CN101937170A - 相移掩膜的制造方法、平板显示器的制造方法和相移掩膜 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种相移掩膜的制造方法、平板显示器的制造方法和相移掩膜，通过其可以形成细小而高精度的曝光图案。本发明的第一实施方式中所述的相移掩膜(1)具有相移层(13P1)，其可使任何一种波长在300nm以上500nm以下范围内的光产生180°的相位差。因此，将上述波长范围内的光用作进行曝光处理的光，由于在相移层处光的相位发生反转所以会形成光强度最小的区域，使曝光图案更加清楚。在混合有40％以上90％以下的氮化气体和10％以上35％以下的氧化气体的环境中，使由铬系材料制成的靶产生溅射而形成相移层(13P)。

Description

相移掩膜的制造方法、平板显示器的制造方法和相移掩膜
技术领域
本发明涉及一种相移掩膜的制造方法、平板显示器的制造方法和相移掩膜，通过其可以形成细小而高精度的曝光图案。
背景技术
近年来，对于平板显示器而言，人们通过提高图案形成精度而使其线宽更为细小，进而可以大幅度提高其图像质量。当光掩膜的线宽精度和被转印到基板上时的线宽精度变得更细时，曝光时的光掩膜和基板之间的缝隙就会变得更小。由于用在纯平显示器中的玻璃基板的大小在300mm以上，所以玻璃基板的弯曲，或是表面粗糙度会变大，使图像质量易于受到景深的影响。
制作平板显示器时的曝光，由于其玻璃基板的尺寸较大，所以人们一般采用等倍率接近式曝光法，在该方法中使用由不同波长的g线(436nm)、h线(405nm)和i线(365nm)组成的复合光(例如参照专利文献1)。
但是对于半导体而言，人们只利用ArF激光器(波长为193nm)发出的单一波长的光来进行图案形成处理，为能使其线宽变得更加细小，人们一般使用半色调相移掩膜的方法(例如参照专利文献2)。采用上述方法时，当波长为193nm时相移掩膜的相位位移则为180°，从而可以通过设定光强度为零的部位来提高图案形成精度。另外，由于存在光强度为零的部位，所以能设定较大的景深，从而有利于降低曝光条件或提高图案形成效率。
【专利文献1】日本发明专利公开公报特开2007-271720号(第[0031]段)
【专利文献2】日本发明专利公开公报特开2006-78953号(第[0002]、[0005]段)
伴随着近年来平板显示器中的配线图案变得越来越细小的趋势，人们对用来制造平板显示器的光掩膜也提出越来越高的要求，要求其具有更细小的线宽精度。但是，随着光掩膜变得越来越细小，只研究其曝光条件、显影条件等的工作也都变得极其困难，人们正期待着可使光掩膜变得更为细小的新技术。
发明内容
鉴于上述技术课题，本发明的目的在于提供一种相移掩膜的制造方法、平板显示器的制造方法和相移掩膜，通过其可以形成细小而高精度的曝光图案。
为实现上述目的，在本发明的一种实施方式中所述的相移掩膜的制造方法包括对透明基板上的遮光层进行图案形成加工的工序。在上述透明基板上以覆盖上述遮光层的方式形成相移层。具体来讲，在混合有40％以上90％以下的氮化气体和10％以上35％以下的氧化气体的环境中，使由铬系材料制成的靶产生溅射而形成上述相移层。上述相移层的厚度要求是可以使任何一种波长在300nm以上500nm以下范围内的光产生180°的相位差。通过图案形成加工而获得的该相移层具有规定的形状。
另外，为实现上述目的，在本发明的一种实施方式中所述的平板显示器的制造方法包括在基板上形成光致抗蚀膜层的工序。相移掩膜以接近上述光致抗蚀膜层的方式设置。上述相移掩膜具有由氮化氧化铬材料组成的相移层，该相移层可使任何一种波长在300nm以上500nm以下范围内的光产生180°的相位差。采用将上述波长为300nm以上500nm以下的复合光照射上述相移掩膜的方法使上述光致抗蚀膜层曝光。
