JP4911773B2 - 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法 Download PDF

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Description

この発明は、横電界駆動モードの液晶表示装置及びこの液晶表示装置に適用される画素電極の製造方法に関する。
近年、CRTディスプレイに代わる平面表示装置が盛んに開発されており、中でも液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力等の利点から特に注目を集めている。特に、各画素にスイッチング素子を組み込んだアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、IPS(In−Plane Switching)モードやFFS(fringe field Switching)モードなどの横電界(フリンジ電界も含む)を利用した構造が注目されている。(例えば、特許文献1及び特許文献2参照。)
このような横電界駆動モードの液晶表示装置は、アレイ基板において層間絶縁膜を介して対向する画素電極と対向電極とを備え、アレイ基板の主面に対してほぼ平行な横電界を形成して液晶分子をスイッチングする。また、アレイ基板及び対向基板のそれぞれの外面には、互いに偏向軸方向が直交するように配置された偏光板が配置されている。このような偏光板の配置により、例えば電圧無印加時に黒色画面を表示し、映像信号に対応した電圧を画素電極に印加することにより徐々に透過率(変調率)が増加して白色画面を表示する。このような液晶表示装置では、液晶分子が基板主面とほぼ平行な平面内で回転するため、透過光の入射方向に対して偏光状態が大きく影響しないので、視野角依存性は小さく、広い視野角特性を有するといった特徴がある。
特開2005−107535号公報 特開2006−139295号公報
特に、FFSモードの液晶表示装置においては、画素電極は、層間絶縁膜を介して対向電極に対向するように配置されている。また、この画素電極には、対向電極に対向するスリットが設けられている。このような構成により、スリットを介して画素電極と対向電極との間に形成される電界によって液晶分子を駆動している。
このような形状の画素電極において、スリットの両端部付近では、電界の向きが揃わないことがあり、このような電界によって駆動される液晶分子の配向方向も不揃いとなる。つまり、電圧印加時(白色画面表示時)にスリットの両端部付近で液晶分子の配向不良が生じ、この部分(ドメイン)での透過率が低く、暗線となる。また、このような配向不良を生じたドメインは、スリットのエッジに沿って成長する傾向があり、更なる透過率の低下を招くおそれがある。したがって、白色画面を表示した際に十分に高い輝度が得られないといった課題がある。
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、透過率を向上し、表示品位の良好な画像を表示可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
この発明の態様による液晶表示装置は、
第1基板と第2基板との間に液晶層を保持した構成の液晶表示パネルを備え、
前記第1基板は、
各画素の行方向に延在した走査線と、
各画素の列方向に延在した信号線と、
画素毎に配置されたスイッチング素子と、
行方向に対して鋭角に交差するとともに列方向に並んだ複数のスリットを有し、前記スイッチング素子に接続された画素電極と、
前記画素電極と層間絶縁膜を介して対向する対向電極と、
前記液晶層と接触する配向膜と、を備え、
前記スリットは、略平行四辺形状に形成され、内角が鋭角となるコーナ部に、エッジの外方に向かって窪んだ円弧状の凹部を有することを特徴とする。
この発明の態様による液晶表示装置の製造方法は、
横電界駆動モードの液晶表示装置の製造方法であって、対向電極と層間絶縁膜を介して対向する画素電極の形成工程において、
層間絶縁膜上に導電層を成膜し、
前記導電層上にレジストを成膜し、
前記レジストを、画素電極に対応したパターンを有するフォトマスクを介して露光し、
前記レジストを現像し、
前記レジストから露出した前記導電層を除去する工程を含み、
前記レジストを露光する工程で適用されるフォトマスクは、行方向に対して鋭角に交差するとともに列方向に並んだ複数の平行四辺形状のスリットに対応したパターンを有するとともに、スリットの内角が鋭角となるコーナ部に重なる部分においてエッジの外方に向かって突出する補正パターンを有し、
