JPS58105140A - 多層レジスト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は集積回路の製造に用いられるレジスト、特に多
ＩＷＩレジストに関するものである。 近年集積回路製造技術の中で微細パターンを形成するだ
めの電子ビーム寓光技術が注目されている。この電子ビ
ーム窯元技術の１つである基板上のレジストに直接パタ
ーンを描く電子ビーム直接描画法においては、高い解像
性のパターンを得るために二層又は三層といった多層レ
ジストが用いられている。例えば三層レジストは基板上
に第１層、第２１−１第３層がこの順に積層されて成る
構成で、第１層は基板の段差の影響を々くしその表面が
平坦化するように比較的厚く形成されており、第２層は
第３層のパターンニングを行う際のエツチングのストッ
パとしての役割を果たしまた第１層をパターンニングす
る際のマスクとしての役割を果だすように各層に対し２
てのエツチング速度比を有する材料であって、かつ電子
の散乱係数の小さな物質で構成され、第３層は電子線で
感光される電子線レジストで構成されていた。例えば第
１層としてＦｉＡニレジスト（シラプレー社製）、第２
層としてはシリコン、シリコン酸化物、シリコン窒化物
、アルミニウム、ゲルマニウム等、ｍ３層にはネガ型レ
ジストとしてはクロロメチル化ポリスチレン（以下［０
Ｍ８ｊという。）等、ポジ型レジストとしてはボんメチ
ルメタクリレート（以下ｌＰＭＭＡｊという。）等が用
いられていた。 このように従来の三層レジストでは、第２層に電子の散
乱の少ない物質を用いていたため第２層は電子に対する
阻止能が小さく照射電子は第２層を容易に通り抜は基板
に達してしまった。その結果、基板は照射損傷を受は正
の固定電荷密度、中性電子トラップ実効密度等が大きく
なり良好な素子特性を実現することが困雌であった。 また、従来の三層レジストではその感度が第３層の電子
線レジストの感度そのものによりて決まってしまうので
新たな高感度電子線レジストを開発しなければ多層レジ
ストの感度を向上することはできなかった。 また、従来の三層レジストは電子の照射量の変動に対し
感光されるスペース幅の変化が大きいので寸法の制御性
が悪い欠点があった。 また、従来の三層レジストでは基板が電子散乱の大きな
材料、例えば密度の大きなモリブデン等の場合には、基
板で散乱された電子が広範囲に分布し、かつ電子の散乱
の少ない第２層を通過し第１層に達するので、この散乱
電子によシ第３層の電子線レジストの所定の領域以外ま
で感光されるＳ− ので基板によりその解像性が異なるという欠点があった
。このような問題を解決するためには第１層を極端に厚
くすることも考えられるが、そのようにした場合には第
／Ｊ−を加工する際にサイドエッチ量がふえ微細パター
ンの形成が難しくなるという欠点かめった。 また、従来の三層レジストでは、電子が第２層を通り抜
けやすいため基板等を考慮に入れた層構成による近接効
果の補正を行う必賛があり、近接効果の補正が難しかっ
た。この困難さを除くために第／層會極端に厚くするこ
とも考えられるがその場合には上で述べたように微細パ
ターンの形成が難しくなるという欠点があった。 また従来の三層レジストで第２層として絶縁物、例えは
シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を用いた場合には第
１層及び第２層が厚い絶縁物を構成し、ここでのチャー
