CN1815687A - 显示面板的制造方法 - Google Patents

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矢口大辅
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Abstract

本发明的课题是通过消除检查精度偏差，提高检查作业速度，实现显示面板的生产性的提高。作为解决手段，具有：前处理工序(S1)，在基板上的显示区域内指定自发光元件的配置，同时在显示区域以外的区域内形成基准标记；成膜工序(S2)，通过成膜用掩模的开口图形对发光材料进行成膜，在显示区域内对自发光元件的构成要素进行成膜，同时在显示区域以外对各成膜的位置检测标记进行成膜；位置检测工序(S3)，把可见光照射到基准标记上，并把UV光照射到位置检测标记上，通过对拍摄基准标记和位置检测标记而获得的图像数据进行图像处理，检测位置检测标记相对于基准标记的位置；以及检查工序(S4)，根据由位置检测工序(S3)所检测出的位置检测标记相对于基准标记的位置，判定构成要素的成膜状态相对于自发光元件的配置的好坏。

Description

显示面板的制造方法
技术领域
本发明涉及显示面板的制造方法。
背景技术
在基板上配置单个或多个自发光元件的自发光型显示面板作为薄型显示面板(平板显示面板)的一种形式正在普及。这与通过液晶层的驱动来控制背光的液晶显示面板相比，作为可进行低消耗功率且高亮度的显示的显示面板而受到期待。
作为这种自发光型显示面板的制造方法，具有：前处理工序，在基板上的显示区域内指定自发光元件的配置；以及成膜工序，根据所指定的配置，对自发光元件的构成要素的图形进行成膜。作为自发光元件，以采用在一对电极间夹持有机层而构成的有机EL(电致发光)元件的情况为例，在前处理工序中，在基板上构图形成第1电极，通过构图形成绝缘膜，以限定该第1电极上的发光区域，从而在所限定的发光区域的位置指定有机EL元件的配置。然后，在成膜工序中，针对经过了前处理工序的基板，设置具有与有机EL元件的配置(发光区域)对应的开口图形的成膜用掩模，通过该成膜用掩模进行有机层的成膜。此时，在进行多色显示的显示面板中，为了形成不同发光色的有机EL元件，根据各色有机EL元件的配置，分别涂布呈现不同发光色的发光(荧光或磷光)材料，从而进行成膜。
并且，为了与有机EL元件中的发光性能的提高和发光色的多色化对应，有时使一对电极间的有机层或电极层多层化，在这种情况下，使用前述成膜用掩模，通过使与发光区域对应的成膜区域多层层叠来进行成膜。此时，发光材料可以使用单一材料成膜单一层，也可以组合其它成膜材料形成单一层。并且，发光材料可以不仅形成发光层，而且也可以形成载流子输送层等。
例如，在下述专利文献1中描述了图1(a)所示的有机EL面板。即，在基板1的一面形成由ITO等的透明导电材料构成的第1电极2，在该第1电极2间的基板1上，以稍微覆盖第1电极2的周边的状态形成由聚酰亚胺等构成的绝缘膜3，在第1电极2上形成限定发光区域45R、45G、45B的开口。然后，跨着多个第1电极2形成空穴注入层40和空穴输送层41，并且，选择各色的区域60R、60G、60B，在各个区域内形成发光层42R、42G、42B、电子输送层43R、43G、43B、以及电子注入层44R、44G、44B，并且在其上形成第2电极50。
关于这种有机EL面板，在前述有机层中，发光层42R、42G、42B、电子输送层43R、43G、43B、以及电子注入层44R、44G、44B形成与发光区域对应的成膜区域，这些层层叠在发光区域45R、45G、45B上。
[专利文献1]日本特开2002-367787号公报
在前述的以往技术中，着眼于一个发光区域时，由于发光层、电子输送层以及电子注入层通过一个成膜用掩模的同一开口部图形而成膜，因而优选的是，3个层的成膜区域在完全重合的状态下没有重合偏差地成膜。然而，由于每当各层成膜时进行成膜用掩模和基板的定位，因而很少发生由于定位不合适等使特定层的成膜区域有大幅偏差而导致成膜不良。
