JPH07106093A - 改良された弁クロージュアを有するプラズマチャンバ - Google Patents

改良された弁クロージュアを有するプラズマチャンバ

Info

Publication number
JPH07106093A
JPH07106093A JP6046127A JP4612794A JPH07106093A JP H07106093 A JPH07106093 A JP H07106093A JP 6046127 A JP6046127 A JP 6046127A JP 4612794 A JP4612794 A JP 4612794A JP H07106093 A JPH07106093 A JP H07106093A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
opening
valve closure
chamber
base
shoulder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP6046127A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuya Ishikawa
哲也 石川
C Ray Lawrence
シー. レイ ローレンス
Masato Toshima
正人 外島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JPH07106093A publication Critical patent/JPH07106093A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 チャンバの開口を弁クロージュアで閉じたと
き、この開口部内面が、内壁の他の部分とほぼ同一形状
になるようにして、プラズマの局部的歪みを除去して、
ウエハの均一な処理を可能にする。 【構成】 弁クロージュア5は、半導体ウエハの挿入と
除去の間を除いて、チャンバを密閉するため開口に均一
に密接している。プラズマチャンバは、ウエハロボット
アームから半導体ウエハを受け取るためにウエハ支持用
のカソードを有している。クロージュア12の肩部40
は、ベース30から開口20内の密接部に伸長してい
る。肩部40上の湾曲表面42は、チャンバの内表面の
形と整合するように形成されていて、弁クロージュア5
を閉じたとき、その内壁面はチャンバ内壁面の隣接部分
と段差のないほぼ均一な内壁面を形成してチャンバ内に
プラズマが均一に発生するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、一般にプラズマチャン
バの壁に在る開口のための改良されたクロージャ及び、
弁クロージュアを組み込んだプラズマチャンバに関す
る。特に、円筒状処理チャンバ(cylindrical process
chamber )を備える壁の開口の交差(intersection)によ
って生じる凹部をなくすような弁クロージュア及び、プ
ラズマチャンバに関するものである。
【0002】
【従来の技術】円筒状のプラズマチャンバは、集積回路
の製造に際し、集積回路を構成する物質の堆積のため、
及びエッチ処理において半導体ウエハや他の集積回路基
板から物質を取り除くために使用される。そのようなチ
ャンバの使用において、半導体ウエハは、チャンバ壁の
長方形の開口を通してチャンバ内に度々挿入される。そ
のとき、開口は当該チャンバの外壁に接する弁クロージ
ュアで密閉される。またこのとき、チャンバ壁を貫通し
てチャンバの内面から弁クロージュアにかけて凹部が残
存する。
【0003】プラズマを使用する一定の処理条件下で
は、円筒状のチャンバ壁を貫通する長方形の開口が壁表
面を不連続とし、ガスの流れ、電場あるいは磁場に影響
を与えることにより処理条件を乱す原因となる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】集積回路がより複雑で
より高密度になるにつれて、回路をうまく製造するため
には、処理均一性に関して厳重なコントロールが維持さ
れなければならない。それゆえ、プラズマ均一性の障害
である円筒状のチャンバ壁を貫通して外側に伸長する長
方形の側面の凹部を除去する必要がある。
【0005】
【課題を解決するための手段】これらと、関連した成果
は、ここに開示されている改良された弁クロージュアを
備えた新規な処理チャンバを用いて達成される。本発明
によるチャンバは、開口を有する壁付包囲体を有する。
弁クロージュアは、開口を密閉した位置と、開口を通し
て囲まれたチャンバへの接近を許容するために、当該開
口と間隔を置いて位置する開放位置との間を移動でき
