TWI478273B - 基板處理裝置、基板處理方法及記錄有程式之記憶媒體 - Google Patents

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Description

基板處理裝置、基板處理方法及記錄有程式之記憶媒體
本發明係關於基板處理裝置、基板處理方法及記錄有程式之記憶媒體。
半導體記憶體等半導體元件藉由在半導體晶圓等基板上進行成膜、蝕刻等基板處理形成。如此之基板處理中有處理基板周邊部之斜角處理等，如此之斜角處理等藉由進行斜角處理之基板處理裝置進行。
又，斜角處理使半導體晶圓等基板旋轉並同時進行處理，故半導體晶圓等基板中心與旋轉中心需一致，進行斜角處理之半導體晶圓等基板定位極為重要。此因斜角處理於自基板側面(端部)起算數毫米之區域進行，故若於基板處理裝置中偏離既定位置設置基板，即無法進行所希望之斜角處理，會招致所製造之半導體元件之產出降低等。
且除進行斜角處理之基板處理裝置以外，作為使半導體晶圓等基板旋轉並同時進行處理之基板處理裝置，尚有自半導體晶圓等基板中心朝周邊進行處理之基板處理裝置，且自基板周邊朝中心進行處理之基板處理裝置等，於此等基板處理裝置中，基板定位亦相當重要。
作為係使基板旋轉以進行基板處理之裝置，進行特定區域處理之基板處理裝置，已揭示於引用文獻1及2。
[習知技術文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-142077號公報
[專利文獻2]日本特開2009-147152號公報
然而，引用文獻1及2所記載之基板處理裝置中相對於旋轉中心基板中心之定位有時不充分，此時，會招致如上述產出等降低。作為其理由，可舉下列者為例：製造半導體晶圓時因製造誤差或製造情形，難以製造直徑完全相同之半導體晶圓，目前即使係相同之300mm晶圓，市場上所流通者其實亦為在滿足既定規格之範圍內，大小不同之晶圓，特別是，在300mm晶圓等大型基板之情形等中，相對於旋轉中心正確定位基板中心極為困難。
因此，業界期待一種基板處理裝置、基板處理方法及記錄有程式之記憶媒體，即使針對大小不同之半導體晶圓等基板，亦可正確測定基板大小，將其資訊傳遞至處理部，藉此更精密地處理基板。
本發明包含：基板處理部，對被處理基板供給處理流體以進行基板處理；定位機構部，接觸該被處理基板側面，決定該被處理基板之位置；定位驅動部，驅動該定位機構部；偵測部，偵測該定位機構部之位置；記憶部，作為基準位置資訊將相對於係該被處理基板之基準之基準基板該定位機構部之位置加以記憶；或運算部，計算該基準位置資訊與藉由該偵測部所偵測之該定位機構部之位置資訊之差值，自該差值計算該被處理基板之實測資訊。
且本發明係一種基板處理方法，對被處理基板供給處理流體以進行基板處理，包含：基準基板資訊記憶程序，記憶關於基準基板之基準基板資訊；基板載置程序，在基板載置部上載置該被處理基板；偵測程序，使該被處理基板接觸定位機構部，偵測該定位機構部之位置；及計算程序，根據由該偵測程序偵測之位置資訊與該基準基板資訊，計算該被處理基板之實測資訊。
依本發明，可提供一種基板處理裝置、基板處理方法及記錄有程式之記憶媒體，即使針對大小不同之半導體晶圓等基板，亦可正確測定基板大小，將其資訊傳遞至處理部，藉此更精密地處理基板。
於以下說明關於用以實施本發明之形態。
(基板處理系統)
說明關於依本實施形態之基板處理系統。
根據圖1及圖2，說明關於依本實施形態之基板處理系統。又，圖1係此基板處理系統之橫剖面圖，圖2係側視圖。此基板處理系統包含：基板處理部210，進行基板處理；及送入送出部220，在外部與基板處理部210之間送入送出晶圓W。
送入送出部220中設有：載置台230，用以載置可收納複數片，例如25片晶圓之FOUP(Front Opening Unified Pod)231；及運送室240，用以在載置於載置台230之FOUP231與基板處理部210之間傳遞晶圓W。
FOUP231中，收納複數片晶圓W，俾大致以水平狀態固持之，沿鉛直方向呈既定間隔。
載置台230沿運送室240側壁部241配置，例如，載置3個FOUP231於既定位置。於側壁部241中，對應FOUP231載置場所之位置，設有開口部242，且藉由分別設於各開口部242之閘門243開合，可在與FOUP231之間送入送出晶圓W。於運送室240內，設有在FOUP231與基板處理部210之間運送晶圓W之第1晶圓運送機構250。第1晶圓運送機構250包含可完全任意進退、昇降、旋轉之拾取器251，在此拾取器251上固持晶圓W運送之。且拾取器251可進入設於基板處理部210之晶圓傳遞單元214，藉由拾取器251進入晶圓傳遞單元214，可在與基板處理部210之間傳遞晶圓W。
