JPS59154A - プラズマエツチングに耐性を有するレジストマスクを形成する方法 - Google Patents
プラズマエツチングに耐性を有するレジストマスクを形成する方法Info
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- JPS59154A JPS59154A JP58089308A JP8930883A JPS59154A JP S59154 A JPS59154 A JP S59154A JP 58089308 A JP58089308 A JP 58089308A JP 8930883 A JP8930883 A JP 8930883A JP S59154 A JPS59154 A JP S59154A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
発 明 の 分 野
本発明は′ダ１″＜ルリ版技術を用いて放射線感知レジ
ストのパターンを股＋−３たフイルノ＼を含むプラズマ
エツチングに耐性を有するマスクを基板上に形成する方
法に門するものである。 Ｋ 来 技 術 プラズマ エツチングの技術についてはよく知られてお
り、一般に）１″導体装置の製造に際し使用されている
。これに関する参考文献としては、例エバ、フィリップ
ス デクニ力ル レビュー、Ｖｏｗ、、 ３８．１！１
７８ ／ ７！ｌ、 Ａ ７／８ （７） ２００ない
し２１．０ヘーシにｆｒ＋成オれているカルター（Ｋａ
ｌｔｅｒ ）おｊ：びファンデベン（Ｖａｎ ｄｅ ｖ
ｅｎ）Ｇこよる論文″ＩＣ技術におけるプラズマ エツ
チング（Ｐｌａｓｍａ Ｅｔｃｈｊ−ｎｇ ｉｎ ＩＣ
ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ）”がある。 本明細書において、プラズマ エツチングナル語句はい
わゆるイ副ン反応エッヂングを含む広い意半導体１−業
（こ一般に使用されている放９・１線電ミ知レジストは
神々の１杉のｊ俊射線に１１０度をイ■する。例えば、
ある神のレジストは可視光線に１１ω知し、また、ある
レジスｌ−はＸ線に感するが、１１７．のレジストは１
例えばｓ ’ｌ’ｌ、子のような４７１宿、＊′Ｘ１子
のヒーノ、の形状をイｒ１−る放射線に感度を有する。 したがって、適当な放射線にさらした後、適当な溶剤で
現像するステップを含むいわゆる写真製版技術を用いて
、基板上にあるレジスト フィルムにパターンヲ設け、
爾後のプラズマ エ゛、ソチング処Ｉｌｌ に面１える
ようなマスクを形成することが可能となる。 放射線感知レジストはポジティブ（陽画）作用レジスト
またはネガティブ（陰画）作用レジストに分類される。 ポジティブ作用レジストを放ＩＩ 、Ｍにさらした場合
は、これらの露光部分は選択的に取除くことができる。 これは、さらされた部分は現像液内で可溶性となり、さ
らされ１．Ｉ″い部分は不溶性のまま保持されることに
よる。これに反して、ネガティブ作用レジストの、場合
は、ざらされた部分が不溶性となり、ざらされない部分
が可溶性となる。−・般Ｇこ、ポジティブ作用レジスト
の方がネガティブ作用レジストより良θｒな解像度を与
える。 したがって、これらのプラズマ エツチングに対する耐
蝕性の点では、通常ネガティブ作用レジストに劣ってい
るＧこも拘らず、小型化との両立性の観２点もあり、半
導体工業分野においては、集情回路の製に１ｒＧこ際し
て、ポジティブ作用レジストを選択する傾向が強い。こ
の不充分な耐蝕性の間順に対処４るため、通常は、比較
的１シいレジスト層（棹準的には０．５ないし１μｍの
範囲）を用いて不ｊｆ望のｐＪ蝕をｈｆｆ ｆＪ’ｔす
