JP2006216425A - 表示パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 検査精度のばらつきを無くすと共に、検査の作業速度を向上させることで表示パネルの生産性の向上を図る。
【解決手段】 基板上の表示領域に自発光素子の配置を特定すると同時に、表示領域以外の領域に基準マークを形成する前処理工程（Ｓ１）、成膜用マスクの開口パターンを介して発光材料を成膜して、表示領域に自発光素子の構成要素を成膜すると同時に、表示領域以外に成膜毎の位置検出マークを成膜する成膜工程（Ｓ２）、基準マークに可視光を照射すると共に位置検出マークにＵＶ光を照射し、基準マーク及び位置検出マークを撮像して得た画像データを画像処理することによって、基準マークに対する位置検出マークの位置を検出する位置検出工程（Ｓ３）、位置検出工程（Ｓ３）によって検出された基準マークに対する位置検出マークの位置に基づいて、自発光素子の配置に対する構成要素の成膜状態の良否を判定する検査工程（Ｓ４）を有する。
【選択図】図２

Description

本発明は、表示パネルの製造方法に関するものである。

基板上に単数又は複数の自発光素子を配置した自発光型の表示パネルが薄型表示パネル（フラットディスプレイパネル）の一形態として普及しつつある。これは、バックライトを液晶層の駆動で制御する液晶表示パネルに比べて、低消費電力且つ高輝度の表示が可能であるものとして期待されている。

このような自発光型の表示パネルの製造方法としては、基板上の表示領域に自発光素子の配置を特定する前処理工程、特定された配置に応じて自発光素子の構成要素のパターンを成膜する成膜工程を有する。自発光素子として、一対の電極間に有機層を挟持して構成される有機ＥＬ素子を採用する場合を例にすると、前処理工程では、基板上に第１の電極をパターニングし、その第１の電極上の発光領域を区画するように絶縁膜をパターニングすることで、区画された発光領域の位置に有機ＥＬ素子の配置が特定される。そして、成膜工程では、前処理工程を経た基板に対して、有機ＥＬ素子の配置（発光領域）に応じた開口パターンを有する成膜用マスクを設置し、この成膜用マスクを介して有機層の成膜がなされる。この際、多色表示を行うものでは、異なる発光色の有機ＥＬ素子を形成するために、異なる発光色を呈する発光（蛍光又はりん光）材料を各色有機ＥＬ素子の配置に応じて塗り分ける成膜がなされる。

また、有機ＥＬ素子における発光性能の向上や発光色の多色化に対応するために、一対の電極間の有機層や電極層を多層化する場合があり、このような場合には、前述した成膜用マスクを用いて、発光領域に対応した成膜領域を複数層積層させる成膜がなされる。このとき、発光材料は単一のものにより単一層を成膜しても、他の成膜材料を組み合わせて単一層を形成してもよい。また、発光材料は、発光層を形成するだけではなく、キャリア輸送層等を形成しても良い。

例えば、下記特許文献１には、図１（ａ）に示すような有機ＥＬパネルが記載されている。すなわち、基板１の一面には、ＩＴＯ等の透明導電材料から成る第１電極２が形成され、この第１電極２間の基板１上には、ポリイミド等から成る絶縁膜３が、第１電極２の周辺を若干覆うように形成されて、第１電極２上に発光領域４５Ｒ，４５Ｇ，４５Ｂを区画する開口を形成している。そして、複数の第１電極２間を跨って、正孔注入層４０及び正孔輸送層４１が形成され、また、色毎の領域６０Ｒ，６０Ｇ，６０Ｂが選択されて、それぞれの領域に、発光層４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂ、電子輸送層４３Ｒ，４３Ｇ，４３Ｂ、電子注入層４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂが形成され、更にその上に第２電極５０が形成されている。

このような有機ＥＬパネルにおいては、前述した有機層の中で、発光層４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂ、電子輸送層４３Ｒ，４３Ｇ，４３Ｂ、電子注入層４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂが発光領域に対応した成膜領域を形成しており、これらの層が発光領域４５Ｒ，４５Ｇ，４５Ｂ上に積層されている。