前記画素電極のスリットは、エッジの外方に向かって窪んだ円弧状の凹部を有するように形成されたことを特徴とする。
この発明によれば、透過率を向上し、表示品位の良好な画像を表示可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供することができる。
以下、この発明の一実施の形態に係る液晶表示装置及びその製造方法について図面を参照して説明する。ここでは、一方の基板に画素電極及び対向電極を備え、これらの間に形成される横電界を利用して液晶分子をスイッチングする液晶モードとして、FFSモードの液晶表示装置を例に説明する。
図1乃至図3に示すように、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示装置であって、液晶表示パネルLPNを備えている。この液晶表示パネルLPNは、アレイ基板(第1基板)ARと、アレイ基板ARと互いに対向して配置された対向基板(第2基板)CTと、これらのアレイ基板ARと対向基板CTとの間に保持された液晶層LQと、を備えて構成されている。このような液晶表示装置は、画像を表示する表示領域DSPを備えている。この表示領域DSPは、m×n個のマトリクス状に配置された複数の画素PXによって構成されている。
アレイ基板ARは、ガラス板や石英板などの光透過性を有する絶縁基板20を用いて形成されている。すなわち、このアレイ基板ARは、表示領域DSPにおいて、画素毎に配置されたm×n個の画素電極EP、各画素PXの行方向Hにそれぞれ延在したn本の走査線Y(Y1〜Yn)、各画素PXの列方向Vにそれぞれ延在したm本の信号線X(X1〜Xm)、各画素PXにおいて走査線Yと信号線Xとの交差部を含む領域に配置されたm×n個のスイッチング素子W、画素電極EPと層間絶縁膜ILを介して対向配置された対向電極ETなどを備えている。
アレイ基板ARは、さらに、表示領域DSPの周辺の駆動回路領域DCTにおいて、n本の走査線Yに接続された走査線ドライバYDを構成する少なくとも一部や、m本の信号線Xに接続された信号線ドライバXDを構成する少なくとも一部などを備えている。走査線ドライバYDは、コントローラCNTによる制御に基づいてn本の走査線Yに順次走査信号(駆動信号)を供給する。また、信号線ドライバXDは、コントローラCNTによる制御に基づいて各行のスイッチング素子Wが走査信号によってオンするタイミングでm本の信号線Xに映像信号(駆動信号)を供給する。これにより、各行の画素電極EPは、対応するスイッチング素子Wを介して供給される映像信号に応じた画素電位にそれぞれ設定される。
各スイッチング素子Wは、例えば、薄膜トランジスタによって構成されている。スイッチング素子Wの半導体層SCは、例えば、ポリシリコンやアモルファスシリコンなどによって形成可能である。スイッチング素子Wのゲート電極WGは、走査線Yに接続されている(あるいは走査線Yと一体的に形成されている)。スイッチング素子Wのソース電極WSは、信号線Xに接続される(あるいは信号線Xと一体に形成される)とともに、半導体層SCのソース領域にコンタクトしている。スイッチング素子Wのドレイン電極WDは、コンタクトホールCHを介して画素電極EPに接続されるとともに、半導体層SCのドレイン領域にコンタクトしている。
対向電極ETは、例えば各画素PXにおいて島状に配置され、コモン電位のコモン配線COMに電気的に接続されている。この対向電極ETは、層間絶縁膜ILによって覆われている。画素電極EPは、層間絶縁膜ILの上において対向電極ETと対向するように配置されている。この画素電極EPには、対向電極ETと対向する複数のスリットSLが設けられている。これらの画素電極EP及び対向電極ETは、例えばインジウム・ティン・オキサイド(ITO)やインジウム・ジンク・オキサイド(IZO)などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。アレイ基板ARの液晶層LQに接触する面には、配向膜22が配置されている。
一方、対向基板CTは、ガラス板や石英板などの光透過性を有する絶縁基板30を用いて形成されている。特に、カラー表示タイプの液晶表示装置においては、図3に示したように、対向基板CTは、絶縁基板30の内面すなわち液晶層LQに対向する面に、各画素PXを区画するブラックマトリクス32、ブラックマトリクス32によって囲まれた各画素に配置されたカラーフィルタ層34などを備えている。また、対向基板CTは、さらに、外部電界の影響を緩和するためのシールド電極や、カラーフィルタ層34の表面の凹凸を平坦化するように比較的厚い膜厚で配置されたオーバコート層などを備えて構成してもよい。
