 3、 CF2、CF、F等のような様々の基中に解離され得る。CF4と異なり、
イオンボンバードが加えられて揮発反応生産物、即ちSiF4、CO2、CO等
を生じるとき、これらの基は、酸化物(SiO2)に多少反応する。これら揮発
反応生産物全てが、周囲のチャンバ圧力を超える蒸気圧を有する。しかしながら
、フォトレジスト(PR)とSiO2のエッチング製品との間の相互作用は、リ
アクトルの構成部品を形成している排出ラインの壁に形成された複合Si有機体
の発生を導く。かくして、この影響を減じるように、排出ラインは加熱されなく
てはならない。
それによって、プラズマが反応性基種を活性化し、また、比較的少ない程度まで
、この“低い”RFパワーの半サイクル中に発生されたイオンは、基板コーティ
ングプロセスおよび反応性エッチング化学プロセスをアシストする。
の半サイクルを概略的に示す。図示されたように、フルオロカーボンプラズマを
使用する目的は、CF4を解離してCF2の製造を最大化することにある。こう
することにより、Siへの選択性を向上させると考えられている。これによって
、基板全体とこれの関連するPRマスクとの、露出されたSiO2面およびPR
マスク上に吸着されるCF2の均一な層のコーティングが導かれる。基板は、チ
ャック(図示せず)に設けられる。このチャックに対して、DC自己バイアスの
潜在能力が、チャックおよびプラズマに適用されたRF信号によって引き出され
る。このRFバイアスの変調は、これに対応するDC自己バイアスの変調を生じ
させる。この結果、基板の最適なコーティングに貢献する。
露出される際に、次の2つの目的を果たす。それは、(i)PRマスクを保護し
て、PRへのエッチングの選択性を与えるという目的と、(ii)SiO2をエッ
チングするという目的である。後者は、フッ素の欠乏により、SiへのSiO2 のエッチングの選択性を与える。また、溝もしくは、エッチングプロセスによっ
て形成された微小溝の側壁は、イオンボンバードの指向性によって、最小限にエ
ッチングされるか、もしくはエッチングされない。 各第1半サイクルの終わりに、CF4およびこれの解離生産物は、リアクトル
(reactor)チャンバから排出される。
プロセスの実行ために処理チャンバ中に導入される。ソースに供給されるRFパ
ワーは、高イオン化Arガスプラズマとソース内の高イオン電流とを発生させる
ように増加される。チャックに適用されるRFバイアスパワーの対応する増加は
、高活性Arガスイオンの基板表面への供給を可能にする。即ち、これらイオン
が表面に力強く激突するようにさせ、表面のSiO2との反応のためのエネルギ
ーを与える。更に、イオンボンバードは、次の反応性サイクルを確実にするため
に、表面格子構造体に損傷を与え、イオンボンバードは、汚染物質のエッチング
された表面を洗浄し、高異方性のエッチングの実施を果たすことができる。
たはそれ以上の単層は、サイクルごとに取り除かれ得る。したがって、半サイク
ルは、高レートで交替する。これは、十分なエッチングレートを果たすためであ
る。例えば、統計的な平均において、単一の単層が酸化物エッチング方法の各サ
イクル中に取り除かれると仮定する場合、単層は、エッチングレートマイクロメ
ータ/分(μm/min)が、各プロセス半サイクルの逆の期間τ(タウ)に対
して線形に比例している。SiO2結晶格子の単層は、3〜10オングストロー
ム(Å)の厚さを有する。これは、τが10ミリ秒の適度のパルス期間を有して
、1から3μm/分のエッチングレートが果たされ得ることを提案している。こ
こでは、統計的な平均で1単層がプロセスサイクルにつきエッチングされること
を想定している。τが1ミリ秒(msec)パルス期間に減じることができる場合、1
0から20μm/分のエッチングレートを達成することが可能になる。
ための方法を提供している。さらに、気体種と、処理形式と、RFソースパワー
およびRFバイアスパワーの一時的な変調によって、化学反応物質、反応物質の
ウエハーでの濃縮、イオン密度、イオンエネルギー、およびイオンエネルギーの
特別な分布とを含む1もしくは複数のパラメータは、エッチングの性能、特にエ
ッチングの選択性を制御するために変調され得る。
施形態において、2つのガスの夫々、ArとCF4は、エッチングプロセスにお
いて夫々異なった役割を果たす。Arはイオンボンバードのために使用される。
CF4は、反応性化学プロセスの実行のために使用される。いうまでもなく、リ
アクトルにアクセスするに際して配置された制約(constraints)外に連続的に
導入され得る夫々異なったガスの種類(即ち、個々のガス、予め混合されたガス
等)に制限はない。同様に、他の処理パラメータの選択に依存して、各気体種は
、夫々異なったプロセスでの役割を果たし、基板上に夫々異なった蒸着層を形成
するために夫々異なったガスが導入される。
ワーの変調と直接的に関係している。例えば、CF4ガスを導入する間、ソース
は、“低い”パワーで駆動される。これは、解離機構として働くプラズマを有す
るのが望ましいからである。しかしながら、“高い”パワーは、基板のイオンボ
ンバードのために高イオン化プラズマを発生させるために最も望ましい。“低い
”、“高い”という用語は、言うまでもなく相対的なものであり、これら自身が
定量値を識別するものではない。しかしながら、これらは、特別なプロセスにお
いて各用語によって包含される定量値の範囲を容易に理解できるような当業者に
とっては意味がある。前述されたように、プラズマソースに供給されるパルスR
F波形形状を形成するのに制限はない。本発明の概念は、複雑な振幅の変調とガ
ス交換波形形状に対する位相の変調とを考慮している。
されるRFバイアスパワーの変調である。同様に、本発明の概念は、複雑な振幅
の変調と他の処理パラメータに対してチャックに供給されるRFバイアスパワー
の位相変調とを包含している。更に、基板処理中に、チャックに供給されるRF
信号の調和含量の制御が行われる。上述されたパラメータの各細部は、以下で説
明される。
れている。これらのリアクトルは、開示されたパルスモードエッチング(PME
)リアクトルである。特に、ガスが交換され得るレートのような、少なくとも現
在の技術の状況におけるこのようなリアクトルの基本的な制限が話題にされてい
る。このレートで、プラズマ密度と自己バイアスによるイオンエネルギーとは、
最大のRFパワーをプラズマソース(plasma source)もしくはチャック等へ移動
させることによって変調され得る。
めに使用されており、ほぼ1ミリ秒程度の半サイクルのパルス幅が説明されてい
る。これは、高いエッチングレートへ変調を果たすための重要性を所望の順番で
示す。本発明に係わるパルスモード処理に関連した全てのパラメータのうち、リ
アクトルチャンバ中で夫々異なった気体種が交換されるレートは、達成可能なエ
ッチングレートに位置される基本的な制限である。
積を最小化し、リアクトルチャンバのガス流コンダクタンスを最大化することで
ある。この課題は、以下において詳しく後述される。しかしながら、基板処理を
感知可能に、即ちプラズマ化学およびエッチング化学等の必要性を満たすために
、これらのパラメータには最小限の制限がある。更に、ガスがチャンバ外に排出
(pump)されるレートに対する最大限の制限がある。例えば、現在達成可能な最も
高い排出能力は、所定のターボ分子ポンプによって発生されるほぼ5000リッ
ター/秒程度である。これに替わるアプローチは、3300リッター/秒が排出
できるポンプのような、幾つかの低能力ポンプを有するものである。しかしなが
ら、これらのポンプの少数のみが、リアクトルチャンバで有用な排出を与えるよ
うに配置され得る。
のための達成可能なガス交換レートを識別している。チャンバは、プラズマソー
スおよびこれに存在する基本的な構成部品、即ちチャック、注入板、ポンプ等の
大体の大きさに対してのみ従来的である。 第1に、低圧で直面する中立の流れ状態を考慮しなくてはならない。ここでは
、低圧が、1から1000ミリトール(mTorr)の範囲のチャンバの圧力であると
想定され得る。しかしながら、PMEリアクトルの動作は、この範囲の圧力に限
定されない。これら低いチャンバ圧力で、ガスの動作(behavior)は、自由分子
流(free molecular flow)の特性を想定するようになり、もはや、運動量搬送用
のNavier−Stokesの方程式に従う連続流体(continuum fluid)とし
て全く機能しない。ガスが自由分子流または連続流体のようにふるまう範囲を決
定するために、単に流れ領域における傾斜長さ尺度(gradient length scale)に
対する平均自由工程(mean free path)の比率であるKnudsen数、Kn、を
評価しなければならない。傾斜長さ尺度は、特性自由剪断層厚さすなわち特性境
界層厚さである。しかしながら、これは一般的に、通常各形状の流れ領域から取
った特性長さ尺度と置き換えられる。それ故、Knの定義は、Kn=λ/Lにな
る。ここで、λは平均自由工程であって、Lは流れ領域の特性長さである。
するかに依存する。一般に、1(unity)よりも大きいKnudson数の値は、
自由分子流の開始の基準として使用される。例えば、チャンバ圧力が10ミリト
ールで平均自由工程はほぼ0.5cmである。チャンバの特性寸法と比較した場
合、Knudson数は1よりも非常に小さい。しかしながら、オリフィス直径
と比較した場合、Knudson数は1より大きい。このように、自由分子流の
ための状態は、解明の“尺度”に依存する。
よび当然ながら特性長さ尺度と逆に変化することとなる。第1に、全体的(globa
l)Knは、“全体的”すなわち大きな寸法のガス力学を規定するリアクトルの有
効直径に基づいて導かれる。Lが20cm用に、上述した1から1000ミリト
ールのチャンバ圧力を超えて、Knは0.00025と0.25との間で変化す
る。しかしながら、比較的小さい尺度、すなわちガス注入オリフィスの下流(オ
リフィス直径と比較可能な尺度において)または基板の近傍でガス力学を考慮し
た場合、Knを再評価し適切な長さ尺度(流れの巨視的特性が越えて変化する傾
斜尺度)をもって規定しなければならない。例えば、圧力が10ミリトールで、
全体的Knはほぼ0.025であり、オリフィス出口面でのKnは、500sc
cmの流量(mass flow)用にほぼO.1のオーダーであり、そして、オリフィス
のわずかに下流(〜1cm)でのKnの局部的定義は5のオーダーである。一般に
、1よりも大きいKnの値は、自由分子流形態(regime)を示し、また、0.01
より小さいKnの値は連続流形態を示す。多くのプラズマアシスト処理は、遷移
形態0.01<Kn<1を生ずる(少なくとも全体的尺度において)。中立流力学
は、ほとんどの低圧処理用に非常に複雑にできる。
C、直接シミュレーションモンテカルロ(Direct Simulation Monte Carlo)を使
用して)およびNavier−Stokes解法の詳細に入ることなく、貴重な
洞察は、限定ケースの簡単な第1オーダー分析から得ることができ、Kn→(無
限大)およびKn→0(または実際上、Kn>>1およびKn<<1)である。K
n<0.01の場合、ガスは連続流としてふるまい、また、その運動は、Nav
ier−Stokes解法によって管理される。しかしながら、低圧領域へのN
avier−Stokes解法の応用可能性は、Knが0.1までほぼ受入可能
である。このことは、Bird,G.A.,分子ガス力学およびガス流の直接シ
ミュレーション、1994年Oxford、Clarendon Pressを
参照してほしい。Knが0.01以下にさらに減少するにつれて、流れは粘性層
の外側で等エントロピー(isentropic)になり、Euler方程式(粘性応力を除
外するNavier−Stokes方程式の誘導形式)で処理される。
の期間にわたって(または、換言すれば、連続ガスパルスが、チャンバ圧力が変
化しないで留まるように)、システム中への流量(mass flow)は、システムから
出る流れレートとバランスしなければならない。すなわち、制御体積を、リアク
トル体積を収容するために規定する場合、チャンバに侵入する流量ρ*u*A* t は、チャンバを出る流量ρcSとバランスしなければならない。ここで、ρ* はチャンバ入口のガス密度であり、u*はチャンバ入口のガス速度であり、A* t は全オリフィス領域(A* t=NA*;N=オリフィスの数、A*=オリフィ
ス領域)であり、ρcはチャンバガス密度であり、Sは排出平面でのチャンバポ
