CN102244023A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够使基板的中心与旋转中心对齐、对基板进行处理的基板处理装置及基板处理方法。通过提供如下基板处理装置来解决上述课题：该基板处理装置的特征在于，具有：用于向被处理基板供给处理流体来进行基板处理的基板处理部；用于与上述被处理基板的侧面接触来对上述被处理基板的位置进行定位的定位机构部；用于驱动上述定位机构部的定位驱动部；用于检测上述定位机构部的位置的检测部；用于将上述定位机构部相对于作为上述被处理基板的基准的基准基板的位置作为基准位置信息进行存储的存储部；用于计算上述检测部所检测出的上述定位机构部的位置信息同上述基准位置信息之差、根据上述差计算出上述被处理基板的实测信息的运算部。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
半导体存储器等半导体元件是通过在半导体晶圆等基板上进行成膜、蚀刻等基板处理而形成的。作为这样的基板处理，有对基板的周边部进行处理的倒角处理等，这样的倒角处理等处理是由进行倒角处理的基板处理装置进行的。
不过，由于倒角处理是一边使半导体晶圆等基板旋转一边进行处理的，所以半导体晶圆等基板的中心必须与旋转中心对齐，被进行倒角处理的半导体晶圆等基板的定位极其重要。这是因为：倒角处理是在距基板的侧面(端部)数毫米的区域中进行的，因此，在基板处理装置中，如果基板被错开规定的位置而设置，则无法进行所期望的倒角处理，导致被制造的半导体元件的成品率降低等问题。
此外，除了进行倒角处理的基板处理装置之外，作为一边使半导体晶圆等基板旋转一边进行处理的基板处理装置，有从半导体晶圆等基板的中心向周边进行处理的基板处理装置或者从基板的周边向中心进行处理的基板处理装置。
作为使基板旋转来进行基板处理、且对特定区域进行处理的基板处理装置，在专利文献1及2中有所公开。
专利文献1：日本特开2007-142077号公报
专利文献2：日本特开2009-147152号公报
但是，专利文献1及2中所记载的基板处理装置中的基板的中心相对于旋转中心的定位往往会无法充分进行，在该情况下，会如上所述那样导致成品率等降低。作为其理由，可以列举出如下内容：从制造误差和制造方便性方面来看，制造直径完全相同的半导体晶圆是一件困难的事情，即使是同样的300mm的晶圆，现状也是：所供给的晶圆在满足规定的规格的范围内，在大小上存在差异，尤其是在300mm晶圆等大型基板的情况下等，相对于旋转中心对基板的中心进行准确的定位是极其困难的。
因此，人们期望能够有即使对大小上存在差异的半导体晶圆等基板也能够准确地测量基板的大小、将该信息传递到处理部、由此更精密地对基板进行处理的基板处理装置和基板处理方法。
发明内容
本发明为一种基板处理装置，其特征在于，具有：用于向被处理基板供给处理流体来进行基板处理的基板处理部；用于与上述被处理基板的侧面接触来对上述被处理基板的位置进行定位的定位机构部；用于驱动上述定位机构部的定位驱动部；用于检测上述定位机构部的位置的检测部；用于将上述定位机构部相对于作为上述被处理基板的基准的基准基板的位置作为基准位置信息进行存储的存储部；用于计算上述检测部所检测出的上述定位机构部的位置信息同上述基准位置信息之差、根据上述差计算出上述被处理基板的实测信息的运算部。
此外，本发明为一种基板处理方法，用于向被处理基板供给处理流体来进行基板处理，其特征在于，具有如下工序：基准基板信息存储工序，存储关于基准基板的基准基板信息；基板装载工序，在基板装载部上装载上述被处理基板；检测工序，使上述被处理基板与定位机构部接触，从而检测出上述定位机构部的位置；计算工序，根据上述检测工序中检测出的位置信息与上述基准基板信息，计算上述被处理基板的实测信息。
(发明的效果)
根据本发明，能够提供即使对大小上存在差异的半导体晶圆等基板也能够准确地测量基板的大小、将该信息传递到处理部、由此更精密地对基板进行处理的基板处理装置和基板处理方法。
附图说明
图1是本实施方式的基板处理系统的横剖视图。
图2是本实施方式的基板处理系统的侧视图。
图3是本实施方式的倒角处理装置的说明图(1)。
图4是本实施方式的倒角处理装置的说明图(2)。
图5是刷子单元的结构图。
图6是旋转部及真空吸附部处的剖视图。
图7是本实施方式的基板定位装置的侧视图。
图8是本实施方式的基板定位装置的俯视图。
图9是本实施方式的基板定位方法的流程图。
图10是基准基板的说明图。
图11是本实施方式的其他的基板处理系统的结构图。
具体实施方式
以下，对用于实施本发明的实施方式进行说明。
(基板处理系统)
对本实施方式的基板处理系统进行说明。
基于图1及图2，对本实施方式的基板处理系统进行说明。另外，图1是此基板处理系统的横剖视图，图2是其侧视图。此基板处理单元具有进行基板处理的基板处理部210、和在外部与基板处理部210之间进行晶圆W的搬入、搬出的搬入搬出部220。
搬入搬出部220设有：用于装载FOUP(Front Ope ningUnified Pod)231的装载台230，该FOUP231能够收容多个例如25个晶圆；用于在装载于装载台230上的FOUP231与基板处理部210之间进行晶圆W的交接的输送室240。在FOUP231中收纳有多个晶圆W，这些晶圆W以大致水平状态被保持着，并且在铅垂方向上隔有规定的间隔。
装载台230被沿输送室240的侧壁部241配置，在规定的位置上装载有例如3个FOUP231。在侧壁部241上，在与FOUP231的装载部位相对应的位置设有开口部242，并且，通过设于各开口部242的开闭器243的开、闭，能够相对于FOUP231进行晶圆W的搬入、搬出。在输送室240内设有用于在FOUP231与基板处理部210之间输送晶圆W的第1晶圆输送机构250。第1晶圆输送机构250设有拾取器251，该拾取器251以进退自如、升降自如、旋转自如的方式构成，晶圆W被保持在该拾取器251上而被输送。此外，拾取器251能够进入被设于基板处理部210的晶圆交接单元214，通过使拾取器251进入晶圆交接单元214，能够在拾取器251与基板处理部210之间进行晶圆W的交接。
基板处理部210设有：用于临时装载与输送室240之间交接的晶圆W的晶圆交接单元214；用于对晶圆W进行处理的基板处理单元271～274；用于在基板处理部210进行晶圆W的输送的第2晶圆输送机构260。此外，在基板处理单元271～274中的任意一个中嵌入有后面所述的本实施方式中的倒角处理装置等基板处理装置和基板定位装置。此外，第2晶圆输送机构260设有拾取器261，该拾取器261以进退自如、升降自如、旋转自如的方式构成，晶圆W被保持在该拾取器261上而被输送。另外，基板处理部210上还设有：用于储存进行倒角处理等用的处理液的处理液储存单元211；用于给基板处理系统整体供电的电源单元212；用于进行基板处理系统的整体控制的机械控制部213。此外，在基板处理部210的顶壁部分设有风机过滤器单元(FFU)216，该风机过滤器单元216通过使清洁的空气向下流而将其供给到设有各单元及第2晶圆输送机构260的空间。
此外，此基板处理系统连接有控制部280。此控制部280由例如未图示的具有CPU和存储部的计算机构成，存储部中存储有用于控制在基板处理系统中进行的动作的程序。此程序储存于例如硬盘、光盘、磁光盘、存储卡等存储介质中，从这些存储介质安装到计算机中。此外，此控制部280也可以设在例如基板处理部210的机械控制单元213内。
另外，本实施方式的基板处理系统是具有多个处理单元的系统，但是本实施方式的基板处理系统包含在作为基板处理装置的概念里。
