KR101590660B1 - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 프로그램을 기록한 기억 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 프로그램을 기록한 기억 매체 Download PDF

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 기판의 중심과 회전 중심을 일치시켜 기판을 처리하는 것이 가능한 기판 처리 장치를 제공한다.
피처리 기판에 처리 유체를 공급하여 기판 처리를 행하는 기판 처리부와, 상기 피처리 기판의 측면에 접촉시켜, 상기 피처리 기판의 위치를 정하는 위치 결정 기구부와, 상기 위치 결정 기구부를 구동하는 위치 결정 구동부와, 상기 위치 결정 기구부의 위치를 검출하는 검출부와, 상기 피처리 기판의 기준이 되는 기준 기판에 대한 상기 위치 결정 기구부의 위치를 기준 위치 정보로서 기억하는 기억부와, 상기 기준 위치 정보와 상기 검출부에서 검출된 상기 위치 결정 기구부의 위치 정보와의 차를 산출하고, 상기 차로부터 상기 피처리 기판의 실측 정보를 산출하는 연산부를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공함으로써 상기 과제를 해결한다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 프로그램을 기록한 기억 매체{APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE, METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE, AND STORAGE MEDIUM RECORDING PROGRAM}
본 발명은 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 프로그램을 기록한 기억 매체에 관한 것이다.
반도체 메모리 등의 반도체 소자는, 반도체 웨이퍼 등의 기판 위에서 성막(成膜), 에칭 등의 기판 처리를 행함으로써 형성된다. 이러한 기판 처리로서, 기판의 주변부를 처리하는 베벨 처리 등이 있고, 이러한 베벨 처리 등은 베벨 처리를 행하는 기판 처리 장치에 의해 행해진다.
그런데, 베벨 처리는, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 회전시키면서 처리를 행하는 것이기 때문에, 반도체 웨이퍼 등의 기판의 중심과 회전 중심이 일치하고 있을 필요가 있어, 베벨 처리되는 반도체 웨이퍼 등의 기판의 위치 결정이 매우 중요하다. 이는, 베벨 처리가 기판의 측면(단부(端部))으로부터 수 밀리의 영역에서 행해지기 때문에, 기판 처리 장치에서 기판이 정해진 위치로부터 벗어나 설치되어 버리면, 원하는 베벨 처리가 행해지지 않고, 제조되는 반도체 소자의 수율의 저하 등을 초래하여 버리기 때문이다.
또한, 베벨 처리를 행하는 기판 처리 장치 이외에도, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 회전시키면서 처리를 행하는 기판 처리 장치로서, 반도체 웨이퍼 등의 기판의 중심으로부터 주변을 향하여 처리를 행하는 기판 처리 장치, 또한, 기판의 주변으로부터 중심을 향하여 처리를 행하는 기판 처리 장치 등이 있고, 이들 기판 처리 장치에서도, 기판의 위치 결정은 중요하다.
기판을 회전시켜 기판 처리를 행하는 장치로서, 특정한 영역의 처리를 행하는 기판 처리 장치로서는, 인용문헌 1 및 2에 개시되어 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2007-142077호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2009-147152호 공보
그러나, 인용문헌 1 및 2에 기재된 기판 처리 장치에서의 회전 중심에 대한 기판의 중심의 위치 결정은 충분하지 않은 경우가 있으며, 이 경우에는, 전술한 바와 같이 수율 등의 저하를 초래하여 버린다. 그 이유로서, 반도체 웨이퍼는, 제조 오차나 제조의 형편상, 완전히 동일한 직경의 반도체 웨이퍼를 제조하는 것은 곤란하여, 동일한 300 ㎜ 웨이퍼라도, 정해진 규격을 만족하는 범위 내에서, 크기가 상이한 것이 유통되고 있는 것이 현상이며, 특히 300 mm 웨이퍼 등의 대형인 기판의 경우 등에서는, 회전 중심에 대하여 기판의 중심을 정확하게 위치 결정하는 것은 매우 곤란한 것을 들 수 있다.
이 때문에, 크기가 상이한 반도체 웨이퍼 등의 기판에서도, 정확하게 기판의 크기를 측정하고, 그 정보를 처리부에 전달함으로써, 보다 정밀하게 기판을 처리할 수 있는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 프로그램을 기록한 기억 매체가 요구되고 있다.
본 발명은, 피처리 기판에 처리 유체를 공급하여 기판 처리를 행하는 기판 처리부와, 상기 피처리 기판의 측면에 접촉시켜, 상기 피처리 기판의 위치를 정하는 위치 결정 기구부와, 상기 위치 결정 기구부를 구동하는 위치 결정 구동부와, 상기 위치 결정 기구부의 위치를 검출하는 검출부와, 상기 피처리 기판의 기준이 되는 기준 기판에 대한 상기 위치 결정 기구부의 위치를 기준 위치 정보로서 기억하는 기억부와, 상기 기준 위치 정보와 상기 검출부에서 검출된 상기 위치 결정 기구부의 위치 정보와의 차를 산출하여, 상기 차로부터 상기 피처리 기판의 실측 정보를 산출하는 연산부를 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 피처리 기판에 처리 유체를 공급하여 기판 처리를 행하는 기판 처리 방법에 있어서, 기준 기판에 대한 기준 기판 정보를 기억하는 기준 기판 정보 기억 공정과, 기판 배치부 위에 상기 피처리 기판을 배치하는 기판 배치 공정과, 상기 피처리 기판을 위치 결정 기구부에 접촉시켜, 상기 위치 결정 기구부의 위치를 검출하는 검출 공정과, 상기 검출 공정에서 검출된 위치 정보와, 상기 기준 기판 정보에 기초하여, 상기 피처리 기판의 실측 정보를 산출하는 산출 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 크기가 상이한 반도체 웨이퍼 등의 기판에서도, 정확하게 기판의 크기를 측정하고, 그 정보를 처리부에 전달함으로써, 보다 정밀하게 기판을 처리할 수 있는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 프로그램을 기록한 기억 매체를 제공할 수 있다.
도 1은 본 실시형태에 있어서의 기판 처리 시스템의 횡단면도이다.
도 2는 본 실시형태에 있어서의 기판 처리 시스템의 측면도이다.
도 3은 본 실시형태에 있어서의 베벨 처리 장치의 설명도(1)이다.
도 4는 본 실시형태에 있어서의 베벨 처리 장치의 설명도(2)이다.
도 5는 브러시 유닛의 구성도이다.
도 6은 회전부 및 진공 척부에서의 단면도이다.
도 7은 본 실시형태에 있어서의 기판 위치 결정 장치의 측면도이다.
도 8은 본 실시형태에 있어서의 기판 위치 결정 장치의 평면도이다.
도 9는 본 실시형태에서의 기판 위치 결정 방법의 흐름도이다.
도 10은 기준 기판의 설명도이다.
도 11은 본 실시형태에 있어서의 다른 기판 처리 시스템의 구성도이다.
본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해서, 이하에 설명한다.
(기판 처리 시스템)
본 실시형태에 있어서의 기판 처리 시스템에 대해서 설명한다.