特開２００２−３６７７８７号公報

前述した従来技術において、一つの発光領域に着目すると、発光層と電子輸送層と電子注入層は単一の成膜用マスクの同一開口部パターンによって成膜されるので、３つの層の成膜領域が全て重なった状態で重なりずれが無く成膜されることが好ましい。しかしながら、各層の成膜毎に成膜用マスクと基板との位置決めが行われるので、位置決めの不具合などによって、特定の層の成膜領域が大きくずれて成膜不良になることが希に生じる。

一般に、成膜用マスクを用いた成膜領域の形成では各種の成膜誤差が予測されるので、発光領域の縦横幅に比べて成膜領域の縦横幅が若干大きくなるように成膜用マスクの開口部パターンが設定されているが、図１（ｂ）に示すように、積層された層ａ〜ｃの中で特定の層ｂの成膜領域が大きくずれて、発光領域Ｓ上から外れるような状態になると、その発光領域Ｓからの発光状態に支障が出るので、このような状態の形成品を成膜不良と判定して排除することが行われている。

このような成膜不良の判定は、通常、顕微鏡等による目視検査によって行われているが、図１（ｂ）のような状態が観察された場合に、この状態が成膜不良であることは判定できるが、積層された層の中で何れの層が大きくずれた不良の層であるかを見極めることは至難の業である。しかしながら、表示パネルの製造工程では、一つの形成品で成膜不良が生じると以後の製造工程で他の形成品にも同様の不良が生じることが懸念されるので、成膜不良が生じた層を特定して、その層の成膜工程を見直すことは、形成品の歩留まりを向上させる上で極めて重要なことである。

また、色毎の塗り分けを考えた場合にも、特定の色の成膜領域が図１（ｂ）に示すように成膜不良を起こしている場合があるが、顕微鏡等の目視検査では、成膜状態の観察からＲＧＢのどの色の成膜かを識別することは困難であり、どの色の自発光素子を成膜する際に不良が生じたかを把握することが難しかった。

更には、目視による検査では、検査する人の技量に応じて検査精度にばらつきが生じる問題があると共に、検査の作業速度を向上させるのにも限界があり、表示パネルの製造工程において、検査工程が生産性の向上を妨げる大きな要因になっていた。

本発明は、このような事情に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、基板上の表示領域に自発光素子を形成する表示パネルの製造方法において、自発光素子の特定された配置に対して積層された複数の層の成膜領域が成膜不良であるか否かを判定する際に、積層された層の中でどの層が不良になっているかを判断できるようにすること、また、自発光素子の特定された配置に対して、色毎に塗り分けられた層の成膜領域が成膜不良であるか否かを判定する際に、色毎に塗り分けられた層の中でどの色の層が不良になっているかを判断できるようにすること、また、検査精度のばらつきを無くすと共に、検査の作業速度を向上させることで表示パネルの生産性の向上を図ること等が、本発明の目的である。

このような目的を達成するために、本発明による表示パネルの製造方法は、以下の各独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。

［請求項１］基板上の表示領域に自発光素子を形成する表示パネルの製造方法において、前記基板上の表示領域に前記自発光素子の配置を特定すると同時に、前記表示領域以外の領域に前記配置との位置関係が特定された基準マークを形成する前処理工程と、成膜用マスクの開口パターンを介して発光材料を成膜して、前記表示領域に前記自発光素子の構成要素を成膜すると同時に、前記表示領域以外に成膜毎の位置検出マークを成膜する成膜工程と、前記基準マークに可視光を照射すると共に前記位置検出マークにＵＶ光を照射し、前記基準マーク及び前記位置検出マークを撮像して得た画像データを画像処理することによって、前記基準マークに対する前記位置検出マークの位置を検出する位置検出工程と、前記位置検出工程によって検出された前記基準マークに対する前記位置検出マークの位置に基づいて、前記自発光素子の配置に対する前記構成要素の成膜状態の良否を判定する検査工程とを有することを特徴とする表示パネルの製造方法。

以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。

図２は本発明の実施形態に係る表示パネルの製造方法を説明する説明図である。この製造方法は、基板上の表示領域に自発光素子を形成する表示パネルの製造方法において、前処理工程Ｓ１、成膜工程Ｓ２、位置検出工程Ｓ３、検査工程Ｓ４を少なくとも有する。有機ＥＬ素子など自発光素子を外気から遮断する必要があるものでは、成膜工程Ｓ２又は検査工程Ｓ４の後に封止工程を有する。

