JP2957533B2 - Ｂａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系またはＢａ−Ｒｂ−Ｂｉ−Ｏ系超電導接合の作製方法 - Google Patents
Ｂａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系またはＢａ−Ｒｂ−Ｂｉ−Ｏ系超電導接合の作製方法Info
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば超高周波検
出や超微小磁界検出などに利用される、超電導接合のた
めのＢａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系またはＢａ−Ｒｂ−Ｂｉ−Ｏ
系超電導接合の作製方法に関するものである。
出や超微小磁界検出などに利用される、超電導接合のた
めのＢａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系またはＢａ−Ｒｂ−Ｂｉ−Ｏ
系超電導接合の作製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は例えばＪｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．Ｖｏｌ．３４（１９９５）ｐｐ．Ｌ１３４８−
Ｌ１３５１に記載された従来のＢａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超
電導接合の製造を示す模式図であり、１はＭｇＯバイク
リスタル基板、２はＭｇＯバイクリスタル基板の粒界接
合部、３はＢａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導薄膜、４は２の
直上に形成された、Ｂａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導薄膜の
粒界接合部である。
ｈｙｓ．Ｖｏｌ．３４（１９９５）ｐｐ．Ｌ１３４８−
Ｌ１３５１に記載された従来のＢａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超
電導接合の製造を示す模式図であり、１はＭｇＯバイク
リスタル基板、２はＭｇＯバイクリスタル基板の粒界接
合部、３はＢａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導薄膜、４は２の
直上に形成された、Ｂａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導薄膜の
粒界接合部である。
【０００３】次に動作について説明する。ＭｇＯバイク
リスタル基板１の上にスパッタリング法、レーザアブレ
ーション法などによりＢａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導薄膜
３を約２００ｎｍの厚さに堆積する。成膜されたＢａ−
Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導薄膜３は、基板の面方位に従って
結晶方位をそろえた形で形成される性質がある。このた
め、バイクリスタル基板の接合部の両側では異なる向き
に結晶方位をそろえた薄膜が形成される。従ってこのＢ
ａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導薄膜３はバイクリスタル基板
の接合部２の直上に重なるように粒界接合部４を持つ。
このように作製されたＢａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導薄膜
３をエッチングなどの手法で回路形状にパターニング
し、粒界接合部４が数μｍ〜数百μｍの幅を持つように
整形し、超電導接合として機能するようにする。
リスタル基板１の上にスパッタリング法、レーザアブレ
ーション法などによりＢａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導薄膜
３を約２００ｎｍの厚さに堆積する。成膜されたＢａ−
Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導薄膜３は、基板の面方位に従って
結晶方位をそろえた形で形成される性質がある。このた
め、バイクリスタル基板の接合部の両側では異なる向き
に結晶方位をそろえた薄膜が形成される。従ってこのＢ
ａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導薄膜３はバイクリスタル基板
の接合部２の直上に重なるように粒界接合部４を持つ。
このように作製されたＢａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導薄膜