基板處理部210設有：晶圓傳遞單元214，暫時載置在與運送室240之間傳遞之晶圓W；基板處理單元271~274，對晶圓W進行處理；及第2晶圓運送機構260，於基板處理部210運送晶圓W。
且於基板處理單元271~274其中任一者，組裝有後述本實施形態中斜角處理裝置等基板處理裝置與基板定位裝置。且第2晶圓運送機構260包含可完全任意進退、昇降、旋轉之拾取器261，在此拾取器261上固持晶圓W運送之。且基板處理部210中設有：處理液儲存單元211，以將用來進行斜角處理等之處理液加以儲存；電源單元212，用以對基板處理系統整體供給電力；及機械控制部213，控制基板處理系統整體。
且於基板處理部210頂棚部分，設有用以藉由降流對分別設有各單元及第2晶圓運送機構260之空間供給潔淨空氣之風扇過濾器單元(FFU)216。
且此基板處理系統連接有控制部280。此控制部280由例如包含非圖示之CPU與記憶部之電腦構成，記憶部中，記憶有用以控制於基板處理系統進行之動作之程式。此程式儲存於例如硬碟、光碟、磁光碟、記憶卡等記憶媒體，自該處安裝至電腦。且此控制部280亦可設於例如基板處理部210中機械控制單元213內。
又，本實施形態中基板處理系統雖具有複數處理單元，但包含於作為基板處理裝置之概念中。
(基板處理裝置)
其次，說明關於本實施形態中對晶圓W進行處理之基板處理裝置。本實施形態中基板處理裝置組裝於前述基板處理系統中基板處理單元271~274其中任一者。
本實施形態中基板處理裝置係例如進行晶圓W之斜角處理之斜角處理裝置。具體而言，本實施形態中斜角處理裝置係使晶圓W旋轉，並同時進行自晶圓W側面(端部)起算朝內側約3mm止之區域之處理之裝置，係用以藉由氫氟酸(HF)、氨(NH3 )與過氧化氫(H2 O2 )之混合溶液、氟硝酸(氫氟酸與硝酸(HNO3 )之混合液)等處理液，將形成於此部分之SiO2 膜、SiN膜、多晶矽膜等去除之基板處理裝置。
又，本申請案說明書中上述晶圓W相當於後述之基板30，稱為半導體晶圓。
根據圖3及圖4，作為本實施形態中之基板處理裝置說明關於斜角處理裝置。本實施形態中斜角處理裝置包含：排放杯110，以承接用於斜角處理之處理液，將其排出至斜角處理裝置外部；頂板120，用以包覆基板30上方；旋轉部40，用以載置基板30，使其旋轉；噴嘴部140及160；及圖5所示之毛刷單元150；且包含後述之基板定位裝置。
圖3顯示排放杯110與頂板120開啟，可送出送入基板之狀態，圖4顯示排放杯110與頂板120關閉之狀態。又，斜角處理如圖4所示在排放杯110與頂板120關閉之狀態下進行。
如圖6所示，旋轉部40隔著旋轉傳遞部42設有馬達43，可使所載置之基板30旋轉。且於旋轉部40中載置有基板30之面，設有係基板吸附部之真空吸盤部44，連接非圖示之真空泵等。於真空吸盤部44設有氣體開口部47，真空吸盤部44中之真空吸盤在將基板30載置於真空吸盤部44後，以真空泵等進行排氣，藉此吸附基板30於氣體開口部47。且於真空吸盤部44，亦可藉由 自氣體開口部47對基板30側供給氮(N2 )氣等(氮氣吹送)，在真空吸盤部44上使基板30浮升。
本實施形態中，在旋轉部40中真空吸盤部44上載置基板30後，藉由位於排放杯110外側之後述基板定位裝置侵入排放杯110與頂板120之間，定位基板30之中心位置。其後，基板定位裝置自侵入排放杯110與頂板120之間之位置退避至排放杯110外側，再使頂板120降低，且使排放杯110上昇，在頂板120與排放杯110接觸之狀態下，形成處理空間。於此處理空間內，使基板30旋轉，自設於頂板120側噴嘴部140中之第1噴嘴141，與設於排放杯110側噴嘴部160中之第2噴嘴161供給處理液，進行基板30之斜角處理。
此時，噴嘴部140中設有用以使第1噴嘴141沿基板30之半徑方向移動之馬達142，噴嘴部160中設有用以使第2噴嘴161沿晶圓半徑方向移動之馬達162。此等第1噴嘴141及第2噴嘴161藉由馬達142及馬達162，配置於根據後述藉由基板定位裝置獲得之基板30之直徑等資訊決定之位置。此時，係噴嘴驅動部之馬達142及馬達162藉由噴嘴驅動控制部170之控制，使第1噴嘴141及第2噴嘴161移動。藉此不取決於基板大小而可確實進行所希望之斜角處理。