ここで、前処理工程Ｓ１では、図３（ａ）に示すように、表示パネルの基板１０１上に自発光素子の構成要素である電極や絶縁膜のパターンを形成することで、基板上の表示領域Ｍに自発光素子の配置を特定する。図３（ｂ）は表示領域Ｍ内の任意の点Ａの拡大図であるが、自発光素子の配置は、例えば、基板１０１上にパターニングされる第１電極１０２上の開口を絶縁膜１０３で区画して形成した発光領域Ｓによって特定することができる。

また、それと同時に、基板１０１上の表示領域Ｍ以外の領域に自発光素子の配置との位置関係が特定された基準マーク１１０を形成する（図２；Ｓ０１）。基準マーク１１０は、フォトリソグラフィ工程などによって第１電極１０２や絶縁膜１０３のパターニングと同時にこれらの構成部材と同材料で形成することができる。

その後の成膜工程Ｓ２では、前処理工程Ｓ１を経た基板１０１に図４（ａ）に示すような成膜用マスク１２０を位置決めして、成膜用マスク１２０の開口パターン１２１を介して発光材料を含む成膜材料を成膜し、表示領域Ｍに自発光素子の構成要素を成膜する。この際の成膜用マスク１２０の開口パターン１２１は、例えば、発光領域Ｓの配列に合わせたストライプ状又は千鳥状（分散状）の開口パターンである。

また、成膜用マスク１２０には、基板１０１上の表示領域Ｍとは外れた位置に対応して位置検出マークの開口パターン１２２が形成されている。したがって、この成膜用マスク１２０による成膜では、図４（ｂ）に示すように、前述した自発光素子の構成要素の成膜と同時に、開口パターン１２１を介して発光材料を含む成膜材料を成膜して、表示領域Ｍ以外に成膜毎の位置検出マーク１１１を成膜する（図２；Ｓ０２）。これによって、成膜工程Ｓ２を経た基板１０１上には、撮像領域Ｈ内に基準マーク１１０と成膜毎の位置検出マーク１１１が形成されることになる。

そして、位置検出工程Ｓ３では、図５に示すように、可視光Ｌ_Ｂを基準マーク１１０に照射すると共に、ＵＶ光Ｌ_ＵＶ（紫外線）を位置検出マーク１１１に照射するように照明光を設定し、撮像領域Ｈ内の基準マーク１１０と位置検出マーク１１１をカメラ１３０で撮像し、これによって得た基準マーク１１０と位置検出マーク１１１の画像データを画像処理装置１３１に送る。画像処理装置１３１では、前述の画像データを画像処理することによって、基準マーク１１０に対する位置検出マーク１１１の位置を検出する（図２；Ｓ０３）。

ここで、ＵＶ光Ｌ_ＵＶを照射された位置検出マーク１１１は発光材料が励起して発光を呈するので、その位置をカメラ１３０で撮像することができるようになる。また、照明光がＵＶ光Ｌ_ＵＶのみの場合には、発光材料を含まない基準マーク１１０はカメラ１３０で位置を認識することができないが、可視光Ｌ_Ｂを別途照射することでカメラ１３０での認識が可能になる。この際、発光材料を含む位置検出マーク１１１は、複数の成膜に対応して異なる発光を呈するように発光材料を設定することができ、ＵＶ光Ｌ_ＵＶ照射時の発光色によって成膜毎の位置検出マーク１１１を識別することができる。

なお、図５に示した実施形態では、可視光Ｌ_ＢとＵＶ光Ｌ_ＵＶを光学系１３２Ａ，１３２Ｂによって合成して撮像領域Ｈに照射範囲規制手段１３３を介して照射する例を示しているが、これに限らず、例えば可視光Ｌ_ＢとＵＶ光Ｌ_ＵＶを別の光路で撮像領域に照射するものでもよく、要するに、可視光Ｌ_Ｂを基準マーク１１０に照射して、ＵＶ光Ｌ_ＵＶを位置検出マーク１１１に照射していれば、どのような設定であってもよい。また、カメラ１３０を２つ用いて２箇所の撮像領域Ｈを撮像しているが、カメラ１３０は一つであっても３つ以上であっても良く、また、撮像領域Ｈも一箇所であっても、３箇所以上であってもよい。撮像領域Ｈを複数箇所に設けることで、後述する検査工程Ｓ４での判定精度を高めることができる。

