JPS5931976B2 - リフトオフ法 - Google Patents
リフトオフ法Info
- Publication number
- JPS5931976B2 JPS5931976B2 JP51156232A JP15623276A JPS5931976B2 JP S5931976 B2 JPS5931976 B2 JP S5931976B2 JP 51156232 A JP51156232 A JP 51156232A JP 15623276 A JP15623276 A JP 15623276A JP S5931976 B2 JPS5931976 B2 JP S5931976B2
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- substrate
- thin film
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- Expired
Links
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Landscapes
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Thyristors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はリフトオフ法に関する。
従来リフトオフ法は基板１上にレジスト２を選択的に設
け、さらに薄膜３例えば金属膜を設けたのち、前記レジ
スト２の溶解を剥離剤例えばアセトンにより行つてレジ
スト２および該レジスト２の薄膜３を除去していた。
け、さらに薄膜３例えば金属膜を設けたのち、前記レジ
スト２の溶解を剥離剤例えばアセトンにより行つてレジ
スト２および該レジスト２の薄膜３を除去していた。
しかしながらこのような従来のリフトオフ法ではレジス
ト２の除去が良好に行うことができず、必ず部分的に残
つてしまう欠点があつた。本発明は上記欠点に鑑みなさ
れたもので、良好にリフトオフできるリフトオフ法を提
供するものである。
ト２の除去が良好に行うことができず、必ず部分的に残
つてしまう欠点があつた。本発明は上記欠点に鑑みなさ
れたもので、良好にリフトオフできるリフトオフ法を提
供するものである。
即ち、透明基板上にポジ形のレジストのパターンを形成
し、該レジストおよび前記透明基板上に薄膜を形成し、
しかるのち前記透明基板側から前記ポジ形のレジストの
感光波長領域の光を入射させてレジスト膨張させたのち
リフトオフするリフトオフ法を得るものである。
し、該レジストおよび前記透明基板上に薄膜を形成し、
しかるのち前記透明基板側から前記ポジ形のレジストの
感光波長領域の光を入射させてレジスト膨張させたのち
リフトオフするリフトオフ法を得るものである。
次に本発明方法を用いて弾性表面波装置の圧電体基板上
にインターディジタル電極を形成する場合に適用した実
施例を説明する。
にインターディジタル電極を形成する場合に適用した実
施例を説明する。
透明基板例えば厚さＯ、２ｍｍ（７）ＬｉＴａＯ３基板
２１上にポジ形のレジスト２２例えばキノンジアザイド
系レジストのＡＺ１３５０Ｊ（商品名）を形成し、該レ
ジスト２２に所望のパターン即ちインターディジタル電
極の露光を行う。この露光後、現像を行つて基板２１上
にレジスト２２のパターンを形成する。しかるのち、該
レジスト２２および前記基板２１上に薄膜例えばクロー
ム層２３を厚さ例えば５００人形成する。該クローム層
２３上にさらにアルミニウム層２４を厚さ例えば１μ形
成する。次に基板２１側から光２５を照射する。この光
２５は前記ポジ形のレジストであるＡＺ１３５０Ｊ（商
品名）の感光波長領域の光例えば水銀灯の光を例えば７
０秒露光する。この露光により水銀灯からの光は透明基
板２１であるＬｉＴａＯ３を通過し、ポジ形のレジスト
２２であるＡＺ１３５０Ｊ（商品名）に入射し、薄膜で
ある金属層２３、２４の形成されているレジスト２２は
微細なふくれを生じ、基板２１とレジスト２２の間の付
着力が極めて弱くなつたり、空隙が生じたりすることを
見出した。このレジスト２２を現像液により溶解すると
極めて良好にレジスト２２及びレジスト２２上の薄膜２
３，２４をリフトオフできる。
２１上にポジ形のレジスト２２例えばキノンジアザイド
系レジストのＡＺ１３５０Ｊ（商品名）を形成し、該レ
ジスト２２に所望のパターン即ちインターディジタル電
極の露光を行う。この露光後、現像を行つて基板２１上
にレジスト２２のパターンを形成する。しかるのち、該
レジスト２２および前記基板２１上に薄膜例えばクロー
ム層２３を厚さ例えば５００人形成する。該クローム層
２３上にさらにアルミニウム層２４を厚さ例えば１μ形
成する。次に基板２１側から光２５を照射する。この光
２５は前記ポジ形のレジストであるＡＺ１３５０Ｊ（商
品名）の感光波長領域の光例えば水銀灯の光を例えば７
０秒露光する。この露光により水銀灯からの光は透明基
板２１であるＬｉＴａＯ３を通過し、ポジ形のレジスト
２２であるＡＺ１３５０Ｊ（商品名）に入射し、薄膜で
ある金属層２３、２４の形成されているレジスト２２は
