JPS6153849B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6153849B2 JPS6153849B2 JP4658776A JP4658776A JPS6153849B2 JP S6153849 B2 JPS6153849 B2 JP S6153849B2 JP 4658776 A JP4658776 A JP 4658776A JP 4658776 A JP4658776 A JP 4658776A JP S6153849 B2 JPS6153849 B2 JP S6153849B2
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- Japan
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- resist
- wafer
- pattern
- ion
- workpiece
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- Expired
Links
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はイオンを用いた物理的エツチング法に
よるパターン作製方法に関するものである。
よるパターン作製方法に関するものである。
イオン加工によりパターンを作製する場合、通
常はレジストでマスクパターンを形成し、マスク
パターンで覆われていない被加工物部分に加速し
たイオンを照射することによりエツチングする。
しかるのちに、マスクパターンを除去し、あるい
はそのまゝでまたあるいは、その上に別の膜を形
成してパターンを完成する。
常はレジストでマスクパターンを形成し、マスク
パターンで覆われていない被加工物部分に加速し
たイオンを照射することによりエツチングする。
しかるのちに、マスクパターンを除去し、あるい
はそのまゝでまたあるいは、その上に別の膜を形
成してパターンを完成する。
この時マスクパターンはウエーハ上に回転塗布
した、レジストを露光、現像して作製する。
した、レジストを露光、現像して作製する。
レジストをウエーハ上に回転塗布する場合には
ウエーハ外周部に10分の数ミリから数ミリ程度の
幅でレジスト厚の大きい領域ができることは不可
避である。この領域ではレジスト厚が大きいため
現像してマスクパターンが完成した時点において
も、不要レジストが完全に除去されずに残留す
る。イオン加工後のレジストはイオン照射により
除去がやゝ困難になるが、特にウエーハ外周部に
おいてはレジスト厚が大きいため残留し易く、残
留したレジストは次の工程途上で破壊飛散してウ
エーハ上に拡がり欠陥発生の原因になり易いし、
また後工程での障害となり易い（たとえば該パタ
ーン上に別の膜を積層する場合に接着強度の低
下、突起、空隙の発生をもたらし易い）。
ウエーハ外周部に10分の数ミリから数ミリ程度の
幅でレジスト厚の大きい領域ができることは不可
避である。この領域ではレジスト厚が大きいため
現像してマスクパターンが完成した時点において
も、不要レジストが完全に除去されずに残留す
る。イオン加工後のレジストはイオン照射により
除去がやゝ困難になるが、特にウエーハ外周部に
おいてはレジスト厚が大きいため残留し易く、残
留したレジストは次の工程途上で破壊飛散してウ
エーハ上に拡がり欠陥発生の原因になり易いし、
また後工程での障害となり易い（たとえば該パタ
ーン上に別の膜を積層する場合に接着強度の低
下、突起、空隙の発生をもたらし易い）。
またイオン加工においては、試料台物質がイオ
ンではじき飛ばされてウエーハ側面に被着する。
ンではじき飛ばされてウエーハ側面に被着する。
かかる被着膜は後工程の途上でウエーハ側面か
ら剥離して、ウエーハ上にまわり込み、欠陥の発
生、素子性能の低下をもたらし易い。
ら剥離して、ウエーハ上にまわり込み、欠陥の発
生、素子性能の低下をもたらし易い。
本発明は、イオン加工の際ウエーハ外周部を遮
蔽することによつて上述の諸問題点の解決を図つ
たパターン作製方法である。
蔽することによつて上述の諸問題点の解決を図つ
たパターン作製方法である。
以下、本発明を実施例を用いて詳しく説明す
る。厚さ400μｍのシリコン基板上に0.4μｍ厚の
パーマロイ膜を蒸着し、その上に通常のホトリソ
グラフイの方法によりホトレジスト（たとえばシ
プレイ社のAZ1350Jレジスト）で厚さ１μｍのマ
スクパターンを形成した。このウエーハをイオン
ミリング装置の試料台にセツトし、第１図に示す
ような治具でその外周部を覆つてイオンミリング
を行なつてパーマロイパターンを形成した。この
時用いたイオンミリング条件はイオンエネルギ
0.6keV、イオン電流密度0.5mA/cm2、Arガス圧力
５×10-5Torr、イオンミリング時間20分であ
る。しかる後に、プラズマアツシヤにより残留レ
ジストを除去し、洗浄した後、表面にSiO2膜を
スパツタしてパターンを完成した。このようにし
てパターンを形成した場合には、従来法ではレジ
ストが残留し易かつたウエーハ外周部にも全くレ
ジスト残りをなくすことができた。またウエーハ
側面へ試料台物質が付着することも完全に防止で
きた。したがつて、パーマロイパターン面と
SiO2膜の間に異物が混入して、両者間に空隙を
生じたり、SiO2膜表面に突起を生じる頻度を著
しく低減することができた。
る。厚さ400μｍのシリコン基板上に0.4μｍ厚の
パーマロイ膜を蒸着し、その上に通常のホトリソ