るようにしているが、残念なことには、レジストの厚み
を大きくするにしたがって解像度が劣化するという・）
ｄ［点が生じてくる。 高解像度の利点を保持しながら、プラズマ エツチング
に肘するポジティブ レジストの耐蝕性を１１を善する
ため、各相（のプラズマ エツヂングシスデノ＼や新し
いポジティブ レジスト材料に関し種々提案がなされて
おり、例えば、日本国電気化学協会：固体回路科学およ
び技術（５ｏｌｉｄ −５ｔａｔｅ ５ｃｉｅｎＣｅ
ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ）、Ｉ ！ｌ ［３０
年２月号、手１）］ないし４９７ページＧ、７．４Ｆ、
’＋ １９ Ｊ ｆｒ、 ’Ｃいるハラダ カッヒロの
１扁史°°プラズマ 、エツチングに＠（性をｆ１°４
−るポジティブ レジストる一改善するための添力目斉
Ｉｔ （ＡｄｄｉｔｉＶｅｓ ｔｈａｔ ］：ｍｐｒ（
ｌＶｅＰｏｓｉｔｉｖｅ Ｒｅ５ｉｓｔ Ｄｕｒａｂｉ
ｌｉｔｙ ｆｏｒ Ｐｌａｓｍａ、 Ｅｔｃｌｔｉ、ｎ
ｇ）”においで、著者は、例えば、不純物除夫削（ラジ
カル スカベンジャ）または遊ｎ「柚、すなわち、１．
１ジフェニル−２−１ごクリルヒドラジルびガルピノ副
ギシルまたはプラスデック酸イ旧；ノ肖１−剤、ツーな
わち、２，４．６−）リタートブヂルフェノールのよう
な添加剤を金石させることにより、従来のポジティブ
レジストの耐蝕性を９ ％しうる旨−１ミ張している。 しかし、残念ながら、ハラダの技術により而」触性を改
善する方法は、しばしく４゛、レジストの感度のような
他の重要な′＃性を＠牲にするという難点ゾＩ（ある。 発明の構成 写８製版技術を用いて放射ｍ感知レジス） （７−）バ
ターンを＃’＋’Ｃ’、Ｊたフィルムを劇むプラズマ
エツチング（・二酊ｔ１″をイ１−するマスクを基板十
に形Ｉ）ａするためσ）本発明方法Ｇこよるときは、バ
タ一二・を設４１た該フィルムを一酸化炭素プラズマに
さらし、パター二／不、役目か該フィルムの表１拍にプ
ラズマ エ゛ンチング（こｌＬする面１性を高めたｆＩ
′ｌ域をＪ１ツ成させるステップを含むことを特徴とす
る。 本別出廟人は、−酸化炭素プラズマにレジストをさらす
ことが爾後のエッヂング処Ｐ（Ｉに対するレジスト マ
スクの面Ｊ蝕性を高めるよう作用しているという事実を
発見したことＧこより本発明を導いたものである。、−
の結果は、パターンを設Ｕたレジストを他のプラズマに
ぎらずことにより、帽蝕性（エツザ抵抗）が影響を受り
ることもなく、またある場合Ｑ、：は耐蝕性が害われる
こともないという点で腸（こ驚くべきことである。 この方法η′Ｊげ成した表面領域の耐蝕性の増加はし一
シスト ベース マスクのプラズマ エッチレートを顕
著に減少さげるので、１ｒイ像度を増大させるのに、例
えば、０６４μｍ以下のさらに薄いし１シストを使用す
ることができる。 本発明方法は、前述の従来技術と１１比した場合・新し
い相＊・［または着ｒしいエツチング システムを必要
とぜす、それどころか、本来、半導ｆ４・１［業でよく
知られている処理ステップおよび材１′″１を使用して
いるに過ぎない。 プラズマ エッチ速度を減少させる利点は、レジストが
ポジティブ作用レジストのＪムｈ合、特（こ屯貿である
が、本発明ＪＩ法はネガティブ作用レジストの場合Ｇこ
も使用することができる。 以下図面により本発明を説明する。 添付図は図示を明瞭にするため実物のスケールに比例し
ないスケールで表示しである。 また・以下の記述は、半導体ウエノ・処理に使用される
一般の写真製版技術用として適するフォトマスクの製造
に関するものである。 まず、例えば、一般のスパッタリング技術を月１いて、