又，排放杯110中除噴嘴部140外，亦可設置非圖示之噴嘴部，且亦可設置複數噴嘴部。此噴嘴部與噴嘴部140大致相同，設有噴嘴及用以使此噴嘴沿基板半徑方向移動之噴嘴用馬達。
且於本實施形態中基板處理裝置內，如圖5所示，包含毛刷單元150，可藉由毛刷單元150進行處理。此毛刷單元150包含：毛刷部151，藉由接觸基板30以進行處理之圓柱形海綿等形成；及毛刷用馬達152，用以使毛刷部151旋轉；且包含第1馬達154及第2馬達155，可使包含毛刷部151及毛刷用馬達152之毛刷單元本體部153移動。又，此毛刷單元150在排放杯110與頂板120關閉之狀態下，處理基板30。第1 馬達154可相對於基板30表面沿平行方向使毛刷單元本體部153移動，可調整毛刷部151相對於基板30水平方向之位置。藉此，以第1馬達154，可決定基板30被處理之區域。且第2馬達155可相對於基板30表面沿垂直方向使毛刷單元本體部153移動，可調整毛刷部151相對於基板30之高度。藉此，以第2馬達155，毛刷部151可調整至可以所希望之推壓力處理基板30之既定高度。本實施形態中，可根據後述藉由基板定位裝置獲得之基板30直徑之資訊控制第1馬達154，對應基板30大小，使毛刷部151移動至所希望之位置。藉此，可藉由毛刷部151於最佳位置處理基板30，可進行所希望之處理。
(基板定位裝置)
其次，說明關於依本實施形態之基板定位裝置。
圖7係依本實施形態之基板定位裝置之側視圖，圖8係依本實施形態之基板定位裝置之頂視圖。依本實施形態之基板定位裝置定位半導體晶圓等圓形基板。
依本實施形態之基板定位裝置組裝於基板處理單元271~274其中任一者，包含第1定位機構部10與第2定位機構部20。第1定位機構部10與第2定位機構部20配置於在通過載置基板30之旋轉部40之旋轉中心41之直線上夾隔著旋轉部40對向之位置。
第1定位機構部10包含：第1基準部11，接觸基板30之側面(端部)；支持部12，用以支持第1基準部11；及第1驅動部13，可隔著支持部12使第1基準部11沿基板30之半徑方向直線移動。
第1基準部11其接觸基板30之接觸面14自上表面觀察呈V字狀形成，可以此接觸面14接觸圓形基板30之側面2點。第1基準部11宜藉由不變形，且混入金屬等雜質之可能性低之材料，例如陶瓷或聚二醚酮樹脂(PEEK)等樹脂材料形成。支持部12形成為L字形，於一方端安裝有第1基準部11。第1基準部11在可 以設於支持部12之銷15為中心旋轉之狀態下受到支持，並藉由螺釘16固定之。
此時，以銷15為中心移動第1基準部11，對準接觸後述基準基板81之側面2點之位置，藉由螺釘16固定之，藉此可確實地使第1基準部11與基準基板81以2點接觸。且支持部12之另一方端連接第1驅動部13。第1驅動部13可使第1基準部11沿基板30半徑方向直線移動，藉由可使其於既定位置停止之可控制位置之馬達構成。例如宜係相較之下可正確控制位置之步進馬達等。
第2定位機構部20包含：第2基準部21，接觸基板30側面；支持部22，用以支持第2基準部21；及第2驅動部23，可隔著支持部22使第2基準部21沿基板30之半徑方向直線移動。
且第2基準部21包含接觸部24、可動部25、彈簧部26、本體部27、位置感測器28、連結部29。
接觸部24呈圓筒狀形成，在可以圓筒中心為軸旋轉之狀態下安裝於連結部29。例如接觸部24藉由滾珠軸承等形成。連結部29經由彈簧部26連接本體部27，安裝彈簧部26，俾安裝於連結部29之接觸部24沿朝旋轉部40中旋轉中心41之方向施力。因此，定位基板30，基板30側面與接觸部24側面接觸時，基板30中心即使偏離連結旋轉部40中之旋轉中心41與接觸部24之直線，接觸部24亦可配合基板30之移動旋轉，藉此基板30可滑順地移動。且基板30側面與接觸部24側面接觸時，藉由彈簧部26收縮，可防止對基板30施加所需以上之力。可動部25與連接連結部29，伴隨著彈簧部26之伸縮移動之接觸部24一齊移動。且安裝於本體部27之位置感測器28可測定至可動部25止之距離。如此，藉由以位置感測器28測定至可動部25止之距離，可計算與預先設定之基準距離之差值，計算基板30之直徑。接觸部24宜藉由不變形，且混入金屬等雜質之可能性低之材料，例如陶瓷或聚二醚酮樹脂(PEEK)等樹脂材料形成。且位置感測器28可偵測 可動部25之位置即可，可使用接觸式感測器，或磁感測器或光學感測器等非接觸感測器。