る。弁クロージュアは、当該弁クロージュアが開口を密
閉した位置にあるとき、この開口の中に伸長して構成・
配置されている肩部を有している。肩部は、弁クロージ
ュアが開口を密閉した位置にあるとき、壁付包囲体の内
側表面の外形と整合(matching)するように構成・配置
された表面を有している。
【0006】上述の達成及び本発明の利点と特徴は、図
面とともに本発明のより詳細な次の説明を精査すれば、
当業者にとって容易に明白となろう。
【0007】
【実施例】図面、特に図1〜8には、本発明による新規
なポペット弁クロージュア(poppet valve closure)1
2を組み込んだ円筒状のプラズマチャンバ10が示され
ている。プラズマチャンバ10は、円筒状の側壁16と
円形の底壁18を有している。通常、長方形の開口20
は、図6と図8のウエハロボットアーム24を用いたプ
ラズマチャンバへの半導体ウエハの挿入、プラズマチャ
ンバからの半導体ウエハ除去のために、側壁16と底壁
18の間の接合点(juncture)に備わっている。弁ポペ
ット12は、半導体ウエハの挿入及び除去の間を除い
て、チャンバ10を密閉するため開口20に適合してい
る。プラズマチャンバ10は、ウエハロボットアーム2
4から半導体ウエハ22を受け取るためリフトピンを含
むウエハ支持用カソード(cathode)26を有している。
弁クロージュア12を備えていることを別として、プラ
ズマチャンバ10の構造と操作は従来と同じである。こ
のプラズマチャンバのさらなる詳細部は、共に譲渡され
た、例えばチェン等(Cheng et al )の米国特許第4,
842,683号と、ワン等(Wang et al)の米国特許
第5,000,113号を利用することができ、これら
の開示部分は、引用形式で本実施例に導入されている。
【0008】弁クロージュア12は、密閉シールを形成
すべくチャンバ側面16の外側表面36と底面18に係
合するため、表面34上に弾性Oリングシール32を有
するベース30を備えている。クロージュア12の肩部
40は、ベース30から開口20内に適合するように伸
びている。肩部40上の湾曲した内側表面42は、チャ
ンバ10(特に、図2及び3を参照のこと)の内側表面
44と整合するように形成されている。弁クロージュア
12と支持ブラケット46の間のピボット43は、Oリ
ングシール32が外側表面36に適正に着座するのを確
保するため、弁クロージュア12に十分な動作の自由度
を与えている。こうして、弁クロージュアを、図1,
2,5及び8に示されるように開口20を密閉した位置
から図6に示されるように開放位置に移動する為に、弁
クロージュアに対する支持ブラケット46はベース30
に回転自在に取り付けられ、弁クロージュア12をある
機構(図示せず)に取り付けている。これにより、ウエ
ハロボットアーム24による、ウエハ22の挿入及び除
去のためのチャンバ10内部へのアクセスを許容してい
る。
【0009】操作に際し、弁クロージュア12は、ウエ
ハロボットアーム24で開口20を通してウエハ22を
挿入するため、図6に示される位置に移動される。ウエ
ハは、リフトピン28によりウエハロボットアーム24
から持上げられており、ロボットアームは開口20を通
して引き下げられており(with drawn)、そしてピン28
がカソード26上の位置にウエハを下げている。それか
ら、プラズマチャンバ10は開口20に対する位置へと
弁クロージュア12を移動させ、かつ、当該チャンバ1
0を真空引きすること(vacuum pumping)により密閉され
る。こうして、プラズマは、プラズマエッチングやプラ
ズマ増加型CVD又はスパッタ堆積などによるウエハ2
2の処理のため、チャンバ10内で発生する。弁クロー
ジュアの湾曲表面42は、チャンバ10の内表面44の
外形と整合しているので、開口20の周囲にプラズマの
局部的な歪みが生じない。このような局部的な歪みをな
くすことの利点は、低圧プラズマチャンバ16及び、ウ
エハ22がチャンバ内にあるとき、当該ウエハ22の周
囲の間隙が小さいか又は、間隙が全くないような大きな
ウエハのための他のプラズマチャンバにおいて特に著し
い。より高圧のプラズマチャンバにおいては、対称電極
の間で生成されるプラズマを有する、ウエハの周囲に位
置する対称的な(symmetrical) 電極構造体が通常は存在
する。
【0010】図9〜図17は、垂直方向に移動できる弁
クロージュア52を組み込んだプラズマチャンバの他の
形態を示している。弁クロージュア52の形態を除き、
プラズマチャンバの構造と操作は上記プラズマチャンバ
10のものと同じである。弁クロージュア52は、通
常、尖った形状のベース54を有している。肩部56
は、ベース54から垂直に上方に伸びている。肩部56