一般情况下，由于在使用成膜用掩模进行的成膜区域形成中预测各种成膜误差，因而成膜用掩模的开口部图形被设定成使成膜区域的纵横宽比发光区域的纵横宽稍大，然而如图1(b)所示，当所层叠的层a～c中特定层b的成膜区域有大幅偏差，处于离开发光区域S的状态时，由于该发光区域S的发光状态发生障碍，因而把这种状态的形成品判定为成膜不良而进行排除。
这种成膜不良的判定通常通过使用显微镜等的目视检查来进行，然而在观察图1(b)的状态的情况下，可判定为该状态是成膜不良，但弄清所层叠的层中哪层是有大幅偏差的不良层却是极难的工作。然而，在显示面板的制造工序中，当一个形成品发生成膜不良时，担心在以后的制造过程中其它形成品也发生同样的不良，因而确定发生成膜不良的层，并重新检查该层的成膜工序，这在提高形成品的成品率方面是极其重要的。
并且，在考虑了各色分涂的情况下，有时特定色的成膜区域如图1(b)所示发生成膜不良，然而在显微镜等的目视检查中，很难通过观察成膜状态来识别是RGB中的哪种颜色的成膜，难以把握在对哪种颜色的自发光元件进行成膜时发生了不良。
并且，在目视检查中，具有检查精度根据检查人的技能而发生偏差的问题，并且对提高检查作业速度也有限制，在显示面板的制造过程中，检查工序成为妨碍生产性提高的重要因素。
发明内容
本发明把应对这种情况作为课题的一例。即，本发明的目的是提供一种在基板上的显示区域内形成自发光元件的显示面板的制造方法，该方法能够实现如下的效果，即：当针对自发光元件的指定配置判定所层叠的多个层的成膜区域是否是成膜不良时，可以判断出所层叠的层中哪个层是不良的，另外，在针对自发光元件的指定配置判定各色分涂的层的成膜区域是否是成膜不良时，可以判断出各色分涂的层中哪种颜色的层是不良的，并且，通过消除检查精度偏差，并提高检查作业速度，实现了显示面板的生产性的提高等。
为了达到这些目的，根据本发明的显示面板的制造方法至少具有以下各独立权利要求的结构。
[权利要求1]一种显示面板的制造方法，在基板上的显示区域内形成自发光元件，其特征在于，具有：前处理工序，在前述基板上的显示区域内指定前述自发光元件的配置，同时在前述显示区域以外的区域内形成指定了与前述配置的位置关系的基准标记；成膜工序，通过成膜用掩模的开口图形对发光材料进行成膜，在前述显示区域内对前述自发光元件的构成要素进行成膜，同时在前述显示区域以外对各成膜的位置检测标记进行成膜；位置检测工序，把可见光照射到前述基准标记上，并把UV(紫外)光照射到前述位置检测标记上，通过对拍摄前述基准标记和前述位置检测标记而获得的图像数据进行图像处理，检测前述位置检测标记相对于前述基准标记的位置；以及检查工序，根据通过前述位置检测工序而检测出的前述位置检测标记相对于前述基准标记的位置，判定前述构成要素的成膜状态相对于前述自发光元件的配置的好坏。
附图说明
图1是以往技术的说明图。
图2是对本发明的实施方式的显示面板制造方法进行说明的说明图。
图3是对前处理工序进行说明的说明图。
图4是对成膜工序进行说明的说明图。
图5是对位置检测工序进行说明的说明图。
图6是示出位置检测工序的具体例的说明图。
图7是对前处理工序的具体例进行说明的说明图。
符号说明
101基板；102第1电极；103绝缘膜；104引出电极；110基准标记；111位置检测标记；112反射膜；120成膜用掩模；121、122开口图形；130摄像机；131图像处理装置；132A、132B光学系统；M显示区域；H摄像区域；LB可见光；LUVUV光
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
图2是对本发明的实施方式的显示面板制造方法进行说明的说明图。该制造方法是在基板上的显示区域内形成自发光元件的显示面板制造方法，至少具有：前处理工序S1，成膜工序S2，位置检测工序S3，以及检查工序S4。在必须将有机EL元件等的自发光元件与外部空气隔绝的显示面板中，在成膜工序S2或检查工序S4之后具有密封工序。
这里，在前处理工序S1中，如图3(a)所示，通过在显示面板的基板101上形成作为自发光元件的构成要素的电极和绝缘膜的图形，在基板上的显示区域M内指定自发光元件的配置。图3(b)是显示区域M内的任意点A的放大图，而自发光元件的配置可以由例如通过绝缘膜103限定在基板101上构图形成的第1电极102上的开口而形成的发光区域S来指定。