アルミノ珪ｒｔＩ／塩または合成石英の基板１−ヒ。 （コ・イ＋、：°ｉ ｉＶ（的Ｍ Ｏ，１１１ｍのＩ？
みを・０するクロム層２を析出させる。次いて、該クロ
ノ・層２上に・英国時ｊｊ’ｌ’ Ｃｔ Ｂ １ ＋
４４５ ＋ ３４５号′ｊ−３よびＧ Ｂ １，５（１
０，５＋１号４．前記賎されているような交差結合ポジ
ティブ作用レジストのフィルトを設りるｇこの場合、例
えば・ポリ−（メチル メタクリレートーコーメタクリ
ック アシド）およびポリ−（メチル メタクリルレー
ト−２−メタクリロイル りロライド）の混合物Ｇこよ
り形成したレジストは７１ｆ、−Ｔ−１ｉ、（ｊ射線に
感知Ｊるので、■、知の＞Ｈ，７−ビーム写直；９１Ｊ
版技術を用いてレジス１ フィルト＼にパターンを設け
ることができる。このようＧこ・電子・ビーノ・にぎら
したｆＴｉ Ｇこけ、パターンを設けたレジスト フィ
ルム３がケ１λるようなレジスト フィルト、が生成さ
れる。 次いで、レジスト フィルム３を一般のプラズマ エツ
ヂング装置内で（）。４トル、１００ワツトの一酸化１
．ζ素プラズマＧこ５分間さらす。驚いたことに、この
処理Ｇ」、パターンを設けたレジストフｒルム３の１＜
面子Ｇこ、爾後のプラズマ エツチング ステップＧ、
Ｘ嫁１して増大しまた耐蝕性を有する領域を形成ざぜる
。この結果ｉ：ｔ 、＋ｉｉ＋ 、；ｌｉ したようＧ
・−・本１ｌＪｊ“（出願人が仙、のプラズマを用いて
実施した同一処理では、マスクの耐蝕性（エッチ抵１１
″し）の増大をはかること（」てきず、あるＪ’（’ｒ
合Ｇこ番ま１．−のよ）ｔＣ処ＪＩＩＩＧこより面１蝕
性が′−ｒわれることざえンら−）たという事実からＪ
スえると、特に驚くべきことでもるる。 ン欠のスｉ゛ンフ゛Ｇ；ｔプラズマ エツーヂンゲＧこ
」てりクロム層２ Ｋ−パターンを設４Ｊるス゛ｙノブ
を１￥む。・二のステップにおい゛Ｃ１パターンをｆ没
（またｌｚ シス々フィルム３は表面領域４とともＧこ
クロノ＼層２のト）ｊ４こある部分をマスクｒる（４１
」きをする。′ｊ（１ηに、プラズマ エッヂに耐性を
有する表面領域４１０面１蝕性はマスクのｕｉｎｋ性を
２倍たり増加させうろことが分っている。クロムは、例
えば、−酸化アルゴンまたは一酸化炭素のような坦体ガ
ス３のうち四１話化ＩＶ素１ないし酸素］を含む０．５
１−ル、４１００ワツトのプラズマ中で１０分間エツヂ
ングを行うよう（こするを１１１とする。 次に、蒸気状硝酸を用いてパターンを股番づたしシフ１
フイルノ・３を表面領域４とともに取除き、ガラス基
板１１−にパターンを役目た半透明クロム層２を含むフ
第１・マスクを残存さげる。 また、上述したど同じ方法を用いで、既知の７１７゜ｒ
−ビーム画像投写技術に使用する光電陰極マスクを１１
〆；１造することもできる。この場合には、基板１を石
Ｊｆｉ：（、こより形成、し、表面層２ちクロムＧこよ
り形成するを可とするが、基板のさらぎれた表面部分お
」、びパターンを、没けたクロム層は、マスクが後方か
ら紫外線を多１１１に浴びた際に、宙１了源として作動
しつる沃化セシウムのような光′Ｍ、陰極材料で被覆す
ることが望ましい。 本発明Ｊｉ ｆＪ？は゛ｌ′、３．１’Ｘ体ウェハを処
理するのに直接使用することができる。この場合、基板
］はそれ自体を崖、導体ウェハＧこより）彪成し、表面
層２に爾後の処理ステップＧに対してＩ’−：ｔｘ体表
面をマスクしで、例えば、酸化物のような＋イ料のＩ＋
４ により形成するをｌ１とする。 本−Ｖｄ ｌｌ１１は本１１１１細ｄｊ記載の実施例に
限定されるものでなく、本発明は他の変形をも包含する
ものである。 発 明 の 要 約 イ（発明はＪ、を板（１）上Ｇこあるｈ（射線感知レジ
