JPS58209179A - ジヨセフソン接合素子の製造方法 - Google Patents
ジヨセフソン接合素子の製造方法Info
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- JPS58209179A JPS58209179A JP57092748A JP9274882A JPS58209179A JP S58209179 A JPS58209179 A JP S58209179A JP 57092748 A JP57092748 A JP 57092748A JP 9274882 A JP9274882 A JP 9274882A JP S58209179 A JPS58209179 A JP S58209179A
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- Japan
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- electrode
- tunnel junction
- junction
- superconductor
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0912—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はジ１セフンン艦合素子の製造方法に関し、さら
に詳しくはトンネル接合部のジ璽セフンン接合素子の製
造方法に閤するものである。
に詳しくはトンネル接合部のジ璽セフンン接合素子の製
造方法に閤するものである。
ジーセフソン接合素子を用いて倫理凹路や記憶回路を構
成する場合には、トンネル接合の臨界電流すなわち零電
圧状態で流れる最大電流の各素子間におけるばらつきを
小さくするか解消することが必要である。臨界電流はト
ンネル嵌合部の面積トンネル接合層の膜厚および＠埋的
性質會こよって変化するが、近年素子の微小化、高’Ｍ
ＩＮ化に伴ない＊＜１−ンネル接合部の面積の精度を向
上させることが重要となっている。
成する場合には、トンネル接合の臨界電流すなわち零電
圧状態で流れる最大電流の各素子間におけるばらつきを
小さくするか解消することが必要である。臨界電流はト
ンネル嵌合部の面積トンネル接合層の膜厚および＠埋的
性質會こよって変化するが、近年素子の微小化、高’Ｍ
ＩＮ化に伴ない＊＜１−ンネル接合部の面積の精度を向
上させることが重要となっている。
従来、ジーセフソン接合素子の＆ｉ方法として以下に述
べる２つの方法が用いられている。まず第１の方法を講
１！？ｌａ１〜（ｆｌを用いて工程ノーに説明する。第
１因（ａｌに示すように、杷祿体秦叡あるいぼ表面に絶
縁体層を有する基板ｌｌ上に、蒸着法やスパッタ法によ
り二オフ（Ｎ ｂ ） 、鉛（Ｐｂ＞等でなる第１の超
伝導体電極吊を形成する。
べる２つの方法が用いられている。まず第１の方法を講
１！？ｌａ１〜（ｆｌを用いて工程ノーに説明する。第
１因（ａｌに示すように、杷祿体秦叡あるいぼ表面に絶
縁体層を有する基板ｌｌ上に、蒸着法やスパッタ法によ
り二オフ（Ｎ ｂ ） 、鉛（Ｐｂ＞等でなる第１の超
伝導体電極吊を形成する。
第１の超伝導体４極１２のバターニングは通常のホトレ
ジストエ’ＣＥ−Ｇ用いたエツチング法やり７トオフ法
で行なう。仄Ｊこ、第１図（ｂ）に示すように第１の逓
伝４体這憔α上のトンネル訣合部となる領域にアンター
カット】ド犬のレジストマスク１３を形成し、第１図（
ｃｌに示すよう、こ基数弐面ｉこ蒸着法などの指向性の
艮し・成膜法で−！ｌｉ！：ヒケイ素（Ｓｉｎ）、二酸
化ケイ＄（ＳｉＯ−）等でなるｅ＃体層１４を被着し、
引続きリフトオフすると第１図（ｄｉに示すような開口
をもつトンネル接合部か形成される。アンダーカット形
状のレジストマスク１トマ通常のホトレジスト工程に那
え、露光前または露光後にクロロベンゼンやブロモベン
センなどの有機溶剤に浸すことによって得られる０次に
、第１図（ｅ）に示すように熱酸化法あるいはプラズマ
