JPS5990852A - フオトマスクブランク - Google Patents
フオトマスクブランクInfo
- Publication number
- JPS5990852A JPS5990852A JP57199786A JP19978682A JPS5990852A JP S5990852 A JPS5990852 A JP S5990852A JP 57199786 A JP57199786 A JP 57199786A JP 19978682 A JP19978682 A JP 19978682A JP S5990852 A JPS5990852 A JP S5990852A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- chromium
- photomask blank
- contg
- transparent substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
- G03F1/58—Absorbers, e.g. of opaque materials having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体素子、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体製造に
使用されるフォトマスクブランクに関づる。
使用されるフォトマスクブランクに関づる。
この種のフォトマスクブランクどしでは、基本的に第１
図（ａ）に示されるように透明基板１上に真空蒸着法、
スパッタリング法またはイオンプレーディング法等によ
ってクロム層２を積層させた、比較的表面反射率の高い
ものと、同図（１））に示されるように前記りＯム層２
上に更に酸化クロム層３を積層させて反射防止層（ｑき
のものく低反射フォトマスクブランク〉と、同図（Ｃ）
に示づように透明基板１上に酸化インジウム、酸化スズ
などの帯電防止用の透明導電１１＃１’を積層して、導
電性をもつ１＝透明基板１°′を使用し、この透明基板
１″上に前述したクロム層２更にこのクロム層２上に酸
化クロム層３を積層した透明導電Ｂ９付きフォトマスク
ブランクがある。したがって、この発明においては、単
に透明基板というどきは、後述するようなソーダライム
ガラスなどの透明基板単体の他に、透明導電膜付きのも
のが含まれる。
図（ａ）に示されるように透明基板１上に真空蒸着法、
スパッタリング法またはイオンプレーディング法等によ
ってクロム層２を積層させた、比較的表面反射率の高い
ものと、同図（１））に示されるように前記りＯム層２
上に更に酸化クロム層３を積層させて反射防止層（ｑき
のものく低反射フォトマスクブランク〉と、同図（Ｃ）
に示づように透明基板１上に酸化インジウム、酸化スズ
などの帯電防止用の透明導電１１＃１’を積層して、導
電性をもつ１＝透明基板１°′を使用し、この透明基板
１″上に前述したクロム層２更にこのクロム層２上に酸
化クロム層３を積層した透明導電Ｂ９付きフォトマスク
ブランクがある。したがって、この発明においては、単
に透明基板というどきは、後述するようなソーダライム
ガラスなどの透明基板単体の他に、透明導電膜付きのも
のが含まれる。
このようなフ第１・マスクブランクを半導体製造用に使
用される際には、第１図（ａ ）に示したクロム層２ま
たは同図（ｂ）に示した酸化クロム層３上にそれぞれレ
ジスト（本例てはポジレジスト）を塗布し、所望のパタ
ーンを適当な露光装置６にＪζり露光さμた後、レジス
トを現像して形成されたパターンのうちから、露光され
た部分のレジス１〜ど、で゛の下のクロム層２、酸化り
Ｌ１ム層３３を１ツチングしたうえで、前記現像によっ
て溶解しながったレジストを剥Ｈ１シて、所定の半轡体
製造用フォ１−マスクを得るのである。
用される際には、第１図（ａ ）に示したクロム層２ま
たは同図（ｂ）に示した酸化クロム層３上にそれぞれレ
ジスト（本例てはポジレジスト）を塗布し、所望のパタ
ーンを適当な露光装置６にＪζり露光さμた後、レジス
トを現像して形成されたパターンのうちから、露光され
た部分のレジス１〜ど、で゛の下のクロム層２、酸化り