ス） フイ＃ム（３）に写真ｆ１＋’１ 版技術を用
いてバクーンヲ設りることによりプラズマ エラー１゛
ング々ハＩｊｌｌにｕ性をｑするマスクを形成する方法
（こ門４−るもので、−ｒｇｐ化疾素プラズマにさら１
こと（こよりマスクの耐蝕性（エッチ抵抗）を増大させ
、パターンを、９ ＩＪたフィルムの表面にプラズマ
エツチングＧこス・１１−る耐性を高めた領域（４）を
形ｒｒ’；、許せるようにしたものである。この方法は
、例えは、クロノ＼被覆ガラス基板を用いてフＡトマス
クを製造するのに使用することかでき、もしくは１１′
導体ウェハ基板
ストのパターンを股＋−３たフイルノ＼を含むプラズマ
エツチングに耐性を有するマスクを基板上に形成する方
法に門するものである。 Ｋ 来 技 術 プラズマ エツチングの技術についてはよく知られてお
り、一般に）１″導体装置の製造に際し使用されている
。これに関する参考文献としては、例エバ、フィリップ
ス デクニ力ル レビュー、Ｖｏｗ、、 ３８．１！１
７８ ／ ７！ｌ、 Ａ ７／８ （７） ２００ない
し２１．０ヘーシにｆｒ＋成オれているカルター（Ｋａ
ｌｔｅｒ ）おｊ：びファンデベン（Ｖａｎ ｄｅ ｖ
ｅｎ）Ｇこよる論文″ＩＣ技術におけるプラズマ エツ
チング（Ｐｌａｓｍａ Ｅｔｃｈｊ−ｎｇ ｉｎ ＩＣ
ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ）”がある。 本明細書において、プラズマ エツチングナル語句はい
わゆるイ副ン反応エッヂングを含む広い意半導体１−業
（こ一般に使用されている放９・１線電ミ知レジストは
神々の１杉のｊ俊射線に１１０度をイ■する。例えば、
ある神のレジストは可視光線に１１ω知し、また、ある
レジスｌ−はＸ線に感するが、１１７．のレジストは１
例えばｓ ’ｌ’ｌ、子のような４７１宿、＊′Ｘ１子
のヒーノ、の形状をイｒ１−る放射線に感度を有する。 したがって、適当な放射線にさらした後、適当な溶剤で
現像するステップを含むいわゆる写真製版技術を用いて
、基板上にあるレジスト フィルムにパターンヲ設け、
爾後のプラズマ エ゛、ソチング処Ｉｌｌ に面１える
ようなマスクを形成することが可能となる。 放射線感知レジストはポジティブ（陽画）作用レジスト
またはネガティブ（陰画）作用レジストに分類される。 ポジティブ作用レジストを放ＩＩ 、Ｍにさらした場合
は、これらの露光部分は選択的に取除くことができる。 これは、さらされた部分は現像液内で可溶性となり、さ
らされ１．Ｉ″い部分は不溶性のまま保持されることに
よる。これに反して、ネガティブ作用レジストの、場合
は、ざらされた部分が不溶性となり、ざらされない部分
が可溶性となる。−・般Ｇこ、ポジティブ作用レジスト
の方がネガティブ作用レジストより良θｒな解像度を与
える。 したがって、これらのプラズマ エツチングに対する耐
蝕性の点では、通常ネガティブ作用レジストに劣ってい
るＧこも拘らず、小型化との両立性の観２点もあり、半
導体工業分野においては、集情回路の製に１ｒＧこ際し
て、ポジティブ作用レジストを選択する傾向が強い。こ
の不充分な耐蝕性の間順に対処４るため、通常は、比較
的１シいレジスト層（棹準的には０．５ないし１μｍの
範囲）を用いて不ｊｆ望のｐＪ蝕をｈｆｆ ｆＪ’ｔす
るようにしているが、残念なことには、レジストの厚み
を大きくするにしたがって解像度が劣化するという・）
ｄ［点が生じてくる。 高解像度の利点を保持しながら、プラズマ エツチング
に肘するポジティブ レジストの耐蝕性を１１を善する
ため、各相（のプラズマ エツヂングシスデノ＼や新し
いポジティブ レジスト材料に関し種々提案がなされて
おり、例えば、日本国電気化学協会：固体回路科学およ