ジアップがおこり描画位置ずれを生じやすいという欠点
があった。 また従来の三層レジストでは基板からの電子の散乱の影
響を受けやすいので、基板に応じた照射−６＝ 蓋の調整が必要であった。 本発明の目的は基板が受ける照射損傷を低減することが
できる多層レジストを提供することである。 本発明の他の目的は高感度な多層レジストを提供するこ
とにある。 本発明の他の目的は寸法制御性のよい多層レジストを提
供することにある。 本発明の他の目的は基板の影響を受けない高解像度の多
層レジストを提供することにある。 本発明の他の目的は高解像度で微細パターンの形成が可
能な多層レジストを提供することにある。 本発明の他の目的は近接効果の補正が容易な多層レジス
トを提供することにある。 更に本発明の他の目的はチャージアップが少ない多層レ
ジストを提供することにある。 も備え、前記上面層は前記中間層より基板に対しリブタ
ンの酸化物、モリブデンの窒化物、タングステンの酸化
物又はタングステンの窒化物のうちのいずれか）で成る
中間層と、電子線レジストで成る上面層を少ガくとも備
え、前記上面層は前記中間層より基板に対して上にあり
、前記中間層はその厚さｔ（μｍ）が中間層の密度をρ
（９１０ｔｒｂ”　）とを特徴とする。 以下、本発明を実施例に基ついて詳細に説明する。 ＃Ｉ１図は本発明の多層レジストの一冥施例で三層レジ
ストの場合の断面を示したものである。ｌは本発明の多
層レジストが被着される基板で、例えば単結晶シリコン
基板、上面に絶縁膜を備えた単結晶シリコン基板、モリ
ブデン等の金属が被着された基板、その他県積回路の製
造プロセスの途中で得られる各棟の物質がパターンニン
グされ層状の構造になったものを備えた基板等である。 λが本発明に係る多層レジストで基板ｌ上に第１層３、
中間ＮＩ弘、上面層ｊがこの順に積層された層構成であ
る。この第７層３は基板ｌの段差による影響を少なくし
その表面を平坦化する材質のものであればよく、例えば
厚さ１μｍのＡ２レジス）１−用いる。ただこの第１層
３は基板の段差が小さい場合には用いなくてよい。中間
層≠は電子の散乱係数の大きな物質で構成され、その厚
さｔ（μｍ〕は中間層≠の物質の密度をρ（Ｐ、４”）
とし照射する粒子（電子）のエネルギーをｖａ（ｋ６ｖ
）としたときに　ｔ≧−ｏ、ｏ、ｚ　ｒ　ｘ　Ｖ−Ｌｌ
“７５の条件を満足する値ρ であることが望ましい。例えば中間層参として白金（Ｐ
ｌ）を用い照射電子のエネルギー■、を２０ｋｍＶとす
る場合には、Ｐｔの密度ρが２　／、　ｊ　ｐ／ｍ”　
　であるから中間層≠の厚さを約０．．２ｊμｍ以上に
する。 また中間層弘の厚さを実用上０．６μｍ　までと考える
と、照射電子のエネルギー■、が２０ｋｅＶ　　の場合
には中間層≠には密度ρが約１．１９７ａｎ”　以上の
〜　　　　９　　　　− 物質を用いればよい。このように密度ρが大きく電子の
散乱係数が大きな材料としては、ｌ’ｔ　　の他にモリ
ブデン（ＭＯ）　、　　タングステン＜Ｗ）、タンクル
（Ｔａ）、　　金等の金属があり、また前記金属の酸化
物又は窒化物などの化合物、またこれらの混合物などが
ある。いずれにしでも中間層≠は照射電子のエネルギー
に対して前述の式を満足する密度の物質で所定の厚さに
構成すればよい。、ｌ−面層ｊは中間層≠より基板ｌに
対して上にあり、電子に感光する電子線レジストである
。この電子線レジストは０Ｍ８のようなネガ型でも）’
ＭＭＡのようなポジ型でもよい。そして上面層ｊの厚さ