(基板处理装置)
接下来，就本实施方式的对晶圆W进行处理的基板处理装置进行说明。本实施方式的基板处理装置是嵌入到了前面所述的基板处理系统的基板处理单元271～274中的任意一个当中的装置。
本实施方式的基板处理装置是例如对晶圆W进行倒角处理的倒角处理装置。具体而言，本实施方式的倒角处理装置是一边使晶圆W旋转一边对从晶圆W的侧面(端部)到内侧3mm左右的区域进行处理的装置，是用氢氟酸(H F)、氨(NH3)和双氧水(H2O2)的混合溶液、氟硝酸(氢氟酸和硝酸(HNO3)的混合液)等处理液将形成在该部分的SiO2膜、SiN膜、多晶硅膜等除去的基板处理装置。另外，在本说明书中，上面所述的晶圆W相当于后面所述的基板30，称为半导体晶圆。
基于图3及图4，对作为本实施方式中的基板处理装置的倒角处理装置进行说明。本实施方式的倒角处理装置具有用于接受倒角处理所使用的处理液并将其排出到倒角处理装置外部的排放杯110(drain cup)、用于覆盖基板30上方的上板120、用于装载基板30并使其旋转的旋转部40、喷嘴部140及160、和图5所示的刷子单元150，另外，还具有后面所述的基板定位装置。图3表示排放杯110与上板120打开，可搬入搬出基板的状态，图4表示排放杯110与上板120闭合了的状态。另外，倒角处理是在图4所示那样排放杯110与上板120闭合了的状态下进行的。
如图6所示，旋转部40借助旋转传递部42设有电动机43，该旋转部40能够使装载的基板30旋转。此外，在旋转部40中，在用来装载基板30的面上设有成为基板吸附固定部的真空吸附部44，该真空吸附部44与未图示的真空泵等相连接。在真空吸附部44上设有气体开口部45，真空吸附部44的真空吸附是在将基板30装载到真空吸附部44上之后利用真空泵等进行排气，将基板30吸附固定在气体开口部45而进行的。此外，在真空吸附部44，通过从气体开口部45向基板30一侧供给氮气(N2)等(氮气吹送)，能够使基板30浮在真空吸附部44上。
在本实施方式中，在将基板30装载到旋转部40的真空吸附部44上之后，通过设在排放杯110的外侧的后述定位装置进入到排放杯110与上板120之间，对基板30的中心位置进行定位。在这之后，使定位装置从进入到排放杯110与上板120之间的位置退避到外侧，然后使上板120下降，并且使排放杯110上升，在上板120与排放杯110接触的状态下形成处理空间。在该处理空间内，使基板30旋转，由设于上板120一侧的喷嘴部140的第1喷嘴141、和设于排放杯110那一侧的喷嘴部160的第2喷嘴161供给处理液，对基板30进行倒角处理。
此时，喷嘴部140设有用于使第1喷嘴141在基板30的径向上移动的电动机142，喷嘴部160设有用于使第2喷嘴161在晶圆的径向上移动的电动机162。上述第1喷嘴141及第2喷嘴161能够由电动机142及电动机162配置在基于根据后面所述的基板定位装置得到的基板30的半径等信息所确定的位置上。此时，作为喷嘴驱动部的电动机142和电动机162通过喷嘴驱动控制部170的控制使第1喷嘴141和第2喷嘴161移动。由此，无论基板的大小如何，均能够可靠地进行所期望的倒角处理。
另外，在排放杯110上，也可以设置除了喷嘴部140以外的未图示的喷嘴部，另外也可以设置多个喷嘴部。该喷嘴部为与喷嘴部140大致相同的结构，其中设有喷嘴以及用于使该喷嘴沿基板的径向移动的喷嘴用电动机。
此外，如图5所示，在本实施方式的基板处理装置中，具有刷子单元150，能够由刷子单元150进行处理。此刷子单元150具有刷子部151、用于使刷子部151旋转的刷子用电动机152，刷子部151呈圆柱状，由海绵等材料形成，它与基板30接触而进行处理。刷子单元150还具有能够使包含刷子部151及刷子用电动机152在内的刷子单元主体部153移动的第1电动机154及第2电动机155。另外，该刷子单元150在排放杯110与上板120关闭的状态下进行基板30的处理。第1电动机154是能够使刷子单元主体部153在平行于基板30的表面的方向移动的装置，它能够调节刷子部151相对于基板30在水平方向上的位置。因此，能够由第1电动机154确定基板30上实施倒角处理的区域。此外，第2电动机155是能够使刷子单元主体部153在垂直于基板30的表面的方向移动的装置，它能够调节刷子部151相对于基板30的高度。因此，通过第2电动机155，能够将刷子部151调节到能够以所期望的按压力对基板30进行处理的规定的高度。本实施方式中，能够基于根据后面所述的基板定位装置得到的基板30的直径的信息控制第1电动机154，对应于基板30的大小，使刷子部151移动到所期望的位置。由此，能够使由刷子部151进行的基板30的处理在最适宜的位置进行，能够进行所期望的处理。
(基板定位装置)
接下来，对本实施方式的基板定位装置进行说明。
图7是本实施方式的基板定位装置的侧视图，图8是本实施方式的基板定位装置的俯视图。本实施方式的基板定位装置是对半导体晶圆等圆形基板进行定位的装置。
本实施方式的基板定位装置安装于基板处理单元271～274的任意一个中，具有第1定位机构部10和第2定位机构部20。第1定位机构部10和第2定位机构部20隔着旋转部30被相对配置在经过用于设置基板30的旋转部40的旋转中心41的直线上。
第1定位机构部10具有与基板30的侧面(端部)接触的第1基准部11、用于支承第1基准部11的支承部12、及借助支承部12使第1基准部11在基板30的径向上直线形移动的第1驱动部13。第1基准部11的与基板30接触的接触面14形成为俯视时呈V字状，第1基准部11在该接触面14处能够与圆形的基板30的侧面的2点接触。第1基准部11由不变形的材料形成，优选采用混入金属等杂质的可能性较小的材料，例如陶瓷或者聚醚醚酮树脂(PEEK)等树脂材料。支承部12形成为L字状，在其一端安装有第1基准部11。第1基准部11在能够以设于支承部12的销轴15为中心旋转的状态下被支承，并且被螺钉16固定着。
此时，以销轴15为中心转动第1基准部11，使其处于与后述的基准基板81的侧面的2点接触的位置，由螺钉16将第1基准部11固定住，由此，能够使第1基准部11和基准基板81确实以2点接触。此外，支承部12的另一端与第1驱动部13相连接。第1驱动部13是能够使第1基准部11在基板30的径向上直线移动的装置，由能够使被驱动物在规定的位置停止的位置可控电动机构成。优选是例如能够比较准确地进行位置控制的步进电动机等。
第2定位机构部20具有与基板30的侧面接触的第2基准部21、用于支承第2基准部21的支承部22、及能够借助支承部22使第2基准部21在基板30的径向上线形移动的第2驱动部23。
此外，第2基准部21具有接触部24、可动部25、弹簧部26、主体部27、位置传感器28和连接部29。
接触部24形成为圆筒状，其在能够以圆筒的中心为轴线旋转的状态下安装于连接部29。接触部24由例如滚珠轴承等形成。连接部29借助弹簧部26与主体部27相连接，弹簧部26被安装为在使安装于连接部29的接触部24朝向旋转部40的旋转中心41的方向上施加力的状态。因此，在对基板30进行定位，基板30的侧面与接触部24的侧面接触时，即使基板30的中心偏离了旋转部40的旋转中心41与接触部24相连接的直线，也通过接触部24与基板30的移动相配合的旋转，使基板30能够顺畅地移动。另外，当基板30的侧面与接触部24的侧面接触时，通过弹簧部26的收缩，能够防止在基板30上施加所需要的力以上的力。可动部25与连接部29相连接，与伴随着弹簧部26的伸缩移动的接触部24共同移动。此外，安装于主体部27的位置传感器28能够测定主体部27到可动部25的距离。这样，通过由位置传感器28测定主体部27到可动部25的距离，能够计算出与预先设定的基准距离之差，计算出基板30的直径。接触部24由不变形的材料形成，优选采用混入金属等杂质的可能性较小的材料，例如陶瓷或者聚醚醚酮树脂(PEEK)等树脂材料。此外，位置传感器28只要是能够检测可动部25的位置的传感器即可，可以使用接触式传感器、或磁传感器、光学传感器等非接触式传感器。