ンプ速度である。
(C+Sinlet)と推定される。ここで、Cは、ポンプ入口とチャンバ出口
平面との間の流れコンダクタンス(チャンバの形状とこれらの2つの点の間の圧
力に依存する)であり、Sinletは、ポンプ入口でのポンピング(pumping)
速度、すなわちポンプ入口での流れ容積レートであってこれは入口圧力に依存す
る。C、SおよびSinletは、全て単位時間当たりのガス体積の単位である
。例えば、図14Bにおいてチャンバ出口平面は、注入板18’の平面であり、
ポンプ入口平面は、線21で現わされている。代表的な効率曲線(すなわちE=
S/Sinlet)は図3に示されている。連続限界において、平均圧力領域は
、チャンバを通して連続的パルスを“プッシュ(push)”する。
の、与えられたチャンバ圧力内で出る量に対する比率を示している。比率が1ま
たはそれ以下の値になった場合の状態は、連続限界におけるガス交換レートを規
定する。図4には曲線の2つの集団があり、実線で示された第1は、32cmの
基部直径、62cmの頂部直径、および17cmのチャンバ高さ、H、の寸法を
有する大きな半円錐チャンバにおけるガス交換用の比率値を示している。点線で
示された第2は、曲線の第1のセットに関連する寸法よりも2つ小さい因数の寸
法を有する半円錐チャンバにおけるガス交換用の比率値を示している。入口流量
に依存して、図4は、30%ほども変わる最小パルス幅を示している。この流量
変化は、高圧での改良された単にポンピング効率に帰される。6インチ基板用の
小さいチャンバにおいて、最小パルス時間は、1.5ミリ秒程度に短くできる。
チャンバにおけるガス交換レートを改良するためのガス注入の調整は、以下にお
いて議論する。
を指示する出口平面へ、チャンバを通って移動することが期待されている。すな
わち、それらの平均自由工程はチャンバ構造と比較して大きい。ガス分子は、衝
突なしでチャンバを通って基板に移動する場合、弾性的に基板表面と衝突し、そ
れがチャンバと離れた出口平面に跳ね返る最短の移動時間を有することが期待さ
れる。この状態は図2Bに示されている。この前提とともに、ガス分子の最小滞
留時間は、ほぼ2H/aであることが想定可能である。ここで、Hはチャンバの
高さであり、aは室温での音速である。これは、上記で規定された小さい方のチ
ャンバ用の0.6ミリ秒の推定最小滞留時間τrを与える。滞留時間を決定する
ために、DSMC手引きを使用して、滞留時間用の見込み分布関数(probability
distribution function)(PDF)を決定するためのいくつかの粒子の経路を
追従することが必要である。“いくつか”の粒子は、出来事(event)の統計的平
均を得るのに十分な数を意味している。
いるのではない。プラズマの存在において、中立流(neutral flow)に影響するい
くつかの第1のオーダー(order)が観察できる。プラズマの1つの重要な態様は
、チャンバ内でイオン搬送が直接的または間接的に中立搬送に影響するイオン中
立流ポンピングであろう。第1に、例えば、RFパワー適用によるイオン化可能
なガスの励起によって発生されたイオンは、プラズマから境界面に連続的に変化
するプラズマ電位傾斜(plasma potential gradient)に直接比例する静電気の適
用下で、壁に流れる(ここにおいて、主要な電位傾斜がシース(sheath)を交差し
て生ずる)。壁との衝突に際して、イオンは電子と再結合し、中立種を形成する
。したがって、中立粒子は効果的にイオン化され、静電気により壁へ搬送され、
それ故それらは再結合する。第2に、イオンが壁へ搬送されるにつれて、中立粒
子を出すために外方流れ運動量を交換でき、それ故、それらを外方へ再方向付け
するか、または本質的に中立粒子をポンピングする。しかしながら、両方のポン
ピング効果の意味は、チャンバ圧力およびより重要には平均自由工程に直接依存
する。この効果は、大きく単純化され、イオン化、解離、再結合、ガス過熱、壁
吸着、壁重合、等の効果を導くプラズマの複雑さの中のただ1つの効果を有する
。
理想的ケースからそれを増加する。しかしながら、上述の交換レートは、少なく
とも達成可能な最小可能滞留時間の提供を意味する簡単な物理学に基づいて合理
的に評価できる。要約すると、従来のチャンバは、τが10ミリ秒のレートのガ
ス交換の達成が可能である。処理体積の跳躍面でポンピング速度を最大化するた
めに適応された真空構造、および、ガス注入に向けられた高速用に実行する方法
を備えて、1ミリ秒(および多分サブミリ秒)動作を達成することが可能である。 ここで先に示唆したように、ガス注入システムが、ほぼ1ミリ秒の長さ、すな
わち、その間に各ガス種が導入される期間τがこの持続期間を有するガスパルス
を生成した場合、ガス注入システムの繰り返し操作の周波数、f=1/2τ、は
500Hzである。ガス注入システムに要求するこのことは、極めて実質的であ
るが、しかし、プラズマ実験用の超音波パルスガス注入の分野において達成され
てきた結果の観点から可能性がある。
およびパルス化されたガスシステムのガス力学、ガスパルス作動の方法、および
ガスバルブ構造の主要部の考慮を必要とする。以下の議論は、本質的にガス注入
システム用の構造の好ましい形状に関するが、それに替わる解決法もカバーする
。
ムの不安定な力学用にこの理解の適用可能性を考慮してほしい。第1に、その中
にガスが注入されるべき低圧環境は、限定されるものではないが、ほぼ1<Pc <1000ミリトールにわたり、ソースの全圧力は0.1<Pt<100トール
にわたる。全圧力は、注入板の後方にあるガス空間内のガスの滞留圧力、すなわ
ち、ガス速度が等エントロピー的に零に減少された場合のガス圧力である。全圧
力の用語は、一般に、静圧と動圧の合計を対象とする。これらの圧力範囲を横切
って、ガス力学は、局部的圧力のKnudsen数の依存と、先にも述べたよう
に、連続流から自由分子流への結果としての遷移とにより大きく変更でき、これ
は引き続く比較的大きいKnとなる。
(直径が0.5mm)を通るガス流は、流れが連続方法で行動し、また、Navi
er−Stokes方程式を使用してよく現わすことができる非常に多くの数の
衝突と遭遇する。さらに,Knudson数は十分に小さく、または、Reyn
old数は十分に大きく、連続オリフィス流は、等エントロピーとして考慮され
、続いてNavier−Stokes方程式すなわちEuler方程式の誘導さ
れた形に従う。
リフィスに出口を越えた周囲の圧力に対する入力全圧力比が十分に大きい場合、
オリフィスは、“チョークされた(choked)”状態に達する。チョークされた状態
において、体積流レート(volume flow rate)は、この場合チャンバ圧力であるバ
ック圧力(back pressure)(この分野でよく知られた用語)の更なる減少、または
、入力全圧力の増加のいずれかとともに不変である。事実、オリフィスを通る流
量は、入力全圧力の増加によってのみ増加でき、それ故ガス濃度に影響をおよぼ
す。もちろん、これは、スロート(throat)またはオリフィス領域の変更が維持で
きないことを推量する。 オリフィスがチョークされると、マッハ数(Mach number)(局部的音速に対する
局部的速さの比率)はオリフィススロート(最小断面領域)で1の値を呈する。一
定領域オリフィス用に、スロートは、摩擦効果のためのオリフィス出口平面を生
ずる。流れがスロートで一旦音速になると、領域内で増加を体験した場合に超音
速(M>1)に加速される(領域拡大中に減速する音速以下の流れと異なる)。
ィスを有している。この概略は、圧力領域定義変更のための配置を示していて、
ソースの全圧力Pt、オリフィススロート圧力P*、オリフィス出口圧力Pe、
およびチャンバ圧力Pcを有している。一定領域オリフィス(すなわち、発散部
分のない)のために、スロート圧力は出口圧力に等しい。
縦横比である。縦横比は、スロート(最小断面領域)の直径に対する最小断面領域
の部分の長さに関連する。一般的に、1より小さくて好ましくは1より大きくな
い縦横比を有することが望ましい。図5、8、9、および12は、そのような構
成の取り組みを示している。アクチュエータと拡張オリフィスとの間に延びる部
分がスロートの直径よりも大きい直径である限りにおいて、ガスパルスアクチュ
エータが、拡張オリフィス/ノズルから離間して配置されることに注目してほし
い。しかしながら、この部分が長くなればなるほど、ガス注入遅延時間が大きく
なる。
されている。明らかに、ガスは、注入長さの最後の20%を越えて音速状態(M
=1)に加速され、この拡張中の静圧の対応する低下を伴う。一定領域オリフィ
スと関連する条件下で、ガスは、真空チャンバ内のオリフィスの下流でのいくつ
か(5〜10)のオリフィス直径内の自由分子流への連続流から急激な遷移を受け
る。
て臨界圧力比を超える。したがって、スロート圧力または一定領域オリフィス用
出口圧力は、周囲のチャンバ圧力よりも非常に大きい。これは一般的に、拡張下
での状態として参照される。出口圧力が周囲のチャンバ圧力と等しい圧力一致状
態を達成するために、適切に構成された領域拡大または発散ノズルが使用される
。この状態は、低圧環境に入る一定に向けられたガスジェットの特性を表わす。
しかしながら、発散ノズルが使用された場合、ガス膨張によるKnの上昇が再び
遭遇される。それ故これは、遷移流効果を注目するために考慮可能である。
フィスを通るガス流の成長役割をし、最終的には、等エントロピーとして処理さ
れる領域は流れ領域内にはない。比較的低い圧力で、オリフィス内で起きる衝突
は、ガス流が、自由分子流の動作(behavior)を表わす範囲までより頻繁ではなく
なる。そして、連続方向(continuum sense)における包括的特性(macroscopic pr
operty)は、流れの行動をもはや適切に述べることができない。
ピーで連続動作がなされる比較的高圧で最も理解される。特に、比較的高い流量
レートが達成された場合、比較的高い全圧力すなわち500から1000scc
mおよびそれ以上の流量レートが得られる。これらの条件下での操作の本来の利
点は、基板の衝突に際し合体(coalesce)するために組織された、高度に管理的な
ガスジェットの生成である。さらに、出口平面で自由分子流に遷移するために構
成できる。この特性のガス注入構造は、比較的大きい搬送レートを可能にし、チ
ャンバガス交換レートを減少できる。
理と調和して使用された高圧ガス注入は、一般に、高い流量レートまたは処理量
(throughput)を必要とする。したがって、処理リアクトルの出口平面またはウエ
ハー平面でのポンピング速度を最適化し最終的に増加することが望ましい。これ
は、ポンプ入口と処理容積との間に大きなターボ分子ポンプおよび良好な真空構
造を有することによってなされる。さらなる改良は、改良されたポンピング方法
が開発されるにつれて可能になるであろう。
かしながら、パルスガス注入の概念がここで導入されてきた。比較的高い圧力で
、オリフィス流が等エントロピーである連続流として行動する場合、最小パルス
時間は、ガスが流れない状態から音速状態へ加速するために必要な時間の合計と
、膨張を受ける分子の十分な数の領域を確立するために必要な時間と、ガスパル
ス密度がパルスの開始と終了とで速度分散によって影響されないような十分に長
い時間とを超える(J.Chem.Phys.Vol.75、No.5(198
1)のSaenger,K.L.による“パルス分子ビーム:十分に展開された
超音波膨張用のパルス持続時間の下限”参照)。例えば、Ptが200トールで
、最小パルス時間は10μ秒のオーダーである。これは1から10ミリ秒よりも
十分小さい。
周波数が想起される現在利用可能ないくつかの方法がある。いくつかの例は次の
ものの使用である。すなわち、キャパシタが急速に放電される電磁バルブの使用
であり、Gentry&GieseによるRev.Sci.Instrum.、
Vol.49、No.5、p1888(1978)の、1μ秒パルス分子ビーム
ソースおよび急速イオン化検知器、に開示されていて;類似する目的のために修
正されてきた自動車燃料注入バルブの使用であり、KendallによるJ.V
ac.Sci.Technol.A、Vol.5、No.1(1987)の、残
留ガス分析装置のオンライン較正用パルスガス注入、Rev.Sci.Inst
rum.、Vol.51、No.8(1980)の、超音波ノズル実験に使用す
るためオン単純なパルスバルブ、およびBehlen等のChem.Phys.
