JP2006216425A - 表示パネルの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 74
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 11
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 6
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 claims description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 80
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 12
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 11
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 3
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- RAPHUPWIHDYTKU-WXUKJITCSA-N 9-ethyl-3-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-(9-ethylcarbazol-3-yl)ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC(/C=C/C4=CC=C(C=C4)C4=CC=C(C=C4)/C=C/C=4C=C5C6=CC=CC=C6N(C5=CC=4)CC)=CC=C3N(CC)C2=C1 RAPHUPWIHDYTKU-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 1
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
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- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
-
- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【課題】 検査精度のばらつきを無くすと共に、検査の作業速度を向上させることで表示パネルの生産性の向上を図る。
【解決手段】 基板上の表示領域に自発光素子の配置を特定すると同時に、表示領域以外の領域に基準マークを形成する前処理工程(S1)、成膜用マスクの開口パターンを介して発光材料を成膜して、表示領域に自発光素子の構成要素を成膜すると同時に、表示領域以外に成膜毎の位置検出マークを成膜する成膜工程(S2)、基準マークに可視光を照射すると共に位置検出マークにUV光を照射し、基準マーク及び位置検出マークを撮像して得た画像データを画像処理することによって、基準マークに対する位置検出マークの位置を検出する位置検出工程(S3)、位置検出工程(S3)によって検出された基準マークに対する位置検出マークの位置に基づいて、自発光素子の配置に対する構成要素の成膜状態の良否を判定する検査工程(S4)を有する。
【選択図】図2
【解決手段】 基板上の表示領域に自発光素子の配置を特定すると同時に、表示領域以外の領域に基準マークを形成する前処理工程(S1)、成膜用マスクの開口パターンを介して発光材料を成膜して、表示領域に自発光素子の構成要素を成膜すると同時に、表示領域以外に成膜毎の位置検出マークを成膜する成膜工程(S2)、基準マークに可視光を照射すると共に位置検出マークにUV光を照射し、基準マーク及び位置検出マークを撮像して得た画像データを画像処理することによって、基準マークに対する位置検出マークの位置を検出する位置検出工程(S3)、位置検出工程(S3)によって検出された基準マークに対する位置検出マークの位置に基づいて、自発光素子の配置に対する構成要素の成膜状態の良否を判定する検査工程(S4)を有する。
【選択図】図2
Description
本発明は、表示パネルの製造方法に関するものである。
基板上に単数又は複数の自発光素子を配置した自発光型の表示パネルが薄型表示パネル(フラットディスプレイパネル)の一形態として普及しつつある。これは、バックライトを液晶層の駆動で制御する液晶表示パネルに比べて、低消費電力且つ高輝度の表示が可能であるものとして期待されている。