第2基准部21连接在支承部22的一端，支承部22的另一端与第2驱动部23相连接。第2驱动部23是能够使第2基准部21在基板30的径向上直线移动的装置。因此，第2驱动部23由可直线移动的气缸等，或者可直线移动的电动机等形成。另外，第1驱动部13的直线移动的方向和第2驱动部23的直线移动的方向被设置为在同一直线上，旋转部40的旋转中心41存在于此直线上。再者，第2驱动部23与未图示的升降缸相连接，该升降缸可在垂直于基板面的方向上移动，能够使第2基准部21、支承部22及第2驱动部23整体上在大致垂直于基板面的方向上移动。
此外，在本实施方式中，第1定位机构部10的第1基准部11、旋转部40的旋转中心41、第2定位机构部20的第2基准部21被配置为位于同一直线上。
再者，在本实施方式中，第1定位机构部10、第2定位机构部20、旋转部40、未图示的用于在真空吸盘部44对基板30进行真空吸附的真空泵、以及切换真空泵与真空吸盘部44的连接状态的阀门45、用于供给氮气等的阀门46等与控制部50相连接，能够由控制部50对上述各部分进行控制。此外，控制部50与外部存储部60相连接，外部存储部60中储存着用于在控制部50进行控制的程序。另外，控制部50内具有对第1定位机构部10、第2定位机构部20及旋转部40等进行控制的驱动控制部51、用于存储基准位置等信息的存储部52、和进行各种计算动作的运算部53、和用于发送由实际对基板进行处理的基板处理部等所测量到的基板的信息的送信部54。
(基板的测量及定位方法)
接下来，基于图9，对本实施方式的基板的测量和定位方法进行说明。本实施方式的基板的测量及定位方法是利用本实施方式的基板处理装置及基板定位装置进行的。
首先，在步骤102(S102)，在旋转部40的真空吸附部44上设置基准基板。具体而言，如图10所示，基准基板81形成为直径300mm的圆形，基准基板81的中心部分形成有凸部82。此外，真空吸盘部44的表面的、成为旋转中心41的部分设有与凸部82相对应的、未图示的凹部，通过将基准基板81的凸部82插入真空吸附部44的凹部中，使旋转部40的旋转中心41与基准基板81的中心对齐。即，形成为在基准基板81中的从旋转部40的旋转中心41到周围的距离均等。另外，虽然在本实施方式中，对在基准基板81的中心部设有凸部82、在真空吸附部44设有凹部44的结构进行了说明，但是只要是能够将基准基板81设置为在将基准基板81设置在真空吸附部44上时旋转部40的旋转中心41与基准基板81的中心对齐的结果和方法，采用其他的形状或方法也是可以的。
接下来，在步骤104(S104)进行基准位置的检测。具体而言，在将基准基板81设置在真空吸附部44上的状态下，由第1定位机构部10及第2定位机构部20，以基准基板81为基准确定第1定位机构部10及第2定位机构部20的基准位置。该基准位置的确定通过以下的工序进行。
在第1定位机构部10，由第1驱动部13使第1基准部11在朝着旋转部40的旋转中心41的方向上移动到与基准基板81接触为止。此时，第1基准部11以销轴15为中心旋转，该第1基准部11的形成为V字状的绕的接触面14被调整为与基准基板81在2点处接触。然后，在该状态下由螺钉16将第1基准部11和支承部12固定住。在朝向旋转部40的旋转中心41的方向上，将第1基准部11与基准基板81在两点上接触的位置确定为第1定位机构部10的基准位置。此外，在第2定位机构部20，由第2驱动部23使第2基准部21在朝着旋转部40的旋转中心41的方向上移动，在使第2基准部21的接触部24接触到基准基板81后，使位置传感器28所检测到的主体部27到可动部25的距离为预先确定的基准距离，为例如1mm。将该主体部27到可动部25的距离为预先确定的作为基准距离的位置确定为第2定位机构部20的基准位置。之后，在第1定位机构部10由第1驱动部13使第1基准部11朝着离开基准基板81的方向移动，同样地，在第2定位机构部20由第2驱动部23使第2基准部21朝着离开基准基板81的方向移动。之后，还从设在真空吸附部44的凹部拆下基准基板81。
接下来，在步骤106(S106)，存储基准位置的信息。具体而言，将在步骤104确定的第1定位机构部10的基准位置和第2定位机构部20的基准位置存储到设于控制部50内的存储部52。
接下来，在步骤108(S108)，将基板30装载到真空吸附部44上。具体而言，在将基板30装载到真空吸附部44上的状态下，从真空吸附部44向基板30供给氮气，通过吹送氮气使基板30浮在真空吸附部44上。由于基板30相对于真空吸附部44的面是平坦的，所以在装载到真空吸附部44上的状态下，有时就吸附固定在真空吸附部44上，为了避免在此状态下的吸附固定，进行氮气吹送。由此能够容易地使基板30在真空吸附部44上移动。为此，在此状态下，基板30并不被吸附固定在真空吸附部44上。另外，此氮气吹送是根据需要进行的，在不进行氮气吹送的情况下进行本实施方式的定位也是可以的。
接下来，在步骤110(S110)，进行基板30的测量。具体而言，首先由第1驱动部13使第1基准部11移动到步骤106(S106)中存储的第1定位机构部10的基准位置。此时，在装载于真空吸附部44的基板30的直径大于300mm或者装载位置偏离的情况下，在第1基准部11的接触面14与基板30的侧面接触，基板30被第1基准部11推动而向第2定位机构部20侧移动。另一方面，在装载于真空吸附部44的基板30的直径小于300mm的情况下，如果与基准基板相同条件地装载基板30，则通常第1基准部11的接触面14不与基板30的侧面接触，在第1基准部11的接触面14与基板30的侧面之间形成有间隙。
接下来，由第2驱动部23使第2基准部21移动到步骤106中存储的第2定位机构部20的基准位置。第2定位机构部20的基准位置。此时，第2基准部21的接触部24与基板30的侧面接触，进而接触部24被朝向离开旋转中心41的方向推动。在接触部24被推动的同时，可动部25也朝向离开旋转中心41的方向移动。在装载于真空吸附部44的基板30的直径大于300mm的情况下，由位置传感器28检测到的主体部27到可动部25的距离比预先确定的基准距离即1mm小。另一方面，在装载于真空吸附部44的基板30的直径小于300mm的情况下，由位置传感器28检测到的主体部27到可动部25的距离比预先确定的基准距离即1mm大。在它们各自的状态，将由位置传感器28检测到的主体部27到可动部25的距离发送到运算部53。
接下来，在步骤112(S112)，基于由位置传感器28检测到的主体部27到可动部25的距离，在设于控制部52内的运算部53计算基板30的直径的实测值。具体而言，由于基准位置是主体部27到可动部25的距离为1mm时的位置，所以在位置传感器28检测到的距离为0.8mm的情况下，计算出来的基板30的直径的实测值为300.2mm。此外，在位置传感器28检测到的距离为1.2mm的情况下，计算出来的基板30的直径的实测值为299.8mm。
另外，在使第2基准部21移动到了规定的位置的情况下，检测值有相去甚远的情况。作为这样的情况，可认为是接触部24与形成于基板30侧面的切口(notch)等接触的情况。因此，在这样的情况下，需要避开形成有切口的位置进行基板30的测量，因此，由旋转部40使基板30旋转90°后，再次进行同样的测量。即使多次进行测量，检测值依然相去甚远的情况下，可认为装载于真空吸附部44的基板30不是满足规定的规格的晶圆，因此，将其从真空吸附部44除掉，装载下一个基板30，进行步骤108以后的流程。