３をエッチングなどの手法で回路形状にパターニング
し、粒界接合部４が数μｍ〜数百μｍの幅を持つように
整形し、超電導接合として機能するようにする。
【０００４】このように構成された超電導接合では、超
電導薄膜の粒界接合部が超電導弱結合として働き、準粒
子電流の障壁となって非線型な電流−電圧特性をもたら
したり、超電導電流の障壁となってジョセフソン効果を
生じさせたりする。このような効果はマイクロ波のミキ
サや超電導量子干渉素子として利用される。
電導薄膜の粒界接合部が超電導弱結合として働き、準粒
子電流の障壁となって非線型な電流−電圧特性をもたら
したり、超電導電流の障壁となってジョセフソン効果を
生じさせたりする。このような効果はマイクロ波のミキ
サや超電導量子干渉素子として利用される。
【０００５】しかし、このような従来の超電導接合で
は、接合の超電導特性が接合作製時に決定されてしまう
という問題点があった。すなわち、超電導接合４の品質
は超電導薄膜３を作製した時点で決定されてしまうの
で、例えば接合の臨界電流密度などの超電導特性を制御
することによって所定の幅の接合の臨界電流値を所望の
値にするためには、超電導薄膜３の品質を精密にコント
ロールする必要があり、これは極めて困難であった。ま
た、接合作製後に接合の臨界電流密度を調整する手段が
ないため、接合の臨界電流値を所期の値にするために、
あらかじめ接合の幅を大きめにパターニングして臨界電
流値を十分大きくしておき、臨界電流値を一度測定した
後、再度パターニングを行って接合幅を縮めて臨界電流
値を小さくする方向に調節するといった作業を行ってい
た。これは接合幅を変えるだけのために面倒な測定や２
度目のパターニングを行う必要があり、手間がかかるば
かりか、これらのプロセスによって思わぬダメージを接
合に与える危険性もあった。さらに、接合の臨界電流値
が小さくなりすぎた場合、もはやこれを大きくする方法
がないので、その素子は使用不可能になっていた。
は、接合の超電導特性が接合作製時に決定されてしまう
という問題点があった。すなわち、超電導接合４の品質
は超電導薄膜３を作製した時点で決定されてしまうの
で、例えば接合の臨界電流密度などの超電導特性を制御
することによって所定の幅の接合の臨界電流値を所望の
値にするためには、超電導薄膜３の品質を精密にコント
ロールする必要があり、これは極めて困難であった。ま
た、接合作製後に接合の臨界電流密度を調整する手段が
ないため、接合の臨界電流値を所期の値にするために、
あらかじめ接合の幅を大きめにパターニングして臨界電
流値を十分大きくしておき、臨界電流値を一度測定した
後、再度パターニングを行って接合幅を縮めて臨界電流
値を小さくする方向に調節するといった作業を行ってい
た。これは接合幅を変えるだけのために面倒な測定や２
度目のパターニングを行う必要があり、手間がかかるば
かりか、これらのプロセスによって思わぬダメージを接
合に与える危険性もあった。さらに、接合の臨界電流値
が小さくなりすぎた場合、もはやこれを大きくする方法
がないので、その素子は使用不可能になっていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】これまでの超電導接合
は以上の様に構成されていたため、接合作製後に超電導
接合の臨界電流密度等の超電導特性を変化させる方法が
ないこと、とりわけ超電導特性を向上する方法のないこ
とが欠点であった。例えば臨界電流密度を大きくするこ
とはできなかった。
は以上の様に構成されていたため、接合作製後に超電導
接合の臨界電流密度等の超電導特性を変化させる方法が
ないこと、とりわけ超電導特性を向上する方法のないこ
とが欠点であった。例えば臨界電流密度を大きくするこ
とはできなかった。
【０００７】この発明の目的は、特にＢａ−Ｋ−Ｂｉ−
Ｏ系またはＢａ−Ｒｂ−Ｂｉ−Ｏ系超電導薄膜を用いた
超電導接合の作製方法において、接合の作製後に臨界電
流密度を増大させるなど、接合特性を向上させる方法を
提供し、接合作製後に接合の特性を所望の値に調整する
ことを可能にする作製方法を提供することにある。
Ｏ系またはＢａ−Ｒｂ−Ｂｉ−Ｏ系超電導薄膜を用いた
超電導接合の作製方法において、接合の作製後に臨界電
流密度を増大させるなど、接合特性を向上させる方法を
提供し、接合作製後に接合の特性を所望の値に調整する
ことを可能にする作製方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意研究を
重ねた結果、上記のような従来の課題を解決することが
できた。すなわち本発明は、基板上に作製したＢａ−Ｋ
−Ｂｉ−Ｏ系超電導体の人工粒界接合において、接合を
作製した後に、接合部分にイオンビーム照射を行うこと