ブラックマトリクス32は、絶縁基板30上において、アレイ基板ARに設けられた走査線Yや信号線X、さらにはスイッチング素子Wなどの配線部に対向するように配置されている。カラーフィルタ層34は、絶縁基板30上に配置され、互いに異なる複数の色、例えば赤色、青色、緑色といった3原色にそれぞれ着色された着色樹脂によって形成されている。赤色着色樹脂、青色着色樹脂、及び緑色着色樹脂は、それぞれ赤色画素、青色画素、及び緑色画素に対応して配置されている。対向基板CTの液晶層LQに接触する面には、配向膜36が配置されている。
このような対向基板CTと上述したようなアレイ基板ARとをそれぞれの配向膜22及び配向膜36が対向するように配置したとき、両者の間に配置された図示しないスペーサにより、所定のギャップが形成される。液晶層LQは、これらのアレイ基板ARの配向膜22と対向基板CTの配向膜36との間に形成されたギャップに封入された液晶分子を含む液晶組成物によって構成されている。
また、この液晶表示装置は、液晶表示パネルLPNの一方の外面(すなわちアレイ基板ARの液晶層LQと接する面とは反対の外面)に設けられた光学素子OD1を備え、また、液晶表示パネルLPNの他方の外面(すなわち対向基板CTの液晶層LQと接する面とは反対の外面)に設けられた光学素子OD2を備えている。これらの光学素子OD1及びOD2は、偏光板を含み、例えば、液晶層LQに電圧が印加されていない状態において液晶表示パネルLPNの透過率が最低となる(つまり黒を表示する)ノーマリーブラックモードを実現している。
このような構成により、液晶表示パネルLPNに対してアレイ基板AR側に配置されたバックライトユニットからのバックライト光を液晶表示パネルLPNで選択的に透過し、画像を表示する。
特に、この実施の形態においては、画素電極EPに形成されたスリットSLは、図2に示すように、概ね行方向Hに沿って延在しており、しかも、行方向Hに対して鋭角に交差するように形成されている。また、複数のスリットSLは、列方向Vに並んでいる。また、この実施の形態では、色味の視野角特性改善のために、1画素内にスイッチング方向が異なる液晶分子を含むように構成されている。
具体的には、1つの画素電極EPは、少なくとも2方向に延在するスリットを有しており、例えば、第1方向に長軸AX1を有する複数のスリットSL1と、第1方向とは異なる第2方向に長軸AX2を有する複数のスリットSL2とを有している。長軸AX1は、行方向Hに対して7度程度の角度θ1をなすように傾いている。また、長軸AX2は、行方向Hに対して7度程度の角度θ2をなすように傾いている。つまり、これらの長軸AX1及びAX2は、行方向Hに対して略線対称となるように配置されている。複数のスリットSL1は、互いに平行に配置されている。複数のスリットSL2は、互いに平行に配置されている。なお、配向膜22及び配向膜36のラビング方向は、行方向Hと平行に設定されている。
図4に拡大したように、スリットSLのそれぞれは、略平行四辺形状に形成されている。つまり、各スリットSLは、概ね行方向Hに沿って延在し且つ行方向Hに対して鋭角に交差する長軸と平行な2つのエッジL1及びL2と、概ね列方向Vに沿って延在し且つ列方向Vに対して鋭角に交差する短軸と平行な2つのエッジS1及びS2と、を有している。
また、スリットSLのそれぞれは、内角が鋭角となるコーナ部に円弧状の凹部を有している。つまり、各スリットSLは、エッジL1とエッジS2とが交差するコーナ部C1と、エッジL2とエッジS1とが交差するコーナ部C2については、それぞれエッジL1及びL2の外方に向かって窪んだ円弧状の凹部CCを有している。すなわち、平行四辺形状のスリットSLにおいて、対角線上のコーナ部において互いに相反する向きに延在した凹部CCを形成したことにより、スリットSLは、略S字状または積分記号(∫)状に形成されている。
このような構成において、画素電極EPと対向電極ETとの間に電界が形成されていない場合には、液晶層LQに含まれる液晶分子は、配向膜22及び配向膜36による規制力によって、ラビング方向に平行に配向されている。この状態では、バックライト光は、液晶表示パネルLPNを透過した後、光学素子OD2に含まれる偏光板に吸収される(つまり、黒表示となる)。