ｍ（ｆ［でトンネル接合部に数ｌＯＸ厚さのトンネル接
合層１５を形成する０ この後、第１ＬＮ（ｆｌに示すようｊこ、第１の超伝導
体電極りの場合と同様に蒸着法やスパッタ法で第２の超
伝導体電極１６を形成する。この方法ではトンネル接合
部の形成にアンダーカット形状のレジストマスク１３を
必要とするか、この形状はレジストのプリベーク栄件や
有醤溶剤の液温、ディップ時間などの影響を受けやすい
。特に、実際のトンネル接合部の面積を規定するレジス
トマスク下部の寸法を一精度よく得ることは非常ζこ難
しい０また、トンネル接合部は囲りの絶縁体層１４より
も低い位置にあるため、プラズマクリーニングやプラズ
マ酸化時にスパッタされた絶縁体層１４の付着により汚
染されるという欠点があった０ 第２の方法を第２図（ａ）〜（ｆ）を用いて説明する１
、第２図（りに示すように、第１図（−と同様な方法で
基板４上に第１の超伝導体電極ｎを形成する。その後、
第２図（ｂ）に示すように基板全面に蒸着法やスパッタ
法でＳ ｉ ＯｌＳ ｉ Ｏ＊等でなる絶縁体層おを被
着する０ 次に、第２図（ｃ）に示すように絶縁体層ｎ上にトンネ
ル接合部を形成するための開口を有するレジストマスク
冴を形成した後、アルゴン（Ａｒ ）などの不活性ガス
を用いたイオンエツチング法やフロ’ ２３ （ＣＨＦ
Ｉ ）、７ ロア １４ （ＣＦ ａ ） ’Ｊ’ ト
ノｆ−ｙ ＋ ７クカスによる反応性スパッタエツチン
グ法で絶縁体層おを加工し、第２図（（至）に示すよう
一トンネル接合部を形成する。次に第２図（ｅｌに示す
ように、第１図（ｅ）と同様な方法でトンネル接合部に
数１０Ｘのトンネル接合層５を形成し、その後、第１の
超伝導体４極認の場合と同様な電極材料および成膜法で
第２図ｉｆ）に示すような第２の超伝導体４極２６を形
成する。この方法では、トンネル接合部の絶縁体層Ｕを
イオンエツチング法や反応性スパッタエツチング法で除
去するため、トンネル接合部１こおける電極表面はイオ
ン損傷を受ける。反応性スバツタエッチンク法の場合に
は、電体表面は反応性のエツチングカスによって汚染さ
れる。
ジストエ’ＣＥ−Ｇ用いたエツチング法やり７トオフ法
で行なう。仄Ｊこ、第１図（ｂ）に示すように第１の逓
伝４体這憔α上のトンネル訣合部となる領域にアンター
カット】ド犬のレジストマスク１３を形成し、第１図（
ｃｌに示すよう、こ基数弐面ｉこ蒸着法などの指向性の
艮し・成膜法で−！ｌｉ！：ヒケイ素（Ｓｉｎ）、二酸
化ケイ＄（ＳｉＯ−）等でなるｅ＃体層１４を被着し、
引続きリフトオフすると第１図（ｄｉに示すような開口
をもつトンネル接合部か形成される。アンダーカット形
状のレジストマスク１トマ通常のホトレジスト工程に那
え、露光前または露光後にクロロベンゼンやブロモベン
センなどの有機溶剤に浸すことによって得られる０次に
、第１図（ｅ）に示すように熱酸化法あるいはプラズマ
ｍ（ｆ［でトンネル接合部に数ｌＯＸ厚さのトンネル接
合層１５を形成する０ この後、第１ＬＮ（ｆｌに示すようｊこ、第１の超伝導
体電極りの場合と同様に蒸着法やスパッタ法で第２の超
伝導体電極１６を形成する。この方法ではトンネル接合
部の形成にアンダーカット形状のレジストマスク１３を
必要とするか、この形状はレジストのプリベーク栄件や
有醤溶剤の液温、ディップ時間などの影響を受けやすい
。特に、実際のトンネル接合部の面積を規定するレジス
トマスク下部の寸法を一精度よく得ることは非常ζこ難
しい０また、トンネル接合部は囲りの絶縁体層１４より
も低い位置にあるため、プラズマクリーニングやプラズ
マ酸化時にスパッタされた絶縁体層１４の付着により汚
染されるという欠点があった０ 第２の方法を第２図（ａ）〜（ｆ）を用いて説明する１
、第２図（りに示すように、第１図（−と同様な方法で
基板４上に第１の超伝導体電極ｎを形成する。その後、
第２図（ｂ）に示すように基板全面に蒸着法やスパッタ
法でＳ ｉ ＯｌＳ ｉ Ｏ＊等でなる絶縁体層おを被
着する０ 次に、第２図（ｃ）に示すように絶縁体層ｎ上にトンネ
ル接合部を形成するための開口を有するレジストマスク