还有，为实现上述目的，在本发明的一种实施方式中所述的相移掩膜包括透明基板、遮光层和相移层。上述遮光层形成在上述透明基板上。上述相移层形成在上述遮光层的周围，由氮化氧化铬材料组成，可使任何一种波长在300nm以上500nm以下范围内的光产生180°的相位差。
附图说明
图1是用来说明本发明的第一实施方式中所述的相移掩膜的制造方法的工序图。
图2是表示上述相移掩膜的相移层的成膜条件和光学特性之间的关系的实验结果。
图3是用来说明本发明的第二实施方式中所述的相移掩膜的制造方法的工序图。
【附图标记说明】
1、2，相移掩膜；10，透明基板；11、11P1、11P2，遮光层；12P1、12P2、14P1、14P2，掩膜图案；13P1、13P2，相移层
具体实施方式
在本发明的一种实施方式中所述的相移掩膜的制造方法包括对透明基板上的遮光层进行图案形成加工的工序。在上述透明基板上以覆盖上述遮光层的方式形成相移层。具体来讲，在混合有40％以上90％以下的氮化气体和10％以上35％以下的氧化气体的环境中，使由铬系材料制成的靶产生溅射而形成上述相移层。上述相移层的厚度要求是可以使任何一种波长在300nm以上500nm以下范围内的光产生180°的相位差。形成后的上述相移层利用图案形成加工而得到规定的图案。
由于采用上述方法制造出来的相移掩膜具有可使任何一种波长在300nm以上500nm以下范围内的光产生180°相位差的相移层，因此，当采用上述相移掩膜时，将上述波长范围内的光作为进行曝光处理的光时，由于在相移层处光的相位发生反转所以会形成光强度最小的区域，使曝光图案更加清楚。利用上述光的相移效果，可以大幅度提高曝光图案的精度，进而可以形成细小而高精度的曝光图案。当采用复合上述波长范围内不同波长的光(例如g线(436nm)、h线(405nm)和i线(365nm))的曝光技术时，上述效果会更加明显。
上述相移层可由氮化氧化铬材料组成，此时，可顺利地形成溅射膜，并使其具有能够满足要求的折射率。当氮化气体不足40％时，因无法控制靶的氧化，从而难以顺利地进行溅射加工。另外，如果氮化气体超过90％，则会因膜中的氧浓度过低而难以获得可满足要求的折射率。另外，当氧化气体不足10％时，会因膜中的氧浓度过低而无法获得可满足要求的折射率。另外，如果氧化气体超过35％，则因无法控制靶的氧化，从而难以顺利地进行溅射加工。当在能满足上述条件的混合气体环境中进行成膜加工时，可以获得例如对于i线而言其透射率为1～20％的相移层。
可将上述相移层的厚度制成可使i线能产生大致180°相位差的厚度。
本发明并不局限于此，也可将上述相移层的厚度制成可使h线或g线能产生大致180°相位差的厚度。
这里所谓的“大致180°”，意为刚好是180°或180°左右，例如其在180°±10°内。
也可将上述相移层的厚度制成能使i线产生的相位差和使g线产生的相位差的差值在40°以下的厚度。
这样，由于本发明可以获得能使各个具有不同波长的光产生一定相移的效果，所以采用本发明能确保形成细小而高精度的曝光图案。
上述混合气体中也可以进一步包含惰性气体。
这样，本发明可以顺利地形成等离子。另外，也容易对氮化气体和氧化气体的浓度进行调整。
在本发明的一种实施方式中所述的平板显示器的制造方法包括在基板上形成光致抗蚀膜层的工序。在邻近该光致抗蚀膜层的位置设置相移掩膜。上述相移掩膜具有由氮化氧化铬材料组成的相移层，该相移层可以使任何一种波长在300nm以上500nm以下范围内的光产生180°的相位差。用波长在300nm以上500nm以下的由不同波长形成的复合光照射上述相移掩膜时可使所述光致抗蚀膜层曝光。
由于上述相移掩膜具有可使任何一种波长在300nm以上500nm以下范围内的光产生180°相位差的相移层，所以当采用该制造方法时，可在用该波长范围内的光利用其相移效果而提高图案精度，进而可形成细小而高精度的曝光图案，因此，用本发明可以制造出高画质平板显示器。
