KR101243821B1 - 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 장치 및 이를 이용한얼라인 방법 - Google Patents
섀도우 마스크와 기판의 얼라인 장치 및 이를 이용한얼라인 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101243821B1 KR101243821B1 KR1020060136655A KR20060136655A KR101243821B1 KR 101243821 B1 KR101243821 B1 KR 101243821B1 KR 1020060136655 A KR1020060136655 A KR 1020060136655A KR 20060136655 A KR20060136655 A KR 20060136655A KR 101243821 B1 KR101243821 B1 KR 101243821B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- alignment
- substrate
- shadow mask
- high magnification
- magnification
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 2
- 230000008014 freezing Effects 0.000 claims 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 claims 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical group [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/191—Deposition of organic active material characterised by provisions for the orientation or alignment of the layer to be deposited
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 짧은 시간에 정밀한 얼라인을 진행하여 생산성을 높이기에 알맞은 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 장치 및 이를 이용한 얼라인 방법을 제공하기 위한 것으로, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 장치는, 대각 방향 모서리에 제 1, 제 2 얼라인 키가 구비되어 있는 섀도우 마스크와; 상기 섀도우 마스크 상측에 로딩되며, 상기 제 1, 제 2 얼라인 키에 대응되는 대각 방향 모서리에 제 1, 제 2 얼라인 마크가 구비되어 있는 기판과; 상기 기판의 대각 방향에 배치된 제 1, 제 2 얼라인 마크에 대응되는 상부에 각각 저배율 및 고배율 얼라인부가 함께 구비된 제 1, 제 2 얼라인 시스템부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
섀도우 마스크, 기판, 저배율, 고배율, 광분배기, 얼라인
Description
도 1은 종래의 섀도우 마스크와 기판을 얼라인 하기 위한 얼라인 장치의 구성도
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 섀도우 마스크와 기판을 얼라인 하기 위한 얼라인 장치의 구성도
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 얼라인 방법을 나타낸 흐름도
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
21 : 기판 22 : 섀도우 마스크
23 : 프레임 24a, 24b : 제 1, 제 2 얼라인 마크
25a, 25b : 제 1, 제 2 얼라인 키 26a, 26b : 제 1, 제 2 광분배기
27a, 27b : 제 1, 제 2 반사 미러 28a, 28b : 제 1, 제 2 저배율 렌즈
29a, 29b : 제 1, 제 2 고배율 렌즈
30a, 31a, 30b, 31b : 제 1, 제 2, 제 3, 제 4 CCD 카메라
40a, 40b : 제 1, 제 2 고배율 얼라인부
41a, 41b : 제 1, 제 2 저배율 얼라인부 50 : 제 1 얼라인 시스템부
60 : 제 2 얼라인 시스템부
본 발명은 얼라인 장치에 대한 것으로, 코어스 얼라인과 파인 얼라인에 따른 정밀도를 높이기에 알맞은 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 장치에 관한 것이다.
최근 정보 통신 기술의 비약적인 발전과 시장의 팽창에 따라 디스플레이 소자로서 평판표시소자(Flat Panel Display)가 각광받고 있다. 이러한 평판표시소자로는 액정 표시소자(Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 소자(Plasma Display Panel), 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diodes) 등이 대표적이다.
그 중에 유기발광소자는 빠른 응답속도, 기존의 액정표시소자 보다 낮은 소비 전력, 경량성, 별도의 백라이트(back light) 장치가 필요없으므로 초박형으로 만들 수 있는 점, 넓은 시야각, 고휘도 등의 매우 좋은 장점을 가지고 있다
이러한 유기발광소자는 기판 위에 양극 막, 유기 박막, 음극 막을 씌워 양극과 음극사이에 전압을 걸어줌으로써 적당한 에너지의 차이가 유기 박막에 형성되어 자발광하는 원리이다. 즉, 먼저 양극에서 정공(전자에 대응하는 양의 전하를 띤 입자)을 주입하고, 음극에서 전자를 주입하면 정공과 전자가 전기적 인력에 의해 재 결합하여 중성의 안정된 분자 여기자(勵起子, exciton)를 생성한다. 이렇게 생성된 높은 에너지의 여기자가 낮은 에너지로 떨어지면서 빛이 발생된다. 이때 유기 물질의 도판트의 양에 따라 발생하는 빛의 파장을 조절할 수 있으므로 풀 칼라(full color)의 구현이 가능하다. 그리고, 다른 디스플레이에 비해 중형 이하에서는 TFT-LCD와 동등하거나 그 이상의 화질을 가질 수 있다는 점과 제조 공정이 단순하여 향후 가격 경쟁에서 유리하다는 점으로 차세대 꿈의 디스플레이로 주목받고 있다.