接下来，在步骤114(S114)，在运算部53中计算用于使基板30的中心与旋转中心41对齐的校正的校正值。即，基于在步骤112计算出的基板30的直径的实测值，计算使装载在真空吸附部44上的基板30从当前的位置移动的距离，该距离成为校正值。具体为：在步骤112测得300.2mm的情况下，由于比基准基板81大0.2mm，所以校正值为+0.2mm的一半，即+0.1mm。此外，测得299.8mm的情况下，由于比基准基板81小0.2mm，所以校正值为-0.2mm的一半，即-0.1mm。
接下来，在步骤116(S116)，向基板处理装置发送关于实测值及校正值的信息。具体而言，由发送部54向在基板处理装置内进行基板处理的部分，例如喷嘴驱动控制部170发送关于基板的实测值及校正值的信息。
接下来，在步骤118(S118)，基于步骤114中得到的校正值，驱动控制部51对装载于真空吸附部44上的基板30进行位置校正。具体而言，在校正值为+0.1mm的情况下，由于基板30的中心比旋转部40的旋转中心41向第2定位机构部20侧偏离0.1mm，所以驱动控制部51通过第1定位驱动部10的第1驱动部13使第1基准部11向离开旋转中心41的方向移动0.1mm。由此，基板30被第2基准部21的弹簧部26借助连接部29和接触部24推向第1定位驱动部10侧，能够形成为基板30的中心与旋转中心41对齐的状态。此外，在校正值为-0.1mm的情况下，由于基板30的中心比旋转部40的旋转中心41向第1定位机构部10一侧偏离0.1mm，所以驱动控制部51通过第1定位驱动部10的第1驱动部13使第1基准部11向接近旋转中心41的方向移动0.1mm。由此，基板30的侧面被第1基准部11的1接触面14推动，由于第2定位机构部20的弹簧部26收缩，所以能够使基板30向第2定位机构部20侧移动，由此能够形成为基板30的中心与旋转中心41对齐的状态。
接下来，在步骤120(S120)，将基板30吸附固定于真空吸附部44。具体而言，由于在步骤116成为了晶圆的中心与旋转部40的旋转中心对齐的状态，所以，停止氮气吹送，由连接于真空吸附部44的真空泵等装置进行排气，通过设于真空吸附部44的开口部45使基板30吸附固定于真空吸附部44。之后，在第1定位机构部10，由第1驱动部13使第1基准部11向离开旋转中心41的方向移动，由此成为基板30的侧面与第1基准部11的接触面14不接触的状态。同样地，在第2定位机构部20，由第2驱动部23使第2基准部21向离开旋转中心41的方向移动，由此成为基板30的侧面与第2基准部21的接触部24不接触的状态。由此，能够在基板30的中心与旋转部40的旋转中心41对齐的状态下，由真空吸附部44使基板30吸附固定。
(基板处理方法)
接下来，在步骤122(S122)，关闭排放杯110和上板120，形成处理空间，在处理空间内使基板30旋转。基板30被吸附固定于真空吸附部44，能够在旋转中心41与基板30的中心对齐的状态下使基板30旋转。
接下来，在步骤124(S124)，对基板30进行处理。具体而言，由第1喷嘴141和第2喷嘴161对基板30进行倒角处理。第1喷嘴141和第2喷嘴161的喷嘴位置预先设置于从基准基板的端部向内侧进入相当于处理宽度的位置。基于由发送部54发送的基板30的实测值及校正值，由预先设定的喷嘴位置调整相当于该校正值的量，由此进行基板30的倒角处理。即，喷嘴驱动控制部170由喷嘴用电动机142使第1喷嘴141移动到规定的位置，由喷嘴用电动机162使第2喷嘴161移动到规定的位置。具体而言，当对基板30进行倒角处理的处理宽度为从基板30的端部进行3mm时，将第1喷嘴141的喷嘴位置预先设定为从基准基板81的端部向内侧3mm的位置。如果实测到的基板30的直径为300.2mm，则第1定位机构10的校正值为+0.1mm，所以在使基板30的中心与旋转中心41对齐时，基板30的端部位于从基准基板81的端部向外侧0.1mm处。因此，使第1喷嘴141与第1定位机构同样从设定的喷嘴位置向离开旋转中心41的方向移动0.1mm。另外，如果实测到的基板30的直径为299.8mm，则第1定位机构10的校正值为-0.1mm，所以在使基板30的中心与旋转中心41对齐时，基板30的端部位于从基准基板81的端部向旋转中心侧0.1mm处。因此，使第1喷嘴141与第1定位机构同样从设定的喷嘴位置向接近旋转中心41的方向移动0.1mm。关于第2喷嘴161，也与第1喷嘴141同样，与处理宽度相应地使第2喷嘴161从预先设定的喷嘴位置移动相当于第1定位机构的校正值的量。由此，第1喷嘴141和第2喷嘴161能够与基板30的实际大小无关地从基板30的端部准确移动到离开相当于期望的处理宽度的位置，能够与处理宽度相一致。之后，由第1喷嘴141及第2喷嘴161供给药液，进行倒角处理。
此外，在由刷子单元150对基板30进行处理时，也能进行与喷嘴位置的调整相同的控制，根据步骤116中得到的校正值，由第1电动机154使刷子部151移动，使得该刷子部151相对于基板30的水平方向上的位置移动到期望的位置。由此，能够与基板30的实际大小无关地由刷子部151对所期望的处理区域准确进行处理。
在倒角处理结束后，使排放杯110与上板120分离，通过解除真空吸附部44，将进行过倒角处理的基板30拆下，由第2晶圆输送机构260送出。新进行倒角处理的基板30被装载到真空吸附部44，通过进行从步骤108到124的工序来进行倒角处理。
作为本实施方式的基板处理装置，列举了对基板进行倒角处理的装置、从基板的中心向周围进行处理的装置、从基板的周围向中心进行处理的装置等，能够由这些装置进行本实施方式的基板处理方法。
另外，就本实施方式的基板处理装置及基板处理方法而言，只要是使晶圆等基板旋转来进行处理的基板处理装置及基板处理方法，无论是什么装置都可以。尤其在对大型的基板进行处理时，如果基板的中心与旋转中心不对齐，则往往会因偏心导致无法使基板进行期望的旋转，无法进行期望的处理。若采用本实施方式的基板处理装置及基板处理方法，则在这种情况下也能进行期望的处理。
另外，由于使用基准基板81进行的基准位置检测工序只进行一次即可，所以通过反复进行步骤108到步骤124的工序，能够对多个基板的准确的中心位置进行定位，在短时间内进行基板处理。
此外，在图1及图2所示的基板处理系统中，将关于由1个基板处理单元内的上述基板定位装置得到的基板30的直径等实测值及校正值的信息发送给机械控制单元213，在其他基板处理单元进行相同的基板处理的情况下，可以使用发送过来的关于基板的直径等的实测值及校正值的信息，进行调整进行定位或基板处理时的喷嘴位置等处理。
此外，也可以在基板处理单元之外设置具有基板定位装置的单元，将关于该基板定位装置得到的基板的直径等实测值及校正值的信息传递给基板处理单元。
具体而言，如图11所示，在晶圆交接单元214内等设置基板定位装置，由发送部290将关于该基板定位装置得到的基板的实测值及校正值的信息发送给对该基板进行处理的基板处理单元271～274。由此，能够基于发送过来的关于基板的实测值及校正值的信息，在基板处理单元271～274中，进行对进行使基板的中心与旋转中心对准时的喷嘴位置的调整等。
