KR920015427A - 엑스선 노광장치용 마스크 제조방법 - Google Patents
엑스선 노광장치용 마스크 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR920015427A KR920015427A KR1019910000291A KR910000291A KR920015427A KR 920015427 A KR920015427 A KR 920015427A KR 1019910000291 A KR1019910000291 A KR 1019910000291A KR 910000291 A KR910000291 A KR 910000291A KR 920015427 A KR920015427 A KR 920015427A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- exposure apparatus
- ray exposure
- film
- thin film
- silicon thin
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 공정단면도.
Claims (2)
- 순수 규소 박막에 다결정 규소막을 증기 증착법으로 4~5μm증착하는 공정과, 상기 다결정 규소막위에 금을 형성하여 패터닝하는 공정과, 상기 순수 규소 박막 배면에 레지스트를 형성하여 식각한 후 상기 순수 규소 박막을 상기 다결정 규소막까지 식각하고 레지스트를 제거하는 공정을 차례로 실시하여서 이루어짐을 특징으로 하는 엑스선 노광 장치용 마스크 제조방법.
- 제1항에 있어서, 순수 규소 박막위에 질화규소막을 4~5μm증착함을 특징으로 하는 엑스선 노광 장치용 마스크 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910000291A KR940005279B1 (ko) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 엑스선 노광장치용 마스크 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910000291A KR940005279B1 (ko) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 엑스선 노광장치용 마스크 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR920015427A true KR920015427A (ko) | 1992-08-26 |
KR940005279B1 KR940005279B1 (ko) | 1994-06-15 |
Family
ID=19309621
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910000291A KR940005279B1 (ko) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 엑스선 노광장치용 마스크 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR940005279B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100310541B1 (ko) * | 1998-09-21 | 2001-11-15 | 박종섭 | 스텐실 마스크 |
-
1991
- 1991-01-10 KR KR1019910000291A patent/KR940005279B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100310541B1 (ko) * | 1998-09-21 | 2001-11-15 | 박종섭 | 스텐실 마스크 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR940005279B1 (ko) | 1994-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR950033661A (ko) | 얇은 위상전이 마스크 | |
KR970024021A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법(method of manufacturing a semiconductor device) | |
TW350144B (en) | Process for fabricating an X-ray absorbing mask | |
KR890007364A (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
KR920015427A (ko) | 엑스선 노광장치용 마스크 제조방법 | |
KR920013662A (ko) | 다양한 로컬폴리 산화물을 이용한 격리의 제조방법 | |
JPS5317075A (en) | Production of silicon mask for x-ray exposure | |
KR920017173A (ko) | 필드산화막 제조방법 | |
KR920010917A (ko) | 트랜치를 이용한 스택커패시터의 제조방법 | |
KR970003554A (ko) | 미세 패턴 형성 방법 | |
KR940009762A (ko) | 반도체 장치의 필드 산화막 형성 방법 | |
KR920022386A (ko) | 반도체 장치의 폴리실리콘 증착방법 | |
KR970008475A (ko) | 반도체 소자 격리영역 형성방법 | |
KR930003356A (ko) | 트렌치 커패시터 제조방법 | |
KR970072140A (ko) | 반도체 장치의 패턴 형성방법 | |
KR920010745A (ko) | 반도체 장치의 저항소자 형성방법 | |
KR940016944A (ko) | 실리콘 질화막을 사용한 얕은 접합 형성방법 | |
KR920020591A (ko) | 반도체 장치의 위상시프트 마스크 제조방법 | |
KR960014941A (ko) | 스크린프린팅(Screen Printing)방법을 이용한 가속도센서 및 진동센서의 질량제조방법 | |
KR910013511A (ko) | 반도체 소자의 소자분리 산화막 형성방법 | |
KR970013200A (ko) | 반도체 장치의 소자 분리 방법 | |
KR950004408A (ko) | 반도체 장치의 폴리실리콘 패턴 형성방법 | |
KR910001881A (ko) | 고속용 바이폴라 트랜지스터 제조방법 | |
KR950019928A (ko) | 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법 | |
KR970054532A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090526 Year of fee payment: 16 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |