TWI822232B - 基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之基板處理裝置係對旋轉之基板(9)供給處理液而對基板(9)進行處理者，在支撐基板(9)的下支撐體(21)上，以可分離之方式載置載置構件，即上支撐體(31)。上支撐體(31)藉由升降部升降。上支撐體(31)於較基板(9)之外周更靠徑向外側包含第1抵接部(34)。當升降部之第2抵接部(132)上升時，第2抵接部(132)與第1抵接部(34)接觸而使上支撐體(31)上升。當第2抵接部(132)下降時，上支撐體(31)被載置在下支撐體(21)上而使第2抵接部(132)自第1抵接部(34)離開，於該狀態下，下支撐體(21)則可旋轉。

Description

基板處理裝置
本發明係有關一種對基板供給處理液而對基板進行處理的技術。 [相關申請案之參照] 本發明主張於2021年9月24日所提出申請之日本專利申請JP2021-155617之優先權的權利，且該申請案之所有揭示內容被組入至本發明中。
習知，在半導體基板或玻璃基板等基板(以下，簡稱為「基板」)之製造步驟中，一面使基板旋轉一面進行對基板供給處理液之處理。此時，於基板之上方配置與基板相對向的構件，而使該構件與基板共同旋轉之狀態下進行處理，已有此一技術。例如，於日本專利特開2019-021675號公報(以下，稱為「文獻1」)中，將對向構件載置於旋轉底座上，而對向構件係與基板之上面相對向。於日本專利特開2016-039282號公報(以下，稱為「文獻2」)中，頂板與基板之上面相對向，並與基板共同旋轉。
然而，如文獻1及2所記載，與基板之上面相對向的構件習知係自基板中央之上方被支撐。因此，基板中央之上方空間僅可在不妨礙基板之上方構件之支撐的範圍內被利用。
本發明之目的在於，當覆蓋基板之上方之至少一部分的構件被載置在支撐基板之支撐部上時，可利用簡單之構造使該構件升降，且可將基板之上方空間使用在各種用途者。
本發明之態樣1係一種基板處理裝置，其係對基板供給處理液而對上述基板進行處理者，其具備：支撐部，其直接或間接地以水平姿勢支撐基板；旋轉部，其使上述支撐部以向上下方向之中心軸為中心旋轉；載置構件，其係可分離地被載置在上述支撐部上，覆蓋被上述支撐部所支撐的基板之至少外緣部之上方；升降部，其使上述載置構件相對於上述支撐部升降；及處理液供給部，其對被上述支撐部所支撐的基板之上面或下面供給處理液；上述載置構件包含第1抵接部，該第1抵接部在較被上述支撐部所支撐的基板之外周更靠徑向外側，於上下方向上可與上述升降部相抵接；上述升降部包含：第2抵接部，其自徑向外方朝向上述載置構件之上述第1抵接部延伸；及升降驅動部，其使上述第2抵接部升降；當藉由上述升降驅動部使上述第2抵接部上升時，上述第2抵接部與上述第1抵接部相接觸，上述載置構件自上述支撐部向上方離開；當藉由上述升降驅動部使上述第2抵接部下降時，上述載置構件被載置在上述支撐部上，上述第2抵接部自上述第1抵接部離開；當上述第1抵接部與上述第2抵接部於離開狀態，上述支撐部可旋轉。
在本發明中利用簡單之構造可使載置構件升降，且可將基板之上方空間使用在各種用途。
本發明之態樣2係如態樣1之基板處理裝置，其中，於上述載置構件被載置在上述支撐部之狀態下，上述第1抵接部之高度方向的位置距上述支撐部之上面為150 mm以下。
本發明之態樣3係如態樣1或2之基板處理裝置，其中，上述載置構件為環狀。
本發明之態樣4係如態樣1至3中任一項之基板處理裝置，其中，上述第1抵接部與上述第2抵接部包含於相互抵接時相互嵌合的防止位置偏移構造。
本發明之態樣5係如態樣1至3中任一項之基板處理裝置，其中，上述第1抵接部與上述第2抵接部相接觸時，上述第1抵接部所具有之以上述中心軸為中心的環狀之面與上述第2抵接部相接觸。
本發明之態樣6係如態樣1至5中任一項之基板處理裝置，其中，進而具備以靜止狀態被配置在上述載置構件之徑向外側的環狀蓋體，上述環狀蓋體之上部朝向徑向內方且接近至上述載置構件之外周面，上述升降驅動部被設置在上述環狀蓋體上。
有關上述目的及其他目的、特徵、態樣及優點，以下藉由參照附圖對本發明進行詳細之說明，當可明白。
圖1係表示本發明之一實施形態之基板處理裝置1之構成的側視圖。基板處理裝置1係對半導體基板9(以下，簡稱為「基板9」)逐片進行處理的單片式裝置。基板處理裝置1對基板9供給處理液而進行處理。圖1中，以剖面表示基板處理裝置1之構成之一部分。再者，表示剖面的平行斜線在細節處已被適當地省略。
基板處理裝置1具備外殼11、下支撐部2、上支撐部3、旋轉部12、升降部13、承液部15、環狀蓋體16、處理液供給部4、及省略圖示之控制部。外殼11收納下支撐部2、上支撐部3、旋轉部12、升降部13、承液部15、環狀蓋體16、處理液供給部4等。圖1中，以剖面描繪外殼11。於外殼11之頂蓋部，設置有氣流產生部111，該氣流產生部111對內部空間供給氣體而形成向下方流動的氣流(所謂下降流)。作為氣流產生部111，例如可使用風扇過濾器單元(FFU，Fan Filter Unit)。
控制部被配置在外殼11之外部，其控制下支撐部2、上支撐部3、旋轉部12、升降部13、處理液供給部4等。控制部包含例如具備處理器、記憶體、輸入輸出部、及匯流排的一般電腦。匯流排係連接處理器、記憶體及輸入輸出部的信號電路。記憶體記憶程式及各種資訊。處理器依照被記憶於記憶體中的程式等，利用記憶體等來執行各種之處理(例如數值計算)。輸入輸出部具備受理來自操作者之輸入的鍵盤及滑鼠、顯示來自處理器之輸出等的顯示器、以及發送來自處理器之輸出等的發送部。
下支撐部2以水平姿勢支撐基板9。本實施形態中，下支撐部2直接地支撐基板9，如下所述，下支撐部2亦可間接地支撐基板9。所謂「間接地支撐基板9」意味著：經由以可分離或不可分離之方式連接於下支撐部2的構件來支撐基板9。下支撐部2包含下支撐體21、複數個下握持構件22、及下握持驅動部23。圖1中，於左側表示1個下握持構件22。下支撐體21與基板9之下面相對向。即，下支撐體21之上面與基板9離開，且與基板9之下面相對向。
複數個下握持構件22自下支撐體21向上方突出，與基板9之外緣部接觸，藉此以握持基板9。下握持構件22係所謂「支撐銷」。下握持構件22係相對於下部而上部成為較細之銷狀，下握持構件22以沿上下方向之中心軸為中心旋轉，藉此使位置偏離中心軸的上部移動，與基板9之外緣部接觸。下握持構件22機械性地支撐基板9。
圖2係表示基板處理裝置1之環狀蓋體16及其內側構成之一部分的俯視圖。圖2之左側表示下支撐體21之上面，右側表示於下支撐體21上載置有後述上支撐體31的狀態。如圖2所示，本實施形態中，於下支撐體21設置有3個下握持構件22。3個下握持構件22以使基板9旋轉時之中心軸J1為中心，等間隔地配置在圓周方向上。如圖1所示，各下握持構件22沿上下方向貫通下支撐體21，經由省略圖示之軸承以可旋轉之方式被下支撐體21所支撐。以下說明中，亦將以中心軸J1為中心之圓周方向簡稱為「圓周方向」，將以中心軸J1為中心之徑向簡稱為「徑向」，將平行於中心軸J1之方向簡稱為「軸向」。