第2基準部21連接支持部22之一方端，支持部22之另一方端連接第2驅動部23。第2驅動部23可使第2基準部21沿基板30之半徑方向直線移動。例如第2驅動部23藉由可直線移動之空壓缸，或可直線移動之馬達等形成。又，設置成第1驅動部13之直線移動方向，與第2驅動部23之直線移動方向在同一線上，於此線上存在旋轉部40之旋轉中心41。且第2驅動部23連接可相對於基板面沿垂直方向移動之非圖示昇降缸，可使第2基準部21、支持部22及第2驅動部23整體相對於基板面大致沿垂直方向移動。
且本實施形態中，配置成第1定位機構部10中第1基準部11、旋轉部40之旋轉中心41與第2定位機構部20中第2基準部21位於同一線上。
且本實施形態中，第1定位機構部10、第2定位機構部20、旋轉部40、用來以真空吸盤部44對基板30進行真空夾持之非圖示真空泵，及切換真空泵與真空吸盤部44之連接狀態之閥45、用以供給氮氣等之閥46等連接控制部50，藉由控制部50，可控制此等者。且控制部50連接外部記憶部60，外部記憶部60中儲存有以控制部50進行控制之程式。又，於控制部50內包含：驅動控制部51，控制第1定位機構部10、第2定位機構部20及旋轉部40等；記憶部52，用以記憶基準位置等資訊；運算部53，進行各種計算動作；及傳送部54，傳送於實際處理基板之基板處理部等所計測之基板資訊。
(基板之計測與定位方法)
其次，根據圖9，說明關於依本實施形態基板之計測與定位方法。依本實施形態之基板之計測與定位方法使用依本實施形態之基板處理裝置及基板定位裝置進行。
最初於步驟102(S102)，將基準基板載置在旋轉部40之真空吸盤部44上。具體而言，如圖10所示，基準基板81呈直徑300mm之圓形而形成，於基準基板81中心部分形成凸部82。且於真空吸盤部44表面係旋轉中心41之部分，設有對應凸部82之非圖示凹部，形成為藉由將基準基板81之凸部82插入真空吸盤部44之凹部，旋轉部40之旋轉中心41與基準基板81之中心一致。亦即，形成為於基準基板81，自旋轉部40之旋轉中心41至周圍之距離均一。又，本實施形態中，雖已說明關於在基準基板81之中心部分設置凸部82，於真空吸盤部44設置凹部之構成，但若係可設置基準基板81，俾將基準基板81設置在真空吸盤部44上時，旋轉部40之旋轉中心41與基準基板81之中心一致之構成及方法，亦可為其他形狀或方法。
其次，於步驟104(S104)，決定基準位置。具體而言，在載置基準基板81於真空吸盤部44之狀態下，藉由第1定位機構部10及第2定位機構部20，以基準基板81為基準決定第1定位機構部10及第2定位機構部20之基準位置。藉由以下程序決定此基準位置。
於第1定位機構部10，藉由第1驅動部13，使第1基準部11沿朝旋轉部40之旋轉中心41之方向移動直到接觸基準基板81。此時，第1基準部11以銷15為中心轉動，調整呈V字狀形成之接觸面14，俾以2點接觸基準基板81。又，在此狀態下以螺釘16固定第1基準部11與支持部12。第1定位機構部10之基準位置決定為第1基準部11沿朝旋轉部40之旋轉中心41之方向以2點接觸基準基板81之位置。且於第2定位機構部20，藉由第2驅動部23，使第2基準部21沿朝旋轉部40之旋轉中心41之方向移動，第2基準部21中接觸部24接觸基準基板81後，位置感測器28所偵測至可動部25止之距離為預先決定之基準距離，例如1mm。第2定位機構部20之基準位置決定為此至可動部25止之距離為預先決定之基準距離之位置。此後，於第1定位機構部10，藉由第1驅動部13使第1基準部11朝遠離基準基板81之方向移動，同樣地，於第2定位機構部20，藉由第2驅動部23使第2基準部21朝遠離基準基板81之方向移動。且此後，將基準基板81自設於真空吸盤部44之凹部卸除之。
其次，於步驟106(S106)，記憶基準位置之資訊。具體而言，將於步驟104決定之第1定位機構部10之基準位置，與第2定位機構部20之基準位置記憶於設在控制部50內之記憶部52。
其次，於步驟108(S108)，將基板30載置在真空吸盤部44上。具體而言，在將基板30載置在真空吸盤部44上之狀態下，自真空吸盤部44朝基板30供給氮氣，藉由氮氣吹送使基板30浮升在真空吸盤部44上。基板30面對真空吸盤部44之面平坦，故於載置在真空吸盤部44上之狀態下，有時會吸附真空吸盤部44，為避免在此狀態下吸附，進行氮氣吹送。藉此基板30可在真空吸盤部44上輕易移動。因此，在此狀態下，基板30不吸附真空吸盤部44。又，此氮氣吹送可因應所需進行，可不進行氮氣吹送進行依本實施形態之定位。