一方、画素電極EPと対向電極ETとの間に電位差が形成された場合、スリットSLを介して、スリットSLのエッジL1及びL2に対して直交する方向に電界Eが形成される。このような電界Eにより、液晶分子がスイッチングされる(つまり、液晶分子は電界Eと平行な方向に配向するように駆動される)。このとき、スリットSL1付近においては左回り(反時計回り)に液晶分子が回転し、スリットSL2付近においては右回り(時計回り)に液晶分子が回転する。この状態では、バックライト光は、液晶表示パネルLPNを透過した際に液晶分子の複屈折の影響を受けて変調され、その少なくとも一部の成分が光学素子OD2に含まれる偏光板を透過する(つまり、白表示となる)。また、画素電極EPが少なくとも2方向に延在するスリットSL1及びSL2を有していることにより、スリットSL1の形状に応じた液晶分子の面内の回転方向(左回り)と、スリットSL2の形状に応じた液晶分子の回転方向(右回り)とは、相反することになる。このため、液晶表示パネルLPNの観察方向に依存した色付きを補償することが可能となり、広い視野角範囲において良好な表示品位を得ることが可能となる。
このような本実施形態の構成による効果を説明する。
上述したようなスリットSLを介して画素電極EPと対向電極ETとの間に形成される電界によって液晶分子を駆動する構成においては、スリットの両端部付近では、電界の向きが揃わないことがあり、このような電界によって駆動される液晶分子の配向方向も不揃いとなる。このような液晶分子の配向不良は、透過率の低下を招き、しかも、スリットのエッジに沿って成長する傾向がある。
発明者は、特に、略平行四辺形状のスリットを形成した際に、内角が鋭角となるコーナ部において配向不良が顕著に見られ、しかも、このコーナ部を基点としてスリットの長軸に平行なエッジに沿って配向不良が成長することに着目した。すなわち、発明者は、内角が鋭角となるコーナ部において電界の向きの不揃いを緩和して配向不良の発生を抑制するとともに、たとえ配向不良が発生したとしてもその成長を抑制する構造として、スリットのエッジの外方に向かって窪んだ円弧状の凹部CCが適当であることを見出した。
つまり、スリットにおいて内角が鋭角となる部分では、直線状の2つのエッジが交差するため、一方のエッジを介して形成される電界と他方のエッジを介して形成される電界とが混在して配向不良が生じやすい。これに対して、円弧状の部分では、電界の向きの変化が緩やかであり、鋭角となる部分と比較して配向不良の発生を抑制できる。また、円弧状の凹部CCがエッジL1及びL2の外方に向かって窪んでいるため、たとえ凹部CCにおいて配向不良が生じたとしても、凹部CCを形成する円弧状のエッジL1及びL2と直線状のエッジとの交点が障壁となり、凹部CC内での配向不良が直線状のエッジL1及びL2に沿って成長することを抑制できる。
発明者が種々検討したところ、凹部CCは、スリットSLのエッジL1及びL2から1.0μm〜2.0μmの範囲で窪んでいることが望ましいことが確認された。すなわち、エッジL1及びL2からの窪みDが1.0μm未満であると、配向不良の成長抑制に十分な効果が得られず、また、エッジL1及びL2からの窪みDが1.0μm以上であれば配向不良の成長抑制効果が十分に得られるものの、エッジL1及びL2からの窪みDが2.0μmを超えると、隣接するスリットの間隔が十分に確保できなくなることから、上記範囲が望ましい。なお、ここでの窪みDとは、図4に示したように、エッジL1及びL2に垂直な方向に沿ったエッジL1及びL2と凹部CCの頂点との距離に相当する。
また、発明者は、略平行四辺形状のスリットを形成した際に、内角が鈍角となるコーナ部において電界の向きの不揃いの影響が小さいことも見出した。このため、スリットSLは、略S字状または積分記号(∫)状に形成されている。つまり、スリットSLにおいて、内角が鋭角となるコーナ部及び鈍角となるコーナ部にそれぞれ凹部CCを設けようとすると、パターニング時の解像度限界により隣接するスリットSLが繋がってしまうことがあるため、隣接するスリットSLの間隔を十分に広く確保する必要がある。このことは、1画素内に形成可能なスリット数の減少を意味し、透過率の低下を招くおそれがある。したがって、発明者が見出したような形状のスリットSLを適用することにより、透過率の向上が可能となる。
したがって、電圧印加時(白表示時)の透過率を向上することができ、表示品位の良好な画像を表示することが可能となる。
上述したようなスリットSLを有する画素電極EPは、以下のような形成工程を経て製造可能である。
