CN101390000A - 微显示器 - Google Patents

Abstract

一种小的透明显示器，具有：在透明衬底上的硅有源底板；在硅有源底板上部并且由其控制的像素透明电极阵列；透明公共板；在底板和公共板液晶材料上的取向层之间的液晶材料；以及制作在硅有源底板上的偏振器。偏振器校正通过透明衬底和硅有源底板的光的偏振，以提高显示器的对比度。

Description

微显示器

技术领域

本发明涉及具有集成偏振器(polarizer)的微显示器。

背景技术

一般透明液晶显示器(LCD)包括夹在前透明板和后透明板之间的液晶材料层。后板包括在透明衬底诸如玻璃上形成像素的透明电极。前板包括形成公共板的透明ITO电极。前透明电极和后透明电极涂覆聚酰亚胺取向层。在有源矩阵显示器中，具有在后板的透明衬底的上部、带电子像素寻址电路的硅有源底板层，和在该硅层上并且由该硅层控制的透明像素电极。为了让液晶显示器正确地起作用，入射到液晶材料上的光必须被偏振。因此，偏振器一般与LCD显示器一起使用。

因此，申请人注意到使用蓝宝石作为硅有源底板的衬底的优点。很显然，蓝宝石是透明的并且促进形成电子电路的单晶硅的生长。参见美国专利Nos.6,190,933；6,312,96；6,365,936；6,521,950，和6,617,187，所有这些专利在本文中并入作为参考。遗憾的是，蓝宝石使通过液晶材料的光消偏振。

有源矩阵寻址电路也能够使光消偏振，在这种情况下，液晶被阻止控制光以获得高开启/关闭(on/off)对比度。随着这种电极电路做得越来越小，如在用微显示器的情况下，消偏振效果甚至更强。

微显示器一般是测量对角线小于1.5”的微小显示器，其可以与透镜一起使用显示全尺寸计算机显示器或电视的图像。微显示器用于在这些产品中形成图像，诸如会议室投影仪、背面屏幕宽幅电视、和摄像机取景器。大多数微显示器具有在硅层中作为集成电路制作的电子像素寻址电路。有源硅层通常在一般由硅、玻璃、石英、或蓝宝石制成的圆形衬底晶片上。许多完整的微显示器有源底板在晶片表面上重复，其基本上被切割形成单个微显示器。

而且，透明衬底的不理想消偏振效果和像素寻址电路取决于照明入射角度，这种消偏振可以以一定角度起作用。微显示器本身具有光线的大锥角，因为周期性小尺寸有源矩阵底板结构将光衍射成偏轴衍射级方向的锥形。此外，在微显示器应用诸如投影仪中获得高光学系统通过量通常需要低f/#光学系统，其通过微显示器透射具有透射方向大锥角的光。

已知在液晶单元的一个内表面或两个内表面涂覆偏振材料，以便避免偏振器机械损伤和取消将偏振器附着到显示上的另外制造步骤。参见美国专利Nos.3,941,901；6,630,289；和6,399,166。在有些情况下，偏振材料也用作液晶取向层。

还已知将线栅偏振器结合到液晶材料层的后面，用于通过线栅偏振器透过一个偏振方向的光和通过液晶材料层反射另一偏振方向的光，允许用环境照明或内部照明来显示操作。参见美国专利No.5,986,730，其并入本文作为参考。还已知将线栅偏振器结合在液晶材料层后面，以起到电极、偏振器和反射镜的作用。参见美国专利No.4,688,897，其也并入本文作为参考。

然而，现有技术没有教导或暗示提高结合了蓝宝石衬底的微显示器的对比度的技术。

发明内容

因此，本发明的目的是提供提高对比度的微显示器。

本发明的另一目的是提供插入了蓝宝石衬底的微显示器。

本发明可实现通过在有源硅底板上插入线栅或其它偏振器来完成对比度改善的液晶显示器，以校正透过底板蓝宝石衬底的光的消偏振，并且还校正由底板上靠近的小间隔电路造成的光的消偏振。

然而，在其它实施例中，主题发明不需要实现所有这些目的，本申请的权利要求不应该限制于能够实现这些目的的结构或方法。

根据主题发明的透射显示器包括电控制偏振调制材料，改变光的偏振和电控制偏振调制材料的寻址底板，将偏振调制材料的期望偏振效果与寻址底板的不期望偏振效果隔离的内偏振隔离器。寻址底板通常包括透明衬底诸如蓝宝石。蓝宝石光学双折射。

一般偏振隔离器是插入电控制偏振调制材料和寻址底板之间的线性偏振器。线性偏振器可用于吸收不透射的偏振光。偏振吸收器可以包括涂覆到有源底板的电控制侧的电绝缘线性偏振材料。一种偏振隔离器是在寻址底板的电控制侧上构图密集金属线的一维线栅阵列。线栅偏振器导电层可以构图成透明像素电极，其具有像素内的线栅线(wire grid lines)互相连接，像素之间的隔离间隙，从每个像素到寻址底板的电连接。含有线栅偏振器的导电层还能够构图用于阻挡光从偏振调制材料进入有源矩阵集成电路的特定区域的实心区(solid areas)。在有些情况下，理想的是，线栅偏这片导电层涂覆二氧化硅层，然后通过化学机械抛光使其平整和光滑。

寻址底板可以包括含有有源矩阵集成电路的硅层。偏振隔离器可以是集成为部分有源矩阵集成电路的线性偏振器。该偏振器可以由在构图为密集金属线(closely-spaced metal lines)的一维阵列的集成电路中的导电层形成。作为另一可替换方案，偏振隔离器能够由在有源底板的电控制侧上沉积的电阻传导层(resistive conducting layer)形成，并且构图为密集线的一维阵列，以形成吸收其不透射的大多数偏振光的线栅偏振器。一般说来，电阻传导层由多晶硅或镍铬合金制成。

本主题发明的特征在于，偏振调制隔离器隔离透射显示器中偏振调制擦了的期望偏振效果与寻址底板的不期望偏振效果。偏振隔离器可以是插入偏振调制材料和寻址底板之间的线性偏振器。可替换地，偏振隔离器能够是吸收不透射的偏振光的线性偏振器，并且插入电控制偏振调制材料和寻址底板之间。作为另一可替换方案，偏振隔离器可以是在寻址底板的面对调制材料的一侧上涂覆的电绝缘线性偏振材料。另一偏振隔离器是通过在寻址底板的面对调制材料的一侧上构图密集金属线的一维线栅阵列而形成。该线栅偏振器导电层可以构图成透明像素电极，其具有：像素内的线栅线的互连，像素之间的隔离间隙，和从每个像素到寻址底板的电连接。