このような自発光型の表示パネルの製造方法としては、基板上の表示領域に自発光素子の配置を特定する前処理工程、特定された配置に応じて自発光素子の構成要素のパターンを成膜する成膜工程を有する。自発光素子として、一対の電極間に有機層を挟持して構成される有機EL素子を採用する場合を例にすると、前処理工程では、基板上に第1の電極をパターニングし、その第1の電極上の発光領域を区画するように絶縁膜をパターニングすることで、区画された発光領域の位置に有機EL素子の配置が特定される。そして、成膜工程では、前処理工程を経た基板に対して、有機EL素子の配置(発光領域)に応じた開口パターンを有する成膜用マスクを設置し、この成膜用マスクを介して有機層の成膜がなされる。この際、多色表示を行うものでは、異なる発光色の有機EL素子を形成するために、異なる発光色を呈する発光(蛍光又はりん光)材料を各色有機EL素子の配置に応じて塗り分ける成膜がなされる。
また、有機EL素子における発光性能の向上や発光色の多色化に対応するために、一対の電極間の有機層や電極層を多層化する場合があり、このような場合には、前述した成膜用マスクを用いて、発光領域に対応した成膜領域を複数層積層させる成膜がなされる。このとき、発光材料は単一のものにより単一層を成膜しても、他の成膜材料を組み合わせて単一層を形成してもよい。また、発光材料は、発光層を形成するだけではなく、キャリア輸送層等を形成しても良い。
例えば、下記特許文献1には、図1(a)に示すような有機ELパネルが記載されている。すなわち、基板1の一面には、ITO等の透明導電材料から成る第1電極2が形成され、この第1電極2間の基板1上には、ポリイミド等から成る絶縁膜3が、第1電極2の周辺を若干覆うように形成されて、第1電極2上に発光領域45R,45G,45Bを区画する開口を形成している。そして、複数の第1電極2間を跨って、正孔注入層40及び正孔輸送層41が形成され、また、色毎の領域60R,60G,60Bが選択されて、それぞれの領域に、発光層42R,42G,42B、電子輸送層43R,43G,43B、電子注入層44R,44G,44Bが形成され、更にその上に第2電極50が形成されている。
このような有機ELパネルにおいては、前述した有機層の中で、発光層42R,42G,42B、電子輸送層43R,43G,43B、電子注入層44R,44G,44Bが発光領域に対応した成膜領域を形成しており、これらの層が発光領域45R,45G,45B上に積層されている。
前述した従来技術において、一つの発光領域に着目すると、発光層と電子輸送層と電子注入層は単一の成膜用マスクの同一開口部パターンによって成膜されるので、3つの層の成膜領域が全て重なった状態で重なりずれが無く成膜されることが好ましい。しかしながら、各層の成膜毎に成膜用マスクと基板との位置決めが行われるので、位置決めの不具合などによって、特定の層の成膜領域が大きくずれて成膜不良になることが希に生じる。
一般に、成膜用マスクを用いた成膜領域の形成では各種の成膜誤差が予測されるので、発光領域の縦横幅に比べて成膜領域の縦横幅が若干大きくなるように成膜用マスクの開口部パターンが設定されているが、図1(b)に示すように、積層された層a〜cの中で特定の層bの成膜領域が大きくずれて、発光領域S上から外れるような状態になると、その発光領域Sからの発光状態に支障が出るので、このような状態の形成品を成膜不良と判定して排除することが行われている。
このような成膜不良の判定は、通常、顕微鏡等による目視検査によって行われているが、図1(b)のような状態が観察された場合に、この状態が成膜不良であることは判定できるが、積層された層の中で何れの層が大きくずれた不良の層であるかを見極めることは至難の業である。しかしながら、表示パネルの製造工程では、一つの形成品で成膜不良が生じると以後の製造工程で他の形成品にも同様の不良が生じることが懸念されるので、成膜不良が生じた層を特定して、その層の成膜工程を見直すことは、形成品の歩留まりを向上させる上で極めて重要なことである。
また、色毎の塗り分けを考えた場合にも、特定の色の成膜領域が図1(b)に示すように成膜不良を起こしている場合があるが、顕微鏡等の目視検査では、成膜状態の観察からRGBのどの色の成膜かを識別することは困難であり、どの色の自発光素子を成膜する際に不良が生じたかを把握することが難しかった。
更には、目視による検査では、検査する人の技量に応じて検査精度にばらつきが生じる問題があると共に、検査の作業速度を向上させるのにも限界があり、表示パネルの製造工程において、検査工程が生産性の向上を妨げる大きな要因になっていた。
本発明は、このような事情に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、基板上の表示領域に自発光素子を形成する表示パネルの製造方法において、自発光素子の特定された配置に対して積層された複数の層の成膜領域が成膜不良であるか否かを判定する際に、積層された層の中でどの層が不良になっているかを判断できるようにすること、また、自発光素子の特定された配置に対して、色毎に塗り分けられた層の成膜領域が成膜不良であるか否かを判定する際に、色毎に塗り分けられた層の中でどの色の層が不良になっているかを判断できるようにすること、また、検査精度のばらつきを無くすと共に、検査の作業速度を向上させることで表示パネルの生産性の向上を図ること等が、本発明の目的である。
