JP2004342939A - 基板処理装置 - Google Patents

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寛幸 大石
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Abstract

【課題】直径が異なる種々の基板を保持でき、処理中に発生する汚染物質の付着を低減して基板の再汚染を防止する基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理カップ30内の保持手段20上に基板1をセンタリングして保持させてスピン回転することで洗浄またはエッチングなどの表面処理を行う基板処理装置であって、基板1を真空吸着により保持して回転するとともに昇降可能な保持手段20と、処理カップ30内で保持手段20が降下する下部周囲に均等分散して3箇所配置されて基板1の外側で駆動して外周端に当接してセンタリングする偏心カム10とを備え、処理カップ30内で保持手段20が基板1を保持して降下したセンタリングポジションにて偏心カム10がセンタリングを行った後、再び上昇して表面処理ポジションに戻り表面処理を行うように設ける。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は基板処理装置に係り、より詳細には、処理カップ内の保持手段上に基板をセンタリングして保持させてスピン回転することで洗浄またはエッチングなどの表面処理を行う基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
【特許文献1】
特開平10−92912号公報
【0003】
従来、基板処理装置は、処理カップ内の保持手段上に基板を保持させてスピン回転することで洗浄またはエッチングなどの表面処理を行う装置が知られており、このため保持手段の回転軸と基板の中心とを合わせてセンタリング(心出し)して保持する構造(例えば、特許文献1参照)が必要であった。図6は、このようにセンタリングして保持した基板を回転させて表面処理する従来の基板処理装置を示す構成図である。また、図7は、図6に示した偏心カム40が基板1を保持する動作を示す図であり、図7(a)は保持前の状態を、図7(b)は保持後の状態を各々示している。また、図8は、図6に示した基板処理装置の主要部を示す平面図である。
【0004】
図6に示すように、従来の基板処理装置は、処理カップ60内に基板1を保持してスピン回転することで表面処理を行う保持手段50を設け、この保持手段50の外周縁に沿って複数配置されて回転することで基板1の外周端に当接してセンタリング(芯出し)する編心カム40を備えている。ここで、保持手段50は、モータ56のシャフト52先端に固定された回転ステージ54と、この回転ステージ54の上面に固定した環状支持部55とを備えている。この環状支持部55の上面には、基板1の裏面を支持する複数の支持ピン55aが設けられている。また、保持手段50の下方には、環状磁石51が配設され、駆動装置(図示せず)により昇降自在に設けられている。一方、編心カム40は、回転ステージ54の回転中心から等距離に分散した位置(図8参照)に回転可能に配置され、この回転可能な円柱状の本体中心に対して編心して突出するピン状の突起44を設けている。また、編心カム40には、回転ステージ54を介して下方に延在する回転軸42の下端に棒状の磁石41が固定されている。
【0005】
このような構成からなる従来の基板処理装置は、図7(a)に示すように、環状磁石51を回転ステージ54の下方に降下させて離れた状態にし、図6に示したように基板1を環状支持部55の支持ピン55a上に載置する。この際、編心カム40は、図7(a)に示したように、環状磁石51からの磁力線Iにより磁石41のN極を回転ステージ54の中心側に吸引し、ピン状の突起44が基板1から離間した状態に回転して停止することで、基板1の取り出しを可能にしている。そして、支持ピン55a上に基板1を載置すると、図7(b)に示すように、環状磁石51を上部の回転ステージ54に向けて上昇させて編心カム40の磁石41と同じ高さまで移動する。これにより編心カム40は、環状磁石51のN極が磁石41のS極を吸引した状態に回転することで、突起44が同時に回転して基板1の外周端に当接する。従って、編心カム40は、図8に示すように、基板1の外周に沿って複数配置した突起44が基板1の外周端に回転して各々当接することで、基板1を水平方向に指圧して保持する。
【0006】
このように、従来の基板処理装置は、基板1の外周に複数配置した編心カム40を磁力によって回転させ、この回転軸に対して編心した突起44が基板1の外周端に当接し、保持手段50の中心に基板1をセンタリングするとともに水平方向に指圧して保持することで、回転による表面処理を行っていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の基板処理装置では、図6に示すように、保持手段50の外周に編心カム40を回転可能に複数支持してピン状の編心した突起44を備えて基板1の外周端に当接させる構造のため、表面処理できる基板1の直径(大きさ)が限定されるとともに、直径が異なる種々の基板1を処理する場合に複数の装置が必要になるという不具合があった。
また、従来の基板処理装置では、編心カム40が基板1に当接してセンタリングするとともに保持した状態で一緒に表面処理される構造のため、この基板1に当接して保持する突起44に処理中に発生したパーティクルなどの汚染物質が付着し、新たに基板1を設置した場合に発塵してしまうという不具合があった。