도 1 및 도 2에 기초하여, 본 실시형태에 있어서의 기판 처리 시스템에 대해서 설명한다. 또한, 도 1은 이 기판 처리 시스템의 횡단면도이며, 도 2는 측면도이다. 이 기판 처리 시스템은, 기판 처리를 행하는 기판 처리부(210)와, 외부와 기판 처리부(210) 사이에서 웨이퍼(W)의 반입출을 행하는 반입출부(220)를 갖고 있다.
반입출부(220)에는, 복수매, 예컨대, 25장의 웨이퍼를 수용할 수 있는 FOUP(Front Opening Unified Pod)(231)를 배치하기 위한 배치대(230)와, 배치대(230)에 배치된 FOUP(231)와 기판 처리부(210) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 반송실(240)이 설치되어 있다. FOUP(231)에는, 복수매의 웨이퍼(W)가, 대략 수평 상태로 유지되어 있고, 수직 방향으로 정해진 간격이 되도록 수납되어 있다.
배치대(230)는, 반송실(240)의 측벽부(241)를 따라 배치되어 있고, 예컨대, 3개의 FOUP(231)가 정해진 위치에 배치되어 있다. 측벽부(241)에는, FOUP(231)의 배치 장소에 대응하는 위치에, 개구부(242)가 설치되어 있고, 또한, 각각의 개구부(242)에 설치된 셔터(243)가 개폐함으로써, FOUP(231)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 반입출을 행할 수 있도록 구성되어 있다. 반송실(240) 내에는, FOUP(231)와 기판 처리부(210)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 제1 웨이퍼 반송 기구(250)가 설치되어 있다. 제1 웨이퍼 반송 기구(250)는, 진퇴, 승강, 회전 모두가 가능하게 구성된 픽(251)을 구비하고 있고, 이 픽(251) 위에 웨이퍼(W)가 유지되어 반송된다. 또한, 픽(251)은, 기판 처리부(210)에 설치되어 있는 웨이퍼 전달 유닛(214)에 진입하는 것이 가능하여, 웨이퍼 전달 유닛(214)에 픽(251)을 진입시킴으로써, 기판 처리부(210)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있다.
기판 처리부(210)는, 반송실(240)과의 사이에서 전달되는 웨이퍼(W)를 일시적으로 배치하는 웨이퍼 전달 유닛(214)과, 웨이퍼(W)에 대하여 처리를 행하는 기판 처리 유닛(271부터 274)과, 기판 처리부(210)에서 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 제2 웨이퍼 반송 기구(260)가 설치되어 있다. 또한, 기판 처리 유닛(271부터 274) 중 어느 하나에는, 후술하는 본 실시형태에 있어서의 베벨 처리 장치 등의 기판 처리 장치와 기판 위치 결정 장치가 편입되어 있다. 또한, 제2 웨이퍼 반송 기구(260)는, 진퇴, 승강, 회전 모두가 가능하게 구성된 픽(261)을 구비하고 있고, 이 픽(261) 위에 웨이퍼(W)가 유지되어 반송된다. 또한, 기판 처리부(210)에는, 베벨 처리 등을 행하기 위한 처리액을 저장하기 위한 처리액 저장 유닛(211)과, 기판 처리 시스템 전체에 전력을 공급하기 위한 전원 유닛(212)과, 기판 처리 시스템 전체의 제어를 행하는 기계 제어 유닛(213)이 설치되어 있다. 또한, 기판 처리부(210)의 천장 부분에는, 각각의 유닛 및 제2 웨이퍼 반송 기구(260)가 설치되어 있는 공간에 청정한 공기를 다운 플로우에 의해 공급하기 위한 팬 필터 유닛(FFU)(216)이 설치되어 있다.
또한, 이 기판 처리 시스템은, 제어부(280)가 접속되어 있다. 이 제어부(280)는, 예컨대, 도시하지 않는 CPU와 기억부를 구비한 컴퓨터에 의해 구성되어 있고, 기억부에는, 기판 처리 시스템에서 행해지는 동작을 제어하기 위한 프로그램이 기억되어 있다. 이 프로그램은, 예컨대, 하드 디스크, 컴팩트 디스크, 마그넷 광디스크, 메모리 카드 등의 기억 매체에 저장되고, 그곳으로부터 컴퓨터에 인스톨된다. 또한, 이 제어부(280)는, 예컨대, 기판 처리부(210)에서의 기계 제어 유닛(213) 내에 설치하여도 좋다.
또한, 본 실시형태에 있어서의 기판 처리 시스템은 복수의 처리 유닛을 갖는 것이지만, 기판 처리 장치로서의 개념에 포함되는 것이다.
(기판 처리 장치)
다음에, 본 실시형태에 있어서의 웨이퍼(W)에 대하여 처리를 행하는 기판 처리 장치에 대해서 설명한다. 본 실시형태에 있어서의 기판 처리 장치는, 전술한 기판 처리 시스템에서의 기판 처리 유닛(271부터 274) 중 어느 하나에 편입되어 있는 것이다.
본 실시형태에 있어서의 기판 처리 장치는, 예컨대 웨이퍼(W)의 베벨 처리를 행하는 베벨 처리 장치이다. 구체적으로는, 본 실시형태에 있어서의 베벨 처리 장치는, 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 웨이퍼(W)의 측면(단부)으로부터 내측으로 3 ㎜ 정도까지의 영역의 처리를 행하는 장치이며, 이 부분에 형성되어 있는 SiO2막, SiN막, 폴리실리콘막 등을, 플루오르화수소산(HF), 암모니아(NH3)와 과산화 수소(H2O2)의 혼합 용액, 불질산(플루오르화수소산과 질산(HNO3)의 혼합액) 등의 처리액에 의해, 제거하기 위한 기판 처리 장치이다. 또한, 본원 명세서에 있어서 전술한 웨이퍼(W)는 후술하는 기판(30)에 해당하는 것이며, 반도체 웨이퍼라고 칭하는 것이다.
도 3 및 도 4에 기초하여, 본 실시형태에 있어서의 기판 처리 장치로서 베벨 처리 장치에 대해서 설명한다. 본 실시형태에 있어서의 베벨 처리 장치는, 베벨 처리에 이용된 처리액을 받아, 베벨 처리 장치의 외부로 배출하기 위한 드레인 컵(110), 기판(30)의 상측을 덮기 위한 톱 플레이트(120), 기판(30)을 배치하여 회전시키기 위한 회전부(40), 노즐부(140 및 160), 도 5에 나타내는 브러시 유닛(150)을 갖고 있으며, 또한 후술하는 기판 위치 결정 장치를 갖고 있다. 도 3은 드레인 컵(110)과 톱 플레이트(120)가 개방하여 기판의 반출입이 가능한 상태를 나타내고, 도 4는 드레인 컵(110)과 톱 플레이트(120)가 폐쇄한 상태를 나타낸다. 또한, 베벨 처리는, 도 4에 나타내는 바와 같이 드레인 컵(110)과 톱 플레이트(120)가 폐쇄한 상태에서 행해진다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 회전부(40)는, 회전 전달부(42)를 개재하여 모터(43)가 설치되어 있으며, 배치된 기판(30)을 회전시킬 수 있다. 또한, 회전부(40)에서 기판(30)이 설치되는 면에는, 기판 흡착부가 되는 진공 척부(44)가 설치되어 있고, 도시하지 않는 진공 펌프 등에 접속되어 있다. 진공 척부(44)에는 기체 개구부(47)가 설치되어 있고, 진공 척부(44)에서의 진공 척은, 기판(30)을 진공 척부(44)에 배치한 후, 진공 펌프 등에 의해 배기함으로써, 기체 개구부(47)에 기판(30)이 흡착됨으로써 행해진다. 또한, 진공 척부(44)에서는, 기체 개구부(47)로부터 질소(N2) 가스 등을 기판(30)측에 공급(질소 가스 블로우)함으로써, 진공 척부(44) 위에서 기판(30)을 부상시키는 것도 가능하다.