このような目的を達成するために、本発明による表示パネルの製造方法は、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。
[請求項1]基板上の表示領域に自発光素子を形成する表示パネルの製造方法において、前記基板上の表示領域に前記自発光素子の配置を特定すると同時に、前記表示領域以外の領域に前記配置との位置関係が特定された基準マークを形成する前処理工程と、成膜用マスクの開口パターンを介して発光材料を成膜して、前記表示領域に前記自発光素子の構成要素を成膜すると同時に、前記表示領域以外に成膜毎の位置検出マークを成膜する成膜工程と、前記基準マークに可視光を照射すると共に前記位置検出マークにUV光を照射し、前記基準マーク及び前記位置検出マークを撮像して得た画像データを画像処理することによって、前記基準マークに対する前記位置検出マークの位置を検出する位置検出工程と、前記位置検出工程によって検出された前記基準マークに対する前記位置検出マークの位置に基づいて、前記自発光素子の配置に対する前記構成要素の成膜状態の良否を判定する検査工程とを有することを特徴とする表示パネルの製造方法。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
図2は本発明の実施形態に係る表示パネルの製造方法を説明する説明図である。この製造方法は、基板上の表示領域に自発光素子を形成する表示パネルの製造方法において、前処理工程S1、成膜工程S2、位置検出工程S3、検査工程S4を少なくとも有する。有機EL素子など自発光素子を外気から遮断する必要があるものでは、成膜工程S2又は検査工程S4の後に封止工程を有する。
ここで、前処理工程S1では、図3(a)に示すように、表示パネルの基板101上に自発光素子の構成要素である電極や絶縁膜のパターンを形成することで、基板上の表示領域Mに自発光素子の配置を特定する。図3(b)は表示領域M内の任意の点Aの拡大図であるが、自発光素子の配置は、例えば、基板101上にパターニングされる第1電極102上の開口を絶縁膜103で区画して形成した発光領域Sによって特定することができる。
また、それと同時に、基板101上の表示領域M以外の領域に自発光素子の配置との位置関係が特定された基準マーク110を形成する(図2;S01)。基準マーク110は、フォトリソグラフィ工程などによって第1電極102や絶縁膜103のパターニングと同時にこれらの構成部材と同材料で形成することができる。
その後の成膜工程S2では、前処理工程S1を経た基板101に図4(a)に示すような成膜用マスク120を位置決めして、成膜用マスク120の開口パターン121を介して発光材料を含む成膜材料を成膜し、表示領域Mに自発光素子の構成要素を成膜する。この際の成膜用マスク120の開口パターン121は、例えば、発光領域Sの配列に合わせたストライプ状又は千鳥状(分散状)の開口パターンである。
また、成膜用マスク120には、基板101上の表示領域Mとは外れた位置に対応して位置検出マークの開口パターン122が形成されている。したがって、この成膜用マスク120による成膜では、図4(b)に示すように、前述した自発光素子の構成要素の成膜と同時に、開口パターン121を介して発光材料を含む成膜材料を成膜して、表示領域M以外に成膜毎の位置検出マーク111を成膜する(図2;S02)。これによって、成膜工程S2を経た基板101上には、撮像領域H内に基準マーク110と成膜毎の位置検出マーク111が形成されることになる。
そして、位置検出工程S3では、図5に示すように、可視光LBを基準マーク110に照射すると共に、UV光LUV(紫外線)を位置検出マーク111に照射するように照明光を設定し、撮像領域H内の基準マーク110と位置検出マーク111をカメラ130で撮像し、これによって得た基準マーク110と位置検出マーク111の画像データを画像処理装置131に送る。画像処理装置131では、前述の画像データを画像処理することによって、基準マーク110に対する位置検出マーク111の位置を検出する(図2;S03)。
ここで、UV光LUVを照射された位置検出マーク111は発光材料が励起して発光を呈するので、その位置をカメラ130で撮像することができるようになる。また、照明光がUV光LUVのみの場合には、発光材料を含まない基準マーク110はカメラ130で位置を認識することができないが、可視光LBを別途照射することでカメラ130での認識が可能になる。この際、発光材料を含む位置検出マーク111は、複数の成膜に対応して異なる発光を呈するように発光材料を設定することができ、UV光LUV照射時の発光色によって成膜毎の位置検出マーク111を識別することができる。