照射範囲規制手段１３３はＵＶ光Ｌ_ＵＶの照射範囲を規制するためのものであり、これによってＵＶ光Ｌ_ＵＶが表示領域Ｍに入らないようにしている。ＵＶ光Ｌ_ＵＶが自発光素子の構成要素（発光層等）に照射されるとその機能が劣化するので、照射範囲規制手段１３３を設けることによってこれを防止している。

画像処理装置１３１における画像処理の例を挙げると、先ず、基準マーク１１０を基準にしてＸＹ座標を設定する。この際に基準マーク１１０が２つ有る場合には、各々の中心位置を結ぶ直線軸をＸ軸に設定して、それと直交する直線軸をＹ軸に設定することができるが、基準マーク１１０が一つの場合には、その基準マーク１１０の形状の方向性を利用してＸ軸を設定し、それと直交する方向にＹ軸を設定すればよい。そして、設定されたＸＹ座標によって位置検出マーク１１１の座標位置を検出することで、基準マーク１１０に対する位置検出マーク１１１の位置を検出することができる。

検査工程Ｓ４では、前述した位置検出工程Ｓ３によって検出された基準マーク１１０に対する位置検出マーク１１１の位置に基づいて、自発光素子の配置（発光領域Ｓの位置）に対して適正な位置に自発光素子の構成要素が成膜されているか否で、その構成要素の成膜状態の良否を判定する。

このような実施形態に係る表示パネルの製造方法によると、画像処理によって自発光素子の構成要素の成膜状態を把握することができるので、成膜状態の良否判定を高精度且つ即座に行うことができ、表示パネルの生産性を向上させることができる。

そして、自発光素子の特定された配置（発光領域Ｓの位置）に対して積層された複数の層の各成膜領域の良否を判定する場合には、各成膜時の発光材料を異ならせることで成膜毎に形成される位置検出マーク１１１がカメラ１３０によって異なる色で認識できるようになるので、この色の違いを利用して、積層された層の中でどの層が不良になっているかを画像処理によって判断することができる。この際の各成膜は、発光層の成膜に限らず、ＵＶ光の照射によって励起して発色する材料を含む他の機能層の成膜を含むものである。

また、自発光素子の特定された配置（発光領域Ｓの位置）に対して、色毎に塗り分けられた層の成膜領域の良否を判定する場合には、成膜工程Ｓ２では、自発光素子の発光色に応じた異なる色の複数の位置検出マーク１１１を成膜し、成膜検査工程Ｓ３では、各位置検出マーク１１１の位置に基づいて、自発光素子における各発光色の構成要素について成膜状態の良否判定がなされる。この場合には、当然ながら塗り分け時の成膜によって形成される各位置検出マーク１１１はカメラ１３０によって異なる色で認識されることになるので、この色の違いを利用して、塗り分けられた成膜領域の中でどの色の成膜領域が不良になっているかを画像処理によって判断することができる。

図６は、本発明の実施形態に係る製造方法の更に具体例をする説明図である。この具体例によると、基板１０１に成膜した位置検出マーク１１１上に反射膜１１２を成膜しており、基板１０１を介してＵＶ光Ｌ_ＵＶを位置検出マーク１１１に照射するようにしている。これによると、ＵＶ光Ｌ_ＵＶが照射された位置検出マーク１１１内の発光材料の発光が反射膜１１２に反射されて基板１０１を介して出射するので、これをカメラ１３０で撮像することで良好な位置検出マークの画像を得ることができる。この際に、基準マーク１１０には基板１０１を介して可視光Ｌ_Ｂが照射され、その反射光が基板１０１を介して出射するので、これをカメラ１３０で撮像する。

位置検出マーク１１１上に成膜される反射膜１１２は、自発光素子の金属電極成膜時に同時に同材料を成膜することで形成することができる。これによると、特に工程を追加することなく、良好な位置検出マーク１１１の画像を得ることができる。

以下、自発光素子として有機ＥＬ素子を採用する場合を例にして、本発明の実施形態に係る表示パネルの製造方法の具体例を説明する。

一般に、有機ＥＬ素子は、アノード（陽極、正孔注入電極）とカソード（陰極、電子注入電極）との間に有機層を挟み込んだ構造を有しており、両電極間に電圧を印加することにより、アノードから有機層内に注入・輸送された正孔とカソードから有機層内に注入・輸送された電子が再結合して発光が得られるものである。