这样，通过将关于该基板定位装置得到的基板的直径等实测值及校正值的信息传递给其他的基板处理单元，使该信息在其他的基板处理单元中使用，即使不在各处理单元中分别对基板的大小进行实测，因此能准确地对基板进行定位。另外，由于能够省去在各处理单元中分别对基板的大小进行实测的工序，所以能够缩短基板的处理时间。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但上述内容不是用于限定发明的内容。

Claims (21)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
用于向被处理基板供给处理流体来进行基板处理的基板处理部；
用于与上述被处理基板的侧面接触来对上述被处理基板的位置进行定位的定位机构部；
用于驱动上述定位机构部的定位驱动部；
用于检测上述定位机构部的位置的检测部；
用于将上述定位机构部相对于作为上述被处理基板的基准的基准基板的位置作为基准位置信息进行存储的存储部；
用于计算上述检测部所检测出的上述定位机构部的位置信息同上述基准位置信息之差、根据上述差计算出上述被处理基板的实测信息的运算部。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置具有发送部，用于向上述基板处理部发送上述运算部所计算出的上述实测信息。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述发送部向多个上述基板处理部发送上述实测信息。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述基板处理部具有：
喷嘴，其用于供给对上述被处理基板进行处理的流体；
喷嘴驱动部，其用于使上述喷嘴沿上述被处理基板的表面移动；
喷嘴驱动控制部，其用于根据上述运算部的信息控制上述喷嘴驱动部，以使上述喷嘴移动到规定的位置。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
上述喷嘴向上述被处理基板的倒角部供给处理液来进行倒角处理。
6.根据权利要求4或5所述的基板处理装置，其特征在于，
上述喷嘴从上述被处理基板的中心部向周边部移动，或者从上述被处理基板的周边部向中心部移动。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置具有定位驱动控制部，其用于控制上述定位驱动部，以便根据上述运算部的信息驱动上述定位驱动部，使上述被处理基板移动到规定的位置。
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
上述实测信息为上述被处理基板的直径的信息。
9.根据权利要求1至8中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
上述基板处理部与上述定位机构部设置于不同的单元内。
10.根据权利要求1至8中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
上述基板处理部与上述定位机构部设置于一个单元内。
11.根据权利要求1至10中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述定位机构部具有：
第1定位机构部，其具有与上述被处理基板的一侧面接触的第1基准部、和用于使上述第1基准部移动的第1驱动部；
第2定位机构部，其具有与上述被处理基板的另一侧面接触的第2基准部、和用于使上述第2基准部移动的第2驱动部。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第1基准部形成为以两点以上与上述被处理基板的侧面接触。
13.根据权利要求11或12所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第2基准部具有接触部和弹性部，该接触部以1点与上述被处理基板的侧面接触；该弹性部能够在上述第2基准部移动的方向上对上述接触部施加力。
14.根据权利要求13所述的基板定位装置，其特征在于，
上述接触部具有大致圆形的形状，且以能够以上述圆形的中心为轴线旋转的状态设置于上述第2基准部。
15.一种基板处理方法，其用于向被处理基板供给处理流体来进行基板处理，其特征在于，具有如下工序：
基准基板信息存储工序，存储关于基准基板的基准基板信息；
基板装载工序，在基板装载部上装载上述被处理基板；
检测工序，使上述被处理基板与定位机构部接触，从而检测出上述定位机构部的位置；
计算工序，根据上述检测工序中检测出的位置信息与上述基准基板信息，计算上述被处理基板的实测信息。
16.根据权利要求15所述的基板处理方法，其特征在于，
该基板处理方法具有发送工序，用于向基板处理部发送所计算出的上述被处理基板的实测信息。
17.根据权利要求16所述的基板处理方法，其特征在于，
该基板处理方法具有基板处理工序，在该基板处理工序中，根据在上述发送工序中接收到的上述被处理基板的实测信息，使基板处理部内的喷嘴移动到规定的位置、由上述喷嘴供给处理流体，由此对基板进行处理。
18.根据权利要求15至17中的任意一项所述的基板处理方法，其特征在于，上述基准基板信息存储工序具有如下工序：
以上述基准基板的中心与上述基板装载部的中心对齐的方式在上述基板装载部上设置上述基准基板的工序；
基准基板位置检测工序，使第1基准部与上述基准基板的一侧面接触，进而使第2基准部与上述基准基板的另一侧面接触，从而确定上述定位机构部的基准位置；
存储工序，将上述基准位置存储为上述基准基板信息。
19.根据权利要求15至18中的任意一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在上述检测工序中，使上述第1基准部与上述被处理基板的一侧面接触，再使上述第2基准部与上述被处理基板的另一侧面接触，由检测部检测出上述第2基准部的位置。
20.根据权利要求15至19中的任意一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在上述计算工序中，根据上述检测工序中检测出的值和上述基准基板信息计算出上述被处理基板的直径。
21.根据权利要求15至20中的任意一项所述的基板处理方法，其特征在于，
通过反复进行上述基板装载工序、上述检测工序、上述计算工序，对多个被处理基板进行定位。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102339781A (zh) * 2011-09-28 2012-02-01 上海宏力半导体制造有限公司 一种晶圆固定装置及其使用方法
CN103811290A (zh) * 2012-11-13 2014-05-21 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种液体喷洒回收装置
US9964863B1 (en) 2016-12-20 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Post exposure processing apparatus
CN109928212A (zh) * 2019-04-09 2019-06-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板定位设备
CN110223934A (zh) * 2018-03-01 2019-09-10 株式会社荏原制作所 调度器、衬底处理装置及衬底输送方法
CN111850461A (zh) * 2019-04-26 2020-10-30 佳能特机株式会社 对准装置和方法、成膜装置和方法及电子器件的制造方法