Ｌ１ム層３３を１ツチングしたうえで、前記現像によっ
て溶解しながったレジストを剥Ｈ１シて、所定の半轡体
製造用フォ１−マスクを得るのである。
ここまでの工程中、前記レジス１−の塗Ｔ＋ｉ ＩＵに
は、レジスＩ−ｎ＠とフォトマスクブランク（にり詳し
くはクロム層２または酸化り【−１ム層３）との接首性
を高め、レジスト剥離の溶媒を蒸着させるためにブレベ
ークと呼ばれる熱処理工程を必要とブる。この熱処理工
程中またはイの後工程で第２図（ａ ）に示Ｊ−ように
レジスｌ−４１に異物５が乗った場合、ぞの異物５下の
レジスト４は、前述した露光によっても未露出部分とな
って、現像後のレジスト４０が同図（１））に示１Ｊ、
うに残ることから、次のエツチング工程、レジメ１〜剥
離工程後に４３いて同図（Ｃ）に示ツＪ、うにクロム残
り２０．３０が発生づる。このようなりロム残り２０．
３０は直径約１（μｍ）の大きさを有し、１μｌｌ１７
１−グーの高精度パターンが要求されるフォトマスクど
しては致命的欠陥となる。このクロム残り２０．３０の
除去手段どしては、Ａ−バーエッヂングすることが考え
られるが、その場合パターン寸法が極めて細くなり、微
細寸法の制ｔａｌ＋に支障を来たりことになる。以下、
このＡ−バー」−ツヂンクによる欠陥を従来の７７１１
〜マスクブランクを挙り（置体的に説明する。
は、レジスＩ−ｎ＠とフォトマスクブランク（にり詳し
くはクロム層２または酸化り【−１ム層３）との接首性
を高め、レジスト剥離の溶媒を蒸着させるためにブレベ
ークと呼ばれる熱処理工程を必要とブる。この熱処理工
程中またはイの後工程で第２図（ａ ）に示Ｊ−ように
レジスｌ−４１に異物５が乗った場合、ぞの異物５下の
レジスト４は、前述した露光によっても未露出部分とな
って、現像後のレジスト４０が同図（１））に示１Ｊ、
うに残ることから、次のエツチング工程、レジメ１〜剥
離工程後に４３いて同図（Ｃ）に示ツＪ、うにクロム残
り２０．３０が発生づる。このようなりロム残り２０．
３０は直径約１（μｍ）の大きさを有し、１μｌｌ１７
１−グーの高精度パターンが要求されるフォトマスクど
しては致命的欠陥となる。このクロム残り２０．３０の
除去手段どしては、Ａ−バーエッヂングすることが考え
られるが、その場合パターン寸法が極めて細くなり、微
細寸法の制ｔａｌ＋に支障を来たりことになる。以下、
このＡ−バー」−ツヂンクによる欠陥を従来の７７１１
〜マスクブランクを挙り（置体的に説明する。
表面をＩＭ！箭胡Ｉｇｔ、た透明ガラス基板１−に、Ｊ
Ｔ−カｌｘ １０ （Ｔｏｒｒ ）のへ１゛どＮ２を
それぞれモル比８５％：１５％にした）１配合ガス１１
１（、プレーナマグネ１〜ロン直流スパツタリングによ
り窒素を含むり「１ム層（６５０人）〈第１図（ｂ）に
’Ｕ２に相当づる。）を積層さける。次に、１ｎ１−真
空中で、Δ１゛とＮＯをそれぞれモル比ε３ｏ％：２０
％にした混合ガス中で同様のスパッタリングにより前記
クロム層上に、窒素を含むクロム酸化層（第１図（１）
）にて３に相当する。）を積層させ第１図（１）〉に示
したにうな低反射ブランクを製造した。この低反則ブラ
ンクは、前述したＪ、うにレジスミー塗イ１１．露光現
象及びレジスト剥離の各工程の後、硝酸第２セリウムア
ンモニウム１６５ｇど過塩素酸（７０％＞４２ｍｊ！ニ
純水を加ＩＴ１００Ｏｍ又にしたエツチング液（１９〜
２０ ’Ｃ）でつＴツ１〜エツチングづることにより所
定のパターンを形成した場合、エツチング時間が３０（
ｓｅｃ）でアンダーカッ１〜吊が約０．２８（μｍ）で
あった。ここで、アンダーカット量とは、第２図（ｄ
）に示づようにＡ−バーエツチングした場合においてレ
ジス１−４１下の幅寸法χ富 と、窒素を含むクロム層
２１及び窒素を含むクロム酸化層３１の最大幅寸法χ２
との差である。
Ｔ−カｌｘ １０ （Ｔｏｒｒ ）のへ１゛どＮ２を
それぞれモル比８５％：１５％にした）１配合ガス１１
１（、プレーナマグネ１〜ロン直流スパツタリングによ
り窒素を含むり「１ム層（６５０人）〈第１図（ｂ）に
’Ｕ２に相当づる。）を積層さける。次に、１ｎ１−真
空中で、Δ１゛とＮＯをそれぞれモル比ε３ｏ％：２０
％にした混合ガス中で同様のスパッタリングにより前記
クロム層上に、窒素を含むクロム酸化層（第１図（１）