Lett.No.60、p364(1979)に開示されていて;ならびに、圧
電電子バルブの使用であり、Cross&ValentiniによるRev.S
ci.Instrum.、Vol.53、No.1、p38(1982)の、高
反復レートパルスノズルビームソース、BatesおよびBurellによるR
ev.Sci.Instrum.、Vol.55、No.6(1984)の、プ
ラズマ物理実験用急速ガス注入システム、に開示されている。
)を有する10から100μ秒と同じくらい短いパルス持続期間を達成できる。
しかしながら、これらの値は、一般にかなりのノイズを生成し、高電流レベルを
切り換える複雑な高電圧電力供給装置を必要とし、寿命が短い。
て、使用が簡単であるけれども遅い。さらに、改変された自動車用燃料注入バル
ブ(パルス変調ビーム用に使用される)は、数百kHzを越えるPRRを達成で
きる。ここにおいて先に述べた電磁バルブは、しかしながら、貧弱なデューティ
ーサイクルを有するパルス用の比較的短い持続時間を達成できる。本発明による
処理においてほぼ50%のデューティーサイクルが望まれるので、パルス幅また
は持続時間は、求められているものである。したがって、商業的に利用可能な自
動車用燃料注入バルブの技術に基づいた注入バルブは、微粒子の発生を最小にで
き、50%デューティーサイクルを有する高PRRを達成し、そして低電圧電力
供給装置を必要とするので好ましい。 代表的には、最新式の圧電バルブは、200Hz以上の反復レートと3ミリ秒
より小さいパルス幅を有するパルス方法で操作できる。ガスパルスの上昇時間と
下降時間は、各0.1秒と0.25秒とを得ることができる。上述のBates
とBurrellは、超音波ジェットを生成するためにガスチューブを有する標
準的VeecoPV-10の圧電バルブを採用している。事実、上述のCros
sとValentiniとによって報告されたバルブは、パルス幅が100μ秒
程度に短い750HzのPRRで特定される。
イクロホンまたは圧力トランスデューサを有する注入システムの例を示している
。処理チャンバは、複数のそのようなシステムと組み込まれていて、各システム
は、図示したような高圧ガス供給ラインによって供給される。各ガス供給とその
関連する単一の注入システムまたは複数のシステムとの間に、ソース圧力または
流量を調整するための高応答圧力調整装置、および流量センサ(図示せず)が設
けられている。これらの構成要素は、処理チャンバの外側である。
小さいバルブプレナム(plenum)を供給する。プレナムは、バルブ操作に際し小さ
い注入ポート(port)に間歇的に曝される。マイクロホンと、圧力調整装置と、流
量センサとは、次いでこのフィードバックによりパルスレートと流量を制御する
コンピュータによって全て監視される。バルブ機構は、燃料注入バルブ、または
上記で参照したタイプのバルブの他のもののような電磁バルブである。ガスパル
スが低圧チャンバ内に拡大する前にその中を移動するガスラインは、滞留時間を
最小にするために長さが短くなければならず、また、薄層状の流れを確実にする
ために小さい直径を有していなければならない。このラインのガスパルス用の代
表的な滞留時間は、2cmライン用に0.08ミリ秒であり、これは、ラインの
長さに沿ったガス速度の逆数(inverse)を積分することによって決定される。よ
り一般的には、ラインは、0.5から2cmの長さを有していて、対応する直径
は0.5cmのオーダーであり、また、0.2から1cmの縦横比を有するオリ
フィスの直径は、0.5から1mmである。
以上のガスの適切な分布を可能にするために設けられなければならないようなバ
ルブ装置と関連する注入板を供えている。2つの独立したバルブを使用する2つ
のガスの交互用に、各バルブは、互いに位相を異にして180度で開成され閉成
される。 さらに、2つのガスバルブは、単一のガス注入ポートに結合でき、これは、図
9に示されたように、各バルブとバルブプレナムが各ガスAおよびB用に設けら
れている。図9はさらに、2つのガスAとBの流れを制御するためにバルブに供
給される閉成および開成制御信号の波形を示している。
おいて、ガスパルスバルブは、板の周りの種々の周囲部分に設けられ、ガスは、
機械加工されたチャンネルを介して板の内部に分布される。このアプローチは、
注入板の頂部にアクセスするための何らかの障害物がある場合にのみ応用可能で
ある。この配置を有する問題点は、ガスパルス開始から注入出口までの時間が長
くなることであって、それ故、注入ラインの入口から出口までのガスの滞留時間
は、パルス時間と同様のオーダーかまたは大きくなる。低圧チャンバに侵入する
パルスの時間にわたってある制御をするために、2つのガスのパルスは、ガスパ
ルスの“列(train)”を生成するために同一の注入ラインに交互に間に合うよう
に導入される。最悪の場合、2つの異なったガスAとBのパルスは、パルス開始
とチャンバ入口との間である程度のタイムラグを有して連続する。1つの利点は
、そのようなガス列が連続的ガス流を模写(mimic)することであって、これは、
特にガス特性すなわちガス定数、特定過熱比率などが類似している場合である。
ーレンス(coherence)に厳格である。換言すれば、移動距離が長くなればなるほ
ど、隣接するパルスのガス種間の拡散は大きくなる。2つのガスが最初互いに隣
接しているので、2つのガスパルスが注入ライン内へ連続して導入された場合、
2つのパルスに含まれたガスは、徐徐に互いの中へ拡散する。2つのパルスから
のガスが、互いの中へ拡散するガス流の方向の距離は、ガスパルス拡散長さとし
て知られている。拡散に加えて、各ガスパルスの空間的長さは、注入ラインから
の発生(emergence)まで注入ライン内で遭遇された加速流によって次第に増加す
る。先にすでに規定されたように、これらの注入流は激しくなく、したがって、
搬送は完全に分子拡散に依存する。しかしながら、分子拡散性の係数は、特にチ
ャンバの入口近傍において顕著にできるが、これは圧力に反比例する。この圧力
は、図6Bに示されたように、ガスが膨張するにつれて低下する。
は図10に示されている。直ぐに、δは境界層の発生(developing)と類似して増
加する。しかしながら、それは、分子拡散性の係数が顕著に増加した場合に、端
部に向かって画期的に変化する。比較的大きい流量または比較的短い滞留時間の
ために、相対的拡散長さδ/l(ここで、lは各ガスパルスの存在する空間長さ)
は、図11に見られるように、5%のような受入可能な限界以下に維持できる。
幅を有するコヒーレントなガスパルスを生成するために、ALE文献においてな
された作業と調和して、適切な条件下で実行可能である。 第3の変形例は、第2の変形例と同様に、第2の処理ガス、例えば、CF4の
搬送ガスとして、アルゴン(Ar)ガス流を使用する。すなわち、Arガス流は
、Arガス流内へのCF4ガスパルスの間歇的注入を有してチャンバへ連続的に
流れる。この場合において、Arガスは、チャンバ内に常に存在し、CF4は、
離れた時間間隔中にチャンバ内でArガスと混合される。
システムとして注目でき、ガスAとガスBとは各入力ライン内に連続的に流入し
、摺動バルブは2つのガス流を適切に再方向付けするために2つの端部間で振動
する。図12に示されたように、摺動バルブが一番左端にある場合、ガスAは排
出され、ガスBはチャンバ内に注入される。逆に、摺動バルブが一番右端にある
場合、ガスAはチャンバ内に注入され、ガスBは排出される。
供給を制御するためのシステムを示す概略線図である。2つのガス、AとBとは
高圧下においてガスリザーバの各部分に貯蔵され、ガスは各リザーバ部から複数
の圧力調節装置へ供給される。各調節装置に供給されたガスは、典型的には流量
センサを含む各流量制御装置を通って、各ガス注入システムの関連する入口に導
かれる。この実施例において、各ガス注入システムは、図9に示されたような形
状を有していて、図8に示されたような圧力トランスデューサによって補足され
ている。コンピュータ制御システムは、全部の流量センサからの流量信号と、全
部のガス注入システムからの圧力信号を受けるために接続されている。制御シス
テムはさらに、各圧力調節装置の圧力設定を制御するためと、各ガス注入システ
ムのバルブの開成と閉成とを制御するために接続されている。制御システムは、
調節装置の出口での所望のガス圧力を維持するために、また、ガス注入システム
を適切な周波数と位相関係で操作するために、この分野ですでに知られた原則に
従って構成されプログラムされている。制御システムが、圧力トランスデューサ
から圧力情報を受けるので、ガスの流量レートとガスパルスレートのフィードバ
ック制御は達成される。
れる。しかしながら、先にも述べたように、ガス流は、周期的なランプ関数(ram
p function)または正弦関数(sinusoidal function)を表わす波形に従って変調さ
れる。制御されたランプ関数は、ランプ関数に接近する増加ステップ(increment
al step)のシリーズにおいて流れレートを変えることによって生成される。これ
は、流量制御装置(図13に示されている)をランプ関数の特質と関連された方
法でステップするか、または、超音波注入用の調整可能なスロート領域であるガ
ス注入オリフィスの開成と閉成をステップするかのいずれかによって実行できる
。前者の場合において、各ステップの時間的持続期間は、100ミリ秒を超える
。後者の場合、各ステップは、100ミリ秒よりも小さい持続期間を有する。ラ
ンプ関数を発生する付加的な手段は、緩慢(slow)応答EMまたは圧電バルブを使
用することであり、与えられたパルス用の上昇時間は1から100ミリ秒のオー
ダーである。このアプローチは、制御しにくいという欠点を有しているが、装着
するのがかなり簡単にできる。同様のアプローチは、正弦応答(すなわち、Sl
oppyの“矩形”波)用に行なわれる。
9に示されたようなガス注入システムの使用を伴う第1の解決方法と、図12に
示されたような多分第4の解決方法は、現在において好ましい。それは、パルス
波形、パルス幅、パルス周波数および流量の必要で活発な制御を提供するために
、これらがより容易に構成できることが信じられているからである。
タイプのガス注入板に設けることができる。そのような板は、RFプラズマに直
面する板を冷却するための冷却チャンネルを含んでいる。さらに、いずれの図面
にも示されていないけれども、注入システムノズルは、注入板に形成されてもよ
く、公知の方法で機能的に冷却されてもよい。しかしながら、ノズルの機能的冷
却は、各ノズルでのガス膨張によって生成される冷却の観点から必要ではないか
もしれない。
ッチング(PME)リアクトルとして構成される。そのようなリアクトルの実施
例を、反応チャンバコンダクタンスを改良するこれらの特徴を強調してこれから
述べる。それらの内の2つの実施例が図14Aと14Bとに示されている。これ
らの2つの実施例は、ガスの注入と排出の取り扱いにおいてのみ、他のものとは
異なる。これらの実施例は、Johnsonによって米国を指定して、「インピ
ーダンス減少チャンバ」の表題で1999年4月12日に出願された出願中の普
通に所有されている国際出願PCT/US99/0762に開示されている態様
を組み込み、その開示をここで参照して取り込む。
ク(load lock)4を装着された円錐状の下端部を有する逆半円錐状の処理チャン
バを収容するハウジング2を備えている。基板は、代表的には、ウエハー8の形
状であり、その上面はエッチングされるようになっている。チャック6は、ウエ
ハー8の交換を可能にするために、また、プラズマ領域の底部をシールするため
に垂直移動(translation)用に設けられている。ハウジング2は円錐状の形状を
有し、変調されたRF電流を受けるために接続されている複数回巻回された螺旋
コイル14によって取り囲まれている。RF電流は、ハウジング2によって囲ま
れた円錐状の処理領域にRF領域を発生する。ハウジング2は、この分野で知ら
れた原則に従って、処理領域を電磁気的にシールドするために構成されている。
ハウジング2はさらに、処理領域の頂部の処理ガス注入アセンブリ(assembly)1
8、18’と、処理ガス注入アセンブリ18の上方に配置された排出ポンプアセ
ンブリ20とを有している。ポンプアセンブリ20は、詳細には示されないが、
適切なターボ分子ポンプによって公知の方法で構成される。各図は、第1の半サ
イクルのスタートの瞬間を示していて、CF4ガスは、処理領域内にポンピング
され、Arガスは外へポンピングされる。
置された注入板を備えている。使用されたガスおよびエッチングされた製品は、
注入板とハウジング2の壁との間の環状の領域を通して上方へポンプアセンブリ
20に排出される。 図14Bに示された実施例において、アセンブリ18’の注入板は、処理領域
を完全に横切って延びていて、処理領域の上部境界を一様に横切るのにいずれも
貢献する注入ポートと排出ダクトとを有している。 これらの各実施例において、処理されるべき基板は、逆半円錐状の基部に配置
されている。注入板は、チャンバの頂部に配置されている。
Bとに示されている。図15Aにおいて、20個の小さい注入オリフィスがあり
、これらはそのスロート(throat)でほぼ1mmの直径であり、図5に示されたよ
うな発散ノズルの入口端部である。板18に設けることができるオリフィスの数
は、20個に限定されない。板18はさらに、ノズルの内部配列を取り巻く4つ
の大きいポンピング象限が設けられている。図15Bに示された第2の注入/排
出板は、注入ガスと排出ガスとの間の相互作用を最小にし排出ダクト領域を最大
にする意図をもって、プラズマソースの頂部を横切って注入ポートと排出ダクト
とを一様に分布する。これらの実施例は、12インチウエハー処理または構造的
に類似する他の変形用に寸法を定めることができる。
例は、図16A、16Bおよび16Cに示されている。3つの全ての構造におい
て、ガス注入は、基板およびチャックすなわち基板ホルダーに対向して行なわれ
、また、真空ポンプはチャックを取り囲む環状の領域を通って処理容積にアクセ
スする3つの全ての実施例において、コイル14はハウジング2の頂部部分を取
り囲む。このように、処理領域またはプラズマソースは、ハウジング2の頂部部
分に配置されている。3つの構造間での唯一の相異は、コイル14の形状、従っ
て処理領域である。容積構造は、16Aに示されたような円筒状の構造、図16
Bに示されたような円錐台状の構造、および図16Cに示されたような半球状の
構造図を有している。
する。高いKnudson数限界で、チャンバのコンダクタンス(conductance)
を改良するために、内面領域に関して可能な限り大きい出口領域を有することが
望ましい。さらに、ガスが頂部からチャンバに注入されチャンバから排出された
場合、図2Bに示されたように、単一跳ね返り(single bounce)原子/分子動作
が生じる大きな可能性がある。これと対照的に、自由分子形態(regime)において
操作する従来のリアクトルは、チャンバを出るために原子/分子用に少なくとも
2回の壁衝突を必要とする。低いKnudson数限界で、連続流と関連して、
側壁の傾斜は、チャンバの底部と側壁との間に形成されたコーナー内で流れの分
離を伴わないで、概略的に図2Aに示されたように流れを促進する。さらに、傾
斜した側壁は、表面的に円形の円筒状チャンバ構造の容積を最小にする。
ング容量の増加がガス交換時間を付加的に改良する。チャンバに隣接した500
0リッター/秒のポンプの配置、または、チャンバ上へのいくつかの1500リ
ッター/秒のポンプの配置は、ポンプ科学技術の包絡線を後押しできる。最後に
、その開示をここで参照して取り込むが、Dandl等によって米国を指定して
、「プラズマ真空ポンピングセル」の表題で1999年6月29日に出願された
出願中の普通に所有されている国際出願PCT/US99/12827に開示さ
れているように、増加されたポンピング達成が期待される。
ために、高いコンダクタンスチャンバにおいて、調整されたガス注入技法を従来
のポンピング能力に結合する。本発明によるPMEリアクトルの1つの実務的実
施例は、図17Aにその側部立面図が、図17Bにその平面図が、図17Cにそ
の端部立面図が示されている。図17Aと図17Cから明らかなように、この実
施例の構成要素は、リアクトルを製造設備内のあらゆる所望の位置にもたらすこ
とができるためにローラに設けられた支持フレームによって運ばれる。リアクト
ルの個々の構成要素の全ては公知であって、それ自身この分野ですでによく知ら
れた原則に基づいて構成できるか、またはここで開示されているかのいずれかで
ある。
2と、ウエハー取り扱いシステム34と、図2Aと2Bに関連して上述したよう
に垂直移動用に設けられ自己バイアスを生成するためにRFパワーが適用される
垂直に移動可能なチャック36と、自由走行オシレータ(free running oscillat
or)(FRO)と、多分インピーダンス整合ネットワーク(match network)を有し
プラズマソースコイル用にRF流を生成するソースパワー供給装置38と、ソー
ス30上の中間真空チャンバ40と、ターボ分子ポンプ42と、ソース30とポ
ンプ42上の板44と、線形移動バルブ46と、板44上の排出ガス流領域48
とから成る。バルブ46は、バルブ46がポンプ42上で板42の開口をブロッ
クする完全に閉成された位置と、バルブ46が板44の開口から最大の距離であ
る位置にある完全に開成された位置との間の位置の範囲を越えて移動可能である
。このようにして、バルブ46は、板44の開口部によって形成された排出ガス
流経路と、排出ガス流領域48を通って流れるガスのレートを制御するために操
作可能である。リアクトルはさらに、適切な処理ガスおよび冷媒供給カップリン
グ(図示せず)を有している。
F発生器からのパワー移動を最大化するための整合ネットワークである別個の装
置49によってチャック36に適用できる。 ソース30は、この分野の標準的慣例に従って、FRO38によって生成され
た(または、整合ネットワーク38により従来のソリッドステートRF発生器に
よって同等に生成された、または、個々のRF信号励磁機および整合ネットワー
ク38によるRFパワー増幅器によって最後に生成された)RF流を受けるため
の螺旋コイル50と、静電シールド32と、図15Aと15Bとに示された一方
の形状を有するガス注入アセンブリ(図示しない)とを備えている。
であり、プラズマソース30に隣接して設けられ、中間真空チャンバ40と排出