はＯ０ｖμｍ以下にするのが望ましい。 次に本発明の作用・効果について説明する。 本発明では、エネルギーｖａの照射電子に対して中間層
Ｖを電子の散乱係数が大きい物質とし、厚ヶ１□　１≧
ｏ、ｏ２ｇ　ｘ　−Ｍａ−””ヶ６条件を満足すρ るように設定しているため、多層レジストコに照射され
た電子が中間層μで散乱・阻止され基板には殆ど達成し
ないので基板ｌの照射損傷を著しく−ｌ〇　　　− 低減できる。また基板に達する電子があってもその数は
少なく、かつその電子のエネルギーは中間層Ｖを通り抜
けるために殆ど消費されてしまっているので基板ｌの照
射損傷は低温の熱処理で回復が可能なｔまと軽微なもの
である。 第２図及び第３図は本発明の多層レジストを用いた場合
の照射損傷の低減効果を示す図である〇単結晶シリコン
基板上にシリコン峻化膜を介してゲート電極が設けられ
たＭＯ８構造のものを基板ｌとして用い、第１層３が厚
さ７μｍのＡ２　　レジストで、中間層膜が厚さ０．３
μＩｎのＰｔで、上面層ｊが厚さ０．　ｌｉｔμｍ口の
０Ｍ８　　でなる三層構造の多層レジスト２を前記基板
ｌに被着したものに、エネルギーが２０ｋｅＶ、ビーム
径が０．３μｍの電子ビームを照射し、このとき基板が
受ける照射損傷をシリコン酸化膜中の正の固定電荷の実
効密度（以下ｒＮｏｘｊという。）と中性電子トラップ
実効密度（以下１−Ｎｅｒｒ」という。）とによって評
価した。比較のために、中間層≠がシリコン（８１）で
構成された従来の三層レジストについてのデータを８ｇ
２図、第３図に記載１〜た。 第２図はＮ。Ｘの電子照射量依存性を示したものである
。Ｎｏｘが小さい程照射損傷は少なく素子特性への悪影
響が少ないことになる。従来の三層レジストを用いた場
合には、照射直後は曲＃（ａ−１）のような特性を示し
Ｎ。Ｘが大きな値で照射損傷の大きいことがわかる。ま
た、その照射損傷は曲線（ａ−１の特性かられかるよう
に照射後７θ０°Ｃという高温の熱処理をしなければ回
復できないほど重いものである。これに対して本発明の
三層レジストを用いた場合には、照射直後は曲線（ｂ−
１）の特性を示し照射損傷を従来のものに比へて一以下
に低減できる。また照射蓋の多い場合には照射直後で若
干のＮ。Ｘはあるが、このＮ。Ｘの原因となる照射損傷
は曲線（ｂ−１の特性かられかるように≠ＳＯ″Ｃと比
較的低温の熱処理で回復できる程軽微なものである。 第３図はＮｅｆｆの電子照射量依存性を示したものであ
る。Ｎｅｆｆが小さい程照射損傷は少なく素子特性への
悪影響が少ないことになる。従来の三層レジストを用い
た場合には、照射直後は曲線（ｃ−１）のような特性を
示しＮｅｆｆ　が大きな値で照射損傷の大きいことがわ
かる。またその照射損傷は曲ｍｃｃ−１Ｉ）で示すよう
に照射後≠１０″Ｃの熱処理によっても充分には回復せ
ず、曲線（ｃ−８）で示すように照射後７００℃の熱処
理によりようやく（ロ）復ができることからかなり重い
ものであることがわかる。これに対して本発明の三層レ
ジストを用いた場合には、照射直後は曲線（ｄ−１）の
特性を示し照射損傷を従来のものに比べｌ／６以下に低
減できる。またその照射損傷は曲線（ａ−１の特性から
れかるようにｖｊＯ″Ｃの熱処理で回復しうる軽微のも
のである。 このように本発明の三層レジストにより、基板の受ける
照射損傷を著しく低減でき、照射損傷を受けてもそれを
極めて軽微なものにとどめることができる。 第Ｖ図及び第５図は中間層膜としてｐｔを用い照射後≠
ｊθ°Ｃの熱処理をした場合のＮ。！及びＮｅｆｆ　の