なお、図5に示した実施形態では、可視光LBとUV光LUVを光学系132A,132Bによって合成して撮像領域Hに照射範囲規制手段133を介して照射する例を示しているが、これに限らず、例えば可視光LBとUV光LUVを別の光路で撮像領域に照射するものでもよく、要するに、可視光LBを基準マーク110に照射して、UV光LUVを位置検出マーク111に照射していれば、どのような設定であってもよい。また、カメラ130を2つ用いて2箇所の撮像領域Hを撮像しているが、カメラ130は一つであっても3つ以上であっても良く、また、撮像領域Hも一箇所であっても、3箇所以上であってもよい。撮像領域Hを複数箇所に設けることで、後述する検査工程S4での判定精度を高めることができる。
照射範囲規制手段133はUV光LUVの照射範囲を規制するためのものであり、これによってUV光LUVが表示領域Mに入らないようにしている。UV光LUVが自発光素子の構成要素(発光層等)に照射されるとその機能が劣化するので、照射範囲規制手段133を設けることによってこれを防止している。
画像処理装置131における画像処理の例を挙げると、先ず、基準マーク110を基準にしてXY座標を設定する。この際に基準マーク110が2つ有る場合には、各々の中心位置を結ぶ直線軸をX軸に設定して、それと直交する直線軸をY軸に設定することができるが、基準マーク110が一つの場合には、その基準マーク110の形状の方向性を利用してX軸を設定し、それと直交する方向にY軸を設定すればよい。そして、設定されたXY座標によって位置検出マーク111の座標位置を検出することで、基準マーク110に対する位置検出マーク111の位置を検出することができる。
検査工程S4では、前述した位置検出工程S3によって検出された基準マーク110に対する位置検出マーク111の位置に基づいて、自発光素子の配置(発光領域Sの位置)に対して適正な位置に自発光素子の構成要素が成膜されているか否で、その構成要素の成膜状態の良否を判定する。
このような実施形態に係る表示パネルの製造方法によると、画像処理によって自発光素子の構成要素の成膜状態を把握することができるので、成膜状態の良否判定を高精度且つ即座に行うことができ、表示パネルの生産性を向上させることができる。
そして、自発光素子の特定された配置(発光領域Sの位置)に対して積層された複数の層の各成膜領域の良否を判定する場合には、各成膜時の発光材料を異ならせることで成膜毎に形成される位置検出マーク111がカメラ130によって異なる色で認識できるようになるので、この色の違いを利用して、積層された層の中でどの層が不良になっているかを画像処理によって判断することができる。この際の各成膜は、発光層の成膜に限らず、UV光の照射によって励起して発色する材料を含む他の機能層の成膜を含むものである。
また、自発光素子の特定された配置(発光領域Sの位置)に対して、色毎に塗り分けられた層の成膜領域の良否を判定する場合には、成膜工程S2では、自発光素子の発光色に応じた異なる色の複数の位置検出マーク111を成膜し、成膜検査工程S3では、各位置検出マーク111の位置に基づいて、自発光素子における各発光色の構成要素について成膜状態の良否判定がなされる。この場合には、当然ながら塗り分け時の成膜によって形成される各位置検出マーク111はカメラ130によって異なる色で認識されることになるので、この色の違いを利用して、塗り分けられた成膜領域の中でどの色の成膜領域が不良になっているかを画像処理によって判断することができる。
図6は、本発明の実施形態に係る製造方法の更に具体例をする説明図である。この具体例によると、基板101に成膜した位置検出マーク111上に反射膜112を成膜しており、基板101を介してUV光LUVを位置検出マーク111に照射するようにしている。これによると、UV光LUVが照射された位置検出マーク111内の発光材料の発光が反射膜112に反射されて基板101を介して出射するので、これをカメラ130で撮像することで良好な位置検出マークの画像を得ることができる。この際に、基準マーク110には基板101を介して可視光LBが照射され、その反射光が基板101を介して出射するので、これをカメラ130で撮像する。
位置検出マーク111上に成膜される反射膜112は、自発光素子の金属電極成膜時に同時に同材料を成膜することで形成することができる。これによると、特に工程を追加することなく、良好な位置検出マーク111の画像を得ることができる。
以下、自発光素子として有機EL素子を採用する場合を例にして、本発明の実施形態に係る表示パネルの製造方法の具体例を説明する。
一般に、有機EL素子は、アノード(陽極、正孔注入電極)とカソード(陰極、電子注入電極)との間に有機層を挟み込んだ構造を有しており、両電極間に電圧を印加することにより、アノードから有機層内に注入・輸送された正孔とカソードから有機層内に注入・輸送された電子が再結合して発光が得られるものである。