作为上述具有不同波长的复合光而言，例如可使用g线(436nm)、h线(405nm)和i线(365nm)。
在本发明的一种实施方式中所述的相移掩膜包括透明基板、遮光层和相移层。上述遮光层形成在上述透明基板上。上述相移层形成在上述遮光层的周围，其由氮化氧化铬材料组成，可以使任何一种波长在300nm以上500nm以下范围内的光产生180°的相位差。
当采用上述相移掩膜时，用该波长范围内的光进行曝光可利用相移效果来提高图案精度，进而可以形成细小而高精度的曝光图案。当采用复合上述波长范围内不同波长的光(例如g线(436nm)、h线(405nm)和i线(365nm))的曝光技术时，上述效果会更加明显。
可将上述相移层的厚度制成能使i线产生的相位差和使g线产生的相位差的差值在30°以下的厚度。
由于本发明可以获得能使各个具有不同波长的光产生一定的相移效果，所以采用本发明能确保形成细小而高精度的曝光图案。
下面参照附图说明本发明的实施方式。
【第一实施方式】
图1是用来说明本发明的第一实施方式中所述的相移掩膜的制造方法的工序图。本实施方式中的相移掩膜是用来对例如平板显示器用玻璃基板进行图案形成加工的掩膜。如同后面将要提到的，对使用该掩膜的玻璃基板进行图案形成加工时，进行曝光处理时所用的光为复合了具有不同波长的i线、h线和g线的复合光。
首先在透明基板10上形成遮光层11(图1中(A))。
作为透明基板10而言，使用透明且光学各向同性良好的材料，例如可以使用石英玻璃基板。透明基板10的大小没有特别的限制，可根据用该掩膜进行曝光处理时的基板(例如是平板显示器用基板、半导体基板)大小适当选定。在本实施方式中使用一个边长在300mm以上的长方形基板，更详细地讲，使用长×宽×厚＝550mm×450mm×8mm的石英基板。
另外，也可以通过研磨透明基板10的表面而减小其表面粗糙度。例如可使透明基板10的表面粗糙度达到50μm以下。这样，掩膜的景深会变深，这会对形成细小而高精度的曝光图案产生极大的帮助。
遮光层11是由金属铬或铬化合物(以下也称为铬系材料)组成的，但本发明并不局限于此，也可以使用金属硅化物材料(例如MoSi、TaSi、TiSi或WSi)或其氧化物、氮化物或氮氧化物。遮光层11的厚度没有特别的限制，只要可获得规定值以上的光学浓度即可(例如为
Figure BSA00000165875100061
(
Figure BSA00000165875100062
等于10-10m))。成膜方法可使用电子束蒸镀法、激光蒸镀法、原子层堆积法(ALD法)或离子溅射法等，尤其当基板10较大时，采用DC溅射法时可以获得膜厚均匀的良好膜层。
接下来，在遮光层11上形成光致抗蚀膜层12(图1中(B))。光致抗蚀膜层12可以是正的，也可以是负的。作为光致抗蚀膜层12而言，一般使用液态抗蚀膜，但也可以使用抗蚀干膜。
接下来对光致抗蚀膜层12进行曝光及显影处理，由此可在遮光层11上形成抗蚀图案12P1(图1中(C))。抗蚀图案12P1起到遮光层11的蚀刻掩膜的作用，其形状可根据遮光层11的要蚀刻图案而适当地确定。
接下来对遮光层11进行蚀刻加工以形成规定的图案。由此在透明基板10上形成具有规定形状图案的遮光层11P1(图1中(D))。
在遮光层11的蚀刻加工工序中，可使用湿式蚀刻法或干式蚀刻法，尤其当基板10较大时，采用湿式蚀刻法进行蚀刻加工时，可以使遮光层11的平面内均匀性较高。
遮光层11的蚀刻液可根据需要进行选择，当遮光层11由铬系材料组成时，例如可使用硝酸铈铵和高氯酸的水溶液。由于该蚀刻液对铬系材料有比玻璃基板更强的选择性，所以在对遮光层11进行图案形成加工时可以很好地保护基板10。另外，当遮光层11由金属硅化物材料组成时，例如可用氟化氢铵作为蚀刻液。