ガス流領域48を介してプラズマソース30に接続されている。現在入手可能な
5000リッター/秒のターボ分子ポンプが上下逆に向けられないので、この据
え付け配置が選択される。
方を備えていて、後者は、中間真空チャンバ40を介してポンプ42と連通して
いる。このように、ガス注入アセンブリと排出オリフィスの両方は、プラズマソ
ース30によって取り囲まれた処理領域を中間真空チャンバ40から分離する。 第2の実施例は、いくつかの比較的小さいターボ分子ポンプを中間真空チャン
バの上方に採用することができる。
の表題で1998年12月30日に出願番号06/114,453号として米国
予備特許出願された出願中の代理人整理番号第71469/238073、およ
び、先に引用した国際出願PCT/US99/12827に開示されている。こ
の実施例は、改良されたポンピング効率と空間利用を提供する。
る実際的実施例を示している。図18に示されたリアクトルの多くの構成要素は
、図17A、17Bおよび17Cに示されたこれらのものと同一である。これら
の構成要素は、図17A、17Bおよび17Cで採用された参照符号によって識
別され、再度記述はしない。
構成要素は、リアクトルを製造設備内のあらゆる所望の位置にもたらすことがで
きるためのローラに設けられた支持フレームによって運ばれる。 プラズマソース30の頂部は、ガスライン入口62が装備されたガス注入/排
出板60によって限界が定められている。図17の実施例は、ガス注入/排出板
とガスライン入口とともに装着することができるけれども、これらは図17にお
いて特に識別されていない。
のターボ分子ポンプ64の配置によって図17のものと異なっている。ターボ分
子ポンプ64は、ゲート入口バルブ66と変移(transition)ダクト68とによっ
て板60から分離されている。 図18に示されたリアクトルの好ましい実施例において、ターボ分子ポンプは
、単一の3000リッター/秒ポンプであり、図17の5000リッター/秒ポ
ンプに替わるものである。
と、チャック36に関連するリフトピン72とがある。この分野の従来のように
、ベローズ70は、チャックの垂直移動を可能にするけれども、プラズマソース
30によって取り囲まれた処理領域はシールされたままに維持されるのを保証す
る。この分野で同様に慣例的なリフトピン72は、ウエハー取り扱いアセンブリ
34によって処理領域から取り除くために、ウエハーを静電チャック36から持
上げるのに操作される。
アクトルに利用することができる注入/排出板の3つの可能な実施例を示す平面
図である。 図19Aにおいて、板80は、ポンプ64と連絡する真空戻しポート84の列
を含む中央領域を取り囲んだガス注入ポート82のいくつかの集中的列が設けら
れている。境界86は、ポート82によって占められた領域をポート84によっ
て占められた領域から分離する。 図19Bは、真空戻しポート94の丸い列によって取り囲まれたガス注入ポー
ト92の列を有する板90を示している。境界96は、注入ポート92によって
占められた領域を戻しポート94によって占められた領域から分離する。この実
施例において、ポンプ64と連絡する戻しポートは、比較的大きい直径を各有し
ている。
戻しポート104とともに実質的に点在されている。ガス注入ポート102は、
真空戻しポート104のリングに替わるガス注入ポート102のリングを有し、
真空戻しポート104のように、複数の円形の集中的リングを形成するために配
置されている。ここで先にも述べたように、プラズマソースに供給されたRFパ
ワーの振幅は、特定の処理に望ましいプラズマ状態を生成するために変調される
。例えば、本発明によれば、RFソースパワーは、例えば、チャンバ内のCF4 とArガスの交換と同期して“低(low)”パワーレベルと“高(high)”パワーレ
ベルとの間で変調される。しかしながら、パワーレベル調整とガス交換との間の
π輻射(radiant)と比較して小さい位相シフトがある。
インピーダンスを変更する時間を整合する能力によって制限され、またそれ故、
100%のパワー伝達を維持する。キャパシタを調整するために機械的装置に使
用する従来のRF整合ネットワークは、1%以内の正確さでRFパワーパルスを
規定するために100ステップを想定する2〜5秒の制御されたパルス幅のみを
得ることができる(最速整合ネットワークの応答時間は、250から500ミリ
秒に達する)。ガス交換レートに関連して先に議論したように、RFソースパワ
ーの変調は、ガス滞留時間(またはガス交換時間)と比較可能なパルス幅を有して
操作するためである。これは、現在の整合ネットワークの能力を確実に超える1
〜10ミリ秒の時間尺度でRFパワーソースをパルス化する可能性を必要とする
。
込むが、「誘導的に結合されたプラズマを発生するための無線周波数パワーソー
ス」の表題で1999年7月13日に特許出願番号60/143548として米
国予備特許出願された出願中の代理人整理番号第251105に開示されている
ような、自由走行オシレータ(FRO)を使用することによって得られるであろ
う。RFパワー供給装置は、負荷共振(resonant)周波数の変化に応じて入力RF
周波数を自動的に変調する自由作業オシレータを組み込む。FROの使用は、整
合ネットワークとソリッドステートRFパワー供給装置の必要性を除去し、それ
らをプラズマソースに占められた(local)RF部分と、離隔して配置されたDC
パワー供給装置とで置き換える。RFパワー、圧力、温度、流量、および/また
は、ガス種によってプラズマ状態がESRFソースに変わるので、RF周波数(
またはオシレータ周波数)は、プラズマソースの自然周波数の変化に応じて変調
する。これには、提案された解決方へのいくつかの利点があり、それは、信頼性
、反復可能性、速度、パルス能力、および、プラズマ状態の診断として監視する
周波数の使用である。
安定するためにガス/プラズマ用の時間に限定される。これは、運転状態中で何
十μ秒であり、開始状態中で1ミリ秒ほどの高さである。FROが、運転状態と
開始状態の両方における機械的調整を全く必要としないという事実は、入力RF
パワー供給装置の応答において付加的遅滞が全くないことを意味する。それ故、
FROは、零と一定のパワーレベルとの間、および各30μ秒および50μ秒の
上昇および下降時間を有するパワーの異なったレベルで、RFパワーをパルス化
する能力を実証する。2から5秒の持続時間または幅を有するパルスの生成が可
能な整合ネットワークを有するソリッドステートパワー供給装置と異なり、FR
Oは、3から5ミリ秒の一時的なパルス幅を有するRFパワーパルスを生成でき
る。さらに、パワーの異なったレベル間でパルス化するためのFROの能力は、
複雑なマルチレベル、時間との周期的または非周期的依存を使用してRFパワー
の変化を可能にする。
を制御するための可変電位グリッドを備えた電子管を有するオシレータを備えて
いる。これらの全ての構成要素は、螺旋コイルによってプラズマソースに誘電的
に結合されている。結果としての振動の持続性は、帰還電圧のゲインが単一より
も大きいか否かに依存する。プラズマの状態が変化するにつれて、帰還によって
電位が電子管を横切り、そしてそれに続いて電子管は振動周波数を自己変調する
。
パルス化操作達成の1つの方法は、電子グリッド電位をパルス化することである
。この方法とともに、各30μ秒および50μ秒のパルス上昇および下降時間が
得られる。第2の方法は、B+パワー供給をパルス化する。このパルス化は比較
的高いパワーであるが、パルス上昇および下降時間が比較的短く、反復レートが
比較的高くできる。
分布するのに現在好ましいシステムであり、これは以下に述べられる。これは、
500Hz以上に高いレートでパルス処理することを可能にし、RFパワーレベ
ルまたはプラズマ密度の制御用に強固なシステムを提供する。プラズマ密度制御
は、プラズマ密度の測定と測定されたプラズマ密度値の帰還を必要とする。 より高価に見える他のアプローチは、周波数の帰還制御用の位相/量検知器と
ともに周波数が機敏な(agile)RFパワー発生器を使用する必要がある。このよ
うにして、RFパワーは変調できるのに対して、最大パワー移動は、RF周波数
を変えることによって維持される。このタイプの発生器は、1997年11月1
8日にHanawaに対して発行された米国特許5,688,357号に記載さ
れている。しかしながら、本発明によるシステム用に、すでに存在する増幅器の
位置にパルス変調されたRF増幅器を含むように修正され得る。
ートRF発生器またはRF信号励磁器、および、各パワーレベル用に構成された
プリセットキャパシタ設定を有する整合ネットワークとともにパルス化パワーの
可能なRF増幅器を使用することである。キャパシタ設定が固定されるので、パ
ルス時間は機械的構成要素の応答に制限されない。第1の例は、プリセットキャ
パシタ間での切り換えが可能なスイッチを備えている。そのようなシステム用の
第2の例は、共通の励磁機、共通の励磁機信号出力間の位相シフター(phase shi
fter)、2つまたはそれ以上のRF増幅器、特定のパワーレベル用に構成された
2つまたはそれ以上のプリセット整合ネットワーク、および、プラズマソースを
取り囲む2つまたはそれ以上の誘電コイルを備えることができる。例えば、2つ
のパワーレベルが選択された場合、一連の連続したRFパワーを生成するために
位相を異にして、2つのパワー増幅器が180度(degree)操作される。しかしな
がら、信号間の位相差および各信号のデューティーサイクルは変えられる。両方
の場合において、正確なインピーダンス整合は、整合ネットワークの固定された
特性のために達成できない。しかしながら、反射されたパワーが受入可能である
場合、前方へのパワーは、増幅器からの全パワー出力を増加することによって、
所望のレベルに増加する。
べたような方法を備え、ガス種の変更を制御するための方法をここで述べる。ガ
ス種としてCF4およびArを使用するエッチング処置は先に述べた。変更され
るべき2つのガス種は、ここにおいてより一般的にAおよびBとして識別される
。しかしながら、ある処置のために、2つ以上のガス種および対応するRFサイ
クルができることを理解しなければならない。このことは以下により詳細に述べ
る。 図20A、20Bおよび20Cは、増幅の例と3つの一時的に変調された処理
構成要素の相対的位相を示す線図である。すなわち、ガス種が図20Aに、RF
ソースパワーが図20Bに、およびチャックに適用されるRFバイアスパワーが
図20Cに示されている。ガス交換パルス周期Tgは、各RFソースとチャック
バイアスパワー周期TRF−SおよびTRF−bに、少なくともほぼ等しいこと
が想定される。しかしながら、一般的に、これは常に正確である必要はない。
2つのガスの半サイクルの各パルス幅はτAとτBであり、2つのガスの各流量
レートはFAとFBである。 同様に、図20Bにおいて、RFソースパワーサイクルはその周期、TRF− S 、によって規定され、各RFソースパワーサイクルの2つの半サイクルの各増
幅はPA1とPB1であり、各RFソースパワーサイクルの各半サイクルの各パ
ルス幅はτA1とτB1であり、各RFソースパワー半サイクルの各位相は各ガ
ス種の半サイクルに関してφA1とφB1である。
示していて、それらは、RFバイアスパワーサイクル周期、TRF−b、各RF
バイアスパワーサイクルの2つの半サイクルの各増幅PA2とPB2、各RFバ
イアスパワーサイクルの半サイクルの各パルス幅τA2とτB2、および、各ガ
ス種半サイクルに関するRFソースパワー半サイクルの各位相φA2とφB2で
ある。
ス流の変調は、チャンバ状態の変更、および/または、処理要求に依存する変更
周期性を有することができる。図20Dは、そのような変調パターンの1つの例
を示していて、反復周期τ1を有するパルスがその間に提供される第1の時間間
隔T1、反復周期τ2を有するパルスがその間に提供される第2の時間間隔T2 、および、その間に変調がない第3の時間間隔T3からなる。そのようなパター
ンは、エッチングまたは蒸着処理がいくつかのステップから成る多くの応用にお
いて有利である。各ステップは、時間間隔T1、T2、T3の各1つなどに関連
する。各ステップは、異なったチャンバ状態、処理端点に先立つエッチングレー
トの可能な減少のような異なったエッチングレート用の要求、エッチング処理の
異なった選択性等に関連する。
型コンピュータは、データベースから、電気システムからの元の場所の診断、お
よび/または、所望のエッチングレート、選択性、特徴態様変数、等を含む予め
蓄積された処理データを受け、また、最適処理結果を達成するための大きな変数
空間を調整するニューラルネットワークを採用することが有用である。複数変数
統計的分析用のニューラルネットワークの使用は、文献でよく立証されている。
ることが想定されてきた。これは1から10ミリ秒であろう。しかしながら、ガ
スとRFパワーのパルス化は、この時間尺度に制限される。これらは例えば1ミ
リ秒に調整される。ガスがこの時間間隔において完全に交換できず、それ故、ガ
スパルス化に関するRFパワー応用に位相整合することによって調整できる遅延
時間があることが生ずる。これは単に1つの例に過ぎない。位相シフトは、非常
に高いパルスレートでの非最適状態の観点から、処理を最適の状態にするために
変調することを可能にする。
構成要素は、Pijおよびφij等によって表わされる。ここで、“i”と“j
”は、ガス構成要素と処理構成要素とを各表わす。各変数は、標準的には経験に
基づいてセットされ、処理結果の観察に基づいて変更できる。例えば、以下にお
いて議論されるプラズマ密度監視、または、本来の場所の放射分光学は、これら
の変数を調整するために、システム較正要素への帰還によりリアルタイムな制御
を提供するために採用できる。
布を制御するために、チャックに適用されるRFバイアスパワーの変調とともに
結合されている。イオンエネルギーは、基板に存在し、プラズマシース(sheath)
を横切って基板内に陽イオンを加速するために駆動ポテンシャルを与えられたD
C自己バイアスに直接関連する。 RFパワーが、結合キャパシタにより基板を保持するチャックに適用された場
合、DC自己バイアスは、電子の可動性とプラズマシースを横切る陽イオンにお
ける差の結果として開始する。DC自己バイアスを発生するためのメカニズムお
よび技法は、この分野で既によく知られている。
i)RFパワーの振幅の変調、(ii)パルス較正要素間の位相の変調、および
(iii)RF信号内の調波成分の変調である。それぞれの意味は、以下に提起
される。 振幅の一時的変調とチャンバ内のガスの交換に関連するチャックに供給された
RFバイアスパワーの位相は、振幅の一時的変調とRFソースパワーの位相に関
して上述したのと類似した方法で実現される。RFソースパワーと同様に、自由
走行オシレータ(FRO)がRFパワーをチャックに供給するために採用できる
。
スを制御する本質に考慮が与えられなければならない。酸化エッチングにおいて
、一般に、現在利用可能なプラズマリアクトルが、ウエハーRF駆動と、プラズ
マシースのインピーダンスを大規模以上によって越える接地との間の回路インピ
ーダンスを呈することが信じられている。そのような高インピーダンスレベルは
、有効なプラズマシース制御の達成を阻止する。十分低いインピーダンスを有す
るプラズマリアクトル構造は、先に引用した出願中の国際出願PCT/US/9
9/07962に開示されている。
電極(すなわちチャック)との間のインピーダンスは、いくつかの較正要素に貢
献する。リアクトル構造は、チャックとその支持部を取り巻くベローズを通過し
て、チャックからチャンバ壁に延びたスポークを外壁の上へ通過して、プラズマ
ソースを通過して注入板へ、チャックから接地への電気経路を必要とする。これ
は、先に引用した出願中の国際出願PCT/US/99/07962に開示され
ている。図14Aと14Bに示されたリアクトル構造は、上記電気経路のいくつ
かの較正要素、例えば、チャンバ壁、ベローズおよびチャンバ底部のスポークを
省略する。チャックは、プラズマソース底部に直接隣接して配置されていて、チ
ャックは事実リアクトルの底壁として役立つ。チャックは、ウエハーを受容し供
給するために、垂直に下方の負荷ロックチャンバ内に移動でき、次いで垂直上方
へ移動しプラズマソース基部のように役立つその走行位置内にロックできるよう
に、上下に移動するために構成されている。いくつかのリアクタンスの省略によ
るチャンバインピーダンスの減少によって、プラズマシースの制御はより実用に
合うようになる。
の達成が可能なFROを使用した矩形波の形状におけるRF振幅の変調は、先に
も既に述べられた。しかしながら、最終的目的は、RF振幅の制御に類似した方
法でプラズマ密度を制御することである。これはRF振幅を変調する制御システ
ム用の帰還を提供するためのプラズマ密度の監視を必要とする。 パルスガス注入とRFパワーレベルとに加えて、本発明によるプラズマ処理操
作は、処理チャンバ圧力を、一方のガスまたはパワーレベルパルスから、他方の
またはそのような各パルス中に変えることを同様に有する。
の分野の当業者は、本発明の新規な教示と利点から多くの変更が可能であること
を容易に評価する。したがって、そのような変更は本発明の目的内に含まれるよ
うにいとされている。
示す拡大された正面図である。
示す拡大された正面図である。
ガスの流れのパターンを示す概略図である。
ガスの流れのパターンを示す概略図である。
ある。
ある。
ある。
る。
る。
概略図である。
概略図である。
図である。
図である。
断面図である。
断面図である。
断面図である。
る。
る。
である。
施形態の、部分的に断面が示された側面図である。
トル装置の構成部品としても夫々に使用され得る注入/排出面の実施形態の平面
図である。
トル装置の構成部品としても夫々に使用され得る注入/排出面の実施形態の平面
図である。
トル装置の構成部品としても夫々に使用され得る注入/排出面の実施形態の平面
図である。
己バイアスの発生を示す信号図である。
Claims (26)
- 【請求項1】 リアクトルチャンバの基板にプラズマアシスト処理を施すための
方法であって: 少なくとも1つの処理ガスをリアクトルチャンバ内に導入し; チャンバ内でRF電磁場を確立し、電磁場を処理ガスと相互作用することによ
ってリアクトル内でプラズマを生成し; 各エネルギーレベル値が基板の各異なった処理プロセスの実行と関連されるよ