本主题发明的特征在于，包括偏振调制材料的微显示器，含有控制偏振调制材料的有源矩阵集成电路的硅层，和在集成电路中包括的偏振器。在一个实例中，集成电路包括构图为密集金属线的一维阵列的导电层，以形成线栅偏振器。偏振器可以由集成电路中的导电层构图为密集金属线的一维阵列的加工工艺形成。微显示器可以构成为透射微显示器。微显示器还可以构成反射微显示器，其中光通过偏振调制材料入射，从线栅偏振器反射，并且通过调制材料退回。含有有源矩阵集成电路的硅层可以在单晶硅晶片上。集成线栅偏振器导电层可以构图成透明像素电极，其具有在像素内的栅线的互连，像素之间的隔离间隙，和从每个像素到有源矩阵的电连接。线栅偏振器导电层一般是有源矩阵集成电路中的上部金属层。可替换地，有源矩阵集成电路中的最上部导电层可以用电绝缘偏振材料涂覆，其中有源矩阵集成电路中的最上部导电层可以是铟锡氧化物透明像素电极的阵列。

偏振器可以用于吸收不透射的偏振光。这可以通过用电绝缘偏振材料涂覆有源矩阵集成电路中的最上部导电层来实现，电绝缘偏振材料吸收不透射的偏振光。可替换地，吸收偏振器可以由构图为密集线的一维阵列的集成电路中的电阻传导层形成，以形成吸收不透射的大多数偏振光的线栅偏振器。电阻传导层一般由多晶硅制成。电阻传导层可以由镍铬合金制成。硅层一般设置在透明衬底诸如蓝宝石上。

含有线栅偏振器的导电层还构图用于阻挡光从偏振调制材料进入有源矩阵集成电路的特定区域的实心区。偏振调制材料可以是液晶或其它电光材料。有源矩阵集成电路包括具有控制每个像素的晶体管和电容器的CMOS电路。

主题发明还以制作透明显示器的方法为特征。硅沉积在蓝宝石衬底上，有源矩阵像素寻址电路用硅制作。密集金属导线阵列在有源矩阵像素寻址电路中构图，以形成线栅偏振器。取向层施加给线栅偏振器。液晶材料邻接取向层沉积。优选地，线栅偏振器的构图包括形成像素内所有导线公共的导电结构。通过从相邻像素之间的间隔另外去除栅线和制作电连接线栅与有源矩阵像素寻址电路的通路(via)，线栅偏振器可以形成透明像素电极。通过对两个光图案连续曝光负光致抗蚀剂可以形成公共导电结构：一个光图案具有导电结构，第二光图案具有线栅线。可替换地，导电结构可以由在线栅导电层下的集成电路夹层电介质中的小金属岛形成，使得每个岛横跨至少两根栅线，这些岛定位成一组，它们是像素内的所有线栅线电互连。从相邻像素之间去除栅线的一种可能方法包括对两个光图案连续曝光正光致抗蚀剂的步骤，一个光图案用于栅线的去除，一个光图案用于线栅线之间的间隔。

根据主题发明的透射微显示器的特征在于：透明衬底；在透明衬底上的硅寻址电路，其包括在硅有源底板上部并且由其控制的像素透明电极阵列；邻接寻址电路的取向层；透明公共板；在公共板上的取向层；在取向层之间的液晶材料；和在硅寻址电路上的偏振器，其校正通过透明衬底和硅有源底板的光的偏振，提高微显示器的对比度。在有些实施例中，透明衬底是蓝宝石。

偏振器可以是在底板上涂覆的层，但是，优选偏振器是在有源硅电极底板上构图的导线的一维阵列。导线阵列一般具有小于可见光半波长的间距，构图阵列，以在每个像素上形成孤岛。在每个像素上的线可以互连，以形成电极。在优选实施例中，导线沉积在每个横跨至少两根线的小金属岛上部并且定位成一组，它们使一个像素上的所有线互连，以形成电极。一个或多个金属岛包括连接硅有源底板的通路。用于形成导线的金属可以包括阻挡光进入下面硅寻址电路的区域的实心金属区。

本主题发明特征在于：透明显示器包括偏振调制材料，控制偏振调制材料的寻址电路，和在寻址电路和偏振调制材料之间的偏振器。偏振调制材料可以使液晶或其它电光晶体材料。一般说来，寻址电路是有源矩阵像素寻址集成电路，其包括在硅衬底中制作的具有用于衬底每个像素的晶体管和电容器的CMOS电路。在一个优选实施例中，偏振器包括构图为部分有源矩阵集成电路的线的一维阵列，形成偏振器和像素电极。为了形成像素电极，线的阵列在像素之间切割，并且通过公共导电结构或通过横跨至少两根线的底层金属通路在像素内可以互连。在另一实施例中，线栅偏振器可以用于抑制反射。具有在像素寻址电路和线阵列之间的氧化层，和邻接寻址电路另一侧的透明衬底。在一个优选实施例中，透明衬底由蓝宝石制成。

根据主题发明的一个优选的透明显示器特征在于：偏振调制材料，控制偏振调制材料的寻址电路，和在寻址电路和偏振调制材料之间的线栅偏振器。线栅偏振器在像素之间分割，不需要单独的透明电极，并且线栅偏振器的线互连。

附图说明

本领域的普通技术人员从下列优选实施例和附图的描述会想到其它目的、特征和优点，其中：

图1是根据主题发明的透明偏振调制微显示器的高度侧视图；

图2是根据主题发明的透明显示器另一更复杂实例的高度侧视图；

图3是根据主题发明插入偏振器的微显示器的三维视图；

图4是根据主题发明插入导电偏振层的微显示器底板的三维视图；

图5是表示根据主题发明具有线栅偏振器实例的微显示器像素的三维视图；

图6是根据主题发明另一插入线栅偏振器的微显示器底板的三维视图；

图7是根据主题发明的微显示器像素的顶视图，其中通路用于使线栅透明电极的线互连。

具体实施方式

除了优选实施例或下面所述的实施例之外，本发明能够有其它实施例并且能够用各种方式执行或实施。因此，应该理解本发明的应用不限于在下面的说明书中阐述或附图图示的详细结构和部件布置。尽管在本文中描述了实施例，但权利要求不限于该实施例。而且，本申请的权利要求不要限制性地理解，除非有声明某些排除、限制、或放弃的清楚和令人信服的证据。