アノードとカソードからなる一対の電極間には有機層を含む各種の機能層が積層された層構造が形成される。この層構造は、正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層からなるものが一般的であるが、発光層を除く各種の層は必要に応じて省略可能であり、また、各層は単一の材料で形成しても、複数の材料を混ぜ合わせた混合層にしてもよく、高分子バインダの中に各種機能材料を分散させたものであってもよい。各層を単層で形成しても多層で形成してもよい。更に、前述した層構造の最上部には、その上にスパッタ法で電極を形成する際に有機層がダメージを受けないようにするためにバッファ機能を有する層を設けることがあり、また、各層の成膜によって形成される表面の凹凸を平坦化するための層を設けることもある。

基板上に形成される有機ＥＬ素子は、基板側の電極を透明電極にして基板側から光を取り出すボトムエミッション方式、前述した層構造上の電極を透明電極にして基板と逆側から光を取り出すボトムエミッション方式の何れでもよい。また、表示領域における有機ＥＬ素子の配置は、ドットマトリクス状に複数配置したものであっても、所定の大きさの発光領域を単数又は複数有するものであってもよい。表示領域における有機ＥＬ素子の駆動方式は、パッシブ駆動方式、アクティブ駆動方式の何れでもよく、特に限定されるものではない。更に、有機ＥＬ素子単体の構造としては、有機ＥＬ素子を複数積層させたもの（ＳＯＬＥＤ；Ｓｔａｃｋｅｄ ＯＬＥＤ）や、カソードとアノードとの間に電荷発生層を介在させたもの（マルチフォトン素子）を採用することもでき、これも特に限定されるものではない。

具体的な製造方法の例を示すと、以下のとおりである。

前処理工程（Ｓ１；図７参照）；
図７（ａ）に示すように、上面に透明導電膜１０２Ａ（ＩＴＯ，ＩＺＯ等）と金属導電膜１０４Ａ（Ｃｒ，Ａｌ，Ａｇ等）とを積層した基板１０１（ガラス，プラスチック等）を準備する（一例としては、基板１０１をガラス基板として、透明導電膜１０２ＡとしてＩＴＯ、金属導電膜１０４ＡとしてＣｒ膜を採用する）。特に、アルカリ成分を有するガラス基板を用いる場合には、含有されている不純元素（アルカリ金属；Ｃａ，Ｎａ等）が表面に浸透しないように、基板１０１の表面にバリア層１０１Ａ（ＳｉＯ_２，ＴｉＯ_２等）を成膜したものを用いる。

次いで、図７（ｂ１），（ｂ２）に示すように（図７（ｂ２）は図７（ｂ１）のＡ−Ａ断面図）、バリア層１０１Ａ，透明導電膜１０２Ａ，金属導電膜１０４Ａを有する基板１０１に対して、金属導電膜１０４をフォトリソグラフィ法によってパターニングし、第１電極又は第２電極に繋がる引出電極１０４を形成する。図では、多面取り基板（マスター基板）の例を示しており、図７（ｂ１），（ｂ２）においては、引出電極１０４以外の基板１０４の表面は透明導電膜１０２Ａが露出した状態になっている。

次に、基板１０１上に露出している透明導電膜１０２Ａをフォトリソグラフィ法によってパターニングして第１電極（陽極）１０２を形成する。この際に、引出電極１０４の形成部分は引出電極１０４の形態に合わせてパターニングされ、透明導電膜１０２Ａ上に金属導電膜１０４Ａが積層した引出電極１０４が形成されることになる。そして、この際のパターニング時に、透明導電膜１０２Ａからなる基準マーク１１０が形成される。この基準マーク１１０は表示領域Ｍの外に形成されており、２つ以上のマークにするか、或いは方向性を有するマーク形状にして、この基準マーク１１０を基にしてＸＹ座標が設定できるようにする。

その後は、第１電極１０２上に発光領域の開口が区画されるように、感光性ポリイミド等の絶縁膜をフォトリソグラフィ法によってパターニング形成して、基板１０１上における有機ＥＬ素子の配置を特定する。また、必要に応じて第２電極を区画するための隔壁を形成してもよい。その後、必要に応じて、基板１０１表面の有機物や水分を取り除くためにＵＶ洗浄工程が施される。