うに、電磁場が、いずれもプラズマを維持するのに十分な少なくとも2つの値間
で周期的に変化するエネルギーレベルを有するようにし; 各エネルギーレベル値は、基板への各異なった処理プロセスの実行と関連付け
られている方法。 - 【請求項2】 前記エネルギーレベルを有するようにするステップにおいて、電
磁場のエネルギーレベルは非矩形波関数にしたがって変化される請求項1記載の
方法。 - 【請求項3】 前記エネルギーレベルを有するようにするステップにおいて、電
磁場のエネルギーレベルは正弦関数、ランプ関数、またはステップ関数にしたが
って変化される請求項1記載の方法。 - 【請求項4】 前記エネルギーレベルを有するようにするステップにおいて、電
磁場のエネルギーレベルはそれぞれがプラズマを維持するのに十分な少なくとも
3つの値の間で変化される請求項1記載の方法。 - 【請求項5】 前記エネルギーレベルを有するようにするステップにおいて、電
磁場のエネルギーレベルは各異なった時間間隔中に各異なった反復周期を有して
周期的に変化される請求項1記載の方法。 - 【請求項6】 処理チャンバ内でガス圧力の周期的変化を維持することをさらに
備えた請求項1記載の方法。 - 【請求項7】 第1の時間周期中に第1の処理ガスをリアクトルチャンバ内に導
入し、第1の時間周期に続く第2の時間周期中に第1の処理ガスとは異なった成
分を有する第2の処理ガスを導入することをさらに備えた請求項1記載の方法。 - 【請求項8】 他方の処理ガスをリアクトルチャンバ内に導入する前に、先に導
入された一方のガスの実質的に全体をリアクトルチャンバから引き出すことをさ
らに備えた請求項7記載の方法。 - 【請求項9】 周期的に変化するために前記電磁場を生ずるステップは、第1の
時間周期のほとんどの部分中において2つの値のうちの第1の値と、第2の時間
周期のほとんどの部分中において2つの値のうちの第2の値を有するためのエネ
ルギーレベルを生ずるためにもたらされる請求項8記載の方法。 - 【請求項10】 第1の処理ガスを導入するステップと第2の処理ガスを導入す
るステップとは、周期的方法で反復される請求項9記載の方法。 - 【請求項11】 各時間周期は、100ミリ秒よりも短い持続期間を有する請求
項10記載の方法。 - 【請求項12】 基板は、チャックに設けられたウエハーであって、RFバイア
ス電圧をチャックに適用することをさらに備えた請求項11記載の方法。 - 【請求項13】 前記RFバイアス電圧を適用するステップは、RFバイアスを
周期的に2つの値の間で変化することを備えた請求項12記載の方法。 - 【請求項14】 RFバイアス電圧は、RF領域強度の周期的変化と同時に変更
される請求項13記載の方法。 - 【請求項15】 前記第1の処理ガスを導入するステップと第2の処理ガスを導
入するステップにおいて、各処理ガスは、非矩形波関数にしたがって変化する流
れレートで導入される請求項10記載の方法。 - 【請求項16】 前記第1の処理ガスを導入するステップと第2の処理ガスを導
入するステップにおいて、各処理ガスは、正弦関数、ランプ関数、またはステッ
プ関数にしたがって変化する流れレートで導入される請求項10記載の方法。 - 【請求項17】 第2の時間周期に続く第3の時間周期中に、第1と第2の処理
ガスのそれぞれとは異なった成分を有する少なくとも第3の処理ガスを導入する
ことをさらに備えた請求項7記載の方法。 - 【請求項18】 処理チャンバのガス圧力の周期的変化を維持することをさらに
備えた請求項7記載の方法。 - 【請求項19】 基板にプラズマアシスト処理を施すためのリアクトルであって
: プラズマ領域を取り囲むチャンバと; 処理ガスの供給をプラズマ領域内に分布するために、プラズマ領域に直接隣接
したガス注入アセンブリと; プラズマを生ずるために処理ガスと相互作用するRF電磁場をプラズマ領域に
生成するための手段と; 基板をプラズマ領域と連絡してチャンバに支持するための支持部材と; 選択された真空圧力をプラズマ領域で維持するレートで処理ガスを引き出すた
めにプラズマ領域と連絡する真空ポンプと; を備え、 前記ガス注入アセンブリは:複数のガス注入ノズルを設けられたガス注入板と
;ガスを供給するために前記ノズルの少なくとも1つに各接続された複数のガス
注入バルブと;前記各ノズルに供給される処理ガスを間歇的方法で生ずるために
前記バルブに接続されたバルブ制御手段とを備えているリアクトル。 - 【請求項20】 ガス注入アセンブリは、第1の時間周期中に第1の処理ガスを
前記チャンバ内に導入し、第1の時間周期中に続く第2の時間周期中に第1の処
理ガスとは異なる成分を有する第2の処理ガスを導入するために操作される請求
項19記載のリアクトル。 - 【請求項21】 前記バルブ制御手段は、各処理ガスをパルスの形態で前記チャ
ンバ内に導入するために操作される請求項20記載のリアクトル。 - 【請求項22】 前記各注入バルブは、電磁装置または圧電装置である請求項1
9記載のリアクトル。 - 【請求項23】 前記各注入バルブは、ガスを前記ノズルの単一の各1つに供給
するために接続されている請求項19記載のリアクトル。 - 【請求項24】 前記各注入バルブは、ガスを前記ノズルの各複数に供給するた
めに接続されている請求項19記載のリアクトル。 - 【請求項25】 前記各注入ノズルは、超音波注入ノズルである請求項19記載
のリアクトル。 - 【請求項26】 ガス注入板は、処理ガスがそこを通ってプラズマ領域から前記
真空ポンプへ流れる複数の排出オリフィスをさらに設けられている請求項19記
載のリアクトル。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14917799P | 1999-08-17 | 1999-08-17 | |
US60/149,177 | 1999-08-17 | ||
PCT/US2000/021667 WO2001012873A1 (en) | 1999-08-17 | 2000-08-09 | Pulsed plasma processing method and apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003507880A true JP2003507880A (ja) | 2003-02-25 |
JP4819267B2 JP4819267B2 (ja) | 2011-11-24 |
Family
ID=22529101
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001516957A Expired - Lifetime JP4819267B2 (ja) | 1999-08-17 | 2000-08-09 | パルスプラズマ処理方法および装置 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7166233B2 (ja) |
EP (1) | EP1214459B1 (ja) |
JP (1) | JP4819267B2 (ja) |
KR (1) | KR100750420B1 (ja) |
CN (1) | CN100371491C (ja) |
AT (1) | ATE420454T1 (ja) |
DE (1) | DE60041341D1 (ja) |
TW (2) | TWI267562B (ja) |
WO (1) | WO2001012873A1 (ja) |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004531903A (ja) * | 2001-06-29 | 2004-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体処理のための方向付けられたガスの射出装置 |
WO2009116576A1 (ja) * | 2008-03-21 | 2009-09-24 | 三井造船株式会社 | 原子層成膜装置 |
JP2010515264A (ja) * | 2006-12-29 | 2010-05-06 | ラム リサーチ コーポレーション | ウエハ端部の処理方法及び処理装置 |
JP2013535074A (ja) * | 2010-06-11 | 2013-09-09 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 基板プラズマ処理技術 |
JP2014112697A (ja) * | 2014-01-15 | 2014-06-19 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
KR20150009437A (ko) * | 2013-07-16 | 2015-01-26 | 가부시기가이샤 디스코 | 플라즈마 에칭 장치 |
JP2015503224A (ja) * | 2011-11-15 | 2015-01-29 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマ処理システムにおける不活性物優勢パルス化 |
JP2015503223A (ja) * | 2011-11-15 | 2015-01-29 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | ハイブリッドパルス化プラズマ処理システム |
JP2015505421A (ja) * | 2011-12-28 | 2015-02-19 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマ処理システムにおける混合モードパルシングエッチング |
JP2015173240A (ja) * | 2014-02-24 | 2015-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
JP2016004983A (ja) * | 2014-06-19 | 2016-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 絶縁膜をエッチングする方法 |
JP2016029714A (ja) * | 2014-07-10 | 2016-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の高精度エッチングのプラズマ処理方法 |
JP2016048771A (ja) * | 2014-08-28 | 2016-04-07 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
JP2017183688A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
WO2017170411A1 (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
WO2017170405A1 (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
JP2017183689A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
JPWO2017119074A1 (ja) * | 2016-01-06 | 2018-04-26 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | ガス供給装置 |
WO2019035283A1 (ja) * | 2017-08-18 | 2019-02-21 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | エッチング方法およびエッチング加工装置 |
JP2019102483A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法およびエッチング装置 |
Families Citing this family (250)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070048882A1 (en) * | 2000-03-17 | 2007-03-01 | Applied Materials, Inc. | Method to reduce plasma-induced charging damage |
AU2001288232A1 (en) * | 2000-08-10 | 2002-02-25 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for tuning a plasma reactor chamber |
US6689220B1 (en) * | 2000-11-22 | 2004-02-10 | Simplus Systems Corporation | Plasma enhanced pulsed layer deposition |
US20020197402A1 (en) * | 2000-12-06 | 2002-12-26 | Chiang Tony P. | System for depositing a film by modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD) |
US9255329B2 (en) * | 2000-12-06 | 2016-02-09 | Novellus Systems, Inc. | Modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD) |
US6630201B2 (en) * | 2001-04-05 | 2003-10-07 | Angstron Systems, Inc. | Adsorption process for atomic layer deposition |
US6777037B2 (en) * | 2001-02-21 | 2004-08-17 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing method and apparatus |
US8877000B2 (en) * | 2001-03-02 | 2014-11-04 | Tokyo Electron Limited | Shower head gas injection apparatus with secondary high pressure pulsed gas injection |
US7288293B2 (en) * | 2001-03-27 | 2007-10-30 | Apit Corp. S.A. | Process for plasma surface treatment and device for realizing the process |
JP2003173757A (ja) * | 2001-12-04 | 2003-06-20 | Nissin Electric Co Ltd | イオンビーム照射装置 |
KR100449645B1 (ko) * | 2002-01-23 | 2004-09-22 | 주식회사 아이피에스 | 자기 ald 박막증착방법 |
US7217336B2 (en) * | 2002-06-20 | 2007-05-15 | Tokyo Electron Limited | Directed gas injection apparatus for semiconductor processing |
US6967154B2 (en) | 2002-08-26 | 2005-11-22 | Micron Technology, Inc. | Enhanced atomic layer deposition |
US7534363B2 (en) * | 2002-12-13 | 2009-05-19 | Lam Research Corporation | Method for providing uniform removal of organic material |
US7169231B2 (en) * | 2002-12-13 | 2007-01-30 | Lam Research Corporation | Gas distribution system with tuning gas |
TW200511430A (en) * | 2003-05-29 | 2005-03-16 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
JP2005072260A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Sanyo Electric Co Ltd | プラズマ処理方法、プラズマエッチング方法、固体撮像素子の製造方法 |
US20060065622A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-03-30 | Floyd Philip D | Method and system for xenon fluoride etching with enhanced efficiency |
US7553684B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-06-30 | Idc, Llc | Method of fabricating interferometric devices using lift-off processing techniques |
JP4506677B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2010-07-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
US7473637B2 (en) | 2005-07-20 | 2009-01-06 | Micron Technology, Inc. | ALD formed titanium nitride films |
US7335602B2 (en) * | 2006-01-18 | 2008-02-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | Charge-free layer by layer etching of dielectrics |