）にて３に相当する。）を積層させ第１図（１）〉に示
したにうな低反射ブランクを製造した。この低反則ブラ
ンクは、前述したＪ、うにレジスミー塗イ１１．露光現
象及びレジスト剥離の各工程の後、硝酸第２セリウムア
ンモニウム１６５ｇど過塩素酸（７０％＞４２ｍｊ！ニ
純水を加ＩＴ１００Ｏｍ又にしたエツチング液（１９〜
２０ ’Ｃ）でつＴツ１〜エツチングづることにより所
定のパターンを形成した場合、エツチング時間が３０（
ｓｅｃ）でアンダーカッ１〜吊が約０．２８（μｍ）で
あった。ここで、アンダーカット量とは、第２図（ｄ
）に示づようにＡ−バーエツチングした場合においてレ
ジス１−４１下の幅寸法χ富 と、窒素を含むクロム層
２１及び窒素を含むクロム酸化層３１の最大幅寸法χ２
との差である。
そこで、エツチング時間を更に経過させてアンダー１３
ツ］−量及びクロム残り密度を測定した結果をそれぞれ
第３図の特性曲線ａ及びｂで示す。特性曲線ａによれば
、オーバーエツチングすることによりアンダーカットｍ
を増加させ、また特性曲線１）ににれば、クロム残り密
度を減少させることになる。
ツ］−量及びクロム残り密度を測定した結果をそれぞれ
第３図の特性曲線ａ及びｂで示す。特性曲線ａによれば
、オーバーエツチングすることによりアンダーカットｍ
を増加させ、また特性曲線１）ににれば、クロム残り密
度を減少させることになる。
次に（二ｔ−ツブーング時間）／（ジ１ｙス１−エンヂ
ング時間）に対Ｊるクロム残り密度の関係を第４図の特
性曲線Ｃで示づ゛。ここでジＩｌス１〜エツヂング時間
とは縦方向（厚み方向ンのエツチング速度が飽和づるま
でに要りる時間である。同図の曲線ＣにＪこれば、クロ
ム残り密度をｏ、１（個／ｃｍ２）以下にするには、エ
ツチング時間をジャス１−エツチング時間の２倍以上も
！！ｉ’、’Ｊる。
ング時間）に対Ｊるクロム残り密度の関係を第４図の特
性曲線Ｃで示づ゛。ここでジＩｌス１〜エツヂング時間
とは縦方向（厚み方向ンのエツチング速度が飽和づるま
でに要りる時間である。同図の曲線ＣにＪこれば、クロ
ム残り密度をｏ、１（個／ｃｍ２）以下にするには、エ
ツチング時間をジャス１−エツチング時間の２倍以上も
！！ｉ’、’Ｊる。
したがって、従来のフォトマスクブランクは１、クロム
残りの除去手段としてＡ−バーエツヂングするしかなく
、そのオーバーエツチングにより半導体製造で要求され
る微１１１勺法のパターン制御を困難にしていた。
残りの除去手段としてＡ−バーエツヂングするしかなく
、そのオーバーエツチングにより半導体製造で要求され
る微１１１勺法のパターン制御を困難にしていた。
この発明の目的は、過剰なＡ−バーエツチングラスるこ
となく、クロム残り密度を減少させたフォトマスクブラ
ンクを提供Ｊることである。このような目的の達成手段
どしては、Ｎ２ガスのモル比を多くして各層のエツチン
グ速度を人さくづることが考えられるが、ぞの場合アン
ダーカットレートが大きくなって微細寸法の制御が困卸
になり、根本的な解決にはなり４！？ない。
となく、クロム残り密度を減少させたフォトマスクブラ
ンクを提供Ｊることである。このような目的の達成手段
どしては、Ｎ２ガスのモル比を多くして各層のエツチン
グ速度を人さくづることが考えられるが、ぞの場合アン
ダーカットレートが大きくなって微細寸法の制御が困卸
になり、根本的な解決にはなり４！？ない。
そこで、本発明者は、特に透明Ｌａ ｔＦｉ−１１にｆ
ｉ’ｉ層した窒素を含むクロム層が従来はぼ同一の窒化
度で構成されていたのに対し−（、この窒素を含むクロ
ム層のうち、透明ガラス基板に近い層と遠い層どに分り
、エツチング速度を近い層にて比較的〒くして、遠い層
にて遅くすることにより、過剰なオーバー１ツチングを
することなく、クロム残りを除去づることを見出した。
ｉ’ｉ層した窒素を含むクロム層が従来はぼ同一の窒化
度で構成されていたのに対し−（、この窒素を含むクロ
ム層のうち、透明ガラス基板に近い層と遠い層どに分り
、エツチング速度を近い層にて比較的〒くして、遠い層
にて遅くすることにより、過剰なオーバー１ツチングを
することなく、クロム残りを除去づることを見出した。
以下、この発明に係るフォトマスクブランクの実施例を
挙げてニー、’ｒ＃Ｉｌｌに説明する。