对遮光层11进行图案形成加工之后去掉抗蚀图案12P1(图1中(E))。去掉抗蚀图案12P1时例如可使用氢氧化钠水溶液。
接下来形成相移层13。其以覆盖在上述透明基板10上的遮光层11P1的方式形成(图1中(F))。
作为相移层13的成膜方法而言，可使用电子束(EB)蒸镀法、激光蒸镀法、原子层堆积法(ALD法)或离子溅射法等，尤其当基板10较大时，采用DC溅射法时可以获得膜厚均匀的良好膜层。另外，本发明并不局限于使用DC溅射法，也可使用AC溅射法或RF溅射法。
相移层13由铬系材料组成。尤其是在本实施方式中，相移层13由氮化氧化铬组成。尤其当基板较大时，采用铬系材料时可以获得良好的图案形成效果。另外，本发明并不局限于使用铬系材料，例如也可使用MoSi、TaSi、WSi、CrSi、NiSi、CoSi、ZrSi、NbSi、TiSi或其化合物等金属硅化物材料。还有，也可使用Al、Ti、Ni或其化合物等。
当采用溅射法形成由氮化氧化铬组成的相移层13时，作为处理气体而言，可使用氮化气体和氧化气体的混合气体或惰性气体、氮化气体和氧化气体的混合气体。成膜时的压力例如控制在0.1Pa～0.5Pa之间。
氧化气体包括CO、CO2、NO、N2O、NO2和O2等。氮化气体包括NO、N2O、NO2和N2等。惰性气体可使用Ar、He和Xe等，比较普遍的是使用Ar。另外，在上述混合气体中还可包含CH4等碳化气体。
混合气体中的氮化气体和氧化气体的流量(浓度)是决定相移层13的光学特性(透射率、折射率等)的重要参数。在本实施方式中，可对混合气体中的组分的浓度按如下比例调整：氮化气体的浓度在40％以上90％以下，氧化气体的浓度在10％以上90％以下。通过调整混合气体中的组分比例，可以优化相移层13的折射率、透射率、反射率和厚度等。
当氮化气体不足40％时，会无法控制靶产生氧化，从而难以顺利进行溅射加工。另外，如果氮化气体超过90％，会因膜中的氧浓度过低而难以获得可满足要求的折射率。另一方面，当氧化气体不足10％时，会因膜中的氧浓度过低而无法获得可满足要求的折射率。另外，如果氧化气体超过35％，则无法控制靶产生氧化，从而难以顺利进行溅射加工。
制成相移层13的厚度要求是可以使任何一种波长在300nm以上500nm以下范围内的光产生180°的相位差。产生180°相位差的光，由于其相位发生反转，与没有经过相移层13的光之间产生的干涉作用，使该光的强度被抵消。由于这种上述相移效果在光强度的分布上产生最小(例如为零)的部位，所以曝光图案会变得更清楚，进而可形成细小而高精度的图案。
在本实施方式中，上述波长范围内的光是i线(365nm)、h线(405nm)和g线(436nm)的复合光(多色光)，制成的相移层13的厚度要求是可使具有选定波长的光产生180°的相位差。上述被选定波长的光可以是i线、h线和g线中的任意一个，也可以是波长不在其范围内的光。使相位反转的光的波长越短越能形成更细小的图案。
在本实施方式中，由于将相移层13的厚度制成可使i线产生的相位差和使g线产生的相位差的差值在40°以下的厚度。由此可获得能使各个不同波长的光产生一定相移的效果。例如，可将相移层13的膜厚制成可使上述复合光中处于中间波长范围内的h线产生大致180°(180°±10°)的相位差。由于相移层13也可使i线和g线中的任意一个光产生接近180°的相位差，因此本发明可获得使各个光都产生同样的相移的效果。
优选相移层13的膜厚在整个透明基板10的平面内都是均匀的。在本实施方式中，制成相移层13的膜厚要求是对于g线、h线和i线等分别具有单一波长的光而言，要使其产生在基板平面内的相位差的差值在20°以下。如果该相位差的差值超过20°时，会因复合光中光强度的叠加作用而使光强度的强弱变化变小，进而导致图案形成精度下降。当使上述相位差的差值在15°以下，或者进一步使其在10°以下时，则有助于进一步提高图案形成精度。