CN112768393A (zh) * 2021-02-02 2021-05-07 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 校准装置、对准系统及对准方法
US11003080B2 (en) 2014-11-14 2021-05-11 Applied Materials, Inc. Process chamber for field guided exposure and method for implementing the process chamber
US11429026B2 (en) 2020-03-20 2022-08-30 Applied Materials, Inc. Lithography process window enhancement for photoresist patterning
CN115593098A (zh) * 2021-06-28 2023-01-13 细美事有限公司（Kr） 基板处理装置的预热方法及用于该方法的计算机程序
US11650506B2 (en) 2019-01-18 2023-05-16 Applied Materials Inc. Film structure for electric field guided photoresist patterning process

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5572575B2 (ja) * 2010-05-12 2014-08-13 東京エレクトロン株式会社 基板位置決め装置、基板処理装置、基板位置決め方法及びプログラムを記録した記憶媒体
JP5243491B2 (ja) * 2010-06-18 2013-07-24 東京エレクトロン株式会社 位置決め装置、基板処理装置及び基準部材の固定方法
JP5729326B2 (ja) * 2012-02-14 2015-06-03 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP6113624B2 (ja) * 2013-10-11 2017-04-12 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
JP6680040B2 (ja) * 2016-03-30 2020-04-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、液処理方法、及び記憶媒体
JP6811951B2 (ja) * 2017-02-03 2021-01-13 株式会社ディスコ 搬送機構
JP6842952B2 (ja) 2017-02-28 2021-03-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
WO2018159193A1 (ja) 2017-02-28 2018-09-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6920849B2 (ja) * 2017-03-27 2021-08-18 株式会社荏原製作所 基板処理方法および装置
JP6847770B2 (ja) 2017-05-31 2021-03-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7297558B2 (ja) * 2019-06-28 2023-06-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7426808B2 (ja) 2019-11-27 2024-02-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US12062567B2 (en) * 2020-04-09 2024-08-13 Applied Materials, Inc. Systems and methods for substrate support temperature control

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002176093A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Kawasaki Heavy Ind Ltd ワーク処理方法、ワーク処理装置およびロボット
CN101276774A (zh) * 2007-03-28 2008-10-01 沈阳芯源先进半导体技术有限公司 晶片自动定位控制装置及其控制方法
JP2009147152A (ja) * 2007-12-14 2009-07-02 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄装置および基板洗浄方法

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0637170A (ja) * 1992-07-15 1994-02-10 Fujitsu Ltd ウェーハアライメント方法及び装置
TW319751B (zh) * 1995-05-18 1997-11-11 Toshiba Co Ltd
JPH1089904A (ja) * 1996-09-17 1998-04-10 Hitachi Electron Eng Co Ltd Ｖノッチウェハ位置決め装置
US6032512A (en) * 1998-06-02 2000-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Wafer centering device and method of using
US6382849B1 (en) * 1999-06-09 2002-05-07 Tokyo Electron Limited Developing method and developing apparatus
JP2002015984A (ja) * 2000-04-27 2002-01-18 Toshiba Corp 成膜方法
JP3545676B2 (ja) * 2000-05-10 2004-07-21 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置及び現像処理方法
KR100811964B1 (ko) * 2000-09-28 2008-03-10 동경 엘렉트론 주식회사 레지스트 패턴 형성장치 및 그 방법
JP2002353423A (ja) * 2001-05-25 2002-12-06 Canon Inc 板部材の分離装置及び処理方法
JP4389424B2 (ja) * 2001-12-25 2009-12-24 東京エレクトロン株式会社 被処理体の搬送機構及び処理システム
JP4173309B2 (ja) * 2002-01-28 2008-10-29 東京エレクトロン株式会社 センタリング装置及び枚葉式検査装置
US20030168175A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-11 Kim Kyung-Tae Substrate alignment apparatus