이러한 많은 장점이 있는 유기 EL 기판의 생산성 향상 및 디스플레이의 대형화로 인해 디스플레이 제작에 사용되는 유리 기판이 점차적으로 대형화되는 추세이다. 그리고, LCD에 비해서 OLED(Organic Light-Emitting Diode)의 제조설비의 설치 단가가 낮고, 제조공정이 LCD와는 유사하지만 훨씬 단순하여 고부가가치산업이 될 수 있다.
유기발광소자의 자세한 구조는 기판 상에 양극(anode), 정공 주입층(hole injection layer), 정공 운송층(hole transfer layer), 발광층(emitting layer), 전자 운송층(electron transfer layer), 전자 주입층(electron injection layer), 음극(cathode)이 순서대로 적층되어 형성된다. 여기에서 양극으로는 면저항이 작고 투과성이 좋은 ITO(Indium Tin Oxide)가 주로 사용된다. 그리고 유기 박막은 발광 효율을 높이기 위하여 정공 주입층, 정공 운송층, 발광층, 전자 운송층, 전자 주입층의 다층으로 구성되며, 발광층으로 사용되는 유기물질은 Alq3, TPD, PBD, m-MTDATA, TCTA 등이다. 또한 음극으로는 LiF-Al 금속막이 사용된다. 그리고 유기 박막이 공기 중의 수분과 산소에 매우 약하므로 소자의 수명(life time)을 증가시키 기 위해 봉합하는 얇은 박막이 최상부에 형성된다.
특히, 이러한 증착에 앞서 유리기판상에 전극과 유기발광층을 일정 패턴에 따라 증착하여야 하는데 이를 위한 차폐수단으로 사용되는 것이 섀도우 마스크이다. 즉, 기판상에 원하는 패턴(pattern)모양의 섀도우 마스크를 접촉시킨 후 증착을 수행하면 원하는 패턴의 전극 또는 발광층을 형성할 수 있다.
이때, 미리 설계된 패턴과 일치시키기 위하여 섀도우 마스크와 유리기판의 정렬이 이루어져야 하며, 이를 위하여 CCD 카메라로 관찰하면서 유리기판 및 마스크에 형성된 얼라인 마크(align mark)가 일치되도록 마스크를 이동시킨 후 마스크를 유리기판 상에 밀착한다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 종래의 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 장치에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래의 섀도우 마스크와 기판을 얼라인 하기 위한 얼라인 장치의 구성도이다.
종래의 섀도우 마스크와 기판을 얼라인 하기 위한 장치는, 도 1에 도시한 바와 같이, 4개의 모서리에 각각 제 1 내지 제 4 얼라인 마크(4a, 4b, 4c, 4d)가 구비되어 있는 기판(1)과, 상기 기판(1)의 하측에 상기 제 1 내지 제 4 얼라인 마크(4a, 4b, 4c, 4d)에 대응되는 4개의 모서리에 각각 제 1 내지 제 4 얼라인 키(5a, 5b, 5c, 5d)가 구비되어 있는 섀도우 마스크(2)가 로딩되어 있고, 상기 기판(1)의 대각 방향에 배치된 제 1, 제 3 얼라인 마크(4a, 4c)에 대응되는 상부에 제 1, 제 2 저배율 얼라인부(10a, 10b)가 구비되어 있고, 상기 기판(1)의 대각 방 향에 배치된 제 2, 제 4 얼라인 마크(4b, 4d)에 대응되는 상부에 제 1, 제 2 고배율 얼라인부(11a, 11b)가 구비되어 있다.
이때, 제 1 저배율 얼라인부(10a)는 제 1 저배율 렌즈(6a)와 제 1 CCD 카메라(7a)로 구성되어 있고, 제 2 저배율 얼라인부(10b)는 제 2 저배율 렌즈(6b)와 제 2 CCD 카메라(7b)로 구성되어 있다.
그리고, 제 2 고배율 얼라인부(11a)는 제 2 고배율 렌즈(8a)와 제 3 CCD 카메라(9a)로 구성되어 있고, 제 2 고배율 얼라인부(11b)는 제 2 고배율 렌즈(8b)와 제 4 CCD 카메라(9b)로 구성되어 있다.
도면에는 도시되어 있지 않지만, 상기 섀도우 마스크(2)에는 상기 기판(1)의 각 패널의 각 R, G, B 화소에 대응되는 부분에 R, G, B 각각의 유기물을 증착시키기 위한 통로가 되는 홀들이 구비되어 있다.
상기 기판(1)의 적, 녹, 청 각 화소에 유기물을 정밀도 높게 증착하기 위해서는 섀도우 마스크(2)와 기판(1)을 높은 정밀도로 얼라인 시킬 필요가 있다.
상기 구성을 갖는 종래의 얼라인 장치를 이용한 얼라인 공정은, 먼저, 기판(1)의 제 1, 제 3 얼라인 마크(4a, 4c)와 섀도우 마스크(2)의 제 1, 제 3 얼라인 키(5a, 5c)의 위치를 제 1, 제 2 저배율 얼라인부(10a, 10b)를 통하여 확인한다.
이후에 기판(1)의 제 2, 제 4 얼라인 마크(4b, 4d)와 섀도우 마스크(2)의 제 2, 제 4 얼라인 키(5b, 5d)의 위치를 제 1, 제 2 고배율 얼라인부(11a, 11b)를 통하여 확인한 후 얼라인을 한다.
즉, 상기에서와 같이 종래에는 기판(1)의 제 1, 제 3 얼라인 마크(4a, 4c)와 섀도우 마스크(2)의 제 1, 제 3 얼라인 키(5a, 5c)를 제 1, 제 2 저배율 얼라인부(10a, 10b)를 이용해서 코어스 얼라인 한 후, 기판(1)의 제 2, 제 4 얼라인 마크(4b, 4d)와 섀도우 마스크(2)의 제 2, 제 4 얼라인 키(5b, 5d)들을 제 1, 제 2 고배율 얼라인부(11a, 11b)를 이용해서 파인 얼라인하여 진행한다.
상기 섀도우 마스크는 제조과정에서 원천적으로 발생하는 위치 정밀도가 매우 낮고, 섀도우 마스크의 얼라인 키들 역시 수~수십㎛의 위치 정밀도를 가지게 된다. 그러나, 유기 전계 발광 소자에서 요구되는 위치 정밀도는 3㎛ 이하이다.
이에 따라서 섀도우 마스크와 기판의 보다 정밀한 얼라인이 요구된다.
그러나, 상기에서와 같이, 종래에는 코어스 얼라인과 파인 얼라인을 진행하기 위한 얼라인 마크들과 얼라인 키들이 서로 다른 위치에 형성되어 있다.
따라서, 상기와 같이 서로 다른 얼라인 키 및 얼라인 마크를 이용해서 코어스 얼라인 및 파인 얼라인을 진행하면 코어스 얼라인을 위한 키들과 파인 얼라인을 위한 키들의 위치 오차로 인하여 얼라인 정밀도가 떨어진다.
또한, 서로 다른 얼라인 키 및 얼라인 마크를 이용해서 코어스 얼라인 및 파인 얼라인을 진행하면, 얼라인 시간이 증가하여 유기 전계 발광 소자의 생산성이 떨어지는 문제가 발생한다.
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 안출한 것으로, 본 발명의 목적은 짧은 시간에 정밀한 얼라인을 진행하여 생산성을 높이기에 알맞은 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 장치 및 이를 이용한 얼라인 방법을 제공하는데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 장치는, 대각 방향 모서리에 제 1, 제 2 얼라인 키가 구비되어 있는 섀도우 마스크와; 상기 섀도우 마스크 상측에 로딩되며, 상기 제 1, 제 2 얼라인 키에 대응되는 대각 방향 모서리에 제 1, 제 2 얼라인 마크가 구비되어 있는 기판과; 상기 기판의 대각 방향에 배치된 제 1, 제 2 얼라인 마크에 대응되는 상부에 각각 저배율 및 고배율 얼라인부가 함께 구비된 제 1, 제 2 얼라인 시스템부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 얼라인 시스템부에는 상기 기판의 상기 제 1 얼라인 마크에 대응되는 상부에 제 1 광분배기 및 제 1 반사 미러가 구비되어 있고, 상기 제 1 광분배기 및 상기 제 1 반사 미러의 상부에 각각 제 1 고배율 얼라인부와 제 1 저배율 얼라인부가 구비되어 있음을 특징으로 한다.
