JP6318922B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1の形態は、
半導体基板上に電極を備える半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板の第1の面にモノエタノールアミンを含むアルカリ性液体の層を形成する第1の工程と、
前記第1の工程後、化学増幅型ネガレジストを用いて、前記アルカリ性液体の層の上にレジストパターンを形成する第2の工程と、
前記第2の工程後、前記第1の面に電極を形成する第3の工程と、
前記第3の工程後、前記レジストパターンを除去する工程と、を備え、
前記アルカリ性液体の沸点は、レジストパターン形成時の熱処理温度以上である、半導体装置の製造方法である。また、本発明は以下の形態として実現することもできる。
A−1.半導体装置の構成
図1は、第1実施形態における半導体装置100の構成を模式的に示す断面図である。図1には、相互に直交するXYZ軸が図示されている。
図2は、半導体装置100の製造方法を示す工程図である。半導体装置100を製造する際には、まず、製造者は、工程P100において、半導体基板10を用意し、半導体基板10の表面に付着した異物等を取り除くため、有機溶剤(アセトンなど)や酸により洗浄を行なう。
本発明は、上述の実施形態や実施例、変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部または全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部または全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。
15…第1の面
20…アルカリ層
30…レジスト層
30a…感光部
30b…非感光部
60…電極層
100…半導体装置
Claims (2)
- 半導体基板上に電極を備える半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板の第1の面にモノエタノールアミンを含むアルカリ性液体の層を形成する第1の工程と、
前記第1の工程後、化学増幅型ネガレジストを用いて、前記アルカリ性液体の層の上にレジストパターンを形成する第2の工程と、
前記第2の工程後、前記第1の面に電極を形成する第3の工程と、
前記第3の工程後、前記レジストパターンを除去する工程と、を備え、
前記アルカリ性液体の沸点は、レジストパターン形成時の熱処理温度以上である、半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板は、窒化ガリウムから形成されている、半導体装置の製造方法。
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