如圖1所示，下握持驅動部23(參照圖1之左側)包含握持側磁性體231、驅動側磁性體232、磁性體移動部233(參照圖1之右側)、及省略圖示之位置復原部。握持側磁性體231機械性地連接於下握持構件22之下端。本實施形態中，握持側磁性體231為磁鐵。驅動側磁性體232係以中心軸J1為中心的環狀。本實施形態中，驅動側磁性體232為磁鐵。磁性體移動部233使驅動側磁性體232升降。實際上，2個磁性體移動部233以中心軸J1為中心相對向地被設置(參照後述圖2之磁性體移動部333)。亦可沿圓周方向排列3個以上磁性體移動部233。磁性體移動部233之數量亦可為1個。作為磁性體移動部233，可利用各種機構，可為缸筒、將滾珠螺桿組合於旋轉馬達的機構、線性馬達等。於本實施形態中，位置復原部係被固定於下支撐體21之下面的磁鐵。位置復原部接近至握持側磁性體231。再者，圖2中，圖示後述上握持驅動部33之位置復原部334。下握持驅動部23之位置復原部根據上握持驅動部33之位置復原部334所設置。
當藉由磁性體移動部233使驅動側磁性體232下降的狀態時，藉由握持側磁性體231與位置復原部之間之磁性作用，下握持構件22位於握持基板9之位置。即，下握持構件22之上部與基板9之外緣部接觸。磁性作用可為引力亦可為斥力，在以下之說明中相同。當藉由磁性體移動部233使驅動側磁性體232上升時，握持側磁性體231與驅動側磁性體232之間之磁性作用勝於握持側磁性體231與位置復原部之間之磁性作用，使下握持構件22旋轉，位於不握持基板9之位置。即，使下握持構件22之上部離開基板9之外緣部。
自該狀態藉由磁性體移動部233使驅動側磁性體232下降時，藉由握持側磁性體231與位置復原部之間的磁性作用，下握持構件22返回至握持基板9之位置。下握持驅動部23使複數個下握持構件22以可與基板9之外緣部離開或接觸之方式移動。驅動側磁性體232係以中心軸J1為中心的環狀，因此藉由下握持構件22所進行之基板9的握持及不握持，即使在基板9之旋轉中亦為可能。藉由使用磁鐵，可利用簡單之構造使下握持構件22移動。
再者，握持側磁性體231、驅動側磁性體232及位置復原部並非需要全部為磁鐵，在可產生磁性作用之前提下，其中一者亦可為鐵等磁性體。即，握持側磁性體231及驅動側磁性體232之至少一者為磁鐵，握持側磁性體231及位置復原部之至少一者為磁鐵。進而，位置復原部亦可並非為磁性體，例如亦可為彈簧等彈性體。於該情形時，藉由作用於下握持構件22與位置復原部之間的彈性力，可使下握持構件22自不握持基板9之位置向握持基板9之位置移動。進而，若可藉由如下之構成來握持基板9，則亦可省略位置復原部，即被構成為，可在基板9旋轉期間，例如利用離心力使下握持構件22位於握持基板9之位置者。
上支撐部3自上方以水平姿勢支撐基板9。在本實施形態中，上支撐部3直接地支撐基板9。上支撐部3包含上支撐體31、複數個上握持構件32、及上握持驅動部33(參照圖1之右側)。圖1中，於右側表示1個上握持構件32。上支撐體31與基板9之上面相對向。即，上支撐體31與基板9離開，且與基板9之上面相對向。正確而言，上支撐體31與基板9之上面之一部分於上下方向上離開且相對向。
本實施形態中，上支撐體31係以中心軸J1為中心的環狀構件。上支撐體31可分離地被載置於下支撐部2(之下支撐體21)上。上支撐體31覆蓋被下支撐部2所支撐的基板9之外緣部，且與下支撐部2(但是不旋轉之部分除外)共同旋轉。於以下說明中，當提及下支撐部2之旋轉之情形時，係指下支撐部2中所旋轉之部分，特別是指下支撐體21及下握持構件22。又，為考慮到後述之握持交換動作，所謂「被下支撐部2所支撐的基板9」正確而言係包括：「僅被下支撐部2所支撐的基板9」、「經由上支撐部3而間接地被下支撐部2所支撐的基板9」及「被下支撐部2及上支撐部3所支撐的基板9」；其為方便上注重於下支撐部2所採用之表述，當未對支撐作特別說明之情形時，以下亦相同。
圖3A係表示被載置於下支撐體21上的上支撐體31之縱剖面(但是僅示出相對於中心軸J1之一側)的圖。環狀構件即上支撐體31包含：環狀側壁部311，其於徑向上與被下支撐部2所支撐的基板9之外周及下支撐部2(但是下握持驅動部23除外)之外周相對向；及環狀上部312，其自環狀側壁部311向徑向內方擴展，於上下方向上與基板9之上面之外緣部相對向。環狀上部312於基板9之上方的開口313(參照圖1及圖2)之面積較佳為基板9之面積(正確而言，俯視時基板9之面積，以下相同)之1/2以上。
開口313於基板9之上方大幅開口，進而較佳為開口313之面積係基板9之面積之3/4以上。特別是在基板處理裝置1在進行基板9之外緣部之處理時，進而較佳為對基板9之外緣部進行蝕刻處理時，環狀上部312覆蓋基板9之上方之範圍較佳為自基板9之外周之外周端(邊緣)朝向徑向內方20 mm以下。更佳為，上述範圍較佳為10 mm以下。
圖3B係表示藉由後述升降部13自下支撐體21抬起上支撐體31之狀態的縱剖面圖。於下支撐體21之上面，設置有向上方所突出的複數個突出部215。突出部215較上握持構件32(參照圖1)位於更靠徑向外方的位置。於圓周方向上等間隔地配置有複數個突出部215。例如，突出部215之個數為3或6個，較佳為位於圓周方向上於上握持構件32與下握持構件22之間。突出部215之個數並不限定於3或6個，為2個以上即可，其較佳為3個以上。於突出部215之上端設置有銷狀之小突起216。圖2中，被省略突出部215之記載。
另一方面，如圖3B所示，於上支撐體31之環狀上部312下面設置有向下方突出的複數個突出部315。突出部315設置於與下支撐體21之突出部215相對應的位置。突出部315之個數與突出部215之個數相同。於突出部315之下端，設置有向上方凹陷的小凹部316。當上支撐體31被載置於下支撐體21上時，突出部215與突出部315之位置相配合，上支撐體31下降，藉此小突起216被插入至小凹部316，如圖3A所示，突出部215與突出部315相接觸。藉此，上支撐體31相對於下支撐體21被固定於圓周方向及徑向上之位置。當藉由旋轉部12使下支撐體21(及下握持構件22)以中心軸J1為中心旋轉時，上支撐體31(及上握持構件32)亦以中心軸J1為中心旋轉。換言之，當下支撐部2以中心軸J1為中心旋轉時，上支撐部3(但是不旋轉之部分除外)亦以中心軸J1為中心旋轉。以下說明中，當提及上支撐部3之旋轉時，其與下支撐部2之情形時相同，係指上支撐部3中旋轉之部分，特別是上支撐體31及上握持構件32。
一般而言，關於使上支撐體31與下支撐體21卡合之卡合部(突出部215、315)之較佳位置，係卡合部於徑向上位於較握持基板9之位置更外側的位置，於圓周方向上位於握持基板9之複數個位置之間。
當上支撐體31被載置於下支撐體21上時，於圓周方向及徑向上固定上支撐體31相對於下支撐體21之位置的構造，其可進行各種變更。例如，亦可於突出部215設置小凹部，於突出部315設置小突起。亦可僅於下支撐體21或上支撐體31設置突出部。進而，亦可於下支撐體21與上支撐體31之間，分別設置僅於圓周方向上固定上支撐體31相對於下支撐體21之相對位置的構造、及僅於徑向上固定上支撐體31相對於下支撐體21之相對位置的構造。其亦可於下支撐體21與上支撐體31之環狀側壁部311之間設置於圓周方向及徑向上固定上支撐體31相對於下支撐體21之位置的構造。
如圖3A所示，當上支撐體31被載置於下支撐體21上之狀態下，環狀側壁部311自下支撐體21向徑向外方離開。環狀側壁部311之下端位於較下支撐體21之上面更下方之位置。環狀側壁部311之下端亦可位於較下支撐體21之下面更下方之位置。環狀上部312之下面與環狀側壁部311之內周面較佳為平滑地連接。即，環狀上部312之下面與環狀側壁部311之內周面於縱剖面經由大致圓弧狀或大致橢圓弧狀之部位被連接。藉此，即便當液體附著於環狀上部312之下面時，液體仍可平滑地被環狀側壁部311之內周面所引導，而向環狀側壁部311之下方被排出。