上の湾曲表面58は、チャンバ50の内側表面60の外
形と整合するように形成されている。
【0011】図11と図17に最もよく示されているよ
うに、弁クロージュア52は、独特に配置のOリングシ
ール62を含んでいる。Oリングシール62の第1の半
分64は、クロージュア52の肩部56の底部の周囲に
略中間(hafe way)まで伸びており、単一平面に横たわ
っている。Oリングシール62の第2の半分66は肩部
56の各々の端部68及び70から上方に傾斜し、肩部
56の上面72に沿って伸びている。プラズマチャンバ
50の開口74の周囲には、Oリングシール62の係合
表面(mating surface)がある。
【0012】クロージュア52のベース54は、支持具
76に取り付けられていて、この支持具76は、図9〜
図11に示されるように、開口74の中に伸びる肩部5
6及び、内側表面60の外形と整合するように位置する
表面58を有する開口74を閉塞し、かつ密閉した位置
にクロージュア52を位置させるための適当な垂直駆動
機構(図示せず)に連結されている。ウエハロボットア
ーム24を用いたウエハ22の挿入又は除去のためチャ
ンバ50の内側アクセスする必要があるときは、図12
−13に示される位置に駆動機構が弁クロージュア52
を垂直に引き下げる。半導体ウエハ22の挿入及び、ウ
エハロボットアーム24の除去の後、クロージュア52
は、図9−11に示されるように密閉位置に垂直に引き
上げられる。真空ボンピング(pumping )が真空を完全
なものとする。
【0013】弁クロージュア12及び52の両者とも、
Oリングシール32と62には、螢光炭素(fluoro carb
on) の弾性0リングからなっている(are implemented)
。しかし、他の従来のOリングシール材料も使用でき
る。
【0014】弁クロージュア12及び52は、当該プラ
ズマチャンバの使用時、より均一な処理結果を生ぜしめ
るため、チャンバの円形状(circular geometry )を維
持することにより、改良されたプラズマチャンバにな
る。クロージュアは、簡単な移送機構により密閉と開放
位置の間を移動でき、複雑な(complicated) 歯車装置
や、プラズマチャンバの内側に露出した軸受を有する複
合((complex)移送機構を除去できる。さらに、弁クロー
ジュア12及び52では、プラズマチャンバ用の従来の
弁クロージュアに使用される一層高いコストで加硫され
た(vulcanized)ガスケットに代えて、普通の低コストの
Oリングシールを使用できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるプラズマチャンバの一部の側面図
である。
【図2】図1の2−2線に沿って切断された断面図であ
る。
【図3】図7に示される弁クロージュアの斜視図であ
る。
【図4】図7の4−4線の視点からの本発明に係る弁ク
ロージュアの上面図である。
【図5】図2の領域5の拡大図である。
【図6】図2と類似する断面図であるが、異なるステー
ジにおける使用のプラズマチャンバを示している。
【図7】図6の7−7線に沿って切断した断面図であ
る。
【図8】図2の8−8線に沿って切断した図1−図7の
プラズマチャンバの上部断面図である。
【図9】本発明によるプラズマチャンバの他の実施例の
一部の側面図である。
【図10】図9の10−10線に沿って切断した断面図
である。
【図11】図10の領域11の拡大図である。
【図12】図10と類似する断面図であるが、異なるス
テージにおける使用のプラズマチャンバを示している。
【図13】図12の13−13線に沿って切断した断面
図である。
【図14】図10の14−14線に沿って切断した図9
−図13のプラズマチャンバの上部横断面図である。
【図15】図13の15−15線の視点からの本発明に
よる弁クロージュアの上面図である。
【図16】図13の16−16線の視点からの図15の
弁クロージュアの底面図である。
【図17】図15−図16に示される弁クロージュアの
斜視図である。
【符号の説明】
2…弁クロージュア、10…プラズマチャンバ、12…
弁クロージュア、14…壁、16…側面、18…低面、
20…開口、28…底面、32…0リングシール、36
…外側表面、38…外側表面、40…肩部、42…湾曲
表面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ローレンス シー. レイ アメリカ合衆国, カリフォルニア州 95014, キュパティノ, ロックウッド ドライヴ 10236 (72)発明者 外島 正人 アメリカ合衆国, カリフォルニア州 94087, サニーヴェール, スワロウ ドライヴ 1614