JP3956350B2 (ja) * 2002-03-25 2007-08-08 東京エレクトロン株式会社 位置決め機能を有する基板処理装置及び位置決め機能を有する基板処理方法
US6700090B2 (en) * 2002-04-26 2004-03-02 Hitachi High-Technologies Corporation Plasma processing method and plasma processing apparatus
US7367773B2 (en) * 2002-05-09 2008-05-06 Maxtor Corporation Apparatus for combining or separating disk pairs simultaneously
US7499767B2 (en) * 2003-02-20 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for positioning a substrate relative to a support stage
JP2004342939A (ja) 2003-05-16 2004-12-02 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 基板処理装置
WO2005055312A1 (ja) * 2003-12-04 2005-06-16 Hirata Corporation 基板位置決めシステム
KR101003666B1 (ko) * 2003-12-10 2010-12-23 엘지디스플레이 주식회사 정렬장치
JP4069081B2 (ja) * 2004-01-13 2008-03-26 東京エレクトロン株式会社 位置調整方法及び基板処理システム
JP2005262367A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Tokyo Electron Ltd 搬送ロボットの搬送ズレ確認方法及び処理装置
JP5291281B2 (ja) * 2004-06-28 2013-09-18 株式会社渡辺商行 浮上搬送装置及び浮上搬送方法
JP4324527B2 (ja) * 2004-09-09 2009-09-02 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法及び現像装置
JP4490780B2 (ja) * 2004-10-07 2010-06-30 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4502199B2 (ja) * 2004-10-21 2010-07-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 エッチング装置およびエッチング方法
JP4222997B2 (ja) * 2004-11-15 2009-02-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4312145B2 (ja) * 2004-11-15 2009-08-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板位置補正装置および基板位置補正方法
US7547181B2 (en) * 2004-11-15 2009-06-16 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate position correcting method and apparatus using either substrate radius or center of rotation correction adjustment sum
JP4601452B2 (ja) * 2005-02-22 2010-12-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2006237479A (ja) * 2005-02-28 2006-09-07 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラズマ処理装置
WO2006112532A1 (en) * 2005-04-19 2006-10-26 Ebara Corporation Substrate processing apparatus
JP4757126B2 (ja) * 2005-10-11 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP4657090B2 (ja) 2005-11-17 2011-03-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4781802B2 (ja) * 2005-12-06 2011-09-28 東京応化工業株式会社 サポートプレートの貼り合わせ手段及び貼り合わせ装置、並びにサポートプレートの貼り合わせ方法
JP4961895B2 (ja) * 2006-08-25 2012-06-27 東京エレクトロン株式会社 ウェハ搬送装置、ウェハ搬送方法及び記憶媒体
JP2008060302A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Sokudo:Kk 基板処理装置
US7673582B2 (en) * 2006-09-30 2010-03-09 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for removing an edge bead of a spin-coated layer
JP5030542B2 (ja) * 2006-11-10 2012-09-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
JP4428717B2 (ja) * 2006-11-14 2010-03-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理システム
JP2008173744A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd 搬送システムの搬送位置合わせ方法
JP4900117B2 (ja) * 2007-07-30 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 現像装置、現像方法及び記憶媒体
JP5133641B2 (ja) * 2007-09-27 2013-01-30 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法、塗布処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2009130011A (ja) 2007-11-21 2009-06-11 Atel Corp 基板位置決め装置
JP4922915B2 (ja) * 2007-12-28 2012-04-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板の芯合わせ方法