雖然環狀側壁部311內周面之上端可適當地被設定，但是在環狀上部312之下面與環狀側壁部311之內周面藉由平滑面或傾斜面(以下，將該等面稱為「連接面」)被連接時，連接面可視為環狀側壁部311內周面之一部分。即，環狀側壁部311之內周面上端可被解釋為環狀上部312之下面與連接面之邊界。藉此，當連接面位於基板9之上面及下面之側方時，環狀側壁部311亦位於基板9之徑向外方，而可認為，環狀側壁部311接受自基板9所飛散之液滴。當採用此種解釋之情形時，環狀側壁部311內周面之上端位於較基板9上面更上方之位置。
如圖3A所示，於環狀上部312下面的內周部，設置有向下方突出的環狀突出部314。環狀突出部314係以中心軸J1為中心的環狀。環狀突出部314可設置於環狀上部312之內周端，亦可設置於較內周端略靠徑向外方之位置。環狀突出部314之徑向寬度及自環狀上部312之下面向下方的高度如下所述，根據處理中欲使基板9之外緣部所產生之氣流而被適當設定。藉由具有環狀突出部314，基板9之上面與上支撐體31之間的氣流速度較不具有環狀突出部314之情形時可被提高。再者，環狀突出部314與環狀上部312係共同使基板9之外緣部產生所希望之氣流，當藉由不具有環狀突出部314之環狀上部312便可使基板9之外緣部產生所希望之氣流之情形時，則可省略環狀突出部314。
基板9之「外緣部」係指自基板9之外周端朝向基板9之中心側某一固定寬度之範圍。該寬度可非常小，亦可略大。例如，「外緣部」可僅為基板9之縱剖面上外周端之圓弧狀區域，亦可為除了圓弧狀區域之外加上朝向基板9之中心向內側擴展數cm的區域。如下所述，可自基板9之下面將蝕刻液迴轉入至上面之範圍(例如0.5～3 mm之範圍)視為外緣部，亦可將基板9與環狀上部312在上下方向上重疊之範圍視為外緣部。或者，亦可將基板9上較環狀突出部314更靠徑向外側之區域視為外緣部。當然，「外緣部」之用語應依用語所使用之上下文而適當地被解釋。
如圖1所示，複數個上握持構件32自上支撐體31向下方突出，與基板9之外緣部接觸而藉此握持基板9。上握持構件32係所謂「支撐銷」。上握持構件32相對於上部其下部為較細之銷狀，藉由使上握持構件32以沿上下方向之中心軸為中心旋轉，可使位置偏離中心軸之下部移動，而與基板9之外緣部相接觸。上握持構件32機械性地支撐基板9。再者，於上握持構件32之下部側面與基板9相接觸之部分，相應於基板9之外緣部被設置有凹部，從而僅利用上握持構件32便可握持基板9不使其落下。
如圖2所示，本實施形態中，於上支撐體31設置有3個上握持構件32。在使基板9旋轉時以中心軸J1為中心的圓周方向上，等間隔地配置有3個上握持構件32。上握持構件32被配置在下握持構件22之間，於圖2之例中，上握持構件32與下握持構件22以間隔60度交替地配置。上握持構件32及下握持構件22之個數並不限定於分別為3個，亦可為4個以上。上握持構件32之個數與下握持構件22之個數亦可不同。如圖1所示，各上握持構件32於上下方向貫通上支撐體31，經由省略圖示之軸承以可旋轉之方式被上支撐體31所支撐。
上握持驅動部33具有與下握持驅動部23相對應的構造。上握持驅動部33(參照圖1之右側)包含握持側磁性體331、驅動側磁性體332、磁性體移動部333(參照圖1之左側)、及位置復原部334(參照圖2)。如圖1所示，握持側磁性體331機械性地連接於上握持構件32之上端。本實施形態中，握持側磁性體331為磁鐵。驅動側磁性體332係以中心軸J1為中心的環狀(參照圖2)。本實施形態中，驅動側磁性體332為磁鐵。磁性體移動部333使驅動側磁性體332升降。如圖2所示，相對向地設置有2個以中心軸J1為中心的磁性體移動部333。亦可於圓周方向上排列3個以上磁性體移動部333。磁性體移動部333之個數亦可為1個。作為磁性體移動部333，可利用各種機構，其可為缸筒、將滾珠螺桿組合於旋轉馬達的機構、線性馬達等。本實施形態中，位置復原部334係被固定於上支撐體31上面的磁鐵。位置復原部334接近至握持側磁性體331。
在藉由磁性體移動部333使驅動側磁性體332上升的狀態下，藉由握持側磁性體331與位置復原部334之間之磁性作用，上握持構件32位於握持基板9之位置。即，上握持構件32之下部與基板9之外緣部相接觸。當藉由磁性體移動部333使驅動側磁性體332下降時，握持側磁性體331與驅動側磁性體332之間的磁性作用勝於握持側磁性體331與位置復原部334之間的磁性作用，上握持構件32，位於未握持旋轉基板9之位置。即，上握持構件32之下部離開基板9之外緣部。
自該狀態藉由磁性體移動部333使驅動側磁性體332上升時，藉由握持側磁性體331與位置復原部334之間的磁性作用，上握持構件32返回至握持基板9之位置。如此，上握持驅動部33使複數個上握持構件32以可與基板9之外緣部離開或接觸之方式移動。驅動側磁性體332係以中心軸J1為中心的環狀，因此藉由上握持構件32所進行之基板9的握持及未握持，在基板9之旋轉中亦成為可能。藉由使用磁鐵，則可利用簡單之構造使上握持構件32移動。
再者，握持側磁性體331、驅動側磁性體332及位置復原部334並非全部需為磁鐵，在可產生磁性作用之前提下，其中一者亦可為鐵等磁性體。即，握持側磁性體331及驅動側磁性體332之至少一者為磁鐵，握持側磁性體331及位置復原部334之至少一者為磁鐵。進而，位置復原部334亦可並非為磁性體，例如亦可為彈簧等彈性體。在該情形時，藉由作用於上握持構件32與位置復原部334之間的彈性力，可使上握持構件32自未握持基板9之位置向握持基板9之位置移動。進而，在基板9旋轉期間，若可藉由例如利用離心力使上握持構件32位於握持基板9之位置，而可握持基板9，則亦可省略位置復原部334。
如圖1所示，旋轉部12之旋轉軸連接於下支撐體21。旋轉部12使下支撐部2以中心軸J1為中心旋轉。旋轉軸為中空者，上端為後述之下噴嘴41。
升降部13使上支撐體31相對於下支撐體21作升降。上支撐體31係被載置於下支撐體21上的載置構件。即，升降部13使載置構件即上支撐體31相對於下支撐部2作升降。升降部13包含升降驅動部131、及藉由升降驅動部131升降的前端部132。作為升降驅動部131，可使用各種機構，可為缸筒、組合滾珠螺桿於旋轉馬達的機構、線性馬達等。如圖2所示，實際上，2個升降部13被設置在以中心軸J1為中心相對向的位置。亦可於圓周方向上排列3個以上之升降部13。
於上支撐體31之外周面，遍及全周被設置有向徑向內方凹陷的槽34。升降部13之前端部132自徑向外方朝向上支撐體31之槽34延伸。如圖3B所示，當前端部132上升時，槽34上側朝下的面341與前端部132之上面133相接觸，上支撐體31自下支撐體21向上方離開。以下，將槽34稱為「第1抵接部」，將前端部132稱為「第2抵接部」，將面341稱為「第1抵接面」，將上面133稱為「第2抵接面」。
當藉由升降驅動部131使第2抵接部132下降時，如圖3A所示，上支撐體31被載置於下支撐體21上，第2抵接面133自第1抵接面341離開。即，第2抵接部132自第1抵接部34離開。第1抵接部34因係遍及全周所形成，因此於第1抵接部34與第2抵接部132離開之狀態下，下支撐部2可旋轉。第1抵接面341係以中心軸J1為中心的環狀之面，因此無論上支撐體31之旋轉位置在任何位置，均可藉由升降部13進行上支撐體31之升降。
