JPH03238818A - 洗浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、露出部を有する金属層が形成された基板上
に付着した有機物を除去する洗浄方法に関するものであ
る。

〔従来の技術〕

第２図は従来のＳｉ基板上に形成されたレジストを除去
する洗浄工程を示す断面図である。同図（ａ）に示すよ
うに、Ｓｉ基板１上の全面にＣＶＤ法により１〜数μｍ
程度の膜厚のＡＩ薄膜２が形成されており、このＡｆＩ
薄膜２上の全面に、３００人程度の膜厚の保護膜３がス
パッタ現象を用いた成膜装置により形成されている。こ
の保護膜３は後工程で使用する有機アルカリ液によって
、Ａ１薄膜２が腐食されるのを防止するために形成され
ている。そして、保護膜３上に所定のパターンにバター
ニングされた膜厚が数μｍ程度のレジスト４が形成され
ている。レジスト４の材質はノボラック樹脂等の有機物
である。

このレジスト４をマスクとして、エツチング処理を施す
と、同図（ｂ）に示すように、レジスト４の付着してい
ない領域に相当するＡＩ薄膜２及び保護膜３が除去され
ることにより、ＡＩ薄膜２のバターニングが行われる。

そして、有機アルカリ液中にＳｉ基板１を浸漬させるこ
とにより、同図（Ｃ）に示すように、レジスト４を除去
する。

その後、Ｓｉ基板１上に付着した有機アルカリ液をイソ
プロピルアルコール（以下「ＩＰＡ」という。）で置換
する。このようにＩＰＡで置換するのは、有機アルカリ
液を純水中に混入するとアルカリ性が強くなり、Ａｆｉ
薄膜２が腐食されるため、それを防止するためである。

そして、Ｓｉ基板１の表面を水洗し、その後、Ｓｉ基板
１の表面をスパッタ装置を用いて３００Å程度エツチン
グし、保護膜３を除去する。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来のＳｉ基板１上に付着したレジスト等の有機物を除
去する洗浄方法は以上のように行われており、エツチン
グ処理されたＡ量薄膜２の側面２ａ上には、第２図（ｂ
）に示すように保護膜３が形成されていない。

このため、ＡＩ薄膜２のエツチング後にレジスト４の除
去を行うべく有機アルカリ液中にＳｉ基板１を浸漬する
と、有機アルカリ液により、Ａ１薄膜２の側面２ａが腐
食されてしまう問題点があった。

そこで、Ａ１薄膜２のエツチング後にＡ量薄膜２の側面
２ａにスパッタ法により再び保護膜を形成することが考
えられるが、保護膜形成時に生じる熱等により、レジス
ト４が変質し有機アルカリ液中にＳｉ基板１を浸漬して
も、レジスト４が除去できなくなるという新たな問題が
生じてしまう。

このように、従来のＳｉ基板１上に付着したレジスト４
等の有機物を除去する洗浄方法では、ＡＩ薄膜２等の金
属層の表面が露出している場合、有機物を除去する際に
金属層が腐食してしまうという問題点があった。

この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、露出面を有する金属層が形成された基板上に
付着した有機物の除去を、金属層が腐食されることなく
行うことができる洗浄方法を得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明にかかる洗浄方法は、露出部を有する金属層が
形成された基板上に付着した有機物を除去する洗浄方法
であって、酸化剤溶液中に前記基板を浸漬する第１の工
程と、前記第１の工程の後、アルカリ溶液中に前記基板
を浸漬する第２の工程とを備えて構成されている。

〔作用〕

この発明における第１の工程は、酸化剤溶液中に、露出
部を有する金属層が形成された基板を浸漬するため、金
属層の露出部上に不動態膜が形成される。

〔実施例〕

第１図はこの発明の一実施例であるＳｉ基板上に付着し
たレジストを除去する洗浄工程を示す断面図である。な
お、Ａｉ）薄膜２のエツチング処理工程直前の同図（ａ
）　、Ａ　Ｉ薄膜２のエツチング処理工程直後の同図（
ｂ）は、第２図で示した従来例と同様であるので、説明
は省略する。

ＡＩ薄膜２のエツチング処理工程後、酸化剤溶液である
過酸化水素水中にＳｉ基板１を浸漬する。

すると、同図（Ｃ）に示すように、露出したＳｉ基板１
の表面及び露出したＡＩ薄膜２の側面２ａ上に不動態膜
５が形成される。

そして、有機アルカリ液中にＳｉ基板１を浸漬すること
により、同図（ｄ）に示すように、レジスト４を除去す
る。この時、露出したＡＩ薄膜２の側面２ａ上に形成さ
れた不動態膜５がＡ１薄膜２の側面２ａを有機アルカリ
液から保護するため、側面２ａが有機アルカリ液により
腐食されることはない。

その後、Ｓｉ基板１上に付着した有機アルカリ液をＩＰ
Ａで置換した後、水洗処理を施す。そして、Ｓｉ基板１
の表面をスパッタ装置を用いて３００人程魔王ツチング
し、保護膜３及び不動態膜５を除去する。

〔発明の効果〕

以上説明したように、この発明によれば、第１の工程に
より、酸化剤溶液中に、露出部を有する金属層が形成さ
れた基板を浸漬するため、金属層の露出部上に不動態膜
が形成される。その結果、この不動態膜により金属層の
露出部は保護されるため、第２の工程において、アルカ
リ溶液中に基板を浸漬しても、金属層を腐食させること
なく基板上に形成された有機物を除去することができる
効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例である洗浄方法を示す断面
図、第２図は従来の洗浄方法を示す断面図である。 図において、１はＳｉ基板、２はＡＪ２薄膜、３は保護
膜、４はレジスト、５は不動態膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）露出部を有する金属層が形成された基板上に付着
   した有機物を除去する洗浄方法であって酸化剤溶液中に
   前記基板を浸漬する第１の工程と、 前記第１の工程の後、アルカリ溶液中に前記基板を浸漬
   する第２の工程とを備えた洗浄方法。