US7932181B2 (en) * | 2006-06-20 | 2011-04-26 | Lam Research Corporation | Edge gas injection for critical dimension uniformity improvement |
US7763546B2 (en) * | 2006-08-02 | 2010-07-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods for reducing surface charges during the manufacture of microelectromechanical systems devices |
US20110027999A1 (en) * | 2006-08-16 | 2011-02-03 | Freescale Semiconductor, Inc. | Etch method in the manufacture of an integrated circuit |
US8053372B1 (en) * | 2006-09-12 | 2011-11-08 | Novellus Systems, Inc. | Method of reducing plasma stabilization time in a cyclic deposition process |
KR101097625B1 (ko) * | 2007-03-27 | 2011-12-22 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 진공 처리 장치 |
US7768766B2 (en) * | 2007-06-01 | 2010-08-03 | Lam Research Corporation | Plasma processing system ESC high voltage control |
US8528498B2 (en) * | 2007-06-29 | 2013-09-10 | Lam Research Corporation | Integrated steerability array arrangement for minimizing non-uniformity |
US20090004836A1 (en) | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Plasma doping with enhanced charge neutralization |
US9105449B2 (en) * | 2007-06-29 | 2015-08-11 | Lam Research Corporation | Distributed power arrangements for localizing power delivery |
KR20090022557A (ko) * | 2007-08-31 | 2009-03-04 | 삼성전자주식회사 | 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치 및 그를 이용한절연막 형성 방법 |
JP5202050B2 (ja) * | 2008-03-14 | 2013-06-05 | 東京エレクトロン株式会社 | シャワーヘッド及び基板処理装置 |
US20110068084A1 (en) * | 2008-07-10 | 2011-03-24 | Canon Anelva Corporation | Substrate holder and substrate temperature control method |
US7719754B2 (en) * | 2008-09-30 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Multi-thickness layers for MEMS and mask-saving sequence for same |
JP2010283095A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US8659335B2 (en) | 2009-06-25 | 2014-02-25 | Mks Instruments, Inc. | Method and system for controlling radio frequency power |
JP5397215B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2014-01-22 | ソニー株式会社 | 半導体製造装置、半導体装置の製造方法、シミュレーション装置及びシミュレーションプログラム |
JP2011144412A (ja) * | 2010-01-13 | 2011-07-28 | Honda Motor Co Ltd | プラズマ成膜装置 |
KR101214758B1 (ko) * | 2010-02-26 | 2012-12-21 | 성균관대학교산학협력단 | 식각 방법 |
FI124414B (fi) * | 2010-04-30 | 2014-08-29 | Beneq Oy | Lähde ja järjestely substraatin käsittelemiseksi |
US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
US9443753B2 (en) * | 2010-07-30 | 2016-09-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling the flow of a gas in a process chamber |
US8869742B2 (en) * | 2010-08-04 | 2014-10-28 | Lam Research Corporation | Plasma processing chamber with dual axial gas injection and exhaust |
US9184028B2 (en) | 2010-08-04 | 2015-11-10 | Lam Research Corporation | Dual plasma volume processing apparatus for neutral/ion flux control |
US8828883B2 (en) * | 2010-08-24 | 2014-09-09 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatuses for energetic neutral flux generation for processing a substrate |
US8133349B1 (en) | 2010-11-03 | 2012-03-13 | Lam Research Corporation | Rapid and uniform gas switching for a plasma etch process |
WO2012060940A1 (en) | 2010-11-04 | 2012-05-10 | Novellus Systems, Inc. | Ion-induced atomic layer deposition of tantalum |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
US8633452B2 (en) | 2011-07-13 | 2014-01-21 | Fei Company | Methods and structures for rapid switching between different process gases in an inductively-coupled plasma (ICP) ion source |
US8771536B2 (en) | 2011-08-01 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films |
US8735291B2 (en) | 2011-08-25 | 2014-05-27 | Tokyo Electron Limited | Method for etching high-k dielectric using pulsed bias power |
US8927390B2 (en) | 2011-09-26 | 2015-01-06 | Applied Materials, Inc. | Intrench profile |
US8808563B2 (en) | 2011-10-07 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination |
US8822913B2 (en) | 2011-12-06 | 2014-09-02 | Fei Company | Inductively-coupled plasma ion source for use with a focused ion beam column with selectable ions |
DE102012200878B4 (de) * | 2012-01-23 | 2014-11-20 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von Plasmapulsen |
US9679751B2 (en) | 2012-03-15 | 2017-06-13 | Lam Research Corporation | Chamber filler kit for plasma etch chamber useful for fast gas switching |
US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
US8722526B2 (en) | 2012-07-27 | 2014-05-13 | Veeco Ald Inc. | Growing of gallium-nitrade layer on silicon substrate |
US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
US9034770B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Differential silicon oxide etch |
US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
US9390937B2 (en) | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US20140120735A1 (en) * | 2012-10-31 | 2014-05-01 | Macronix International Co., Ltd. | Semiconductor process gas flow control apparatus |
US8969212B2 (en) * | 2012-11-20 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch selectivity |
US8980763B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective tungsten removal |
US9434612B2 (en) | 2012-11-30 | 2016-09-06 | Elwha, Llc | Systems and methods for producing hydrogen gas |
US9156688B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-10-13 | Elwha Llc | Systems and methods for producing hydrogen gas |
WO2014085594A2 (en) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Elwha Llc | Systems and methods for producing hydrogen gas |
US9111877B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Non-local plasma oxide etch |
US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
CN103898613B (zh) * | 2012-12-24 | 2017-07-07 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体刻蚀方法 |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
US8801952B1 (en) | 2013-03-07 | 2014-08-12 | Applied Materials, Inc. | Conformal oxide dry etch |
US10170282B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Insulated semiconductor faceplate designs |
US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
US9006109B2 (en) * | 2013-03-27 | 2015-04-14 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor devices and methods for manufacturing semiconductor devices |
US8895449B1 (en) | 2013-05-16 | 2014-11-25 | Applied Materials, Inc. | Delicate dry clean |
US9114438B2 (en) | 2013-05-21 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Copper residue chamber clean |
US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
US8956980B1 (en) | 2013-09-16 | 2015-02-17 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon nitride |
US9401263B2 (en) * | 2013-09-19 | 2016-07-26 | Globalfoundries Inc. | Feature etching using varying supply of power pulses |
US8951429B1 (en) | 2013-10-29 | 2015-02-10 | Applied Materials, Inc. | Tungsten oxide processing |
US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
US9236265B2 (en) | 2013-11-04 | 2016-01-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon germanium processing |
JP6374647B2 (ja) * | 2013-11-05 | 2018-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
US20150129131A1 (en) * | 2013-11-14 | 2015-05-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor processing apparatus and pre-clean system |
US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
US9117855B2 (en) | 2013-12-04 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Polarity control for remote plasma |
US9263278B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-02-16 | Applied Materials, Inc. | Dopant etch selectivity control |
US9287095B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
US9190293B2 (en) | 2013-12-18 | 2015-11-17 | Applied Materials, Inc. | Even tungsten etch for high aspect ratio trenches |
US9287134B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium oxide etch |
US9396989B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Air gaps between copper lines |
US9293568B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of fin patterning |
FR3017241B1 (fr) | 2014-01-31 | 2017-08-25 | Commissariat Energie Atomique | Procede de gravure plasma |
