KR920015427A - 엑스선 노광장치용 마스크 제조방법 - Google Patents

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KR920015427A KR1019910000291A KR910000291A KR920015427A KR 920015427 A KR920015427 A KR 920015427A KR 1019910000291 A KR1019910000291 A KR 1019910000291A KR 910000291 A KR910000291 A KR 910000291A KR 920015427 A KR920015427 A KR 920015427A
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한오석
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문정환
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
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Abstract

내용 없음

Description

엑스선 노광장치용 마스크 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 공정단면도.

Claims (2)

  1. 순수 규소 박막에 다결정 규소막을 증기 증착법으로 4~5μm증착하는 공정과, 상기 다결정 규소막위에 금을 형성하여 패터닝하는 공정과, 상기 순수 규소 박막 배면에 레지스트를 형성하여 식각한 후 상기 순수 규소 박막을 상기 다결정 규소막까지 식각하고 레지스트를 제거하는 공정을 차례로 실시하여서 이루어짐을 특징으로 하는 엑스선 노광 장치용 마스크 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 순수 규소 박막위에 질화규소막을 4~5μm증착함을 특징으로 하는 엑스선 노광 장치용 마스크 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910000291A 1991-01-10 1991-01-10 엑스선 노광장치용 마스크 제조방법 KR940005279B1 (ko)

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KR100310541B1 (ko) * 1998-09-21 2001-11-15 박종섭 스텐실 마스크

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