상기 제 1 저배율 얼라인부는 제 1 저배율 렌즈와, 그 상부에 제 1 CCD 카메라로 구성되어 있다.
상기 제 1 고배율 얼라인부는 제 1 고배율 렌즈와, 그 상부에 제 2 CCD 카메라로 구성되어 있다.
상기 제 2 얼라인 시스템부에는 상기 기판의 상기 제 2 얼라인 마크에 대응되는 상부에 제 2 광분배기 및 제 2 반사 미러가 구비되어 있고, 상기 제 2 광분배기 및 상기 제 2 반사 미러의 상부에 각각 제 2 고배율 얼라인부와 제 2 저배율 얼라인부가 구비되어 있다.
상기 제 2 저배율 얼라인부는 제 2 저배율 렌즈와, 그 상부에 제 3 CCD 카메라로 구성되어 있다.
상기 제 2 고배율 얼라인부는 제 2 고배율 렌즈와, 그 상부에 제 4 CCD 카메라로 구성되어 있다.
상기 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 방법은, 대각 방향 모서리에 제 1, 제 2 얼라인 키가 구비되어 있는 섀도우 마스크와, 상기 제 1, 제 2 얼라인 키에 대응되는 대각 방향 모서리에 제 1, 제 2 얼라인 마크가 구비되어 있는 기판과, 상기 기판의 대각 방향에 배치된 제 1, 제 2 얼라인 마크에 대응되는 상부에 각각 저배율 및 고배율 얼라인부가 함께 구비된 제 1, 제 2 얼라인 시스템부를 포함하여 구성된 섀도우 마스크와 기판을 얼라인하는 방법에 있어서, 기판을 챔버 내의 섀도우 마스크 상부에 로딩하는 단계; 상기 기판의 상기 제 1, 제 2 얼라인 마크와 상기 섀도우 마스크의 상기 제 1, 제 2 얼라인 키를 상기 제 1, 제 2 얼라인 시스템부의 각각의 제 1, 제 2 저배율 얼라인부를 통해서 코어스 얼라인 하는 단계; 상기 기판의 상기 제 1, 제 2 얼라인 마크와 상기 섀도우 마스크의 상기 제 1, 제 2 얼라인 키를 각각 상기 제 1, 제 2 얼라인 시스템부의 각각의 제 1, 제 2 고배율 얼라인부를 통해서 파인 얼라인 하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.
상기 코어스 얼라인 단계는, 상기 기판의 상기 제 1, 제 2 얼라인 마크와 상기 섀도우 마스크의 상기 제 1, 제 2 얼라인 키의 영상 정보의 절반을 제 1, 제 2 광분배기를 통해서 분배받은 후, 상기 분배된 정보를 제 1, 제 2 반사 미러를 통해 서 각각 상기 제 1, 제 2 저배율 얼라인부에 전달하여 진행함을 특징으로 한다.
상기 제 1, 제 2 저배율 얼라인부로 전달된 영상 정보는 각각 제 1, 제 2 저배율 렌즈와 제 1, 제 3 CCD 카메라를 통해서 관찰함을 특징으로 한다.
상기 파인 얼라인 단계는, 상기 기판의 상기 제 1, 제 2 얼라인 마크와 상기 섀도우 마스크의 상기 제 1, 제 2 얼라인 키의 영상 정보의 나머지 절반을 제 1, 제 2 광분배기를 통해서 분배받은 후, 분배된 정보를 각각 상기 제 1, 제 2 고배율 얼라인부에 보내어 진행함을 특징으로 한다.
상기 제 1, 제 2 고배율 얼라인부로 전달된 영상 정보는 각각 제 1, 제 2 고배율 렌즈와 제 2, 제 4 CCD 카메라를 통해서 관찰함을 특징으로 한다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 장치 및 에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 섀도우 마스크와 기판을 얼라인 하기 위한 얼라인 장치의 구성도이다.
그리고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 얼라인 방법을 나타낸 흐름도이다.