本発明はこのような課題を解決し、直径が異なる種々の基板を保持でき、処理中に発生する汚染物質の付着を低減して基板の再汚染を防止する基板処理装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は上述の課題を解決するために、処理カップ内の保持手段上に基板をセンタリングして保持させてスピン回転することで洗浄またはエッチングなどの表面処理を行う基板処理装置であって、基板を真空吸着により保持して回転するとともに昇降可能な保持手段と、処理カップ内で保持手段が降下する下部周囲に均等分散して少なくとも3箇所以上配置されて基板の外側で駆動して外周端に当接してセンタリングする偏心カムとを備え、処理カップ内で保持手段が基板を保持して降下したセンタリングポジションにて偏心カムがセンタリングを行った後、再び上昇して表面処理ポジションに戻り表面処理を行うように設ける。
【0009】
ここで、偏心カムは、保持手段の下部周囲に配置した位置で回転し、この回転軸に対して偏心して基板の外周端に当接または離間するように回動する突起を設けることが好ましい。また、偏心カムは、突起が回転軸の回転方向に反して逆回転して元に戻るようにバネなどの弾性体で付勢し、この弾性体で付勢した突起の逆回転により基板の外周端にセンタリング以上の力を加えて当接しないように設けることが好ましい。また、偏心カムの突起は、基板の外側に円柱状で下方に向かって断続的に直径を大きくした段差を有し、この段差により直径が異なる種々の基板に対応できるように設けることが好ましい。
【0010】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して本発明による基板処理装置の実施の形態を詳細に説明する。図1は、本発明による基板処理装置の実施形態を示す構成図である。また、図2は、図1に示した基板処理装置の内部構造を示す図であり、図2(a)は正面から見た状態を、図2(b)は上面から見た状態を各々示している。また、図3は、図1に示した編心カム10の構造を示す組立図である。また、図4は、図3に示した編心カム10を組立てた状態を示す図である。また、図5は、図1に示した偏心カム10が基板1を保持する動作を示す図であり、図5(a)は保持前の状態を、図5(b)は保持後の状態を各々示している。
【0011】
図1に示すように、本発明による基板処理装置の実施形態は、図6に示した従来技術とは異なり、処理カップ30内に基板1を真空吸着により保持させてスピン回転することで洗浄またはエッチングなどの表面処理を行うとともに処理カップ30内で上下に昇降可能な保持手段20と、この処理カップ30内で保持手段20が降下する下部周囲に均等分散して3箇所配置されて基板1の外側で駆動して外周端に当接してセンタリングする偏心カム10とを備えている。従って、本実施の形態では、基板1を保持する保持手段20と、基板1をセンタリングする偏心カム10とを各々別個に備えており、処理カップ30内で保持手段20が基板1を保持して降下したセンタリングポジションにて偏心カム10がセンタリングを行った後、再び上昇して表面処理ポジションに戻り表面処理を行えるように設けている。
【0012】
ここで、保持手段20は、図2(a)に示すように、処理カップ30(図1参照)内の中央で棒状に延在するシャフト22を備えて下端にモータ26を接続して上端に基板1の裏面を真空吸着して保持する回転ステージ24を設けている。この保持手段20は、モータ26に接続したシャフト22を回転可能に軸支するとともに、処理カップ30内で上下に昇降させる昇降機構28に接続している。また、保持手段20は、モータ26及び昇降機構28を有した下部に処理液が侵入しないようにシャフト22の周囲を蛇腹状で伸縮可能なカバー23を装着して防水している。
【0013】
一方、偏心カム10は、保持手段20の下部周囲に棒状の回転軸12を回転自在に軸支し、この回転軸12の上端に突出して基板1の外周端に当接してセンタンリングする突起14を設けている。この偏心カム10は、保持手段20と同様に、下部に処理液が侵入しないように回転軸12の周囲にカバー16を設けて防水している。また、偏心カム10は、図1及び図2(b)に示すように、保護手段20の中心から等距離に配置されて周囲に均等分散させた3箇所に設けられ、基板1の外周端に外側から均一に当接してセンタンリングするように形成している。この偏心カム10は、回転軸12に接続する駆動源18を備え、この駆動源18と3箇所の回転軸12とをベルト19を介して接続して連動(回動)するように形成している。
【0014】
また、偏心カム10は、図3に示すように、回転軸12の上端に突起14を装着してなり、この回転軸12に対して突起14が偏心して基板1の外周端に当接または離間するように回転する構造を備えている。また、偏心カム10は、突起14が回転軸12の回転方向に反して逆回転した場合、元に戻るようにバネなどの弾性体13で付勢し、この弾性体13で付勢した突起14の逆回転により基板1の外周端にセンタリング(付勢力)以上の力を加えて当接しないように設けている。ここで、偏心カム10は、図4に示すように、突起14の回転をスムーズに行うため、回転軸12の上端と突起14との間にベアリング15を介してお互い装着している。そして、この偏心カム10の突起14は、図1に示したように、基板1の外側に円柱状に突出して下方に向かって断続的に直径を大きくした段差を有し、この段差により直径が異なる種々の基板1に対応できるように設けている。