图1示出透明衬底10，一般地蓝宝石支撑的有源矩阵像素寻址电路12，其控制在像素寻址电路12和一般为玻璃的透明衬底16之间的偏振调制材料14或其它电光材料，其中偏振调制材料14一般是液晶。

如在上述背景部分所述，使用蓝宝石作为支撑硅有源矩阵像素寻址电路的材料是有利的，因为它透明并且促进单晶硅的生长，在单晶硅中形成寻址电路。

但是，蓝宝石材料也不利地使入射或出射液晶材料14的光消偏振。此外，有源矩阵像素寻址电路12本身能够使入射到液晶材料14上的光消偏振。因为像素做得越小，越多部分的光从电路反射并且可以消偏振。

因此，在主题发明中，偏振器18一般结合在寻址电路12上，以便将寻址电路12和蓝宝石衬底10的不理想的底板偏振结果与液晶14的理想偏振调制隔开。

如果偏振器18优选线栅偏振器，偏振器实际上与图2所示的有源矩阵像素寻址电路结合，其中用20表示硅电路并且线栅偏振器18′在设置在电路上的层间绝缘22上构图。一般的CMOS电路包括用于衬底每个像素的晶体管和电容器。

图2还示出本领域普通技术人员已知的一般显示器的其它元件，包括透明电极24和26，聚酰亚胺取向层28和30，以及玻璃衬底32。电驱动信号使有源矩阵像素寻址电路20将电压设置在与每个像素相关的透明像素电极24上。该电压在透明像素电极和均匀的透明公共板电极26之间产生电场。该电场使电控制调制层14改变通过每个像素的照明偏振。外部偏振器将该偏振变成可视图像，其中图像中每个点的强度是微显示器中对应像素的偏振调制的函数。根据使用的具体电控制调制层的特性，微显示器外部的偏振器会具有不同偏振轴。

照明光能从图2的左边照射或从右边照射。当均匀的照明从左边照射时，入射到右边的照明光被微显示器中的图像调制。同样，当均匀的照明光从右边照射时，入射到左边的照明光被微显示器像素中的图像调制。

由于蓝宝石的双折射，蓝宝石衬底10具有不理想的偏振调制特性，它会造成通过微显示器的偏振的不理想的变化，并且使通过电控制调制层14施加的理想偏振变化恶化(或“消偏振”)。

有源矩阵像素寻址电路20也能够使通过微显示器的光偏振不理想地变化。这些理想的偏振效果是由于当它通过有源矩阵像素寻址电路时，光被反射、散射和衍射。随着像素越少，这些效果越显著，因此，这种偏振恶化(或“消偏振”)在非常少像素的微显示器中是很严重的问题。

在一个具体实施例(参见美国专利Nos.6,190,933；6,312,968；6,365,936；6,521,950；和6,617,187)中，衬底10是蓝宝石单晶，它的原子间隔大约相等的距离，与硅晶格中的原子一样。这样让非常高质量的单晶硅在蓝宝石上生长。有源矩阵底板电路20是CMOS电路，其内置在直接生长在蓝宝石衬底的单晶硅上。

取向层28和30将每个表面的液晶定向，使得液晶正确地响应施加的电场，以对通过液晶材料的光施加理想的偏振调制。

偏振材料或偏振线栅用于在液晶和寻址电路之间插入偏振器，以去除蓝宝石和微显示像素结构的消偏振效果，从而让液晶控制光，以获得高开启/关闭对比度。

透明微显示器中的像素寻址电路12控制施加控制电压给液晶单元的透明电极24。大多数公共透明电极材料是铟锡氧化物(ITO)电极。ITO电极增加复杂性和加工工艺的费用，因为ITO沉积、构图、和蚀刻在集成电路制造中不是标准工艺。ITO电极一般用钨通路连接像素寻址电路。不能使用铝通路，因为铝与ITO起反应，使ITO退化。此外，在ITO中有光损失，其降低微显示器的光学透射率。

线栅偏振器18′也能用作有源矩阵上的透明电极。这样由于不用非标准ITO透明电极加工工艺，简化底板加工。当线栅偏振器18′用于透明像素电极时，作为底板加工工艺的本质部分，它被构图成每个像素的孤岛，另外的金属结构增加像素中所有线的电互连。

利用线栅偏振器18′作透明电极增加微显示器的光通过量。当线栅偏振器18′也用作透明电极时，消除ITO层中的光损失。线栅偏振器18′通常不增加另外的光损失，因为它不用ITO系统需要的外部偏振器。线栅偏振器18′能够是非常有效的偏振器，通过45％的随机偏振输入光。

优选的线栅偏振器作为硅有源底板像素的本质部分而被集成，并且能够被结合作为在许多铸件的标准CMOS加工工艺的部分。一般的线栅偏振器间距小于1/2波长(<0.25μm)。在底板电路上沉积氧化层22之后，通过化学机械抛光(CMP)使其光滑，沉积和构图线栅金属层。除了在像素上部的线栅偏振器之外，这种相同的金属层能够用像素和有源矩阵电路上的光遮蔽之间的黑矩阵构图。此外，线栅偏振器能够用作透明电极，从而不需要上述的钨通路和ITO电极24。每个像素能够用普通铝接触通路连接到金属边缘或框，金属边缘或框连接像素线栅的所有线。

因为线栅具有非常小的间距，像素中的液晶承受均匀的电压。线栅偏振器可能有助于上层聚酰亚胺层的LC取向。然而，如果线栅偏振器金属布局(<0.15μm厚)与LC取向干涉，薄氧化物能够沉积在线栅偏振器上并且通过CMP工艺使其平整。在许多情况下，不需要CMP氧化层，因为聚酰亚胺层本身用于在栅线之间的填充，明显地使线栅结构平整。

线栅偏振器18′明显地提高基于蓝宝石衬底10的透明微显示器的对比度。当从蓝宝石这侧照射时，输入照明光被蓝宝石衬底10和有源矩阵20消偏振，然后，在入射到液晶14之前被线栅偏振器18′线性地偏振。然后，光通过玻璃衬底32出射并通过光学第二偏振器(未示出)，以形成高对比度的图像。在现有技术中，不使用线栅偏振器，当线偏振输入照明光到达液晶时，它不再单纯线性偏振，在通过第二偏振器后，液晶不能调制它来形成高对比度图像。

