JP2008252770A - 基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板の製造方法において、少なくとも、基板に金属膜を形成する金属膜形成工程と、前記金属膜上に電着レジストを塗布するレジスト塗布工程と、前記金属膜および前記電着レジストが形成された前記基板を水に浸漬し、前記電着レジストに水分を吸収させるレジスト吸水工程と、前記レジスト吸水工程の後、前記電着レジストを露光、現像し、前記電着レジストを任意の形状にパターニングするレジストパターニング工程と、前記レジストパターニング工程で任意の形状にパターニングされた前記電着レジストをマスクとして、前記金属膜をエッチングする金属膜パターニング工程とを有する基板の製造方法とする。
【選択図】図1
Description
本発明は上記課題を解決するためのものであり、電着レジストの吸水工程を短縮することができる基板の製造方法を提供するものである。
少なくとも、
基板に金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記金属膜上に電着レジストを塗布するレジスト塗布工程と、
前記金属膜および前記電着レジストが形成された前記基板を水に浸漬し、前記電着レジストに水分を吸収させるレジスト吸水工程と、
前記レジスト吸水工程の後、前記電着レジストを露光、現像し、前記電着レジストを任意の形状にパターニングするレジストパターニング工程と、
前記レジストパターニング工程で任意の形状にパターニングされた前記電着レジストをマスクとして、前記金属膜をエッチングする金属膜パターニング工程と、
を有する基板の製造方法とする。
前記電着レジストが形成された前記基板を水に浸漬した後、前記基板が浸漬される水がおかれた雰囲気を大気圧より減圧し、その後前記雰囲気を大気圧に戻す基板の製造方法とする。
前記電着レジストが形成された前記基板を浸漬する水がおかれた雰囲気を大気圧より減圧した後、前記基板を水に浸漬し、その後前記雰囲気を大気圧に戻す基板の製造方法とする。
本発明の実施例においては、基板として水晶基板に配線パターンが施された水晶振動子を例とし、基板の製造方法を説明する。図1は本発明に係る基板の製造方法のレジスト吸水工程を示す図であり、図2は本発明に係る基板の製造方法を示す図、図3は水晶振動子を示す図である。なお、図2では、図3の水晶振動子10のA−A断面図を使い配線基板の製造方法を示している。
水晶振動子10は以下の工程により製造される。
(1)金属膜形成工程
水晶振動子10の外形形状に加工された水晶基板12の表面に、下地層としてCrを200Å、表面層としてAuを1000Åからなる金属膜13をスパッタ等の手段により形成しする(図2(a))。
(2)レジスト形成工程
水晶基板12の表面に形成した金属膜13の表面に電着レジスト14を形成する(図2(b))。ここでは、電着レジスト14としてローム・アンド・ハース電子材料(株)のPEPR2400を使用した。
電着レジスト14を形成した水晶基板12を、水槽15に入れられた純水16に完全に浸るように浸漬する(図1(a))。この後、水槽15内の雰囲気を大気圧下から減圧する(図1(b))。次いで、水槽15内の雰囲気を大気圧に戻す(図1(c))。ここでは水晶基板12を純水16に浸漬した状態で水槽15内を減圧しているが、水槽15内を減圧した後に、水晶基板12を純水16に浸漬させても良い。その後、電着レジスト14表面に付着した水を遠心乾燥機などにより表面から取り除く。
電着レジスト14を純水16に浸漬させることで多湿雰囲気下に電着レジスト14を放置しておく従来の製造方法よりも短時間で電着レジスト14へ水分を浸透させることができる。電着レジストの浸漬時間としては例えば30min程度行えば良い。
さらに、本実施例では、一度減圧した水槽15内の雰囲気を、再び大気圧に戻す(減圧状態から加圧する)ことにより、電着レジスト14への水分の浸透速度を上げることができ、より短時間で電着レジスト14へ水分を浸透させることが可能となる。
電着レジスト14に配線パターン11に対応したマスクを用い、電着レジストを露光する。その後、電着レジスト14を現像する(図2(c))。
(5)金属膜パターニング工程
レジストパターニング工程にて、配線パターン11にパターニングされた電着レジスト14をマスクとし、表面に露出した金属膜13をエッチングにより除去することにより、金属膜13を配線パターン11の形状にパターニングする(図2(d))。この工程により、水晶基板12上には金属膜13が水晶振動子10の配線パターン11として残り、最後に、金属膜13上に残存した電着レジスト14を除去し、水晶振動子10が完成する(図2(e))。