成膜工程（Ｓ２）；
前処理工程Ｓ１を経た基板１０１を蒸着装置内に搬送して、基板１０１上に図４（ａ）に示した成膜用マスク１２０を設置することで、基板１０１上に成膜用マスク１２０を介して有機層及び第２電極のパターンを成膜する。この際の成膜時に、図４（ｂ）に示すような位置検出マーク１１１のパターンを成膜する。

有機層及び第２電極の成膜に関する例を示すと、例えば、正孔注入層となるＣｕＰｃ等を蒸着にて５０ｎｍ積層し、次いで、正孔輸送層として４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＤ）等を５０ｎｍ積層する。そして、その上に成膜用マスク１２０（図４（ａ）参照）を用いてＲＧＢ各発光層を各成膜領域に塗り分けて成膜する。

具体的には、Ｂ発光層の成膜パターンとＢ発光層の成膜ずれを検出するための第１の位置検出マークを有する成膜用マスク１２０を基板１０１上に設置し、Ｂ発光層として４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）のホスト材に１重量％ドーパントとして４，４’−ビス（２−カルバゾールビニレン）ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）を５０ｎｍ共蒸着する。これによって、成膜領域にＢ発光層の成膜パターンが形成され、成膜領域（表示領域）以外の領域にＢ発光層材料による第１の位置検出マークが形成されることになる。この際、第１の位置検出マークの形状或いは数はどのようなものであってもよい。

次いで、Ｇ発光層の成膜パターンとＧ発光層の成膜ずれを検出するための第２の位置検出マークを有する成膜用マスク１２０を基板１０１上に設置し、Ｇ発光層としてクマリン６を５０ｎｍ蒸着する。これによって、成膜領域にＧ発光層の成膜パターンが形成され、成膜領域（表示領域）以外の領域にＧ発光層材料による第２の位置検出マークが形成されることになる。この際、第２の位置検出マークの形状或いは数はどのようなものであってもよい。

更には、Ｒ発光層の成膜パターンとＲ発光層の成膜ずれを検出するための第３の位置検出マークを有する成膜用マスク１２０を基板１０１上に設置し、Ｒ発光層としてトリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ_３）のホスト材に１重量％ドーパントとして４−ジシアノメチル−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチルリン）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）を５０ｎｍ共蒸着する。これによって、成膜領域にＲ発光層の成膜パターンが形成され、成膜領域（表示領域）以外の領域にＲ発光層材料による第３の位置検出マークが形成されることになる。この際、第３の位置検出マークの形状或いは数はどのようなものであってもよい。

その後には、電子輸送層としてＡｌｑ_３を２０ｎｍ蒸着し、更に、第２電極（陰極）としてアルミニウム（Ａｌ）を１５０ｎｍ蒸着する。

位置検出工程（Ｓ３）及び検査工程（Ｓ４）；
前述した成膜工程後に、図５に示したカメラ１３０（ＣＣＤカメラ等）を用いて基準マーク１１０及び第１〜第３の位置検出マーク１１１を撮像し、これによって得た画像データを画像処理装置１３１で画像処理する。この際の撮像では、基準マーク１１０にはハロゲン光源やＬＥＤ光源等による可視光が照射され、各位置検出マーク１１１にはＵＶ光源によるＵＶ光が照射される。ＵＶ光の照射に際しては、ＵＶ光が表示領域内の有機ＥＬ素子に照射されないように照射範囲規制手段１３３を設けることが好ましい。

画像処理装置１３１においては、画像データに基づき、基準マーク１１０の位置及び方向性を基準にしてＸＹ座標を設定し、このＸＹ座標を用いて、画像上異なる色で識別できる第１の位置検出マーク，第２の位置検出マーク，第３の位置検出マークのそれぞれの座標位置を算出する。そして、このそれぞれの座標位置と目標とする座標位置とを比較することで、成膜位置のずれがないかを判定し、成膜工程後の検査を行う。

この検査工程に際しては、算出された座標位置と目標とする座標位置との比較を演算処理によって求めることで、高速且つ客観的な検査を行うことが可能になると共に、製品の仕様に基づいた品質管理を自動で行うことが可能になる。