먼저, 본 발명의 실시예에 따른 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 장치에 대하여 설명한다.
본 발명에 따른 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 장치는, 풀 칼라 유기 전계 발광 소자를 제작할 때, 하부기판의 각 화소영역에 R,G,B 발광층을 형성하기 위해 사용되는 섀도우 마스크와 하부기판과의 얼라인을 위한 것이다.
상기 본 발명에 따른 얼라인 장치는, 도 2에 도시한 바와 같이, 대각 방향 모서리에 제 1, 제 2 얼라인 키(25a, 25b)가 구비되어 있는 섀도우 마스크(22)와, 상기 섀도우 마스크(22) 상측에 로딩되며, 상기 제 1, 제 2 얼라인 키(25a, 25b)에 대응되는 대각 방향 모서리에 제 1, 제 2 얼라인 마크(24a, 24b)가 구비되어 있는 기판(21)과, 상기 기판(21)의 제 1, 제 2 얼라인 마크(24a, 24b)에 대응되는 상부에 각각 저배율 및 고배율 얼라인부가 함께 구비된 제 1, 제 2 얼라인 시스템부(50, 60)가 있다.
이때 섀도우 마스크(22)의 가장자리 측면에는 이를 지지하기 위한 프레임(23)이 구성되어 있다.
이때 제 1 얼라인 시스템부(50)에는 상기 기판(21)의 제 1 얼라인 마크(24a)에 대응되는 상부에 제 1 광분배기(26a) 및 제 1 반사 미러(27a)가 구비되어 있고, 상기 제 1 광분배기(26a) 및 제 1 반사 미러(27a)의 상부에 각각 제 1 고배율 얼라인부(40a)와 제 1 저배율 얼라인부(41a)가 구비되어 있다.
이때, 제 1 저배율 얼라인부(41a)는 제 1 저배율 렌즈(28a)와, 그 상부에 제 1 CCD 카메라(30a)로 구성되어 있고, 상기 제 1 고배율 얼라인부(40a)는 제 1 고배율 렌즈(29a)와, 그 상부에 제 2 CCD 카메라(31a)로 구성되어 있다.
그리고, 제 2 얼라인 시스템부(60)에는 상기 기판(21)의 제 2 얼라인 마크(24b)에 대응되는 상부에 제 2 광분배기(26b) 및 제 2 반사 미러(27b)가 구비되어 있고, 상기 제 2 광분배기(26b) 및 제 2 반사 미러(27b)의 상부에 각각 제 2 고배율 얼라인부(40b)와 제 2 저배율 얼라인부(41b)가 구비되어 있다.
이때, 제 2 저배율 얼라인부(41b)는 제 2 저배율 렌즈(28b)와, 그 상부에 제 3 CCD 카메라(30b)로 구성되어 있고, 상기 제 2 고배율 얼라인부(40b)는 제 2 고배율 렌즈(29b)와, 그 상부에 제 4 CCD 카메라(31b)로 구성되어 있다.
그리고, 도면에는 도시되어 있지 않지만, 상기 섀도우 마스크(22)에는 상기 기판(21)의 각 패널의 각 R, G, B 화소에 대응되는 부분에 R, G, B 각각의 유기물을 증착시키기 위한 통로가 되는 홀들이 구비되어 있다.
상기 기판(21)의 적, 녹, 청 각 화소에 유기물을 정밀도 높게 증착하기 위해서는 섀도우 마스크(22)와 기판(21)을 높은 정밀도로 얼라인 시킬 필요가 있다.
상기 구성을 갖는 본 발명의 얼라인 장치를 이용한 얼라인 공정은, 도 2와 도 3에 도시한 바와 같이, 먼저, 기판(21)을 챔버 내의 섀도우 마스크(22) 상부에 로딩하는 단계(S10); 상기 기판(21)의 제 1, 제 2 얼라인 마크(24a, 24b)와 섀도우 마스크(22)의 제 1, 제 2 얼라인 키(25a, 25b)를 각각 제 1, 제 2 저배율 얼라인부(41a, 41b)를 통해서 코어스 얼라인 하는 단계(S20); 상기 기판(21)의 제 1, 제 2 얼라인 마크(24a, 24b)와 섀도우 마스크(22)의 제 1, 제 2 얼라인 키(25a, 25b)를 각각 제 1, 제 2 고배율 얼라인부(40a, 40b)를 통해서 파인 얼라인 하는 단계(S30)를 통해서 진행한다.