び技術（５ｏｌｉｄ −５ｔａｔｅ ５ｃｉｅｎＣｅ
ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ）、Ｉ ！ｌ ［３０
年２月号、手１）］ないし４９７ページＧ、７．４Ｆ、
’＋ １９ Ｊ ｆｒ、 ’Ｃいるハラダ カッヒロの
１扁史°°プラズマ 、エツチングに＠（性をｆ１°４
−るポジティブ レジストる一改善するための添力目斉
Ｉｔ （ＡｄｄｉｔｉＶｅｓ ｔｈａｔ ］：ｍｐｒ（
ｌＶｅＰｏｓｉｔｉｖｅ Ｒｅ５ｉｓｔ Ｄｕｒａｂｉ
ｌｉｔｙ ｆｏｒ Ｐｌａｓｍａ、 Ｅｔｃｌｔｉ、ｎ
ｇ）”においで、著者は、例えば、不純物除夫削（ラジ
カル スカベンジャ）または遊ｎ「柚、すなわち、１．
１ジフェニル−２−１ごクリルヒドラジルびガルピノ副
ギシルまたはプラスデック酸イ旧；ノ肖１−剤、ツーな
わち、２，４．６−）リタートブヂルフェノールのよう
な添加剤を金石させることにより、従来のポジティブ
レジストの耐蝕性を９ ％しうる旨−１ミ張している。 しかし、残念ながら、ハラダの技術により而」触性を改
善する方法は、しばしく４゛、レジストの感度のような
他の重要な′＃性を＠牲にするという難点ゾＩ（ある。 発明の構成 写８製版技術を用いて放射ｍ感知レジス） （７−）バ
ターンを＃’＋’Ｃ’、Ｊたフィルムを劇むプラズマ
エツチング（・二酊ｔ１″をイ１−するマスクを基板十
に形Ｉ）ａするためσ）本発明方法Ｇこよるときは、バ
タ一二・を設４１た該フィルムを一酸化炭素プラズマに
さらし、パター二／不、役目か該フィルムの表１拍にプ
ラズマ エ゛ンチング（こｌＬする面１性を高めたｆＩ
′ｌ域をＪ１ツ成させるステップを含むことを特徴とす
る。 本別出廟人は、−酸化炭素プラズマにレジストをさらす
ことが爾後のエッヂング処Ｐ（Ｉに対するレジスト マ
スクの面Ｊ蝕性を高めるよう作用しているという事実を
発見したことＧこより本発明を導いたものである。、−
の結果は、パターンを設Ｕたレジストを他のプラズマに
ぎらずことにより、帽蝕性（エツザ抵抗）が影響を受り
ることもなく、またある場合Ｑ、：は耐蝕性が害われる
こともないという点で腸（こ驚くべきことである。 この方法η′Ｊげ成した表面領域の耐蝕性の増加はし一
シスト ベース マスクのプラズマ エッチレートを顕
著に減少さげるので、１ｒイ像度を増大させるのに、例
えば、０６４μｍ以下のさらに薄いし１シストを使用す
ることができる。 本発明方法は、前述の従来技術と１１比した場合・新し
い相＊・［または着ｒしいエツチング システムを必要
とぜす、それどころか、本来、半導ｆ４・１［業でよく
知られている処理ステップおよび材１′″１を使用して
いるに過ぎない。 プラズマ エッチ速度を減少させる利点は、レジストが
ポジティブ作用レジストのＪムｈ合、特（こ屯貿である
が、本発明ＪＩ法はネガティブ作用レジストの場合Ｇこ
も使用することができる。 以下図面により本発明を説明する。 添付図は図示を明瞭にするため実物のスケールに比例し
ないスケールで表示しである。 また・以下の記述は、半導体ウエノ・処理に使用される
一般の写真製版技術用として適するフォトマスクの製造
に関するものである。 まず、例えば、一般のスパッタリング技術を月１いて、
アルミノ珪ｒｔＩ／塩または合成石英の基板１−ヒ。 （コ・イ＋、：°ｉ ｉＶ（的Ｍ Ｏ，１１１ｍのＩ？
みを・０するクロム層２を析出させる。次いて、該クロ
ノ・層２上に・英国時ｊｊ’ｌ’ Ｃｔ Ｂ １ ＋
４４５ ＋ ３４５号′ｊ−３よびＧ Ｂ １，５（１
０，５＋１号４．前記賎されているような交差結合ポジ
ティブ作用レジストのフィルトを設りるｇこの場合、例