アノードとカソードからなる一対の電極間には有機層を含む各種の機能層が積層された層構造が形成される。この層構造は、正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層からなるものが一般的であるが、発光層を除く各種の層は必要に応じて省略可能であり、また、各層は単一の材料で形成しても、複数の材料を混ぜ合わせた混合層にしてもよく、高分子バインダの中に各種機能材料を分散させたものであってもよい。各層を単層で形成しても多層で形成してもよい。更に、前述した層構造の最上部には、その上にスパッタ法で電極を形成する際に有機層がダメージを受けないようにするためにバッファ機能を有する層を設けることがあり、また、各層の成膜によって形成される表面の凹凸を平坦化するための層を設けることもある。
基板上に形成される有機EL素子は、基板側の電極を透明電極にして基板側から光を取り出すボトムエミッション方式、前述した層構造上の電極を透明電極にして基板と逆側から光を取り出すボトムエミッション方式の何れでもよい。また、表示領域における有機EL素子の配置は、ドットマトリクス状に複数配置したものであっても、所定の大きさの発光領域を単数又は複数有するものであってもよい。表示領域における有機EL素子の駆動方式は、パッシブ駆動方式、アクティブ駆動方式の何れでもよく、特に限定されるものではない。更に、有機EL素子単体の構造としては、有機EL素子を複数積層させたもの(SOLED;Stacked OLED)や、カソードとアノードとの間に電荷発生層を介在させたもの(マルチフォトン素子)を採用することもでき、これも特に限定されるものではない。
具体的な製造方法の例を示すと、以下のとおりである。
前処理工程(S1;図7参照);
図7(a)に示すように、上面に透明導電膜102A(ITO,IZO等)と金属導電膜104A(Cr,Al,Ag等)とを積層した基板101(ガラス,プラスチック等)を準備する(一例としては、基板101をガラス基板として、透明導電膜102AとしてITO、金属導電膜104AとしてCr膜を採用する)。特に、アルカリ成分を有するガラス基板を用いる場合には、含有されている不純元素(アルカリ金属;Ca,Na等)が表面に浸透しないように、基板101の表面にバリア層101A(SiO2,TiO2等)を成膜したものを用いる。
図7(a)に示すように、上面に透明導電膜102A(ITO,IZO等)と金属導電膜104A(Cr,Al,Ag等)とを積層した基板101(ガラス,プラスチック等)を準備する(一例としては、基板101をガラス基板として、透明導電膜102AとしてITO、金属導電膜104AとしてCr膜を採用する)。特に、アルカリ成分を有するガラス基板を用いる場合には、含有されている不純元素(アルカリ金属;Ca,Na等)が表面に浸透しないように、基板101の表面にバリア層101A(SiO2,TiO2等)を成膜したものを用いる。
次いで、図7(b1),(b2)に示すように(図7(b2)は図7(b1)のA−A断面図)、バリア層101A,透明導電膜102A,金属導電膜104Aを有する基板101に対して、金属導電膜104をフォトリソグラフィ法によってパターニングし、第1電極又は第2電極に繋がる引出電極104を形成する。図では、多面取り基板(マスター基板)の例を示しており、図7(b1),(b2)においては、引出電極104以外の基板104の表面は透明導電膜102Aが露出した状態になっている。
次に、基板101上に露出している透明導電膜102Aをフォトリソグラフィ法によってパターニングして第1電極(陽極)102を形成する。この際に、引出電極104の形成部分は引出電極104の形態に合わせてパターニングされ、透明導電膜102A上に金属導電膜104Aが積層した引出電極104が形成されることになる。そして、この際のパターニング時に、透明導電膜102Aからなる基準マーク110が形成される。この基準マーク110は表示領域Mの外に形成されており、2つ以上のマークにするか、或いは方向性を有するマーク形状にして、この基準マーク110を基にしてXY座標が設定できるようにする。
その後は、第1電極102上に発光領域の開口が区画されるように、感光性ポリイミド等の絶縁膜をフォトリソグラフィ法によってパターニング形成して、基板101上における有機EL素子の配置を特定する。また、必要に応じて第2電極を区画するための隔壁を形成してもよい。その後、必要に応じて、基板101表面の有機物や水分を取り除くためにUV洗浄工程が施される。
成膜工程(S2);
前処理工程S1を経た基板101を蒸着装置内に搬送して、基板101上に図4(a)に示した成膜用マスク120を設置することで、基板101上に成膜用マスク120を介して有機層及び第2電極のパターンを成膜する。この際の成膜時に、図4(b)に示すような位置検出マーク111のパターンを成膜する。