挙げてニー、’ｒ＃Ｉｌｌに説明する。
第５図＜ａ＞及び（ｂ ）は、従来品の第１図＜ａ ＞
及び（ｂ）にそれぞれ対応しで示した、この発明の実施
例による断面図である。第５図（ａ ）は、比較的表面
反射率の高いフ７Ｉｔ〜マスクブランクの例で、表面を
精密ｒＩＩ′Ｉ磨したソーダライムガラスからなる透明
基板１０上に、窒化度が比較的大きい窒素を含むクロム
層２２を、そのクロム層２２上に窒化度が比較的小さい
窒素を含むクロム層２３をそれぞれＷＩ層してなるフｙ
ｉ ｔ−マスクブランクＣあり、第５図（１））は更に
前例のフ７１Ｉ・マスクブランクのクロムｍ２３上に窒
素を含む酸化クロム層３２（膜厚２５０人）を積層して
なる低反射フ７！１−マスクブランクである。
及び（ｂ）にそれぞれ対応しで示した、この発明の実施
例による断面図である。第５図（ａ ）は、比較的表面
反射率の高いフ７Ｉｔ〜マスクブランクの例で、表面を
精密ｒＩＩ′Ｉ磨したソーダライムガラスからなる透明
基板１０上に、窒化度が比較的大きい窒素を含むクロム
層２２を、そのクロム層２２上に窒化度が比較的小さい
窒素を含むクロム層２３をそれぞれＷＩ層してなるフｙ
ｉ ｔ−マスクブランクＣあり、第５図（１））は更に
前例のフ７１Ｉ・マスクブランクのクロムｍ２３上に窒
素を含む酸化クロム層３２（膜厚２５０人）を積層して
なる低反射フ７！１−マスクブランクである。
そこで、この低反射フォトマスクブランクにっいてクロ
ム層２２とクロム層２３３の各窒化度を相対的に変えた
しのを表に示すように用意し、膜厚についてはクロム層
２２を１５０Ｘ、り「１ム層２３を５００人にし、この
クロム層２３上に前述した酸化り【」ム層３３２を積層
し、光学ｍ磨については、所望値３．０が得られるよう
にスパッタリング速度を調整し、その伯は従来と同様な
スパッタリング法により各層を積層する。
ム層２２とクロム層２３３の各窒化度を相対的に変えた
しのを表に示すように用意し、膜厚についてはクロム層
２２を１５０Ｘ、り「１ム層２３を５００人にし、この
クロム層２３上に前述した酸化り【」ム層３３２を積層
し、光学ｍ磨については、所望値３．０が得られるよう
にスパッタリング速度を調整し、その伯は従来と同様な
スパッタリング法により各層を積層する。
これらの実施例１，２．及び３によれば、先ずエツチン
グ時間に対重るアンダーカッ［〜量の特性曲線は第３図
の曲ＫＡａに示したものといずれｂはぼ同一であって、
しかも〈エツチング時間）／（ジャストエツチング時間
）に対づるクロム残り密度の特性では、それぞれ第４図
の特性面＠ｄ。
グ時間に対重るアンダーカッ［〜量の特性曲線は第３図
の曲ＫＡａに示したものといずれｂはぼ同一であって、
しかも〈エツチング時間）／（ジャストエツチング時間
）に対づるクロム残り密度の特性では、それぞれ第４図
の特性面＠ｄ。
ｅ、及び［で示される。すなわら。いずれの実施例も、
クロム残り密度を０．１（個／ｃｍ ）以下にづる場
合には、ジャストエツチング時間に対づるエツチング時
間を１．４倍以上にすれば良いことになる。ここで、り
Ｕム層２２．２３の積層におけるＡｒとＮＺの混合ガス
中の窒化度に対するエツチング速度の関係は第６図の曲
線Ｑで示されるように、エツチング速度は窒化度が大き
くなるに従って増大づる傾向にある。そし＝（、クロム
層２２はクロム層２３よりも窒化度を大きくするに従っ
て（曲線（１→０→ｆ＞、クロム残り密度を小さくする
と其に、（エツチング時間）／（ジャスト１ツヂング時
間）を小さくし、１．０に近づけることができる。
クロム残り密度を０．１（個／ｃｍ ）以下にづる場
合には、ジャストエツチング時間に対づるエツチング時
間を１．４倍以上にすれば良いことになる。ここで、り
Ｕム層２２．２３の積層におけるＡｒとＮＺの混合ガス
中の窒化度に対するエツチング速度の関係は第６図の曲
線Ｑで示されるように、エツチング速度は窒化度が大き
くなるに従って増大づる傾向にある。そし＝（、クロム
層２２はクロム層２３よりも窒化度を大きくするに従っ
て（曲線（１→０→ｆ＞、クロム残り密度を小さくする
と其に、（エツチング時間）／（ジャスト１ツヂング時
間）を小さくし、１．０に近づけることができる。
したがっ−（、この発明にＪ：れば、従来品のように過