본 실시형태에서는, 회전부(40)에서의 진공 척부(44) 위에 웨이퍼를 배치한 후, 드레인 컵(110)의 외측에 구비된, 후술하는 기판 위치 결정 장치가, 드레인 컵(110)과 톱 플레이트(120) 사이에 침입함으로써, 기판(30)의 중심 위치의 위치 결정을 행한다. 그 후, 기판 위치 결정 장치를 드레인 컵(110)과 톱 플레이트(120) 사이에 침입한 위치로부터 드레인 컵(110)의 외측으로 후퇴시키고 나서, 톱 플레이트(120)를 강하시키고, 또한, 드레인 컵(110)을 상승시켜, 톱 플레이트(120)와 드레인 컵(110)이 접촉한 상태로, 처리 공간을 형성한다. 그 처리 공간 내에서, 기판(30)을 회전시켜, 톱 플레이트(120)측에 설치된 노즐부(140)에서의 제1 노즐(141)과, 드레인 컵(110)측에 설치된 노즐부(160)에서의 제2 노즐(161)로부터 처리액을 공급하여, 기판(30)의 베벨 처리를 행한다.
이때, 노즐부(140)에는 제1 노즐(141)을 기판(30)의 반경 방향으로 이동시키기 위한 모터(142)가 설치되어 있고, 노즐부(160)에는 제2 노즐(161)을 웨이퍼의 반경 방향으로 이동시키기 위한 모터(162)가 설치되어 있다. 이들 제1 노즐(141) 및 제2 노즐(161)은, 후술하는 기판 위치 결정 장치에 의해 얻어진 기판(30)의 직경 등의 정보에 기초하여 결정된 위치에, 모터(142) 및 모터(162)에 의해, 배치된다. 이때, 노즐 구동부가 되는 모터(142) 및 모터(162)는, 노즐 구동 제어부(170)의 제어에 의해, 제1 노즐(141) 및 제2 노즐(161)을 이동시킨다. 이에 따라 기판의 크기에 의존하는 일 없이 원하는 베벨 처리를 확실하게 행할 수 있다.
또한, 드레인 컵(110)에는 노즐부(140)의 외에, 도시하지 않는 노즐부를 설치하여도 좋고, 또한 복수의 노즐부를 설치하여도 좋다. 이 노즐부는, 노즐부(140)와 대략 동일한 구성이며, 노즐 및 이 노즐을 기판의 반경 방향으로 이동시키기 위한 노즐용 모터가 설치되어 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서의 기판 처리 장치에서는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 브러시 유닛(150)을 갖고 있고, 브러시 유닛(150)에 의한 처리를 행할 수 있다. 이 브러시 유닛(150)은, 기판(30)에 접촉하여 처리를 행하는 원주형으로 스폰지 등에 의해 형성된 브러시부(151), 브러시부(151)를 회전시키기 위한 브러시용 모터(152)를 가지고, 브러시부(151) 및 브러시용 모터(152)를 포함하는 브러시 유닛 본체부(153)를 이동시킬 수 있는 제1 모터(154) 및 제2 모터(155)를 갖고 있다. 그리고, 이 브러시 유닛(150)은, 드레인 컵(110)과 톱 플레이트(120)가 폐쇄된 상태에서, 기판(30)의 처리를 행한다. 제1 모터(154)는, 기판면에 대하여 평행 방향으로 브러시 유닛 본체부(153)를 이동시킬 수 있는 것이며, 브러시부(151)의 기판(30)에 대한 수평 방향의 위치를 조정할 수 있다. 따라서, 제1 모터(154)에 의해, 기판(30)의 처리가 이루어지는 영역을 정할 수 있다. 또한, 제2 모터(155)는, 기판면에 대하여 수직 방향으로 브러시 유닛 본체부(153)를 이동시킬 수 있는 것이며, 브러시부(151)의 기판(30)에 대한 높이를 조정할 수 있다. 따라서, 제2 모터(155)에 의해, 브러시부(151)가, 원하는 압박력으로 기판(30)의 처리를 행할 수 있는 정해진 높이로 조정할 수 있다. 본 실시형태에서는, 후술하는 기판 위치 결정 장치에 의해 얻어진 기판(30)의 직경의 정보에 기초하여, 제1 모터(154)를 제어하여, 기판(30)의 크기에 대응하여, 브러시부(151)를 원하는 위치로 이동시킬 수 있다. 이에 따라, 브러시부(151)에 의한 기판(30)의 처리를 최적의 위치에서 행할 수 있어, 원하는 처리를 행할 수 있다.
(기판 위치 결정 장치)
다음에, 본 실시형태에 있어서의 기판 위치 결정 장치에 대해서 설명한다.
도 7은 본 실시형태에 있어서의 기판 위치 결정 장치의 측면도이며, 도 8은 본 실시형태에 있어서의 기판 위치 결정 장치의 평면도이다. 본 실시형태에 있어서의 기판 위치 결정 장치는, 반도체 웨이퍼 등의 원형의 기판의 위치 결정을 행하는 것이다.
본 실시형태에 있어서의 기판 위치 결정 장치는, 기판 처리 유닛(271~274) 중 어느 하나에 편입되어 있고, 제1 위치 결정 기구부(10)와 제2 위치 결정 기구부(20)를 갖고 있다. 제1 위치 결정 기구부(10)와 제2 위치 결정 기구부(20)는, 기판(30)을 설치하는 회전부(40)의 회전 중심(41)을 통과하는 직선상에 회전부(40)를 사이에 두고 대향하는 위치에 배치되어 있다.
제1 위치 결정 기구부(10)는, 기판(30)의 측면(단부)과 접촉하는 제1 기준부(11), 제1 기준부(11)를 지지하기 위한 지지부(12) 및 지지부(12)를 통하여 제1 기준부(11)를 기판(30)의 반경 방향으로 직선적으로 이동시킬 수 있는 제1 구동부(13)를 갖고 있다. 제1 기준부(11)는, 기판(30)과 접촉하는 접촉면(14)이 상면에서 보아 V자형으로 형성되어 있고, 이 접촉면(14)에서 원형의 기판(30)의 측면의 2점과 접촉할 수 있다. 제1 기준부(11)는, 변형하지 않는 재료로서, 금속 등의 불순물이 혼입할 가능성이 적은 재료가 바람직하고, 예컨대, 세라믹스 또는 폴리에테르·에테르·케톤 수지(PEEK) 등의 수지 재료에 의해 형성되어 있다. 지지부(12)는, L자로 형성되어 있고, 한쪽의 단부에서, 제1 기준부(11)가 부착되어 있다. 제1 기준부(11)는, 지지부(12)에 설치된 핀(15)을 중심으로 회전 가능한 상태로 지지되며, 나사(16)에 의해 고정되어 있다.