冴を形成した後、アルゴン（Ａｒ ）などの不活性ガス
を用いたイオンエツチング法やフロ’ ２３ （ＣＨＦ
Ｉ ）、７ ロア １４ （ＣＦ ａ ） ’Ｊ’ ト
ノｆ−ｙ ＋ ７クカスによる反応性スパッタエツチン
グ法で絶縁体層おを加工し、第２図（（至）に示すよう
一トンネル接合部を形成する。次に第２図（ｅｌに示す
ように、第１図（ｅ）と同様な方法でトンネル接合部に
数１０Ｘのトンネル接合層５を形成し、その後、第１の
超伝導体４極認の場合と同様な電極材料および成膜法で
第２図ｉｆ）に示すような第２の超伝導体４極２６を形
成する。この方法では、トンネル接合部の絶縁体層Ｕを
イオンエツチング法や反応性スパッタエツチング法で除
去するため、トンネル接合部１こおける電極表面はイオ
ン損傷を受ける。反応性スバツタエッチンク法の場合に
は、電体表面は反応性のエツチングカスによって汚染さ
れる。
また、この方法でも第１の方法と同様、トンネル指合部
はプラズマクリーニングやプラズマ酸化時に絶縁体層乙
の付着により汚染されるという欠点があった。
はプラズマクリーニングやプラズマ酸化時に絶縁体層乙
の付着により汚染されるという欠点があった。
本発明の目的ｌオ、このような従来の欠点を取り除いた
ジョセフフン凄合素子の製、６方法を提供することであ
る。
ジョセフフン凄合素子の製、６方法を提供することであ
る。
本発明によれば、基板上に第１の超伝導体を箇と前記第
１の超伝導体電極の一表面上のトンネル接合層、および
前記トンネル接合層を介して前記第１の超伝導体電極と
対向する第２の超云淳体這極を有するジ曽セフソン接合
素子の製造方法において、基板上に第１の超伝導体電極
を形成し、該第１の超伝導体電極上のトンネル接合部と
する領域にレジストマスクを形成した後、前記第１の超
伝導体電極を少なくともロンドンの侵入深さと同じ膜厚
が残るようにエツチングする工梶、引αき？縁体層を被
着、リフトオフすること；こよって前記第１の超伝導体
電極の僅エツチング部を埋める工程、次に前記トンネル
接合部１１：前記トンネル接合層を形成する工程、次に
前記トンネル接合層と接触するように前記第２の超伝導
体電極を形成する工程を具備するジＲセフソン接合素子
の製造方法か得られる。
１の超伝導体電極の一表面上のトンネル接合層、および
前記トンネル接合層を介して前記第１の超伝導体電極と
対向する第２の超云淳体這極を有するジ曽セフソン接合
素子の製造方法において、基板上に第１の超伝導体電極
を形成し、該第１の超伝導体電極上のトンネル接合部と
する領域にレジストマスクを形成した後、前記第１の超
伝導体電極を少なくともロンドンの侵入深さと同じ膜厚
が残るようにエツチングする工梶、引αき？縁体層を被
着、リフトオフすること；こよって前記第１の超伝導体
電極の僅エツチング部を埋める工程、次に前記トンネル
接合部１１：前記トンネル接合層を形成する工程、次に
前記トンネル接合層と接触するように前記第２の超伝導
体電極を形成する工程を具備するジＲセフソン接合素子
の製造方法か得られる。
以下不発明の基板プロセスを順を用いて説明する０第３
図（ａ）に示すようζこ、絶縁体基板あるいは表面に絶
縁体層を有する基板３１上に、蒸着法や子バッタ法によ
りＮｂ、Ｐｂ等でなる第１の超伝導体電極３２を形成す
る。ナ１の超伝導体電極上のパターニングは通常のレジ
スト工程を用いたエツチング法やリフトオフ法で行なう
。次に、第３図色）に示すように第１の超伝導体電極ｎ
上のトンネル接合部となる部分にレジストマスクおを形
成した後、第３図（ｃ）に示すように反応性スパッタエ
ツチングやイオンエッチンクなどの異方性エツチング法
で第１の超伝導体電極上をロンドンの侵入深さ以上の膜
厚が残るようｊこエツチングし、引続き第３図（ｄ）に
示すよ−）に基板全面に蒸着法やイオンビームスバッタ
法などの指向性の良い成膜法によりＳ１０゜８ｉＱ＝等
でなる絶縁体層３４を被着する。レジストマスク３３そ
リフトオフした後、トンネル接合部を熱酸化またはプラ
ズマ−化し累３図（ｅ）に示すような数ｌＯＸのトンネ
ル接合層あを形成する０その後第３図（ｆｊに示すよう