剰なオーバー１ツチングをすることなく、クロム残り密
度を減少さＩることができる。
剰なオーバー１ツチングをすることなく、クロム残り密
度を減少さＩることができる。
なお、以上の実施例の変形例としては、積層方法として
スパッタリング法以外に真空蒸着法、イオンプレーデイ
ンク法等でもよく、透明基板どしてソーダライムガラス
以外にボ【」ンシリクートガラス、石英ガラス、サファ
イア等はもとより、透明導電膜角きの透明基板でもよく
、また、第５図＜ａ ＞に示した表面反則率の高い）Ａ
トマスクブランクについても低反射タイプと同様な効果
が１９られる。また、本発明はクロム層２２とクロム層
２３を分離して説明したが、透明基板１０の界面付近か
ら遠ざかるに従って連続的に窒化度を減少さゼでもよい
。
スパッタリング法以外に真空蒸着法、イオンプレーデイ
ンク法等でもよく、透明基板どしてソーダライムガラス
以外にボ【」ンシリクートガラス、石英ガラス、サファ
イア等はもとより、透明導電膜角きの透明基板でもよく
、また、第５図＜ａ ＞に示した表面反則率の高い）Ａ
トマスクブランクについても低反射タイプと同様な効果
が１９られる。また、本発明はクロム層２２とクロム層
２３を分離して説明したが、透明基板１０の界面付近か
ら遠ざかるに従って連続的に窒化度を減少さゼでもよい
。
第１図（ａ ）、（ｂ ）及び（ｃ ）は従来のフォト
マスクブランクの断面図、第２図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ
）は前記ブランクを使用しｌ〔レジスｌ−塗布、露光現
象、レジス１〜剥離の８二に稈の断面図、第２図（ｄ
）はアンダーカット量を承りＷ１面図、第３３図はエツ
チング時間に対するアンダーカッ１−吊及びりＤム残り
密度を承り特性図、第４図は（」−ツヂング時間）／（
ジャストエツチング時（ハ１）に３＝１づるり「１ム残
り密麿を示゛す゛特性図、第５図は本発明によるフォ［
〜マスクブランクの断面図、並びに第６図は窒化度に対
りる１ツヂング速度の特性図である。 １０・・・透明基板、２２・・・窒化度が大きいクロム
層、２３・・・窒化度が小さいクロム層、３２・・・酸
化りＵム層
マスクブランクの断面図、第２図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ
）は前記ブランクを使用しｌ〔レジスｌ−塗布、露光現
象、レジス１〜剥離の８二に稈の断面図、第２図（ｄ
）はアンダーカット量を承りＷ１面図、第３３図はエツ
チング時間に対するアンダーカッ１−吊及びりＤム残り
密度を承り特性図、第４図は（」−ツヂング時間）／（
ジャストエツチング時（ハ１）に３＝１づるり「１ム残
り密麿を示゛す゛特性図、第５図は本発明によるフォ［
〜マスクブランクの断面図、並びに第６図は窒化度に対
りる１ツヂング速度の特性図である。 １０・・・透明基板、２２・・・窒化度が大きいクロム
層、２３・・・窒化度が小さいクロム層、３２・・・酸
化りＵム層
Claims (1)
- １） 透明基板上に窒素を含むクロム層を積層させ、ま
たは該クロム層に更に酸化クロム層を積層さｕ′Ｃなる
フォトマスクブランクにおい一〇、該クロム層のうち、
窒化度が該透明基板に近い層に大きく、かつ遠い層に小
さいことを特徴とづるフォトマスクブランク。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57199786A JPS5990852A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | フオトマスクブランク |
| US06/552,156 US4563407A (en) | 1982-11-16 | 1983-11-15 | Photo-mask blank comprising a shading layer having a variable etch rate |
