KR940005279B1 - 엑스선 노광장치용 마스크 제조방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

엑스선 노광장치용 마스크 제조방법

제1도는 종래의 공정 단면도.

제2도는 본 발명의 공정 단면도 .

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

11 : 순수 규소 박막 12 : 다결정 규소막

13 : 금 14 : 레지스트

본 발명은 엑스선 노광장치용 마스크 제조방법에 관한 것으로 특히 멤브레인(엑스선이 투과하는 부분)의 두께가 4∼5㎛를 가질 때 배면 순수 규소 박판의 식각 종점을 명확히 조절할 수 있도록 한 것이다.

종래에는 제1도(A)에 도시된 바와 같이 규소 기판(1)에 흡수층으로 사용하기 위해 금(2)을 형성하고 패터닝(Patterning) 하였으며 (B)와 같이 배면 식각을 위하여 레지스트(3)로 패턴을 형성하였다.

그리고 (C)와 같이 규소 기판(1)을 두께가 4∼5㎛될때까지 건식 또는 습식 식각한 후 (D)와 같이 배면의 레지스트(3)를 제거하였다.

그러나, 상기와 같은 종래의 방법에 있어서는 균일한 규소 기판(1)을 식각할 때 시간측정에 의한 식각 종점(남는 부분이 4∼5㎛되는)을 정하기가 어려운 문제가 있었다.

본 발명은 이와같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로 다결정 규소막을 4∼5㎛정도 형성하고 이를 배면 규소 박막 식각시 시각종점으로 이용하여 엑스선 노광장치용 마스크를 제조하는데 그 목적이 있다.

이하에서 이와같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 제2도에 의해 상세히 설명하면 다음과 같다.

먼저 (A)와 같이 순수 규소 박막(11)에 다결정 규소막(12)을 증기증착법으로 4∼5㎛정도 증착하고 (C)와 같이 다결정 규소막(12)위에 금(13)을 형성한 후 패터닝하는데 이때의 패턴은 배면 식각을 위하여 형성되어 식각된 레지스트(14)의 식각된 부분에만 이루어지게 한다.

또한, 상기 다결정 규소막(12) 대신에 질화규소막을 사용할 수 있다. 다음에 (C)와 같이 건식 또는 습식 식각으로 다결정 규소막(12)이 나올때까지 배면 식각을 하며, 이때 다결정 규소나 순수 규소와의 식각 선택비에 의해 완전히 다결정 규소막(12)이 나타나며 식각이 완료된 것이다. 이후 (D)와 같이 순수 규소 박막(11)식각시 마스크로 이용한 레지스트(14)를 제거한다.

또한, 본 발명은 이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 의하면 다결정 규소와 순수 규소와의 식각 선택비 차이에 의해 규소박막의 배면 식각시 식각시간 의존성 없이 균일하게 식각할 수 있어 종래의 마스크 제조시 흔히 발생하는 과식각 또는 부족식각등의 문제를 해결할 수 있는 효과가 있다.

Claims (2)

1. 순수 규소 박막위에만 다결정 규소막을 증기 증착법으로 4∼5㎛ 증착하는 공정과, 상기 다결정 규소막위에 금을 형성하는 패터닝하는 공정과, 상기 순수 규소 박막 배면에 레지스트를 형성하고 금 패턴이 형성된 영역만 노출되도록 레지스트를 패터닝하여 상기 순수 규소 박막을 상기 다결정 규소막까지 식각하고 레지스트를 제거하는 공정을 차례로 실시하여서 이루어짐을 특징으로 하는 엑스선 노광장치용 마스크 제조 방법.
2. 제1항에 있어서, 순수 규소 박막위에 다결정 실리콘 대신 질화규소막을 4∼5㎛ 증착함을 특징으로 하는 엑스선 노광장치용 마스크 제조방법.

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