JP7220136B2 - 成膜装置及び電子デバイスの製造装置 - Google Patents
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Description
第1真空容器と、
前記第1真空容器内に設けられ、基板を保持する基板保持手段と、
第2真空容器と、
前記第2真空容器内に設けられ、前記基板保持手段に保持された基板に成膜される成膜材料を放出する成膜源と、
第1真空容器と前記第2真空容器との間に設けられた伸縮可能部材と、
前記第1真空容器に設けられ、前記基板保持手段の位置を調整するためのアライメントステージ機構と、
前記アライメントステージ機構が連結される基準プレート部と、
前記基準プレート部と前記第1真空容器との間に設けられる第2伸縮可能部材と、を備えることを特徴とする。
上記の成膜装置と、
マスクを収納するためのマスクストック装置と、
基板又はマスクを搬送するための搬送装置と、を備えることを特徴とする。
図1を参照して、本実施形態に係る電子デバイスの製造装置の全体構成等について説明する。図1は本発明の実施形態に係る電子デバイスの製造装置の一部を示す概略構成図であり、電子デバイスの製造装置の一部を平面的に見た場合の概略構成を示している。
装置の場合には、基板WとマスクMがキャリアに搭載されて、一列に並んだ複数の成膜装置内をキャリアと共に基板WとマスクMが通過しながら成膜が行われる。また、本発明に係る電子デバイスの製造装置は、クラスタタイプとインラインタイプを組み合わせた構造を採用することもできる。例えば、有機層の成膜まではクラスタタイプの製造装置で行い、電極層(カソード層)の成膜工程から封止工程及び切断工程などは、インラインタイプの製造装置で行うようにしてもよい。
図2を参照して、本実施形態に係る成膜装置11について、より詳細に説明する。図2は本発明の実施形態に係る成膜装置の模式的断面図である。以下の説明においては、鉛直方向をZ方向とし、水平面(成膜時の基板表面)をXY平面とするXYZ直交座標系を用いる。また、X軸まわりの回転角をθX、Y軸まわりの回転角をθY、Z軸まわりの回転角をθZで表す。
ている。図2に示すように、基準プレート部は、例えば、磁気浮上ステージ機構22が固定された状態で連結される基準プレート214と、基準プレート214を所定の高さに支持するための基準プレート支持部215とを備えている。
特に、図3~図7を参照して、磁気浮上ステージ機構22について、より詳細に説明する。磁気浮上ステージ機構22は、前述したように、ステージ基準プレート部221と、微動ステージプレート部222と、磁気浮上ユニット223とを備えている。
さらに向上させることができる。
222のX方向における位置を測定するためのX方向位置測定部と、Y方向における位置を測定するためのY方向位置測定部と、Z方向における位置を測定するためのZ方向位置測定部とを備える。
それぞれ別の磁極(S極またはN極)を示している。
1内に着座したときの、微動ステージプレート部222の位置を、レーザー干渉計32により測定し、これを原点位置とする。
図8~図10を参照して、図2に示す真空容器21とは異なる構成が採用された真空容器の具体例について説明する。シリコンウエハのような基板Wに高精度に微細パターンを成膜するためには、成膜材料が成膜源25からマスクMを介して基板Wに入射する際の入射角度を大きくする(すなわち、基板Wの成膜面にほぼ垂直に近く入射する)のが好ましい。そのため、成膜源25から基板Wまでの距離を長くするのが望ましい。この距離を長くする場合には、基板Wの位置を調整するためのアライメントステージ機構は、相対的に高い位置に設置されるため、真空ポンプや床からの振動のような外乱の影響を受けやすくなってしまう。これにより、アライメントステージ機構による基板Wの位置調整の精度が低下してしまい、基板WのマスクMに対するアライメント精度も低下して、結果的に成膜精度を低下させる要因となり得る。
図8に示す変形例1に係る真空容器21aは、基準プレート214が第1真空容器部211に直接連結され、基準プレート214と、第1真空容器部211との間には、伸縮可能部材が設置されていない点で、図2に示した真空容器21と異なっている。このような真空容器21aを採用すれば、成膜装置11の設置台217を通じて伝達される振動は、除振ユニット216によって低減され、第2真空容器部212を通じて第1真空容器部211に伝達される振動は伸縮可能部材213によって低減されながらも、真空容器21aの構成をさらに単純化することができる。