이때 코어스 얼라인 단계(S20)는, 상기 기판(21)의 제 1, 제 2 얼라인 마크(24a, 24b)와 섀도우 마스크(22)의 제 1, 제 2 얼라인 키(25a, 25b)의 영상 정보의 절반을 상기 제 1, 제 2 광분배기(26a, 26b)를 통해서 분배받은 후, 분배된 정보를 제 1, 제 2 반사 미러(27a)를 통해서 각각 제 1, 제 2 저배율 얼라인부(41a, 41b)에 보내어 진행한다.
이때, 제 1, 제 2 저배율 얼라인부(41a, 41b)로 전달된 영상 정보는 각각 제 1, 제 2 저배율 렌즈(28a, 28b)와 제 1, 제 3 CCD 카메라(30a, 30b)를 통해서 관찰한다.
그리고, 상기 파인 얼라인 단계(S30)는, 상기 코어스 얼라인 단계(S20)를 진행한 후에 더욱 정밀한 얼라인을 위해 다시 정렬하는 것으로, 상기 기판(21)의 제 1, 제 2 얼라인 마크(24a, 24b)와 섀도우 마스크(22)의 제 1, 제 2 얼라인 키(25a, 25b)의 영상 정보의 나머지 절반을 상기 제 1, 제 2 광분배기(26a, 26b)를 통해서 분배 받은 후, 분배된 정보를 각각 제 1, 제 2 고배율 얼라인부(40a, 40b)에 보내어 진행한다.
이때, 제 1, 제 2 고배율 얼라인부(40a, 40b)로 전달된 영상 정보는 각각 제 1, 제 2 고배율 렌즈(29a, 29b)와 제 2, 제 4 CCD 카메라(31a, 31b)를 통해서 관찰한다.
상기에서와 같이 본 발명은 기판(21)과 섀도우 마스크(22)의 대각 방향에만 각각 제 1, 제 2 얼라인 마크(24a, 24b)와 제 1, 제 2 얼라인 키(25a, 25b)를 구비한 것으로, 4 모서리 모두에 얼라인 마크 및 얼라인 키를 형성하던 종래 보다 얼라인을 위한 마크 및 키의 수를 줄일 수 있다.
또한, 종래에는 저배율 및 고배율 얼라인 즉, 코어스 얼라인 및 파인 얼라인을 서로 다른 얼라인 마크 및 얼라인 키의 상부에서 진행하였는데 비해서, 본 발명은 저배율 및 고배율 얼라인을 즉, 코어스 얼라인 및 파인 얼라인을 동일한 얼라인 마크 및 키의 위치에서 순차적으로 진행하는 것으로 보다 짧은 시간에 보다 정밀한 얼라인이 가능하다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술 범위는 상기 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라, 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.
상기와 같은 본 발명에 따른 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 장치 및 이를 이용한 얼라인 방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 저배율 얼라인부와 고배율 얼라인부를 동일한 얼라인 마크 및 키의 상부에 위치시켜서 순차적으로 진행할 수 있으므로, 얼라인 시간을 단축시킬 수 있다.
둘째, 동일한 얼라인 마크 및 키를 이용해서 코어스 얼라인과 파인 얼라인을 진행함으로, 얼라인 정밀도를 높여서 생산성을 향상시킬 수 있다.