を特徴とする、Ｂａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導接合の作製
方法を提供するものである。また本発明は、基板上に作
製したＢａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導体の人工粒界接合に
おいて、接合を作製した後に、接合部分に中性粒子ビー
ム照射を行うことを特徴とする、Ｂａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系
超電導接合の作製方法を提供するものである。さらに本
発明は、基板上に作製したＢａ−Ｒｂ−Ｂｉ−Ｏ系超電
導体の人工粒界接合において、接合を作製した後に、接
合部分にイオンビーム照射を行うことを特徴とする、Ｂ
ａ−Ｒｂ−Ｂｉ−Ｏ系超電導接合の作製方法を提供する
ものである。さらにまた本発明は、基板上に作製したＢ
ａ−Ｒｂ−Ｂｉ−Ｏ系超電導体の人工粒界接合におい
て、接合を作製した後に、接合部分に中性粒子ビーム照
射を行うことを特徴とする、Ｂａ−Ｒｂ−Ｂｉ−Ｏ系超
電導接合の作製方法を提供するものである。
重ねた結果、上記のような従来の課題を解決することが
できた。すなわち本発明は、基板上に作製したＢａ−Ｋ
−Ｂｉ−Ｏ系超電導体の人工粒界接合において、接合を
作製した後に、接合部分にイオンビーム照射を行うこと
を特徴とする、Ｂａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導接合の作製
方法を提供するものである。また本発明は、基板上に作
製したＢａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導体の人工粒界接合に
おいて、接合を作製した後に、接合部分に中性粒子ビー
ム照射を行うことを特徴とする、Ｂａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系
超電導接合の作製方法を提供するものである。さらに本
発明は、基板上に作製したＢａ−Ｒｂ−Ｂｉ−Ｏ系超電
導体の人工粒界接合において、接合を作製した後に、接
合部分にイオンビーム照射を行うことを特徴とする、Ｂ
ａ−Ｒｂ−Ｂｉ−Ｏ系超電導接合の作製方法を提供する
ものである。さらにまた本発明は、基板上に作製したＢ
ａ−Ｒｂ−Ｂｉ−Ｏ系超電導体の人工粒界接合におい
て、接合を作製した後に、接合部分に中性粒子ビーム照
射を行うことを特徴とする、Ｂａ−Ｒｂ−Ｂｉ−Ｏ系超
電導接合の作製方法を提供するものである。
【０００９】本発明の超電導接合の作製方法では、Ｂａ
−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導体またはＢａ−Ｒｂ−Ｂｉ−Ｏ
系超電導体等を用いてバイクリスタル基板上に人工粒界
接合を作製した後、接合部分にイオンビームまたは中性
粒子ビームを照射する。この照射によって、その微視的
な機序は明らかでないが、被照射部分の接合内で変化が
生じ、臨界電流密度の増大、規格化接合抵抗の減少とい
った、接合品質の改善がなされる。この結果、これまで
実現できなかった、接合作製後に接合特性を向上させる
ことが可能になった。これにより、従来不可能であっ
た、接合の臨界電流値の増大が可能になり、接合の作製
歩留まりが大幅に向上した。
−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導体またはＢａ−Ｒｂ−Ｂｉ−Ｏ
系超電導体等を用いてバイクリスタル基板上に人工粒界
接合を作製した後、接合部分にイオンビームまたは中性
粒子ビームを照射する。この照射によって、その微視的
な機序は明らかでないが、被照射部分の接合内で変化が
生じ、臨界電流密度の増大、規格化接合抵抗の減少とい
った、接合品質の改善がなされる。この結果、これまで
実現できなかった、接合作製後に接合特性を向上させる
ことが可能になった。これにより、従来不可能であっ
た、接合の臨界電流値の増大が可能になり、接合の作製
歩留まりが大幅に向上した。
【００１０】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、本発明の実
施の形態を図について説明する。図１は本発明の実施の
形態によるＢａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導接合の作製方法
を示す模式図であり、図において、１〜４の各番号は上
記従来例と同一または相当する部分であり、５はＡｒイ
オンビーム照射装置、６は５から引き出されたＡｒイオ
ンビームである。
施の形態を図について説明する。図１は本発明の実施の
形態によるＢａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導接合の作製方法