其次，於步驟110(S110)，計測基板30。具體而言，最初，使第1基準部11藉由第1驅動部13移動至於步驟106記憶之第1定位機構部10之基準位置。此時，當載置於真空吸盤部44之基板30大於300mm時或所載置之位置偏離時，第1基準部11之接觸面14接觸基板30側面，藉由第1基準部11推壓基板30，使其移動至第2定位機構部20側。另一方面，載置於真空吸盤部44之基板30小於300mm時，若以與基準基板相同之條件載置通常第1基準部11之接觸面14與基板30之側面不會接觸，而在第1基準部11之接觸面14與基板30之側面之間形成間隙。
其次，使第2基準部21藉由第2驅動部23移動至於步驟106記憶之第2定位機構部20之基準位置。此時，第2基準部21之接觸部24與基板30之側面接觸，朝遠離旋轉中心41之方向推入接觸部24。可動部25亦與接觸部24之推入一齊朝遠離旋轉中心41之方向移動。載置於真空吸盤部44之基板30大於300mm時，藉由位置感測器28所偵測至可動部25止之距離小於係預先決定之基準距離之1mm。另一方面，載置於真空吸盤部44之基板30小於300mm時，藉由位置感測器28所偵測至可動部25止之距離大於係預先決定之基準距離之1mm。分別於此等各狀態下，將藉由位置感測器28所偵測至可動部25止之距離送往運算部53。
其次，於步驟112(S112)，根據藉由位置感測器28所偵測至可動部25止之距離以設在控制部50內之運算部53計算基板30直徑之實測值。具體而言，基準位置係至可動部25止之距離為1mm之位置，故以位置感測器28所偵測之距離為0.8mm時，可計算基板30直徑之實測值為300.2mm。且以位置感測器28所偵測之距離為1.2mm時，可計算基板30直徑之實測值為299.8mm。
又，使第2基準部21移動至既定位置時，偵測值有時會大幅偏離。如此時，可想見係接觸部24接觸到形成於基板30側面之凹口等。因此，如此時，需避開形成凹口之位置計測基板30，故藉由旋轉部40旋轉基板30 90°，再次，進行相同之計測。進行數次，偵測值仍大幅偏離時，可想見係載置於真空吸盤部44之基板30不符既定規格，故自真空吸盤部44拆下基板，載置下一基板30，進行步驟108以下程序。
其次，於步驟114(S114)，藉由運算部53計算用以進行使基板30中心對準旋轉中心41之修正之修正值。亦即，以於步驟112所計算之基板30直徑之實測值為基礎，計算係將載置在真空吸盤部44上之基板30自目前位置移動之距離之修正值。具體而言，於步驟112，計算為300.2mm時，大於基準基板81 0.2mm，故修正值為+0.2mm之一半之+0.1mm。且計算為299.8mm時，小於基準基板810.2mm，故修正值為-0.2mm之一半之-0.1mm。
其次，於步驟116(S116)，將關於實測值及修正值之資訊傳送至基板處理裝置。具體而言，藉由傳送部54，將關於基板之實測值及修正值之資訊傳送至於基板處理裝置內進行基板處理之部分，例如，噴嘴驅動控制部170。
其次，於步驟118(S118)，根據在步驟114獲得之修正值驅動控制部51進行載置在真空吸盤部44上之基板30之位置修正。具體而言，修正值為+0.1mm時，基板30中心朝第2定位機構部20側偏離旋轉部40之旋轉中心41 0.1mm，故驅動控制部51藉由第1定位機構部10之第1驅動部13，使第1基準部11朝遠離旋轉中心41之方向，移動0.1mm。藉此，可以第2基準部21中之彈簧部26，隔著連結部29與接觸部24朝第1定位機構部10側推壓基板30，基板30中心與旋轉中心41呈一致狀態。且修正值為-0.1mm時，基板30中心朝第1定位機構部10側偏離旋轉部40之旋轉中心41 0.1mm，故驅動控制部51藉由第1定位機構部10之第1驅動部13，使第1基準部11朝接近旋轉中心41之方向，移動0.1mm。藉此，隔著第1基準部11之接觸面14推壓基板30側面，使第2定位機構部20中之彈簧部26壓縮，故可使基板30朝第2定位機構部20側移動，藉此基板30中心與旋轉中心41可呈一致狀態。