US8386064B2 (en) * 2008-03-17 2013-02-26 Tokyo Electron Limited Control device and control method
KR101202202B1 (ko) * 2008-06-05 2012-11-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치 및 액처리 방법
KR20090126854A (ko) * 2008-06-05 2009-12-09 삼성전자주식회사 어레이 헤드형 잉크젯 화상형성장치 및 그 정렬 에러 보상방법
KR101041872B1 (ko) * 2008-11-26 2011-06-16 세메스 주식회사 노즐 및 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법
JP5301505B2 (ja) * 2009-08-27 2013-09-25 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP5572575B2 (ja) * 2010-05-12 2014-08-13 東京エレクトロン株式会社 基板位置決め装置、基板処理装置、基板位置決め方法及びプログラムを記録した記憶媒体
JP5243491B2 (ja) * 2010-06-18 2013-07-24 東京エレクトロン株式会社 位置決め装置、基板処理装置及び基準部材の固定方法
JP5729326B2 (ja) * 2012-02-14 2015-06-03 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002176093A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Kawasaki Heavy Ind Ltd ワーク処理方法、ワーク処理装置およびロボット
CN101276774A (zh) * 2007-03-28 2008-10-01 沈阳芯源先进半导体技术有限公司 晶片自动定位控制装置及其控制方法
JP2009147152A (ja) * 2007-12-14 2009-07-02 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄装置および基板洗浄方法

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102339781A (zh) * 2011-09-28 2012-02-01 上海宏力半导体制造有限公司 一种晶圆固定装置及其使用方法
CN103811290A (zh) * 2012-11-13 2014-05-21 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种液体喷洒回收装置
WO2014075524A1 (zh) * 2012-11-13 2014-05-22 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种带晶片位置检测器的液体喷洒回收装置
US11003080B2 (en) 2014-11-14 2021-05-11 Applied Materials, Inc. Process chamber for field guided exposure and method for implementing the process chamber
US10845715B2 (en) 2016-12-20 2020-11-24 Applied Materials, Inc. Post exposure processing apparatus
US9964863B1 (en) 2016-12-20 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Post exposure processing apparatus
WO2018118230A1 (en) * 2016-12-20 2018-06-28 Applied Materials, Inc. Post exposure processing apparatus
US11262662B2 (en) 2016-12-20 2022-03-01 Applied Materials, Inc. Post exposure processing apparatus
US10401742B2 (en) 2016-12-20 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Post exposure processing apparatus
CN110223934B (zh) * 2018-03-01 2021-10-08 株式会社荏原制作所 调度器、衬底处理装置及衬底输送方法
CN110223934A (zh) * 2018-03-01 2019-09-10 株式会社荏原制作所 调度器、衬底处理装置及衬底输送方法
US11650506B2 (en) 2019-01-18 2023-05-16 Applied Materials Inc. Film structure for electric field guided photoresist patterning process
US11880137B2 (en) 2019-01-18 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Film structure for electric field guided photoresist patterning process
CN109928212A (zh) * 2019-04-09 2019-06-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板定位设备
CN111850461A (zh) * 2019-04-26 2020-10-30 佳能特机株式会社 对准装置和方法、成膜装置和方法及电子器件的制造方法
US11429026B2 (en) 2020-03-20 2022-08-30 Applied Materials, Inc. Lithography process window enhancement for photoresist patterning
US11914299B2 (en) 2020-03-20 2024-02-27 Applied Materials, Inc. Lithography process window enhancement for photoresist patterning
CN112768393A (zh) * 2021-02-02 2021-05-07 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 校准装置、对准系统及对准方法
CN115593098A (zh) * 2021-06-28 2023-01-13 细美事有限公司（Kr） 基板处理装置的预热方法及用于该方法的计算机程序

Also Published As

Publication number Publication date
US9257313B2 (en) 2016-02-09
TWI478273B (zh) 2015-03-21
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