KR0179170B1 - 반도체 소자의 어드히젼처리방법 - Google Patents

반도체 소자의 어드히젼처리방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 제조방법에 관한 것으로, 특히 메탈필름 표면과 감광막(P/R)간의 접촉표면적을 크게 해줌으로써 단위선폭당 접착력을 증대시키도록 하는 적당한 반도체 소자의 어드히젼(adhesion)처리방법에 관한 것이다. 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 기판상에 금속을 증착하는 공정, 상기 금속 표면을 TMAH 현상처리하는 공정, 상기 TMAH 현상처리된 금속표면을 HMDS 처리하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다. 이와 같은 본 발명은 TMAH 현상처리에 의해 표면이 약간 깍여지는 성질을 이용한 것으로 다음과 같은 효과가 있다. 메탈필름 증착후 TMAH를 실시함으로써 정상적인 노광(photo)공정 진행시 메탈표면과 감광막(P/R)간의 접촉표면적을 증대시켜 접착력을 향상시킬 수 있다. 또한, 메탈필름을 패터닝하기 위한 어라인 공정시 메탈필름의 휘어짐이나 단락등의 불량을 없앨 수 있다.

Description

반도체 소자의 어드히젼처리방법
제1도는 종래의 메탈필름 표면의 어드히젼처리를 이용한 사진식각방법을 도시한 공정순서도.
제2도는 종래의 메탈필름의 표면을 나타낸 도면대용사진.
제3도는 본 발명의 메탈필름 표면의 어드히젼처리를 이용한 사진식각방법을 도시한 공정순서도.
제4도는 본 발명의 메탈필름의 표면을 나타낸 도면대용사진.
본 발명은 반도체 제조방법에 관한 것으로, 특히 메탈필름 표면과 감광막(P/R)간의 접촉표면적을 크게 해줌으로써 단위 선폭당 접착력을 증대시키도록 하는데 적당한 반도체 소자의 어드히젼(adhesion)처리방법에 관한 것이다.
이하, 첨부돤 도면을 참조하여 종래의 기술을 설명하면 다음과 같다.
제1도는 종래의 메탈필름 표면의 어드히젼처리를 이용한 사진식각방법을 도시한 공정순서도로써, 먼저 다른 부과물이 형성되어 있는 기판상에 메탈필름(metal film)을 증착한다.
이어서 상기 메탈필름이 증착된 기판(이하 기판이라 지칭함)은 HMDS(Hexa Methyl Disilizane : 이하 HMDS라 칭함)처리를 하거나 Hat plate + HMDS 처리로 공정시간을 길게하여 기판과 어드히젼 처리제(HMDS)간의 접촉시간을 연장시키는 방법으로 상기 기판과 HMDS간의 어드히젼을 갖게하였다.
여기서 HMDS 처리방법은 다음과 같다.
즉, 진공 챔버(Vacuum chamber)내에 액체의 HMDS를 가압하여 주입하면 기체로 변하여 기판상에 분사된다.
이어서 HMDS가 분사된 기판을 진공 챔버내에서 꺼내어 쿨링(cooling)한다.
이때 기판온도가 50~120℃영역이다.
그다음 상기 HDMS 처리가 완료된 기판상에 감광막을 도포하여 어드히젼처리를 완료한다.
이어서 소정의 메탈필름을 패터닝하기 위한 어라인(align)과 노광/현상 공정을 행함으로써 종래의 메탈필름 표면의 어드히젼처리를 이용한 사진 식각방법이 완료된다.
여기서 메탈필름 증착시 메탈필름의 주성분은 Al + Cu(2%) + Si(2%)로 감광막과 접착할 수 있도록 하는 HMDS와의 접착역할을 하는 Si가 2%로 매우 적은 양이 포함되어 있다.
따라서 Si가 많은 층(layer)(예 : SiO2)보다 현저하게 감광막과의 저조한 접착력을 갖게 된다.
제2도는 종래의 메탈필름의 표면을 나타낸 도면 대용 사진으로써, 상기 종래의 HMDS 처리후 메탈필름의 표면을 나타낸 것이다.
상기와 같이 종래의 기술은 메탈필름에 HMDS 처리를 하거나, 처리시간을 연장하여 메탈필름에 대한 어드히젼처리를 하였다.