Claims (12)
- 대각 방향 모서리에 제 1, 제 2 얼라인 키가 구비되어 있는 섀도우 마스크와;상기 섀도우 마스크 상측에 로딩되며, 상기 제 1, 제 2 얼라인 키에 대응되는 대각 방향 모서리에 제 1, 제 2 얼라인 마크가 구비되어 있는 기판과;상기 기판의 대각 방향에 배치된 제 1, 제 2 얼라인 마크에 대응되는 상부에 각각 저배율 및 고배율 얼라인부가 함께 구비된 제 1, 제 2 얼라인 시스템부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 얼라인 시스템부에는 상기 기판의 상기 제 1 얼라인 마크에 대응되는 상부에 제 1 광분배기 및 제 1 반사 미러가 구비되어 있고, 상기 제 1 광분배기 및 상기 제 1 반사 미러의 상부에 각각 제 1 고배율 얼라인부와 제 1 저배율 얼라인부가 구비되어 있음을 특징으로 하는 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 제 1 저배율 얼라인부는 제 1 저배율 렌즈와, 그 상부에 제 1 CCD 카메라로 구성되어 있음을 특징으로 하는 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 제 1 고배율 얼라인부는 제 1 고배율 렌즈와, 그 상부에 제 2 CCD 카메라로 구성되어 있음을 특징으로 하는 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 얼라인 시스템부에는 상기 기판의 상기 제 2 얼라인 마크에 대응되는 상부에 제 2 광분배기 및 제 2 반사 미러가 구비되어 있고,상기 제 2 광분배기 및 상기 제 2 반사 미러의 상부에 각각 제 2 고배율 얼라인부와 제 2 저배율 얼라인부가 구비되어 있음을 특징으로 하는 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 2 저배율 얼라인부는 제 2 저배율 렌즈와, 그 상부에 제 3 CCD 카메라로 구성되어 있음을 특징으로 하는 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 2 고배율 얼라인부는 제 2 고배율 렌즈와, 그 상부에 제 4 CCD 카메라로 구성되어 있음을 특징으로 하는 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 장치.
- 대각 방향 모서리에 제 1, 제 2 얼라인 키가 구비되어 있는 섀도우 마스크 와, 상기 제 1, 제 2 얼라인 키에 대응되는 대각 방향 모서리에 제 1, 제 2 얼라인 마크가 구비되어 있는 기판과, 상기 기판의 대각 방향에 배치된 제 1, 제 2 얼라인 마크에 대응되는 상부에 각각 저배율 및 고배율 얼라인부가 함께 구비된 제 1, 제 2 얼라인 시스템부를 포함하여 구성된 섀도우 마스크와 기판을 얼라인하는 방법에 있어서,기판을 챔버 내의 섀도우 마스크 상부에 로딩하는 단계;상기 기판의 상기 제 1, 제 2 얼라인 마크와 상기 섀도우 마스크의 상기 제 1, 제 2 얼라인 키를 상기 제 1, 제 2 얼라인 시스템부의 각각의 제 1, 제 2 저배율 얼라인부를 통해서 코어스 얼라인 하는 단계;상기 기판의 상기 제 1, 제 2 얼라인 마크와 상기 섀도우 마스크의 상기 제 1, 제 2 얼라인 키를 각각 상기 제 1, 제 2 얼라인 시스템부의 각각의 제 1, 제 2 고배율 얼라인부를 통해서 파인 얼라인 하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 코어스 얼라인 단계는,상기 기판의 상기 제 1, 제 2 얼라인 마크와 상기 섀도우 마스크의 상기 제 1, 제 2 얼라인 키의 영상 정보의 절반을 제 1, 제 2 광분배기를 통해서 분배받은 후, 상기 분배된 정보를 제 1, 제 2 반사 미러를 통해서 각각 상기 제 1, 제 2 저배율 얼라인부에 전달하여 진행함을 특징으로 하는 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 제 1, 제 2 저배율 얼라인부로 전달된 영상 정보는 각각 제 1, 제 2 저배율 렌즈와 제 1, 제 3 CCD 카메라를 통해서 관찰함을 특징으로 하는 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 파인 얼라인 단계는, 상기 기판의 상기 제 1, 제 2 얼라인 마크와 상기 섀도우 마스크의 상기 제 1, 제 2 얼라인 키의 영상 정보의 나머지 절반을 제 1, 제 2 광분배기를 통해서 분배받은 후, 분배된 정보를 각각 상기 제 1, 제 2 고배율 얼라인부에 보내어 진행함을 특징으로 하는 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 1, 제 2 고배율 얼라인부로 전달된 영상 정보는 각각 제 1, 제 2 고배율 렌즈와 제 2, 제 4 CCD 카메라를 통해서 관찰함을 특징으로 하는 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060136655A KR101243821B1 (ko) | 2006-12-28 | 2006-12-28 | 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 장치 및 이를 이용한얼라인 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060136655A KR101243821B1 (ko) | 2006-12-28 | 2006-12-28 | 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 장치 및 이를 이용한얼라인 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080061674A KR20080061674A (ko) | 2008-07-03 |
| KR101243821B1 true KR101243821B1 (ko) | 2013-03-18 |
Family
ID=39813901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060136655A KR101243821B1 (ko) | 2006-12-28 | 2006-12-28 | 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 장치 및 이를 이용한얼라인 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101243821B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111273525A (zh) * | 2020-03-25 | 2020-06-12 | 苏州源卓光电科技有限公司 | 一种应用于内层板的曝光机及对位系统的实时监测方法 |