在不使用线栅偏振器的现有技术中，微显示器照明光必须入射到蓝宝石这侧，并且必须沿蓝宝石双折射轴线性地偏振，使得双折射不改变校准输入照明光的偏振。如果输入偏振器从蓝宝石轴线旋转大于几度，蓝宝石双折射产生足够的椭圆偏振，使图像对比度降到1000:1以下。在大批量生产的产品中保持这种公差很困难。线栅偏振器18′消除对输入照明光的偏振的这种限制，从而使它更容易加工在蓝宝石衬底上插入透明微显示器的产品。

由于不需要蓝宝石双折射轴线与液晶取向轴之间的精调，线栅偏振器18′也使它更容易在蓝宝石上加工透明微显示器。微显示器必须用也沿蓝宝石双折射轴取向的液晶取向层制作，使得这个输入照明光正确地偏振，以从液晶获得最大对比度。取向层和蓝宝石双折射轴之间几度的未对准会明显地降低图像对比度。实际上，这样精确的对准非常难实现。例如，圆形蓝宝石晶片在表示双折射轴的方向的一侧具有方向平整切割，这个平整通常具有±2°或更大的误差。

线栅偏振器18′应用低f/#光学元件诸如投影仪提高图像对比度。在不使用线栅偏振器的现有技术中，微显示器优选用沿蓝宝石双折射轴之一取向的线性偏振光从蓝宝石这侧照射，但是，代替从不同角度入射到蓝宝石，角度光线的偏振不再精确地与双折射轴对齐。然后，液晶经历导致降低图像对比度的椭圆偏振输入光。本发明的线栅偏振器拦截这种椭圆偏振光，并且在它入射液晶之前将它恢复成线性偏振光。

当显示器从玻璃衬底32这侧照射时，线栅偏振器18′也能够获得高对比度。在不使用线栅偏振器的现有技术中，优选微显示器用沿蓝宝石双折射轴之一取向的线性偏振光从蓝宝石这侧照射。当从玻璃这侧照射时，在入射到蓝宝石之前，输入的线性偏振光被液晶层变成椭圆偏振光，从而不能专门沿一个蓝宝石轴线定向。那么蓝宝石双折射大大地改变液晶的偏振并且降低对比度。本发明的线栅偏振器将离开液晶的光转换成亮图像，那么蓝宝石和有源矩阵的任何其它偏振效果不再降低图像对比度。

出于许多原因，从玻璃这侧照射显示器的这种方法是理想的，包括：将遮住底板电路免于强照明光，左右监视图像以校正反射镜转换光学系统，或使液晶层更靠近外部照明光学系统。

当微显示器从玻璃这侧照明时，能够得到高对比度，线栅偏振器18′使它能够更有效地保护底板中的电路，避免由于强照明光产生的电流造成的性能下降。硅层20直接沉积再蓝宝石上。在电路加工过程中，远离蓝宝石的硅这侧涂覆金属迹线(traces)。当从蓝宝石这侧照射时，没有什么阻挡到达感光硅的光。然而，当从玻璃这侧照射时，金属层能够有效地遮蔽硅电路免于受光。

在投影仪的应用中，操作强照明光的能力特别重要，因为投影仪一般将非常强的照明光照射到微显示器上，以便在投影图像中得到足够的亮度。在微显示器上允许更高的亮度也使它能够以更低的成本获得足够的图像亮度，时序彩色投影仪设计成所有颜色的光通过一个微显示器。对于在投影图像中的给定光通量，一种微显示器投影仪通过微显示器投出大约大于三台显示投影仪三倍的光，其中这三台显示投影仪的每台显示专用于不同颜色(即，红，绿和蓝)。此外，微显示器处理更高亮度的能力也使它可能通过更小尺寸的微显示器透出所有的光，这样成本明显降低。

由于当微显示器从玻璃这侧照射时能够获得高对比度，线栅偏振器18′便于微透镜阵列(MLA)的使用，以提高微显示器的性能。为了有效起见，光必须通过MLA入射。MLA必须经常放在微显示器的玻璃这侧，这里能够使用薄玻璃衬底32，以便将MLA足够地靠近有效的有源电路。而且，MLA常常直接加在盖玻璃上，MLA对于制作蓝宝石衬底的来说是不实用的。

在MLA中，小透镜放在每个像素上，以截取进入一大片像素区的输入光，并将通过像素的光聚焦而不照射有源矩阵电路。这样导致微显示器的更高光透射。这样也减少照射到电路上的光，并且可以使用更高的照明水平，而不降低电路操作。

在相同的金属化层上能够构图另外的黑矩阵结构作为线栅偏振器18′。这些挡光结构能够有以下作用，诸如：a)保护矩阵中的电路免受强照明光的影响而性能下降，b)阻挡光通过没有用正确电压调制的液晶的像素之间的间隔，和c)使全部像素开口成形。

由于不用外部偏振器，线栅偏振器18′也简化微显示器应用于产品。这样降低成本和微显示器的产品应用复杂性。在有些应用中，塑料偏振器粘接到微显示器上，并且粘接过程会损坏图像质量。此外，塑料偏振器经常有许多损坏图像质量的针孔和颗粒缺陷。而且，这种内部偏振器也防止散射、灰尘和其它恶化。

线栅偏振器18′能够形成系统的部件，以弥补另外损失的偏振光。线栅反射大多数对通过的光垂直偏振的光。当微显示器从蓝宝石衬底这侧照射时，该反射光中有些光通过蓝宝石并且被蓝宝石-空气界面和其它外部光学表面反射，通过蓝宝石重新进入微显示器。两次通过蓝宝石，双折射能够改变该光的偏振方向或椭圆度，从而有些光线现在能够通过线栅偏振器。因为不能精确地知道蓝宝石的厚度，较好的方法是通过下面的手段使蓝宝石的影响最小化：对齐沿蓝宝石双折射轴的输入光，然后，直接在线栅下面涂覆四分之一波片延迟层，或者涂覆四分之一波片延迟层作为在光进入蓝宝石衬底之前的单独的外部元件。

作为反射偏振器，线栅偏振器18′不会由于吸收强照明光而过分地加热。这在高流明投影应用中特别重要。

如上所述，线栅偏振器用于反射不透射的光。在有些应用中，从线栅偏振器的反射不理想。反射光能够沿着反射离开其它表面的路径传播，从而降低了对比度并产生重影。出于这个原因，反射偏振器几乎从来没有在图像投影仪的微显示器的光出射侧使用。更具体地说，如果光通过玻璃衬底32入射，然后，在通过线栅偏振器18之前通过液晶14，线栅偏振器能够通过液晶朝光源反射光，该光能够从各个表面再次反射，通过线栅反射回来。