升降部13支撐上支撐體31之外周部，使上支撐體31升降。因此，基板處理裝置1中，於上支撐體31之正上方不存在有使上支撐體31升降的機構。其結果，可將基板處理裝置1之高度抑制得較低。為了實現此種構造，較佳為於上支撐體31被載置於下支撐部2之狀態下，第1抵接部34之高度方向的位置距下支撐體21之上面為150 mm以下較佳。藉此，可保有處理空間，同時將與處理相關之部位之高度抑制得較低。又，亦可有效利用上支撐體31之上方空間。進而較佳為，第1抵接部34之高度方向之位置距上支撐體31之上面為100 mm以下。更佳為，上支撐體31之高度為150 mm以下。
如圖1所示，於下支撐體21與上支撐體31之環狀側壁部311間的間隙下方，設有環狀之承液部15。承液部15係以中心軸J1為中心的環狀。承液部15承接來自下支撐體21與環狀側壁部311之間的間隙所落下的液體。
環狀蓋體16以靜止狀態被配置在環狀構件即上支撐體31之徑向外側。環狀蓋體16係以中心軸J1為中心的環狀。環狀蓋體16之上部朝向徑向內方，且接近至上支撐體31之環狀側壁部311之外周面。環狀蓋體16之內周端自環狀側壁部311之外周面離開。升降部13之升降驅動部131被設置在環狀蓋體16上。藉此，可將基板處理裝置1在水平面內之大小(所謂佔據面積)抑制得較小。基板處理裝置1中，上握持驅動部33之磁性體移動部333亦設在環狀蓋體16上(參照圖2)。藉此，亦可將基板處理裝置1在水平面內之大小抑制成較小。
又，本實施形態中，上支撐體31直接地承受自基板9所飛散之液滴，因此設置環狀蓋體16之目的在於輔助性地防止液滴之飛散。因此，與直接承受液滴之情形時相比，其可使環狀蓋體16之徑向寬度較小，又，其亦無需使環狀蓋體16上下移動之機構，而使裝置構造簡化。上支撐體31與基板9共同旋轉，因此與環狀側壁部311不存在之情形相比，自基板9飛散的液滴碰撞至環狀側壁部311時所產生之飛沫之量亦被抑制。藉由環狀蓋體16之固定配置，其可容易於環狀蓋體16上設置升降驅動部131及磁性體移動部333。於環狀蓋體16之下方被設有向基板處理裝置1之外部進行排氣的排氣部。
如圖1所示，處理液供給部4包含下噴嘴41、上噴嘴42、被省略圖示之噴嘴移動部、及被省略圖示之處理液供給源。如上所述，下噴嘴41被設在旋轉部12之旋轉軸的上端。自下噴嘴41所吐出的處理液被供給至被下支撐部2所支撐的基板9之下面。上噴嘴42藉由噴嘴移動部在基板9之上方位置與自基板9之上方偏離位置之間移動。自上噴嘴42所吐出的處理液被供給至被下支撐部2支撐的基板9之上面。處理液供給源使用泵等自貯存處理液的貯槽對下噴嘴41及上噴嘴42個別供給處理液。在本實施形態中，對下噴嘴41所供給的處理液係去離子水即沖洗液、蝕刻液等。對上噴嘴42所供給的處理液係去離子水即沖洗液等。作為沖洗液，亦可使用碳酸水、氫水、臭氧水、SC1、SC2等。蝕刻液例如為氟酸、硝酸、鹽酸、硫酸或雙氧水等水溶液，或選自該等之2種以上的混合溶液，進而包含該等水溶液或混合溶液的溶液。
處理液並不被限定於沖洗液及蝕刻液。又，在本實施形態中，可省略上噴嘴42。根據處理之種類不同，亦可省略下噴嘴41，而於基板處理裝置1僅設置上噴嘴42。當使上支撐體31上升而進行基板9之搬入搬出時，上噴嘴42藉由噴嘴移動部退避至不與上支撐體31產生干涉的位置。
圖4係表示基板處理裝置1之動作例的流程圖。圖5A至圖5D係表示基板處理裝置1的狀態圖。基板處理裝置1依照省略圖示之控制部的控制作動作。
首先，如圖5A所示，上支撐體31在上升狀態，上握持驅動部33之驅動側磁性體332接近至握持側磁性體331，且下握持驅動部23之驅動側磁性體232接近握持側磁性體231的狀態，基板9藉由外部之搬送機構被搬入(步驟S11)。其後，下握持驅動部23之磁性體移動部233使驅動側磁性體232下降，藉此，基板9利用下握持構件22被握持(步驟S12)。
藉由上握持驅動部33之磁性體移動部333及升降部13，可維持上握持驅動部33之驅動側磁性體332與握持側磁性體331接近的狀態，同時使上支撐體31下降。藉此，上支撐體31被載置於下支撐體21上(步驟S13)。其後，磁性體移動部333使驅動側磁性體332上升，如圖5B所示，基板9藉由上握持構件32所握持(步驟S14)。即，基板9藉由上支撐部3及下支撐部2所握持。
旋轉部12使下支撐部2旋轉。藉此，基板9旋轉(步驟S15)。上噴嘴42自退避於上支撐體31之側方位置移動至上支撐體31之上方。首先自處理液供給部4之下噴嘴41及上噴嘴42對基板9之下面及上面供給沖洗液至旋轉中之基板9。被供給之沖洗液在基板9之下面及上面朝向徑向外方流動，並自基板9之外周端飛散，而被上支撐體31之環狀側壁部311所承接。液體自環狀側壁部311向下方落下，被承液部15所承接。其後，則停止供給沖洗液。
繼而，自下噴嘴41對基板9之下面供給蝕刻液。所供給之蝕刻液於基板9之下面上朝向徑向外方流動，而自基板9之外周端飛散，並被環狀側壁部311所承接。液體自環狀側壁部311向下方落下，而被承液部15所承接。
圖6係表示蝕刻液8之狀態的圖。在基板9之下面所流動的蝕刻液8在基板9之外周端少量地轉入至上面側。以下，將蝕刻液8自基板9之外周端轉入至上面的徑向之距離5稱為「轉入量」。轉入量5雖然受到各種因素影響，但是在基板9之上面朝向徑向外方的氣流速度係其中之一。為了將該氣流速度設為所希望之速度，對上支撐體31之環狀上部312之剖面形狀進行設計。具體而言，參照圖3A，調整環狀上部312與基板9之外緣部於上下方向相重疊的寬度、基板9之上面與環狀上部312之間之距離、環狀突出部314之徑向寬度、環狀突出部314自環狀上部312之下面向下方之高度、環狀突出部314之徑向位置等如此以設計上支撐體31之縱剖面之形狀。特別是，藉由環狀突出部314可容易將基板9之外緣部之氣流速度設為所希望之速度，並將轉入量5設為適當之距離。
另外，於本實施形態之情形中，來自氣流產生部111之氣流經由上支撐體31之開口313直接被引導至基板9之上面，因此其可更容易將基板9之外緣部上之氣流速度設為所希望之速度。來自氣流產生部111之氣流被直接地引導至基板9之上面，可藉由使氣流產生部111之至少一部分與基板9上面之至少一部分於上下方向(其間不存在有物體)直接相對向而實現。
當基板9之直徑及厚度分別為300 mm及775 μm之情形時，所求出之轉入量5其一例為2 mm～3 mm。
在對基板9供給蝕刻液之期間，於基板處理裝置1中，進行基板9之握持交換動作。具體而言，如圖5C所示，下握持驅動部23之磁性體移動部233使驅動側磁性體232上升，並解除藉由下握持構件22所進行的基板9之握持，而成為僅藉由上握持構件32握持基板9之狀態。其後，磁性體移動部233使驅動側磁性體232下降，恢復藉由下握持構件22及上握持構件32握持基板9之狀態。繼而，如圖5D所示，上握持驅動部33之磁性體移動部333使驅動側磁性體332下降，並解除藉由上握持構件32所進行之基板9的握持，而成為僅藉由下握持構件22握持基板9之狀態。其後，磁性體移動部333使驅動側磁性體332上升，恢復藉由下握持構件22及上握持構件32握持基板9之狀態。藉由反覆進行上述處理而進行基板9之握持交換動作。然後，停止對基板9供給蝕刻液。
通常，在基板9與握持構件相接觸的位置附近，轉入量增大。藉由基板9之握持交換動作，轉入量之增大被減少。