并且，与此同时，在基板101上的显示区域M以外的区域内形成指定了与自发光元件的配置之间的位置关系的基准标记110(图2；S01)。基准标记110可通过光刻工序等，使用与第1电极102或绝缘膜103相同的材料，与它们的构图同时形成。
在之后的成膜工序S2中，把图4(a)所示的成膜用掩模120定位在经过了前处理工序S1的基板101上，通过成膜用掩模120的开口图形121对包含发光材料的成膜材料进行成膜，在显示区域M内对自发光元件的构成要素进行成膜。此时的成膜用掩模120的开口图形121例如是与发光区域S的布局一致的条状或锯齿状(分散状)的开口图形。
并且，在成膜用掩模120上，对应于基板101上的显示区域M之外的位置而形成有位置检测标记的开口图形122。因此，在使用该成膜用掩模120进行的成膜中，如图4(b)所示，与前述自发光元件的构成要素的成膜同时，通过开口图形121对包含发光材料的成膜材料进行成膜，在显示区域M以外对各成膜的位置检测标记111进行成膜(图2；S02)。这样，在经过了成膜工序S2的基板101上，在摄像区域H内形成基准标记110和各成膜的位置检测标记111。
然后，在位置检测工序S3中，如图5所示，以将可见光LB3照射到基准标记110上，并将UV光LUV(紫外线)照射到位置检测标记111上的方式来设定照明光，使用摄像机130对摄像区域H内的基准标记110和位置检测标记111进行拍摄，把这样获得的基准标记110和位置检测标记111的图像数据发送到图像处理装置131中。在图像处理装置131中，通过对前述图像数据进行图像处理，检测出位置检测标记111相对于基准标记110的位置(图2；S03)。
这里，被照射了UV光LUV的位置检测标记111因发光材料激励而呈现发光，因而其位置可由摄像机130拍摄到。并且，在照明光仅是UV光LUV的情况下，不包含发光材料的基准标记110无法由摄像机130识别位置，然而通过另外照射可见光LB，可用摄像机130进行识别。此时，包含发光材料的位置检测标记111可把发光材料设定成与多个成膜对应地呈现不同的发光，可根据UV光LUV照射时的发光色识别各成膜的位置检测标记111。
另外，在图5所示的实施方式中，示出了由光学系统132A、132B合成可见光LB和UV光LUV后通过照射范围限制单元133照射到摄像区域H上的例子，然而不限于此，例如可以将可见光LB和UV光LUV通过分别的光路照射到摄像区域上，总之，只要将可见光LB照射到基准标记110上，把UV光LUV照射到位置检测标记111上，则任何设定都可以。并且，使用2台摄像机130拍摄2个部位的摄像区域H，然而摄像机130可以是1台，也可以是3台或3台以上，并且，摄像区域H也可以是1个部位，也可以是3个部位或3个部位以上。通过把摄像区域H设置为多个部位，可提高后述检查工序S4的判定精度。
照射范围限制单元133用于限制UV光LUV的照射范围，从而不使UV光LUV进入到显示区域M内。由于当UV光LUV照射到自发光元件的构成要素(发光层等)上时其功能会劣化，因而通过设置照射范围限制单元133来加以防止。
列举图像处理装置131中的图像处理的例子，首先，以基准标记110为基准设定XY坐标。此时在有2个基准标记110的情况下，可把连接各个中心位置的直线轴设定为X轴，把与其正交的直线轴设定为Y轴，然而在基准标记110是一个的情况下，可以利用该基准标记110的形状的方向性来设定X轴，在与其正交的方向上设定Y轴。然后，通过使用所设定的XY坐标检测位置检测标记111的坐标位置，可检测位置检测标记111相对于基准标记110的位置。
在检查工序S4中，根据由前述位置检测工序S3所检测的位置检测标记111相对于基准标记110的位置，针对自发光元件的配置(发光区域S的位置)判定自发光元件的构成要素是否在合适位置成膜，以及该构成要素的成膜状态的好坏。
使用根据这种实施方式的显示面板的制造方法，可通过图像处理把握自发光元件的构成要素的成膜状态，因而可以立即高精度地判定成膜状态的好坏，可以提高显示面板的生产性。