屹、第１の超伝導体電極上の場合と同様に蒸着法やスパ
ッタ法で第２の起伝導体電極あを形成する。この方法で
は、トンネル接合部の形成に再現性の良い矩形レジスト
マスクが利用できること、エツチング方法およびエツチ
ング条件の最適化によりレジストマスクおから第１の起
伝導体電極ｎへの高精度のパターン転写か可能であるこ
とから、従来のリフトオフ法を用いた方法（第１図）に
比ベトン不ル接合部のす汰を制御し易い。また、トンネ
ル接合部はレジストマスクおとの接触部で規定されるた
め従来のエツチング法を用いた方法（第２図）よりも高
精度のトンネル接合部が祷られる０しかも、トンネル接
合部はエツチング雰囲気にさらされないため、イオン損
傷の問題や反応性エツチングガスによる汚染の問題がな
い。ざらに、トンネル接合部と周囲の絶／ 縁体属調を平坦化することによって、プラズマクリーニ
ングやプラズマ酸化時におけるトンネル接合部の汚染を
低減できる。
図（ａ）に示すようζこ、絶縁体基板あるいは表面に絶
縁体層を有する基板３１上に、蒸着法や子バッタ法によ
りＮｂ、Ｐｂ等でなる第１の超伝導体電極３２を形成す
る。ナ１の超伝導体電極上のパターニングは通常のレジ
スト工程を用いたエツチング法やリフトオフ法で行なう
。次に、第３図色）に示すように第１の超伝導体電極ｎ
上のトンネル接合部となる部分にレジストマスクおを形
成した後、第３図（ｃ）に示すように反応性スパッタエ
ツチングやイオンエッチンクなどの異方性エツチング法
で第１の超伝導体電極上をロンドンの侵入深さ以上の膜
厚が残るようｊこエツチングし、引続き第３図（ｄ）に
示すよ−）に基板全面に蒸着法やイオンビームスバッタ
法などの指向性の良い成膜法によりＳ１０゜８ｉＱ＝等
でなる絶縁体層３４を被着する。レジストマスク３３そ
リフトオフした後、トンネル接合部を熱酸化またはプラ
ズマ−化し累３図（ｅ）に示すような数ｌＯＸのトンネ
ル接合層あを形成する０その後第３図（ｆｊに示すよう
屹、第１の超伝導体電極上の場合と同様に蒸着法やスパ
ッタ法で第２の起伝導体電極あを形成する。この方法で
は、トンネル接合部の形成に再現性の良い矩形レジスト
マスクが利用できること、エツチング方法およびエツチ
ング条件の最適化によりレジストマスクおから第１の起
伝導体電極ｎへの高精度のパターン転写か可能であるこ
とから、従来のリフトオフ法を用いた方法（第１図）に
比ベトン不ル接合部のす汰を制御し易い。また、トンネ
ル接合部はレジストマスクおとの接触部で規定されるた
め従来のエツチング法を用いた方法（第２図）よりも高
精度のトンネル接合部が祷られる０しかも、トンネル接
合部はエツチング雰囲気にさらされないため、イオン損
傷の問題や反応性エツチングガスによる汚染の問題がな
い。ざらに、トンネル接合部と周囲の絶／ 縁体属調を平坦化することによって、プラズマクリーニ
ングやプラズマ酸化時におけるトンネル接合部の汚染を
低減できる。
次に本発明の一実施例を示す。
表面が熱酸化５ｉｎｓで被覆されたシリコン（Ｓｌ）基
板上に、高ｊ句波スパッタ法をこより基板温度３００℃
でＮｂ膜４０００Ｘを被着する。この膜上ｉこポジ型ホ
トレジスト（ンップレー社ＷＡＺ１３５０．Ｊ）を用い
た通常のホトレジスト工程でレジストマスクを形成し、
フレ万ン１２（ＣＣ６＊Ｆ＊ ）ｋエツチングカスとす
る反応性スバツタエフチンク法でＮｂ膜を加工して第１
の超伝導体電極を形成Ｔる。褐１の超伝導体電極上のト
ンネル接合部となる部分ッチング法で第１の超伝導体電
極を２００ＯＡエツチングする。
板上に、高ｊ句波スパッタ法をこより基板温度３００℃
でＮｂ膜４０００Ｘを被着する。この膜上ｉこポジ型ホ
トレジスト（ンップレー社ＷＡＺ１３５０．Ｊ）を用い
た通常のホトレジスト工程でレジストマスクを形成し、
フレ万ン１２（ＣＣ６＊Ｆ＊ ）ｋエツチングカスとす
る反応性スバツタエフチンク法でＮｂ膜を加工して第１
の超伝導体電極を形成Ｔる。褐１の超伝導体電極上のト
ンネル接合部となる部分ッチング法で第１の超伝導体電
極を２００ＯＡエツチングする。
ＡＺ１３５０Ｊに対するＮｂ膜のエツチング速度比は５