상기와 같은 방법은 소정의 메탈필름을 패터닝하기 위한 어라인 공정시 메탈필름의 휘어짐이나 단락등의 불량이 유발되어 정상적인 소자동작을 하지 못하게 하거나, 노광(photo)재작업을 실시해야 하는 번거러운 문제점이 발생하였다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 메탈필름 표면과 감광막간의 접촉표면적을 크게 해줌으로써 단위 선폭당 접착액을 증대시키는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 기판상에 금속을 증착하는 공정, 상기 금속 표면을 TMAH 현상 처리하는 공정, 상기 TMAH 현상처리된 금속표면을 HMDS 처리하는 공정을 포함하여 이루어짐을 그 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 설명하면 다음과 같다.
제3도는 본 발명의 메탈필름 표면의 어드히전 처리를 이용한 사진 식각방법을 도시한 공정순서도로써, 먼저 다른 부과물이 형성되어 있는 기판상에 메탈필름을 증착한다.
이때 메탈필름의 주성분 Al + Cu(2%) + Si(2%), Al + Cu(0.5%) +Si(1%), Al + Si(2%)중 하나로 구성된다.
이어서 상기 메탈필름이 증착된 기판(이하 기판이라 지칭함)은 TMAH(Tetra Methyl Ammonium Hydoxide : 이하 TMAH라 지칭함)처리를 한다.
이때 TMAH는 C.C.C社의 CPD-18 디벨로퍼(Developer)로써, 상기 기판을 스피너(spinner)상에 안착시킨 후 Low RPM(Revolutions Per Minute : 이하 RPM이라 지칭함)으로 스핀한다.
그 다음 Low RPM으로 스핀되는 상기 기판 전면에 상기 디벨로퍼를 골고루 분사한 다음 소정의 시잔(15~30sec)동안 나둔다.
이어서 소정의 시간이 지난 뒤 상기 기판 전면에 분사된 디벨로퍼를 증류수(D.I. water)로 린스(rinse)한 뒤 High RPM으로 스핀하여 건조(dry)시킨다.
이어서 상기 TMAH 현상처리가 완료된 기판에 HMDS 처리를 한다.
이때 HMDS 처리방법은 다음과 같다.
즉, 진공챔버(Vacuum Chamber)내에 액체의 HMDS를 가압하여 주입하면 기체로 변하여 기판상에 분사된다.
이어서 HMDS가 분사된 기판을 진공 챔버내에서 꺼내어 쿨링(cooling)한다.
이때 기판온도가 50~120℃ 영역이다.
상기 HMDS처리가 완료된 기판상에 감광막을 도포하여 어드히젼처리를 완료한다.
이어서 소자의 메탈필름을 패터닝하기 위한 어라인(aligh)과 노광/현상공정을 행함으로써 메탈필름 표면의 어드히젼처리를 이용한 사진식각방법이 완료된다.
제4도는 본 발명의 메탈필름의 표면을 나타낸 도면대용사진으로써 상기 본 발명의 TMAH 및 HMDS 처리후 메탈필름의 표면을 나타낸 것이다.
이와 같은 본 발명은 TMAH 현상처리에 의해 표면이 약간 깍여지는 성질을 이용한 것으로 다음과 같은 효과가 있다.
메탈필름 증착후 TMAH를 실시함으로써 정상적인 노광(photo)공정 진행시 메탈표면과 감광막(P/R)간의 접촉표면적을 증대시켜 접착력을 향상시킬 수 있다.
또한, 메탈필름을 패터닝하기 위한 어라인 공정시 메탈필름의 휘어짐이나 단락등의 불량을 없앨 수 있다.

Claims (1)

  1. 기판상에 금속을 증착하는 공정, 상기 금속이 증착된 기판을 회전 장치에 안착시켜 이를 회전하면서 현상액을 분사하고 일정시간 동안 회전시킨후 기판을 린스하고 드라이하여 금속 표면을 TMAH 현상 처리하는 공정. 상기 TMAH 현상처리된 금속 표면을 HMDS 처리하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자의 어드히젼 처리방법.
KR1019950020367A 1995-07-11 1995-07-11 반도체 소자의 어드히젼처리방법 KR0179170B1 (ko)

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