例如对于i线而言，可使相移层13的透射率在1％以上20％以下范围内。当透射率不足1％时，由于难以获得理想的相移效果，所以难以对细小的图案进行高精度的曝光处理。另外，当透射率超过20％时，成膜速度会下降，生产效率就会变差。在上述范围内可使透射率进一步达到2％以上15以下范围内。还有，在上述范围内可使透射率进一步达到3％以上10以下范围内。
例如可使相移层13的反射率在40％以下。因此，在对使用该相移掩膜的被处理基板(平板基板或半导体基板)进行图案形成加工时，不应有的图案(鬼影)较难形成，从而可确保形成的图案具有良好的图案精度。
可根据成膜时的混合气体组分比例任意调整相移层13的透射率和反射率。对于i线而言，当采用上述混合气体组分比例时可获得1％以上20％以下的透射率和40％以下的反射率。
在能获得上述光学特性的范围内，可适当设定相移层13的厚度。换言之，通过优化相移层13的厚度，可以获得上述光学特性。例如，在上述混合气体组分比例下，例如可获得上述光学特性的相移层13的膜厚为100nm以上130nm以下。在上述范围内可以使相移层13的膜厚进一步达到110nm以上125nm以下范围内。
下面举一个例子，可将溅射成膜时的混合气体的流量比例设定为Ar∶N2∶CO2＝2.5∶6∶1.5，当制成的膜厚为114nm时，可以使i线的透射率为5.5％，i线的相位差为173°，g线的相位差为146°。另外，可将混合气体的流量比例设定为Ar∶N2∶CO2＝2∶7∶1，当形成的膜厚为120nm时，可以使i线的透射率为4.8％，i线的相位差为185°，g线的相位差为153°。
图2是表示制成相移层13时的成膜条件、各不同波长组分时的相位差和i线的透射率的关系的实验结果。在该例子中，氮化气体为N2，氧化气体为CO2，惰性气体为Ar。成膜时的压力为0.2Pa。
如图2所示，当混合气体组分比例(样品编号1～5)为包含40％以上90％以下的氮化气体和10％以上35％以下的氧化气体时，可以使波长在300nm以上500nm以下范围内的光产生180°相位差。另外，由于可将上述相移层的厚度制成可使i线产生大致180°±10°相位差的厚度，所以本实施方式能将i线的相位差和g线的相位差差值控制在40°(30°)以下。还有，本实施方式能将i线的透射率控制在1％以上10％以下。
相对于上述情况而言，如果是氮化气体超过90％而氧化气体不足10％的混合比例(样品编号6)时，由于膜的氧化程度较小，即使加大膜厚也未能获得所需的相位差和透射率。另外，在氧化气体超过35％的混合比例(样品编号7)和只有氧化气体的环境(样品编号8)中，由于膜的氧化程度过大，不仅未能获得所需的相位差，而且没能控制住透射率的上升。还有，在该条件下，由于靶表面会不断氧化，所以其成膜率变低，从而没能获得理想的膜厚。
接下来在相移层13上形成光致抗蚀膜层14(图1中(G))。光致抗蚀膜层14可以是正的，也可以是负的。用液态抗蚀膜形成光致抗蚀膜层14。
接下来对光致抗蚀膜层14进行曝光及显影处理，由此可在相移层13上形成抗蚀图案14P1(图1中(H))。抗蚀图案14P1会起到相移层13的蚀刻掩膜的作用，其形状可根据相移层13的蚀刻图案而适当地确定。
接下来根据规定的图案形状对相移层13进行蚀刻加工。由此在透明基板10上形成具有规定形状图案的相移层13P1(图1中(I))。
在相移层13的蚀刻加工工序中，可使用湿式蚀刻法或干式蚀刻法，尤其当基板10较大时，采用湿式蚀刻法进行蚀刻加工时，可以使相移层13的平面内均匀性较高。
可适当选择相移层13的蚀刻液，在本实施方式中，可使用硝酸铈铵和高氯酸的水溶液。由于该蚀刻液对铬系材料有比玻璃基板更强的选择性，所以在对相移层13进行图案形成加工时可以很好地保护基板10。