を示す模式図であり、図において、１〜４の各番号は上
記従来例と同一または相当する部分であり、５はＡｒイ
オンビーム照射装置、６は５から引き出されたＡｒイオ
ンビームである。
【００１１】次に作製方法について説明する。ＭｇＯバ
イクリスタル基板上にＲＦスパッタリング法を用いてＢ
ａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導薄膜を厚さ２００ｎｍに成膜
する。この薄膜にフォトレジストを塗布し、マスクパタ
ーンを光学転写した後、現像によって余分なレジストを
除去する。これをＡｒイオンを用いたイオンビームエッ
チング法でエッチングした後レジストを除去し、接合部
分を幅７μｍのブリッジ状に成形する。これにより幅７
μｍの粒界接合を有する超電導素子を作製する。
イクリスタル基板上にＲＦスパッタリング法を用いてＢ
ａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導薄膜を厚さ２００ｎｍに成膜
する。この薄膜にフォトレジストを塗布し、マスクパタ
ーンを光学転写した後、現像によって余分なレジストを
除去する。これをＡｒイオンを用いたイオンビームエッ
チング法でエッチングした後レジストを除去し、接合部
分を幅７μｍのブリッジ状に成形する。これにより幅７
μｍの粒界接合を有する超電導素子を作製する。
【００１２】このようにして作製した素子を液体ヘリウ
ムで冷却し４端子法で接合の電流−電圧特性を測定した
ところ、接合の臨界電流密度は１４７０Ａ／ｃｍ2、規
格化接合抵抗は２．３×１０-6Ω・ｃｍ2であった。
ムで冷却し４端子法で接合の電流−電圧特性を測定した
ところ、接合の臨界電流密度は１４７０Ａ／ｃｍ2、規
格化接合抵抗は２．３×１０-6Ω・ｃｍ2であった。
【００１３】次に、この素子を取り出し常温に戻し、こ
れにレジスト等を塗布することなく、図１のようなＡｒ
イオンビームエッチング装置に入れてイオンビームを照
射した。図１のイオンビーム照射装置５から引き出され
た加速エネルギー４００ｅＶのＡｒイオンビーム６を、
基板に対し４５°の入射角で３０秒間照射した。基板は
水冷し、毎分２０回転の速度で回転させた。
れにレジスト等を塗布することなく、図１のようなＡｒ
イオンビームエッチング装置に入れてイオンビームを照
射した。図１のイオンビーム照射装置５から引き出され
た加速エネルギー４００ｅＶのＡｒイオンビーム６を、
基板に対し４５°の入射角で３０秒間照射した。基板は
水冷し、毎分２０回転の速度で回転させた。
【００１４】この後、再び素子を液体ヘリウムで冷却し
４端子法で接合の電流−電圧特性を測定したところ、接
合の臨界電流密度は３２００Ａ／ｃｍ2、規格化接合抵
抗は１．１×１０-6Ω・ｃｍ2となっていた。すなわ
ち、臨界電流密度は２倍以上に、規格化接合抵抗は半分
以下に、それぞれ向上していた。
４端子法で接合の電流−電圧特性を測定したところ、接
合の臨界電流密度は３２００Ａ／ｃｍ2、規格化接合抵
抗は１．１×１０-6Ω・ｃｍ2となっていた。すなわ
ち、臨界電流密度は２倍以上に、規格化接合抵抗は半分
以下に、それぞれ向上していた。
【００１５】さらに同様のイオンビーム照射と接合の電
流−電圧特性の測定を交互に繰り返したところ、イオン
ビーム照射時間の総計２分３０秒で接合の臨界電流密度
は１５０００Ａ／ｃｍ2、規格化接合抵抗は２．９×１
０-7Ω・ｃｍ2となった。すなわち、臨界電流密度は１
０倍以上に、規格化接合抵抗は約１０分の１に、それぞ
れ向上した。
流−電圧特性の測定を交互に繰り返したところ、イオン
ビーム照射時間の総計２分３０秒で接合の臨界電流密度
は１５０００Ａ／ｃｍ2、規格化接合抵抗は２．９×１
０-7Ω・ｃｍ2となった。すなわち、臨界電流密度は１
０倍以上に、規格化接合抵抗は約１０分の１に、それぞ
れ向上した。
【００１６】また、イオンビーム照射時間が２分３０秒
を越えても、接合特性はほとんど変化しなくなり、接合
特性が劣化することはなかった。ただし、イオンビーム
のエッチング効果によって薄膜の厚さが減少するのに伴
い、臨界電流値の減少と接合抵抗値の増大がみられた。
を越えても、接合特性はほとんど変化しなくなり、接合
特性が劣化することはなかった。ただし、イオンビーム
のエッチング効果によって薄膜の厚さが減少するのに伴
い、臨界電流値の減少と接合抵抗値の増大がみられた。
【００１７】以上のように、これまで不可能であった、
接合作製後の接合の臨界電流密度の増加が、初めて可能
になった。
接合作製後の接合の臨界電流密度の増加が、初めて可能
になった。
【００１８】実施の形態２．実施の形態１．では照射す
るビームとして、Ａｒイオンビームを使用したが、この
ビームにホットフィラメントから電子を供給して電荷を
中和した中性粒子ビームを使用した場合、接合の臨界電