其次，於步驟120(S120)，使基板30吸附真空吸盤部44。具體而言，於步驟118，基板30中心與旋轉部40中旋轉中心呈一致狀態後，停止吹送氮氣，藉由連接真空吸盤部44之真空泵等排氣，以設於真空吸盤部44之開口部45使基板30吸附真空吸盤部44。此後，於第1定位機構部10，藉由第1驅動部13，使第1基準部11朝遠離旋轉中心41之方向移動，藉此基板30側面與第1基準部11之接觸面14呈不接觸之狀態。同樣地，於第2定位機構部20，藉由第2驅動部23，使第2基準部21朝遠離旋轉中心41之方向移動，藉此基板30側面與第2基準部21之接觸部24呈不接觸之狀態。藉此，在基板30中心與旋轉部40之旋轉中心41一致之狀態下可使基板30吸附真空吸盤部44。
(基板處理方法)
其次，於步驟122(S122)，關閉排放杯110與頂板120以形成處理空間，於處理空間內使基板30旋轉。基板30吸附真空吸盤部44，旋轉中心41與基板30中心可以呈一致之狀態旋轉。
其次，於步驟124(S124)，對基板30進行處理。具體而言，藉由第1噴嘴141與第2噴嘴161對基板30進行斜角處理。對第1噴嘴141與第2噴嘴161預先設定噴嘴位置於自基準基板端部恰進入內側處理寬之位置。基板30之斜角處理根據藉由傳送部54所傳送之基板30之實測值及修正值，自預先設定之噴嘴位置恰調整噴嘴位置其修正值分以進行之。亦即，噴嘴驅動控制部170使第1噴嘴141藉由噴嘴用馬達142移動至既定位置，使第2噴嘴161藉由噴嘴用馬達162移動至既定位置。具體而言，基板30進行斜角處理之處理寬自基板30端部起算為3mm時，第1噴嘴141之噴嘴位置預先設定於自基準基板81端部起算在3mm內側之位置。經實測之基板30之直徑若為300.2mm，則第1定位機構10之修正值為+0.1mm，故對準基板30中心與旋轉中心41時，基板30端部位於自基準基板81端部起算恰在外側0.1mm之位置。因此，使第1噴嘴141與第1定位機構相同，自經設定之噴嘴位置朝遠離旋轉中心41之方向移動0.1mm。且經實測之基板30之直徑若為299.8mm，則第1定位機構10之修正值為-0.1mm，故對準基板30中心與旋轉中心41時，基板30端部位於自基準基板81端部起算恰朝旋轉中心側0.1mm之位置。因此，使第1噴嘴141與第1定位機構相同，自經設定之噴嘴位置朝接近旋轉中心之方向移動0.1mm。關於第2噴嘴161，亦與第1噴嘴141相同，配合處理寬自預先設定之噴嘴位置，恰移動第1定位機構之修正值分。藉此，第1噴嘴141及第2噴嘴161無論基板30之實際大小，皆可正確移動至自基板30端部起算恰遠離所希望之處理寬之位置，可使處理寬一致。此後，自第1噴嘴141及第2噴嘴161供給化學液，進行斜角處理。
且藉由毛刷單元150處理基板30時，亦進行與噴嘴位置之調整相同之控制，可根據於步驟116獲得之修正值，藉由第1馬達154使毛刷部151相對於基板30水平方向之位置移動至所希望位置。藉此，無論基板30之實際大小，皆可藉由毛刷部151正確處理所希望之處理區域。
斜角處理結束後，使排放杯110與頂板120脫離，經斜角處理之基板30藉由解除真空吸盤部44卸除之，藉由第2晶圓運送機構260送出之。又，重新將進行斜角處理之基板30載置於真空吸盤部44，藉由進行步驟108至124之程序進行斜角處理。
作為依本實施形態之基板處理裝置，可舉進行基板斜角處理之裝置、自基板中心朝周圍進行處理之裝置、自基板周圍朝中心進行處理之裝置等為例，藉由此等裝置可進行依本實施形態之基板處理方法。
且依本實施形態之基板處理裝置及基板處理方法若為使晶圓等基板旋轉以進行處理之基板處理裝置及基板處理方法，則亦可係任何種裝置。特別是，處理大型基板時，若基板中心與旋轉中心不一致，即會因偏心而無法進行所希望之旋轉，有時會無法進行所希望之處理。若為依本實施形態之基板處理裝置及基板處理方法，則即使在如此時亦可進行所希望之處理。
又，使用基準基板81之基準位置偵測程序進行一次即可，故藉由重複進行步驟108至步驟124之程序，可對複數基板進行中心位置之正確定位，在短時間內進行基板處理。
且於圖1及圖2所示之基板處理系統，將關於藉由在1座基板處理單元內之上述基板定位裝置獲得之基板30直徑等實測值及修正值之資訊傳送至機械控制單元213，於其他基板處理單元進行相同基板處理時，可使用傳送來的關於基板直徑等實測值及修正值之資訊進行定位或基板處理時噴嘴位置之調整等處理。
且亦可在基板處理單元外另設置包含基板定位裝置之單元，將藉由此基板定位裝置獲得之關於基板直徑等實測值及修正值之資訊傳送至基板處理單元。