| US06/816,213 US4696877A (en) | 1982-11-16 | 1986-01-06 | Photo-mask blank comprising a shading layer having a variable etch rate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57199786A JPS5990852A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | フオトマスクブランク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5990852A true JPS5990852A (ja) | 1984-05-25 |
| JPS6227386B2 JPS6227386B2 (ja) | 1987-06-15 |
Family
ID=16413581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57199786A Granted JPS5990852A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | フオトマスクブランク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5990852A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61232457A (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-16 | Asahi Glass Co Ltd | 改良されたフオトマスクブランク及びフオトマスク |
| JPS61240243A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-25 | Asahi Glass Co Ltd | フオトマスクブランクおよびフオトマスク |
| EP0203563A3 (en) * | 1985-05-28 | 1988-01-07 | Asahi Glass Company Ltd. | Photomask blank and photomask |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4088742B2 (ja) | 2000-12-26 | 2008-05-21 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクス、フォトマスク及びフォトマスクブランクスの製造方法 |
| JP2002244274A (ja) | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク、フォトマスク及びこれらの製造方法 |
-
1982
- 1982-11-16 JP JP57199786A patent/JPS5990852A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61232457A (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-16 | Asahi Glass Co Ltd | 改良されたフオトマスクブランク及びフオトマスク |
| JPS61240243A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-25 | Asahi Glass Co Ltd | フオトマスクブランクおよびフオトマスク |
| EP0203563A3 (en) * | 1985-05-28 | 1988-01-07 | Asahi Glass Company Ltd. | Photomask blank and photomask |
| US4720442A (en) * | 1985-05-28 | 1988-01-19 | Asahi Glass Company Ltd. | Photomask blank and photomask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6227386B2 (ja) | 1987-06-15 |
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