微細なふくれを生じ、基板２１とレジスト２２の間の付
着力が極めて弱くなつたり、空隙が生じたりすることを
見出した。このレジスト２２を現像液により溶解すると
極めて良好にレジスト２２及びレジスト２２上の薄膜２
３，２４をリフトオフできる。
このレジストの溶解を行う場合、現像液中で超音波を与
えても良く、また現像液を直接スプレーしても良い。こ
のようにして、基板２１上には微細なインターデイジタ
ル電極が形成される。これにより１μのＰＥＰが可能で
ある。上記実施例では透明基板としてＬｉＴａＯ３を用
いた例について説明したが、ＬｉＮｂＯ３や水晶、ガラ
ス基板、ガラス基板上にＺｎＯ膜を設けたものの他、さ
らに半導体や酸化膜、窒化膜などの絶縁体など透明であ
れば何れでも良い。
えても良く、また現像液を直接スプレーしても良い。こ
のようにして、基板２１上には微細なインターデイジタ
ル電極が形成される。これにより１μのＰＥＰが可能で
ある。上記実施例では透明基板としてＬｉＴａＯ３を用
いた例について説明したが、ＬｉＮｂＯ３や水晶、ガラ
ス基板、ガラス基板上にＺｎＯ膜を設けたものの他、さ
らに半導体や酸化膜、窒化膜などの絶縁体など透明であ
れば何れでも良い。
さらに上記実施例では薄膜として金属膜について説明し
たが、その他半導体でも、絶縁体でも良い。
たが、その他半導体でも、絶縁体でも良い。
第１図は従来のリフトオフ法を説明するための図、第２
図は本発明法の実施例を説明するための図である。 ２１・・・・・・透明基板、２２・・・・・・ポジ形の
レジスト、２３，２４・・・・・・金属膜、２５・・・
・・・照射光。
図は本発明法の実施例を説明するための図である。 ２１・・・・・・透明基板、２２・・・・・・ポジ形の
レジスト、２３，２４・・・・・・金属膜、２５・・・
・・・照射光。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明基板上にポジ形のレジストのパターンを形成す
る第１工程と、前記ポジレジストおよび前記透明基板上
に薄膜を形成する第２工程と、前記透明基板側から前記
ポジ形のレジストの感光波長領域の光を入射させて前記
レジストを膨張させたのちリフトオフする第３工程とを
具備してなることを特徴とするリフトオフ法。 ２ 前記薄膜は金属又は半導体又は絶縁体である特許請
求の範囲第１項記載のリフトオフ法。 ３ 前記ポジレジストはキノンジアザイド系レジストで
ある特許請求の範囲第１項記載のリフトオフ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51156232A JPS5931976B2 (ja) | 1976-12-27 | 1976-12-27 | リフトオフ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51156232A JPS5931976B2 (ja) | 1976-12-27 | 1976-12-27 | リフトオフ法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5380994A JPS5380994A (en) | 1978-07-17 |
| JPS5931976B2 true JPS5931976B2 (ja) | 1984-08-06 |
Family
ID=15623246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51156232A Expired JPS5931976B2 (ja) | 1976-12-27 | 1976-12-27 | リフトオフ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5931976B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54109776A (en) * | 1978-02-16 | 1979-08-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film forming method for transparent substrate |
| JPS5624951A (en) * | 1979-08-07 | 1981-03-10 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS574139A (en) * | 1980-06-11 | 1982-01-09 | Toshiba Corp | Semiconductor device and manufacturing process therefor |
-
1976
- 1976-12-27 JP JP51156232A patent/JPS5931976B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5380994A (en) | 1978-07-17 |
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