因此，有时期望设计吸收的内部偏振器，而不是反射不透射的偏振。这能够通过由不良导体形成线栅线来实现。那么沿栅线偏振的光感生电流，该电流在线栅的电阻中消耗，而不会造成反射光的发射。垂直于栅线偏振的光通过偏振器而不损失。高阻线栅能够由诸如镍铬合金或多晶硅的材料制成。多晶硅具有与底板晶体管的加工工艺兼容的优点。

另一种可能的方法是用非金属偏振材料涂覆有源矩阵衬底，这种非金属偏振材料吸收、而不是反射不透射的偏振光。合适的可涂覆吸收偏振器材料的实例在美国专利Nos.6,399,166和3,941,901中描述。

因此，本主题发明是许多问题的解决方案，尤其是透明微显示器。例如，现有技术教导利用线栅偏振器作为透反射显示器中的有效透射反射器。透反射显示器既可以使用环境反射光，也可以使用透射的背光。现有技术还教导通过在通过液晶的光和反射出来的光之间设置线栅偏振器来提高反射显示器的性能。

不同之处在于，本发明解决具体对透射微显示器的问题。本专利所解决一个问题是在透射有源矩阵底板中的小尺寸结构的消偏振。另一问题是消除在透明微显示器中使用的透明衬底诸如蓝宝石中双折射造成的消偏振。通过解决这些问题，线栅偏振器18′明显地提供透明微显示器的对比度。对于以显示器表面的非法线角通过显示器的光线来说，这些降低消偏振影响的对比度会更严重。这是一般的投影仪应用的情况，其中通常使用低f/#光学元件。例如，用f/2的光学元件，蓝宝石衬底能够将对比度降低到250:1。因此，本发明对投影仪应用中透射微显示器的使用是关键的。

如图3所示，偏振层18插入有源矩阵像素寻址电路20和电控制相位调制材料14之间。该偏振层18的一种可能位置是在透明像素电极24和取向层28之间。这对于电绝缘偏振层来说是理想的位置。在该位置，偏振层18不阻断寻址电路和透明像素电极之间的电接触。该位置的一个缺点是在偏振层中的透明像素电极和透明公共片电极之间的有些电压下降。这样必需使用不希望的、更高的电源电压来驱动微显示器。

一个方案是将偏振层设置在寻址电路20和透明像素电极24之间。这种结构需要更复杂的加工工艺，其中寻址电路和透明像素电极之间的导电通路通过在偏振层中形成的通孔来加工。

另一实施例是利用导电偏振层18″，如图4所示。该实施例具有将透明像素电极和偏振层融合成单层的优点。利用图5所示的一维密集导体40的阵列能够获得非常好的偏振特性。当线与线的间距小于1/2波长(<0.25μm)时，具有沿栅线偏振的电矢量的光在栅线中感生电流，使得光被反射和吸收。优选0.15μm的线间距，有利于蓝光的良好性能。非常少的光通过线栅。另一方面，垂直于线偏振的电矢量的光的90％以上通过线栅。因为形成小结构的加工技术提高，线栅按比例缩小，以偏振红外光和可见光。例如，参见Larson，“A Survey of the Theory of Wire Grids”，FRE Trans MTT，1962，pp.191-201；Auton和Hutley，“Grid Polarizers for Use in the Near Infrared”，Infrared Physics，vol.12，pp.95-100；Auton，“Infrared Transmission Polarizersby Photolithography”，Applied Optics Jun.1967，vol.6，No.6，pp.1023-1027，和美国专利Nos.0,224,224和3,426,143。在近些年，在线栅加工技术和性能方面作了许多改进，例如，参见美国专利Nos.：6,122,103；6,243,199；6,288,840；6,452,724；6,532,111；和6,665,119。

为了实现透明像素电极和偏振器的双重用途，图4-6中的线栅偏振器18″在像素之间切割，以电绝缘每个像素。每个像素中的像素寻址电路通过触点42与图5中与所有像素上的线电互连的框架、垂线或另一导电结构44电连接。因为线栅具有非常小的间距，像素中的液晶具有均匀电压。

该讨论针对透射微显示器。然而，图5所示的集成线栅像素电极结构也能够被集成为反射微显示器。因为线栅偏振器反射不透射的光，线栅在反射微显示器中变成偏振反射镜。

反射微显示器通常需要偏振分束器，因为输入光束一般沿一个方向偏振，输出光束必须通过垂直偏振器。这种集成偏振器不用偏振分束器。在操作中，入射光通过外部偏振器，然后，通过液晶，然后，从线栅反射，线栅定向为仅仅反射垂直于输入偏振的偏振，然后，通过液晶，然后，通过相同的外部偏振器。通过在偏振器之间有效地串联两个液晶单元，这种结构也能够潜在地增加反射微显示器的对比度。一种可能的系统结构是在反射微显示器的表面上设置偏振器，并且用稍微偏轴的入射光束照射微显示器，使得调制的反射光束路径也偏轴。

反射或透射微显示器的基本线栅结构和加工工艺基本上相同。例如，可以在像素寻址集成电路的上部金属层中集成线栅。用从液晶这侧入射的光，从液晶出射的一个偏振透过微显示器底板；垂直偏振光通过液晶反射出来。如果衬底是不透明的硅，它就成为在硅(LCOS)微显示器上的反射液晶。对于反射微显示器来说，为了抑制有源矩阵电路的反射，虽然有线栅偏振器层，通过在线栅层下面结合外部光吸收层能够提高性能。

互联栅线的优选方法如图7所示，其中通路50从下面的像素电路形成交错的通路阵列。每个通路具有横跨至少2根线栅线的尺寸。这些通路使相邻线短路，并且造成在像素内的所有线相互短路。实际上，仅仅一个通路需要接触下面的像素电路，其余的通路可以非常浅，因为它们的功能仅仅是互连线栅线。这些通路通常形成为钨栓塞，其被抛光到与周围氧化物齐平。这样对形成要沉积线栅的非常平的表面具有明显的益处。