이때, 핀(15)을 중심으로 제1 기준부(11)를 움직여, 후술하는 기준 기판(81)의 측면의 2점과 접촉하는 위치에 맞추어, 나사(16)에 의해 고정함으로써, 제1 기준부(11)와 기준 기판(81)을 확실하게 2점에서 접촉시킬 수 있다. 또한, 지지부(12)의 다른쪽의 단부는, 제1 구동부(13)에 접속되어 있다. 제1 구동부(13)는, 제1 기준부(11)를 기판(30)의 반경 방향으로 직선적으로 이동시킬 수 있는 것으로서, 정해진 위치에서 정지시킬 수 있는 위치 제어 가능한 모터에 의해 구성되어 있다. 예컨대, 위치 제어를 비교적 정확하게 행하는 것이 가능한 스테핑 모터 등이 바람직하다.
제2 위치 결정 기구부(20)는, 기판(30)의 측면과 접촉하는 제2 기준부(21), 제2 기준부(21)를 지지하기 위한 지지부(22) 및 지지부(22)를 통하여 제2 기준부(21)를 기판(30)의 반경 방향으로 직선적으로 이동시킬 수 있는 제2 구동부(23)를 갖고 있다.
또한, 제2 기준부(21)는, 접촉부(24), 가동부(25), 스프링부(26), 본체부(27), 위치 센서(28), 연결부(29)를 갖고 있다.
접촉부(24)는, 원통형으로 형성되고, 원통의 중심을 축으로 회전 가능한 상태로 연결부(29)에 부착되어 있다. 예컨대, 접촉부(24)는 볼 베어링 등에 의해 형성되어 있다. 연결부(29)는 스프링부(26)를 통해 본체부(27)와 접속되어 있고, 스프링부(26)는, 연결부(29)에 부착된 접촉부(24)가 회전부(40)에서의 회전 중심(41)을 향하는 방향으로 힘이 가해지도록 부착되어 있다. 이 때문에, 기판(30)의 위치 결정을 행하여 기판(30)의 측면과 접촉부(24)의 측면이 접촉할 때에, 기판(30)의 중심이 회전부(40)에서의 회전 중심(41)과 접촉부(24)를 연결하는 직선상으로부터 벗어나 있었다고 하여도, 기판(30)의 이동에 맞추어 접촉부(24)가 회전함으로써, 기판(30)은 매끄럽게 이동할 수 있다. 또한, 기판(30)의 측면과 접촉부(24)의 측면이 접촉할 때에, 스프링부(26)가 신축하기 때문에, 기판(30)에 필요 이상의 힘이 가해지는 것을 방지할 수 있다. 가동부(15)는 연결부(29)에 접속되고, 스프링부(26)의 신축에 따라 이동하는 접촉부(24)와 함께 이동한다. 또한, 본체부(27)에 부착된 위치 센서(28)는, 가동부(25)까지의 거리를 측정할 수 있다. 이와 같이, 위치 센서(28)에 의해 가동부(25)까지의 거리를 측정함으로써, 미리 설정되어 있는 기준 거리와의 차를 산출하여, 기판(30)의 직경을 계산할 수 있다. 접촉부(24)는, 변형하지 않는 재료로서, 금속 등의 불순물이 혼입할 가능성이 적은 재료가 바람직하고, 예컨대, 세라믹스 또는 폴리에테르·에테르·케톤 수지(PEEK) 등의 수지 재료에 의해 형성되어 있다. 또한, 위치 센서(28)는, 가동부(25)의 위치를 검출할 수 있는 것이면 좋으며, 접촉식의 센서, 자기 센서, 광학 센서 등의 비접촉 센서를 이용하는 것이 가능하다.
제2 기준부(21)는, 지지부(22)의 한쪽의 단부에서 접속되어 있고, 지지부(22)의 다른쪽의 단부는, 제2 구동부(23)와 접속되어 있다. 제2 구동부(23)는, 제2 기준부(21)를 기판(30)의 반경 방향으로 직선적으로 이동시킬 수 있는 것이다. 예컨대, 제2 구동부(23)는, 직선적으로 이동 가능한 에어 실린더, 또는, 직선적으로 이동 가능한 모터 등에 의해 형성되어 있다. 또한, 제1 구동부(13)의 직선적인 이동 방향과, 제2 구동부(23)의 직선적인 이동 방향은 동일 선상이 되도록 설치되어 있고, 이 선상에는, 회전부(40)의 회전 중심(41)이 존재하고 있다. 또한, 제2 구동부(23)는, 기판면에 대하여 수직 방향으로 이동 가능한, 도시하지 않는 승강 실린더에 접속되어 있어, 제2 기준부(21), 지지부(22) 및 제2 구동부(23)를 전체적으로, 기판면에 대하여 대략 수직 방향으로 이동시킬 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 제1 위치 결정 기구부(10)에서의 제1 기준부(11)와, 회전부(40)의 회전 중심(41)과, 제2 위치 결정 기구부(20)에서의 제2 기준부(21)는, 동일 선상에 위치하도록 배치되어 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 제1 위치 결정 기구부(10), 제2 위치 결정 기구부(20), 회전부(40), 진공 척부(44)에서 기판(30)을 진공 척하기 위한, 도시하지 않는 진공 펌프 및 진공 펌프와 진공 척부(44)의 접속 상태를 전환하는 밸브(45), 질소 가스 등을 공급하기 위한 밸브(46) 등은, 제어부(50)와 접속되어 있고, 제어부(50)에 의해, 이들의 제어를 행할 수 있다. 또한, 제어부(50)는, 외부 기억부(60)와 접속되어 있고, 외부 기억부(60)에는, 제어부(50)에서 제어를 행하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 제어부(50) 내에는, 제1 위치 결정 기구부(10), 제2 위치 결정 기구부(20) 및 회전부(40) 등의 제어를 행하는 구동 제어부(51), 기준 위치 등의 정보를 기억하기 위한 기억부(52), 각종 산출 동작을 행하는 연산부(53), 기판의 처리를 실제로 행하는 기판 처리부 등에 계측된 기판의 정보를 송신하는 송신부(54)를 갖고 있다.
(기판의 계측과 위치 결정 방법)
다음에, 도 9에 기초하여, 본 실시형태에 있어서의 기판의 계측과 위치 결정 방법에 대해서 설명한다. 본 실시형태에 있어서의 기판의 계측과 위치 결정 방법은, 본 실시형태에 있어서의 기판 처리 장치 및 기판 위치 결정 장치를 이용하여 행하는 것이다.