前処理工程S1を経た基板101を蒸着装置内に搬送して、基板101上に図4(a)に示した成膜用マスク120を設置することで、基板101上に成膜用マスク120を介して有機層及び第2電極のパターンを成膜する。この際の成膜時に、図4(b)に示すような位置検出マーク111のパターンを成膜する。
有機層及び第2電極の成膜に関する例を示すと、例えば、正孔注入層となるCuPc等を蒸着にて50nm積層し、次いで、正孔輸送層として4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(NPD)等を50nm積層する。そして、その上に成膜用マスク120(図4(a)参照)を用いてRGB各発光層を各成膜領域に塗り分けて成膜する。
具体的には、B発光層の成膜パターンとB発光層の成膜ずれを検出するための第1の位置検出マークを有する成膜用マスク120を基板101上に設置し、B発光層として4,4’−ビス(2,2−ジフェニルビニル)−ビフェニル(DPVBi)のホスト材に1重量%ドーパントとして4,4’−ビス(2−カルバゾールビニレン)ビフェニル(BCzVBi)を50nm共蒸着する。これによって、成膜領域にB発光層の成膜パターンが形成され、成膜領域(表示領域)以外の領域にB発光層材料による第1の位置検出マークが形成されることになる。この際、第1の位置検出マークの形状或いは数はどのようなものであってもよい。
次いで、G発光層の成膜パターンとG発光層の成膜ずれを検出するための第2の位置検出マークを有する成膜用マスク120を基板101上に設置し、G発光層としてクマリン6を50nm蒸着する。これによって、成膜領域にG発光層の成膜パターンが形成され、成膜領域(表示領域)以外の領域にG発光層材料による第2の位置検出マークが形成されることになる。この際、第2の位置検出マークの形状或いは数はどのようなものであってもよい。
更には、R発光層の成膜パターンとR発光層の成膜ずれを検出するための第3の位置検出マークを有する成膜用マスク120を基板101上に設置し、R発光層としてトリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq3)のホスト材に1重量%ドーパントとして4−ジシアノメチル−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチルリン)−4H−ピラン(DCM)を50nm共蒸着する。これによって、成膜領域にR発光層の成膜パターンが形成され、成膜領域(表示領域)以外の領域にR発光層材料による第3の位置検出マークが形成されることになる。この際、第3の位置検出マークの形状或いは数はどのようなものであってもよい。
その後には、電子輸送層としてAlq3を20nm蒸着し、更に、第2電極(陰極)としてアルミニウム(Al)を150nm蒸着する。
位置検出工程(S3)及び検査工程(S4);
前述した成膜工程後に、図5に示したカメラ130(CCDカメラ等)を用いて基準マーク110及び第1〜第3の位置検出マーク111を撮像し、これによって得た画像データを画像処理装置131で画像処理する。この際の撮像では、基準マーク110にはハロゲン光源やLED光源等による可視光が照射され、各位置検出マーク111にはUV光源によるUV光が照射される。UV光の照射に際しては、UV光が表示領域内の有機EL素子に照射されないように照射範囲規制手段133を設けることが好ましい。
前述した成膜工程後に、図5に示したカメラ130(CCDカメラ等)を用いて基準マーク110及び第1〜第3の位置検出マーク111を撮像し、これによって得た画像データを画像処理装置131で画像処理する。この際の撮像では、基準マーク110にはハロゲン光源やLED光源等による可視光が照射され、各位置検出マーク111にはUV光源によるUV光が照射される。UV光の照射に際しては、UV光が表示領域内の有機EL素子に照射されないように照射範囲規制手段133を設けることが好ましい。
画像処理装置131においては、画像データに基づき、基準マーク110の位置及び方向性を基準にしてXY座標を設定し、このXY座標を用いて、画像上異なる色で識別できる第1の位置検出マーク,第2の位置検出マーク,第3の位置検出マークのそれぞれの座標位置を算出する。そして、このそれぞれの座標位置と目標とする座標位置とを比較することで、成膜位置のずれがないかを判定し、成膜工程後の検査を行う。
この検査工程に際しては、算出された座標位置と目標とする座標位置との比較を演算処理によって求めることで、高速且つ客観的な検査を行うことが可能になると共に、製品の仕様に基づいた品質管理を自動で行うことが可能になる。
封止工程;