再者，僅藉由上握持構件32握持基板9之時間與僅藉由下握持構件22握持基板9之時間並不需要為相同之長度。又，僅藉由上握持構件32握持基板9之狀態與僅藉由下握持構件22握持基板9之狀態並不需要被交互地進行。於對基板9進行處理之期間，其存在有：藉由複數個上握持構件32握持基板9且不藉由複數個下握持構件22握持基板9的狀態；以及藉由複數個下握持構件22握持基板9且不藉由複數個上握持構件32握持基板9的狀態；如此即可。藉此，可在握持位置藉由處理液進行處理。
自處理液供給部4之下噴嘴41及上噴嘴42對基板9之下面及上面再次被供給沖洗液。所供給之沖洗液在基板9之下面及上面上朝向徑向外方流動，並自基板9之外周端飛散，而被上支撐體31之環狀側壁部311所承接。液體自環狀側壁部311向下方落下，被承液部15所承接。其後，停止供給沖洗液。藉由上述處理，可完成藉由處理液對基板9所進行之處理(步驟S16)。在對基板9供給沖洗液之期間亦可進行基板9之握持交換動作。在對基板9供給蝕刻液前對基板9供給沖洗液時，亦可進行基板9之握持交換動作。
在基板處理裝置1中，藉由3個下握持構件22與3個上握持構件32握持基板9。在對基板9之下面供給處理液時，朝向徑向外側流動之處理液之一部分碰撞至下握持構件22。假如，省略上握持構件32而設置6個下握持構件22之情形時，則碰撞至下握持構件22的處理液之量會增大。其結果，所產生之處理液之霧滴及液滴亦會增加。在基板處理裝置1中，藉由設置上握持構件32，其可減少處理液之霧及液滴之產生，並提昇處理之品質。
基板9之旋轉被停止 (步驟S17)，下握持驅動部23之驅動側磁性體232上升，解除藉由下握持構件22所進行之基板9之握持。進而，上握持驅動部33之驅動側磁性體332下降，亦解除藉由上握持構件32所進行之基板9之握持。上噴嘴42退避至側方，如圖5A所示，藉由升降部13及磁性體移動部333則使上支撐體31及驅動側磁性體332上升(步驟S18)。然後，藉由外部之搬送機構搬出基板9(步驟S19)。
基板處理裝置1可被進行各種變更。
圖7A及圖7B係表示使上支撐體31升降之構造的另一例之圖，分別對應圖3A及圖3B。圖7A係表示被載置於下支撐體21上的上支撐體31之縱剖面(但是僅示出相對於中心軸J1之一側)的圖。圖7B係表示藉由升降部13將上支撐體31自下支撐體21抬起之狀態的縱剖面圖。
如圖7A及圖7B所示，於載置構件即上支撐體31之外周面，遍及全周設置有朝向徑向外方突出的卡合部34a。卡合部34a之外周端具有進一步向下方突出的部位。升降部13之前端部132在卡合部34a之下方自徑向外方朝向上支撐體31之外周面延伸。前端部132之前端具有向上方突出的部位。如圖7B所示，當前端部132上升時，卡合部34a在向下方所突出之部位的徑向內側中朝向下的面341，與前端部132向上方突出之部位的上面133相接觸，上支撐體31自下支撐體21向上方離開。以下，將卡合部34a稱為「第1抵接部」，將前端部132稱為「第2抵接部」，將面341稱為「第1抵接面」，將上面133稱為「第2抵接面」。
當藉由升降驅動部131使第2抵接部132下降時，如圖7A所示，上支撐體31被載置於下支撐體21上，第2抵接面133自第1抵接面341離開。即，第2抵接部132自第1抵接部34a離開。第1抵接部34a係遍及全周所形成，因此第1抵接部34a與第2抵接部132在離開之狀態下，下支撐部2可旋轉。第1抵接面341係以中心軸J1為中心的環狀之面，因此無論上支撐體31之旋轉位置在任意之位置，均可藉由升降部13進行上支撐體31之升降。
圖8A及圖8B係表示使上支撐體31升降之構造的又一例之圖，其分別對應於圖3A及圖3B。圖8A係自升降部13側觀察被載置於下支撐體21(圖示省略)上狀態之上支撐體31與前端部132的圖。圖8A中，示出上支撐體31之外周面之一部分與前端部132之剖面。圖8B係自升降部13側觀察藉由升降部13將上支撐體31自下支撐體21抬起之狀態的上支撐體31與前端部132的圖。
如圖8A及圖8B所示，於載置構件即上支撐體31之外周面，遍及全周設有向徑向內方凹陷的槽34。槽34之一部分成為向上方擴展的擴大部342，於擴大部朝下之面即擴大的槽上側之側壁，設有向下方突出的2個突出部343。另一方面，於升降部13前端部132之上面133，設有向下方凹陷的2個凹部134。突出部343為呈大致圓錐狀，凹部134亦為大致圓錐狀。其他構造則與圖3A及圖3B同樣。
如圖8B所示，當前端部132上升時，擴大部342之突出部343與前端部132之凹部134相互嵌合，上支撐體31自下支撐體21向上方離開。以下，將擴大部342稱為「第1抵接部」，將前端部132稱為「第2抵接部」，將突出部343稱為「第1抵接元件」，將凹部134稱為「第2抵接元件」。
當藉由升降驅動部131使第2抵接部132下降時，上支撐體31被載置於下支撐體21上，如圖8A所示，第2抵接元件134與第1抵接元件343離開。即，第2抵接部132自第1抵接部342離開。進而，第2抵接部132位於槽34內，槽34係遍及全周所形成，因此於第1抵接部342與第2抵接部132離開之狀態下，下支撐部2可以旋轉。當下支撐體21及上支撐體31之旋轉停止時，下支撐體21停止在第1抵接部342與第2抵接部132之圓周方向位置一致的旋轉位置。
因為第1抵接部342與第2抵接部132包含有於相互抵接時可防止相互嵌合的位置偏移構造，即第1抵接元件343及第2抵接元件134，從而當上支撐體31上升時，其可確實地防止上支撐體31相對於下支撐體21之位置偏移。再者，對應於1個升降部13之第1抵接元件343及第2抵接元件134的個數可分別為1個。當然，對應於1個升降部13之第1抵接元件343及第2抵接元件134的個數亦可分別為3個以上。如上所述，複數個升降部13係被設置於圓周方向上，因此複數個第1抵接元件343及複數個第2抵接元件134係被排列在圓周方向上。第1抵接元件343之排列在圓周方向並不需要為等間隔，第2抵接元件134之排列在圓周方向亦不需要為等間隔。
圖9係表示已省略下握持構件22之基板處理裝置1一部分的縱剖面圖。圖10係表示基板處理裝置1之環狀蓋體16及其內側構成一部分的俯視圖。如圖10所示，基板處理裝置1中，設置有6個上握持構件32，且設置有第1驅動側磁性體332a及第2驅動側磁性體332b作為驅動側磁性體。第1驅動側磁性體332a係以中心軸J1為中心的環狀，其位於6個握持側磁性體331a、331b之徑向內側。第2驅動側磁性體332b亦為以中心軸J1為中心的環狀，位於6個握持側磁性體331a、331b之徑向外側。第1驅動側磁性體332a藉由2個磁性體移動部333a而升降。第2驅動側磁性體332b藉由2個磁性體移動部333b而升降。除了驅動側磁性體332a、332b之位置不同以外，磁性體移動部333a、333b之構成與圖1及圖2所示之磁性體移動部333相同。圖9及圖10中，對與圖1及圖2相同之構成要素被標註相同之符號。
3個握持側磁性體331a(以下，稱為「第1握持側磁性體」)與3個握持側磁性體331b(以下，稱為「第2握持側磁性體」)之起磁狀態不同，其交替地被配置在圓周方向。如圖9所示，於第1驅動側磁性體332a及第2驅動側磁性體332b已上升之狀態下，藉由第1握持側磁性體331a及第2握持側磁性體331b與位置復原部334之間的磁性作用，6個上握持構件32成為握持基板9之狀態。