然后，在针对自发光元件的指定配置(发光区域S的位置)判定所层叠的多个层的各成膜区域的好坏的情况下，通过使各成膜时的发光材料不同，可使用摄像机130按照不同的颜色识别各成膜时所形成的位置检测标记111，因而可利用该颜色的不同，通过图像处理判断所层叠的层中哪个层不良。此时的各成膜不限于发光层的成膜，还包括含有通过UV光的照射而激励产生颜色的材料的其它功能层的成膜。
并且，在针对自发光元件的指定配置(发光区域S的位置)，判定各色分涂的层的成膜区域的好坏的情况下，在成膜工序S2中，对与自发光元件的发光色对应的不同颜色的多个位置检测标记111进行成膜，在成膜检查工序S3中，根据各位置检测标记111的位置，针对自发光元件中的各发光色的构成要素判定成膜状态的好坏。在此情况下，当然，使用摄像机130按不同颜色来识别通过分涂时的成膜所形成的各位置检测标记111，因而可以利用该颜色的不同，通过图像处理判断所分涂的成膜区域中哪种颜色的成膜区域不良。
图6是示出了本发明的实施方式的制造方法的更具体例的说明图。根据该具体例，在基板101上成膜的位置检测标记111上对反射膜112进行成膜，通过基板101把UV光LUV照射到位置检测标记111上。这样，由于被照射了UV光LUV的位置检测标记111内的发光材料的发光由反射膜112反射而通过基板101射出，因而通过使用摄像机130对其进行拍摄，可获得良好的位置检测标记的图像。此时，可见光LB通过基板101照射到基准标记110上，其反射光通过基板101射出，因而使用摄像机130对其进行拍摄。
在位置检测标记111上所成膜的反射膜112可通过在自发光元件的金属电极成膜时，同时对相同材料进行成膜来形成。这样，特别是不追加工序就能获得良好的位置检测标记111的图像。
以下，以采用有机EL元件作为自发光元件的情况为例，对根据本发明的实施方式的显示面板制造方法的具体例进行说明。
一般情况下，有机EL元件具有在阳极(空穴注入电极)和阴极(电子注入电极)之间夹入有机层的结构，通过对两电极间施加电压，使从阳极注入/输送到有机层内的空穴和从阴极注入/输送到有机层内的电子重新结合来获得发光。
在由阳极和阴极构成的一对电极间形成有由包含有机层在内的各种功能层层叠而成的层结构。该层结构一般由空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/电子注入层构成，然而除发光层以外的各种层可根据需要省略，并且，各层可以使用单一材料形成，也可以形成多种材料混合而成的混合层，还可以在高分子粘合剂中分散各种功能材料。各层可以形成为单层，也可以形成为多层。并且，在前述层结构的最上部，为了在其上通过溅镀法形成电极时使有机层不受损坏，有时设置具有缓冲功能的层，并且，有时还设置用于使由于各层的成膜而形成的表面凹凸平坦化的层。
在基板上所形成的有机EL元件可以是以下方式中的任何一种，即：基板侧的电极为透明电极，从基板侧取出光的底部发光方式，以及前述层结构上的电极为透明电极，从基板的相反侧取出光的底部发光方式。并且，显示区域中的有机EL元件的配置可以呈点矩阵状配置多个，也可以具有单个或多个规定大小的发光区域。显示区域中的有机EL元件的驱动方式可以是无源驱动方式和有源驱动方式中的任何一种，不作特别限定。并且，作为有机EL元件单体的结构，也可以采用使有机EL元件多个层叠的结构(SOLED；Stacked OLED(层叠OLED))、使电荷发生层介于阴极和阳极之间的结构(多光子(multiphoton)元件)，对其也不作特别限定。
以下示出具体的制造方法例。
前处理工序(S1；参照图7)
如图7(a)所示，准备在上面层叠了透明导电膜102A(ITO、IZO等)和金属导电膜104A(Cr、Al、Ag等)的基板101(玻璃、塑料等)(作为一例，基板101采用玻璃基板，透明导电膜102A采用ITO，金属导电膜104A采用Cr膜)。特别是，在使用具有碱性成分的玻璃基板的情况下，为使所含有的杂质元素(碱金属；Ca、Na等)不向表面浸透，使用在基板101的表面上成膜阻挡层101A(SiO2、TiO2等)的基板。