えば・ポリ−（メチル メタクリレートーコーメタクリ
ック アシド）およびポリ−（メチル メタクリルレー
ト−２−メタクリロイル りロライド）の混合物Ｇこよ
り形成したレジストは７１ｆ、−Ｔ−１ｉ、（ｊ射線に
感知Ｊるので、■、知の＞Ｈ，７−ビーム写直；９１Ｊ
版技術を用いてレジス１ フィルト＼にパターンを設け
ることができる。このようＧこ・電子・ビーノ・にぎら
したｆＴｉ Ｇこけ、パターンを設けたレジスト フィ
ルム３がケ１λるようなレジスト フィルト、が生成さ
れる。 次いで、レジスト フィルム３を一般のプラズマ エツ
ヂング装置内で（）。４トル、１００ワツトの一酸化１
．ζ素プラズマＧこ５分間さらす。驚いたことに、この
処理Ｇ」、パターンを設けたレジストフｒルム３の１＜
面子Ｇこ、爾後のプラズマ エツチング ステップＧ、
Ｘ嫁１して増大しまた耐蝕性を有する領域を形成ざぜる
。この結果ｉ：ｔ 、＋ｉｉ＋ 、；ｌｉ したようＧ
・−・本１ｌＪｊ“（出願人が仙、のプラズマを用いて
実施した同一処理では、マスクの耐蝕性（エッチ抵１１
″し）の増大をはかること（」てきず、あるＪ’（’ｒ
合Ｇこ番ま１．−のよ）ｔＣ処ＪＩＩＩＧこより面１蝕
性が′−ｒわれることざえンら−）たという事実からＪ
スえると、特に驚くべきことでもるる。 ン欠のスｉ゛ンフ゛Ｇ；ｔプラズマ エツーヂンゲＧこ
」てりクロム層２ Ｋ−パターンを設４Ｊるス゛ｙノブ
を１￥む。・二のステップにおい゛Ｃ１パターンをｆ没
（またｌｚ シス々フィルム３は表面領域４とともＧこ
クロノ＼層２のト）ｊ４こある部分をマスクｒる（４１
」きをする。′ｊ（１ηに、プラズマ エッヂに耐性を
有する表面領域４１０面１蝕性はマスクのｕｉｎｋ性を
２倍たり増加させうろことが分っている。クロムは、例
えば、−酸化アルゴンまたは一酸化炭素のような坦体ガ
ス３のうち四１話化ＩＶ素１ないし酸素］を含む０．５
１−ル、４１００ワツトのプラズマ中で１０分間エツヂ
ングを行うよう（こするを１１１とする。 次に、蒸気状硝酸を用いてパターンを股番づたしシフ１
フイルノ・３を表面領域４とともに取除き、ガラス基
板１１−にパターンを役目た半透明クロム層２を含むフ
第１・マスクを残存さげる。 また、上述したど同じ方法を用いで、既知の７１７゜ｒ
−ビーム画像投写技術に使用する光電陰極マスクを１１
〆；１造することもできる。この場合には、基板１を石
Ｊｆｉ：（、こより形成、し、表面層２ちクロムＧこよ
り形成するを可とするが、基板のさらぎれた表面部分お
」、びパターンを、没けたクロム層は、マスクが後方か
ら紫外線を多１１１に浴びた際に、宙１了源として作動
しつる沃化セシウムのような光′Ｍ、陰極材料で被覆す
ることが望ましい。 本発明Ｊｉ ｆＪ？は゛ｌ′、３．１’Ｘ体ウェハを処
理するのに直接使用することができる。この場合、基板
］はそれ自体を崖、導体ウェハＧこより）彪成し、表面
層２に爾後の処理ステップＧに対してＩ’−：ｔｘ体表
面をマスクしで、例えば、酸化物のような＋イ料のＩ＋
４ により形成するをｌ１とする。 本−Ｖｄ ｌｌ１１は本１１１１細ｄｊ記載の実施例に
限定されるものでなく、本発明は他の変形をも包含する
ものである。 発 明 の 要 約 イ（発明はＪ、を板（１）上Ｇこあるｈ（射線感知レジ
ス） フイ＃ム（３）に写真ｆ１＋’１ 版技術を用
いてバクーンヲ設りることによりプラズマ エラー１゛
ング々ハＩｊｌｌにｕ性をｑするマスクを形成する方法
（こ門４−るもので、−ｒｇｐ化疾素プラズマにさら１
こと（こよりマスクの耐蝕性（エッチ抵抗）を増大させ
、パターンを、９ ＩＪたフィルムの表面にプラズマ
エツチングＧこス・１１−る耐性を高めた領域（４）を