第2驅動側磁性體332b維持已上升之狀態，並藉由磁性體移動部333a使第1驅動側磁性體332a下降時，第1握持側磁性體331a與第1驅動側磁性體332a之間的磁性作用勝過第1握持側磁性體331a與位置復原部334之間的磁性作用，而被連接於第1握持側磁性體331a的3個上握持構件32成為未握持基板9之狀態。此時，第2握持側磁性體331b與第1驅動側磁性體332a之間的磁性作用比在第2握持側磁性體331b與位置復原部334之間的磁性作用而言係非常小，或者作用於握持方向，而被連接於第2握持側磁性體331b的3個上握持構件32則維持握持基板9之狀態。
第1驅動側磁性體332a維持已上升之狀態，藉由磁性體移動部333b使第2驅動側磁性體332b下降時，第2握持側磁性體331b與第2驅動側磁性體332b之間的磁性作用勝過第2握持側磁性體331b與位置復原部334之間的磁性作用，而被連接於第2握持側磁性體331b的3個上握持構件32成為未握持基板9之狀態。此時，第1握持側磁性體331a與第2驅動側磁性體332b之間的磁性作用比在第1握持側磁性體331a與位置復原部334之間的磁性作用而言係非常小，或者作用於握持方向，而被連接於第1握持側磁性體331a的3個上握持構件32則維持握持基板9之狀態。
再者，在搬入基板9時，於上支撐體31已上升之狀態下，配置於下支撐體21下方的複數個頂起機構24(圖2中省略圖示)之銷自下支撐體21之孔中上升，而基板9被載置於銷上。然後，藉由被省略圖示之機械機構使6個上握持構件32維持在未握持基板9的位置，並使上支撐體31下降，而藉由6個上握持構件32握持基板9。頂起機構24之銷則下降。
其後，如上所述，一面使基板9旋轉一面對基板9之上面及下面供給處理液，藉由使上述第1驅動側磁性體332a及第2驅動側磁性體332b交互地下降，以進行基板9之握持交換動作。基板9之搬出係與基板9之搬入相反之動作。
如上所述，基板9亦可僅藉由上握持構件32所握持，於該情形時，被供給至基板9背面的處理液則不會碰撞至下握持構件，因此可減少因處理液之飛散所產生之霧及液滴。其結果，可提昇處理之品質。
圖9及圖10所示之基板處理裝置1中，藉由上支撐部3支撐基板9。另一方面，藉由下支撐部2支撐上支撐部3之上支撐體31。因此，基板9間接地被下支撐部2所支撐。圖1及圖2所示之基板處理裝置1中，雖然基本上為藉由下支撐部2支撐基板9，但是在握持交換動作時，則暫時藉由下支撐部2間接支撐基板9。間接支撐基板9之構造並不被限定於上述構造。例如，亦可於下支撐體21上載置上支撐體31以外之零件，而藉由該零件支撐基板9。又，基板處理裝置1中，雖然藉由將上支撐體31設為環狀構件而實現上支撐體31之輕量化，但是就該觀點而言，並非需要自上方支撐基板9，其亦可僅藉由下支撐部2支撐基板9。即，亦可省略上握持構件32及其驅動之構成，而僅藉由下握持構件22支撐基板9。
進而，其並不被限定於藉由上握持構件32、下握持構件22握持基板9以實現對基板9之支撐。例如，其亦可使下面之中央、外周部藉由抽吸來支撐基板9。無論以何種方式支撐基板9，如藉由將上支撐體31設為環狀構件，則均可於伴隨於基板9之旋轉的處理中在基板9上面之外緣部產生所希望之氣流。再者，上支撐體31為環狀之構件即可，並不被限定於圓環狀。即，上支撐體31之外周及開口313之內周並不被限定於圓形。
如上所述，基板處理裝置1中，藉由將上支撐體31之縱剖面改變為各種形狀，則可在基板9之外緣部容易地獲得所希望之氣流。上支撐體31之環狀側壁部311如壁一般存在於基板9之側方即可，其形狀本身亦並非需要為壁狀。即，環狀側壁部311之徑向寬度亦可較大，例如，環狀側壁部311之徑向寬度亦可大於軸向高度。又，環狀側壁部311之內面並不限定於圓筒面，亦可適當地設置以中心軸J1為中心的環狀之凹部或凸部。
環狀側壁部311於徑向與被下支撐部2所支撐的基板9之外周及下支撐部2之外周(正確而言為下支撐體21之外周)相對向即可。但是，其並非需要於整個軸向上與下支撐體21之外周相對向，只要於較下支撐體21之上面高度更下方之位置存在環狀側壁部311即可。
環狀上部312亦不限定於板狀。環狀上部312自環狀側壁部311向徑向內方擴展，且於上下方向上與被下支撐部2所支撐的基板9上面之外緣部相對向即可。此處之「相對向」意指為相對但不接觸者。圖3A中，雖然環狀上部312於下面之內周部包含向下方突出的環狀突出部314，但是於環狀上部312之下面，除了環狀之突出部以外，亦可設有以中心軸J1為中心的環狀之凹部。進而，亦可設有2個以上環狀之突出部或2個以上環狀之凹部。一般而言，藉由於環狀上部312之下面至少設置1個以中心軸J1為中心的環狀之凸部(即突出部)、凹部或階差部，則可將在基板9之外緣部的氣流設為所希望之氣流。進而，通常環狀上部312之下面並非需要在縱剖面上為沿水平方向延伸的直線。
氣流產生部111較佳為朝向環狀上部312之開口313直接產生流向下方的氣流。如上所述，氣流產生部111並非需要於上下方向與開口313之整體相對向，其亦可一部分相對向。較佳為，開口之1/3以上於上下方向直接與氣流產生部111相對向。進而較佳為，開口之1/2以上於上下方向直接與氣流產生部111相對向。只要流入開口313之氣流與不存在氣流產生部111之情形相比為較大，則自氣流產生部111向開口313間接地流入氣流亦可。
在基板9之外緣部中使氣流設為所希望之氣流的技術，特別可適用將蝕刻液引導至基板9之外緣部的技術。進而，對基板9之下面供給蝕刻液，將蝕刻液引導至基板9之包含上面之外緣部的區域的情形亦適用。
當藉由上支撐體31可充分承接自基板9所飛散之液體時，亦可省略環狀蓋體16。相反地，亦可於徑向上多重地設置複數個環狀蓋體16。進而，環狀蓋體16亦可如直接承接基板9之液滴的蓋體(所謂杯)般升降。環狀蓋體16之上部雖然較佳為朝向徑向內方且接近至環狀側壁部311之外周面，但是環狀蓋體16之上部亦可位於較環狀側壁部311之上端更上方之位置。基板處理裝置1中，藉由設置上支撐體31，可抑制處理液之霧及液滴之產生，因此亦可降低來自氣流產生部111之氣流的量及自被設置於裝置下部的排氣部排出之排氣量。藉由環狀蓋體16之小型化、氣流量之減少，其可削減基板處理裝置1之製造成本。
環狀上部312具有較大之開口313，因此亦可自上噴嘴42直接地對基板9之外緣部上面供給處理液。處理液供給部4之上噴嘴42可對較中心軸J1更接近至環狀上部312內周端(即開口313之邊緣)之位置供給處理液，亦可如圖11所示，藉由使來自上噴嘴42之處理液的吐出方向傾斜，而在環狀上部312與基板9於上下方向重疊的位置對基板9上面供給處理液。自上噴嘴42所吐出的處理液亦可為各種處理液。處理液可為沖洗液亦可為蝕刻液。
基板處理裝置1中，在上握持驅動部33中，握持側磁性體331被機械性地連接至上握持構件32。所謂「被機械性地連接」意味著握持側磁性體331之動作直接或經由所接觸的構件被傳遞至上握持構件32。如圖1所示，握持側磁性體331並不限定於與上握持構件32直接地接合，亦可經由齒輪、皮帶、凸輪、桿等將握持側磁性體331之動作傳遞至上握持構件32。下握持驅動部23中之握持側磁性體231及下握持構件22亦相同。
握持側磁性體331及驅動側磁性體332之起磁態樣亦可被利用各種態樣者。以中心軸J1為中心的環狀之驅動側磁性體332可於內側與外側存在N極(或S極)與S極(或N極)，亦可於上下存在N極(或S極)與S極(或N極)。磁性體移動部333亦可不使驅動側磁性體332於上下進行移動，而使其沿其他方向移動。例如，可將驅動側磁性體332於圓周方向上4等分，而磁性體移動部333使各磁性體片沿徑向進退，藉此使磁性體片接近或離開握持側磁性體331之側方、上方。除了上下方向相反以外，上述說明對下握持驅動部23亦相同。