封止工程；
その後は、成膜工程後の真空雰囲気下からＮ_２の不活性ガス雰囲気下の封止室に基板１０１を搬入する。一方、ブラスト処理で表面に凹部を設け、凹部内に乾燥手段（ＳｒＯ，ＣａＯ等）を装着したガラス封止基板を封止室内に搬入する。そして、ガラス封止基板上の所定の位置に、ディスペンサ等を用いて、１〜３００μｍの粒径を有するスペーサ（ガラスやプラスチック製のものが好ましい）を適量混合（０．１〜０．５重量％ほど）した紫外線硬化型エポキシ樹脂製の接着剤を塗布し、このガラス封止基板と基板１０１とを前述した接着剤を介して貼り合わせ、紫外線を基板１０１側又はガラス封止基板側から接着剤に照射してこれを硬化させる。これによって、基板１０１とガラス封止基板間の封止空間内に表示領域が収められ、表示領域を構成する有機ＥＬ素子を外気から遮断することができる。

以上説明したように、本発明の実施形態によると、基板１０１上の表示領域Ｍに自発光素子を形成する表示パネルの製造方法において、自発光素子の特定された配置に対して積層された複数の層の成膜領域が成膜不良であるか否かを画像処理によって判定することができ、更に積層された層の中でどの層が不良になっているかを即座に判断することができる。また、自発光素子の特定された配置に対して、色毎に塗り分けられた層の成膜領域が成膜不良であるか否かを同様に画像処理によって判定することができ、色毎に塗り分けられた層の中でどの色の層が不良になっているかを即座に判断することができる。これによって、検査精度のばらつきを無くすと共に、検査の作業速度を向上させることで表示パネルの生産性の向上を図ることができる。

従来技術の説明図である。 本発明の実施形態に係る表示パネルの製造方法を説明する説明図である。 前処理工程を説明する説明図である。 成膜工程を説明する説明図である。 位置検出工程を説明する説明図である。 位置検出工程の具体例を示した説明図である。 前処理工程の具体例を説明する説明図である。

符号の説明

１０１ 基板
１０２ 第１電極
１０３ 絶縁膜
１０４ 引出電極
１１０ 基準マーク
１１１ 位置検出マーク
１１２ 反射膜
１２０ 成膜用マスク
１２１，１２２ 開口パターン
１３０ カメラ
１３１ 画像処理装置
１３２Ａ，１３２Ｂ 光学系
Ｍ 表示領域
Ｈ 撮像領域
Ｌ_Ｂ 可視光
Ｌ_ＵＶ ＵＶ光

Claims (7)

1. 基板上の表示領域に自発光素子を形成する表示パネルの製造方法において、
   前記基板上の表示領域に前記自発光素子の配置を特定すると同時に、前記表示領域以外の領域に前記配置との位置関係が特定された基準マークを形成する前処理工程と、
   成膜用マスクの開口パターンを介して発光材料を成膜して、前記表示領域に前記自発光素子の構成要素を成膜すると同時に、前記表示領域以外に成膜毎の位置検出マークを成膜する成膜工程と、
   前記基準マークに可視光を照射すると共に前記位置検出マークにＵＶ光を照射し、前記基準マーク及び前記位置検出マークを撮像して得た画像データを画像処理することによって、前記基準マークに対する前記位置検出マークの位置を検出する位置検出工程と、
   前記位置検出工程によって検出された前記基準マークに対する前記位置検出マークの位置に基づいて、前記自発光素子の配置に対する前記構成要素の成膜状態の良否を判定する検査工程とを有することを特徴とする表示パネルの製造方法。
2. 前記位置検出工程は、前記基準マークを基準にするＸＹ座標を設定し、該ＸＹ座標によって前記位置検出マークの座標位置を検出することを特徴とする請求項１に記載された表示パネルの製造方法。
3. 前記成膜工程は、前記自発光素子の発光色に応じた異なる色の複数の位置検出マークを成膜し、
   前記検査工程は、各位置検出マークの位置に基づいて、各発光色の前記構成要素について成膜状態の良否を判定することを特徴とする請求項１又は２に記載された表示パネルの製造方法。
4. 前記位置検出マークの上に反射膜を成膜し、前記基板を介して前記ＵＶ光を前記位置検出マークに照射することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載された表示パネルの製造方法。
5. 前記反射膜は前記自発光素子の電極材料によって形成され、前記自発光素子の電極成膜時に成膜されることを特徴とする請求項４に記載された表示パネルの製造方法。
6. 前記ＵＶ光の照射範囲を規制する照射範囲規制手段を備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載された表示パネルの製造方法。
7. 前記自発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載された表示パネルの製造方法。

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