然后，如图7(b1)、(b2)所示(图7(b2)是图7(b1)的A-A剖面图)，针对具有阻挡层101A、透明导电膜102A以及金属导电膜104A的基板101，采用光刻法对金属导电膜104进行构图，形成与第1电极或第2电极连接的引出电极104。在图中，示出了多片基板(母板)的示例，在图7(b1)、(b2)中，引出电极104以外的基板104的表面处于透明导电膜102A露出的状态。
然后，采用光刻法对基板101上露出的透明导电膜102A进行构图，形成第1电极(阳极)102。此时，引出电极104的形成部分与引出电极104的形式一致地构图，形成在透明导电膜102A上层叠金属导电膜104A而成的引出电极104。并且，在此时的构图时，形成由透明导电膜102A构成的基准标记110。该基准标记110形成在显示区域M外，可以是2个或2个以上的标记，或者是具有方向性的标记形状，以该基准标记110为基准设定XY坐标。
之后，采用光刻法对感光性聚酰亚胺等的绝缘膜进行构图，使得在第1电极102上限定了发光区域的开口，从而指定了基板101上的有机EL元件的配置。并且，可以根据需要形成用于限定第2电极的间隔壁。之后，根据需要实施UV清洗工序，以去除基板101表面的有机物或水分。
成膜工序(S2)
把经过了前处理工序S1的基板101输送到蒸镀装置内，通过在基板101上设置图4(a)所示的成膜用掩模120，通过成膜用掩模120在基板101上对有机层和第2电极的图形进行成膜。在此时的成膜时，形成图4(b)所示的位置检测标记111的图形。
示出与有机层和第2电极的成膜相关的例子，例如，通过蒸镀使成为空穴注入层的CuPc等淀积50nm，然后，淀积50nm的4，4’-二[N-(1-萘基)-N-苯基]联苯(NPD)等作为空穴输送层。然后，在其上使用成膜用掩模120(参照图4(a))，在各成膜区域中对RGB各发光层进行分涂成膜。
具体地说，在基板101上设置具有B发光层的成膜图形和用于检测B发光层的成膜偏差的第1位置检测标记的成膜用掩模120，作为B发光层，在4，4’-二(2，2-二苯乙烯基)-联苯(DPVBi)的主材料中加入4，4’-二(2-咔唑次乙烯基)联苯(BCZVBi)作为1％重量百分比的掺杂剂而共蒸镀50nm。这样，在成膜区域内形成了B发光层的成膜图形，在成膜区域(显示区域)以外的区域内形成了由B发光层材料形成的第1位置检测标记。此时，第1位置检测标记的形状或数量可以是任意的。
然后，在基板101上设置具有G发光层的成膜图形和用于检测G发光层的成膜偏差的第2位置检测标记的成膜用掩模120，并蒸镀50nm的邻吡喃酮6作为G发光层。这样，在成膜区域内形成了G发光层的成膜图形，在成膜区域(显示区域)以外的区域内形成了由G发光层材料形成的第2位置检测标记。此时，第2位置检测标记的形状或数量可以是任意的。
并且，在基板101上设置具有R发光层的成膜图形和用于检测R发光层的成膜偏差的第3位置检测标记的成膜用掩模120，作为R发光层，在三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)的主材料中加入4-二氰基甲基-2-甲基-6-(对二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM)作为1％重量百分比的掺杂剂而共蒸镀50nm。这样，在成膜区域内形成了R发光层的成膜图形，在成膜区域(显示区域)以外的区域内形成了由R发光层材料形成的第3位置检测标记。此时，第3位置检测标记的形状或数量可以是任意的。
之后，蒸镀20nm的Alq3作为电子输送层，并且蒸镀150nm的铝(Al)作为第2电极(阴极)。
位置检测工序(S3)和检查工序(S4)
在前述成膜工序后，使用图5所示的摄像机130(CCD摄像机等)对基准标记110和第1～第3位置检测标记111进行拍摄，在图像处理装置131中对这样获得的图像数据进行图像处理。在此时的拍摄中，把卤素光源或LED光源等的可见光照射到基准标记110上，把UV光源的UV光照射到各位置检测标记111上。在UV光照射时，优选的是设置照射范围限制单元133，以使UV光不照射到显示区域内的有机EL元件上。