中間層膜厚依存性を示したものである。 −ｌＢ　　　− 第Ｖ図及び第５図かられかるように中間層膜としてＰｔ
を用いた場合にはＰ！の膜厚をＯ，コｊμｍ以れば照射
損傷を低減することができる。このこと程厚くしなくて
も照射損傷を低減できることを意味している。 本発明の多層レジストは、中間層膜からの散乱電子が上
面層ｊの電子線レジストの感光に寄与する割合が極めて
高くなるので従来の多層レジストに比べ高感度である。 このことを三層レジストコの中間層Ｖを各棟の膜で構成
した場合を例にとって更に詳しく説明する。第６図は中
間層≠として各棟の物質を用い九場合に中間層膜で散乱
された電子の中間層≠と上面層よとの界面における強度
分布を示したものである。横軸は照射電子の中間層Ｖと
上面層ｊとの界面での入射位置からの距離の２乗で、縦
軸は入射位置での照射電子の強度をｌとしたときの散乱
電子の相対強度である。基板−１４− Ｓｉ、Ｍ。、）’、　　のいずれかを、上面層ｊとして
は厚さ０．３μｎ１のＯＭＳをそれぞれ用い、エネルギ
ー２０　ｋｅＶ　、　　ビーム径０．３μｍの電子ビー
ムを照射し７た場合の例である。図中の曲線（ａｌは照
射電子が上面層ｊ内で散乱されてできる散乱電子の強度
分布、曲線（ｂ）、　（ｃ）、　（ｃｌ）は中間層とし
てそれぞれ８１゜Ｌ’ｔ＋Ｍｏを用いた場合に照射電子
が基板ｌ、第１層３及び中間層≠で散乱されてできる散
乱電子の強度分布である。この図の曲線（ｂ）は中間層
が８１の場合には上面層ｊに散乱される電子の数が少な
く、かつ散乱電子が広く分布していることを示している
。これはＳｌから成る中間層≠での電子の散乱が少なく
、電子の散乱点が中間層Ｖと上面層ｊとの鮮血から基板
ｌの方向への深い位置に存在することになるためである
。したがって、中間層Ｖとして電子の散乱係数の小さい
８１等を用いた従来の多層レジストでは、照射電子によ
ってしか上面層ｊのレジストを感光することができない
ので、多層レジストとしての感度を向上するためには上
面層ｊのレジストの感度を上げることが必要となる。と
れに対し７て、本発明のように例えば中間層≠をＰ＋と
じた場合には中間層Ｖでの電子の散乱が多く電子の散乱
点が中間層Ｖと上面層よとの界面近くになるので曲線（
Ｃ１に示すように上面層ｊに向かって散乱される電子の
数が非常に多く、かつ散乱電子が入射位置近傍に急峻に
分布することになる。また中間層４”ｅＭ。とした場合
には曲Ｎ（ａｌに示すように散乱電子の数は多く、かつ
ｐｔ程その分布は急峻ではないが入射位置近傍に多く散
乱電子が分布することに、なる。本発明では電子の散乱
係数の大きな物質、いいかえれば比較的密度の大きな物
質を中間層≠として用いるので、散乱電子と入射位置近
傍に多数分布せしめることができ、この散乱電子全上面
層ｊの感光に利用することができる。したがって本発明
によれは、従来のものに比べて実効的に高感度な多層レ
ジストを提供することができる。 表１はこの感度の向−トを中間層≠にＳ、を用いた場合
の適正照射量をｌとしたときの適正照射量比によって示
したものである。上面層ｊとしては厚さＯ１ＶμｍのＰ
ＭＭＡを用い、中間層ＶとしてＭ。 又はＰ

【を用いたものを８１を用いた従来のものと比較
した。０．５μｍの孤立ラインを形成する場合にはＤ（
１，ＳＬの掴に示すように、Ｍｏを用いたときで約２６
％、ｐｔを用いたときで約≠３％適正照射量を少なくす
ることができる。また５μｍ　ラインにはさまれた０、
１Ａｍスペースを形成する場合には１）。、、８の欄に