その後は、成膜工程後の真空雰囲気下からN2の不活性ガス雰囲気下の封止室に基板101を搬入する。一方、ブラスト処理で表面に凹部を設け、凹部内に乾燥手段(SrO,CaO等)を装着したガラス封止基板を封止室内に搬入する。そして、ガラス封止基板上の所定の位置に、ディスペンサ等を用いて、1〜300μmの粒径を有するスペーサ(ガラスやプラスチック製のものが好ましい)を適量混合(0.1〜0.5重量%ほど)した紫外線硬化型エポキシ樹脂製の接着剤を塗布し、このガラス封止基板と基板101とを前述した接着剤を介して貼り合わせ、紫外線を基板101側又はガラス封止基板側から接着剤に照射してこれを硬化させる。これによって、基板101とガラス封止基板間の封止空間内に表示領域が収められ、表示領域を構成する有機EL素子を外気から遮断することができる。
その後は、成膜工程後の真空雰囲気下からN2の不活性ガス雰囲気下の封止室に基板101を搬入する。一方、ブラスト処理で表面に凹部を設け、凹部内に乾燥手段(SrO,CaO等)を装着したガラス封止基板を封止室内に搬入する。そして、ガラス封止基板上の所定の位置に、ディスペンサ等を用いて、1〜300μmの粒径を有するスペーサ(ガラスやプラスチック製のものが好ましい)を適量混合(0.1〜0.5重量%ほど)した紫外線硬化型エポキシ樹脂製の接着剤を塗布し、このガラス封止基板と基板101とを前述した接着剤を介して貼り合わせ、紫外線を基板101側又はガラス封止基板側から接着剤に照射してこれを硬化させる。これによって、基板101とガラス封止基板間の封止空間内に表示領域が収められ、表示領域を構成する有機EL素子を外気から遮断することができる。
以上説明したように、本発明の実施形態によると、基板101上の表示領域Mに自発光素子を形成する表示パネルの製造方法において、自発光素子の特定された配置に対して積層された複数の層の成膜領域が成膜不良であるか否かを画像処理によって判定することができ、更に積層された層の中でどの層が不良になっているかを即座に判断することができる。また、自発光素子の特定された配置に対して、色毎に塗り分けられた層の成膜領域が成膜不良であるか否かを同様に画像処理によって判定することができ、色毎に塗り分けられた層の中でどの色の層が不良になっているかを即座に判断することができる。これによって、検査精度のばらつきを無くすと共に、検査の作業速度を向上させることで表示パネルの生産性の向上を図ることができる。
101 基板
102 第1電極
103 絶縁膜
104 引出電極
110 基準マーク
111 位置検出マーク
112 反射膜
120 成膜用マスク
121,122 開口パターン
130 カメラ
131 画像処理装置
132A,132B 光学系
M 表示領域
H 撮像領域
LB 可視光
LUV UV光
102 第1電極
103 絶縁膜
104 引出電極
110 基準マーク
111 位置検出マーク
112 反射膜
120 成膜用マスク
121,122 開口パターン
130 カメラ
131 画像処理装置
132A,132B 光学系
M 表示領域
H 撮像領域
LB 可視光
LUV UV光
Claims (7)
- 基板上の表示領域に自発光素子を形成する表示パネルの製造方法において、
前記基板上の表示領域に前記自発光素子の配置を特定すると同時に、前記表示領域以外の領域に前記配置との位置関係が特定された基準マークを形成する前処理工程と、
成膜用マスクの開口パターンを介して発光材料を成膜して、前記表示領域に前記自発光素子の構成要素を成膜すると同時に、前記表示領域以外に成膜毎の位置検出マークを成膜する成膜工程と、
前記基準マークに可視光を照射すると共に前記位置検出マークにUV光を照射し、前記基準マーク及び前記位置検出マークを撮像して得た画像データを画像処理することによって、前記基準マークに対する前記位置検出マークの位置を検出する位置検出工程と、
前記位置検出工程によって検出された前記基準マークに対する前記位置検出マークの位置に基づいて、前記自発光素子の配置に対する前記構成要素の成膜状態の良否を判定する検査工程とを有することを特徴とする表示パネルの製造方法。 - 前記位置検出工程は、前記基準マークを基準にするXY座標を設定し、該XY座標によって前記位置検出マークの座標位置を検出することを特徴とする請求項1に記載された表示パネルの製造方法。
- 前記成膜工程は、前記自発光素子の発光色に応じた異なる色の複数の位置検出マークを成膜し、
前記検査工程は、各位置検出マークの位置に基づいて、各発光色の前記構成要素について成膜状態の良否を判定することを特徴とする請求項1又は2に記載された表示パネルの製造方法。 - 前記位置検出マークの上に反射膜を成膜し、前記基板を介して前記UV光を前記位置検出マークに照射することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載された表示パネルの製造方法。