如上所述，握持側磁性體331及驅動側磁性體332之至少一者為磁鐵。從可獲得較大引力及斥力之觀點而言，較佳為握持側磁性體331及驅動側磁性體332為磁鐵。如上所述，位置復原部334可為磁鐵，亦可為非磁鐵之磁性體，亦可為盤簧或板彈簧等彈性體。其亦可省略位置復原部334。下握持驅動部23亦相同。藉由使用磁鐵，則可容易使上握持構件32及下握持構件22移動。
上握持構件32並不被限定於沿上下方向之軸為中心旋轉。例如，亦可藉由沿水平方向之軸為中心旋轉而握持基板9之外緣部。下握持構件22亦相同。
當對基板9進行處理時，並非一定需要實施藉由不同握持構件進行基板9之握持交換。
基板處理裝置1中，上握持構件32及下握持構件22亦可不使用磁鐵，而藉由機械力之傳遞，例如經由齒輪、皮帶、凸輪、桿等之傳遞來進行移動(包含旋轉)。即，上握持構件32及下握持構件22可利用構件接觸的力之傳遞，藉此在握持基板9位置與不握持基板9位置之間移動。例如，上握持構件32及下握持構件22亦可藉由彈簧等之力握持基板9，並藉由靜止時與另外設置之驅動機構接觸而移動至不握持基板9之位置。此時，進行或不進行基板9之握持交換均可。
就自上方支撐基板9可以減少在基板9之背面流動的處理液之飛散的觀點而言，上支撐體31亦可不具有開口313。進而，當不需要藉由上支撐體31承接處理液時，亦不需要於上支撐體31設置環狀側壁部311。在此情形時，自基板9飛散的處理液例如係藉由被配置於下支撐體21及基板9之外周的環狀之杯來承接。又，環狀上部312亦不需要為板狀。
自藉由設置上握持構件32用以減少下握持構件22之個數的觀點，則無論有無下握持構件22，於上支撐體31設置上握持構件32之構造係特別適用於對基板9之下面供給處理液之情形。
又，當被設置上握持驅動部33之情形時，其需要較大之力量來使上支撐體31升降。因此，較佳為將上支撐體31設為環狀構件，藉此使上支撐體31輕量化。再者，就輕量化之觀點而言，上支撐體31較佳為利用樹脂(例如PEEK(聚醚醚酮)樹脂)所形成。
基板處理裝置1中，係一面支撐上支撐體31之外緣部一面進行上支撐體31之升降。藉此，可藉由簡單之構造使載置構件即上支撐體31相對於下支撐體21升降，且可將基板9之上方空間用於各種用途。就此觀點而言，上支撐體31並非一定需要具有開口313。即，上支撐體31可分離地被載置於下支撐部2上，覆蓋被下支撐部2所支撐的基板9之至少外緣部之上方。基板處理裝置1中，對被下支撐部2所支撐的基板9之上面或下面供給處理液。當然，當支撐上支撐體31之外緣部而使其升降之情形時，其可有效地利用上支撐體31之上方空間，因此較佳為將載置構件即上支撐體31設為環狀，從而可自上方對基板9供給處理液、氣體。又，基板9之握持亦可僅藉由下握持構件22來進行。即，亦可省略上握持構件32及上握持驅動部33。
使載置構件即上支撐體31相對於下支撐部2升降的升降部13之個數較佳為複數個。然而，升降部13之個數亦可僅為1個。例如，亦可藉由將俯視時較大之U字狀之高剛性構件之兩臂部分嵌入至槽34，從而利用1個升降部13升降上支撐體31。無論升降部13之個數為1個或2個以上，一般而言，上支撐體31於較被下支撐部2所支撐的基板9之外周更靠徑向外側的位置包含可於上下方向抵接升降部13的第1抵接部，且升降部13包含自徑向外方朝向上支撐體31之第1抵接部延伸的第2抵接部。而且，當升降驅動部131使第2抵接部上升時，第2抵接部與第1抵接部相接觸，上支撐體31自下支撐部2向上方離開，升降驅動部131使第2抵接部下降時，上支撐體31被載置在下支撐部2上，第2抵接部則自第1抵接部離開。
上支撐體31被載置在下支撐部2上之後，雖然第2抵接部亦可向徑向外方退避，但是較佳為在第2抵接部不進行退避而在第1抵接部與第2抵接部離開之狀態下，下支撐部2及上支撐部3可予旋轉。藉此，可藉由簡單之構造使上支撐體31升降。特別是，於第1抵接部與第2抵接部相接觸時，第1抵接部所具有之以中心軸J1為中心的環狀之面與第2抵接部相接觸，藉此，無論上支撐體31之旋轉方向之位置如何，均可使上支撐體31升降。通常，第1抵接部與第2抵接部接觸時，上支撐體31之環狀朝向下方之面與升降部13之朝向上方之面相接觸。然而，該等面並不受限於水平面。例如，亦可於上支撐體31設置環狀之朝下凸的面，於升降部13設置朝下凹的面，而使該等面接觸。
另一方面，當可藉由旋轉部12控制旋轉之情形時，亦可僅於上支撐體31之圓周方向之一部分設置第1抵接部。在此情形時，如圖8A及圖8B所示，第1抵接部與第2抵接部相互抵接時可容易含有相互嵌合的防止位置偏移構造。防止位置偏移構造較佳為防止上支撐體31相對於下支撐體21於圓周方向之位置偏移及於徑向之位置偏移的構造。防止位置偏移構造亦可為僅防止徑向位置偏移之構造。例如，當上支撐體31未設置上握持構件32，且使上支撐體31可相對於下支撐體21在任意旋轉位置載置時，其僅防止徑向之位置偏移即可。防止位置偏移使可藉由於第1抵接部及第2抵接部之至少其中一者所設置的凸部、凹部、階差等而嵌入另一者之一部分所實現。
基板處理裝置1中，設置有以靜止狀態被配置於上支撐體31之徑向外側的環狀蓋體16，藉由於環狀蓋體16上設置升降驅動部131，其可實現基板處理裝置1之小型化。當環狀蓋體16具有充分之剛性時，亦可於環狀蓋體16上直接設置升降驅動部131。當環狀蓋體16之剛性不充分時，亦可於環狀蓋體16設置補強構件之後於環狀蓋體16上設置升降驅動部131。又，亦可於環狀蓋體16之上方設置剛性較高之框架等底座，並於其上設置升降部13。即，自削減基板處理裝置1佔據面積之觀點而言，所謂「將升降驅動部131設置於環狀蓋體16上」包含將升降驅動部131設置於環狀蓋體16之上方之情形。其於使上握持驅動部33之磁性體移動部333及上噴嘴42退避的機構設置於環狀蓋體16上時亦相同。
又無論是否存在上支撐體31之開口313或是否存在上握持構件32，上支撐體31相對於下支撐體21(下支撐部2)所謂之「可分離地載置」較佳者均為：藉由使上支撐體31於上下方向上移動，而將上支撐體31可分離地載置於下支撐體21上。當然，亦可藉由使上支撐體31於上下方向以外之方向上移動，而將上支撐體31可分離地載置於下支撐體21上。所謂「可分離地載置」僅意味著：主要利用重力(或僅利用重力)使上支撐體31結合於下支撐體21上。
如上所述，基板處理裝置1之旋轉部12較佳為中空馬達，當不需要設置下噴嘴41時，則不需要於旋轉軸設置貫通孔。又，旋轉部12亦可為轉子相對於定子懸浮的馬達。
上述基板處理裝置1除了被利用於半導體基板以外，亦可被利用於液晶顯示裝置或有機電致發光(EL，Electro Luminescence)顯示裝置等平面顯示裝置(Flat Panel Display)所使用的玻璃基板，或其他顯示裝置所使用的玻璃基板之處理。又，上述基板處理裝置1亦可被利用於光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板及太陽電池用基板等之處理。
上述實施形態及各變化例之構成只要不相互矛盾，便可適當地被組合。
以上雖然已對本發明進行了詳細之說明，但是上述說明僅為例示性而不具有限定性。因此，只要不脫離本發明之範圍，其可實現多種變形及態樣。