示すように、Ｍｏ　　を用いたときで約ｉｔ％、ｐｔを
用いたときで約３ｊ９６適正照射量を少なくすることが
できる。いずれの場合も本発明の多層レジストの感度が
従来のものより向上していることを示している。 表　　ｌ −ｌマ　　− 両性がよい。これは第６図の説明の部分で述べたように
照射電子の他に中間層μからの散乱電子が上面層ｊのレ
ジストの感光に寄与しているため、本発明では照射電子
の変動が感光に及ぼす影響が相対的に低くなるからであ
る。第７図はこの制御性のよさを示す図で、第１Ｆ＠３
が厚さｌμ口】のＡ２レジストで、中間層Ｖが厚さ０３
μ口１のＳｉ＋ＭＯ＋Ｐ＋のいずれかで、上山層Ｓが厚
さＯ１ｖμｍのＰ　ＭＭＡで構成された多層レジスト２
を用い５μｍツバターンにはさ１れたＯ１ｊμ口１のス
ペースヲ廁光する照射量を基準としたとき照射量の変化
に対し露光されるスペース幅の関係を表わしたものであ
る。曲線（ａｌは中間層グに８１を用いた従来の三層レ
ジストの’ｊｌｉ　台の特性でその傾斜か急であること
かられかるように照射量が少し変化すると露光されるス
ペース幅は大きく変化する。これに対して中間層≠にＭ
。を用いた本発明の多層レジストでは曲線（ｂ）に示さ
れるようにその傾斜は緩やかで−１８− める。このことは照射量が変化しても側光されるスペー
ス幅の変化は小さく制御性がよいことを示している。更
に中間層≠としてＰｔを用いた場合には、散乱電子が入
射位置近傍に多数分布するので上面層ｊの感光に寄与す
る照射電子の割合がよシ低くなる。その結果、特性は曲
線（ｃ）に示すようにその傾斜はより緩くなり制御性が
更によくなる。 従来の多層レジストでは、基板ｌが電子の散乱係数の大
きな物質であった場合に基板からの散乱電子が上面層に
広く分布してしまい解像性が悪くなる欠点があったが、
本発明では中間層≠で照射電子の殆どを散乱してしまう
ので基板によって解像性が変わることがないという利点
がある。 また、本発明の多層レジストは電子の散乱の大きな物質
を中間１＠ｖとして用いているので、散乱電子の散乱点
が浅く、かつ第６図に示したように散乱電子の分布が急
峻である。↑の結果上面層ｊのレジストの感光される側
面の角度が急峻にな択本発明では解像性がよくなる。第
を図は、第１層３が厚さ／μｎ】のλニレジストで、中
間層Ｖが厚さ０、３μｍのＭ。で、上面層ｊがＯＭＳで
成る多層レジスト２を被層し、これに２０　ｋｅＶのエ
ネルギーの電子線を照射したときの、上面層ｊの厚さと
解１速し得る最小スペース幅との関係を示１〜たもので
ある。パターン例としては最も解１オしにくいと考えら
れるｊβｍラインにはさまれたスベニス幅をもって計測
した。上面１＠ｊの厚さを０．４ｔμｍ以下にすること
により約０．７μｍのスペース幅が解像可能で従来構造
の三層レゾストと同程度の高解像性を実現できているこ
とがわかる。これは上面層ｊの厚さがＱ、≠μＩｎ以下
では散乱電子の上面層ｊの厚さ方向分布が急、には変化
しないことにも一因があると考えられる。 また、本発明の多ノーレジストは中間層Ｖに電子の散乱
係数の大きな物質を用いているので、先に述べた如く基
板ｌからの散乱電子が殆どない。したがって、本発明を
用いる場合には、近接効果の補正をする際に基板／の構
成によらず中間層グだけで補正条件を決めることができ
同一の補正条件を各抛基板に適用できるので、近接効果
の補正が容易になる。また表１の比　０・６Ｌ／Ｄｏ、
、、をみると、本発明はこの比が従来のものに比べて小