流密度の向上は約５倍に、規格化接合抵抗の減少は約５
分の１になった。したがって、中性粒子ビーム照射によ
っても接合特性の向上が可能であることが示された。
るビームとして、Ａｒイオンビームを使用したが、この
ビームにホットフィラメントから電子を供給して電荷を
中和した中性粒子ビームを使用した場合、接合の臨界電
流密度の向上は約５倍に、規格化接合抵抗の減少は約５
分の１になった。したがって、中性粒子ビーム照射によ
っても接合特性の向上が可能であることが示された。
【００１９】実施の形態３．実施の形態１．では接合の
材料としてＢａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導体を使用した超
電導接合を対象としたが、本発明はＢａ−Ｒｂ−Ｂｉ−
Ｏ系超電導体を使用した超電導接合に対しても同様の効
果が得られる。
材料としてＢａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導体を使用した超
電導接合を対象としたが、本発明はＢａ−Ｒｂ−Ｂｉ−
Ｏ系超電導体を使用した超電導接合に対しても同様の効
果が得られる。
【００２０】実施の形態４．実施の形態２．では接合の
材料としてＢａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導体を使用した超
電導接合を対象としたが、本発明はＢａ−Ｒｂ−Ｂｉ−
Ｏ系超電導体を使用した超電導接合に対しても同様の効
果が得られる。
材料としてＢａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導体を使用した超
電導接合を対象としたが、本発明はＢａ−Ｒｂ−Ｂｉ−
Ｏ系超電導体を使用した超電導接合に対しても同様の効
果が得られる。
【００２１】
【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、基板上に
作製したＢａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導体の人工粒界接合
において、接合を作製した後に、接合部分にイオンビー
ム照射を行うので、接合の作製後に接合特性を向上させ
ることが可能になり、再パターニングなどの複雑な行程
を経ずに接合の特性値を所望の値に調整することができ
る。
作製したＢａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導体の人工粒界接合
において、接合を作製した後に、接合部分にイオンビー
ム照射を行うので、接合の作製後に接合特性を向上させ
ることが可能になり、再パターニングなどの複雑な行程
を経ずに接合の特性値を所望の値に調整することができ
る。
【００２２】請求項２に係る発明によれば、基板上に作
製したＢａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導体の人工粒界接合に
おいて、接合を作製した後に、接合部分に中性粒子ビー
ム照射を行うので、前記と同様に接合の作製後に接合特
性を向上させることが可能になり、再パターニングなど
の複雑な行程を経ずに接合の特性値を所望の値に調整す
ることができる。
製したＢａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導体の人工粒界接合に
おいて、接合を作製した後に、接合部分に中性粒子ビー
ム照射を行うので、前記と同様に接合の作製後に接合特
性を向上させることが可能になり、再パターニングなど
の複雑な行程を経ずに接合の特性値を所望の値に調整す
ることができる。
【００２３】請求項３に係る発明によれば、基板上に作
製したＢａ−Ｒｂ−Ｂｉ−Ｏ系超電導体の人工粒界接合
においても、接合を作製した後に、接合部分にイオンビ
ーム照射を行うことにより、接合の作製後に接合特性を
向上させることが可能になり、再パターニングなどの複
雑な行程を経ずに接合の特性値を所望の値に調整するこ
とができる。
製したＢａ−Ｒｂ−Ｂｉ−Ｏ系超電導体の人工粒界接合
においても、接合を作製した後に、接合部分にイオンビ
ーム照射を行うことにより、接合の作製後に接合特性を
向上させることが可能になり、再パターニングなどの複
雑な行程を経ずに接合の特性値を所望の値に調整するこ
とができる。
【００２４】請求項４に係る発明によれば、基板上に作
製したＢａ−Ｒｂ−Ｂｉ−Ｏ系超電導体の人工粒界接合
において、接合を作製した後に、接合部分に中性粒子ビ
ーム照射を行うので、接合の作製後に接合特性を向上さ
せることが可能になり、再パターニングなどの複雑な行
程を経ずに接合の特性値を所望の値に調整することがで
きる。
製したＢａ−Ｒｂ−Ｂｉ−Ｏ系超電導体の人工粒界接合
において、接合を作製した後に、接合部分に中性粒子ビ
