JP5254049B2 - パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
Claims (12)
- 基板上の被エッチング層をエッチングするマスクとなる所定形状のパターンを形成するパターン形成方法であって、
フォトレジストからなる第1マスク材層をパターニングして、複数の同一パターンが所定間隔で形成された繰り返しパターン部と、前記繰り返しパターン部の周辺に形成された周辺回路パターン部とを有する第1パターンを形成する第1パターン形成工程と、
前記フォトレジストと選択的に除去可能な材料からなる境界層を前記第1パターンの側壁部及び頂部に形成する境界層形成工程と、
前記境界層を選択的に除去可能なフォトレジストからなる第2マスク材層を、前記境界層の表面を覆うように形成する第2マスク材層形成工程と、
前記境界層の頂部が露出するように前記第2マスク材層の一部を除去する第2マスク材除去工程と、
前記境界層をエッチングして除去し、前記第1パターンの側壁部と前記第2マスク材層との間に空隙を形成して前記第2マスク材層からなる第2パターンを形成する境界層エッチング工程と、
前記第1パターン及び第2パターンの幅を減少させて所定幅とするトリミング工程と
を具備し、さらに、
前記第2マスク材除去工程と、前記境界層エッチング工程との間に、
前記第2マスク材層及び前記境界層の上に、前記フォトレジストと選択的に除去可能な材料からなる第2境界層を形成する第2境界層形成工程と、
前記第2境界層の上に所定パターンとされたフォトレジストからなる第3マスク材層を形成する第3マスク材層形成工程と、
前記第3マスク材層をマスクとして前記第2境界層を所定のパターンにエッチングし、この所定のパターンの前記第2境界層をマスクとして、前記第2マスク材層をエッチングするエッチング工程と
を具備したことを特徴とするパターン形成方法。 - 基板上の被エッチング層をエッチングするマスクとなる所定形状のパターンを形成するパターン形成方法であって、
フォトレジストからなる第1マスク材層をパターニングして、複数の同一パターンが所定間隔で形成された繰り返しパターン部と、前記繰り返しパターン部の周辺に形成された周辺回路パターン部とを有する第1パターンを形成する第1パターン形成工程と、
前記フォトレジストと選択的に除去可能な材料からなる境界層を前記第1パターンの側壁部及び頂部に形成する境界層形成工程と、
前記境界層を選択的に除去可能なフォトレジストからなる第2マスク材層を、前記境界層の頂部が露出した状態で形成する第2マスク材層形成工程と、
前記境界層をエッチングして除去し、前記第1パターンの側壁部と前記第2マスク材層との間に空隙を形成して前記第2マスク材層からなる第2パターンを形成する境界層エッチング工程と、
前記第1パターン及び第2パターンの幅を減少させて所定幅とするトリミング工程とを具備し、さらに、
前記第2マスク材層形成工程と、前記境界層エッチング工程との間に、
前記第2マスク材層及び前記境界層の上に、前記フォトレジストと選択的に除去可能な材料からなる第2境界層を形成する第2境界層形成工程と、
前記第2境界層の上に所定パターンとされたフォトレジストからなる第3マスク材層を形成する第3マスク材層形成工程と、
前記第3マスク材層をマスクとして前記第2境界層を所定のパターンにエッチングし、この所定のパターンの前記第2境界層をマスクとして、前記第2マスク材層をエッチングするエッチング工程と
を具備したことを特徴とするパターン形成方法。 - 請求項2記載のパターン形成方法であって、
前記第2マスク材層に対する前記境界層の濡れ性が低くなるように、前記第2マスク材層と前記境界層の材質を選択する
ことを特徴とするパターン形成方法。 - 請求項3記載のパターン形成方法であって、
前記第2マスク材層と前記境界層を、極性の異なる材料とした
ことを特徴とするパターン形成方法。 - 請求項1〜4いずれか1項記載のパターン形成方法であって、
前記境界層をCVDによる成膜により形成することを特徴とするパターン形成方法。 - 請求項1〜4いずれか1項記載のパターン形成方法であって、
前記境界層を、前記第1パターンの側壁部及び頂部を変質させることによって形成することを特徴とするパターン形成方法。 - 基板上の被エッチング層をマスクを介してエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法であって、
フォトレジストからなる第1マスク材層をパターニングして、複数の同一パターンが所定間隔で形成された繰り返しパターン部と、前記繰り返しパターン部の周辺に形成された周辺回路パターン部とを有する第1パターンを形成する第1パターン形成工程と、