对相移层13P进行图案形成加工之后去掉抗蚀图案14P1(图1中(J))。去掉抗蚀图案14P1时，例如可使用氢氧化钠水溶液。
采用上述制造方法，就可以制造出本实施方式中的相移掩膜1。当采用本实施方式中的相移掩膜1时，可以在遮光层11P1周围形成具有上述结构的相移层13P1。因此，使用波长在300nm以上500nm以下范围内的光在被曝光基板上形成曝光图案时，利用相移效果可以有助于提高图案精度。尤其是采用本实施方式时，通过采用复合上述波长范围内具有不同波长的光(g线、h线和i线)的曝光技术，上述效果会更加明显。
下面说明使用本实施方式中相移掩膜1的平板显示器的制造方法。
首先在形成有绝缘层和配线层的玻璃基板表面上形成光致抗蚀膜层。在形成光致抗蚀膜层时例如可使用旋转涂布机。在对光致抗蚀膜层进行加热(烘烤)处理之后，再进行使用相移掩膜1的曝光处理。接下来用波长在300nm以上500nm以下的复合光经相移掩膜1照射玻璃基板的表面。在本实施方式中，因具有上述波长的复合光是g线、h线和i线的复合光。因此，可以将对应于相移掩膜1的掩膜图案的曝光图案转印到光致抗蚀膜层上。
当采用本实施方式时，由于相移掩膜1具有可以使任何一种波长在300nm以上500nm以下范围内的光产生180°相位差的相移层13P1，因此当采用上述制造方法时，可在使用上述波长范围内的光的前提下利用其相移效果而提高图案精度，而且由于还可加深景深，因此可以形成细小而高精度的图案，从而可制造出高画质平板显示器。
根据本发明人所做的实验来看，当用不具有上述相移层的掩膜进行曝光处理时，与理想线宽(2μm)相比，其图案宽度会产生30％以上的错位，但是用本实施方式中的相移掩膜1进行曝光时，可将该错位控制在7％左右。
【第二实施方式】
图3是用来说明本发明的第二实施方式中所述的相移掩膜的制造方法的工序图。另外，对图3中与图1对应的部分标记相同的符号而省略其详细说明。
在本实施方式中的相移掩膜2(图3中(J))的周边部形成有用来定位的定位标记，该定位标记由遮光层11P2形成。下面说明相移掩膜2的制造方法。
首先在透明基板10上形成遮光层11(图3中(A))。接下来，在遮光层11上形成光致抗蚀膜层12(图3中(B))。光致抗蚀膜层12可以是正的，也可以是负的。接下来对光致抗蚀膜层12进行曝光及显影处理，由此可在遮光层11上形成抗蚀图案12P2(图3中(C))。
抗蚀图案12P2起到遮光层11的蚀刻掩膜的作用，其形状可根据遮光层11的蚀刻图案而适当地确定。图3中(C)表示在透明基板10的周边的规定范围为存留一些遮光层而形成抗蚀图案12P2的例子。
接下来根据规定的图案形状对遮光层11进行蚀刻加工。由此在透明基板10上形成具有规定形状图案的遮光层11P2(图3中(D))。对遮光层11P2进行图案形成加工之后去掉抗蚀图案12P2(图3中(E))。去掉抗蚀图案12P2时，例如可使用氢氧化钠水溶液。
接下来形成相移层13。相移层13以覆盖透明基板10上的遮光层11P2的方式形成(图3中(F))。相移层13由氮化氧化铬组成。其采用DC溅射法形成。此时，作为处理气体而言可以使用氮化气体和氧化气体的混合气体或惰性气体、氮化气体和氧化气体的混合气体。相移层13的成膜条件与上述第一实施方式中的成膜条件相同。
接下来在相移层13上形成光致抗蚀膜层14(图3中(G))。接下来对光致抗蚀膜层14进行曝光及显影处理，由此可在相移层13上形成抗蚀图案14P2(图3中(H))。抗蚀图案14P2起到相移层13的蚀刻掩膜的作用，其形状可根据相移层13的蚀刻图案而适当地确定。
接下来根据规定的图案形状对相移层13进行蚀刻加工。由此在透明基板10上形成具有规定形状图案的相移层13P2(图3中(I))。对相移层13P2进行图案形成加工之后去掉抗蚀图案14P2(图1中(J))。去掉抗蚀图案14P2时，例如可使用氢氧化钠水溶液。