| KR102543024B1 (ko) * | 2021-12-31 | 2023-06-13 | (주)애니캐스팅 | 마이크로 렌즈 어레이 성형장치 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9580792B2 (en) | 2010-06-04 | 2017-02-28 | Advantech Global, Ltd | Shadow mask alignment using variable pitch coded apertures |
| KR20140080772A (ko) * | 2012-12-18 | 2014-07-01 | 주식회사 원익아이피에스 | 얼라인 장치 및 이를 이용한 얼라인 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040060596A (ko) * | 2002-12-30 | 2004-07-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 마스크 어셈블리 |
| JP2005166991A (ja) | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | アライメント装置及び加工装置 |
-
2006
- 2006-12-28 KR KR1020060136655A patent/KR101243821B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040060596A (ko) * | 2002-12-30 | 2004-07-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 마스크 어셈블리 |
| JP2005166991A (ja) | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | アライメント装置及び加工装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111273525A (zh) * | 2020-03-25 | 2020-06-12 | 苏州源卓光电科技有限公司 | 一种应用于内层板的曝光机及对位系统的实时监测方法 |
| CN111273525B (zh) * | 2020-03-25 | 2021-02-26 | 苏州源卓光电科技有限公司 | 一种应用于内层板的曝光机及对位系统的实时监测方法 |
| KR102543024B1 (ko) * | 2021-12-31 | 2023-06-13 | (주)애니캐스팅 | 마이크로 렌즈 어레이 성형장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20080061674A (ko) | 2008-07-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6479738B2 (ja) | 有機デバイス上の非共通キャッピング層 | |
| US10957751B2 (en) | Pixel defining layer and manufacturing method thereof, display substrate, display panel | |
| US20200258959A1 (en) | Display Panel, Fabrication Method Therefor, and Display Device | |
| US7547462B2 (en) | Method of fabricating organic light emitting display device | |
| JP5623598B2 (ja) | 蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 | |
| KR100712953B1 (ko) | 기판 얼라인장치 및 이를 이용한 기판얼라인방법 | |
| KR101011346B1 (ko) | 발광 장치 및 그 제작 방법 | |
| CN109148725B (zh) | 发光器件、像素单元、像素单元的制备方法和显示装置 | |
| CN103283306B (zh) | 蒸镀膜的形成方法和显示装置的制造方法 | |
| CN103545459A (zh) | 制造有机发光显示设备的方法和有机发光显示设备 | |
| CN103872076A (zh) | 显示设备及制造该显示设备的方法 | |
| CN108573998A (zh) | 显示面板及制造方法、显示装置 | |
| JPH09115672A (ja) | 有機光学的素子及びその製造方法 | |
| KR101570072B1 (ko) | 박막 증착장치 | |
| KR101243821B1 (ko) | 섀도우 마스크와 기판의 얼라인 장치 및 이를 이용한얼라인 방법 | |
| KR100672971B1 (ko) | 기판얼라인장치 | |
| KR102527121B1 (ko) | 성막 장치, 유기 디바이스의 제조 장치, 및 유기 디바이스의 제조 방법 | |
| US20030012981A1 (en) | Method of manufacturing electroluminescence display apparatus | |
| US7635609B2 (en) | Patterning method for light-emitting devices | |
| KR20220000831A (ko) | 얼라인먼트 장치, 성막 장치, 얼라인먼트 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 프로그램 및 기억 매체 | |
| US20030017258A1 (en) | Method of manufacturing electroluminescence display apparatus | |
| JP2014127303A (ja) | 有機ｅｌデバイスの製造方法 | |
| KR20210123963A (ko) | Oled 디스플레이 소자 및 oled 디스플레이 소자 제조 방법 | |
| JP2001326075A (ja) | 有機ｅｌ素子の製造方法 | |
| KR20060051112A (ko) | 자발광 패널의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160226 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180213 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200219 Year of fee payment: 8 |