- 前記反射膜は前記自発光素子の電極材料によって形成され、前記自発光素子の電極成膜時に成膜されることを特徴とする請求項4に記載された表示パネルの製造方法。
- 前記UV光の照射範囲を規制する照射範囲規制手段を備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載された表示パネルの製造方法。
- 前記自発光素子は、有機EL素子であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載された表示パネルの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005028603A JP2006216425A (ja) | 2005-02-04 | 2005-02-04 | 表示パネルの製造方法 |
CNA2005101350713A CN1815687A (zh) | 2005-02-04 | 2005-12-23 | 显示面板的制造方法 |
KR1020060003357A KR20060089625A (ko) | 2005-02-04 | 2006-01-12 | 표시 패널의 제조 방법 |
TW095101506A TW200629973A (en) | 2005-02-04 | 2006-01-13 | Display panel manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005028603A JP2006216425A (ja) | 2005-02-04 | 2005-02-04 | 表示パネルの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006216425A true JP2006216425A (ja) | 2006-08-17 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005028603A Pending JP2006216425A (ja) | 2005-02-04 | 2005-02-04 | 表示パネルの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006216425A (ja) |
KR (1) | KR20060089625A (ja) |
CN (1) | CN1815687A (ja) |
TW (1) | TW200629973A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012173075A1 (ja) * | 2011-06-17 | 2012-12-20 | シャープ株式会社 | 成膜基板の成膜位置検査方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101893309B1 (ko) * | 2017-10-31 | 2018-08-29 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 얼라인먼트 장치, 얼라인먼트 방법, 성막장치, 성막방법, 및 전자 디스바이스 제조방법 |
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JP6662841B2 (ja) * | 2017-12-21 | 2020-03-11 | 株式会社アルバック | 蒸着装置 |
JP2021175824A (ja) * | 2020-03-13 | 2021-11-04 | 大日本印刷株式会社 | 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法 |
-
2005
- 2005-02-04 JP JP2005028603A patent/JP2006216425A/ja active Pending
- 2005-12-23 CN CNA2005101350713A patent/CN1815687A/zh active Pending
-
2006
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---|---|---|---|---|
WO2012173075A1 (ja) * | 2011-06-17 | 2012-12-20 | シャープ株式会社 | 成膜基板の成膜位置検査方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1815687A (zh) | 2006-08-09 |
KR20060089625A (ko) | 2006-08-09 |
TW200629973A (en) | 2006-08-16 |
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