최초에, 단계 102(S102)에서, 기준 기판을 회전부(40)의 진공 척부(44) 상에 설치한다. 구체적으로는, 도 10에 나타내는 바와 같이, 기준 기판(81)은, 직경이 300 ㎜의 원형으로 형성되어 있고, 기준 기판(81)의 중심 부분에 볼록부(82)가 형성되어 있다. 또한, 진공 척부(44)의 표면의 회전 중심(41)이 되는 부분에는, 볼록부(82)에 대응하는, 도시하지 않는 오목부가 설치되어 있어, 진공 척부(44)의 오목부에 기준 기판(81)의 볼록부(82)를 삽입함으로써, 회전부(40)의 회전 중심(41)과 기준 기판(81)의 중심이 일치하도록 형성되어 있다. 즉, 기준 기판(81)에서, 회전부(40)의 회전 중심(41)으로부터 주위까지의 거리가 균일해지도록 형성되어 있다. 또한, 본 실시형태에서는, 기준 기판(81)의 중심 부분에는 볼록부(82)를 설치하고, 진공 척부(44)에는 오목부를 설치한 구성에 대해서 설명하였지만, 기준 기판(81)을 진공 척부(44) 위에 설치하였을 때에, 회전부(40)의 회전 중심(41)과 기준 기판(81)의 중심이 일치하도록, 기준 기판(81)을 설치할 수 있는 구성 및 방법이면, 다른 형상이나 방법이어도 좋다.
다음에, 단계 104(S104)에서, 기준 위치의 결정을 행한다. 구체적으로는, 진공 척부(44)에 기준 기판(81)을 설치한 상태로, 제1 위치 결정 기구부(10) 및 제2 위치 결정 기구부(20)에 의해, 기준 기판(81)을 기준으로 하여 제1 위치 결정 기구부(10) 및 제2 위치 결정 기구부(20)의 기준 위치를 결정한다. 이 기준 위치의 결정은 이하의 공정에 따라 행한다.
제1 위치 결정 기구부(10)에서는, 제1 구동부(13)에 의해, 제1 기준부(11)를 회전부(40)의 회전 중심(41)을 향하는 방향으로, 기준 기판(81)에 접촉할 때까지 이동시킨다. 이때, 제1 기준부(11)는 핀(15)을 중심으로 회전하고, V자형으로 형성된 접촉면(14)이, 기준 기판(81)과 2점에서 접촉하도록 조정한다. 그리고, 그 상태에서 제1 기준부(11)와 지지부(12)를 나사(16)로 고정한다. 제1 위치 결정 기구부(10)의 기준 위치는, 회전부(40)의 회전 중심(41)을 향하는 방향에서, 제1 기준부(11)가 기준 기판(81)과 2점에서 접촉하는 위치에 결정된다. 또한, 제2 위치 결정 기구부(20)에서는, 제2 구동부(23)에 의해, 제2 기준부(21)를 회전부(40)의 회전 중심(41)을 향하는 방향으로 이동시켜, 제2 기준부(21)에서의 접촉부(24)가 기준 기판(81)에 접촉한 후, 위치 센서(28)가 검출하는 가동부(25)까지의 거리가 미리 정해진 기준 거리, 예컨대 1 ㎜가 되도록 한다. 제2 위치 결정 기구부(20)의 기준 위치는, 이 가동부(25)까지의 거리가 미리 정해진 기준 거리가 되는 위치에 결정된다. 이 후, 제1 위치 결정 기구부(10)에서, 제1 구동부(13)에 의해 제1 기준부(11)를 기준 기판(81)으로부터 떨어진 방향으로 이동시키고, 마찬가지로, 제2 위치 결정 기구부(20)에서, 제2 구동부(23)에 의해 제2 기준부(21)를 기준 기판(81)으로부터 떨어진 방향으로 이동시킨다. 또한, 이 후, 기준 기판(81)을 진공 척부(44)에 설치된 오목부로부터 제거한다.
다음에, 단계 106(S106)에서, 기준 위치의 정보가 기억된다. 구체적으로는, 단계 104에서 결정된 제1 위치 결정 기구부(10)의 기준 위치와, 제2 위치 결정 기구부(20)의 기준 위치를 제어부(50) 내에 설치되어 있는 기억부(52)에 기억시킨다.
다음에, 단계 108(S108)에서, 기판(30)을 진공 척부(44) 위에 배치한다. 구체적으로는, 기판(30)을 진공 척부(44) 위에 배치한 상태로, 진공 척부(44)로부터 기판(30)을 향하여 질소 가스를 공급하고, 질소 가스 블로우에 의해 기판(30)을 진공 척부(44) 위에서 부상시킨다. 기판(30)의 진공 척부(44)에 대한 면이 평탄하므로, 진공 척부(44) 위에 배치된 상태로, 진공 척부(44)에 흡착되어 버리는 경우가 있고, 이 상태에서의 흡착을 피하기 위해, 질소 가스 블로우를 행한다. 이에 따라 기판(30)을 진공 척부(44) 위에서 용이하게 이동시킬 수 있다. 이 때문에, 이 상태에서는, 기판(30)은 진공 척부(44)에는 흡착되어 있지 않다. 또한, 이 질소 가스 블로우는 필요에 따라 행해지는 것이며, 질소 가스 블로우를 행하는 일 없이 본 실시형태에 있어서의 위치 결정을 행하는 것은 가능하다.
다음에, 단계 110(S110)에서, 기판(30)의 계측을 행한다. 구체적으로는, 최초에, 제1 기준부(11)를 단계 106에서 기억한 제1 위치 결정 기구부(10)의 기준 위치까지 제1 구동부(13)에 의해 이동시킨다. 이때, 진공 척부(44)에 배치된 기판(30)이 300 ㎜보다도 큰 경우나 배치된 위치가 어긋나 있는 경우에는, 제1 기준부(11)의 접촉면(14)이 기판(30)의 측면과 접촉하고, 제1 기준부(11)에 의해 기판(30)은 밀려 제2 위치 결정 기구부(20)측으로 이동한다. 한편, 진공 척부(44)에 배치된 기판(30)이 300 ㎜보다도 작은 경우에는, 기준 기판과 동일한 조건에서 배치되면, 통상은 제1 기준부(11)의 접촉면(14)과 기판(30)의 측면은 접촉하는 일 없이, 제1 기준부(11)의 접촉면(14)과 기판(30)의 측면과의 사이에 간극이 형성된다.
다음에, 제2 기준부(21)를 단계 106에서 기억한 제2 위치 결정 기구부(20)의 기준 위치까지 제2 구동부(23)에 의해 이동시킨다. 이때, 제2 기준부(21)의 접촉부(24)와 기판(30)의 측면이 접촉하여, 접촉부(24)는 회전 중심(41)으로부터 멀어지는 방향으로 밀려 들어간다. 접촉부(24)가 밀려 들어가는 것과 함께, 가동부(25)도 회전 중심(41)으로부터 멀어지는 방향으로 이동한다. 진공 척부(44)에 배치된 기판(30)이 300 ㎜보다도 큰 경우에는, 위치 센서(28)에 의해 검출되는 가동부(25)까지의 거리는, 미리 정해진 기준 거리인 1 mm보다 작아진다. 한편, 진공 척부(44)에 배치된 기판(30)이 300 ㎜보다도 작은 경우에는, 위치 센서(28)에 의해 검출된 가동부(25)까지의 거리는, 미리 정해진 기준 거리인 1 mm보다 커진다. 이들 각각의 상태에서, 위치 센서(28)에 의해 검출된 가동부(25)까지의 거리를 연산부(53)에 보낸다.