形ｒｒ’；、許せるようにしたものである。この方法は
、例えは、クロノ＼被覆ガラス基板を用いてフＡトマス
クを製造するのに使用することかでき、もしくは１１′
導体ウェハ基板
【１】」−における半導体ウェハの製１
４ｉ中Ｏこ使用Ｊることもできる。 ４、 ＬＳＩ 面ノｒｉｉ’ｉ Ｉ′Ｆ’−ｌｘ 説明
糖１図および第２図は本発明方法を用いてノ、ｌ：板士
にプラズマ エッチに耐性を有するマスクを形成する場
合の各ステップを示す断面図である。 １、・、Ｊｌ（板 ２・・・クロム層（表
面層）３・・・パターン杵・ＨＱ ＩＪだレジスト フ
ィルム４、・・・表１ｆ１１領域。 ｉｇＩ Ｆｉｇ 、 ２
４ｉ中Ｏこ使用Ｊることもできる。 ４、 ＬＳＩ 面ノｒｉｉ’ｉ Ｉ′Ｆ’−ｌｘ 説明
糖１図および第２図は本発明方法を用いてノ、ｌ：板士
にプラズマ エッチに耐性を有するマスクを形成する場
合の各ステップを示す断面図である。 １、・、Ｊｌ（板 ２・・・クロム層（表
面層）３・・・パターン杵・ＨＱ ＩＪだレジスト フ
ィルム４、・・・表１ｆ１１領域。 ｉｇＩ Ｆｉｇ 、 ２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 写Ｊ’（製版技術を用いて放Ｑ、１線感知レジス
トのパターンを設けたフィルムを含むプラズマエツチン
グＧこ耐性を有するマスクを基板−ヒに形成する方法に
おいて、パターンを設けた該フイルノ＼を一酸化炭素プ
ラズマにさらし、パターンを設けた該フィルムの表面に
プラズマエツチングに対する耐性を高めた領域を形成さ
せるスデツブを含むことを特徴とするプラズマ エツチ
ングに耐性有するレジストマスクを形成する方法。 ２ 該放射線ホう知レジストをポジティブ作用レジスト
としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方
法。 ＆ バな放射線感知レジストを交差結合ポジティブ作用
共重合体レジストＧこより形成したことを特徴とする特
許請求の範囲第１項または第２珀こ記載の方法。 ４ 該放射線感知しンストをホリー（メチルメタクリレ
ート−ツーメタクリック アシッド）およびポリ−（メ
チＬ メカクリレート−コーメタクリロイル クロライ
ド）の混合物こより形成したことを特徴とする特許請求
の範囲１８項記代の方法。 ５ 該レジスト フィルムの１さヲ０．４ｌ用より小と
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４
頂のいずれかこ記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8215432 | 1982-05-26 | ||
| GB08215432A GB2121198A (en) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | Plasma-etch resistant mask formation |
Publications (2)
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|---|---|
| JPS59154A true JPS59154A (ja) | 1984-01-05 |
| JPH0261736B2 JPH0261736B2 (ja) | 1990-12-20 |
Family
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Family Applications (1)
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