グラフイの方法によりホトレジスト（たとえばシ
プレイ社のAZ1350Jレジスト）で厚さ１μｍのマ
スクパターンを形成した。このウエーハをイオン
ミリング装置の試料台にセツトし、第１図に示す
ような治具でその外周部を覆つてイオンミリング
を行なつてパーマロイパターンを形成した。この
時用いたイオンミリング条件はイオンエネルギ
0.6keV、イオン電流密度0.5mA/cm2、Arガス圧力
５×10-5Torr、イオンミリング時間20分であ
る。しかる後に、プラズマアツシヤにより残留レ
ジストを除去し、洗浄した後、表面にSiO2膜を
スパツタしてパターンを完成した。このようにし
てパターンを形成した場合には、従来法ではレジ
ストが残留し易かつたウエーハ外周部にも全くレ
ジスト残りをなくすことができた。またウエーハ
側面へ試料台物質が付着することも完全に防止で
きた。したがつて、パーマロイパターン面と
SiO2膜の間に異物が混入して、両者間に空隙を
生じたり、SiO2膜表面に突起を生じる頻度を著
しく低減することができた。
ここではパーマロイパターンを形成し、その上
にSiO2膜をスパツタする場合を例に取つたが、
本発明の効果はパターンを形成する膜、積層する
膜の種類によらないことを確めた。またレジスト
の種類にもよらず、電子線描画した電子線レジス
ト（たとえば、PMMA：poly（methy
methacrylate）、PGMA：poly（glycidyl
methacrylate−coethl acrylate））に対しても同
様に有効であつた。さらに加工方法もイオンミリ
ングのみならず、スパツタエツチングなど他のイ
オンを用いた物理的エツチング法においても有効
であることを確かめた。
にSiO2膜をスパツタする場合を例に取つたが、
本発明の効果はパターンを形成する膜、積層する
膜の種類によらないことを確めた。またレジスト
の種類にもよらず、電子線描画した電子線レジス
ト（たとえば、PMMA：poly（methy
methacrylate）、PGMA：poly（glycidyl
methacrylate−coethl acrylate））に対しても同
様に有効であつた。さらに加工方法もイオンミリ
ングのみならず、スパツタエツチングなど他のイ
オンを用いた物理的エツチング法においても有効
であることを確かめた。
以上説明した如く、イオン加工の際レジストの
マスクパターンを有するウエーハ外周部を遮蔽す
ることにより、異物、欠陥が少なく、また後工程
への障害の少ないパターン作製法を提供できる。
マスクパターンを有するウエーハ外周部を遮蔽す
ることにより、異物、欠陥が少なく、また後工程
への障害の少ないパターン作製法を提供できる。
第１図はウエーハ外周部を治具で覆つた状態の
断面図、第２図はその平面図である。
断面図、第２図はその平面図である。
Claims (1)
- １ 被加工物上に形成された所望の形状を有する
レジストパターンをマスクに用い、イオンミリン
グによつて上記被加工物を加工する方法におい
て、上記イオンミリングは、上記被加工物の外周
部の表面および側面を覆い、上記表面へのイオン
の照射と上記側面への試料台物質の被着を防止し
て行なわれることを特徴とするパターン作製方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4658776A JPS52130288A (en) | 1976-04-26 | 1976-04-26 | Patterning method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4658776A JPS52130288A (en) | 1976-04-26 | 1976-04-26 | Patterning method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52130288A JPS52130288A (en) | 1977-11-01 |
| JPS6153849B2 true JPS6153849B2 (ja) | 1986-11-19 |
Family
ID=12751418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4658776A Granted JPS52130288A (en) | 1976-04-26 | 1976-04-26 | Patterning method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS52130288A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS554937A (en) * | 1978-06-27 | 1980-01-14 | Fujitsu Ltd | Dry etching method |
| JPS6042832A (ja) * | 1983-08-18 | 1985-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | イオンビ−ム装置 |
-
1976
- 1976-04-26 JP JP4658776A patent/JPS52130288A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52130288A (en) | 1977-11-01 |
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