在图像处理装置131中，根据图像数据，以基准标记110的位置和方向性为基准设定XY坐标，使用该XY坐标，算出在图像上可以通过不同颜色识别的第1位置检测标记、第2位置检测标记、第3位置检测标记的各个坐标位置。然后，通过把该各个坐标位置和作为目标的坐标位置进行比较，判定有没有成膜位置偏差，进行成膜工序后的检查。
在该检查工序时，通过运算处理求出所算出的坐标位置和作为目标的坐标位置的比较，由此可进行高速且客观的检查，并可自动进行基于产品规格的质量管理。
密封工序
之后，把基板101从成膜工序后的真空气氛下搬入N2的惰性气体气氛下的密封室内。另一方面，把通过喷砂处理在表面设置了凹部、并在凹部内安置了干燥手段(SrO、CaO等)的玻璃密封基板运送到密封室内。然后，使用分配器等在玻璃密封基板上的规定位置上涂布适量混合(0.1～0.5％重量百分比左右)了具有1～300μm粒径的隔离体(优选的是玻璃或塑料制的隔离体)的紫外线硬化型环氧树脂制的粘接剂，使该玻璃密封基板和基板101通过前述粘接剂贴合，将紫外线从基板101侧或玻璃密封基板侧照射到粘接剂上使其硬化。这样，在基板101和玻璃密封基板之间的密闭空间内收纳显示区域，可将构成显示区域的有机EL元件与外部空气隔绝开。
如以上说明那样，根据本发明的实施方式，在基板101上的显示区域M内形成自发光元件的显示面板的制造方法中，可针对自发光元件的指定配置，通过图像处理判定所层叠的多个层的成膜区域是否是成膜不良，并可立即判断层叠的层中哪个层不良。并且，可以针对自发光元件的指定配置，同样通过图像处理判定各色分涂的层的成膜区域是否是成膜不良，可立即判断各色分涂的层中哪种颜色的层不良。这样，通过消除检查精度偏差，并提高检查作业速度，可实现显示面板的生产性的提高。

Claims (7)

1.一种显示面板的制造方法，在基板上的显示区域内形成自发光元件，其特征在于，具有：
前处理工序，在前述基板上的显示区域内指定前述自发光元件的配置，同时在前述显示区域以外的区域内形成指定了与前述配置的位置关系的基准标记；
成膜工序，通过成膜用掩模的开口图形对发光材料进行成膜，在前述显示区域内对前述自发光元件的构成要素进行成膜，同时在前述显示区域以外对各成膜的位置检测标记进行成膜；
位置检测工序，把可见光照射到前述基准标记上，并把紫外光照射到前述位置检测标记上，通过对拍摄前述基准标记和前述位置检测标记而获得的图像数据进行图像处理，检测前述位置检测标记相对于前述基准标记的位置；以及
检查工序，根据通过前述位置检测工序检测出的前述位置检测标记相对于前述基准标记的位置，判定前述构成要素的成膜状态相对于前述自发光元件的配置的好坏。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制造方法，其特征在于，前述位置检测工序设定以前述基准标记为基准的XY坐标，使用该XY坐标检测前述位置检测标记的坐标位置。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板的制造方法，其特征在于，
前述成膜工序对与前述自发光元件的发光色对应的不同颜色的多个位置检测标记进行成膜；
前述检查工序根据各位置检测标记的位置，针对各发光色的前述构成要素判定成膜状态的好坏。
4.根据权利要求1～3中的任何一项所述的显示面板的制造方法，其特征在于，在前述位置检测标记上对反射膜进行成膜，通过前述基板把前述紫外光照射到前述位置检测标记上。
5.根据权利要求4所述的显示面板的制造方法，其特征在于，前述反射膜由前述自发光元件的电极材料形成，在前述自发光元件的电极成膜时成膜。
6.根据权利要求1～5中的任何一项所述的显示面板的制造方法，其特征在于，具有：照射范围限制单元，其限制前述紫外光的照射范围。
7.根据权利要求1～6中的任何一项所述的显示面板的制造方法，其特征在于，前述自发光元件是有机电致发光元件。
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