US9385028B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Air gap process |
US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
US9299575B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase tungsten etch |
US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9299538B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9136273B1 (en) | 2014-03-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Flash gate air gap |
US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
US9269590B2 (en) | 2014-04-07 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Spacer formation |
US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
US9847289B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-12-19 | Applied Materials, Inc. | Protective via cap for improved interconnect performance |
US9378969B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature gas-phase carbon removal |
US9406523B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Highly selective doped oxide removal method |
US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
US9159606B1 (en) | 2014-07-31 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Metal air gap |
US9378978B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide recess and floating gate fin trimming |
US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
US9165786B1 (en) | 2014-08-05 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures |
US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
US9355856B2 (en) | 2014-09-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | V trench dry etch |
US9368364B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials |
US9478434B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-10-25 | Applied Materials, Inc. | Chlorine-based hardmask removal |
US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US9299583B1 (en) | 2014-12-05 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Aluminum oxide selective etch |
US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
US20160181116A1 (en) * | 2014-12-18 | 2016-06-23 | Lam Research Corporation | Selective nitride etch |
US10100407B2 (en) * | 2014-12-19 | 2018-10-16 | Lam Research Corporation | Hardware and process for film uniformity improvement |
US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
US9343272B1 (en) | 2015-01-08 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned process |
US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
US9373522B1 (en) | 2015-01-22 | 2016-06-21 | Applied Mateials, Inc. | Titanium nitride removal |
US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
US9530667B2 (en) * | 2015-02-13 | 2016-12-27 | Tokyo Electron Limited | Method for roughness improvement and selectivity enhancement during arc layer etch using carbon |
US9911620B2 (en) | 2015-02-23 | 2018-03-06 | Lam Research Corporation | Method for achieving ultra-high selectivity while etching silicon nitride |
JP6449674B2 (ja) | 2015-02-23 | 2019-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
US10957561B2 (en) | 2015-07-30 | 2021-03-23 | Lam Research Corporation | Gas delivery system |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US9837286B2 (en) | 2015-09-04 | 2017-12-05 | Lam Research Corporation | Systems and methods for selectively etching tungsten in a downstream reactor |
US9741539B2 (en) * | 2015-10-05 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | RF power delivery regulation for processing substrates |
US10192751B2 (en) | 2015-10-15 | 2019-01-29 | Lam Research Corporation | Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch |
US20170162366A1 (en) * | 2015-12-08 | 2017-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Film forming apparatus, recording medium, and film forming method |
US10825659B2 (en) | 2016-01-07 | 2020-11-03 | Lam Research Corporation | Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector |
US10147588B2 (en) | 2016-02-12 | 2018-12-04 | Lam Research Corporation | System and method for increasing electron density levels in a plasma of a substrate processing system |
US10651015B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-05-12 | Lam Research Corporation | Variable depth edge ring for etch uniformity control |
US10699878B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-06-30 | Lam Research Corporation | Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring |
US10438833B2 (en) | 2016-02-16 | 2019-10-08 | Lam Research Corporation | Wafer lift ring system for wafer transfer |
KR20230162155A (ko) | 2016-04-20 | 2023-11-28 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10340123B2 (en) | 2016-05-26 | 2019-07-02 | Tokyo Electron Limited | Multi-frequency power modulation for etching high aspect ratio features |
US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
US10410832B2 (en) | 2016-08-19 | 2019-09-10 | Lam Research Corporation | Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment |
US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
CN106234557A (zh) * | 2016-10-10 | 2016-12-21 | 成都沃特塞恩电子技术有限公司 | 一种射频功率源和射频解冻装置 |
US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
KR102410571B1 (ko) | 2016-12-09 | 2022-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 열적 원자층 식각 공정 |
US10283319B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer etching processes |
US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
TWI716818B (zh) | 2018-02-28 | 2021-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
US10555412B2 (en) | 2018-05-10 | 2020-02-04 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
US20200058469A1 (en) * | 2018-08-14 | 2020-02-20 | Tokyo Electron Limited | Systems and methods of control for plasma processing |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
US11476145B2 (en) | 2018-11-20 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
JP7451540B2 (ja) | 2019-01-22 | 2024-03-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | パルス状電圧波形を制御するためのフィードバックループ |
US11508554B2 (en) | 2019-01-24 | 2022-11-22 | Applied Materials, Inc. | High voltage filter assembly |
JP2021019201A (ja) | 2019-07-18 | 2021-02-15 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 半導体処理システム用シャワーヘッドデバイス |
US11574813B2 (en) | 2019-12-10 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer etching |
WO2021236359A1 (en) | 2020-05-19 | 2021-11-25 | Tokyo Electron Limited | Systems and methods for selective ion mass segregation in pulsed plasma atomic layer etching |
US11462389B2 (en) | 2020-07-31 | 2022-10-04 | Applied Materials, Inc. | Pulsed-voltage hardware assembly for use in a plasma processing system |
US11798790B2 (en) | 2020-11-16 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
US11901157B2 (en) | 2020-11-16 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
US11495470B1 (en) | 2021-04-16 | 2022-11-08 | Applied Materials, Inc. | Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma |
US11948780B2 (en) | 2021-05-12 | 2024-04-02 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
US11791138B2 (en) | 2021-05-12 | 2023-10-17 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
US11967483B2 (en) | 2021-06-02 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma excitation with ion energy control |
US11328902B1 (en) | 2021-06-09 | 2022-05-10 | XP Power Limited | Radio frequency generator providing complex RF pulse pattern |
US20220399185A1 (en) | 2021-06-09 | 2022-12-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber and chamber component cleaning methods |
US11810760B2 (en) | 2021-06-16 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of ion current compensation |
US11569066B2 (en) | 2021-06-23 | 2023-01-31 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
US11776788B2 (en) | 2021-06-28 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage boost for substrate processing |
US11476090B1 (en) | 2021-08-24 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Voltage pulse time-domain multiplexing |
US11694876B2 (en) | 2021-12-08 | 2023-07-04 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing |
US11972924B2 (en) | 2022-06-08 | 2024-04-30 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08172081A (ja) * | 1995-08-28 | 1996-07-02 | Hitachi Ltd | プラズマ表面処理装置 |