〜６で、し乃）もＡ方性エツチングが可能なためレジス
トマスクｌこ対するパターン寸法変化はほとんど生じな
い。
〜６で、し乃）もＡ方性エツチングが可能なためレジス
トマスクｌこ対するパターン寸法変化はほとんど生じな
い。
第１の起伝導体電極の機エツチング部の残存膜厚は２０
００λであり、Ｎｂ膜に関して一般に知られているロン
ドンの侵入深さ約１ｏｏｏＸよりも充分厚い。次に基板
全面ｔこｔ子ビーム蒸港法により８ｉ０を２００ＯＡ−
？１ｉ看し、レジストマスクをアセトン中の超音波洗浄
でリフトオフする。次に、クロロベンゼン処理を用いて
基板上にアンターカット形状のレジストマスクを形成す
る。この基板をＡｒプラズマでクリーニングした後、純
【素０雪によるプラズマ酸化法で」〜３０Ｘのトンネル
接合層を形成する。引続き真望を保持したまま鉛−ビス
マス合金（Ｐｂ−Ｂｉ）を６０００λ蒸着し、 リフト
オフして、ｌ！Ｊ２の超伝導体′１１を形成する。
００λであり、Ｎｂ膜に関して一般に知られているロン
ドンの侵入深さ約１ｏｏｏＸよりも充分厚い。次に基板
全面ｔこｔ子ビーム蒸港法により８ｉ０を２００ＯＡ−
？１ｉ看し、レジストマスクをアセトン中の超音波洗浄
でリフトオフする。次に、クロロベンゼン処理を用いて
基板上にアンターカット形状のレジストマスクを形成す
る。この基板をＡｒプラズマでクリーニングした後、純
【素０雪によるプラズマ酸化法で」〜３０Ｘのトンネル
接合層を形成する。引続き真望を保持したまま鉛−ビス
マス合金（Ｐｂ−Ｂｉ）を６０００λ蒸着し、 リフト
オフして、ｌ！Ｊ２の超伝導体′１１を形成する。
本実施例では、−記ｌの超伝導体電極、第２超伝導体電
極としてそれぞＦｌ、Ｎｂ膜 Ｐｂ Ｂｉを用いた場
合について説明したが、Ｎｂ、Ｎｂ化合物、Ｎｂ合金、
Ｐ ｂｓ Ｐ ｂ合金などの任意の組合せ力Ｓ可能であ
る０これらの電極材料の加工法としてイオンエツチング
法はどの材料にも適用できるが、反応性スパッタエツチ
ング法を用いる場合には適切なエツチング条件の選択が
必要である０また、本実施例ではトンネル接合部を形成
するためのレジストマスクとしてＡＺ１３５０Ｊを便用
したが、 他の有礪レジスト、無機占シスト、さらには
これらのレジストの転写により形成したよりエツチング
耐性のある金属マスクｔよども用いることができる。第
２の起体４坏ｔ−ｔはリフトオフ法により形成したカ、
当然工７ナンク法により形成することもできるＯ 以上説明したように本発明によれば、トンネル接合部の
周囲を異方性エツチングすることによってトンネル接合
部を形成するため、高精度でしかもエツチングによる汚
染のないトンネル接合部を得ることができる０さらに、
トンネル接合部近傍を平坦化できるため、プラズマクリ
ーニングやプラズマ鹸化時に周囲のＩｅ嫌体層のスパッ
タによって生じるトンネル接合部の汚染を低減できる０
極としてそれぞＦｌ、Ｎｂ膜 Ｐｂ Ｂｉを用いた場
合について説明したが、Ｎｂ、Ｎｂ化合物、Ｎｂ合金、
Ｐ ｂｓ Ｐ ｂ合金などの任意の組合せ力Ｓ可能であ
る０これらの電極材料の加工法としてイオンエツチング
法はどの材料にも適用できるが、反応性スパッタエツチ
ング法を用いる場合には適切なエツチング条件の選択が
必要である０また、本実施例ではトンネル接合部を形成
するためのレジストマスクとしてＡＺ１３５０Ｊを便用
したが、 他の有礪レジスト、無機占シスト、さらには
これらのレジストの転写により形成したよりエツチング
耐性のある金属マスクｔよども用いることができる。第
２の起体４坏ｔ−ｔはリフトオフ法により形成したカ、
当然工７ナンク法により形成することもできるＯ 以上説明したように本発明によれば、トンネル接合部の
周囲を異方性エツチングすることによってトンネル接合
部を形成するため、高精度でしかもエツチングによる汚
染のないトンネル接合部を得ることができる０さらに、
トンネル接合部近傍を平坦化できるため、プラズマクリ
ーニングやプラズマ鹸化時に周囲のＩｅ嫌体層のスパッ
タによって生じるトンネル接合部の汚染を低減できる０
第１図（ａｌ 〜ｆｆ）、弟２ 図（ａｊ 〜（ｆｌは