前記フォトレジストと選択的に除去可能な材料からなる境界層を前記第1パターンの側壁部及び頂部に形成する境界層形成工程と、
前記境界層を選択的に除去可能なフォトレジストからなる第2マスク材層を、前記境界層の表面を覆うように形成する第2マスク材層形成工程と、
前記境界層の頂部が露出するように前記第2マスク材層の一部を除去する第2マスク材除去工程と、
前記境界層をエッチングして除去し、前記第1パターンの側壁部と前記第2マスク材層との間に空隙を形成して前記第2マスク材層からなる第2パターンを形成する境界層エッチング工程と、
前記第1パターン及び第2パターンの幅を減少させて所定幅とするトリミング工程と
を具備し、さらに、
前記第2マスク材除去工程と、前記境界層エッチング工程との間に、
前記第2マスク材層及び前記境界層の上に、前記フォトレジストと選択的に除去可能な材料からなる第2境界層を形成する第2境界層形成工程と、
前記第2境界層の上に所定パターンとされたフォトレジストからなる第3マスク材層を形成する第3マスク材層形成工程と、
前記第3マスク材層をマスクとして前記第2境界層を所定のパターンにエッチングし、この所定のパターンの前記第2境界層をマスクとして、前記第2マスク材層の不要部分をエッチングするエッチング工程と
を具備したパターン形成方法によって前記マスクが形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板上の被エッチング層をマスクを介してエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法であって、
フォトレジストからなる第1マスク材層をパターニングして、複数の同一パターンが所定間隔で形成された繰り返しパターン部と、前記繰り返しパターン部の周辺に形成された周辺回路パターン部とを有する第1パターンを形成する第1パターン形成工程と、
前記フォトレジストと選択的に除去可能な材料からなる境界層を前記第1パターンの側壁部及び頂部に形成する境界層形成工程と、
前記境界層を選択的に除去可能なフォトレジストからなる第2マスク材層を、前記境界層の頂部が露出した状態で形成する第2マスク材層形成工程と、
前記境界層をエッチングして除去し、前記第1パターンの側壁部と前記第2マスク材層との間に空隙を形成して前記第2マスク材層からなる第2パターンを形成する境界層エッチング工程と、
前記第1パターン及び第2パターンの幅を減少させて所定幅とするトリミング工程と
を具備し、さらに、
前記第2マスク材層形成工程と、前記境界層エッチング工程との間に、
前記第2マスク材層及び前記境界層の上に、前記フォトレジストと選択的に除去可能な材料からなる第2境界層を形成する第2境界層形成工程と、
前記第2境界層の上に所定パターンとされたフォトレジストからなる第3マスク材層を形成する第3マスク材層形成工程と、
前記第3マスク材層をマスクとして前記第2境界層を所定のパターンにエッチングし、この所定のパターンの前記第2境界層をマスクとして、前記第2マスク材層をエッチングするエッチング工程と
を具備したパターン形成方法によって前記マスクが形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第2マスク材層に対する前記境界層の濡れ性が低くなるように、前記第2マスク材層と前記境界層の材質を選択する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項9記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第2マスク材層と前記境界層を、極性の異なる材料とした
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項7〜10いずれか1項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記境界層をCVDによる成膜により形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項7〜10いずれか1項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記境界層を、前記第1パターンの側壁部及び頂部を変質させることによって形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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