形成透明微显示器的基本加工步骤在下面列出。省略大多数最低水平程序步骤，诸如清洁、施加光致抗蚀剂、对掩模曝光、蚀刻等。

首先，在图2中的蓝宝石衬底10上沉积单晶硅，并且再结晶和退火来改善它，如美国专利Nos.6,190,933；6,312,968；6,365,936；6,521,950；和6,617,187所述。然后，用标准硅铸件制作CMOS有源矩阵像素寻址电路20。通过化学机械抛光(CMP)工艺使最上面的二氧化硅钝化层22平滑。然后，形成钨通路连接，其在像素寻址电路20和透明电极24之间起作用。蚀刻通路开口，沉积线性金属，沉积钨，抛光通路栓塞外面的钨。

还有其它的选择，诸如利用常规的铝通路。铝与ITO反应，因此，如果ITO用于形成透明电极，就不使用铝。其它的改型也是可取的，诸如改变通路也互连像素内的线栅线，如下所述。

然后，用集成电路加工工艺在平的CMP氧化层上构图密集的金属导线，形成组合的线栅偏振器18′和透明电极24作为上部金属层，其中阵列中的线栅线在每个像素上电互连，从下面的像素电路连接通路，并且像素之间电绝缘，如图5中的18″所示。这些线具有小于0.25μm的间距并且宽度约为间距的一半。

下面更详细地描述加工集成的、组合的线栅偏振器和透明电极18″的几种可能的方法。在含有平的硅底板电路的硅晶片表面上可以均匀地沉积铝，覆盖光致抗蚀剂，对密集的金属线曝光。用高分辨率UV相移掩模光刻机或曝光两束相干激光束能够形成这种线图案。该掩模图案也可以包括像素之间的隔离，和垂线，如图5所示的44，或互连像素内的线的框。不需要的光致抗蚀剂被蚀刻掉，由于光致抗蚀剂被蚀刻掉，不覆盖铝，并去除其余光致抗蚀剂。

在一种变化的加工工艺中，用两步或更多步骤形成线栅透明电极。当不可获得能够印制小于0.15μm线宽的高分辨率掩模光刻机时，这种工艺特别有用。首先，在整个晶片表面上形成连续的一维金属导线阵列。通过用相干的两束激光束、通过用激光或e-射束在晶片上直接写入、或通过常规的高分辨率掩模光刻机能够形成这种高分辨率光图案。其次，低分辨率光掩模用于在每个像素上将线栅构图成孤立的岛。接着，形成图5中的短路棒42、框或其它金属结构，以互连像素内的栅线。

期望使用一种构成短路棒44的方法，该方法在组合的线栅偏振器和像素电极结构18″中不产生高度变化。这种高度变化会干扰液晶取向层和填充过程。这一般不包括在栅线40下面或上面构成短路棒44的加工方法。

构成组合的线栅偏振器和像素电极结构18″的一种优选方法是连续地将负光致抗蚀剂层曝光成两个图案：线栅图案和短路条图案。然后，去除未曝光区域的负光致抗蚀剂，剩下曝光的区域。然后，从没有光致抗蚀剂的区域蚀刻铝，留下图5的组合的线栅40和短路棒44图案。然后，通过光致抗蚀剂的第二次施加能够形成像素之间的线栅隔离，对具有隔离的像素岛的掩模曝光，并且铝的蚀刻不覆盖光致抗蚀剂。

互连栅线的另一种优选方法如图7所示，其中通路50从下面的像素电路形成交错的通路阵列。每个通路具有至少横跨2根线栅线的尺寸。这些通路通常形成为钨栓塞，其被抛光到具有周围氧化物的水平。在包含这些通路开口的氧化物上面构图线栅。然后，通路使相邻线短路，从而造成在像素内的所有线相互短路。实际上，仅仅一个通路需要接触下面的像素电路。其余的通路可以非常浅，因为它们的功能仅仅是互连线栅线。

然后，通过光致抗蚀剂的第二次施加形成像素间的线栅隔离，对具有隔离的像素岛的掩模曝光，并且铝的蚀刻不覆盖光致抗蚀剂。可替换地，单正光致抗蚀剂能够使用两次曝光：线栅图案和像素间隔离图案。从曝光区域去除正光致抗蚀剂。然后，铝蚀刻同时形成线栅和从像素间的区域去除铝。

如果线栅结构具有干扰液晶取向层和填充工艺的高度变化，在线栅上施加另外的氧化层并且通过CMP工艺使起平滑。然而，在这个绝缘层上会下降一些施加的电压。如果电压下降太大，在绝缘层上可以涂覆ITO透明电极层。因此，这种结构将线栅偏振器18和透明像素电极24分成两个不同的层。这种结构的一种加工工艺是：在整个晶片上形成均匀的线栅偏振器，在每个像素的线栅中蚀刻孔，让通路从底板通过，沉积二氧化硅，用CMP使其平滑，向下打开通孔至有源矩阵，用钨填充通孔，用CMP去除过多的钨，在二氧化硅上沉积ITO，在每个像素上将ITO构图成孤岛。

形成微显示器的下面的加工步骤包括液晶处理。薄聚酰亚胺层，图2中的28，均匀地施加到整个晶片上的透明像素电极24的表面上。聚酰亚胺层被研磨，使得它能够对齐理想操作模式的液晶分子。聚酰亚胺层30也均匀地施加在设置在透明盖玻璃晶片32一侧的均匀ITO透明公共板电极26上。该聚酰亚胺层也被研磨，使得它对齐理想操作模式的液晶分子。围绕晶片上每个显示电路小片的像素阵列的外面设置间隔密封垫圈(未示出)。然后，在其内表面含有掩模聚酰亚胺层30和ITO透明电极30的玻璃晶片32附到有源矩阵晶片上。有源矩阵晶片和玻璃晶片之间的间隔很大程度上取决于围绕每个显示电路小片上的像素阵列的密封垫圈中的小珠子。

然后，晶片被切成单独的显示器。蓝宝石和玻璃被分别切成小块，从而考虑到电路的电接触，透明衬底上的电路突出到一侧的玻璃之外，考虑到透明盖玻璃上的透明公共片电极的电接触，玻璃突出到显示器的相反侧。

然后，液晶14进入每个显示器电路小片中间隔密封垫圈的小孔中，用液晶填充显示区。然后，密封该小填充孔。

应该注意，可能对上述工艺步骤作出一些变化。例如，一种变化是在有源矩阵阵列区中构成电介质衬垫，而不是利用混合垫圈材料的衬垫。还可能在整个板切成单个的板之前，用LC材料填充整个板。一种变化还使用VAN(垂直对齐向列)模式液晶。在这种情况下，有机聚酰亚胺层用无机取向层代替。