다음에, 단계 112(S112)에서, 위치 센서(28)에 의해 검출된 가동부(25)까지의 거리에 기초하여 기판(30)의 직경의 실측값을 제어부(50) 내에 설치되어 있는 연산부(53)에서 산출한다. 구체적으로는, 기준 위치는 가동부(25)까지의 거리가 1 mm가 되는 위치이기 때문에, 위치 센서(28)에서 검출된 거리가 0.8 mm인 경우에는, 기판(30)의 직경의 실측값은 300.2 ㎜인 것으로 산출된다. 또한, 위치 센서(28)에서 검출된 위치가 1.2 ㎜인 경우에는, 기판(30)의 직경의 실측값은 299.8 ㎜인 것으로 산출된다.
또한, 제2 기준부(21)를 정해진 위치까지 이동시킨 경우에, 검출값이 크게 벗어나는 경우가 있다. 이러한 경우로서는, 접촉부(24)가 기판(30)의 측면에 형성된 노치 등에 접촉하고 있는 경우가 생각된다. 이 때문에, 이러한 경우에는, 노치가 형성되어 있는 위치를 피하여 기판(30)의 계측을 행할 필요가 있기 때문에, 회전부(40)에 의해 기판(30)을 90°회전시켜, 재차, 동일한 계측을 행한다. 수회 행하여도, 검출값이 크게 벗어나는 경우에는, 진공 척부(44)에 배치된 기판(30)은 정해진 규격을 만족하고 있지 않은 것으로 생각되기 때문에, 진공 척부(44)로부터 제거하고, 다음 기판(30)을 배치하여, 단계 108 이후의 프로세스를 행한다.
다음에, 단계 114(S114)에서, 기판(30)의 중심을 회전 중심(41)에 맞추는 보정을 하기 위한 보정값을 연산부(53)에서 산출한다. 즉, 단계 112에서 산출한 기판(30)의 직경의 실측값을 기초로, 진공 척부(44) 위에 배치되어 있는 기판(30)을 현상의 위치로부터 이동시키는 거리가 되는 보정값을 산출한다. 구체적으로는, 단계 112에서, 300.2 ㎜로 산출된 경우에는, 기준 기판(81)보다도 0.2 ㎜ 크기 때문에, 보정값은 +0.2 ㎜의 절반인 +0.1 ㎜가 된다. 또한, 299.8 ㎜로 산출된 경우에는, 기준 기판(81)보다도 0.2 ㎜ 작기 때문에, 보정값은 -0.2 ㎜의 절반인 -0.1 ㎜가 된다.
다음에, 단계 116(S116)에서, 실측값 및 보정값에 대한 정보를 기판 처리 장치에 송신한다. 구체적으로는, 송신부(54)에 의해, 기판 처리 장치 내에서 기판 처리를 행하는 부분, 예컨대 노즐 구동 제어부(170)에 기판의 실측값 및 보정값에 대한 정보를 송신한다.
다음에, 단계 118(S118)에서, 단계 114에서 얻어진 보정값에 기초하여 구동 제어부가(51)가 진공 척부(44) 위에 배치되어 있는 기판(30)의 위치 보정을 행한다. 구체적으로는, 보정값이, +0.1 ㎜인 경우, 기판(30)의 중심은 회전부(40)의 회전 중심(41)보다도, 제2 위치 결정 기구부(20)측으로 0.1 ㎜ 벗어나 있기 때문에, 구동 제어부(51)가, 제1 위치 결정 기구부(10)의 제1 구동부(13)에 의해, 제1 기준부(11)를 회전 중심(41)으로부터 떨어진 방향으로, 0.1 ㎜ 이동시킨다. 이에 따라, 기판(30)은 제2 기준부(21)에서의 스프링부(26)에 의해, 연결부(29)와 접촉부(24)를 통하여 제1 위치 결정 기구부(10) 측으로 밀려, 기판(30)의 중심과 회전 중심(41)이 일치한 상태로 할 수 있다. 또한, 보정값이, -0.1 ㎜인 경우, 기판(30)의 중심은 회전부(40)의 회전 중심(41)보다도, 제1 위치 결정 기구부(10)측으로 0.1 ㎜ 벗어나 있기 때문에, 구동 제어부(51)가, 제1 위치 결정 기구부(10)의 제1 구동부(13)에 의해, 제1 기준부(11)를 회전 중심(41)에 근접하는 방향으로, 0.1 ㎜ 이동시킨다. 이에 따라, 기판(30)의 측면이 제1 기준부(11)의 접촉면(14)을 통해 밀려, 제2 위치 결정 기구부(20)에서의 스프링부(26)가 줄어들기 때문에, 기판(30)을 제2 위치 결정 기구부(20) 측으로 이동시킬 수 있고, 이에 따라 기판(30)의 중심과 회전 중심(41)이 일치한 상태로 할 수 있다.
다음에, 단계 120(S120)에서, 기판(30)을 진공 척부(44)에 흡착시킨다. 구체적으로는, 단계 118에서, 기판(30)의 중심과, 회전부(40)에서의 회전 중심이 일치하고 있는 상태로 된 후, 질소 가스의 블로우를 정지하고, 진공 척부(44)에 접속되어 있는 진공 펌프 등에 의해 배기를 행하여 진공 척부(44)에 설치된 개구부(45)를 통하여 기판(30)을 진공 척부(44)에 흡착시킨다. 이 후, 제1 위치 결정 기구부(10)에서, 제1 구동부(13)에 의해, 제1 기준부(11)를 회전 중심(41)으로부터 떨어진 방향으로 이동시킴으로써, 기판(30)의 측면과 제1 기준부(11)의 접촉면(14)이 접촉하고 있지 않은 상태로 하고, 마찬가지로, 제2 위치 결정 기구부(20)에서, 제2 구동부(23)에 의해, 제2 기준부(21)를 회전 중심(41)으로부터 떨어진 방향으로 이동시킴으로써, 기판(30)의 측면과 제2 기준부(21)의 접촉부(24)가 접촉하고 있지 않은 상태로 한다. 이에 따라, 기판(30)의 중심과 회전부(40)의 회전 중심(41)이 일치한 상태로 진공 척부(44)에 기판(30)을 흡착시킬 수 있다.
(기판 처리 방법)
다음에, 단계 122(S122)에서, 드레인 컵(110)과 톱 플레이트(120)를 폐쇄하여 처리 공간을 형성하고, 처리 공간 내에서 기판(30)을 회전시킨다. 기판(30)은 진공 척부(44)에 흡착되어 있으며, 회전 중심(41)과 기판(30)의 중심이 일치한 상태로 회전할 수 있다.