上記(4)レジストパターニング工程において、電着レジスト14を配線パターン11に対応したマスクを用い電着レジスト14をパターニングする代わりに、任意の基板外形形状に対応したマスクを用い電着レジスト14をパターニングし、その後、(5)金属膜パターニング工程において、任意の基板外形形状にパターニングされた電着レジスト14をマスクとし、金属膜13をパターニングする。その後、パターニングされた金属膜13をマスクとし、水晶基板12を所定時間エッチングする(基板外形加工工程)を行うことで、水晶基板12の外形を加工することが可能である。
11 配線パターン
12 水晶基板
13 金属膜
14 電着レジスト
15 水槽
16 純水
Claims (6)
- 基板の製造方法において、
少なくとも、
基板に金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記金属膜上に電着レジストを塗布するレジスト塗布工程と、
前記金属膜および前記電着レジストが形成された前記基板を水に浸漬し、前記電着レジストに水分を吸収させるレジスト吸水工程と、
前記レジスト吸水工程の後、前記電着レジストを露光、現像し、前記電着レジストを任意の形状にパターニングするレジストパターニング工程と、
前記レジストパターニング工程で任意の形状にパターニングされた前記電着レジストをマスクとして、前記金属膜をエッチングする金属膜パターニング工程と、
を有することを特徴とする基板の製造方法。 - 前記レジスト吸水工程において、
前記電着レジストが形成された前記基板を水に浸漬した後、前記基板が浸漬される水がおかれた雰囲気を大気圧より減圧し、その後前記雰囲気を大気圧に戻すことを特徴とする請求項1に記載の基板の製造方法。 - 前記レジスト吸水工程において、
前記電着レジストが形成された前記基板を浸漬する水がおかれた雰囲気を大気圧より減圧した後、前記基板を水に浸漬し、その後前記雰囲気を大気圧に戻すことを特徴とする請求項1に記載の基板の製造方法。 - 前記金属膜パターニング工程後に、前記基板に残存した金属膜をマスクとして、前記基板をエッチングし、前記基板の外形を加工する基板外形加工工程を有することを特徴とする請求項1〜3に記載の基板の製造方法。
- 前記金属膜パターニング工程において任意の形状にパターニングされた前記金属膜が、配線パターンであることを特徴とする請求項1〜4に記載の基板の製造方法。
- 前記基板が水晶基板であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の基板の製造方法。
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JP2010256452A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | マイクロメカニカル構造体の作製方法 |
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02302092A (ja) * | 1989-05-16 | 1990-12-14 | Kansai Paint Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
JPH05110227A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Matsushita Electric Works Ltd | プリント配線板の製造方法 |
JP2000082930A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-03-21 | Kinseki Ltd | レジスト膜及びそれを用いた圧電素子の製造方法 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02302092A (ja) * | 1989-05-16 | 1990-12-14 | Kansai Paint Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
JPH05110227A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Matsushita Electric Works Ltd | プリント配線板の製造方法 |
JP2000082930A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-03-21 | Kinseki Ltd | レジスト膜及びそれを用いた圧電素子の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010256452A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | マイクロメカニカル構造体の作製方法 |
JP2016216757A (ja) * | 2015-05-14 | 2016-12-22 | アルプス電気株式会社 | 導電体層分離方法および回路体製造方法 |
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