尽管本发明的具体特征在有些附图中示出，而其它的没有在附图中示出，这仅仅是为了方便本发明的每个特征可以与任何或所有其它特征组合。在本文中使用的单词“including”、“comprising”、“having”和“with”被宽泛地和全面地解释，不限于任何物理互连。而且，在主题申请中公开的任何实施例不必认为是仅仅可能的实施例。对本领域的技术人员来说可以出现其它实施例，这些实施例在下面的权利要求之内。

此外，在本专利的专利申请进行过程中提出的任何修改不放弃在提交申请时提出的任何权利要求要素：不能有理由地期望本领域的技术人员撰写字面上包括所有可能等同物的权利要求，许多等同物会在修改时不可预料并且超出要递交文件的适当解释(如果有什么区别的话)，对于修改的基本原理的底限是与许多等同物的略微联系，和/或许多其它理由决定了不能期望申请人对于任何经修改的权利要求要素描述某些缺乏实质的替代物。

Claims (79)

1.一种透射显示器，包括：

电控制偏振调制材料；

寻址底板，改变光的偏振并电控制所述偏振调制材料；和

内部偏振隔离器，将所述偏振调制材料的期望偏振效果与所述寻址底板的不期望偏振效果隔离。

2.如权利要求1所述的透射显示器，其中所述偏振隔离器是插入所述电控制偏振调制材料和所述寻址底板之间的线性偏振器。

3.如权利要求1所述的透明微显示器，其中所述偏振隔离器是用于吸收透射的偏振光的线性偏振器，并且插入所述控制偏振调制材料和所述寻址底板之间。

4.如权利要求1所述的透明微显示器，其中所述偏振隔离器包括涂覆到寻址底板电控制侧的电绝缘线性偏振材料。

5.如权利要求1所述的透明微显示器，其中所述偏振隔离器是通过在寻址底板的电控制侧上构图密集金属线的一维线栅阵列而形成的线性偏振器。

6.如权利要求5所述的透明微显示器，其中线栅偏振器导电层被构图成透明像素电极，其具有像素内线栅线的互连、像素间的隔离间隙、和从每个像素到所述寻址底板的电连接。

7.如权利要求1所述的透射显示器，其中所述寻址底板是含有有源矩阵集成电路的硅层。

8.如权利要求7所述的透射显示器，其中所述偏振隔离器是线性偏振器，其被集成作为有源矩阵集成电路的部分。

9.如权利要求8所述的透明微显示器，其中所述偏振器由构图为密集金属线的一维阵列的集成电路中的导电层形成。

10.如权利要求5所述的透明微显示器，其中所述线栅阵列涂覆有化学机械抛光的二氧化硅层。

11.如权利要求1所述的透明微显示器，其中所述偏振隔离器由沉积在寻址底板的电控制侧的电阻传导层形成，并且构图为密集线的一维阵列，以形成吸收大多数不透射的偏振光的线栅偏振器。

12.如权利要求11所述的微显示器，其中所述电阻传导层由多晶硅或镍铬合金构成。

13.如权利要求1所述的透明微显示器，其中所述寻址底板包括透明电极。

14.如权利要求13所述的透明微显示器，其中所述透明衬底是蓝宝石。

15.如权利要求5所述的透明微显示器，其中含有所述线栅偏振器的导电层还构图实心区，用于阻挡光从所述偏振调制材料进入所述有源矩阵集成电路的特定区域。

16.如权利要求1所述的透明微显示器，其中所述电控制偏振调制材料是液晶或其它电光材料。

17.如权利要求7所述的透明微显示器，其中所述有源矩阵集成电路包括具有控制每个像素的晶体管和电容器的CMOS电路。

18.一种偏振调制隔离器，其隔离透射显示器中偏振调制材料的期望偏振效果与寻址底板的不期望偏振效果。

19.如权利要求18所述的偏振调制隔离器，其中所述偏振隔离器是插入偏振调制材料和寻址底板之间的线性偏振器。

20.如权利要求18所述的偏振调制隔离器，其中所述偏振隔离器是吸收其不透射的偏振光的线性偏振器，并且插入所述电控制偏振调制材料和所述寻址底板之间。

21.如权利要求18所述的偏振调制隔离器，其中所述偏振隔离器包括在所述寻址底板的面对调制材料的一侧上涂覆的电绝缘线性偏振材料。

22.如权利要求18所述的偏振调制隔离器，其中所述偏振隔离器是通过在所述寻址底板的面对调制材料的一侧上构图密集金属线的一维线栅阵列而形成的线性偏振器。

23.如权利要求22所述的透明微显示器，其中所述线栅偏振器导电层被构图成透明像素电极，其具有：像素内的线栅线的互连，像素之间的隔离间隙，和从每个像素到寻址底板的电连接。

24.一种微显示器，包括：

偏振调制材料；

含有有源矩阵集成电路的硅层，用于控制偏振调制材料；和

包括在所述集成电路中的偏振器。

25.如权利要求24所述的微显示器，其中所述集成电路包括构图成密集金属线的一维阵列的导电层，以形成线栅偏振器。

26.如权利要求24所述的微显示器，其中所述偏振器由集成电路中构图为密集金属线的一维阵列的导电层形成。

27.如权利要求24所述的微显示器，其中所述微显示器构成为透射微显示器。

28.如权利要求24所述的微显示器，其中所述微显示器构成为反射微显示器，光通过所述偏振调制材料入射，从所述线栅偏振器反射，并且通过所述调制材料退回。

29.如权利要求24所述的微显示器，其中所述含有有源矩阵集成电路的硅层在单晶硅晶片上。

30.如权利要求25所述的微显示器，其中所述集成的线栅偏振器导电层构图成透明像素电极，其具有像素内的线栅线的互连、像素之间的隔离间隙、和每个像素与有源矩阵的电连接。

31.如权利要求25所述的微显示器，其中所述线栅偏振器导电层是有源矩阵集成电路中的上部金属层。

32.如权利要求24所述的微显示器，其中所述有源矩阵集成电路中的上部金属层涂覆有电绝缘偏振材料。

33.如权利要求32所述的微显示器，其中所述有源矩阵集成电路中最上部的导电层是铟锡氧化物透明像素电极的阵列。

34.如权利要求24所述的微显示器，其中所述偏振器用于吸收其不透射的偏振光。

35.如权利要求34所述的微显示器，其中所述有源矩阵集成电路中最上部导电层涂覆有电绝缘偏振材料，该电绝缘偏振材料吸收其不透射的偏振光。

36.如权利要求34所述的微显示器，其中所述偏振器由所述集成电路中电阻传导层形成，所述电阻传导层构图为密集线的一维阵列，以形成吸收大多数不透射的偏振光的线栅偏振器。