다음에, 단계 124(S124)에서, 기판(30)에 대하여 처리를 행한다. 구체적으로는, 제1 노즐(141)과 제2 노즐(161)에 의한 기판(30)의 베벨 처리를 행한다. 제1 노즐(141)과 제2 노즐(161)에는, 미리 기준 기판의 단부로부터 처리 폭만큼 내측으로 들어간 위치에 노즐 위치가 설정되어 있다. 기판(30)의 베벨 처리는, 송신부에 의해 송신된 기판의 실측값 및 보정값에 기초하여, 미리 설정되어 있던 노즐 위치로부터 그 보정값만큼 노즐 위치를 조정하여 행해진다. 즉, 노즐 구동 제어부(170)가, 제1 노즐(141)을 노즐용 모터(142)에 의해 정해진 위치까지 이동시키고, 제2 노즐(161)을 노즐용 모터(162)에 의해 정해진 위치까지 이동시킨다. 구체적으로는, 기판(30)의 베벨 처리를 행하는 처리 폭이, 기판(30)의 단부보다 3 ㎜인 경우, 제1 노즐(141)의 노즐 위치는 미리 기준 위치(81)의 단부로부터 3 ㎜ 내측의 위치에 설정되어 있다. 실측된 기판(30)의 직경이 300.2 ㎜이면, 제1 위치 결정 기구(10)의 보정값이 +0.1 ㎜이기 때문에, 기판(30)의 중심과 회전 중심(41)을 맞추었을 때에, 기판(30)의 단부는 기준 기판(81)의 단부로부터 0.1 ㎜만큼 외측에 위치하게 된다. 그 때문에, 제1 노즐(141)을, 제1 위치 결정 기구와 마찬가지로, 설정된 노즐 위치로부터 회전 중심(41)으로부터 멀어지는 방향으로 0.1 ㎜ 이동시킨다. 또한, 실측된 기판(30)의 직경이 299.8 ㎜이면, 제1 위치 결정 기구(10)의 보정값이 -0.1 ㎜이기 때문에, 기판(30)의 중심과 회전 중심(41)을 맞추었을 때에, 기판(30)의 단부는 기준 기판(81)의 단부로부터 0.1 ㎜만큼 회전 중심측에 위치하게 된다. 그 때문에, 제1 노즐(141)을, 제1 위치 결정 기구와 마찬가지로, 설정된 노즐 위치로부터 회전 중심에 가까운 방향으로 0.1 ㎜ 이동시킨다. 제2 노즐(161)에 대해서도, 제1 노즐(141)과 마찬가지로, 처리 폭에 맞추어 미리 설정된 노즐 위치로부터, 제1 위치 결정 기구의 보정값만큼 이동시킨다. 이에 따라, 제1 노즐(141) 및 제2 노즐(161)은, 기판(30)의 실제 크기에 관계없이, 기판(30)의 단부로부터 원하는 처리 폭만큼 떨어진 위치에 정확하게 이동할 수 있어, 처리 폭을 일치시킬 수 있다. 이 후, 제1 노즐(141) 및 제2 노즐(161)로부터 약액을 공급하여, 베벨 처리를 행한다.
또한, 브러시 유닛(150)에 의해 기판(30)의 처리를 행하는 경우에도, 노즐 위치의 조정과 동일한 제어를 행하고, 단계 116에서 얻어진 보정값에 기초하여, 제1 모터(154)에 의해 브러시부(151)를 기판(30)에 대한 수평 방향의 위치가 원하는 위치가 되도록 이동시킬 수 있다. 이에 따라, 기판(30)의 실제 크기에 상관없이, 브러시부(151)에 의해 원하는 처리 영역을 정확히 처리할 수 있다.
베벨 처리가 종료한 후는, 드레인 컵(110)과 톱 플레이트(120)를 이격하고, 베벨 처리가 이루어진 기판(30)은 진공 척부(44)를 해제함으로써 제거되고 제2 웨이퍼 반송 기구(260)에 의해 반출된다. 그리고, 새롭게 베벨 처리를 행하는 기판(30)이 진공 척부(44)에 배치되어 단계 108부터 124의 공정을 행함으로써 베벨 처리가 행해진다.
본 실시형태에 있어서의 기판 처리 장치로서는, 기판의 베벨 처리를 행하는 장치, 기판의 중심으로부터 주위를 향한 처리를 행하는 장치, 기판의 주위로부터 중심을 향한 처리를 행하는 장치 등을 들 수 있고, 이들 장치에서 본 실시형태에 있어서의 기판 처리 방법을 행하는 것이 가능하다.
또한, 본 실시형태에 있어서의 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은, 웨이퍼 등의 기판을 회전시켜 처리를 행하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이면, 어떠한 장치라도 좋다. 특히, 대형의 기판의 처리를 행하는 경우, 기판의 중심과 회전 중심이 일치하고 있지 않으면, 편심에 의해 원하는 회전을 시킬 수 없어, 원하는 처리를 행할 수 없는 경우가 있다. 본 실시형태에 있어서의 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이라면, 이러한 경우에서도 원하는 처리를 행할 수 있다.
또한, 기준 기판(81)을 이용한 기준 위치 검출 공정은 한번 행하면 되기 때문에, 단계 108부터 단계 124의 공정을 반복함으로써, 복수의 기판에 대하여 중심 위치의 정확한 위치 결정을 행하여, 기판 처리를 단시간에 행하는 것이 가능하다.
또한, 도 1 및 도 2에 나타내는 기판 처리 시스템에서는, 1개의 기판 처리 유닛 내에 있는 전술한 기판 위치 결정 장치에 의해 얻어진 기판(30)의 직경 등의 실측값 및 보정값에 대한 정보가, 기계 제어 유닛(213)에 송신되고, 다른 기판 처리 유닛에서 동일한 기판의 처리를 행하는 경우에, 송신되어 온 기판의 직경 등의 실측값 및 보정값에 대한 정보를 이용하여 위치 결정이나 기판 처리를 행할 때의 노즐 위치의 조정 등의 처리를 행할 수 있다.
또한, 기판 처리 유닛과는 별개로, 기판 위치 결정 장치를 구비한 유닛을 설치하고, 이 기판 위치 결정 장치에 의해 얻어진 기판의 직경 등의 실측값 및 보정값에 대한 정보를 기판 처리 유닛에 송신해도 좋다.
구체적으로는, 도 11에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 전달 유닛(214) 내 등에 기판 위치 결정 장치를 설치하고, 이 기판 위치 결정 장치에 의해 얻어진 기판의 실측값 및 보정값에 대한 정보를, 송신부(290)로부터 그 기판의 처리를 행하는 기판 처리 유닛(271~274)에 송신한다. 이에 따라, 송신되어 온 기판의 실측값 및 보정값에 대한 정보에 기초하여, 기판 처리 유닛(271~274)에서, 기판의 중심과 회전 중심을 맞추는 위치 결정이나 기판 처리를 행할 때의 노즐 위치의 조정 등을 행할 수 있다. 또한, 기판 위치 결정 장치에 의해 얻어진 기판의 실측값 및 보정값에 대한 정보를 송신부(290)로부터 기계 제어 유닛(213)에 송신한 경우, 기계 제어 유닛(213)으로부터 기판 처리 유닛(271부터 274)에 송신하여도 좋다.