1:基板處理裝置 2:下支撐部 3:上支撐部 4:處理液供給部 9:基板 11:外殼 12:旋轉部 13:升降部 15:承液部 16:環狀蓋體 21:下支撐體 22:下握持構件 23:下握持驅動部 31:上支撐體(載置構件) 32:上握持構件 33:上握持驅動部 34:槽(第1抵接部) 34a:卡合部(第1抵接部) 41:下噴嘴 42:上噴嘴 111:氣流產生部 131:升降驅動部 132:前端部(第2抵接部) 133:上面(第2抵接面) 134:凹部(防止位置偏移構造之一部分) 215、315:突出部 216:小突起 231:握持側磁性體 232:驅動側磁性體 233:磁性體移動部 311:環狀側壁部 312:環狀上部 313:開口 314:環狀突出部 316:小凹部 331:握持側磁性體 331a:第1握持側磁性體 331b:第2握持側磁性體 332:驅動側磁性體 332a:第1驅動側磁性體 332b:第2驅動側磁性體 333、333a、333b:磁性體移動部 334:位置復原部 341:面(第1抵接面) 342:擴大部(第1抵接部) 343:突出部(防止位置偏移構造之一部分) J1:中心軸
圖1係表示一實施形態之基板處理裝置之構成的側視圖。 圖2係表示基板處理裝置之一部分的俯視圖。 圖3A係被載置於下支撐體上的上支撐體的縱剖面圖。 圖3B係表示將上支撐體自下支撐體抬起之狀態的縱剖面圖。 圖4係表示基板處理裝置之動作例的流程圖。 圖5A係表示基板處理裝置之狀態圖。 圖5B係表示基板處理裝置之狀態圖。 圖5C係表示基板處理裝置之狀態圖。 圖5D係表示基板處理裝置之狀態圖。 圖6係表示蝕刻液之狀態圖。 圖7A係表示使上支撐體升降之構造之另一例的圖。 圖7B係表示使上支撐體升降之構造之另一例的圖。 圖8A係表示使上支撐體升降之構造之又一例的圖。 圖8B係表示使上支撐體升降之構造之又一例的圖。 圖9係表示省略下握持構件之基板處理裝置的縱剖面圖。 圖10係表示圖9之基板處理裝置之構成之一部分的俯視圖。 圖11係表示處理液自上噴嘴之吐出方向的圖。
9:基板 21:下支撐體 31:上支撐體(載置構件) 34:槽(第1抵接部) 132:前端部(第2抵接部) 133:上面(第2抵接面) 215、315:突出部 216:小突起 311:環狀側壁部 312:環狀上部 316:小凹部 341:面(第1抵接面)

Claims (6)

  1. 一種基板處理裝置，其係對基板供給處理液而對上述基板進行處理者；其具備有： 支撐部，其直接或間接地以水平姿勢支撐基板； 旋轉部，其使上述支撐部以向上下方向之中心軸為中心旋轉； 載置構件，其係可分離地被載置在上述支撐部上，覆蓋被上述支撐部所支撐的基板之至少外緣部之上方； 升降部，其使上述載置構件相對於上述支撐部升降；及 處理液供給部，其對被上述支撐部所支撐的基板之上面或下面供給處理液； 上述載置構件包含第1抵接部，該第1抵接部在較被上述支撐部所支撐的基板之外周更靠徑向外側，於上下方向可與上述升降部相抵接， 上述升降部包含： 第2抵接部，其自徑向外方朝向上述載置構件之上述第1抵接部延伸；及 升降驅動部，其使上述第2抵接部升降； 當藉由上述升降驅動部使上述第2抵接部上升時，上述第2抵接部與上述第1抵接部相接觸，上述載置構件自上述支撐部向上方離開， 當藉由上述升降驅動部使上述第2抵接部下降時，上述載置構件被載置在上述支撐部上，上述第2抵接部自上述第1抵接部離開， 當上述第1抵接部與上述第2抵接部於離開之狀態下，上述支撐部可旋轉。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 當上述載置構件被載置在上述支撐部之狀態下，上述第1抵接部之高度方向之位置距上述支撐部之上面為150 mm以下。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 上述載置構件為環狀。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 上述第1抵接部與上述第2抵接部包含於相互抵接時相互嵌合的防止位置偏移構造。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 上述第1抵接部與上述第2抵接部相接觸時，上述第1抵接部所具有之以上述中心軸為中心的環狀之面與上述第2抵接部相接觸。
  6. 如請求項1至5中任一項之基板處理裝置，其中， 進而具備以靜止狀態被配置在上述載置構件之徑向外側的環狀蓋體， 上述環狀蓋體之上部朝向徑向內方且接近至上述載置構件之外周面， 上述升降驅動部被設置在上述環狀蓋體上。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200420481A (en) * 2002-12-02 2004-10-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Component feeding apparatus
TW202013588A (zh) * 2018-09-18 2020-04-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置以及基板處理方法
TW202105491A (zh) * 2019-07-22 2021-02-01 日商荏原製作所股份有限公司 基板清洗裝置及基板清洗方法
CN213541273U (zh) * 2020-09-29 2021-06-25 锐捷芯盛（天津）电子科技有限公司 一种晶圆蚀刻设备移动机构密封装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5973300B2 (ja) 2012-09-25 2016-08-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
WO2015107838A1 (ja) 2014-01-16 2015-07-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6230941B2 (ja) 2014-03-26 2017-11-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6688112B2 (ja) 2016-03-18 2020-04-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200420481A (en) * 2002-12-02 2004-10-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Component feeding apparatus
TW202013588A (zh) * 2018-09-18 2020-04-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置以及基板處理方法
TW202105491A (zh) * 2019-07-22 2021-02-01 日商荏原製作所股份有限公司 基板清洗裝置及基板清洗方法
CN213541273U (zh) * 2020-09-29 2021-06-25 锐捷芯盛（天津）电子科技有限公司 一种晶圆蚀刻设备移动机构密封装置

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