具體而言，如圖11所示，於晶圓傳遞單元214內等設置基板定位裝置，將藉由此基板定位裝置獲得之關於基板實測值及修正值之資訊自傳送部290傳送至進行該基板處理之基板處理單元271~274。藉此，可根據傳送來的關於基板實測值及修正值之資訊，以基板處理單元271~274，實行進行對準基板中心與旋轉中心之定位或基板處理時噴嘴位置之調整等。且將藉由基板定位裝置獲得之關於基板實測值及修正值之資訊自傳送部290傳送至機械控制單元213時，亦可自機械控制單元213傳送至基板處理單元271~274。
如此，將藉由基板定位裝置獲得之關於基板實測值及修正值之資訊傳送至其他基板處理單元，於其他基板處理單元使用該資訊，藉此即使未分別於各處理單元實測基板大小，亦可正確定位基板。且可省略分別於各處理單元實測基板大小之程序，故可縮短基板處理時間。
以上，雖已說明關於依本發明之實施形態，但上述內容未限定發明內容。
W．．．晶圓
S102~124．．．步驟
10．．．第1定位機構部
11．．．第1基準部
12．．．支持部
13‧‧‧第1驅動部
14‧‧‧接觸面
15‧‧‧銷
16‧‧‧螺釘
20‧‧‧第2定位機構部
21‧‧‧第2基準部
22‧‧‧支持部
23‧‧‧第2驅動部
24‧‧‧接觸部
25‧‧‧可動部
26‧‧‧彈簧部
27‧‧‧本體部
28‧‧‧位置感測器
29‧‧‧連結部
30‧‧‧基板
40‧‧‧旋轉部
41‧‧‧旋轉中心
42‧‧‧旋轉傳遞部
43‧‧‧馬達
44‧‧‧真空吸盤部
45、46‧‧‧閥
47‧‧‧氣體開口部
50‧‧‧控制部
51‧‧‧驅動控制部
52‧‧‧記憶部
53‧‧‧運算部
54‧‧‧傳送部
60‧‧‧外部記憶部
81‧‧‧基準基板
82‧‧‧凸部
110‧‧‧排放杯
120‧‧‧頂板
140、160‧‧‧噴嘴部
141‧‧‧第1噴嘴
142‧‧‧馬達
150‧‧‧毛刷單元
151‧‧‧毛刷部
152‧‧‧毛刷用馬達
153‧‧‧毛刷單元本體部
154‧‧‧第1馬達
155‧‧‧第2馬達
161‧‧‧第2噴嘴
162‧‧‧馬達
170‧‧‧噴嘴驅動控制部
210‧‧‧基板處理部
211‧‧‧處理液儲存單元
212‧‧‧電源單元
213‧‧‧機械控制部(機械控制單元)
214‧‧‧晶圓傳遞單元
216‧‧‧風扇過濾器單元
220‧‧‧送入送出部
230‧‧‧載置台
231‧‧‧FOUP
240‧‧‧運送室
241‧‧‧側壁部
242‧‧‧開口部
243‧‧‧閘門
250‧‧‧第1晶圓運送機構
251‧‧‧拾取器
260‧‧‧第2晶圓運送機構
261‧‧‧拾取器
271~274‧‧‧基板處理單元
280‧‧‧控制部
290‧‧‧傳送部
圖1係依本實施形態之基板處理系統之橫剖面圖
圖2係依本實施形態之基板處理系統之側視圖
圖3係依本實施形態之斜角處理裝置之說明圖(1)
圖4係依本實施形態之斜角處理裝置之說明圖(2)
圖5係毛刷單元之構成圖
圖6係旋轉部及真空吸盤部中之剖面圖
圖7係依本實施形態之基板定位裝置之側視圖
圖8係依本實施形態之基板定位裝置之頂視圖
圖9係依本實施形態之基板定位方法之流程圖
圖10係基準基板之說明圖
圖11係依本實施形態另一基板處理系統之構成圖
10．．．第1定位機構部
11．．．第1基準部
12．．．支持部
13．．．第1驅動部
14．．．接觸面
16．．．螺釘
20．．．第2定位機構部
21．．．第2基準部
22．．．支持部
23．．．第2驅動部
24．．．接觸部
25．．．可動部
27．．．本體部
28．．．位置感測器
30．．．基板
40．．．旋轉部
41．．．旋轉中心
42．．．旋轉傳遞部
43．．．馬達
44．．．真空吸盤部
45、46．．．閥
50．．．控制部
51．．．驅動控制部
52．．．記憶部
53．．．運算部
54．．．傳送部
60．．．外部記憶部

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，包含：基板處理部，對被處理基板供給處理流體以進行基板處理；定位機構部，接觸該被處理基板側面，決定該被處理基板之位置；定位驅動部，驅動該定位機構部；偵測部，偵測該定位機構部之位置；記憶部，用以將該定位機構部相對於成為該被處理基板之基準的基準基板之位置，作為基準位置資訊而加以記憶；或運算部，計算該基準位置資訊與藉由該偵測部所偵測之該定位機構部的位置資訊之差值，自該差值計算作為該被處理基板之直徑之資訊之實測資訊。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，包含將於該運算部計算出之該實測資訊送往該基板處理部之傳送部。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，該傳送部將該實測資訊傳送至複數該基板處理部。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中，該基板處理部包含：噴嘴，用以供給進行該被處理基板之處理用之流體；噴嘴驅動部，使該噴嘴沿該被處理基板面移動；及噴嘴驅動控制部，根據該運算部之資訊，控制該噴嘴驅動部，俾使該噴嘴移動至既定位置。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，該噴嘴對該被處理基板斜角部供給處理液，以進行斜角處理。