이와 같이, 기판 위치 결정 장치에 의해 얻어진 기판의 실측값 및 보정값에 대한 정보를, 다른 기판 처리 유닛에 송신하고, 그 정보를 다른 기판 처리 유닛에서 이용함으로써, 각각의 처리 유닛에서 기판의 크기를 실측하지 않아도, 정확하게 기판의 위치 결정을 행할 수 있다. 또한, 각각의 처리 유닛에서 기판의 크기를 실측하는 공정을 생략할 수 있기 때문에, 기판의 처리 시간을 단축할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시에 따른 형태에 대해서 설명하였지만, 상기 내용은, 발명의 내용을 한정하는 것이 아니다.
10 제1 위치 결정 기구부 11 제1 기준부
12 지지부 13 제1 구동부
14 접촉면 15 핀
16 나사 20 제2 위치 결정 기구부
21 제2 기준부 22 지지부
23 제2 구동부 24 접촉부
25 가동부 26 스프링부
27 본체부 28 위치 센서
29 연결부 30 기판
40 회전부 41 회전 중심
44 진공 척부 50 제어부
51 구동 제어부 52 기억부
53 연산부 54 송신부
60 외부 기억부 110 드레인 컵
120 톱 플레이트 140 노즐부
141 제1 노즐 150 브러시 유닛
151 브러시부 160 노즐부
161 제2 노즐 170 노즐 구동 제어부

Claims (22)

  1. 기판 배치부 위에 배치된 피처리 기판에 처리 유체를 공급하여 기판 처리를 행하는 기판 처리부와,
    상기 피처리 기판의 측면에 접촉시켜, 상기 피처리 기판의 위치를 정하는 위치 결정 기구부와,
    상기 위치 결정 기구부를 구동하는 위치 결정 구동부와,
    상기 위치 결정 기구부의 위치를 검출하는 검출부와,
    상기 피처리 기판의 기준이 되는 기준 기판에 대하여, 상기 기준 기판의 중심과 상기 기판 배치부의 중심이 일치하도록 상기 기준 기판을 설치한 후의 상기 위치 결정 기구부의 위치를 기준 위치 정보로서 기억하는 기억부와,
    상기 기준 위치 정보와, 상기 검출부에서 검출된 상기 위치 결정 기구부의 위치 정보와의 차를 산출하고, 상기 차로부터 상기 피처리 기판의 실측 정보를 산출하는 연산부와,
    상기 연산부에서 산출된 상기 실측 정보에 기초하여 상기 위치 결정 구동부를 구동시켜, 상기 위치 결정 기구부가 상기 피처리 기판을 정해진 위치로 이동시키도록 상기 위치 결정 구동부를 제어하는 위치 결정 구동 제어부
    를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 연산부에서 산출된 상기 실측 정보를 상기 기판 처리부에 보내는 송신부를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 송신부는, 상기 실측 정보를 복수의 상기 기판 처리부에 송신하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 처리부는,
    상기 피처리 기판의 처리를 행하는 유체를 공급하기 위한 노즐과,
    상기 노즐을 상기 피처리 기판의 면을 따라 이동시키는 노즐 구동부와,
    상기 연산부의 정보에 기초하여, 상기 노즐이 정해진 위치로 이동하도록 상기 노즐 구동부를 제어하는 노즐 구동 제어부
    를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 노즐은, 상기 피처리 기판의 베벨부에 처리액을 공급하여, 베벨 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 노즐은, 상기 피처리 기판의 중심부에서 주변부로, 또는, 상기 기판의 주변부에서 중심부로 이동되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 삭제
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 실측 정보는, 상기 피처리 기판의 직경의 정보인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 처리부와 상기 위치 결정 기구부는, 상이한 유닛 내에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 처리부와 상기 위치 결정 기구부는, 하나의 유닛 내에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 위치 결정 기구부는,
    상기 피처리 기판의 측면과 접촉하는 제1 기준부와, 상기 제1 기준부를 이동시키기 위한 제1 구동부를 갖는 제1 위치 결정 기구부와,
    상기 피처리 기판의 측면과 접촉하는 제2 기준부와, 상기 제2 기준부를 이동시키기 위한 제2 구동부를 갖는 제2 위치 결정 기구부
    를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1 기준부는, 상기 피처리 기판의 측면에 2점 이상에서 접촉하도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 제2 기준부는, 상기 피처리 기판의 측면에 1점에서 접촉하는 접촉부와, 상기 접촉부에 대하여 상기 제2 기준부가 이동하는 방향으로 힘을 가할 수 있는 탄성부를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 접촉부는 원형의 형상을 갖고 있고, 상기 원형의 중심을 축으로 회전 가능한 상태로 상기 제2 기준부에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  15. 기판 배치부 위에 배치된 피처리 기판에 처리 유체를 공급하여 기판 처리를 행하는 기판 처리 방법에 있어서,
    기준 기판에 대한 기준 기판 정보를 기억하는 기준 기판 정보 기억 공정과,
    기판 배치부 위에 상기 피처리 기판을 배치하는 기판 배치 공정과,
    상기 피처리 기판을 위치 결정 기구부에 접촉시켜, 상기 위치 결정 기구부의 위치를 검출하는 검출 공정과,
    상기 검출 공정에서 검출된 위치 정보와, 상기 기준 기판 정보에 기초하여, 상기 피처리 기판의 실측 정보를 산출하는 산출 공정과,
    상기 산출 공정에서 산출된 상기 실측 정보에 기초하여 상기 위치 결정 구동부를 구동시켜, 상기 위치 결정 기구부가 상기 피처리 기판을 정해진 위치로 이동시키도록 상기 위치 결정 구동부를 제어하는 구동 공정
    을 포함하고,
    상기 기준 기판 정보 기억 공정은 상기 기준 기판의 중심과 상기 기판 배치부의 중심이 일치하도록, 상기 기판 배치부 위에 상기 기준 기판을 설치하는 공정
    을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  16. 제15항에 있어서, 산출된 상기 피처리 기판의 실측 정보를 기판 처리부에 송신하는 송신 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 송신 공정에서 수신된 상기 피처리 기판의 실측 정보에 기초하여, 기판 처리부 내에서의 노즐을 정해진 위치로 이동시켜, 상기 노즐로부터 처리 유체를 공급함으로써 기판 처리를 행하는 기판 처리 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  18. 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기준 기판 정보 기억 공정은,
    제1 기준부와 상기 기준 기판의 측면을 접촉시키고, 또한, 제2 기준부와 상기 기준 기판의 측면을 접촉시켜, 상기 위치 결정 기구부의 기준 위치를 결정하는 기준 기판 위치 결정 공정과,
    상기 기준 위치를 상기 기준 기판 정보로서 기억하는 기억 공정
    을 더 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 검출 공정은, 상기 제1 기준부와 상기 피처리 기판의 측면을 접촉시키고, 또한, 상기 제2 기준부와 상기 피처리 기판의 측면을 접촉시켜, 검출부에 의해 상기 제2 기준부의 위치를 검출하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  20. 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산출 공정은, 상기 검출 공정에서 검출된 값과, 상기 기준 기판 정보에 기초하여, 상기 피처리 기판의 직경을 산출하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  21. 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 배치 공정, 상기 검출 공정, 상기 산출 공정을 반복하여 행함으로써, 복수의 피처리 기판의 위치 결정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  22. 컴퓨터에 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
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