従来のジ、セフフッｉ合篇子の製造方法を工程順に説明
するための素子の断面図、第３図（ａｌ〜（ｎは本発明
のジ譚セフソン接合素子の製造７７法を説明アるための
主要工程におりる素子の断面Ｌてある。 図において、１１ 、 ２１ 、 ３１ ｉ．ｃＡｍ、
ｔ２１ ’２Ｚ １ ３ｇは第１の超伝導体１！極
、 Ｌ３１２４１３３にレジストマスク、１４ ＊ ２
３，：ＭはＮｅ緻体層、ｌｂ，２５＋３５はトンネル接
合層、 １６ 、 ２５ 、 ３６は＃Ｊ２の超伝導体
電極である。 第１図
従来のジ、セフフッｉ合篇子の製造方法を工程順に説明
するための素子の断面図、第３図（ａｌ〜（ｎは本発明
のジ譚セフソン接合素子の製造７７法を説明アるための
主要工程におりる素子の断面Ｌてある。 図において、１１ 、 ２１ 、 ３１ ｉ．ｃＡｍ、
ｔ２１ ’２Ｚ １ ３ｇは第１の超伝導体１！極
、 Ｌ３１２４１３３にレジストマスク、１４ ＊ ２
３，：ＭはＮｅ緻体層、ｌｂ，２５＋３５はトンネル接
合層、 １６ 、 ２５ 、 ３６は＃Ｊ２の超伝導体
電極である。 第１図
Claims (1)
- 基板上に第１の超伝導体電極と前記第１の超伝導体電極
の一表面上のトンネル接合層、および前記トンネル接合
層を介して前記第１の超伝導本電極と対向「る第２の志
仏４Ｌ４’！極を有するジｄセフソン接合素子の製造方
法において、基板上に第１の超伝導体電極を形成し、該
第１の超伝導体電極上のトンネル接合部となる領域にレ
ジストマスクを形成した後、前記第１の超伝導体電極を
少ｔ ゛くともロンドンの侵入深さと同じ膜厚が残る
ようにエツチングする工程、引続き上縁体層を被着、リ
フトオフ下ることによって紬記第１の超伝導体電極の被
エツチング部を埋める工程、次に前記トンネル接合部に
前記トンネル嵌合ノーを形成する工程、犬に補記トンネ
ル泉合層と接触するように前記第２のｉ４ｉ伝導体電極
を形成する１橘を具備することを特徴さするジぎセフソ
ン接今素子の！％造方法０
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57092748A JPS58209179A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
| DE8383105381T DE3370901D1 (en) | 1982-05-31 | 1983-05-31 | Method of producing josephson tunnel barrier |
| EP83105381A EP0095773B1 (en) | 1982-05-31 | 1983-05-31 | Method of producing josephson tunnel barrier |
| US06/499,553 US4548834A (en) | 1982-05-31 | 1983-05-31 | Method of producing a Josephson tunnel barrier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57092748A JPS58209179A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58209179A true JPS58209179A (ja) | 1983-12-06 |
Family
ID=14063032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57092748A Pending JPS58209179A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58209179A (ja) |
-
1982
- 1982-05-31 JP JP57092748A patent/JPS58209179A/ja active Pending
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