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 開口を有する壁付包囲体(walled enclo
    sure) と、前記開口を通して包囲体への接近を許容する
    ため、前記開口を密閉した位置及び前記開口と間隔が置
    かれた開放位置との間を移動できる弁クロージュア(cl
    osure )とを備え、 前記弁クロージュアは、前記弁クロージュアが前記開口
    を密閉した位置にあるときには前記開口の中に伸長して
    構成・配置される(configured and positioned) し、前
    記肩部は前記弁クロージュアが前記開口を密閉した位置
    にあるとき、前記壁付包囲体の内側表面の外形と整合
    (matching)するように構成・配置された表面を有する
    処理チャンバ。
  2. 【請求項2】 前記弁クロージュアの前記肩部はベース
    から斜めに伸長し、前記弁クロージュアは前記開口を密
    閉した位置及び前記開口と間隔が置かれた開放位置の間
    を斜めに移動できる請求項1に記載のチャンバ。
  3. 【請求項3】 前記弁クロージュアが前記開口にあると
    き、前記開口の周囲を密閉シールするため、前記ベース
    上に配置されたOリングシールをさらに具備している請
    求項2に記載のチャンバ。
  4. 【請求項4】 前記弁クロージュアの前記肩部はベース
    から垂直に伸長し、、前記弁クロージュアは前記開口を
    密閉した位置及び、前記開口と間隔を置いた開放位置の
    間を垂直に移動できる請求項1に記載のチャンバ。
  5. 【請求項5】 前記弁クロージュアが前記開口にあると
    き、前記開口の周囲を密閉シールするため、前記ベース
    上に配置されたOリングシールをさらに具備している請
    求項4に記載のチャンバ。
  6. 【請求項6】 前記Oリングシールは、第1平面に第1
    部分、第2平面に第2部分、および第1部分と第2部分
    を接続する傾斜部分を有する請求項5に記載のチャン
    バ。
  7. 【請求項7】 チャンバ内の開口に対する弁クロージュ
    アであって、ベースと、前記ベースから伸長する肩部を
    具備し、前記肩部は前記弁クロージュアが開口を密閉し
    た位置にあるとき、この開口の中に伸長して構成・配置
    され、前記肩部は前記弁クロージュアが開口を密閉した
    位置にあるとき、前記チャンバの内側表面の外形と整合
    するように構成・配置された表面を有する弁クロージュ
    ア。
  8. 【請求項8】 前記肩部は、前記チャンバの壁に比例し
    て(relative to) 前記ベースから斜めに伸長している請
    求項7に記載の弁クロージュア。
  9. 【請求項9】 前記弁クロージュアが開口にあるとき、
    当該開口の周囲を密閉シールするため前記ベース上に配
    置されるOリングシールをさらに具備している請求項8
    に記載の弁クロージュア。
  10. 【請求項10】 前記肩部は、前記ベースから垂直に伸
    長している請求項7に記載の弁クロージュア。
  11. 【請求項11】 前記弁クロージュアが開口にあると
    き、当該開口の周囲を密閉シールするため前記ベース上
    に配置されるOリングシールをさらに具備している請求
    項10に記載の弁クロージュア。
  12. 【請求項12】 前記Oリングシールは第1平面に第1
    部分、第2平面に第2部分、および第1部分と第2部分
    を接続する傾斜部分を有している請求項11に記載の弁
    クロージュア。
  13. 【請求項13】 略円形の端壁(end wall)及び、前記端
    壁から離れるように伸長する略円筒状の側壁を含み、さ
    らに前記側壁の一部を含んでいる前記壁付構造体の一部
    を貫通する孔(aperture)を含む壁付構造体、および前記
    孔の周囲の前記壁付構造体の非室内部(non-interior po
    rtions) を密閉可能であり、前記孔の周囲の室内形状に
    整合する前記孔に適合可能な室内部(interior portion)
    を有する弁クロージュアとを具備する処理チャンバ。
  14. 【請求項14】 前記開口は、前記円形の端壁及び、前
    記円筒状の側壁の一部を貫通している請求項13に記載
    された処理チャンバ。
  15. 【請求項15】 前記壁付構造体は、前記円形の端壁及
    び前記円筒状の側壁から外方に斜めに向けられた前記弁
    クロージュアに密接するための密接表面を含む請求項1
    4に記載の処理チャンバ。
  16. 【請求項16】 前記壁付構造体は、前記円筒状の側壁
    が伸長する方向に面する前記弁クロージュアを密閉する
    ための密閉表面を含む請求項14に記載の処理チャン
    バ。
  17. 【請求項17】 前記方向に沿って前記弁クロージュア
    を移動する直線駆動アームをさらに備える請求項16に
    記載の処理チャンバ。
  18. 【請求項18】 前記壁付構造体の内部の真空が、前記
    弁クロージュアを前記壁付構造体に対して密閉する請求
    項14に記載の処理チャンバ。
JP6046127A 1993-03-16 1994-03-16 改良された弁クロージュアを有するプラズマチャンバ Withdrawn JPH07106093A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US3206393A 1993-03-16 1993-03-16
US08/032063 1993-03-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07106093A true JPH07106093A (ja) 1995-04-21