JPH10144654A (ja) * | 1996-08-01 | 1998-05-29 | Surface Technol Syst Ltd | 半導体基盤の表面処理方法 |
JPH10303188A (ja) * | 1998-03-27 | 1998-11-13 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法およびその装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3677799A (en) | 1970-11-10 | 1972-07-18 | Celanese Corp | Vapor phase boron deposition by pulse discharge |
US3721583A (en) | 1970-12-08 | 1973-03-20 | Ibm | Vapor phase epitaxial deposition process for forming superlattice structure |
FR2320774A1 (fr) | 1974-01-10 | 1977-03-11 | Radiotechnique Compelec | Procede et dispositif de depot de materiau dope |
SE393967B (sv) | 1974-11-29 | 1977-05-31 | Sateko Oy | Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket |
FI57975C (fi) | 1979-02-28 | 1980-11-10 | Lohja Ab Oy | Foerfarande och anordning vid uppbyggande av tunna foereningshinnor |
US4263088A (en) | 1979-06-25 | 1981-04-21 | Motorola, Inc. | Method for process control of a plasma reaction |
US4401507A (en) | 1982-07-14 | 1983-08-30 | Advanced Semiconductor Materials/Am. | Method and apparatus for achieving spatially uniform externally excited non-thermal chemical reactions |
US4500563A (en) | 1982-12-15 | 1985-02-19 | Pacific Western Systems, Inc. | Independently variably controlled pulsed R.F. plasma chemical vapor processing |
JPS6050923A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Hitachi Ltd | プラズマ表面処理方法 |
KR890004881B1 (ko) * | 1983-10-19 | 1989-11-30 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 플라즈마 처리 방법 및 그 장치 |
DE3574997D1 (de) * | 1984-03-03 | 1990-02-01 | Stc Plc | Pulsierendes plasmaverfahren. |
GB8516537D0 (en) * | 1985-06-29 | 1985-07-31 | Standard Telephones Cables Ltd | Pulsed plasma apparatus |
GB2212974B (en) * | 1987-11-25 | 1992-02-12 | Fuji Electric Co Ltd | Plasma processing apparatus |
US4993358A (en) * | 1989-07-28 | 1991-02-19 | Watkins-Johnson Company | Chemical vapor deposition reactor and method of operation |
US5164040A (en) | 1989-08-21 | 1992-11-17 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Method and apparatus for rapidly growing films on substrates using pulsed supersonic jets |
US5286297A (en) | 1992-06-24 | 1994-02-15 | Texas Instruments Incorporated | Multi-electrode plasma processing apparatus |
US5688357A (en) | 1995-02-15 | 1997-11-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic frequency tuning of an RF power source of an inductively coupled plasma reactor |
JP3220383B2 (ja) * | 1996-07-23 | 2001-10-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びその方法 |
JPH11158615A (ja) * | 1997-11-27 | 1999-06-15 | Nec Corp | スパッタリング装置及びそれを使用した半導体装置の製造方法 |
US6093332A (en) * | 1998-02-04 | 2000-07-25 | Lam Research Corporation | Methods for reducing mask erosion during plasma etching |
JP4221859B2 (ja) * | 1999-02-12 | 2009-02-12 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
-
2000
- 2000-08-09 CN CNB008113297A patent/CN100371491C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-09 KR KR1020027002007A patent/KR100750420B1/ko active IP Right Grant
- 2000-08-09 AT AT00952656T patent/ATE420454T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-08-09 WO PCT/US2000/021667 patent/WO2001012873A1/en active Application Filing
- 2000-08-09 EP EP00952656A patent/EP1214459B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-09 DE DE60041341T patent/DE60041341D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-09 JP JP2001516957A patent/JP4819267B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-16 TW TW089116559A patent/TWI267562B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-08-16 TW TW095111487A patent/TWI293769B/zh not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-02-15 US US10/076,099 patent/US7166233B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08172081A (ja) * | 1995-08-28 | 1996-07-02 | Hitachi Ltd | プラズマ表面処理装置 |
JPH10144654A (ja) * | 1996-08-01 | 1998-05-29 | Surface Technol Syst Ltd | 半導体基盤の表面処理方法 |
JPH10303188A (ja) * | 1998-03-27 | 1998-11-13 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法およびその装置 |
Cited By (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004531903A (ja) * | 2001-06-29 | 2004-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体処理のための方向付けられたガスの射出装置 |
JP2010515264A (ja) * | 2006-12-29 | 2010-05-06 | ラム リサーチ コーポレーション | ウエハ端部の処理方法及び処理装置 |
US9123509B2 (en) | 2007-06-29 | 2015-09-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for plasma processing a substrate |
WO2009116576A1 (ja) * | 2008-03-21 | 2009-09-24 | 三井造船株式会社 | 原子層成膜装置 |
JP2013535074A (ja) * | 2010-06-11 | 2013-09-09 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 基板プラズマ処理技術 |
JP2015503224A (ja) * | 2011-11-15 | 2015-01-29 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマ処理システムにおける不活性物優勢パルス化 |
JP2015503223A (ja) * | 2011-11-15 | 2015-01-29 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | ハイブリッドパルス化プラズマ処理システム |
JP2015505421A (ja) * | 2011-12-28 | 2015-02-19 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマ処理システムにおける混合モードパルシングエッチング |
KR102062930B1 (ko) * | 2011-12-28 | 2020-01-06 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 처리 시스템들에서의 혼합 모드 펄싱 에칭 |
JP2015023049A (ja) * | 2013-07-16 | 2015-02-02 | 株式会社ディスコ | プラズマエッチング装置 |
KR20150009437A (ko) * | 2013-07-16 | 2015-01-26 | 가부시기가이샤 디스코 | 플라즈마 에칭 장치 |
KR102119075B1 (ko) * | 2013-07-16 | 2020-06-04 | 가부시기가이샤 디스코 | 플라즈마 에칭 장치 |
JP2014112697A (ja) * | 2014-01-15 | 2014-06-19 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
JP2015173240A (ja) * | 2014-02-24 | 2015-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
JP2016004983A (ja) * | 2014-06-19 | 2016-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 絶縁膜をエッチングする方法 |
US9768033B2 (en) | 2014-07-10 | 2017-09-19 | Tokyo Electron Limited | Methods for high precision etching of substrates |
JP2016029714A (ja) * | 2014-07-10 | 2016-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の高精度エッチングのプラズマ処理方法 |
JP2016048771A (ja) * | 2014-08-28 | 2016-04-07 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
JPWO2017119074A1 (ja) * | 2016-01-06 | 2018-04-26 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | ガス供給装置 |
TWI707382B (zh) * | 2016-03-29 | 2020-10-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 被處理體之處理方法 |
US10763123B2 (en) | 2016-03-29 | 2020-09-01 | Tokyo Electron Limited | Method for processing workpiece |
CN108885990A (zh) * | 2016-03-29 | 2018-11-23 | 东京毅力科创株式会社 | 对被处理物进行处理的方法 |
US11823903B2 (en) | 2016-03-29 | 2023-11-21 | Tokyo Electron Limited | Method for processing workpiece |
CN108885990B (zh) * | 2016-03-29 | 2023-06-30 | 东京毅力科创株式会社 | 对被处理物进行处理的方法 |
WO2017170405A1 (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
JP2017183688A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
WO2017170411A1 (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
US11244828B2 (en) | 2016-03-29 | 2022-02-08 | Tokyo Electron Limited | Method for processing workpiece |
JP2017183689A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
US10714340B2 (en) | 2016-03-29 | 2020-07-14 | Tokyo Electron Limited | Method for processing workpiece |
US11017987B2 (en) | 2017-08-18 | 2021-05-25 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Etching method and etching processing apparatus |
WO2019035283A1 (ja) * | 2017-08-18 | 2019-02-21 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | エッチング方法およびエッチング加工装置 |
JP2019102483A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法およびエッチング装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1214459B1 (en) | 2009-01-07 |
CN1369021A (zh) | 2002-09-11 |
US20020160125A1 (en) | 2002-10-31 |
EP1214459A4 (en) | 2006-07-26 |
EP1214459A1 (en) | 2002-06-19 |
DE60041341D1 (de) | 2009-02-26 |
US7166233B2 (en) | 2007-01-23 |
WO2001012873A1 (en) | 2001-02-22 |
TW200629337A (en) | 2006-08-16 |
CN100371491C (zh) | 2008-02-27 |
ATE420454T1 (de) | 2009-01-15 |
KR100750420B1 (ko) | 2007-08-21 |
TWI293769B (en) | 2008-02-21 |
JP4819267B2 (ja) | 2011-11-24 |
TWI267562B (en) | 2006-12-01 |
KR20020040775A (ko) | 2002-05-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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