さい。このことは本発明の方が補正の幅が小さくてすむ
ことを示しておシ、この点でも近接効果の補正が容易で
ある。 また、本発明は中間層≠で電子の殆んどを散乱するので
、従来のもののように解像性向上とが近接効果の補正を
容易にするために特に第１層を極端に厚くする必要がな
くなり、微細なパターンがより形成しやすくなる。 また本発明の多層レジストにおいて、中間Ｊ＠　４４に
導電性のおる材料を用いた場合にはチャージアップを防
ぐことができ、描画位置の不良を防止できる。また中間
層膜として用いた導電性のある材料をそのまま配線とし
て利用することもでき、集積回路の製造方法を簡略化す
ることも可能である。 以上述べたように本発明の多層レジストは照射損傷の低
減化、高感度化、照射量に対する加工寸法の制御性の向
上、基板によらない高Ｍｌ性、近接効果の補正の容易化
、チャーシアツブの減少等−２１− 補々の効果を奏することができる。 また本発明では三層構造の第１層３をホトレジストとし
て大きなパターンは光露光法でパターンニングし、細か
なパターンは上面層ｊを電子線露光法でパターンニング
することによりパターン形成工程の時…］の短縮化を図
ることができる。 ところで、本発明の詳細な説明した三層レジストのよう
に比較的厚い第１層３と電子の散乱係数の大きな中間層
ｌとがある場合には基板／に設けられたマーカが検出し
辛い場合もあり得る。このような場合には例えば第７図
に示すように、多層レジスト２をマーカ６の上では中間
層ｌと上面層ｊの二層構造とし、マーカ６が上面層上方
よｐ読みとれるようにし、マーカ６のない他の基板上で
＃′ｉ第１層３．中間層弘及び上面層ｊがこの順に積層
されて成る三層構造とすればよい。また第ｉ。 図に示すようにマーカ乙の上は上面層ｊの一層構造とし
、マーカ６のない基板上では第１層３．中間層膜及び上
面層ｊがこの順に積層されて成る三ノー構造としてもよ
い。またＨｉｉ図に示すように−２２− マーカ６の上は第１層３及び上面層ｊがこの順に積層さ
れて成る二層構造とし、マーカ６のない基板上では第１
層３・中間層Ｖ及び上面層ｊがこの順に積層されてなる
三層構造としてもよい。第２図の構造のものはマーカ乙
の形状が中間層≠に反映されているので中間層ｌを介し
てマーカの検出が可能である。また第ｉｏ図及び第ｉｔ
図の構造のものは電子の散乱係数の大きな中間層膜がマ
ーカ６上にないので中間層の影響をうけずにマーカの検
出が可能である。 以上述べた実施例においては特に三層レジストについて
説明したが、第１層がなく中間層と上面層の二層であっ
ても本発明の効果を実現できることはいうまでもない。 また中間層と基板との間の第１層を単数の層でなく複数
の層として多層構造にしてもよく、又は中間層と上面層
の間に他の層を設けた多層構造としてもよいことはいう
までもない。 また以上に述べた多層レジストは電子を照射する場合に
ついて述べたが、照射粒子が電子以外の一ロー の散乱係数の大きな物質を用いることによっても同様な
効果を奏することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の多層レジストの一実施例を示す断面図
、第２図〜第ｊ図は本発明の多層レジスト音用いた場合
の照射損傷低減効果を示す図、第６図は中間層に各種の
物質を用いたときの中間層と上面層との界面での散乱電
子の相対強度分布を示す図、第７図はスペース幅と照射
前の変化量との関係を示す図、第に図は解像しうる最小
スペース幅の上面層膜厚依存性を示す図、第７図及び第