ーム照射を行うので、接合の作製後に接合特性を向上さ
せることが可能になり、再パターニングなどの複雑な行
程を経ずに接合の特性値を所望の値に調整することがで
きる。
【図１】本発明の実施の形態１．〜４．による超電導薄
膜の作製方法を示す模式図である。
膜の作製方法を示す模式図である。
【図２】従来の超電導薄膜の作製方法を説明するための
図である。
図である。
１ バイクリスタル基板、２ バイクリスタル基板の粒
界接合部、３ 超電導薄膜、４ 超電導薄膜の粒界接合
部、５ Ａｒイオンビーム照射装置、６ イオンビーム
または中性粒子ビーム。
界接合部、３ 超電導薄膜、４ 超電導薄膜の粒界接合
部、５ Ａｒイオンビーム照射装置、６ イオンビーム
または中性粒子ビーム。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 幸久 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三菱電機株式会社内 (56)参考文献 特開 平７−263768（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−177443（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 39/24 H01L 39/00 H01L 39/22
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に作製したＢａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系
超電導体の人工粒界接合において、接合を作製した後
に、接合部分にイオンビーム照射を行うことを特徴とす
る、Ｂａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導接合の作製方法。 - 【請求項２】 基板上に作製したＢａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系
超電導体の人工粒界接合において、接合を作製した後
に、接合部分に中性粒子ビーム照射を行うことを特徴と
する、Ｂａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系超電導接合の作製方法。 - 【請求項３】 基板上に作製したＢａ−Ｒｂ−Ｂｉ−Ｏ
系超電導体の人工粒界接合において、接合を作製した後
に、接合部分にイオンビーム照射を行うことを特徴とす
る、Ｂａ−Ｒｂ−Ｂｉ−Ｏ系超電導接合の作製方法。 - 【請求項４】 基板上に作製したＢａ−Ｒｂ−Ｂｉ−Ｏ
系超電導体の人工粒界接合において、接合を作製した後
に、接合部分に中性粒子ビーム照射を行うことを特徴と
する、Ｂａ−Ｒｂ−Ｂｉ−Ｏ系超電導接合の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9357516A JP2957533B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | Ｂａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系またはＢａ−Ｒｂ−Ｂｉ−Ｏ系超電導接合の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9357516A JP2957533B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | Ｂａ−Ｋ−Ｂｉ−Ｏ系またはＢａ−Ｒｂ−Ｂｉ−Ｏ系超電導接合の作製方法 |
Publications (2)
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|---|---|
| JPH11186624A JPH11186624A (ja) | 1999-07-09 |
| JP2957533B2 true JP2957533B2 (ja) | 1999-10-04 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP4495397B2 (ja) * | 2002-12-25 | 2010-07-07 | 富士通株式会社 | デバイスの特性調整装置及びその特性調整方法 |
-
1997
- 1997-12-25 JP JP9357516A patent/JP2957533B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH11186624A (ja) | 1999-07-09 |
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