37.如权利要求36所述的微显示器，其中所述电阻传导层由多晶硅制成。

38.如权利要求36所述的微显示器，其中所述电阻传导层由镍铬合金制成。

39.如权利要求24所述的微显示器，其中所述含有有源矩阵集成电路的硅层在透明衬底上。

40.如权利要求39所述的微显示器，其中所述透明衬底是蓝宝石。

41.如权利要求25所述的微显示器，其中所述含有线栅偏振器的导电层还构图实心区，用于阻挡光从所述偏振调制材料进入所述有源矩阵集成电路的特定区域。

42.如权利要求24所述的微显示器，其中所述偏振调制材料是液晶或电光材料。

43.如权利要求24所述的微显示器，其中所述有源矩阵集成电路包括具有控制每个像素的晶体管和电容器的CMOS电路。

44.如权利要求30所述的微显示器，其中所述线通过公共导电结构互连。

45.如权利要求30所述的微显示器，其中所述线通过横跨至少两根线的通路互连。

46.一种制作透明显示器的方法，该方法包括：

在蓝宝石衬底上沉积硅；

在硅中制作有源矩阵像素寻址集成电路；

构图在有源矩阵像素寻址电路上集成的密集金属导线的阵列，以形成线栅偏振器；

在线栅偏振器上施加取向层；和

邻接取向层设置液晶材料。

47.如权利要求46所述的方法，其中所述线栅偏振器的构图包括形成与像素内的所有导线电互连的导电结构。

48.如权利要求47所述的方法，其中通过从相邻像素之间的间隔去除栅线和制作使所述线栅与有源矩阵像素寻址电路电连接的通路，所述线栅偏振器形成透明像素电极。

49.如权利要求47所述的方法，其中所述线栅偏振器的构图包括连续地将负光致抗蚀剂对两个光图案曝光的步骤，一个光图案用于所述导电结构，一个光图案用于所述线栅线。

50.如权利要求48所述的方法，其中所述线栅偏振器的构图包括连续地将正光致抗蚀剂对两个光图案曝光的步骤，一个光图案用于从相邻像素之间的间隔去除所述栅线，一个光图案用于所述线栅线。

51.如权利要求47所述的方法，其中所述导电结构由线栅导电层下的集成电路夹层电介质中的小金属岛形成，使得每个岛横跨至少两根线栅线，这些岛作为一组定位，它们使像素内的所有线栅线电互连。

52.一种透射微显示器，包括：

透明衬底；

在透明衬底上的硅寻址集成电路，其包括在硅有源底板上部并且由该硅有源底板控制的像素透明电极阵列；

邻接所述寻址电路的取向层；

透明公共板；

在所述公共板上的取向层；

在取向层之间的液晶材料；和

偏振器，其集成到所述硅寻址电路上，以将所述透明衬底和所述硅有源底板的不期望偏振效果与所述液晶的期望偏振效果隔离。

53.如权利要求52所述的微显示器，其中所述偏振器是在有所述源硅电极底板中构图的导线的一维阵列。

54.如权利要求53所述的微显示器，其中所述导线阵列具有小于可见光的半波长。

55.如权利要求53所述的微显示器，其中所述阵列被构图而在每个像素上形成孤岛。

56.如权利要求53所述的微显示器，其中在每个像素上的所述导线互连，以形成电极。

57.如权利要求52所述的微显示器，其中所述偏振器是在像素透明电极上涂覆的层。

58.如权利要求52所述的微显示器，其中所述透明衬底是蓝宝石。

59.如权利要求56所述的微显示器，其中所述导线沉积在小金属岛的上部，每个小金属岛横跨至少两根线，并且所述小金属岛定位成一组，它们使一个像素上的所有线互连，以形成电极。

60.如权利要求59所述的微显示器，其中所述金属岛中的一个或多个包括连接所述硅有源地板的通路。

61.如权利要求53所述的微显示器，其中用于形成导线的金属包括实心金属区，其阻挡光进入下面硅寻址电路的区域。

62.一种透明显示器，包括：

偏振调制材料；

控制偏振调制材料的寻址电路；和

在寻址电路和偏振调制材料之间的偏振器。

63.如权利要求62所述的透明显示器，其中所述偏振调制材料是液晶或其它电光晶体材料。

64.如权利要求62所述的透明显示器，其中所述寻址电路是有源矩阵像素寻址集成电路，其包括在硅层中制作的具有用于每个像素的晶体管和电容器的CMOS电路。

65.如权利要求62所述的透明微显示器，其中所述偏振器是集成作为部分有源矩阵像素寻址集成电路的线的一维阵列。

66.如权利要求65的透明微显示器，其中所述集成的线栅偏振器被构图成透明像素电极，其包括像素内的线栅线的互连，像素之间的隔离间隙，和每个像素与有源矩阵的电连接。

67.如权利要求65所述的透明显示器，其中在所述像素寻址电路和所述线之间存在夹层电介质。

68.如权利要求62所述的透明显示器，其中还包括邻接所述寻址电路的透明衬底。

69.如权利要求68所述的透明显示器，其中所述透明衬底由蓝宝石制成。

70.如权利要求62所述的透明显示器，其中所述偏振器是线栅偏振器。

71.如权利要求70所示的透明显示器，其中所述线栅偏振器构成为抑制反射。

72.如权利要求71所述的透明微显示器，其中所述线栅偏振器具有低导电率，从而其吸收其不透射的大多数偏振光。

73.如权利要求72所述的透明微显示器，其中所述低导电率线栅偏振器用多晶硅构图。

74.如权利要求72所述的透明微显示器，其中所述低导电率线栅偏振器用镍铬合金构图。

75.如权利要求70所述的透明显示器，其中所述线栅偏振器在像素之间分割。

76.如权利要求75所述的透明显示器，其中所述线栅偏振器的线互连。

77.如权利要求76所述的透明显示器，其中所述线通过公共导电结构互连。

78.如权利要求76所述的透明显示器，其中所述线通过横跨至少两根线的通路互连。

79.一种透明显示器，包括：

偏振调制材料；

控制偏振调制材料的寻址电路；和

线栅偏振器，其集成到寻址电路上并且位于寻址电路和偏振调制材料之间的界面，该线栅偏振器在像素之间分割，不需要单独的透明电极；

线栅偏振器的线互连。

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