１Ｏ図は企発明の多Ｊ−レジストの他の実施例。 図中、ｌは基板、λは多Ｊ−レジスト、３は第１層、弘
は中間１−１ｊは上面層、乙はマーカをそれぞれ示す。 貝Ｃ般！　（クーロン／ｃ、、２Ｊ ヤ２閉 Ｏσｌ　　　σ、２　　　σ３　　　σ、４　　　　ｔ
）、５ｖＰ間属（Ｐ切嘩屑（ρｍ１ 才４（２） 、邸費ヤ量　（クーロ〉／ＣｆｎＣ ｆｎリ フ　　　　０／　　　り２　　　　（１，３ρ４−　　
−・５１’Ｌｍ層　（Ｐそ］Ｐ−ハＥ　　（ｓｍ）矛５
閉 −２００卆ｚｏ　　　　　　　ｆ４＋６照割＜％め　１
ンイぐ量　　　（％ツ ヤ７図 θ　　　　　　　　　　　　　　０．５　　　　　　　
　　　　　　　人Ｏ上面１めレジ”′ス）−４４（μ−
） ２８図 矛１０間 手続補正書（方式） 昭和５７年４月３０ば 特許庁長官　島田春樹殿 （特許庁審査官　　　　　　　　殿） １　事件の表示 昭和！４で１．　特許　　１ぐＣ１第一〇おり３号３　
補正をする者 ４１９件との関係　　　　　　　　特許出願大東ｉｉ＋
、都丁代１１１区内’ｊ’ｌ”Ｉ’　ｌ　’Ｉ’　Ｉｆ
　ｌ　＆　（Ｉ−’ｊ（４２２）　　ＩＩ不′市イ１１
電話公社代表考　真藤　恒 ４　指定代理人 昭和！フイＩＪ月　！１−１ （発送日　昭和５７年Ｊ　Ｊ４ｓｏ　ｌ：ｌ）“？＋Ｉ
ＬｉＥ“パ１象　　″ｍｈｏｒｅｍｏ簡門二マパ欄７　
補正の内容 明細書の第２≠頁第７３行〜第１４Ａ行の「第り図及び
第１０図」とあるのを「第り図ないし第１１図」と補正
する。 　２−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 対して上にあることを特徴とする多層レジスト　。 （２）特許請求範囲第１項記載の多層レジストにおいて
   、前記中間層はその厚さｔ（μｍ）が中を満足する値で
   あることをｌＩ＋徴とする多層レジスト。 （３）特許請求の範囲第２項記載の多層レジストにおい
   て、前記上面層の厚さは０．弘μ口１以下であることを
   特徴とする多層レジスト１、（４）特許請求の範囲第２
   項記載の多層レジストにおいて、前記中間層は、金、白
   金、モリブデン、タングステン、メンタル、モリブデン
   の酸化物、モリブデンの窒化物、タングステンの酸化物
   又はタングステンの窒化物のうちのいずれかであること
   を特徴とする多層レジスト。 （５）　　マーカの設けられた基板上の多層レジストに
   おいて、マーカ上は電子の散乱係数の大きな物質士成る
   中間層と電子線レジストで成る上面層がこの順に積層さ
   れている二層構造で、マーカのない基板上は第１層と前
   記中間層と前記上面層とがこの順に積層されている三層
   構造で構成されていることを特徴とする多層レジスト。 （６）　　マーカの設けられた基板上の多層レジストに
   おいて、マーカ上は電子線レジストで成る上面層の一層
   構造で、マーカのない基板上は第１層と電子の散乱係叡
   の大きな物質で成る中間層と前記上面層がこの順に積層
   されている三層構造で構成されていることを特徴とする
   多層レジスト。 （７）　　マーカの設けられた基板上の多層レジストに
   おいて、マーカ上は第１層と電子線レジストで成る上面
   層がこの順に積層されている二層構造で、マーカのない
   基板上は前記第１層と電子の散乱係数の大きな轡質で成
   る中間層と前記上面層がこの順に積層されている三層構
   造で構成されていることを％徴とする多層レジスト。