采用上述制造方法，就可以制造出本实施方式中的相移掩膜2。当采用本实施方式中的相移掩膜2时，由于定位标记由遮光层11P2形成，所以能够很容易地从光学角度识别该定位标记，从而能够对其进行高精度的定位。本实施方式可以和上述第一实施方式组合实施。
另外，相移层13可起到半色调层(半透射层)的作用。此时，可以使透射相移层13的光和不能透射相移层13的光之间的曝光量产生差值。
上面说明了本发明的实施方式，但是本发明并不局限于上述实施方式，可以根据本发明的技术思路对其进行各种各样的变型。
例如在上述实施方式中，在对遮光层进行图案形成加工之后进行相移层的成膜处理及图案形成加工，但本发明并不局限于此，也可以在完成相移层的成膜处理及图案形成加工之后再进行遮光层的成膜处理及图案形成加工。即，可以改变遮光层和相移层的各层顺序。
另外，在上述实施方式中，在整个透明基板10的表面完成遮光层11的成膜处理之后，再对所需的部位进行蚀刻加工而形成遮光层11P1、11P2，但也可以用如下方法来取代它，即，在用来形成遮光层的区域形成敞口的抗蚀图案后再形成遮光层11。此时，在形成遮光层11之后再去掉上述抗蚀图案，就能在所需区域内形成遮光层11P1、11P2(即所谓的架空(lift off)法)。

Claims (10)

1.一种相移掩膜的制造方法，其特征在于，包括以下工序：
对透明基板上的遮光层进行图案形成加工的工序，
在所述透明基板上形成覆盖所述遮光层的相移层的工序，其方法为，在混合有40％以上90％以下的氮化气体和10％以上35％以下的氧化气体的环境中，使由铬系材料制成的靶产生溅射而形成所述相移层，所述相移层对任何一种波长在300nm以上500nm以下范围内的光产生180°的相位差，
对所述相移层进行图案形成加工的工序。
2.根据权利要求1所述的相移掩膜的制造方法，其特征在于，
在形成所述相移层的工序中，形成厚度为可使i线产生大致180°的相位差的所述相移层。
3.根据权利要求1所述的相移掩膜的制造方法，其特征在于，
在形成所述相移层的工序中，形成厚度为可使h线产生大致180°的相位差的所述相移层。
4.根据权利要求2或3所述的相移掩膜的制造方法，其特征在于，
在形成所述相移层的工序中，形成厚度为可使i线产生的相位差和使g线产生的相位差的差值在40°以下的所述相移层。
5.根据权利要求1所述的相移掩膜的制造方法，其特征在于，
所述混合气体中包含有惰性气体。
6.一种平板显示器的制造方法，其特征在于，包括以下工序：
在基板上形成光致抗蚀膜层的工序，
在邻近所述光致抗蚀膜层的位置设置相移掩膜的工序，所述相移掩膜具有由氮化氧化铬材料组成的相移层，使任何一种波长在300nm以上500nm以下范围内的光产生180°相位差，
用所述波长在300nm以上500nm以下的复合光照射所述相移掩膜以使所述光致抗蚀膜层曝光的工序。
7.根据权利要求6所述的平板显示器的制造方法，其特征在于，
对所述光致抗蚀膜层进行曝光的工序中使用由g线、h线和i线组成的复合光。
8.一种相移掩膜，其特征在于，包括：
透明基板，
形成在所述透明基板上的遮光层，
形成在所述遮光层周围的相移层，所述相移层由氮化氧化铬材料组成，可以使任何一种波长在300nm以上500nm以下范围内的光产生180°的相位差。
9.根据权利要求8所述的相移掩膜，其特征在于，
所述波长范围内的复合光为由g线、h线和i线组成的复合光。
10.根据权利要求9所述的相移掩膜，其特征在于，
所述相移层的厚度为可使i线产生的相位差和使g线产生的相位差的差值在40°以下的厚度。
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