すなわち、図5Aに示すように、対向電極ETを覆う層間絶縁膜ILの上に導電層Mを成膜する。ここで、導電層Mとしては、例えば、ITOを用いた。続いて、図5Bに示すように、導電層Mの上に感光性樹脂材料からなるレジストRを成膜する。ここでは、レジストRとして、例えば、感光して可溶性となるポジタイプの感光性樹脂材料を適用している。
続いて、図5Cに示すように、フォトマスクPMを介してレジストRを露光する。ここで、適用するフォトマスクPMは、少なくとも画素電極EPに対応したパターンを有している。続いて、図5Dに示すように、レジストRを現像する。これにより、少なくとも画素電極EPに対応したパターンのレジストRが残る。
続いて、図5Eに示すように、レジストRから露出した導電層Mを除去する。この導電層Mの除去には、例えばウエットエッチングプロセスやドライエッチングプロセスなどを適用可能である。これにより、少なくとも画素電極EPに対応したパターンの導電層Mが残る。続いて、図5Fに示すように、導電層Mの上のレジストRを除去して、画素電極EPが形成される。
このような一連のフォトリソグラフィプロセスにおいて、レジストRの露光工程で適用されるフォトマスクPMは、行方向に対して鋭角に交差するとともに列方向に並んだ複数の平行四辺形状のスリットSLに対応したパターンを有するとともに、スリットSLの内角が鋭角となるコーナ部に重なる部分においてエッジの外方に向かって突出する補正パターンを有している。
すなわち、電極を形成するために、矩形状などの角を有したパターンを有するフォトマスクPMを用いて一連のフォトリソグラフィプロセスを適用すると、レジスト露光工程での露光条件、レジスト現像工程での現像条件、導電層除去工程での除去条件などの影響を受けて、完成した電極は、丸みを持った形状となりやすい。
そこで、この実施の形態では、図6に示すように、画素電極EPのスリットSLとして形成すべき平行四辺形状と同一のパターンP1と、このパターンP1のうちの鋭角となるコーナ部に重なる部分に、エッジの外方に向かって突出するように配置された概略コーナ部と相似形の補正パターンP2とを有するフォトマスクPMを適用している。このようなフォトマスクPMを用いて一連のフォトリソグラフィプロセスを行うことにより、完成した画素電極EPにおいて、スリットSLの内角が鋭角となるコーナ部に円弧状の凹部CCが形成される。なお、スリットパターンP1の幅Wは5μmに設定した。
上述した実施の形態において、発明者は、フォトマスクPMに適用される補正パターンP2の最適なサイズについて、種々検討した。これによると、補正パターンP2は、一辺が2.5〜3.5μmの概略コーナ部CCと相似形であり、しかも、スリットSLのエッジから1.0μm〜2.0μmの範囲で突出していることが望ましい、との結論に達した。
すなわち、図6に示すように、補正パターンP2は、平行四辺形状のスリットパターンP1の鋭角となるコーナ部P1Cを覆い、且つ、部分P1のエッジP1Lから突出するように配置されている。ここでは、さらに、補正パターンP2は、部分P1のエッジP1Sからも突出するように配置されている。このとき、発明者は、補正パターンP2の一辺の長さa、及び、補正パターンP2のエッジP1L及びP1Sからの突出量bを種々変更して同一条件で画素電極EPをパターニングし、最良の凹部CCが形成される寸法の範囲を導き出した。
なお、補正パターンP2の一辺の長さとは、エッジP1L及びP1Sとそれぞれ平行な辺の長さであり、ここではエッジP1L及びP1Sとそれぞれ平行な辺の長さを同一に設定した。また、突出量bは、エッジP1L及びP1Sに垂直な方向に沿ったスリットパターンP1と補正パターンP2との距離に相当する。
特に、フォトマスクPM上での突出量bと、パターニング後に完成した画素電極EPのスリットSLにおける窪み量Dとは、略同一となり、凹部CCがスリットSLのエッジL1及びL2から1.0μm〜2.0μmの範囲で窪んでいることが望ましいことに鑑みて、突出量bも同様に、1.0μm〜2.0μmの範囲が最適であることが確認された。
以上説明したように、この実施の形態の液晶表示装置によれば、透過率を向上することができ、表示品位の良好な画像、特に白色画面を表示する場合に輝度の高い画像を表示することが可能となる。
なお、この発明は、上記各実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。