【0015】
このように形成された本発明による基板処理装置の実施形態は、まず、処理カップ30内の保持手段20上に搬送ロボット又は手動により基板1を搬送して設置した後、保持手段20の昇降機構28(2(a)参照)を駆動して基板1をセンタリングポジションまで降下させて停止する。この際、昇降機構28は、基板1のサイズに応じて編心カム10の突起14に設けた段差の位置を変えており、同時に所望する段まで降下する停止位置も予め設定している。そして、基板1をセンタリングポジションに降下させると、図5(a)に示すように、基板1を保持手段20に載置した状態で、この外周に複数配置した編心カム10を駆動源18からベルト19(図1参照)を介して同調させて回転させる。
【0016】
これにより基板1は、図5(b)に示すように、編心カム10の突起14により3方向の外側から均一に指圧されて保持手段20の中心(スピン回転中心)にセンタリングされる。この際、編心カム10は、突起14が基板1の外周端に当接してセンタリング以上の余分な力(外周を潰す力)が加わる場合、図3に示した弾性体13を付勢して回転軸12の回転に反して突起14を基板1の外周端で停止させることができ、基板1に負荷を加えることを回避できる。即ち、弾性体13の付勢力は、突起14が基板1の外周端に当接して潰さない程度に指圧してセンタリングできる力に設定している。その後、基板1は、保持手段20の真空吸着により保持した状態で上部の表面処理ポジションまで上昇させて回転させることで、洗浄またはエッチングなどの表面処理を実行する。
【0017】
以上、本発明による基板処理装置の実施の形態を詳細に説明したが、本発明は前述した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。
例えば、処理カップ内に編心カムを3箇所設けた実施例を説明したが、これに限定されるものではなく、3箇所以上設けた編心カムにより基板をセンタリングすることも可能である。
【0018】
【発明の効果】
このように本発明による基板処理装置によれば、編心カムの突起に円柱状で上部から直径が大きくなる段差を設けているため、直径(大きさ)が異なる種々の基板に対応して1台の装置で処理でき、搬送ロボット等の動きを減らすことができるのでタクトの短縮をはかれる。
また、本発明による基板処理装置によれでは、基板を保持する保持手段とセンタリングする編心カムとを別個に備えるとともにセンタリングポジションと表面処理ポジションとを各々異なる位置に設けているため、表面処理時に編心カムが下方に位置することで処理中に発生したパーティクルなどの汚染物質が突起に付着せず、新たに設置した基板が発塵することも防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による基板処理装置の実施形態を示す構成図。
【図2】図1に示した基板処理装置の内部構造を示す図。
【図3】図1に示した編心カムの構造を示す組立図。
【図4】図3に示した編心カムを組立てた状態を示す図。
【図5】図1に示した偏心カムが基板を保持する動作を示す図。
【図6】従来の基板処理装置を示す構成図。
【図7】図6に示した偏心カムが基板を保持する動作を示す図。
【図8】図6に示した基板処理装置の主要部を示す平面図。
【符号の説明】
1 基板
10 編心カム
12 回転軸
13 弾性体
14 突起
15 ベアリング
16 カバー
18 駆動源
19 ベルト
20 保持手段
22 シャフト
23 カバー
24 回転ステージ
26 モータ
28 昇降手段

Claims (4)

  1. 処理カップ内の保持手段上に基板をセンタリング(芯出し)して保持させてスピン回転することで洗浄またはエッチングなどの表面処理を行う基板処理装置において、
    前記基板を真空吸着により保持して回転するとともに昇降可能な保持手段と、前記処理カップ内で前記保持手段が降下する下部周囲に均等分散して少なくとも3箇所以上配置され、前記基板の外側で駆動して外周端に当接してセンタリングする偏心カムとを備え、
    前記処理カップ内で前記保持手段が前記基板を保持して降下したセンタリングポジションにて前記偏心カムがセンタリングを行った後、再び上昇して表面処理ポジションに戻り前記表面処理を行うように設けたことを特徴とする基板処理装置。
  2. 請求項1に記載の基板処理装置において、
    前記偏心カムは、前記保持手段の下部周囲に配置した位置で回転し、この回転軸に対して偏心して前記基板の外周端に当接または離間するように回動する突起を設けたことを特徴とする基板処理装置。
  3. 請求項2に記載の基板処理装置において、
    前記偏心カムは、前記突起が前記回転軸の回転方向に反して逆回転して元に戻るようにバネなどの弾性体で付勢し、この弾性体で付勢した前記突起の逆回転により前記基板の外周端にセンタリング(付勢力)以上の力を加えて当接しないように設けたことを特徴とする基板処理装置。
  4. 請求項1乃至3いずれかに記載の基板処理装置において、
    前記偏心カムの突起は、前記基板の外側に円柱状で下方に向かって断続的に直径を大きくした段差を有し、この段差により直径が異なる種々の前記基板に対応できるように設けたことを特徴とする基板処理装置。
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