図9に示す変形例2に係る真空容器21bには、チャンバ壁と区別される別の基準プレート部が設置されておらず、除振ユニット216が、第1真空容器部211の下部チャンバ壁と成膜装置の設置台217との間に設置される。このような構成を採用した場合には、成膜装置11の外部から設置台217を通じて第1真空容器部211のチャンバ壁に伝達される振動は、除振ユニット216によって低減され、第2真空容器部212を通じて第1真空容器部211に伝わる振動は伸縮可能部材213によって低減される。また、変形例2に係る真空容器21bの場合には、第1真空容器部211の上部チャンバ壁は、磁気浮上ステージ機構22が固定連結される基準プレート214として機能する。そして、この変形例の場合には、別の基準プレート部がないので、真空容器21bの構成をさらに単純化することができる。
図10に示す変形例3に係る真空容器21cは、第1真空容器部211の上部チャンバ壁が基準プレート214として機能するという点で、変形例2に係る真空容器21bと類似している。ただし、変形例3に係る真空容器21cの場合には、除振ユニット216が第1真空容器部211の側部チャンバ壁から突出している別の構造物(例えば、基準プレート支持部215)と設置台217との間に設けられるという点で、変形例2に係る真空容器21bとは構成が異なっている。
21 真空容器
22 磁気浮上ステージ機構
23 マスク支持ユニット
24 基板吸着手段
211 第1真空容器部
212 第2真空容器部
213 伸縮可能部材
Claims (10)
- 第1真空容器と、
前記第1真空容器内に設けられ、基板を保持する基板保持手段と、
第2真空容器と、
前記第2真空容器内に設けられ、前記基板保持手段に保持された基板に成膜される成膜材料を放出する成膜源と、
第1真空容器と前記第2真空容器との間に設けられた伸縮可能部材と、
前記第1真空容器に設けられ、前記基板保持手段の位置を調整するためのアライメントステージ機構と、
前記アライメントステージ機構が連結される基準プレート部と、
前記基準プレート部と前記第1真空容器との間に設けられる第2伸縮可能部材と、を備えることを特徴とする成膜装置。 - 前記伸縮可能部材はベローズであることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 第1真空容器と、
前記第1真空容器内に設けられ、基板を保持する基板保持手段と、
第2真空容器と、
前記第2真空容器内に設けられ、前記基板保持手段に保持された基板に成膜される成膜材料を放出する成膜源と、
第1真空容器と前記第2真空容器との間に設けられた伸縮可能部材と、
前記第1真空容器に設けられ、前記基板保持手段の位置を調整するためのアライメントステージ機構と、
前記アライメントステージ機構に振動が伝達されることを抑制する除振ユニットと、を備えることを特徴とする成膜装置。 - 前記アライメントステージ機構が連結される基準プレート部を備え、
前記除振ユニットは、前記基準プレート部と成膜装置の設置台との間に設けられることを特徴とする請求項3に記載の成膜装置。 - 前記除振ユニットは、前記第1真空容器の底面より高い位置で前記第1真空容器を支持することを特徴とする請求項3または4に記載の成膜装置。
- 前記除振ユニットは、前記第1真空容器の重心の高さと同じ高さの位置で前記第1真空容器を支持することを特徴とする請求項5に記載の成膜装置。
- 真空容器と、
前記真空容器内に設けられ、基板を保持するための基板保持手段と、
前記真空容器内に設けられ、前記基板保持手段の位置を調整するためのアライメントステージ機構と、
前記アライメントステージ機構に振動が伝達されることを低減するための除振ユニットと、を備え、
前記真空容器は、前記アライメントステージ機構が連結される基準プレート部を備え、
前記除振ユニットは、前記基準プレート部と成膜装置の設置台との間に設けられることを特徴とする成膜装置。 - 前記除振ユニットは、前記真空容器の底面より高い位置で前記真空容器を支持することを特徴とする請求項7に記載の成膜装置。
- 前記除振ユニットは、前記真空容器の重心の高さと同じ高さの位置で前記真空容器を支持するように設けられることを特徴とする請求項8に記載の成膜装置。
- 請求項1~9のいずれか一つに記載の成膜装置と、
マスクを収納するためのマスクストック装置と、
基板又はマスクを搬送するための搬送装置と、を備えることを特徴とする電子デバイスの製造装置。
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