Family

ID=21862900

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6046127A Withdrawn JPH07106093A (ja) 1993-03-16 1994-03-16 改良された弁クロージュアを有するプラズマチャンバ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07106093A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001041182A1 (en) * 1999-11-22 2001-06-07 Tokyo Electron Limited Plasma processor, cluster tool, and method of controlling plasma

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001041182A1 (en) * 1999-11-22 2001-06-07 Tokyo Electron Limited Plasma processor, cluster tool, and method of controlling plasma

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW406291B (en) Plasma processing apparatus
US4867841A (en) Method for etch of polysilicon film
US5280894A (en) Fixture for backside wafer etching
US4949671A (en) Processing apparatus and method
US6228208B1 (en) Plasma density and etch rate enhancing semiconductor processing chamber
JPS59143328A (ja) ドライエツチング装置
JPH07106093A (ja) 改良された弁クロージュアを有するプラズマチャンバ
TW202123304A (zh) 用於處理腔室的高導通下部護罩
JP2021010026A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JPH08227874A (ja) 真空処理装置および真空処理方法
JP2009054859A (ja) 基板受入装置及び基板受入方法
JP4419237B2 (ja) 成膜装置及び被処理体の処理方法
WO2022108881A1 (en) Deposition ring for thin substrate handling via edge clamping
US20210335581A1 (en) Preclean chamber upper shield with showerhead
WO2022108879A1 (en) Thin substrate handling via edge clamping
TW202126121A (zh) 用於處理腔室的高導通內部護罩
JP2004047652A (ja) 真空処理装置
JP2550787B2 (ja) 半導体装置の製造装置
JPS6286716A (ja) 金属と半導体の間にオ−ム型接続を形成するための方法及びその装置
JPS648464B2 (ja)
JPH06196413A (ja) 減圧cvd膜生成装置
JP4776560B2 (ja) 真空処理装置
US6758222B2 (en) Processing method for substrate
KR20020029824A (ko) 플라즈마를 이용한 반도체 웨이퍼 클리닝 장치
JPH1012599A (ja) 半導体ウェハ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20010605