  6. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，該噴嘴自該被處理基板中心部朝周邊部移動，或自該基板周邊部朝中心部移動。
  7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中，包含定位驅動控制部，以控制該定位驅動部，俾根據該運算部之資訊驅動該定位驅動部，使該被處理基板移動至既定位置。
  8. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中，該基板處理部與該定位機構部設於不同單元內。
  9. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中，該基板處理部與該定位機構部設於同一單元內。
  10. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中，該定位機構部包含：第1定位機構部，包含：第1基準部，接觸該被處理基板的一側面；及第1驅動部，用以使該第1基準部移動；及第2定位機構部，包含：第2基準部，接觸該被處理基板另一側面；及第2驅動部，用以使該第2基準部移動。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，將該第1基準部形成為以2點以上接觸該被處理基板側面。
  12. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，該第2基準部包含：接觸部，以1點接觸該被處理基板側面；及彈性部，可朝該第2基準部移動之方向對該接觸部施力。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，該接觸部大致呈圓形形狀，在可以該圓形中心為軸旋轉之狀態下設置於該第2基準部。
  14. 一種基板處理方法，對被處理基板供給處理流體以進行基板處理，包含；基準基板資訊記憶程序，記憶關於基準基板之基準基板資訊；基板載置程序，在基板載置部上載置該被處理基板；偵測程序，使該被處理基板接觸定位機構部，而偵測該定位機構部之位置；及計算程序，根據作為由該偵測程序偵測之位置資訊之數值，與該基準基板資訊，而計算該被處理基板之直徑，即實測資訊。
  15. 如申請專利範圍第14項之基板處理方法，其中，包含將計算出之該被處理基板之實測資訊傳送至基板處理部之傳送程序。
  16. 如申請專利範圍第15項之基板處理方法，其中，包含基板處理程序，以根據於該傳送程序所接收之該被處理基板之實測資訊，使基板處理部內之噴嘴移動至既定位置，由該噴嘴供給處理流體，藉此進行基板處理。
  17. 如申請專利範圍第14至16項中任一項之基板處理方法，其中，該基準基板資訊記憶程序包含：基準基板載置及對正中心程序，在該基板載置部上載置該基準基板，俾該基準基板中心與該基板載置部中心一致；基準基板位置決定程序，使第1基準部與該基準基板之一側面接觸，且使第2基準部與該基準基板另一側面接觸，而決定該定位機構部之基準位置；及記憶程序，記憶該基準位置以作為該基準基板資訊。
  18. 如申請專利範圍第14至16項中任一項之基板處理方法，其中，該偵測程序使該第1基準部與該被處理基板之一側面接觸，且使該第2基準部與該被處理基板之另一側面接觸，藉由偵測部偵測該第2基準部之位置。
  19. 如申請專利範圍第14至16項中任一項之基板處理方法，其中，藉由重複進行該基板載置程序、該偵測程序、該計算程序，而定位複數之被處理基板。
  20. 一種電腦可讀取之記錄媒體，記錄有用以使電腦實行如申請專利範圍第14至18項中任一項之基板處理方法之程式。
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