図1は、この発明の一実施の形態に係る横電界を利用した液晶モードの液晶表示装置の構成を概略的に示す図である。 図2は、本実施形態における1画素分の画素電極及び対向電極の構造を概略的に示す平面図である。 図3は、図2に示したアレイ基板をIII−III線で切断したときの液晶表示パネルの断面構造を概略的に示す図である。 図4は、本実施形態における画素電極のスリットを拡大した図である。 図5Aは、画素電極の製造工程を説明するための図であり、導電層の成膜工程を説明するための図である。 図5Bは、画素電極の製造工程を説明するための図であり、レジストの成膜工程を説明するための図である。 図5Cは、画素電極の製造工程を説明するための図であり、レジストの露光工程を説明するための図である。 図5Dは、画素電極の製造工程を説明するための図であり、レジストの現像工程を説明するための図である。 図5Eは、画素電極の製造工程を説明するための図であり、導電層の除去工程を説明するための図である。 図5Fは、画素電極の製造工程を説明するための図であり、レジストの除去工程を説明するための図である。 図6は、フォトマスクに適用されるスリットパターン及び補正パターンと、補正パターンの最適寸法を説明するための図である。
符号の説明
LPN…液晶表示パネル AR…アレイ基板 CT…対向基板 LQ…液晶層
PX…画素
H…行方向 V…列方向
Y…走査線 X…信号線 W…スイッチング素子
EP…画素電極 IL…層間絶縁膜 ET…対向電極
SC…半導体層 WG…ゲート電極 WS…ソース電極 WD…ドレイン電極
COM…コモン配線
SL…スリット L1…エッジ L2…エッジ S1…エッジ S2…エッジ
C1…コーナ部 C2…コーナ部 CC…凹部
PM…フォトマスク P1…スリットパターン P2…補正パターン
20…絶縁基板 22…配向膜
30…絶縁基板 32…ブラックマトリクス 34…カラーフィルタ層 36…配向膜

Claims (6)

  1. 第1基板と第2基板との間に液晶層を保持した構成の液晶表示パネルを備え、
    前記第1基板は、
    各画素の行方向に延在した走査線と、
    各画素の列方向に延在した信号線と、
    画素毎に配置されたスイッチング素子と、
    行方向に対して鋭角に交差するとともに列方向に並んだ複数のスリットを有し、前記スイッチング素子に接続された画素電極と、
    前記画素電極と層間絶縁膜を介して対向する対向電極と、
    前記液晶層と接触する配向膜と、を備え、
    前記スリットは、略平行四辺形状に形成され、内角が鋭角となるコーナ部に、エッジの外方に向かって窪んだ円弧状の凹部を有することを特徴とする液晶表示装置。
  2. 前記配向膜のラビング方向は、前記行方向と平行であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  3. 前記凹部は、前記スリットのエッジから1.0μm〜2.0μmの範囲で窪んでいることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  4. 横電界駆動モードの液晶表示装置の製造方法であって、対向電極と層間絶縁膜を介して対向する画素電極の形成工程において、
    層間絶縁膜上に導電層を成膜し、
    前記導電層上にレジストを成膜し、
    前記レジストを、画素電極に対応したパターンを有するフォトマスクを介して露光し、
    前記レジストを現像し、
    前記レジストから露出した前記導電層を除去する工程を含み、
    前記レジストを露光する工程で適用されるフォトマスクは、行方向に対して鋭角に交差するとともに列方向に並んだ複数の平行四辺形状のスリットに対応したパターンを有するとともに、スリットの内角が鋭角となるコーナ部に重なる部分においてエッジの外方に向かって突出する補正パターンを有し、
    前記画素電極のスリットは、エッジの外方に向かって窪んだ円弧状の凹部を有するように形成されたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  5. 前記補正パターンは、一辺が2.5〜3.5μmの概略コーナ部と相似形であることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置の製造方法。
  6. 前記補正パターンは、前記スリットのエッジから1.0μm〜2.0μmの範囲で突出していることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置の製造方法。
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